JP7199531B2 - 極紫外線マスク吸収体用のｔａ‐ｃｕ合金 - Google Patents

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Description

[0001] 本開示は、広くは、極紫外線リソグラフィに関し、特に、タンタルと銅との合金を含む吸収体層を有する極紫外線マスクブランク、及びその製造方法に関する。
[0002] ０．０１３５ミクロン以下の最小特徴サイズの半導体デバイスの製造には、軟X線投影リソグラフィとしても知られる極紫外線（EUV）リソグラフィが使用される。しかし、概して、５から１００ナノメートル（nm）の波長範囲内の極紫外線光は、ほとんど全ての材料によって強く吸収される。この理由により、極紫外線システムは、光の透過よりも反射によって機能する。一連の鏡又はレンズ素子、及び非反射性吸収体マスクパターンでコーティングされた反射素子又はマスクブランクの使用を介して、パターン化された化学光が、レジストでコーティングされた半導体基板上に反射される。
[0003] 極紫外線リソグラフィシステムのレンズ素子及びマスクブランクは、モリブデンやシリコンなどの材料の反射性多層コーティングでコーティングされる。１３．５nmの紫外線光では、例えば１２．５から１４．５nmの帯域などの非常に狭い紫外線の帯域内の光を強く反射する多層コーティングでコーティングされた基板を使用することによって、レンズ素子又はマスクブランク当たり近似的に６５％の反射値が得られている。
[0004] 図1は、従来のEUV反射マスク１０を示しており、これはEUVマスクブランクから形成されており、そのブランクは、基板１４上に反射性多層積層体１２を含み、その積層体は、ブラッグ干渉（Bragg interference）によってマスクされていない部分でEUV放射を反射する。従来のEUV反射マスク１０のマスクされた（反射しない）エリア１６は、緩衝層１８及び吸収層２０をエッチングすることによって形成される。吸収層は、典型的には、５１nmから７７nmの範囲内の厚さを有する。キャッピング層２２が、反射性多層積層体１２の上に形成され、エッチング処理中に、反射性多層積層体１２を保護する。以下で更に説明されることとなるように、EUVマスクブランクは、多層、キャッピング層、及び吸収層でコーティングされた低熱膨張材料基板から作製され、次いで、エッチングされて、マスクされた（反射しない）エリア１６及び反射エリア２４を提供する。
[0005] 半導体用のインターナショナル・テクノロジー・ロードマップ（ITRS）は、ノードのオーバレイ要求を、テクノロジーの最小半ピッチ特徴サイズの百分率として規定している。全ての反射性リソグラフィシステムに固有の像配置及びオーバレイ誤差への影響により、EUV反射マスクは、将来の生産のために、より精密な平坦度仕様に従う必要があるだろう。更に、EUVブランクは、ブランクの動作エリア上の欠陥に対する許容度が非常に低い。３Ｄ効果を緩和するために、より薄い吸収体を有するEUVマスクブランクを提供する必要がある。
[0006] 本開示の１以上の実施形態は、基板と、基板上の反射層の多層積層体であって、反射層対を含む複数の反射層を含む反射層の多層積層体と、反射する層の多層積層体上のキャッピング層と、タンタルと銅との合金を含む吸収体層とを含む、極紫外線（EUV）マスクブランクを対象とする。
[0007] 本開示の更なる実施形態は、極紫外線（EUV）マスクブランクを製造する方法を対象とする。該方法は、基板上に基板上の反射層の多層積層体であって、複数の反射層対を含む反射層の多層積層体を形成すること、反射層の多層積層体上にキャッピング層を形成すること、及びキャッピング層上にタンタルと銅との合金を含む吸収体層を形成することを含む。
[0008] 本開示の更なる実施形態は、極紫外線光源、並びに、レチクルであって、基板と、基板の上の多層積層体と、多層積層体の上の吸収体層であって、８０nm未満の厚さ、及び１３．５nmの波長における２％未満の紫外線（EUV）光の反射率を有する吸収体層とを含む、レチクルを備える、極紫外線（EUV）リソグラフィシステムであって、吸収体層がタンタルと銅との合金を含む、極紫外線（EUV）システムを対象とする。
[0009] 上述した本開示の特徴を詳細に理解できるように、一部が添付の図面に例示されている実施形態を参照しながら、上記に短く要約した本開示をより具体的に説明する。しかし、添付の図面は、本開示の典型的な実施形態のみを示し、したがって、本開示は、他の等しく有効な実施形態を認めることができるので、本開示の範囲を限定すると見なされるべきではないことに留意されたい。
[0010] 従来の吸収体を採用する背景技術のEUV反射マスクを概略的に示す。 [0011] 極紫外線リソグラフィシステムの一実施形態を概略的に示す。 [0012] 極紫外線反射素子製造システムの一実施形態を示す。 [0013] EUVマスクブランクなどの極紫外線反射素子の一実施形態を示す。 [0014] EUVマスクブランクなどの極紫外線反射素子の一実施形態を示す。 [0015] マルチカソード物理堆積チャンバの一実施形態を示す。
[0016] 本開示の幾つかの例示的な実施形態を説明する前に、本開示が以下の説明で提示される構成又は処理ステップの詳細に限定されないことを理解されたい。本開示は、他の実施形態も可能であり、様々な方法で実施又は実行することができる。
[0017] 本明細書で使用する「水平」という語は、その配向性と関係なく、マスクブランクの面又は表面に平行する面として定義される。「垂直」という語は、ここで定義された水平に対して垂直の方向を指すものである。「上方（above）」、「下方（below）」、「下（bottom）」、「上（top）」、「側（side）」（「側壁（sidewall）」のような）、「より高い（higher）」、「より低い（lower）」、「より上の（upper）」、「上（over）」、「下（under）」などの用語は、図で示されているように、水平な面に対して定義される。
[0018] 「の上（on）」という語は、要素間で直接の接触があることを示す。「すぐ上、真上（directly on）」という語は、介在する要素がない要素間での直接の接触を示す。
[0019] １以上の実施形態に従って本明細書で使用される際に、「前駆体」、「反応物」、「反応性ガス」などの用語は、基板面と反応する任意のガス種を指すために互換的に使用される。
[0020] 当業者であれば、処理領域について説明するための「第１（first）」や「第２（second）」などの序数の使用が、処理チャンバにおける具体的な場所、又は、処理チャンバ内での曝露の順序を示唆するものではないことが理解されよう。
［0021］ 本明細書及び添付の特許請求の範囲において使用される「基板」という用語は、処理が作用する表面又は表面の一部分を表している。また、幾つかの実施形態における基板に対して言及がなされるとき、文脈において特に明示されない限り、基板の一部のみを指すことができることを当業者は理解するであろう。更に、幾つかの実施形態における基板上への堆積に対して言及がなされるとき、それは、ベア基板と、１以上の膜又は特徴が上に堆積又は形成された基板と、の両方を意味する。
[0022] 次に図２を参照すると、極紫外線リソグラフィシステム１００の例示的な一実施形態が示されている。極紫外線リソグラフィシステム１００は、極紫外線光１１２を生成するための極紫外線光源１０２、一組の反射素子、及びターゲットウエハ１１０を含む。反射素子は、コンデンサ１０４、EUV反射マスク１０６、光学縮小アセンブリ１０８、マスクブランク、鏡、又はこれらの組み合わせを含む。
[0023] 極紫外線光源１０２は、極紫外線光１１２を生成する。極紫外線光１１２は、５から５０ナノメートル（nm）の範囲内の波長を有する電磁放射である。例えば、極紫外線光源１０２は、レーザー、レーザー生成プラズマ、放電生成プラズマ、自由電子レーザー、シンクロトロン放射線、又はこれらの組み合わせを含む。
[0024] 極紫外線光源１０２は、様々な特性を有する極紫外線光１１２を生成する。極紫外線光源１０２は、ある範囲の波長にわたる広帯域の極紫外線放射を生成する。例えば、極紫外線光源１０２は、５から５０nmの範囲の波長を有する極紫外線光１１２を生成する。
[0025] １以上の実施形態では、極紫外線光源１０２が、狭帯域幅を有する極紫外線光１１２を生成する。例えば、極紫外線光源１０２は、１３．５nmの極紫外線光１１２を生成する。波長ピークの中心は、１３．５nmである。
[0026] コンデンサ１０４は、極紫外線光１１２を反射し、集中させるための光学ユニットである。コンデンサ１０４は、極紫外線光源１０２からの極紫外線光１１２を反射し、集中させて、EUV反射マスク１０６を照射する。
[0027] コンデンサ１０４は、単一の要素として示されているが、幾つかの実施形態におけるコンデンサ１０４は、極紫外線光１１２を反射し、集中させるために、凹面鏡、凸面鏡、平面鏡、又はそれらの組み合わせなどの１以上の反射素子を含むことが理解される。例えば、幾つかの実施形態におけるコンデンサ１０４は、単一の凹面鏡、又は凸状、凹状、及び平坦な光学素子を有する光学アセンブリである。
[0028] EUV反射マスク１０６は、マスクパターン１１４を有する極紫外線反射素子である。EUV反射マスク１０６は、リソグラフィパターンを作成して、ターゲットウエハ１１０上に形成される回路レイアウトを形成する。EUV反射マスク１０６は、極紫外線光１１２を反射する。マスクパターン１１４は、回路レイアウトの一部分を画定する。
[0029] 光学縮小アセンブリ１０８は、マスクパターン１１４の像を縮小するための光学ユニットである。EUV反射マスク１０６からの極紫外線光１１２の反射は、光学縮小アセンブリ１０８によって縮小され、ターゲットウエハ１１０上に反射される。幾つかの実施形態における光学縮小アセンブリ１０８は、マスクパターン１１４の像のサイズを縮小するために、鏡及び他の光学素子を含む。例えば、幾つかの実施形態における光学縮小アセンブリ１０８は、極紫外線光１１２を反射し、集中させるための凹面鏡を含む。
[0030] 光学縮小アセンブリ１０８は、ターゲットウエハ１１０上のマスクパターン１１４の像のサイズを縮小する。例えば、幾つかの実施形態におけるマスクパターン１１４は、光学縮小アセンブリ１０８によってターゲットウエハ１１０上で４：１の比率で像を結び、マスクパターン１１４によって表される回路をターゲットウエハ１１０上に形成する。幾つかの実施形態の極紫外線光１１２は、ターゲットウエハ１１０と同期するようにEUV反射マスク１０６をスキャンして、ターゲットウエハ１１０上にマスクパターン１１４を形成する。
[0031] 次に図３を参照すると、極紫外線反射素子製造システム２００の一実施形態が示されている。極紫外線反射素子は、EUVマスクブランク２０４、極紫外線鏡２０５、又はEUV反射マスク１０６などの他の反射素子を含む。
[0032] 幾つかの実施形態における極紫外線反射素子製造システム２００は、図２の極紫外線光１１２を反射するマスクブランク、鏡、又は他の素子を製造する。極紫外反射素子製造システム２００は、ソース基板２０３に薄いコーティングを付加することによって、反射素子を製造する。
[0033] 図３を参照すると、EUVマスクブランク２０４は、図２のEUV反射マスク１０６を形成するための多層構造である。幾つかの実施形態におけるEUVマスクブランク２０４は、半導体製造技法を使用して形成される。幾つかの実施形態のEUV反射マスク１０６は、エッチング及び他のプロセスによってEUVマスクブランク２０４上に形成された図２のマスクパターン１１４を有する。
[0034] 極紫外線鏡２０５は、ある範囲の極紫外線光を反射する多層構造である。幾つかの実施形態における極紫外線鏡２０５は、半導体製造技法を使用して形成される。幾つかの実施形態におけるEUVマスクブランク２０４及び極紫外線鏡２０５は、各素子上に形成された層であることに関して類似するが、極紫外線鏡２０５はマスクパターン１１４を有さない。
[0035] 反射素子は、極紫外線光１１２の効率的なリフレクタである。一実施形態では、EUVマスクブランク２０４及び極紫外線鏡２０５が、６０％を超える極紫外線反射率を有する。反射素子は、概して、極紫外線光１１２の６０％より上を反射する場合、効率的であると考えられる。
[0036] 極紫外線反射素子製造システム２００は、ソース基板２０３がその中に装填され、反射素子がそこから取り出される、ウエハ装填・キャリア操作システム２０２を含む。雰囲気操作システム２０６により、ウエハ操作減圧チャンバ２０８へのアクセスが提供される。幾つかの実施形態におけるウエハ装填・キャリア操作システム２０２は、基板搬送ボックス、ロードロック、及び他の構成要素を含み、基板を雰囲気からシステムの内側の減圧に移送する。EUVマスクブランク２０４を使用して、非常に小さいスケールでデバイスを形成するので、ソース基板２０３及びEUVマスクブランク２０４は、汚染及び他の欠陥を防止するために減圧システム内で処理される。
[0037] 幾つかの実施形態におけるウエハ操作減圧チャンバ２０８は、２つの減圧チャンバ、すなわち第１の減圧チャンバ２１０と第２の減圧チャンバ２１２とを含む。第１の減圧チャンバ２１０は、第１のウエハ操作システム２１４を含み、第２の減圧チャンバ２１２は、第２のウエハ操作システム２１６を含む。ウエハ操作減圧チャンバ２０８は、２つの減圧チャンバを伴って説明されるが、幾つかの実施形態のシステムは、任意の数の減圧チャンバを有することが理解される。
[0038] 幾つかの実施形態におけるウエハ操作減圧チャンバ２０８は、様々な他のシステムの取り付け用に、その周縁の周りに複数のポートを有する。第１の減圧チャンバ２１０は、ガス抜きシステム２１８、第１の物理的気相堆積システム２２０、第２の物理的気相堆積システム２２２、及び予洗浄システム２２４を有する。ガス抜きシステム２１８は、基板から水分を熱的に脱着させるためのものである。予洗浄システム２２４は、ウエハ、マスクブランク、鏡、又は他の光学部品の表面を洗浄するためのものである。
[0039] 幾つかの実施形態における第１の物理的気相堆積システム２２０や第２の物理的気相堆積システム２２２などのような物理的気相堆積システムを使用して、ソース基板２０３上に導電性材料の薄膜を形成する。例えば、幾つかの実施例における物理的気相堆積システムは、マグネトロンスパッタリングシステム、イオンスパッタリングシステム、パルスレーザー堆積、カソードアーク堆積、又はこれらの組み合わせなどのような減圧堆積システムを含む。マグネトロンスパッタリングシステムなどの物理的気相堆積システムは、ソース基板２０３上に、シリコン、金属、合金、化合物、又はこれらの組み合わせの層を含む薄い層を形成する。
[0040] 物理的気相堆積システムは、反射層、キャッピング層、及び吸収体層を形成する。例えば、幾つかの実施形態の物理的気相堆積システムは、シリコン、モリブデン、酸化チタン、二酸化チタン、酸化ルテニウム、酸化ニオビウム、ルテニウムタングステン、ルテニウムモリブデン、ルテニウムニオビウム、クロム、タンタル、窒化物、化合物、又はそれらの組み合わせの層を形成する。幾つかの化合物は酸化物として説明されるが、幾つかの実施形態における化合物は、酸化物、二酸化物、酸素原子を有する原子混合物、又はそれらの組み合わせを含むことが理解される。
[0041] 第２の減圧チャンバ２１２は、それに接続された、第１のマルチカソード源２２６、化学気相堆積システム２２８、硬化チャンバ２３０、及び超平滑堆積チャンバ２３２を有する。例えば、幾つかの実施形態における化学気相堆積システム２２８は、流動性化学気相堆積システム（FCVD）、プラズマアシスト化学気相堆積システム（CVD）、エアロゾルアシストCVD、熱フィラメントCVDシステム、又は同様のシステムを含む。別の一実施例では、幾つかの実施形態における化学気相堆積システム２２８、硬化チャンバ２３０、及び超平滑堆積チャンバ２３２が、極紫外線反射素子製造システム２００とは別個のシステム内にある。
[0042] 幾つかの実施形態の化学気相堆積システム２２８は、ソース基板２０３上に材料の薄膜を形成する。例えば、幾つかの実施形態における化学気相堆積システム２２８を使用して、ソース基板２０３上に、モノ結晶層、多結晶層、アモルファス層、エピタキシャル層、又はそれらの組み合わせを含む、材料の層を形成する。幾つかの実施形態の化学気相堆積システム２２８は、シリコン、酸化ケイ素、酸炭化ケイ素（silicon oxycarbide）、炭素、タングステン、炭化ケイ素、窒化ケイ素、窒化チタン、金属、合金、及び化学気相堆積に適切な他の材料の層を形成する。例えば、幾つかの実施形態の化学気相堆積システムは、平坦化層を形成する。
[0043] 第１のウエハ操作システム２１４は、連続的な減圧下で、雰囲気操作システム２０６と、第１の減圧チャンバ２１０の周縁の周りにある様々なシステムと、の間でソース基板２０３を移動させることができる。第２のウエハ操作システム２１６は、連続的な減圧内にソース基板２０３を維持しながら、第２の減圧チャンバ２１２の周りでソース基板２０３を移動させることができる。幾つかの実施形態の極紫外線反射素子製造システム２００は、ソース基板２０３及びEUVマスクブランク２０４を、連続的な減圧内で、第１のウエハ操作システム２１４と第２のウエハ操作システム２１６との間で移送する。
[0044] 次に図４を参照すると、極紫外線反射素子３０２の一実施形態が示されている。１以上の実施形態では、極紫外線反射素子３０２が、図３の極紫外線マスクブランク２０４又は図３の極紫外線鏡２０５である。極紫外線マスクブランク２０４及び極紫外線鏡２０５は、図２の極紫外線光１１２を反射するための構造である。幾つかの実施形態におけるEUVマスクブランク２０４を使用して、図２で示されているEUV反射マスク１０６を形成する。
[0045] 極紫外反射素子３０２は、基板３０４、反射層の多層積層体３０６、及びキャッピング層３０８を含む。１以上の実施形態では、極紫外線鏡２０５を使用して、図２のコンデンサ１０４又は図２の光学縮小アセンブリ１０８内で使用される反射構造を形成する。
[0046] 極紫外反射素子３０２は、幾つかの実施形態ではEUVマスクブランク２０４であり、基板３０４、反射層の多層積層体３０６、キャッピング層３０８、及び吸収体層３１０を含む。幾つかの実施形態における極紫外線反射素子３０２は、EUVマスクブランク２０４であり、これを使用して、吸収体層３１０に必要とされる回路のレイアウトをパターニングすることによって、図２のEUV反射マスク１０６を形成する。特定の実施形態における吸収体層は、例えば、酸窒化タンタルとタンタルホウ素酸化物から選択された反射防止コーティングなどの反射防止コーティング（図示せず）でコーティングされる。
[0047] 以下のセクションでは、簡略化のために、EUVマスクブランク２０４向けの用語が、極紫外線鏡２０５の用語と相互交換可能に使用される。１以上の実施形態では、EUVマスクブランク２０４が、図２のマスクパターン１１４を形成するために追加された吸収体層３１０を伴う、極紫外線鏡２０５の構成要素を含む。
[0048] EUVマスクブランク２０４は、幾つかの実施形態では集積回路の処理層を表すマスクパターン１１４を有する、EUV反射マスク１０６を形成するために使用される光学的に平坦な構造である。反射マスク１０６は、一旦完全に処理されると、幾つかの実施形態では、レチクルと呼ばれる。１以上の実施形態では、EUVマスクブランク２０４の反射面が、図２の極紫外線光１１２などの入射光を反射するための平坦な焦点面を形成する。
[0049] 図４を参照すると、基板３０４は、極紫外線反射素子３０２に構造的な支持を提供するための要素である。１以上の実施形態では、基板３０４が、温度変化中に安定性を提供するために、低熱膨張係数（CTE）を有する材料から作製される。１以上の実施形態では、基板３０４が、機械サイクル、熱サイクル、結晶形成、又はそれらの組み合わせに対する安定性などの特性を有する。１以上の実施形態による基板３０４は、例えば、シリコン、ガラス、酸化物、セラミック、ガラスセラミック、又はそれらの組み合わせなどの材料から形成される。
[0050] 多層積層体３０６は、極紫外線光１１２を反射する構造である。多層積層体３０６は、第１の反射層３１２と第２の反射層３１４の交互の反射層を含む。
[0051] 第１の反射層３１２と第２の反射層３１４は、図４の反射対３１６を形成する。非限定的な一実施形態では、多層積層体３０６が、２０から６０の範囲の反射対３１６（合計で最大１２０までの反射層）を含む。
[0052] 幾つかの実施形態における第１の反射層３１２と第２の反射層３１４とは、様々な材料から形成される。一実施形態では、第１の反射層３１２と第２の反射層３１４とが、それぞれ、シリコンとモリブデンとから形成される。層は、シリコンとモリブデンとして示されているが、幾つかの実施形態における交互層は、他の材料から形成されるか又は他の内部構造を有することが理解される。
[0053] 幾つかの実施形態の第１の反射層３１２と第２の反射層３１４とは、様々な構造を有する。一実施形態では、第１の反射層３１２と第２の反射層３１４との両方が、単一層、複数の層、分割層構造、不均一構造、又はそれらの組み合わせで形成される。
[0054] 大部分の材料は、極紫外波長の光を吸収するので、使用される光学素子は、他のリソグラフィシステムで使用されるような透過性ではなく、反射性である。多層積層体３０６は、異なる光学特性を有する材料の薄い交互層を有することによって反射性構造を形成して、ブラッグリフレクタ（Bragg reflector）又は鏡を生成する。
[0055] 一実施形態では、交互層のそれぞれが、極紫外線光１１２に対して異なる光学定数を有する。交互層の厚さの周期が、極紫外線光１１２の波長の半分であるときに、交互層は共鳴反射率（resonant reflectivity）を提供する。一実施形態では、１３nmの波長の極紫外線光１１２について、交互層の厚さが約６．５nmである。提供されるサイズ及び寸法は、典型的な素子向けの通常の工学的許容誤差内にあることが理解される。
[0056] 幾つかの実施形態における多層積層体３０６は、様々な方法で形成される。一実施形態では、第１の反射層３１２と第２の反射層３１４とが、マグネトロンスパッタリング、イオンスパッタリングシステム、パルスレーザー堆積、カソードアーク堆積、又はそれらの組み合わせで形成される。
[0057] 例示的な一実施形態では、多層積層体３０６が、マグネトロンスパッタリングなどの物理的気相堆積技法を使用して形成される。一実施形態では、多層積層体３０６の第１の反射層３１２と第２の反射層３１４とが、正確な厚さ、低い粗さ、及び層間の清浄なインターフェースを含む、マグネトロンスパッタリング技法によって形成される特性を有する。一実施形態では、多層積層体３０６の第１の反射層３１２と第２の反射層３１４とが、正確な厚さ、低い粗さ、及び層間の清浄なインターフェースを含む、物理的気相堆積によって形成される特性を有する。
[0058] 幾つかの実施態様における物理的気相堆積技法を使用して形成される多層積層体３０６の層の物理的寸法は、反射率を高めるように正確に制御される。一実施形態では、シリコンの層などの第１の反射層３１２が、４．１nmの厚さを有する。モリブデンの層などの第２の反射層３１４は、２．８nmの厚さを有する。層の厚さにより、極紫外線反射素子のピーク反射率波長が決まる。層の厚さが正しくない場合、幾つかの実施形態での所望の波長１３．５nmにおける反射率が低下する。
[0059] 一実施形態では、多層積層体３０６が、６０％を超える反射率を有する。一実施形態では、物理的気相堆積を使用して形成される多層積層体３０６が、６６％～６７％の反射率を有する。１以上の実施形態では、多層積層体３０６の上に、より硬い材料で形成されたキャッピング層３０８を形成することによって、反射率が改善される。幾つかの実施形態では、低い粗さの層、層間の清浄なインターフェース、改善された層材料、又はこれらの組み合わせを使用して、７０％を超える反射率が実現される。
[0060] １以上の実施形態では、キャッピング層３０８が、極紫外線光１１２の透過を可能にする保護層である。一実施形態では、キャッピング層３０８が、多層積層体３０６上に直接的に形成される。１以上の実施形態では、キャッピング層３０８が、多層積層体３０６を汚染及び機械的損傷から保護する。一実施形態では、多層積層体３０６が、酸素、炭素、炭化水素、又はそれらの組み合わせによる汚染の影響を受け易い。一実施形態によるキャッピング層３０８は、汚染物と相互作用してそれらを中和する。
[0061] １以上の実施形態では、キャッピング層３０８が、極紫外線光１１２に対して透明な光学的に均一な構造である。極紫外線光１１２は、キャッピング層３０８を通過して、多層積層体３０６から反射する。１以上の実施形態では、キャッピング層３０８が、１％から２％の全反射率損失を有する。１以上の実施形態では、種々の材料のそれぞれが、厚さに応じて種々の反射率損失を有するが、それらの全てが１％から２％の範囲内である。
[0062] １以上の実施形態では、キャッピング層３０８が滑らかな表面を有する。例えば、幾つかの実施形態のキャッピング層３０８の表面は、０．２nm RMS未満の粗さ（二乗平均平方根測定値）を有する。別の一実施例では、キャッピング層３０８の表面が、１／１００nmと１／１μmとの範囲内の長さに対して０．０８nm RMSの粗さを有する。RMS粗さは、それが測定される範囲に応じて変動するだろう。１００nmから１ミクロンの特定の範囲では、その粗さが０．０８nm以下になる。より大きい範囲にわたり、その粗さはより高くなるだろう。
[0063] 幾つかの実施形態におけるキャッピング層３０８は、様々な方法で形成される。一実施形態では、キャッピング層３０８が、マグネトロンスパッタリング、イオンスパッタリングシステム、イオンビーム堆積、電子ビーム蒸着、高周波（RF）スパッタリング、原子層堆積（ALD）、パルスレーザー堆積、カソードアーク堆積、又はそれらの組み合わせを用いて、多層積層体３０６上又はその真上に直接的に形成される。１以上の実施形態では、キャッピング層３０８が、正確な厚さ、低い粗さ、及び層間の清浄なインターフェースを含む、マグネトロンスパッタリング技法によって形成される物理的特性を有する。一実施形態では、キャッピング層３０８が、正確な厚さ、低い粗さ、及び層間の清浄なインターフェースを含む、物理的気相堆積によって形成される物理的特性を有する。
[0064] １以上の実施形態では、キャッピング層３０８が、洗浄中の浸食に抵抗するのに十分な硬度を有する様々な材料から形成される。一実施形態では、ルテニウムが、キャッピング層の材料として使用される。というのも、それは、優れたエッチング停止であり、動作条件下で比較的不活性だからである。しかし、幾つかの実施形態における他の材料も、キャッピング層３０８を形成するために使用されることが理解される。特定の実施形態では、キャッピング層３０８が、２．５と５．０nmの範囲内の厚さを有する。
[0065] １以上の実施形態では、吸収体層３１０が、極紫外線光１１２を吸収する層である。一実施形態では、吸収体層３１０が、極紫外線光１１２を反射しないエリアを設けることによって、EUV反射マスク１０６上にパターンを形成するために使用される。吸収体層３１０は、１以上の実施形態によれば、約１３．５nmなどの極紫外線光１１２の特定の周波数に対して高吸収率を有する材料を含む。一実施形態では、吸収体層３１０が、キャッピング層３０８上に直接的に形成され、吸収体層３１０は、フォトリソグラフィプロセスを使用してエッチングされて、EUV反射マスク１０６のパターンを形成する。
[0066] １以上の実施形態によれば、極紫外線鏡２０５などの極紫外線反射素子３０２は、基板３０４、多層積層体３０６、及びキャッピング層３０８で形成される。極紫外線鏡２０５は、光学的に平坦な表面を有し、幾つかの実施形態では、極紫外線光１１２を効率的に且つ均一に反射する。
[0067] １以上の実施形態によれば、EUVマスクブランク２０４などの極紫外線反射素子３０２は、基板３０４、多層積層体３０６、キャッピング層３０８、及び吸収体層３１０で形成される。マスクブランク２０４は、光学的に平坦な表面を有し、幾つかの実施形態では、極紫外線光１１２を効率的に且つ均一に反射する。一実施形態では、EUVマスクブランク２０４の吸収体層３１０にマスクパターン１１４が形成される。
[0068] １以上の実施形態によれば、吸収体層３１０をキャッピング層３０８の上に形成することにより、EUV反射マスク１０６の信頼性が増加する。キャッピング層３０８は、吸収体層３１０のエッチング停止層として機能する。図２のマスクパターン１１４が、吸収体層３１０の中にエッチングされたときに、吸収体層３１０の下のキャッピング層３０８は、エッチング作用を停止して、多層積層体３０６を保護する。１以上の実施形態では、吸収体層３１０が、キャッピング層３０８に対してエッチング選択性である。幾つかの実施形態では、キャッピング層３０８がルテニウムを含み、吸収体層３１０がルテニウムに対してエッチング選択性である。
[0069] 一実施形態では、吸収体層３１０が、タンタルと銅との合金を含む。幾つかの実施形態によるタンタルと銅の合金は、単相として提供される。一実施形態では、タンタル（Ta）と銅（Cu）の合金がアモルファス膜として提供される。特定の実施形態における吸収体層３１０は、タンタルの更なる層及び／又は銅の更なる層（図示せず）を更に含む。
[0070] 一実施形態では、吸収体層３１０が、タンタルと銅の合金を単一層として含み、約４５nm未満の厚さを有する。幾つかの実施形態では、吸収体層が、約４０nm未満、約３５nm未満、約３０nm未満、約２５nm未満、約２０nm未満、約１５nm未満、約１０nm未満、約５nm未満、約１nm未満、又は約０．５nm未満の厚さを有する。他の実施形態では、吸収体層３１０が、約１nmから約４４nm、１nmから約４０nm、及び１５nmから約４０nmの範囲を含む、約０．５nmから約４５nmの範囲内の厚さを有する。任意の特定の理論に束縛されることを意図しないが、約４５nm未満の厚さを有する吸収体層３１０は、有利なことに、約２％未満の反射率（例えば、４０XML／Ru上に堆積されたときに２％未満の反射率）を有する吸収体層をもたらし、極紫外線（EUV）マスクブランクにおける３Ｄ効果を低減させ軽減する。タンタルと銅の合金は、特定の実施形態では、高洗浄耐久性を有し、欠陥修理が行われる。
[0071] 代替的な一実施形態では、複数の吸収体層が、吸収体層３１０の代わりに設けられる。ここで、複数の層のうちの１つが、タンタルと銅の合金である。一実施形態では、極紫外（EUV）マスクブランクが、交互の吸収体層（すなわち、吸収体層と第２の吸収体層との交互層）を含む。一実施形態では、極紫外線（EUV）マスクブランクが、TiNとタンタル及び銅の合金との交互層を含む多層吸収体を含む。一実施形態では、TiN層の厚さが、約１nmから約４０nm、若しくは約１nmから約３０nm、若しくは約１nmから約２０nm、又は約１nmから約１０nm（例えば、２．０nm）である。タンタルと銅の合金の層の厚さは、本明細書で説明される通りである。
[0072] 特定の一実施形態では、タンタルと銅の合金が、タンタルに富む合金である。本明細書で使用される際に、「タンタルに富む」という用語は、合金内に少なくとも銅と同量のタンタルが存在するか、又は合金内に銅よりも多量のタンタルが存在することを意味する。例えば、特定の一実施形態では、タンタルと銅のタンタルに富む合金が、約５０重量％から約８５重量％のタンタルと約１５重量％から約５０重量％の銅とを有する合金である。別の特定の一実施形態では、タンタルと銅の合金が、約５４．４重量％から約８０．０重量％のタンタルと約２０重量％から約４５．６重量％の銅とを有する合金である。別の特定の一実施形態では、タンタルと銅の合金が、約６０．５重量％から約７２．７重量％のタンタルと約２７．３重量％から約３９．５重量％の銅とを有する合金である。別の特定の一実施形態では、タンタルと銅の合金が、約５４．４重量％から約６６．５重量％のタンタルと約３３．４重量％から約４５．６重量％の銅とを有する合金である。別の特定の一実施形態では、タンタルと銅の合金が、約６６．５重量％から約８０重量％のタンタルと約２０重量％から約３３．４重量％の銅とを有する合金である。一実施形態では、タンタルと銅の合金が、約６０．５重量％のタンタルと約３９．５重量％の銅とを有する合金である。一実施形態では、タンタルと銅の合金が、約７２．７重量％のタンタルと約２７．３重量％の銅とを有する合金である。全ての重量百分率（重量％）は、合金の総重量に基づく。
[0073] また更なる特定の一実施形態では、タンタルと銅の合金が、銅に富む合金である。本明細書で使用される際に、「銅に富む」という用語は、タンタルよりも多量の銅が合金内に存在することを意味する。例えば、特定の一実施形態では、タンタルと銅の銅に富む合金が、約６５重量％から約９５重量％の銅と約５重量％から約３５重量％のタンタルとを有する合金である。一実施形態では、タンタルと銅の合金が、約７８．８重量％から約８５重量％の銅と約１５重量％から約２１．２重量％のタンタルとを有する合金である。一実施形態では、タンタルと銅の合金が、約８０．７重量％から約８３．３重量％の銅と約１６．７重量％から約１９．３重量％のタンタルとを有する合金である。一実施形態では、タンタルと銅の合金が、約８１．６３重量％から約８５重量％の銅と約１５重量％から約１８．４重量％のタンタルとを有する合金である。一実施形態では、タンタルと銅の合金が、約７８．８重量％から約８１．６３重量％の銅と約１８．４重量％から約２１．２重量％のタンタルとを有する合金である。一実施形態では、タンタルと銅の合金が、約８３．３重量％の銅と約１６．７重量％のタンタルとを有する合金である。一実施形態では、タンタルと銅の合金が、約８０．７重量％の銅と約１９．３重量％のタンタルとを有する合金である。全ての重量百分率（重量％）は、合金の総重量に基づく。
[0074] １以上の実施形態では、タンタルと銅の合金がドーパントを含む。ドーパントは、窒素又は酸素のうちの１以上から選択され得る。一実施形態では、ドーパントが酸素を含む。代替的な一実施形態では、ドーパントが窒素を含む。一実施形態では、ドーパントが、合金の重量に基づいて、約０．１重量％から約５重量％の量で合金内に存在する。他の実施形態では、ドーパントが、合金の重量に基づいて、約０．１重量％、０．２重量％、０．３重量％、０．４重量％、０．５重量％、０．６重量％%、０．７重量％、０．８重量％、０．９重量％、１．０重量％、１．１重量％、１．２重量％、１．３重量％、１．４重量％、１．５重量％、１．６重量％、１．７重量％、１．８重量％、１．９重量％、２．０重量％、２．１重量％、２．２重量％、２．３重量％、２．４重量％、２．５重量％、２．６重量％、２．７重量％、２．８重量％、２．９重量％、３．０重量％、３．１重量％、３．２重量％、３．３重量％、３．４重量％、３．５重量％、３．５重量％、３．６重量％、３．７重量％、３．８重量％、３．９重量％、４．０重量％、４．１重量％、４．２重量％、４．３重量％、４．４重量％、４．５重量％、４．６重量％、４．７重量％、４．８重量％、４．９重量％、又は５．０重量％の量で合金内に存在する。
[0075] １以上の実施形態では、吸収体層が、２％未満の反射率及び適切なエッチング特性を実現しながら、かなり薄い吸収体層の厚さ（例えば、４５nm未満又は３０nm未満）を提供する、物理的堆積チャンバ内で同時スパッタリングされる（co-sputtered）。１以上の実施形態では、吸収体層のタンタルと銅の合金が、アルゴン（Ar）、酸素（O2）、又は窒素（N2）のうちの１以上から選択されたガスによって同時スパッタリングされる。一実施形態では、吸収体層のタンタルと銅の合金が、アルゴンと酸素のガス（Ar＋O2)の混合物によって同時スパッタリングされる。幾つかの実施形態では、アルゴンと酸素の混合物による同時スパッタリングは、銅の酸化物及び／又はタンタルの酸化物を形成する。他の実施形態では、アルゴンと酸素の混合物による同時スパッタリングが、銅又はタンタルの酸化物を形成しない。一実施形態では、吸収体層のタンタルと銅の合金が、アルゴンと窒素のガス（Ar＋N2）の混合物によって同時スパッタリングされる。幾つかの実施形態では、アルゴンと窒素の混合物による同時スパッタリングが、銅の窒化物及び／又はタンタルの窒化物を形成する。他の実施形態では、アルゴンと窒素の混合物による同時スパッタリングが、銅又はタンタルの窒化物を形成しない。一実施形態では、吸収体層の合金が、アルゴンと酸素と窒素のガス（Ar＋O2＋N2)の混合物によって同時スパッタリングされる。幾つかの実施形態では、アルゴンと酸素と窒素の混合物による同時スパッタリングが、銅の酸化物及び／若しくは窒化物並びに／又はタンタルの酸化物及び／若しくは窒化物を形成する。他の実施形態では、アルゴンと酸素と窒素の混合物による同時スパッタリングが、銅又はタンタルの酸化物若しくは窒化物を形成しない。一実施形態では、吸収体層のエッチング特性及び／又は他の特性が、上述のように、（１以上の）合金百分率を制御することによって仕様に合わせられる。一実施形態では、（１以上の）合金百分率が、物理的気相堆積チャンバの電圧、圧力、流量などの動作パラメータによって正確に制御される。一実施形態では、プロセスガスを使用して材料特性を更に修正し、例えば、N2ガスを使用してタンタルと銅の窒化物を形成する。
[0076] １以上の実施形態では、本明細書で使用される際に、「同時スパッタリング」は、２つのターゲット、すなわち銅を含む１つのターゲットとタンタルを含む第２のターゲットが、アルゴン（Ar）、酸素（O2）、又は窒素（N2）から選択された１以上のガスを使用して同時にスパッタリングされて、タンタルと銅の合金を含む吸収体層を堆積させ／形成することを意味する。
[0077] 他の実施形態では、タンタルと銅が、アルゴン（Ar）、酸素（O2）、又は窒素（N2）のうちの１以上から選択されたガスを使用して、タンタルと銅の層の積層体として層毎に堆積される。一実施形態では、タンタルと銅が、アルゴンと酸素のガス（Ar＋O2）の混合物を使用して、タンタルと銅の層の積層体として層毎に堆積される。幾つかの実施形態では、タンタルと銅が、アルゴンと酸素の混合物を使用して、タンタルと銅の層の積層体として層毎に堆積され、銅の酸化物及び／又はタンタルの酸化物を形成する。他の実施形態では、アルゴンと酸素の混合物を使用する層毎の堆積が、銅又はタンタルの酸化物を形成しない。一実施形態では、タンタルと銅が、アルゴンと窒素のガス（Ar＋N2）の混合物を使用して、タンタルと銅の層の積層体として層毎に堆積される。幾つかの実施形態では、アルゴンと窒素の混合物を使用する層毎の堆積が、銅の窒化物及び／又はタンタルの窒化物を形成する。他の実施形態では、アルゴンと窒素の混合物を使用する層毎の堆積が、銅又はタンタルの窒化物を形成しない。一実施形態では、タンタルと銅が、アルゴンと酸素と窒素のガス（Ar＋O2＋N2）の混合物を使用して、タンタルと銅の層の積層体として層毎に堆積される。幾つかの実施形態では、アルゴンと酸素と窒素の混合物を使用して層毎に堆積することが、銅の酸化物及び／若しくは窒化物並びに／又はタンタルの酸化物及び／若しくは窒化物を形成する。他の実施形態では、アルゴンと酸素と窒素の混合物を使用する層毎の堆積が、銅又はタンタルの酸化物若しくは窒化物を形成しない。
[0078] １以上の実施形態では、本明細書で説明される合金組成のバルクターゲットが作製される。そのバルクターゲットは、アルゴン（Ar）、酸素（O2）、又は窒素（N2）のうちの１以上から選択されたガスを使用して、通常のスパッタリングによってスパッタリングされる。１以上の実施形態では、合金が、その合金と同じ組成を有するバルクターゲットを使用して堆積され、アルゴン（Ar）、酸素（O2）、又は窒素（N2）のうちの１以上から選択されたガスを使用してスパッタリングされて、吸収体層を形成する。特定の一実施形態では、吸収体層の合金が、その合金の同じ組成を有するバルクターゲットを使用して堆積され、アルゴンと酸素のガス（Ar＋O2）の混合物を使用してスパッタリングされる。幾つかの実施形態では、アルゴンと酸素の混合物を使用するバルクターゲット堆積が、銅の酸化物及び／又はタンタルの酸化物を形成する。他の実施形態では、アルゴンと酸素の混合物を使用するバルクターゲット堆積が、銅又はタンタルの酸化物を形成しない。一実施形態では、吸収体層の合金が、その合金の同じ組成を有するバルクターゲットを使用して堆積され、アルゴンと窒素のガス（Ar＋N2）の混合物を使用してスパッタリングされる。幾つかの実施形態では、アルゴンと窒素の混合物を使用するバルクターゲット堆積が、銅の窒化物及び／又はタンタルの窒化物を形成する。他の実施形態では、アルゴンと窒素の混合物を使用するバルクターゲット堆積が、銅又はタンタルの窒化物を形成しない。一実施形態では、吸収体層の合金が、その合金の同じ組成を有するバルクターゲットを使用して堆積され、アルゴンと酸素と窒素のガス（Ar＋O2＋N2）の混合物を使用してスパッタリングされる。幾つかの実施形態では、アルゴンと酸素と窒素の混合物を使用するバルクターゲットの堆積が、銅の酸化物及び／若しくは窒化物並びに／又はタンタルの酸化物及び／若しくは窒化物を形成する。他の実施形態では、アルゴンと酸素と窒素の混合物を使用するバルクターゲットの堆積が、銅又はタンタルの酸化物若しくは窒化物を形成しない。
[0079] 次に図５を参照すると、極紫外線マスクブランク４００が、基板４１４、基板４１４上の反射層４１２の多層積層体を含むように示され、反射層４１２の多層積層体は、複数の反射層対を含む。１以上の実施形態では、複数の反射層対が、モリブデン（Mo）含有材料とシリコン（Si）含有材料から選択された材料から作製される。幾つかの実施形態では、複数の反射層対は、モリブデンとシリコンの交互層を含む。極紫外線マスクブランク４００は、反射層４１２の多層積層体上にキャッピング層４２２を更に含み、キャッピング層４２２上に吸収体層の多層積層体４２０が存在する。１以上の実施形態では、複数の反射層４１２が、モリブデン（Mo）含有材料とシリコン（Si）含有材料から選択され、キャッピング層４２２がルテニウムを含む。
[0080] 吸収体層の多層積層体４２０は、複数の吸収体層対４２０ａ、４２０ｂ、４２０ｃ、４２０ｄ、４２０ｅ、４２０ｆを含み、各対（４２０ａ／４２０ｂ、４２０ｃ／４２０ｄ、４２０ｅ／４２０ｆ）は、タンタルと銅の合金を含む。幾つかの実施形態では、タンタルと銅の合金が、本明細書で説明されるタンタルと銅の合金のうちのいずれか１つなどの、タンタルに富む合金、又は代替的に銅に富む合金である。
[0081] 例えば、例示的な一実施形態では、吸収体層４２０ａが、タンタル材料から作製され、吸収体層４２０ｂを形成する材料が、タンタルと銅の合金である。同様に、吸収体層４２０ｃは、タンタル材料から作製され、吸収体層４２０ｄを形成する材料が、タンタルと銅の合金であり、吸収体層４２０ｅは、タンタル材料から作製され、吸収体層４２０ｆを形成する材料が、タンタルと銅の合金である。
[0082] １以上の実施形態によれば、吸収体層対は、第１の吸収体層（４２０ａ、４２０ｃ、４２０ｅ）と第２の吸収体層（４２０ｂ、４２０ｄ、４２０ｆ）とを含み、第１の吸収体層（４２０ａ、４２０ｃ、４２０ｅ）と第２の吸収体層（４２０ｂ、４２０ｄ、４２０ｆ）とのそれぞれが、０．１nmと１０nmの範囲内、例えば、１nmと５nmの範囲内、又は１nmと３nmの範囲内の厚さを有する。１以上の特定の実施形態では、第１の層４２０ａの厚さが、０．５nm、０．６nm、０．７nm、０．８nm、０．９nm、１nm、１．１nm、１．２nm、１．３nm、１．４nm、１．５nm、１．６nm、１．７nm、１．８nm、１．９nm、２nm、２．１nm、２．２nm、２．３nm、２．４nm、２．５nm、２．６nm、２．７nm、２．８nm、２．９nm、３nm、３．１nm、３．２nm、３．３nm、３．４nm、３．５nm、３．６nm、３．７nm、３．８nm、３．９nm、４nm、４．１nm、４．２nm、４．３nm、４．４nm、４．５nm、４．６nm、４．７nm、４．８nm、４．９nm、及び５nmである。１以上の実施形態では、各対の第１の吸収体層と第２の吸収体層の厚さは、同じであるか又は異なっている。例えば、第１の吸収体層と第２の吸収体層は、第１の吸収体層の厚さと第２の吸収体層の厚さの比が、１：１、１．５：１、２：１、２．５：１、３：１、３．５：１、４：１、４．５：１、５：１、６：１、７：１、８：１、９：１、１０：１、１１：１、１２：１、１３：１、１４：１、１５：１、１６：１、１７：１、１８：１、１９：１、又は２０：１となるような厚さを有する。それは、各対において、第１の吸収体層が、第２の吸収体層の厚さ以上の厚さを有することをもたらす。代替的に、第１の吸収体層と第２の吸収体層は、第２の吸収体層の厚さと第１の吸収体層の厚さの比が、１．５：１、２：１、２．５：１、３：１、３．５：１、４：１、４．５：１、５：１、６：１、７：１、８：１、９：１、１０：１、１１：１、１２：１、１３：１、１４：１、１５：１、１６：１、１７：１、１８：１、１９：１、又は２０：１となるような厚さを有する。それは、各対において、第２の吸収体層が、第１の吸収体層の厚さ以上の厚さを有することをもたらす。
[0083] １以上の実施形態によれば、吸収体層の種々の吸収体材料及び厚さは、極紫外線光が、吸光度によって、及び反射層の多層積層体からの光との破壊的な干渉によってもたらされる相変化によって吸収されるように選択される。図５で示されている実施形態は、３つの吸収体層対（４２０ａ／４２０ｂ、４２０ｃ／４２０ｄ、及び４２０ｅ／４２０ｆ）を示しているが、特許請求の範囲は、特定の数の吸収体層対に限定されるべきではない。１以上の実施形態によれば、EUVマスクブランク４００は、５と６０との範囲内の吸収体層対、又は１０と４０との範囲内の吸収体層対を含む。
[0084] １以上の実施形態によれば、（１以上の）吸収体層は、２％未満の反射率及び他のエッチング特性を提供する厚さを有する。幾つかの実施形態における供給ガスは、（１以上の）吸収体層の材料特性を更に修正するために使用され、例えば、窒素（N2）ガスを使用して、上記で提供された材料の窒化物を形成する。１以上の実施形態による（１以上の）吸収体層の多層積層体は、種々の材料の個々の厚さの繰り返しパターンである。それによって、EUV光は、吸光度によって吸収されるだけではなく、多層吸収体積層体によってもたらされる相変化によっても吸収される。それは、下にある反射材料の多層積層体からの光と破壊的に干渉して、より良好なコントラスト（better contrast）を提供する。
[0085] 本開示の別の一態様は、極紫外線（EUV）マスクブランクを製造する方法に関する。該方法は、基板上に基板上の反射層の多層積層体であって、複数の反射層対を含む多層積層体を形成すること、反射層の多層積層体上にキャッピング層を形成すること、及び、キャッピング層上に吸収体層であって、本明細書で説明される合金のうちの何れか１つなどのタンタルと銅との合金を含む吸収体層を形成することを含む。
[0086] 幾つかの実施形態におけるEUVマスクブランクは、図４及び図５に関連して上述された実施形態の特性うちの何れかを有し、幾つかの実施形態の方法は、図３に関連して説明されたシステム内で実行される。
[0087] 次に図６を参照すると、特定の一実施形態による、マルチカソード源チャンバ５００の上部が示されている。マルチカソードチャンバ５００は、上部アダプタ５０４によって覆われている円筒形本体部５０２を有する基礎構造５０１を含む。上部アダプタ５０４は、上部アダプタ５０４の周りに配置されたカソード源５０６、５０８、５１０、５１２、及び５１４などの、幾つかのカソード源を提供する。
[0088] 幾つかの実施形態におけるマルチカソード源チャンバ５００は、図３で示されているシステムの部分である。一実施形態では、極紫外線（EUV）マスクブランク製造システムが、減圧を生成するための基板操作減圧チャンバと、基板操作減圧チャンバ内に装填される基板を搬送するための減圧内の基板操作プラットフォームと、EUVマスクブランクであって、基板上の反射層の多層積層体であって、複数の反射層対を含む多層積層体、多層積層体上のキャッピング層、及びキャッピング層上の吸収体層であって、タンタルとタンタル及び銅の合金とから作製された吸収体層を含む、EUVマスクブランクを形成するために、基板操作プラットフォームによってアクセスされる複数のサブチャンバとを備える。幾つかの実施形態におけるシステムは、EUVマスクブランクであって、図４又は図５に関連して示され、上記の図４又は図５に関連して説明されたEUVマスクブランクに関連して説明された特性のうちの何れかを有する、EUVマスクブランクを作製するために使用される。
[0089] プロセスは、概して、ソフトウェアルーチンとしてメモリ内に記憶され得る。ソフトウェアルーチンは、プロセッサによって実行されたときに、プロセスチャンバに本開示のプロセスを実行させる。ソフトウェアルーチンはまた、プロセッサによって制御されるハードウェアから遠隔に位置付けられた第２のプロセッサ（図示せず）によって、記憶及び／又は実行することもできる。本開示の方法の一部又は全部をハードウェア内で実行することもできる。したがって、プロセスは、ソフトウェア内に実装され、コンピュータシステムを使用して、例えば、特定用途向け集積回路若しくは他の種類のハードウェア実装形態としての、又はソフトウェアとハードウェアとの組み合わせとしてのハードウェア内で実行され得る。ソフトウェアルーチンは、プロセッサよって実行されたときに、汎用コンピュータを、プロセスが実行されるようにチャンバ動作を制御する専用コンピュータ（コントローラ）に変換する。
[0090] この明細書全体を通じての、「一実施形態（one embodiment）」、「ある種の実施形態（certain embodiments）」、「１以上の実施形態（one or more embodiments）」、又は、「実施形態（an embodiment）」に対する言及は、実施形態に関連して説明されている特定の特徴、構造、材料、又は特性が、本開示の少なくとも1つの実施形態に含まれることを意味する。故に、この明細書全体の様々な箇所での「１以上の実施形態で」、「特定の実施形態で」、「一実施形態で」、又は「実施形態で」などの表現は、必ずしも、本開示の同一の実施形態に言及するものではない。更に、特定の特徴、構造、材料、又は特質は、１以上の実施形態において、任意の適切なやり方で組み合わされ得る。
[0091] 本明細書の開示は特定の実施形態を参照して説明されているが、これらの実施形態は、本開示の原理及び用途の例示にすぎないことを理解されたい。本開示の精神及び範囲から逸脱することなく、本開示の方法及び装置に対して様々な改変及び変形を行い得ることが、当業者には明らかになろう。したがって、本発明は、添付の特許請求の範囲及びその均等物の範囲内にある修正及び変形を含むことが意図されている。

Claims (13)

  1. 基板、
    前記基板上の反射層の多層積層体であって、反射層対を含む複数の反射層を含む反射層の多層積層体、
    前記反射層の多層積層体上のキャッピング層、及び
    タンタルと銅との合金を含む吸収体層を含み、
    TiNを含む第２の吸収体層を更に含む、極紫外線（EUV）マスクブランク。
  2. 前記タンタルと銅との合金が、５０から８５重量％のタンタルと１５から５０重量％の銅、又は６０．５から７２．７重量％のタンタルと２７．３から３９．５重量％の銅とを含む、タンタルに富む合金である、請求項1に記載の極紫外線（EUV）マスクブランク。
  3. 前記タンタルと銅との合金が、６５から９５重量％の銅と５から３５重量％のタンタル、又は８０．７から８３．３重量％の銅と２７．３から３９．５重量％のタンタルとを含む、銅に富む合金である、請求項１に記載の極紫外線（EUV）マスクブランク。
  4. 前記吸収体層が、４５nm未満の厚さを有する、請求項１に記載の極紫外線（EUV）マスクブランク。
  5. 前記吸収体層が、２％未満の反射率を有し、前記キャッピング層に対してエッチング選択性である、請求項１に記載の極紫外線（EUV）マスクブランク。
  6. 前記吸収体層が、窒素又は酸素のうちの１以上から選択された、０．１重量％から５重量％のドーパントを更に含む、請求項１に記載の極紫外線（EUV）マスクブランク。
  7. 前記第２の吸収体層が１nmから２０nmの厚さである、請求項１に記載の極紫外線（EUV）マスクブランク。
  8. 極紫外線（EUV）マスクブランクを製造する方法であって、
    基板を提供すること、
    前記基板上に反射層の多層積層体であって、複数の反射層対を含む反射層の多層積層体を形成すること、
    前記反射層の多層積層体上にキャッピング層を形成すること、及び
    前記キャッピング層上に吸収体層であって、タンタルと銅との合金を含み、TiNを含む第２の吸収体層を更に含む吸収体層を形成することを含む、方法。
  9. 前記タンタルと銅との合金が、５０から８５重量％のタンタルと１５から５０重量％の銅、又は６０．５から７２．７重量％のタンタルと２７．３から３９．５重量％の銅とを含む、タンタルに富む合金である、請求項８に記載の方法。
  10. 前記タンタルと銅との合金が、６５から９５重量％の銅と５から３５重量％のタンタル、又は８０．７から８３．３重量％の銅と２７．３から３９．５重量％のタンタルとを含む、銅に富む合金である、請求項８に記載の方法。
  11. 前記タンタルと銅との合金が、アルゴン（Ar）、酸素（O2）、又は窒素（N2）のうちの１以上から選択されたガスによって同時スパッタリングされて、前記吸収体層を形成する、請求項８に記載の方法。
  12. 前記タンタルと銅との合金が、前記タンタルと銅との合金と同じ組成を有するバルクターゲットを使用して堆積され、アルゴン（Ar）、酸素（O2）、又は窒素（N2）のうちの１以上から選択されたガスを使用してスパッタリングされて、前記吸収体層を形成する、請求項８に記載の方法。
  13. 前記第２の吸収体層が１nmから２０nmの厚さである、請求項８に記載の方法。
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