JP7198936B2 - 極紫外線マスク吸収体材料 - Google Patents
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Description
［０００１］ 本開示は、概して、極紫外線リソグラフィに関し、より詳細には、合金吸収体を有する極紫外線マスクブランク及び製作方法に関する。
［０００２］ 軟Ｘ線投影リソグラフィとしても知られる極紫外線（ＥＵＶ）リソグラフィは、０．０１３５ミクロン以下の最小特徴サイズ半導体デバイスの製作に使用することができる。しかしながら、一般に５－１００ナノメートルの波長範囲にある極紫外線光は、事実上、全ての材料に強く吸収される。そのため、極紫外線システムは、光の透過ではなく、反射によって機能する。無反射吸収体マスクパターンでコーティングされた一連のミラー又はレンズ素子、及び反射素子又はマスクブランクを使用することによって、パターニングされた化学線光は、レジストコーティングされた半導体基板上に反射される。
［０００３］ 極紫外線リソグラフィシステムのレンズ素子及びマスクブランクは、モリブデン及びケイ素のような材料の反射性多層コーティングで被覆される。極度に狭い紫外線帯域、例えば１３．５ナノメートルの紫外線光に対して１２．５から１４．５ナノメートルの帯域内の光を強く反射する多層コーティングで被覆された基板を使用することによって、レンズ素子又はマスクブランク当たり約６５％の反射値が得られている。
［０００４］ 図１は、従来のＥＵＶ反射マスク１０を示しており、これは、基板１４上に反射性多層積層体１２を含むＥＵＶマスクブランクから形成され、ブラッグ干渉によってマスクされていない部分でＥＵＶ放射を反射する。従来のＥＵＶ反射マスク１０のマスクされた（反射しない）領域１６は、バッファ層１８及び吸収層２０をエッチングすることによって形成される。吸収層は、典型的には、５１ｎｍから７７ｎｍの範囲の厚さを有する。キャッピング層２２は、反射性多層積層体１２の上に形成され、エッチングプロセスの間、反射性多層積層体１２を保護する。更に後述するように、ＥＵＶマスクブランクは、多層で被覆された低熱膨張材料基板、キャッピング層、及び吸収層から形成され、次いで、エッチングされて、マスクされた（反射しない）領域１６及び反射領域２４を提供する。
［０００５］ 半導体の国際技術ロードマップ（Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｒｏａｄｍａｐ ｆｏｒ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ（ＩＴＲＳ））は、ノードのオーバレイ要件を、技術の最小ハーフピッチ特徴サイズのある割合として指定する。すべての反射性リソグラフィシステムにおける固有の画像配置及びオーバレイ誤差への影響のため、ＥＵＶ反射性マスクは、将来の生産のために、より精密な平坦度仕様に準拠する必要があろう。加えて、ＥＵＶブランクは、ブランクの作業領域上の欠陥に対する許容度が非常に低い。更に、吸収層の役割は光を吸収することであるが、吸収層の屈折率と真空の屈折率（ｎ＝１）との差による位相シフト効果もあり、この位相シフトは３Ｄマスク効果を説明する。３Ｄマスク効果を緩和するために、より薄い吸収体を有するＥＵＶマスクブランクを提供する必要がある。
［０００６］ 本開示の１つ又は複数の実施形態は、極紫外線（ＥＵＶ）マスクブランクの製作方法を対象とし、この方法は、ＥＵＶ放射を反射する多層積層体を基板上に形成することであって、該多層積層体が複数の反射層ペアを含む、多層積層体を基板上に形成することと、多層積層体上にキャッピング層を形成することと、キャッピング層上に、炭素とアンチモンとの合金を含む吸収層を形成することとを含む。
［０００７］ 本開示の更なる実施形態は、ＥＵＶマスクブランクを対象とし、このＥＵＶマスクブランクは、基板と、ＥＵＶ放射を反射する多層積層体であって、複数の反射層を含む多層積層体と、反射層の多層積層体上のキャッピング層と、炭素とアンチモンとの合金を含む吸収層とを含む。
［０００８］ 本開示の上記の特徴を詳細に理解することができるように、上記で簡単に要約した本開示のより具体的な説明を、実施形態を参照することによって行うことができ、それらのいくつかを添付図面に示す。しかしながら、本開示は他の等しく有効な実施形態も許容しうることから、添付の図面が本開示の典型的な実施形態を例示しているにすぎず、よって本開示の範囲を限定すると見なされるべきではないことに留意されたい。
［００１５］ 本開示のいくつかの例示的な実施形態を説明する前に、本開示は、以下の説明に記載される構成又はプロセスステップの詳細に限定されないことを理解されたい。本開示は、他の実施形態も可能であり、様々な方法で実施又は実行可能である。
［００１６］ 本明細書で使用する「水平」という用語は、その配向と関係なく、マスクブランクの面又は表面に平行な面として定義される。「垂直」という用語は、ここで定義された水平に対して直角の方向を指す。「上方」、「下方」、「底部」、「頂部」、「側部」（例えば、「側壁」における）、「より高い」、「より低い」、「上に」、「上側に」、「下側に」といった用語は、図に示すように、水平面に対して定義される。
［００１７］ 「～の上（ｏｎ）」という用語は、要素間で直接接触することを示す。「直接上に」という用語は、介在要素を伴わずに要素間で直接接触があることを示す。
［００１８］ 当業者は、プロセス領域を説明するための「第１」及び「第２」などの順序の使用は、処理チャンバ内の特定の位置、又は処理チャンバ内の曝露の順序を意味しないと理解するだろう。
［００１９］ 本明細書及び添付の特許請求の範囲で使用される際に、「基板」という用語は、プロセスが作用する表面又は表面の一部を指す。また、基板に対して言及がなされるとき、文脈において特に明示されない限り、基板の一部のみを指すことがあると当業者には理解されよう。加えて、基板への堆積に対して言及がなされるとき、それは、ベア基板と、１つ又は複数の膜又は特徴が堆積又は形成された基板との両方を意味しうる。
［００２０］ ここで図２を参照すると、極紫外線リソグラフィシステム１００の例示的な実施形態が示されている。極紫外線リソグラフィシステム１００は、極紫外線光１１２を生成するための極紫外線光源１０２と、一組の反射素子と、ターゲットウエハ１１０とを含む。反射素子は、コンデンサ１０４、ＥＵＶ反射マスク１０６、光学縮小アセンブリ１０８、マスクブランク、ミラー、又はこれらの組み合わせを含む。
［００２１］ 極紫外線光源１０２は、極紫外線光１１２を生成する。極紫外線光１１２は、５から５０ナノメートル（ｎｍ）の範囲の波長を有する電磁放射である。例えば、極紫外線光源１０２は、レーザ、レーザ生成プラズマ、放電生成プラズマ、自由電子レーザ、シンクロトロン放射、又はこれらの組み合わせを含む。
［００２２］ 極紫外線光源１０２は、種々の特性を有する極紫外線光１１２を生成する。極紫外線光源１０２は、ある範囲の波長にわたって広帯域の極紫外線放射を生成する。例えば、極紫外線光源１０２は、５から５０ｎｍの範囲の波長を有する極紫外線光１１２を生成する。
［００２３］ １つ又は複数の実施形態では、極紫外線光源１０２は、狭い帯域幅を有する極紫外線光１１２を生成する。例えば、極紫外線光源１０２は、１３．５ｎｍで極紫外線光１１２を生成する。波長ピークの中心は１３．５ｎｍである。
［００２４］ コンデンサ１０４は、極紫外線光１１２を反射して焦点を合わせるための光学ユニットである。コンデンサ１０４は、極紫外線光源１０２からの極紫外線光１１２を反射して集光し、ＥＵＶ反射マスク１０６を照射する。
［００２５］ コンデンサ１０４は単一の要素として示されているが、コンデンサ１０４は、極紫外線光１１２を反射して集光するために、凹面ミラー、凸面ミラー、平面ミラー、又はこれらの組合せなどの１つ又は複数の反射素子を含みうると理解されたい。例えば、コンデンサ１０４は、単一の凹面ミラー又は凸状、凹状及び平坦な光学素子を有する光学アセンブリでありうる。
［００２６］ ＥＵＶ反射マスク１０６は、マスクパターン１１４を有する極紫外線反射素子である。ＥＵＶ反射マスク１０６は、リソグラフィックパターンを作成して、ターゲットウエハ１１０上に形成される回路レイアウトを形成する。ＥＵＶ反射マスク１０６は、極紫外線光１１２を反射する。マスクパターン１１４は、回路レイアウトの一部を画定する。
［００２７］ 光学縮小アセンブリ１０８は、マスクパターン１１４の画像を縮小するための光学ユニットである。ＥＵＶ反射マスク１０６からの極紫外線光１１２の反射は、光学縮小アセンブリ１０８によって縮小され、ターゲットウエハ１１０に反射される。光学縮小アセンブリ１０８は、マスクパターン１１４の画像のサイズを縮小するために、ミラー及び他の光学素子を含みうる。例えば、光学縮小アセンブリ１０８は、極紫外線光１１２を反射して焦点を合わせるための凹面ミラーを含みうる。
［００２８］ 光学縮小アセンブリ１０８は、ターゲットウエハ１１０上のマスクパターン１１４の画像のサイズを縮小する。例えば、マスクパターン１１４は、ターゲットウエハ１１０上の光学縮小アセンブリ１０８によって４：１の比率で撮像され、ターゲットウエハ１１０上のマスクパターン１１４によって表される回路を形成することができる。極紫外線光１１２は、ターゲットウエハ１１０と同期してＥＵＶ反射マスク１０６を走査して、ターゲットウエハ１１０上にマスクパターン１１４を形成することができる。
［００２９］ ここで図３を参照すると、極紫外線反射素子生産システム２００の実施形態が示されている。極紫外線反射素子は、ＥＵＶマスクブランク２０４、極紫外線ミラー２０５、又はＥＵＶ反射マスク１０６のような他の反射素子を含む。
［００３０］ 極紫外線反射素子生産システム２００は、マスクブランク、ミラー、又は図２の極紫外線光１１２を反射する他の素子を生産することができる。極紫外線反射素子生産システム２００は、ソース基板２０３に薄いコーティングを施すことによって、反射素子を製造する。
［００３１］ ＥＵＶマスクブランク２０４は、図２のＥＵＶ反射マスク１０６を形成するための多層構造である。ＥＵＶマスクブランク２０４は、半導体製造技術を用いて形成することができる。ＥＵＶ反射マスク１０６は、エッチング及び他のプロセスによってＥＵＶマスクブランク２０４上に形成された図２のマスクパターン１１４を有することができる。
［００３２］ 極紫外線ミラー２０５は、極紫外線光の範囲で反射する多層構造である。極紫外線ミラー２０５は、半導体製造技術を用いて形成することができる。ＥＵＶマスクブランク２０４及び極紫外線ミラー２０５は、各素子上に形成された層に関して類似の構造とすることができるが、極紫外線ミラー２０５はマスクパターン１１４を有していない。
［００３３］ 反射素子は、極紫外線光１１２の効率的なリフレクタである。１つの実施形態では、ＥＵＶマスクブランク２０４及び極紫外線ミラー２０５は、６０％を超える極紫外線反射率を有する。反射素子は、極紫外線光１１２の６０％を超えて反射する場合に有効である。
［００３４］ 極紫外線反射素子生産システム２００は、ソース基板２０３がロードされ、そこから反射素子がアンロードされるウエハローディング及びキャリアハンドリングシステム２０２を含む。大気ハンドリングシステム２０６は、ウエハハンドリング真空チャンバ２０８へのアクセスを提供する。ウエハローディング及びキャリアハンドリングシステム２０２は、基板を大気からシステム内部の真空に移送するために、基板搬送ボックス、ロードロック、及び他の構成要素を含むことができる。ＥＵＶマスクブランク２０４は、非常に小さな規模でデバイスを形成するために使用されるので、ソース基板２０３及びＥＵＶマスクブランク２０４は、汚染及び他の欠陥を防止するために、真空システムで処理される。
［００３５］ ウエハハンドリング真空チャンバ２０８は、第１の真空チャンバ２１０と第２の真空チャンバ２１２の２つの真空チャンバを含むことができる。第１の真空チャンバ２１０は、第１のウエハハンドリングシステム２１４を含み、第２の真空チャンバ２１２は、第２のウエハハンドリングシステム２１６を含む。ウエハハンドリング真空チャンバ２０８は、２つの真空チャンバで説明されるが、システムは、任意の数の真空チャンバを有しうると理解される。
［００３６］ ウエハハンドリング真空チャンバ２０８は、種々の他のシステムの取り付けのために、その外周の周りに複数のポートを有することができる。第１の真空チャンバ２１０は、ガス抜きシステム２１８と、第１の物理的気相堆積システム２２０と、第２の物理的気相堆積システム２２２と、前洗浄システム２２４とを有する。ガス抜きシステム２１８は、基板から水分を熱脱着するためのものである。前洗浄システム２２４は、ウエハ、マスクブランク、ミラー、又は他の光学部品の表面を洗浄するためのものである。
［００３７］ 第１の物理的気相堆積システム２２０及び第２の物理的気相堆積システム２２２などの物理的気相堆積システムは、ソース基板２０３上に導電性材料の薄膜を形成するために、使用されうる。例えば、物理的気相堆積システムは、マグネトロンスパッタリングシステム、イオンスパッタリングシステム、パルス状レーザ堆積、カソードアーク堆積又はこれらの組み合わせなどの真空堆積システムを含みうる。マグネトロンスパッタリングシステムなどの物理的気相堆積システムは、ケイ素、金属、合金、化合物、又はこれらの組合せの層を含む、薄い層をソース基板２０３上に形成する。
［００３８］ 物理的気相堆積システムは、反射層、キャッピング層、及び吸収層を形成する。例えば、物理的気相堆積システムは、ケイ素、モリブデン、酸化チタン、二酸化チタン、酸化ルテニウム、酸化ニオブ、ルテニウムタングステン、ルテニウムモリブデン、ルテニウムニオブ、クロム、アンチモン、窒化物、化合物、又はこれらの組み合わせの層を形成することができる。いくつかの化合物は酸化物として説明されるが、化合物は、酸化物、二酸化物、酸素原子を有する原子状混合物、又はこれらの組み合わせを含むことができると理解される。
［００３９］ 第２の真空チャンバ２１２は、第１のマルチカソード源２２６と、化学気相堆積システム２２８と、硬化チャンバ２３０と、それに接続された超平滑堆積チャンバ２３２とを有する。例えば、化学気相堆積システム２２８は、流動性化学気相堆積システム（ＦＣＶＤ）、プラズマ支援化学気相堆積システム（ＣＶＤ）、エアロゾル支援ＣＶＤ、ホットフィラメントＣＶＤシステム、又は類似のシステムを含むことができる。別の例では、化学気相堆積システム２２８、硬化チャンバ２３０、及び超平滑堆積チャンバ２３２は、極紫外線反射素子生産システム２００とは別個のシステム内にありうる。
［００４０］ 化学気相堆積システム２２８は、ソース基板２０３上に材料の薄膜を形成することができる。例えば、化学気相堆積システム２２８は、単結晶層、多結晶層、アモルファス層、エピタキシャル層、又はこれらの組み合わせを含む材料の層をソース基板２０３上に形成するために、使用されうる。化学気相堆積システム２２８は、ケイ素、酸化ケイ素、酸炭化ケイ素、炭素、タングステン、炭化ケイ素、窒化ケイ素、窒化チタン、金属、合金、及び化学気相堆積に適した他の材料の層を形成することができる。例えば、化学気相成長システムは、平坦化層を形成することができる。
［００４１］ 第１のウエハハンドリングシステム２１４は、連続真空において、大気ハンドリングシステム２０６と第１の真空チャンバ２１０の外周の周りの様々なシステムとの間で、ソース基板２０３を移動させることができる。第２のウエハハンドリングシステム２１６は、ソース基板２０３を連続真空に維持しつつ、第２の真空チャンバ２１２の周囲でソース基板２０３を移動させることができる。極紫外線反射素子生産システム２００は、連続真空において、第１のウエハハンドリングシステム２１４と第２のウエハハンドリングシステム２１６との間で、ソース基板２０３及びＥＵＶマスクブランク２０４を移送することができる。
［００４２］ ここで図４を参照すると、極紫外線反射素子３０２の実施形態が示されている。１つ又は複数の実施形態では、極紫外線反射素子３０２は、図３のＥＵＶマスクブランク２０４又は図３の極紫外線ミラー２０５である。ＥＵＶマスクブランク２０４及び極紫外線ミラー２０５は、図２の極紫外線光１１２を反射するための構造である。ＥＵＶマスクブランク２０４は、図２に示すＥＵＶ反射マスク１０６を形成するために、使用されうる。
［００４３］ 極紫外線反射素子３０２は、基板３０４と、反射層の多層積層体３０６と、キャッピング層３０８とを含む。１つ又は複数の実施形態では、極紫外線ミラー２０５は、図２のコンデンサ１０４又は図２の光学縮小アセンブリ１０８で使用するための反射構造を形成するために使用される。
［００４４］ ＥＵＶマスクブランク２０４でありうる極紫外線反射素子３０２は、基板３０４、反射層の多層積層体３０６、キャッピング層３０８、及び吸収層３１０を含む。極紫外線反射素子３０２は、ＥＵＶマスクブランク２０４とすることができ、これを用いて、必要とされる回路のレイアウトで吸収層３１０をパターニングすることによって、図２のＥＵＶ反射マスク１０６を形成する。
［００４５］ 以下のセクションでは、ＥＵＶマスクブランク２０４についての用語は、簡略化のために極紫外線ミラー２０５の用語と交換可能に使用される。１つ又は複数の実施形態では、ＥＵＶマスクブランク２０４は、図２のマスクパターン１１４を形成することに加えて、吸収層３１０が追加された極紫外線ミラー２０５の構成要素を含む。
［００４６］ ＥＵＶマスクブランク２０４は、マスクパターン１１４を有するＥＵＶ反射マスク１０６を形成するために使用される光学的に平坦な構造である。１つ又は複数の実施形態では、ＥＵＶマスクブランク２０４の反射面は、図２の極紫外線光１１２のような入射光を反射するための平坦な焦点面を形成する。
［００４７］ 基板３０４は、極紫外線反射素子３０２を構造的に支持するための素子である。１つ又は複数の実施形態では、基板３０４は、温度変化中に安定性を提供するために、低い熱膨張係数（ＣＴＥ）を有する材料から作製される。１つ又は複数の実施形態では、基板３０４は、機械的サイクル、熱サイクル、結晶形成、又はこれらの組合せに対する安定性などの特性を有する。１つ又は複数の実施形態による基板３０４は、ケイ素、ガラス、酸化物、セラミック、ガラスセラミック、又はこれらの組合せなどの材料から形成される。
［００４８］ 多層積層体３０６は、極紫外線光１１２に対して反射性の構造である。多層積層体３０６は、第１の反射層３１２と第２の反射層３１４との交互の反射層を含む。
［００４９］ 第１の反射層３１２及び第２の反射層３１４は、図４の反射ペア３１６を形成する。非限定的な実施形態では、多層積層体３０６は、合計で最大１２０の反射層に対して、２０から６０の範囲の反射ペア３１６を含む。
［００５０］ 第１の反射層３１２及び第２の反射層３１４は、様々な材料から形成することができる。１つの実施形態では、第１の反射層３１２及び第２の反射層３１４は、それぞれケイ素及びモリブデンから形成される。層はケイ素及びモリブデンとして図示されるが、交互の層は、他の材料から形成されうるか、又は他の内部構造を有しうると理解される。
［００５１］ 第１の反射層３１２及び第２の反射層３１４は、様々な構造を有することができる。１つの実施形態では、第１の反射層３１２及び第２の反射層３１４の両方は、単層、多層、分割層構造、不均一構造、又はこれらの組合せで形成される。
［００５２］ ほとんどの材料は極紫外線波長で光を吸収するため、使用される光学素子は、他のリソグラフィシステムで使用される透過型ではなく反射型である。多層積層体３０６は、ブラッグリフレクタ又はミラーを生成するために、異なる光学特性を有する材料の交互の薄い層を有することによって反射構造を形成する。
［００５３］ １つの実施形態では、交互層の各々は、極紫外線光１１２に対して異なる光学定数を有する。交互の層は、交互の層の厚さの周期が極紫外線光１１２の波長の半分である場合に、共振反射率を提供する。１つの実施形態では、波長１３ｎｍにおける極紫外線光１１２について、交互層は厚さが約６．５ｎｍである。提供されるサイズ及び寸法は、一般的な要素の通常の工学的許容誤差内であると理解される。
［００５４］ 多層積層体３０６は、様々な方法で形成することができる。１つの実施形態では、第１の反射層３１２及び第２の反射層３１４は、マグネトロンスパッタリング、イオンスパッタリングシステム、パルス状レーザ堆積、カソードアーク堆積、又はこれらの組み合わせを用いて形成される。
［００５５］ 例示的な実施形態では、多層積層体３０６は、マグネトロンスパッタリングなどの物理的気相堆積技術を使用して形成される。１つの実施形態では、多層積層体３０６の第１の反射層３１２及び第２の反射層３１４は、正確な厚さ、低い粗さ、及び層間の清潔な界面を含むマグネトロンスパッタリング技術によって形成されるという特性を有する。１つの実施形態では、多層積層体３０６の第１の反射層３１２及び第２の反射層３１４は、正確な厚さ、低い粗さ、及び層間の清潔な界面を含む物理的気相堆積によって形成されるという特性を有する。
［００５６］ 物理的気相堆積技術を用いて形成された多層積層体３０６の層の物理的寸法は、反射率を増加させるために正確に制御することができる。１つの実施形態では、ケイ素層などの第１の反射層３１２は、４．１ｎｍの厚さを有する。モリブデン層のような第２の反射層３１４は、２．８ｎｍの厚さを有する。層の厚さにより、極紫外線反射素子のピークの反射率波長が規定される。層の厚さが正しくない場合、所望の波長１３．５ｎｍでの反射率を低減することができる。
［００５７］ １つの実施形態では、多層積層体３０６は、６０％を超える反射率を有する。１つの実施形態では、物理的気相堆積を使用して形成される多層積層体３０６は、６６％－６７％の範囲の反射率を有する。１つ又は複数の実施形態では、より硬い材料で形成された多層積層体３０６の上にキャッピング層３０８を形成することにより、反射率が改善される。いくつかの実施形態では、粗さが低い層、層間の清潔な界面、改良された層材料、又はこれらの組み合わせを用いて、７０％を超える反射率が達成される。
［００５８］ １つ又は複数の実施形態では、キャッピング層３０８は、極紫外線光１１２の透過を可能にする保護層である。１つの実施形態では、キャッピング層３０８は、多層積層体３０６上に直接形成される。１つ又は複数の実施形態では、キャッピング層３０８は、多層積層体３０６を汚染物質及び機械的損傷から保護する。１つの実施形態では、多層積層体３０６は、酸素、炭素、炭化水素、又はこれらの組合せによる汚染に敏感である。１つの実施形態によるキャッピング層３０８は、汚染物質と相互作用して汚染物質を中和する。
［００５９］ １つ又は複数の実施形態では、キャッピング層３０８は、極紫外線光１１２に対して透明な、光学的に均一な構造である。極紫外線光１１２は、キャッピング層３０８を通過して、多層積層体３０６から反射する。１つ又は複数の実施形態では、キャッピング層３０８は、１％から２％の全反射率損失を有する。１つ又は複数の実施形態では、異なる材料の各々は、厚さに応じて異なる反射率損失を有するが、それらの全ては、１％から２％の範囲であろう。
［００６０］ １つ又は複数の実施形態では、キャッピング層３０８は滑らかな表面を有する。例えば、キャッピング層３０８の表面は、０．２ｎｍ ＲＭＳ（二乗平均平方根測定値）未満の粗さを有しうる。別の例では、キャッピング層３０８の表面は、１／１００ｎｍと１／１μｍとの範囲の長さに対して０．０８ｎｍのＲＭＳの粗さを有する。ＲＭＳの粗さは、それが測定される範囲によって変わるだろう。１００ｎｍから１ミクロンの特定範囲について、粗さは０．０８ｎｍ以下である。範囲が大きくなるほど、粗さが高くなるだろう。
［００６１］ キャッピング層３０８は、様々な方法で形成することができる。１つの実施形態では、キャッピング層３０８は、マグネトロンスパッタリング、イオンスパッタリングシステム、イオンビーム堆積、電子ビーム蒸発、高周波（ＲＦ）スパッタリング、原子層堆積（ＡＬＤ）、パルス状レーザ堆積、カソードアーク堆積、又はこれらの組合せを用いて、多層積層体３０６上に又はその上に直接形成される。１つ又は複数の実施例では、キャッピング層３０８は、正確な厚さ、低い粗さ、及び層間の清潔な界面を含むマグネトロンスパッタリング技術によって形成されるという物理的特性を有する。１つの実施形態では、キャッピング層３０８は、正確な厚さ、低い粗さ、及び層間の清潔な界面を含む物理的気相堆積によって形成されるという物理的特性を有する。
［００６２］ １つ又は複数の実施形態では、キャッピング層３０８は、洗浄中の浸食に耐えるのに十分な硬度を有する様々な材料から形成される。１つの実施形態では、ルテニウムは、良好なエッチング停止であり、動作条件下で比較的不活性であるため、キャッピング層材料として使用される。しかしながら、キャッピング層３０８を形成するために他の材料を使用することができると理解される。特定の実施形態では、キャッピング層３０８は、２．５から５．０ｎｍの範囲の厚さを有する。
［００６３］ １つ又は複数の実施形態では、吸収層３１０は、極紫外線光１１２を吸収する層である。１つの実施形態では、吸収層３１０は、極紫外線光１１２を反射しないエリアを設けることによって、ＥＵＶ反射マスク１０６上にパターンを形成するために使用される。吸収層３１０は、１つ又は複数の実施形態によれば、約１３．５ｎｍなどの極紫外線光１１２の特定の周波数に対して高い吸収係数を有する材料を含む。１つの実施態様では、吸収層３１０は、キャッピング層３０８上に直接形成され、吸収層３１０は、ＥＵＶ反射マスク１０６のパターンが形成するためにフォトリソグラフィプロセスを使用してエッチングされる。
［００６４］ １つ又は複数の実施形態によれば、極紫外線ミラー２０５などの極紫外線反射素子３０２は、基板３０４、多層積層体３０６、及びキャッピング層３０８とともに形成される。極紫外線ミラー２０５は、光学的に平坦な表面を有し、極紫外線光１１２を効率的かつ均一に反射することができる。
［００６５］ １つ又は複数の実施形態によれば、ＥＵＶマスクブランク２０４のような極紫外線反射素子３０２は、基板３０４、多層積層体３０６、キャッピング層３０８、及び吸収層３１０とともに形成される。マスクブランク２０４は、光学的に平坦な表面を有し、極紫外線光１１２を効率的かつ均一に反射することができる。１つの実施形態では、マスクパターン１１４は、ＥＵＶマスクブランク２０４の吸収層３１０と共に形成される。
［００６６］ １つ又は複数の実施形態によれば、キャッピング層３０８の上に吸収層３１０を形成することにより、ＥＵＶ反射マスク１０６の信頼性が高まる。キャッピング層３０８は、吸収層３１０のエッチング停止層として作用する。図２のマスクパターン１１４が吸収層３１０内にエッチングされると、吸収層３１０の下のキャッピング層３０８は、多層積層体３０６を保護するためにエッチング作用を停止する。１つ又は複数の実施形態では、吸収層３１０は、キャッピング層３０８に対してエッチングが選択的である。いくつかの実施形態では、キャッピング層３０８はルテニウムを含み、吸収層３１０はルテニウムに対してエッチングが選択的である。
［００６７］ １つの実施形態では、吸収層３１０は、炭素とアンチモンとの合金を含む。いくつかの実施形態では、吸収体は、約４５ｎｍ未満の厚さを有する。いくつかの実施形態では、吸収層は、約４５ｎｍ未満、約４０ｎｍ未満、約３５ｎｍ未満、約３０ｎｍ未満、約２５ｎｍ未満、約２０ｎｍ未満、約１５ｎｍ未満、約１０ｎｍ未満、約５ｎｍ未満、約１ｎｍ未満、又は約０．５ｎｍ未満の厚さを有する。他の実施形態では、吸収層３１０は、約１ｎｍから約４４ｎｍ、１ｎｍから約４０ｎｍ、及び１５ｎｍから約４０ｎｍの範囲を含む、約０．５ｎｍから約４５ｎｍの範囲の厚さを有する。
［００６８］ 理論に束縛されることを意図するものではないが、約４５ｎｍ未満の厚さを有する吸収層３１０は、有利には、極紫外線（ＥＵＶ）マスクブランクにおける３Ｄマスク効果を低減及び軽減する、約２％未満の反射率を有する吸収層をもたらすと考えられる。
［００６９］ １つの実施形態では、吸収層３１０は、炭素とアンチモンとの合金から作られる。１つ又は複数の実施形態では、炭素とアンチモンとの合金は、合金の総重量に基づいて、約３．０重量％から約２７．１重量％の炭素及び約７２．９重量％から約９７重量％のアンチモン、例えば、合金の総重量に基づいて、約６．０重量％から約１５重量％の炭素及び約８５重量％から約９４重量％のアンチモンを含む。１つ又は複数の実施形態では、炭素とアンチモンとの合金は、合金の総重量に基づいて、約３５重量％から約５５重量％の炭素及び約４５重量％から約６５重量％のアンチモン、例えば、合金の総重量に基づいて、約４５重量％から約５２重量％の炭素及び約４８重量％から約５５重量％のアンチモンを含む。１つ又は複数の実施形態では、炭素とアンチモンとの合金は非晶質である。
［００７０］ 特定の実施形態では、炭素とアンチモンとの合金は、アンチモンが豊富な合金である。本明細書で使用される「アンチモンが豊富な」という用語は、炭素よりも著しく多くのアンチモンが合金中に存在することを意味する。例えば、特定の実施形態では、炭素とアンチモンとの合金は、合金の総重量に基づいて、約３．０重量％から約２７．１重量％の炭素及び約７２．９重量％から約９７重量％のアンチモンを含む合金である。別の特定の実施形態では、炭素とアンチモンとの合金は、合金の総重量に基づいて、６．０重量％から約１５重量％の炭素及び約８５重量％から約９４重量％のアンチモンを含む合金である。１つ又は複数の実施形態では、炭素とアンチモンとの合金は非晶質である。
［００７１］ １つ又は複数の実施形態では、炭素とアンチモンとの合金はドーパントを含む。ドーパントは、窒素又は酸素のうちの１つ又は複数から選択されうる。１つの実施形態では、ドーパントは酸素を含む。別の実施形態では、ドーパントは窒素を含む。１つの実施形態では、ドーパントは、合金の重量に基づいて約０．１重量％から約５重量％の範囲の量で合金中に存在する。他の実施形態では、ドーパントは、約０．１重量％、０．２重量％、０．３重量％、０．４重量％、０．５重量％、０．６重量％、０．７重量％、０．８重量％、０．９重量％、１．０重量％、１．１重量％、１．２重量％、１．３重量％、１．４重量％、１．５重量％、１．６重量％、１．７重量％、１．８重量％、１．９重量％、２．０重量％、２．１重量％、２．２重量％、２．３重量％、２．４重量％、２．５重量％、２．６重量％、２．７重量％、２．８重量％、２．９重量％、３．０重量％、３．１重量％、３．２重量％、３．３重量％、３．４重量％、３．５重量％、３．６重量％、３．７重量％、３．８重量％、３．９重量％、４．０重量％、４．１重量％、４．２重量％、４．３重量％、４．４重量％、４．５重量％、４．６重量％、４．７重量％、４．８重量％、４．９重量％、又は５．０重量％の量で合金中に存在する。
［００７２］ １つ又は複数の実施形態では、吸収層の合金は、物理的堆積チャンバ内で形成された共スパッタリングされた合金吸収体材料であり、これは、２％未満の反射率及び適切なエッチング特性を達成しつつ、はるかに薄い吸収層厚さ（３０ｎｍ未満）を提供することができる。１つ又は複数の実施形態では、吸収層の合金は、アルゴン（Ａｒ）、酸素（Ｏ２）、又は窒素（Ｎ２）のうちの１つ又は複数から選択されるガスによって共スパッタリングされうる。１つの実施形態では、吸収層の合金は、アルゴンガスと酸素ガスとの混合物（Ａｒ＋Ｏ２）によって共スパッタリングされうる。いくつかの実施形態では、アルゴンと酸素の混合物による共スパッタリングは、炭素の酸化物及び／又はアンチモンの酸化物を形成する。他の実施形態では、アルゴンと酸素の混合物による共スパッタリングは、炭素又はアンチモンの酸化物を形成しない。１つの実施形態では、吸収層の合金は、アルゴンガスと窒素ガスとの混合物（Ａｒ＋Ｎ２）によって共スパッタリングされうる。いくつかの実施形態では、アルゴン及び窒素の混合物による共スパッタリングは、炭素の窒化物及び／又はアンチモンの窒化物を形成する。他の実施形態では、アルゴンと窒素の混合物による共スパッタリングは、炭素又はアンチモンの窒化物を形成しない。１つの実施形態では、吸収層の合金は、アルゴンガスと酸素ガスと窒素ガスとの混合物（Ａｒ＋Ｏ２＋Ｎ２）によって共スパッタリングされうる。いくつかの実施形態では、アルゴン及び酸素及び窒素の混合物による共スパッタリングは、炭素の酸化物及び／又は窒化物、及び／又はアンチモンの酸化物及び／又は窒化物を形成する。他の実施形態では、アルゴン及び酸素及び窒素の混合物による共スパッタリングは、炭素又はアンチモンの酸化物又は窒化物を形成しない。１つの実施形態では、吸収層のエッチング特性及び／又は他の特性は、上述のように、合金のパーセンテージを制御することによって仕様に合わせることができる。１つの実施形態では、合金のパーセンテージは、物理的気相堆積チャンバの電圧、圧力、流量などのパラメータを操作することによって、正確に制御することができる。１つの実施形態では、材料特性を更に修正するためにプロセスガスが使用され、例えば、炭素及びアンチモンの窒化物を形成するためにＮ２ガスが使用される。
［００７３］ １つ又は複数の実施形態では、本明細書で使用される「共スパッタリング」は、炭素を含む１つのターゲットとアンチモンを含む第２のターゲットとの２つのターゲットが、アルゴン（Ａｒ）、酸素（Ｏ２）、又は窒素（Ｎ２）から選択される１つ又は複数のガスを使用して同時にスパッタリングされて、炭素とアンチモンとの合金を含む吸収層を堆積／形成することを意味する。
［００７４］ 他の実施形態では、炭素とアンチモンとの合金は、アルゴン（Ａｒ）、酸素（Ｏ２）、又は窒素（Ｎ２）のうちの１つ又は複数から選択されるガスを使用して、炭素層及びアンチモン層の積層体として層ごとに堆積させることができる。１つの実施形態では、吸収層の合金は、アルゴンガスと酸素ガスの混合物（Ａｒ＋Ｏ２）を使用して、炭素層とアンチモン層との積層体として層ごとに堆積させることができる。いくつかの実施形態では、アルゴン及び酸素の混合物を使用する層ごとの堆積は、炭素の酸化物及び／又はアンチモンの酸化物を形成する。他の実施形態では、アルゴンと酸素の混合物を使用する層ごとの堆積は、炭素又はアンチモンの酸化物を形成しない。１つの実施形態では、吸収層の合金は、アルゴンガスと窒素ガスの混合物（Ａｒ＋Ｎ２）を使用して、炭素層とアンチモン層の積層体として層ごとに堆積させることができる。いくつかの実施形態では、アルゴン及び窒素の混合物を使用する層ごとの堆積は、炭素の窒化物及び／又はアンチモンの窒化物を形成する。他の実施形態では、アルゴンと窒素の混合物を使用する層ごとの堆積は、炭素又はアンチモンの窒化物を形成しない。１つの実施形態では、吸収層の合金は、アルゴンガスと酸素ガスと窒素ガスとの混合物（Ａｒ＋Ｏ２＋Ｎ２）を使用して、炭素層とアンチモン層との積層体として層ごとに堆積させることができる。いくつかの実施形態では、アルゴンと酸素と窒素との混合物を使用して層ごとに堆積させることにより、炭素の酸化物及び／又は窒化物、及び／又はアンチモンの酸化物及び／又は窒化物を形成する。他の実施形態では、アルゴンと酸素と窒素との混合物を使用する層ごとの堆積は、炭素又はアンチモンの酸化物又は窒化物を形成しない。
［００７５］ １つ又は複数の実施形態では、アルゴン（Ａｒ）、酸素（Ｏ２）、又は窒素（Ｎ２）のうちの１つ又は複数から選択されるガスを使用する通常のスパッタリングによってスパッタリングすることができる、本明細書に記載の合金組成物のバルクターゲットが作製されうる。１つ又は複数の実施形態では、合金は、合金の同じ組成を有するバルクターゲットを使用して堆積され、アルゴン（Ａｒ）、酸素（Ｏ２）、又は窒素（Ｎ２）のうちの１つ又は複数から選択されるガスを使用してスパッタリングされて、吸収層を形成する。１つの実施形態では、吸収層の合金は、合金の同じ組成物を有するバルクターゲットを使用して堆積させることができ、アルゴンガス及び酸素ガスの混合物（Ａｒ＋Ｏ２）を使用してスパッタリングされる。いくつかの実施形態では、アルゴン及び酸素の混合物を使用するバルクターゲット堆積は、炭素の酸化物及び／又はアンチモンの酸化物を形成する。他の実施形態では、アルゴンと酸素の混合物を使用するバルクターゲット堆積は、炭素又はアンチモンの酸化物を形成しない。１つの実施形態では、吸収層の合金は、合金の同じ組成物を有するバルクターゲットを使用して堆積させることができ、アルゴンガスと窒素ガスの混合物（Ａｒ＋Ｎ２）を使用してスパッタリングされる。いくつかの実施形態では、アルゴンと窒素の混合物を使用するバルクターゲット堆積は、炭素の窒化物及び／又はアンチモンの窒化物を形成する。他の実施形態では、アルゴンと窒素の混合物を使用するバルクターゲット堆積は、炭素又はアンチモンの窒化物を形成しない。１つの実施形態では、吸収層の合金は、合金の同じ組成物を有するバルクターゲットを使用して堆積させることができ、アルゴンガスと酸素ガスと窒素ガスの混合物（Ａｒ＋Ｏ２＋Ｎ２）を使用してスパッタリングされる。いくつかの実施形態では、アルゴンと酸素と窒素の混合物を使用するバルクターゲット堆積は、炭素の酸化物及び／又は窒化物、及び／又はアンチモンの酸化物及び／又は窒化物を形成する。他の実施形態では、アルゴンと酸素と窒素との混合物を使用するバルクターゲット堆積は、炭素又はアンチモンの酸化物又は窒化物を形成しない。いくつかの実施形態では、炭素とアンチモンとの合金は、０．１重量％から５重量％の範囲の窒素又は酸素のうちの１つ又は複数でドープされる。
［００７６］ ＥＵＶマスクブランクは、第１の吸収体材料を含む第１のカソードと、第２の吸収体材料を含む第２のカソードと、第３の吸収体材料を含む第３のカソードと、第４の吸収体材料を含む第４のカソードと、第５の吸収体材料を含む第５のカソードとを有する物理的堆積チャンバ内に作製することができ、第１の吸収体材料、第２の吸収体材料、第３の吸収体材料、第４の吸収体材料及び第５の吸収体材料は、互いに異なり、吸収体材料の各々が、他の材料とは異なる吸光係数を有し、吸収体材料の各々が、他の吸収体材料とは異なる屈折率を有する。
［００７７］ ここで図５を参照すると、極紫外線マスクブランク４００は、基板４１４、基板４１４上の反射層４１２の多層積重体を含むものとして示され、反射層４１２の多層積重体は、複数の反射層ペアを含む。１つ又は複数の実施形態では、複数の反射層ペアは、モリブデン（Ｍｏ）含有材料及びケイ素（Ｓｉ）含有材料から選択される材料から作製される。いくつかの実施形態では、複数の反射層ペアは、モリブデンとケイ素の交互層を含む。極紫外線マスクブランク４００は、反射層４１２の多層積重体上にキャッピング層４２２を更に含み、キャッピング層４２２上に吸収層の多層積重体４２０が存在する。１つ又は複数の実施形態では、複数の反射層４１２は、モリブデン（Ｍｏ）含有材料及びケイ素（Ｓｉ）含有材料から選択され、キャッピング層４２２はルテニウムを含む。
［００７８］ 吸収層の多層積層体４２０は、複数の吸収層ペア４２０ａ、４２０ｂ、４２０ｃ、４２０ｄ、４２０ｅ、４２０ｆを含み、各ペア（４２０ａ／４２０ｂ、４２０ｃ／４２０ｄ、４２０ｅ／４２０ｆ）が、炭素とアンチモンとの合金を含む。いくつかの実施形態では、炭素とアンチモンとの合金は、約３．０重量％から約２７．１重量％の炭素と約７２．９重量％から約９７重量％のアンチモン、例えば、約６．０重量％から約１５重量％の炭素と約８５重量％から約９４重量％のアンチモン、例えば、約９０．６重量％のアンチモンと約９．４重量％の炭素を含む。他の実施形態では、炭素とアンチモンとの合金は、約３５重量％から約５５重量％の炭素と約４５重量％から約６５重量％のアンチモン、例えば、約５２重量％の炭素と約４８重量％から約５５重量％のアンチモン、例えば、約５１．３重量％のアンチモンと４８．７重量％の炭素を含む。
［００７９］ １つの例では、吸収層４２０ａはアンチモンから作られ、吸収層４２０ｂを形成する材料は炭素である。同様に、吸収層４２０ｃは、アンチモンから作られ、吸収層４２０ｄを形成する材料は、炭素であり、吸収層４２０ｅは、アンチモン材料及び炭素である吸収層４２０ｆを形成する材料から作られる。
［００８０］ １つの実施形態では、極紫外線マスクブランク４００は、モリブデン（Ｍｏ）含有材料及びケイ素（Ｓｉ）含有材料、例えば、モリブデン（Ｍｏ）及びケイ素（Ｓｉ）から選択される複数の反射層４１２を含む。吸収層４２０ａ、４２０ｂ、４２０ｃ、４２０ｄ、４２０ｅ及び４２０ｆを形成するために使用される吸収体材料は、炭素とアンチモンとの合金である。いくつかの実施形態では、炭素とアンチモンとの合金は、約３．０重量％から約２７．１重量％の炭素と約７２．９重量％から約９７重量％のアンチモン、例えば、約６．０重量％から約１５重量％の炭素と約８５重量％から約９４重量％のアンチモン、例えば、約９０．６重量％のアンチモンと約９．４重量％の炭素を含む。他の実施形態では、炭素とアンチモンとの合金は、約３５重量％から約５５重量％の炭素と約４５重量％から約６５重量％のアンチモン、例えば、約５２重量％の炭素と約４８重量％から約５５重量％のアンチモン、例えば、約５１．３重量％のアンチモンと４８．７重量％の炭素を含む。１つ又は複数の実施形態では、炭素とアンチモンとの合金は非晶質である。
［００８１］ １つ又は複数の実施形態では、吸収層ペア４２０ａ／４２０ｂ、４２０ｃ／４２０ｄ、４２０ｅ／４２０ｆは、炭素とアンチモンとの合金を含む吸収体材料を含む第１の層（４２０ａ、４２０ｃ、４２０ｅ）と、炭素とアンチモンとの合金を含む吸収体材料を含む第２の吸収層（４２０ｂ、４２０ｄ、４２０ｆ）とを含む。特定の実施形態では、吸収層ペアは、炭素とアンチモンとの合金を含む第１の層（４２０ａ、４２０ｃ、４２０ｅ）を含み、炭素とアンチモンとの合金は、ほぼ炭素とアンチモンとの合金を有する合金から選択され、第２の吸収層（４２０ｂ、４２０ｄ、４２０ｆ）は、炭素とアンチモンとの合金を含む吸収体材料を含む。
［００８２］ １つ又は複数の実施形態によれば、吸収層ペアは、第１の吸収層（４２０ａ、４２０ｃ、４２０ｅ）及び第２の吸収層（４２０ｂ、４２０ｄ、４２０ｆ）を含み、第１の吸収層（４２０ａ、４２０ｃ、４２０ｅ）及び第２の吸収層（４２０ｂ、４２０ｄ、４２０ｆ）の各々が、０．１ｎｍから１０ｎｍの範囲、例えば１ｎｍから５ｎｍの範囲、又は１ｎｍから３ｎｍの範囲の厚さを有する。１つ又は複数の特定の実施形態では、第１の層４２０ａの厚さは、０．５ｎｍ、０．６ｎｍ、０．７ｎｍ、０．８ｎｍ、０．９ｎｍ、１ｎｍ、１．１ｎｍ、１．２ｎｍ、１．３ｎｍ、１．４ｎｍ、１．５ｎｍ、１．６ｎｍ、１．７ｎｍ、１．８ｎｍ、１．９ｎｍ、２ｎｍ、２．１ｎｍ、２．２ｎｍ、２．３ｎｍ、２．４ｎｍ、２．５ｎｍ、２．６ｎｍ、２．７ｎｍ、２．８ｎｍ、２．９ｎｍ、３ｎｍ、３．１ｎｍ、３．２ｎｍ、３．３ｎｍ、３．４ｎｍ、３．５ｎｍ、３．６ｎｍ、３．７ｎｍ、３．８ｎｍ、３．９ｎｍ、４ｎｍ、４．１ｎｍ、４．２ｎｍ、４．３ｎｍ、４．４ｎｍ、４．５ｎｍ、４．６ｎｍ、４．７ｎｍ、４．８ｎｍ、４．９ｎｍ、及び５ｎｍである。１つ又は複数の実施形態では、各ペアの第１の吸収層及び第２の吸収層の厚さは、同一であるか又は異なっている。例えば、第１の吸収層及び第２の吸収層は、第１の吸収層の厚さ対第２の吸収層の厚さの比が１：１、１．５：１、２：１、２．５：１、３：１、３．５：１、４：１、４．５：１、５：１、６：１、７：１、８：１、９：１、１０：１、１１：１、１２：１、１３：１、１４：１、１５：１、１６：１、１７：１、１８：１、１９：１、又は２０：１となるような厚さを有し、これにより、各ペアにおいて、第１の吸収層が、第２の吸収層以上の厚さを有することになる。代替的には、第１の吸収層及び第２の吸収層は、第２の吸収層の厚さ対第１の吸収層の厚さの比が５：１、２：１、２．５：１、３：１、３．５：１、４：１、４．５：１、５：１、６：１、７：１、８：１、９：１、１０：１、１１：１、１２：１、１３：１、１４：１、１５：１、１６：１、１７：１、１８：１、１９：１、又は２０：１となるような厚さを有しており、これにより、各ペアにおいて、第２の吸収層が、第１の吸収層以上の厚さを有することになる。
［００８３］ １つ又は複数の実施形態によれば、極紫外線光が、吸収に起因して、及び反射層の多層積層体からの光との破壊的干渉によって引き起こされる相変化に起因して、吸収されるように、吸収層の異なる吸収体材料及び厚さは、選択される。図５に示す実施形態は、３つの吸収層ペア４２０ａ／４２０ｂ、４２０ｃ／４２０ｄ及び４２０ｅ／４２０ｆを示しているが、特許請求の範囲は、特定の数の吸収層ペアに限定されるべきではない。１つ又は複数の実施形態によれば、ＥＵＶマスクブランク４００は、５－６０の吸収層ペアの範囲又は１０－４０の吸収層ペアの範囲で含みうる。
［００８４］ １つ又は複数の実施形態によれば、吸収層は、２％未満の反射率及び他のエッチング特性を提供する厚さを有する。供給ガスは、吸収層の材料特性を更に修正するために使用することができ、例えば、窒素（Ｎ２）ガスは、上記で提供された材料の窒化物を形成するために使用することができる。１つ又は複数の実施形態による吸収層の多層積層体は、異なる材料の個々の厚さの反復パターンであり、その結果、ＥＵＶ光は、吸光度に起因して吸収されるだけでなく、多層吸収積層体によって引き起こされる相変化によっても吸収され、これは、より良好なコントラストを提供するために、その下の反射材料の多層積層体からの光を破壊的に干渉する。
［００８５］ 本開示の別の態様は、極紫外線（ＥＵＶ）マスクブランクの製作方法であって、本方法は、複数の反射層ペアを含む、反射層の多層積層体を、基板上に形成することと、キャッピング層を反射層の多層積層体上に形成することと、炭素とアンチモンとの合金を含む吸収層をキャッピング層上に形成することとを含み、炭素とアンチモンとの合金は、約３．０重量％から約２７．１重量％の炭素と約７２．９重量％から約９７重量％のアンチモン、例えば、約６．０重量％から約１５重量％の炭素と約８５重量％から約９４重量％のアンチモン、例えば、約９０．６重量％のアンチモンと約９．４重量％の炭素を含む。他の実施形態では、炭素とアンチモンとの合金は、約３５重量％から約５５重量％の炭素と約４５重量％から約６５重量％のアンチモン、例えば、約５２重量％の炭素と約４８重量％から約５５重量％のアンチモン、例えば、約５１．３重量％のアンチモンと４８．７重量％の炭素を含む。１つ又は複数の実施形態では、炭素とアンチモンとの合金は非晶質である。
［００８６］ ＥＵＶマスクブランクは、図４及び図５に関して上述した実施形態の特徴のいずれかを有することができ、この方法は、図３に関して説明したシステムで実行することができる。
［００８７］ したがって、実施形態では、複数の反射層は、モリブデン（Ｍｏ）含有材料及びケイ素（Ｓｉ）含有材料から選択され、吸収層は、炭素とアンチモンとの合金であり、炭素とアンチモンとの合金は、約３．０重量％から約２７．１重量％の炭素と約７２．９重量％から約９７重量％のアンチモンとを含み、例えば、約６．０重量％から約１５重量％の炭素と約８５重量％から約９４重量％のアンチモンとを含み、例えば、９０．６重量％のアンチモン炭素と９．４重量％の炭素とを含む。他の実施形態では、炭素とアンチモンとの合金は、約３５重量％から約５５重量％の炭素と約４５重量％から約６５重量％のアンチモン、例えば、約５２重量％の炭素と約４８重量％から約５５重量％のアンチモン、例えば、約５１．３重量％のアンチモンと４８．７重量％の炭素を含む。１つ又は複数の実施形態では、炭素とアンチモンとの合金は非晶質である。
［００８８］ 別の特定の方法の実施形態では、異なる吸収層は、第１の吸収体材料を含む第１のカソードと、第２の吸収体材料を含む第２のカソードとを有する物理的気相堆積チャンバ内で形成される。次に、図６を参照すると、実施形態に従って、マルチカソード源チャンバ５００の上部が示される。マルチカソードチャンバ５００は、上部アダプタ５０４によってキャップされた円筒形本体部分５０２を有するベース構造５０１を含む。トップアダプタ５０４は、トップアダプタ５０４の周囲に位置付けられた、カソード源５０６、５０８、５１０、５１２、及び５１４のような複数のカソード源に対する規定を有する。
［００８９］ １つ又は複数の実施形態では、本方法は、５ｎｍから６０ｎｍの範囲の厚さを有する吸収層を形成する。１つ又は複数の実施形態では、吸収層は、５１ｎｍから５７ｎｍの範囲の厚さを有する。１つ又は複数の実施形態では、吸収層を形成するために使用される材料は、吸収層のエッチング特性に影響するように選択される。１つ又は複数の実施形態では、吸収層の合金は、物理的堆積チャンバ内で形成された合金吸収体材料を共スパッタリングすることによって形成され、これは、はるかに薄い吸収層の厚さ（３０ｎｍ未満）をもたらし、２％未満の反射率及び所望のエッチング特性を達成することができる。１つの実施形態では、各吸収体材料の合金パーセンテージを制御することによって、吸収層のエッチング特性及び他の所望の特性を仕様に合わせることができる。１つの実施形態では、合金パーセンテージは、物理的気相堆積チャンバの電圧、圧力、流量などのパラメータを操作することによって、正確に制御することができる。１つの実施形態では、材料特性を更に修正するためにプロセスガスが使用され、例えば、炭素及びアンチモンの窒化物を形成するためにＮ２ガスが使用される。合金吸収体材料は、約３．０重量％から約２７．１重量％の炭素と約７２．９重量％から約９７重量％のアンチモン、例えば、約６．０重量％から約１５重量％の炭素と約８５重量％から約９４重量％のアンチモン、例えば、約９０．６重量％のアンチモンと約９．４重量％の炭素を含む炭素とアンチモンとの合金を含みうる。他の実施形態では、炭素とアンチモンとの合金は、約３５重量％から約５５重量％の炭素と約４５重量％から約６５重量％のアンチモン、例えば、約５２重量％の炭素と約４８重量％から約５５重量％のアンチモン、例えば、約５１．３重量％のアンチモンと４８．７重量％の炭素を含む。
［００９０］ マルチカソード源チャンバ５００は、図３に示すシステムの一部でありうる。１つの実施形態では、極紫外線（ＥＵＶ）マスクブランク生産システムは、真空を形成するための基板ハンドリング真空チャンバと、基板ハンドリング真空チャンバにロードされる基板を搬送するための、真空内の基板ハンドリングプラットフォームと、複数の反射層ペアを含む、基板上の反射層の多層積層体と、反射層の多層積層体上のキャッピング層と、炭素とアンチモンとの合金から作られた、キャッピング層上の吸収層とを含むＥＵＶマスクブランクを形成するための、基板ハンドリングプラットフォームによってアクセスされる複数のサブチャンバとを含む。このシステムは、図４又は図５に関して示されるＥＵＶマスクブランクを作製するために使用することができ、上記の図４又は図５に関して記載されるＥＵＶマスクブランクに関して記載される特性のいずれかを有する。
［００９１］ プロセスは、一般に、プロセッサによって実行されると、プロセスチャンバに本開示のプロセスを実行させるソフトウェアルーチンとしてメモリに記憶されうる。ソフトウェアルーチンはまた、プロセッサによって制御されているハードウェアから遠隔に位置する第２のプロセッサ（図示せず）によって記憶及び／又は実行されうる。本開示の方法の一部又はすべてもまた、ハードウェアで実行されうる。したがって、プロセスは、ソフトウェアで実装され、コンピュータシステムを使用して、例えば、特定用途向け集積回路又は他のタイプのハードウェア実装としてのハードウェアで、又はソフトウェアとハードウェアの組合せとして実行されうる。ソフトウェアルーチンは、プロセッサによって実行されると、汎用コンピュータを、プロセスが実行されるようにチャンバ動作を制御する特定の目的のコンピュータ（コントローラ）に変換する。
［００９２］ 本明細書全体を通して、「１つの実施形態」、「特定の実施形態」、「１つ又は複数の実施形態」又は「実施形態」への言及は、実施形態に関連して説明された特定の特徴、構造、材料、又は特性が、本開示の少なくとも１つの実施形態に含まれることを意味する。したがって、本明細書全体の様々な場所における「１つ又は複数の実施形態において」、「特定の実施形態において」、「１つの実施形態において」、又は「実施形態において」などの表現の出現は、必ずしも本開示の同一の実施形態を指すとは限らない。更に、特定の特徴、構造、材料、又は特性は、１つ又は複数の実施形態において任意の適切な方法で組み合わせてもよい。
［００９３］ 本明細書の開示は、特定の実施形態を参照して説明されてきたが、これらの実施形態は、本開示の原理及び用途の単なる例示であると理解されたい。本開示の主旨及び範囲から逸脱することなく、本開示の方法及び装置に対して様々な修正及び変更を行うことができることが、当業者には明らかになろう。したがって、本開示は、添付の特許請求の範囲及びその均等物の範囲内にある修正及び変更を含むことが意図される。
Claims (9)
- 極紫外線（ＥＵＶ）マスクブランクの製作方法であって、
ＥＵＶ放射を反射する多層積層体を基板上に形成することであって、該多層積層体が複数の反射層ペアを含む、多層積層体を基板上に形成することと、
前記多層積層体上にキャッピング層を形成することと、
前記キャッピング層上に、炭素とアンチモンとの合金を含む吸収層を形成することと
を含み、
前記炭素とアンチモンとの合金が、約３．０重量％から約２７．１重量％の炭素と、約７２．９重量％から約９７重量％のアンチモンとを含む、方法。 - 極紫外線（ＥＵＶ）マスクブランクの製作方法であって、
ＥＵＶ放射を反射する多層積層体を基板上に形成することであって、該多層積層体が複数の反射層ペアを含む、多層積層体を基板上に形成することと、
前記多層積層体上にキャッピング層を形成することと、
前記キャッピング層上に、炭素とアンチモンとの合金を含む吸収層を形成することと
を含み、
前記炭素とアンチモンとの合金が、約３５重量％から約５５重量％の炭素と、約４５重量％から約６５重量％のアンチモンとを含む、方法。 - 前記炭素とアンチモンとの合金が、約６．０重量％から約１５重量％の炭素と、約８５重量％から約９４重量％のアンチモンとを含む、請求項１に記載の方法。
- 前記炭素とアンチモンとの合金が、約４５重量％から約５２重量％の炭素と、約４８重量％から約５５重量％のアンチモンとを含む、請求項２に記載の方法。
- 前記炭素とアンチモンとの合金が、０．１重量％から５重量％の範囲の窒素又は酸素のうちの１つ又は複数でドープされる、請求項１に記載の方法。
- 前記炭素とアンチモンとの合金が、約０．１重量％から約５重量％の範囲の窒素又は酸素のうちの１つ又は複数でドープされる、請求項２に記載の方法。
- 極紫外線（ＥＵＶ）マスクブランクであって、
基板と、
ＥＵＶ放射を反射する多層積層体であって、複数の反射層ペアを含む多層積層体と、
反射層の前記多層積層体上のキャッピング層と、
炭素とアンチモンとの合金を含む吸収層と
を含み、
前記炭素とアンチモンとの合金が、約３．０重量％から約２７．１重量％の炭素と、約７２．９重量％から約９７重量％のアンチモンとを含む、極紫外線（ＥＵＶ）マスクブランク。 - 極紫外線（ＥＵＶ）マスクブランクであって、
基板と、
ＥＵＶ放射を反射する多層積層体であって、複数の反射層ペアを含む多層積層体と、
反射層の前記多層積層体上のキャッピング層と、
炭素とアンチモンとの合金を含む吸収層と
を含み、
前記炭素とアンチモンとの合金が、約３５重量％から約５５重量％の炭素と、約４５重量％から約６５重量％のアンチモンとを含む、極紫外線（ＥＵＶ）マスクブランク。 - 前記炭素とアンチモンとの合金が、約６．０重量％から約１５重量％の炭素と、約８５重量％から約９４重量％のアンチモンとを含む、請求項７に記載の極紫外線（ＥＵＶ）マスクブランク。
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