JP2001166453A - 非吸収性レチクル及びその製造方法 - Google Patents

非吸収性レチクル及びその製造方法

Info

Publication number
JP2001166453A
JP2001166453A JP2000325436A JP2000325436A JP2001166453A JP 2001166453 A JP2001166453 A JP 2001166453A JP 2000325436 A JP2000325436 A JP 2000325436A JP 2000325436 A JP2000325436 A JP 2000325436A JP 2001166453 A JP2001166453 A JP 2001166453A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
region
reticle
electromagnetic radiation
reflective
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2000325436A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4194746B2 (ja
Inventor
Andrew W Mccullough
ダブリュー マッカロー アンドリュー
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
SVG Lithography Systems Inc
Original Assignee
SVG Lithography Systems Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by SVG Lithography Systems Inc filed Critical SVG Lithography Systems Inc
Publication of JP2001166453A publication Critical patent/JP2001166453A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4194746B2 publication Critical patent/JP4194746B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
    • G03F1/46—Antireflective coatings
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/50—Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/54—Absorbers, e.g. of opaque materials
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 熱的な歪みを低減することのでき、さらに露
光時間の短縮と処理量の増加に結び付く高いイルミネー
ションエネルギの使用が可能なレチクルを提供するこ
と。 【解決手段】 透過性基板が含まれ、前記透過性基板上
に反射領域を配設し、前記反射領域上に電磁放射阻止領
域を配設し、前記透過性基板を透過した電磁放射が、前
記電磁放射阻止領域に達する前に前記反射領域から反射
されるように構成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光リソグラフィレ
チクル及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】光リソグラフィを用いた半導体の製造に
おいては、ウエハを覆った感光性レジスト上の回路パタ
ーンのイメージの投影にマスクやレチクルが用いられて
いる。回路パターンにおける素子の固有サイズは益々小
さくなり、増加する分解能と寸法精度の増加に対する必
要性も増している。光リソグラフィ工程に用いられるマ
スクやレチクルの改善には多くの利点がある。そのよう
な改善の１つとして例えば、米国特許 USP 5,322,748
明細書（on June 21, 1994)に記載のフォトマスクとそ
の製造方法が参考に挙げられる。そこには、感光性ウエ
ハ上に投影されるイメージの分解能向上のために用いら
れる位相シフトマスクが記載されている。そのような改
善には、処理手法の状態の推移があるが、本発明は、改
善のタイプとは関わりがない。半導体ウエハの製造に用
いられるツールの処理量も大量生産に必要とされるため
増加し、問題を提起している。例えば、光リソグラフィ
工程における露光時間の短縮のために高いエネルギ束の
イルミネーションが必要となる。このエネルギー束ない
しエネルギ強度における増加の結果として、マスクやレ
チクルの部分がこのエネルギの不所望な熱的歪みの発生
に十分な量を吸収しかねない。この熱的歪みは、レチク
ルまたはマスク上に形成されるパターンのイメージング
にエラーを引き起こす。これはウエハを覆った感光性レ
ジスタ上に投影される。それに従って最終的な半導体デ
バイスの歩留まりも低下し、ひいては製造コストの増加
が生じる。従って、生産性の向上のために使用される高
エネルギ束イルミネーションを考慮することができ、よ
り重要なこれらの作用を減少する動作分解能を有する、
熱的歪みの少ないマスクないしレチクルの必要性が高ま
【０００３】る。
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、熱的
な歪みを低減することのできるレチクルを提供すること
であり、さらに露光時間の短縮と処理量の増加に結び付
く高いイルミネーションエネルギの使用が可能なレチク
ルを提供することである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】前記課題は本発明によ
り、透過性基板が含まれており、前記透過性基板上には
反射領域が配設されており、前記反射領域上には電磁放
射阻止領域が配設されており、前記透過性基板を透過し
た電磁放射は、前記電磁放射阻止領域に達する前に前記
反射領域から反射されるように構成されて解決される。
【０００５】
【発明の実施の形態】本発明は、光リソグラフィに使用
されるレチクルまたはマスクに向けられている。透過性
の基板は、その上に配置された反射層または誘電層を有
している。不透過または阻止層は、反射層または誘電層
の上方に配置されている。不透過ないし阻止層及び反射
層又は誘電層の一部は、ウエハを覆った感光性レジスト
上に投影すべき所期の回路パターンを形成すべく、除去
される。本発明の１つの実施例によれば、透過性基板を
反射ないし誘電層と不透過ないし阻止層によって均等に
コーティングすることによって透過性基板上に所期のパ
ターンが形成される。２つの層の部分は、所期のパター
ンの形成のために順次除去される。本発明の他の実施例
によれば、反射層または誘電層の領域が、小振りに形成
され、それによって、不透過または阻止層が透過性基板
とのコンタクトを伴って配置可能となる。このことは、
レチクルの透過部分近傍の厚みを低減する。
【０００６】本発明の利点は、その製造が比較的容易な
事である。本発明のさらなる利点は、現行の光リソグラ
フィツールもしくは装置、処理技術の使用に影響がない
ことである。
【０００７】本発明によれば、反射層または誘電層が透
過性基板と不透過ないし阻止層の間に用いられる。
【０００８】本発明の別の実施例によれば、適切な反射
層と共に照明源の波長の独立的な使用が可能である。こ
れには次の波長、１５７ｎｍ、１９３ｎｍ、２４８ｎ
ｍ、３６５ｎｍも含まれる。
【０００９】本発明のさらに別の有利な実施例は従属請
求項に記載される。
【００１０】
【実施例】次に本発明を図面に基づき以下の明細書で詳
細に説明する。
【００１１】図１には、本発明のレチクルまたはマスク
が示されている。図１中透過性基板は、符号１０で示さ
れている。この基板１０は、典型的には、ガラス、石
英、フッ化カルシウム、含石英フッ化物、またはその他
の適切な透過性材料からなる。反射ないし誘電層１２
は、透過性基板１０の上方端面に配置されており、これ
は図には示されていない投影光学的に最も近い。反射層
１２は、アルミニウム、あるいは照明源１８からの照明
１６の波長で反射する誘電体などの反射性材料からなっ
ている。この誘電体とは、基板上に配置されるあるいは
その他の標準的な技法による、基板よりも高い反射率の
１/４波長フィルムと基板よりも低い反射率の１/４波長
フィルムの交互に重なった層からなる高反射コーティン
グ部をさしている。このコーティング自体は、特定の波
長によってもよいし、広範な波長間隔に亘って厚さとイ
ンデックスが変更されてもよい。標準的な材料として周
知には、１５７ｎｍ〜３６５ｎｍの有意な波長での誘電
体形成のためのコーティングが使用される。反射層１２
の表面には不透過ないし阻止層１４が形成される。この
不透過ないし阻止層１４は、典型的にはレチクルやマス
ク製造の標準として周知のクロムなどの金属フィルムか
らなる。しかしながらこの不透過ないし阻止層１４は、
所期のパターンを越えた形成を回避すべく感光性レジス
トを活性化させないようにするのに十分なその他の材料
であってもよい。反射または誘電層１２は、図示されて
いない、ウエハを覆う感光性レジスト上のレチクルのイ
メージを投影するのに用いられる照明源１８の波長にお
いて、通常使用されている不透過ないし阻止層１４以上
の反射性を必要とするだけである。それによりエネルギ
はレチクルに吸収され、熱的負荷は低減される。図示し
ていない、ウエハを覆う感光性レジスト上の再生すべき
パターンは、反射または誘電層１２と不透過ないし阻止
層１４に形成される。既に周知のようにエッチング技法
が、再生すべき所期のパターン形成に用いられる。
【００１２】図２のａ〜ｃは、基本的に本発明による、
パターンも含めたレチクルまたはマスクの製造に用いら
れる予備ステップが示されている。図２ａは、ガラスま
たは石英などの透過性材料からなる基板１０の基本的な
断面が示されている。図２のｂには基本的に、透過性基
板１０の表面に配置される反射または油田層１２の断面
が示されている。透過性基板１０の反射または誘電層１
２の形成は、スパッタリングなどの手段によって実施さ
れる。図２のｃには基本的に、反射ないし誘電層１２上
に配置されるクラムなどの不透過ないし阻止層１４の形
成の様子が示されている。
【００１３】図３のａ〜ｂには基本的に、本発明による
第１実施例に従ったレチクルまたはマスクの形成の様子
が示されている。図２ｃに示されている不透過ないし阻
止層１４の部分は、不透過ないし阻止領域１４′形成の
ために除去される。この領域１４′は、、不透過ないし
阻止層１４全体のレジストへの電子ビームによる図示の
パターンに従った電子ビーム照射と後続する現像処理な
どによる従来技法によって形成される。それによって領
域１４′が形成される。この領域１４′の形成に続い
て、反射ないし誘電層１２の部分が、ドライエッチング
またはその他の標準的なエッチングによるエッチング処
理を施され、前記領域１４′と基板１０の間に反射ない
し誘電領域１２′が図３ｂに示されているように形成さ
れる。その結果複雑な回路パターンなどのレチクル形成
上の所期のパターンが形成される。そのように形成され
たレチクルがレチクルの透過性基板１０側から入射する
照明によって、ウエハを覆う感光性レジスト上で投影さ
れたならば、不透過ないし阻止領域１４′は、図１に示
した照明源によって生起された電磁放射の吸収を阻止す
る。照明源からの電磁放射は基板１０を透過し、少なく
とも部分的に反射または誘電領域１２′によって反射さ
れる。その結果、不透過ないし阻止領域１４′は、この
電磁放射を吸収しない。これは結果的にレチクルないし
マスク内の加熱や熱的歪みを生じさせないことにつなが
る。不透過ないし阻止層１４に対して最も共通して使用
される材料であるクロムは、共通の照明源の波長領域
（例えば１５７ｎｍ〜３６５ｎｍ）の６０％ほどの吸収
率を有している。阻止層１４は、高度な数値制御装置シ
ステムの要求を満たす位に薄い。仮にアルミニウムがこ
の阻止層１４として使用されるならば、吸収度は、前記
したような波長領域の１０％のオーダになる。このこと
は、熱的負荷を６倍以上も低減させる。
【００１４】図４ａ〜ｅは、高度の数値制御装置と投影
光学系を用いた好ましい応用例としての、不透過ないし
阻止層形成のための本発明による第２実施例の製造ステ
ップを示したものである。図４ａは、領域１４″を有し
ている透過性基板１０を備えたレチクルを示したもので
ある。この領域１４″は、図３ａに示されている実施例
の説明で記載した従来の処理技法による電子ビームによ
って形成される。しかしながらこの領域１４″は、小さ
めのサイズもしくは回路パターンの所期の幅よりも短い
幅で形成される。図４ｂは、前記領域１４″の下方以外
の反射ないし誘電層１２の除去が示されている。反射な
いし誘電領域１２の間の間隔は、形成すべき回路パター
ンの所期の幅よりも大きめである。それ故にこの反射な
いし誘電領域１２″は、小さめのサイズである。図４ｃ
には、領域１４″の除去が示されている。これは小さめ
の反射ないし誘電領域１２″形成のためにのみ用いられ
ている。図４のｄには、透過性基板１０と小さめの反射
領域１２″の、不透過ないし阻止層１１４による再コー
ティングが示されている。図４のｅには、反射領域１
２″の間の不透過ないし阻止層１１４の部分的な除去を
介したレチクルまたはマスク形成に対する予め定められ
たパターン形成の様子が示されており、これによって不
透過ないし阻止領域１１４′が形成される。この不透過
ないし阻止領域１１４′は、有利には、不透過ないし阻
止領域１１４′による形成の結果としてのパターンを形
成する縁部が透過性基板１０に隣接する。このレチクル
ないしマスク構造は、高度な数値制御装置を有する投影
光学系の場合に有利に用いられ、故にフィールドの深さ
が限られる。
【００１５】図２ａ〜ｃに示されている前処理ステップ
は、前記第１実施例と第２実施例に対して共通である。
図３ａ〜ｂには図２ａ〜ｃに示されている共通の処理ス
テップに続く本発明の第１実施例による製造工程におい
て実施される処理ステップが示されている。図４ａ〜ｅ
には、図２ａ〜ｃに示されている共通の処理ステップに
続く、本発明の第２実施例による製造工程において実施
される処理ステップが示されている。
【００１６】図５には本発明の別の実施例が示されてい
る。この実施例では単独の層のみが用いられている。阻
止層と反射層は、同じ１つのものであってもよい。例え
ばアルミニウムが反射と阻止の両方の単独層であっても
よい。しかしながらレチクルないしマスクメーカに周知
の異なる制約はこの解決手段が排除している。ラインエ
ッジラフネスや上層の反射率などの係数は反映される。
図５では、透過性基板２１０が再生すべきパターン部分
を形成する層２１３を有している。この層２１３は、基
板２１０表面に隣接する反射表面２１３′を有してい
る。基板２１０の反対側表面には、反射防止コーティン
グ２１１が施される。この反射防止コーティング部２１
３は、本発明の他の実施例にも使用される。本発明で
は、より多くの光がレチクルから反射され吸収は比較的
少ない。レチクルの裏側表面からの余分な反射を最小化
するために、パターン化されていない側が照明源により
近い。有利には、反射防止コーティングには１５７ｎｍ
〜３６５ｎｍの帯域の波長が用いられる。これは、余分
な反射を最小化する。
【００１７】本発明の全ての実施例を反射層を利用す
る。本発明で利用される反射層は、１５７ｎｍ〜３６５
ｎｍの波長範囲においてクロムよりも大きな反射率を有
する。このクロムは基本的には約４０％の反射率を有し
ている。これは入射される光束の４０％が反射されるこ
とを意味する。有利には、本発明では、６０％よりも高
い反射率を有する反射層ないし反射/不透過層（シング
ルの場合）が利用される。
【００１８】本発明によれば、光化学線による照明の場
合にレチクルのウオームアップが大幅に低減され、さら
にプリントエラーの引き金となる不所望な熱的歪みも低
減される。それ故に本発明は、光リソグラフィ工程を向
上させ、関連する半導体製造の歩留まりを改善する。前
述した実施例の説明や図面に示してきた本発明の有利な
実施例は、本発明の趣旨及び展望から逸しない限り種々
異なる変更が可能なことも当業者には明らかである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例の概略的な断面図である。
【図２】ａ〜ｃは、本発明によるレチクルないしマスク
の製造における前処理ステップを概略的に断面図で示し
た図である。
【図３】ａ〜ｂは、本発明の第１実施例の次の処理ステ
ップを概略的に断面図で示した図である。
【図４】ａ〜ｅは、本発明の第２実施例の次の処理ステ
ップを概略的に断面図で示した図である。
【図５】本発明の別の実施例を概略的に断面図で示した
図である。
【符号の説明】
１０ 基板 １２ 反射または誘電層 １４ 不透過ないし阻止層 １６ 照明 １８ 照明源

Claims (24)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 光リソグラフィレチクルにおいて、 透過性基板が含まれており、 前記透過性基板上には反射領域が配設されており、 前記反射領域上には電磁放射阻止領域が配設されてお
    り、 前記透過性基板を透過した電磁放射は、前記電磁放射阻
    止領域に達する前に前記反射領域から反射されるように
    構成されていることを特徴とする、光リソグラフィレチ
    クル。
  2. 【請求項２】 前記電磁放射阻止領域は、クロムからな
    っている、請求項１記載の光リソグラフィレチクル。
  3. 【請求項３】 前記電磁放射阻止領域は、アルミニウム
    からなっている、請求項１記載の光リソグラフィレチク
    ル。
  4. 【請求項４】 前記反射領域は、１５７ｎｍ〜３６５ｎ
    ｍの電磁放射の予め定められた波長に対する反射特性を
    備えた誘電体からなっている、請求項１記載の光リソグ
    ラフィレチクル。
  5. 【請求項５】 前記透過性基板は、石英、含石英フッ化
    物、フッ化カルシウムなどのグループから選択される、
    請求項１記載の光リソグラフィレチクル。
  6. 【請求項６】 前記透過性基板上に、反射防止コーティ
    ング部が配設されている、請求項１記載の光リソグラフ
    ィレチクル。
  7. 【請求項７】 光リソグラフィレチクルにおいて、 透過性基板が含まれており、 前記透過性基板上には反射領域が配設されており、該反
    射領域は、第１の幅を有しており、 前記反射領域と透過性基板上に、電磁放射阻止領域が配
    設されており、該電磁放射阻止領域は、第２の幅を有し
    ており、この第２の幅は前記反射領域の第１の幅よりも
    長く、 前記透過性基板を透過した電磁放射が、前記電磁放射阻
    止領域に達する前に前記反射領域から反射されるように
    構成されていることを特徴とする、光リソグラフィレチ
    クル。
  8. 【請求項８】 前記電磁放射阻止領域は、クロムからな
    っている、請求項７記載の光リソグラフィレチクル。
  9. 【請求項９】 前記電磁放射阻止領域は、アルミニウム
    からなっている、請求項７記載の光リソグラフィレチク
    ル。
  10. 【請求項１０】 前記反射領域は、１５７ｎｍ〜３６５
    ｎｍの電磁放射の予め定められた波長に対する反射特性
    を備えた誘電体からなる、請求項７記載の光リソグラフ
    ィレチクル。
  11. 【請求項１１】 前記透過性基板は、石英、含石英フッ
    化物、フッ化カルシウムなどのグループから選択され
    る、請求項７記載の光リソグラフィレチクル。
  12. 【請求項１２】 前記透過性基板上に、反射防止コーテ
    ィング部が配設されている、請求項７記載の光リソグラ
    フィレチクル。
  13. 【請求項１３】 光リソグラフィレチクルを製造する方
    法において、 透過性基板上に反射層を設けるステップと、 前記反射層上に電磁放射阻止層を設けるステップと、 第１の領域を形成する電磁放射阻止層部分を除去するス
    テップと、 前記透過性基板と電磁放射阻止層の間の第２の領域を形
    成する反射層部分を除去するステップとを有し、 予め定められた電磁放射伝送パターンを形成することを
    特徴とする方法。
  14. 【請求項１４】 前記第１の領域は、実質的に前記第２
    の領域と同じ幅を有している、請求項１３記載の方法。
  15. 【請求項１５】 前記第１の領域は、前記第２の領域よ
    りも長い幅を有している、請求項１３記載の方法。
  16. 【請求項１６】 前記反射層は誘電体からなる、請求項
    １３記載の方法。
  17. 【請求項１７】 前記電磁反射防止層は、クロムからな
    る、請求項１３記載の方法。
  18. 【請求項１８】 前記透過性基板上に反射防止コーティ
    ング部を設けるステップがさらに含まれている、請求項
    １３記載の方法。
  19. 【請求項１９】 基板を含み、該基板上には再生すべき
    パターンを形成する領域が配設されており、該領域はク
    ロムよりも高い反射率を有していることを特徴とする、
    レチクル。
  20. 【請求項２０】 前記領域の反射率は、６０％よりも高
    い、請求項１９記載のレチクル。
  21. 【請求項２１】 前記領域は、アルミニウムからなる、
    請求項１９記載のレチクル。
  22. 【請求項２２】 前記反射率は、１５７ｎｍ〜３６５ｎ
    ｍの波長におけるものである、請求項１９記載のレチク
    ル。
  23. 【請求項２３】 前記基板上にさらに反射防止コーティ
    ング部が配置されている、請求項２０記載のレチクル。
  24. 【請求項２４】 反射防止コーティング部は前記領域と
    は反対側の基板表面に配設されている、請求項２０記載
    のレチクル。
JP2000325436A 1999-10-25 2000-10-25 非吸収性レチクル及びその製造方法 Expired - Fee Related JP4194746B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US09/426,250 US6444372B1 (en) 1999-10-25 1999-10-25 Non absorbing reticle and method of making same
US09/426250 1999-10-25

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2001166453A true JP2001166453A (ja) 2001-06-22
JP4194746B2 JP4194746B2 (ja) 2008-12-10

Family

ID=23689989

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000325436A Expired - Fee Related JP4194746B2 (ja) 1999-10-25 2000-10-25 非吸収性レチクル及びその製造方法

Country Status (6)

Country Link
US (4) US6444372B1 (ja)
EP (2) EP2034359A2 (ja)
JP (1) JP4194746B2 (ja)
KR (1) KR100675782B1 (ja)
CA (1) CA2322412A1 (ja)
DE (1) DE60041170D1 (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7968256B2 (en) 2006-10-10 2011-06-28 Canon Kabushiki Kaisha Near field exposure mask, method of forming resist pattern using the mask, and method of producing device
JP2015152924A (ja) * 2014-02-10 2015-08-24 エスケーハイニックス株式会社ＳＫｈｙｎｉｘ Ｉｎｃ． 熱吸収抑制のためのフォトマスクブランクおよびフォトマスク
JP2017054105A (ja) * 2015-09-11 2017-03-16 旭硝子株式会社 マスクブランク
JP7379353B2 (ja) 2018-02-22 2023-11-14 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド より優れた膜品質を可能にするためにマスク基板を処理する方法

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6627355B2 (en) * 1999-07-20 2003-09-30 Advanced Micro Devices, Inc. Method of and system for improving stability of photomasks
US6444372B1 (en) * 1999-10-25 2002-09-03 Svg Lithography Systems, Inc. Non absorbing reticle and method of making same
JP3923368B2 (ja) * 2002-05-22 2007-05-30 シャープ株式会社 半導体素子の製造方法
US7541115B1 (en) * 2004-11-15 2009-06-02 Kla-Tencor Technologies Corporation Use of calcium fluoride substrate for lithography masks
US7604906B1 (en) 2005-09-21 2009-10-20 Kla- Tencor Technologies Corporation Films for prevention of crystal growth on fused silica substrates for semiconductor lithography
US7495666B2 (en) * 2005-12-29 2009-02-24 Microsoft Corporation Intelligent graph range for computer algebra system
US9005848B2 (en) * 2008-06-17 2015-04-14 Photronics, Inc. Photomask having a reduced field size and method of using the same
US9005849B2 (en) * 2009-06-17 2015-04-14 Photronics, Inc. Photomask having a reduced field size and method of using the same
US10276411B2 (en) 2017-08-18 2019-04-30 Applied Materials, Inc. High pressure and high temperature anneal chamber
KR102396319B1 (ko) 2017-11-11 2022-05-09 마이크로머티어리얼즈 엘엘씨 고압 프로세싱 챔버를 위한 가스 전달 시스템
JP7239598B2 (ja) 2018-03-09 2023-03-14 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 金属含有材料の高圧アニーリングプロセス
US11901222B2 (en) 2020-02-17 2024-02-13 Applied Materials, Inc. Multi-step process for flowable gap-fill film

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1583459A (en) * 1977-12-20 1981-01-28 Philips Electronic Associated Masks their manufacture and the manufacture of microminiature solid-state devices using such masks
US4411972A (en) 1981-12-30 1983-10-25 International Business Machines Corporation Integrated circuit photomask
US4592081A (en) 1984-02-10 1986-05-27 Varian Associates, Inc. Adaptive X-ray lithography mask
JPH0797216B2 (ja) 1986-10-29 1995-10-18 インタ−ナショナル・ビジネス・マシ−ンズ・コ−ポレ−ション マスクの製造方法
DE69133169D1 (de) 1990-05-09 2003-01-16 Canon Kk Verfahren zur Erzeugung einer Struktur und Verfahren zum Vorbereiten einer halbleitenden Anordnung mit Hilfe dieses Verfahrens
JP2759582B2 (ja) 1991-09-05 1998-05-28 三菱電機株式会社 フォトマスクおよびその製造方法
JPH05281698A (ja) 1992-03-31 1993-10-29 Mitsubishi Electric Corp フォトマスク及びパターン転写方法
KR960015792B1 (ko) * 1993-06-10 1996-11-21 현대전자산업 주식회사 반도체 소자의 패턴형성용 마스크 제조방법
KR960035589U (ko) * 1995-04-12 1996-11-21 알루미늄 패턴을 구비한 마스크
US6165649A (en) * 1997-01-21 2000-12-26 International Business Machines Corporation Methods for repair of photomasks
US6048652A (en) * 1998-12-04 2000-04-11 Advanced Micro Devices, Inc. Backside polish EUV mask and method of manufacture
US6037083A (en) * 1998-12-22 2000-03-14 Hoya Corporation Halftone phase shift mask blanks, halftone phase shift masks, and fine pattern forming method
US6187484B1 (en) * 1999-08-31 2001-02-13 Micron Technology, Inc. Irradiation mask
US6444372B1 (en) * 1999-10-25 2002-09-03 Svg Lithography Systems, Inc. Non absorbing reticle and method of making same

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7968256B2 (en) 2006-10-10 2011-06-28 Canon Kabushiki Kaisha Near field exposure mask, method of forming resist pattern using the mask, and method of producing device
JP2015152924A (ja) * 2014-02-10 2015-08-24 エスケーハイニックス株式会社ＳＫｈｙｎｉｘ Ｉｎｃ． 熱吸収抑制のためのフォトマスクブランクおよびフォトマスク
JP2017054105A (ja) * 2015-09-11 2017-03-16 旭硝子株式会社 マスクブランク
KR20170031617A (ko) 2015-09-11 2017-03-21 아사히 가라스 가부시키가이샤 마스크 블랭크
JP7379353B2 (ja) 2018-02-22 2023-11-14 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド より優れた膜品質を可能にするためにマスク基板を処理する方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20020182519A1 (en) 2002-12-05
US20050025279A1 (en) 2005-02-03
EP1096312B1 (en) 2008-12-24
KR20010051185A (ko) 2001-06-25
JP4194746B2 (ja) 2008-12-10
US6444372B1 (en) 2002-09-03
US7014963B2 (en) 2006-03-21
US7029804B2 (en) 2006-04-18
US6686101B2 (en) 2004-02-03
DE60041170D1 (de) 2009-02-05
EP2034359A2 (en) 2009-03-11
EP1096312A1 (en) 2001-05-02
CA2322412A1 (en) 2001-04-25
KR100675782B1 (ko) 2007-01-29
US20040131954A1 (en) 2004-07-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6013399A (en) Reworkable EUV mask materials
US6562522B1 (en) Photomasking
JP4329002B2 (ja) トリ・トーン減衰位相シフト・マスクにおける近接効果を補正するための方法
US7073969B2 (en) Method for fabricating a photomask for an integrated circuit and corresponding photomask
JP4194746B2 (ja) 非吸収性レチクル及びその製造方法
JPH06175347A (ja) ホトマスクおよびそれを用いたパタン形成方法
JPH10268504A (ja) ハーフトーン型位相シフトマスク及びその製造方法
KR100695583B1 (ko) 반사 마스크, 반도체 부품 제조 프로세스 및 반사 마스크 제조 방법
JP2004207593A (ja) 極限紫外線露光用マスク及びブランク並びにパターン転写方法
KR101611775B1 (ko) 반사형 마스크 블랭크 및 반사형 마스크, 그 제조 방법
US20040188383A1 (en) Non-resolving mask tiling method for flare reduction
JPH10186632A (ja) ハーフトーン型位相シフトマスク用ブランク及びハーフトーン型位相シフトマスク
JP2002287326A (ja) 半導体素子製造のための位相反転マスク及びその製造方法
JPH04162039A (ja) フォトマスク
JP4529359B2 (ja) 極限紫外線露光用マスク及びブランク並びにパターン転写方法
JP2000031021A (ja) 反射型マスクおよびそれを用いたデバイスの製造方法
US7745070B2 (en) Structure of a lithography mask
JP4501347B2 (ja) 極限紫外線露光用マスク及びブランク並びにパターン転写方法
KR20050007176A (ko) 레티클과, 반도체 노광장치 및 방법과, 반도체 디바이스제조방법
KR0123241B1 (ko) 포토마스크 및 그 제조방법
JPH0511433A (ja) フオトマスクの製造方法及びフオトマスク
KR100824904B1 (ko) 고립 라인 주위에 노치가 형성된 반사형 마스크
KR20210155863A (ko) 극자외선 리소그래피용 위상 반전 마스크 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법
JPH05188578A (ja) フォトマスク、及び、半導体装置の製造方法
JPH08181059A (ja) 半導体装置の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20050302

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20060914

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20060915

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712

Effective date: 20061124

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20070803

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070830

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070830

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080331

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080625

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20080828

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20080924

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111003

Year of fee payment: 3

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees