KR100879139B1 - 위상 반전 마스크 및 이의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (14)
- 마스크 기판;상기 마스크 기판의 상부에 스캐터러층과 스페이서막이 교대로 형성되는 다층박막층;상기 다층박막층의 상부에 형성되는 캡핑층;상기 캡핑층 상부의 일부에 형성되는 위상반전막;상기 위상반전막의 상부에 형성되는 스페이서막; 및상기 스페이서막의 상부에 형성되는 어테뉴에이터막;을 포함하며, 기판과의 위상이 반전되는 것을 특징으로 하는 위상 반전 마스크.
- 제1항에 있어서,상기 위상반전막은 Mo으로 형성되는 것을 특징으로 하는 위상 반전 마스크.
- 제1항에 있어서,상기 스페이서막은 Al2O3로 형성되는 것을 특징으로 하는 위상 반전 마스크.
- 제1항에 있어서,상기 어테뉴에이터막은 TaN으로 형성되는 것을 특징으로 하는 위상 반전 마 스크.
- 제1항에 있어서,상기 위상반전막은 28nm 내지 33nm 범위의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 위상 반전 마스크.
- 제1항에 있어서,상기 스페이서막은 18nm 내지 22nm 범위의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 위상 반전 마스크.
- 제1항에 있어서,상기 어테뉴에이터막은 3nm 내지 4nm 범위의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 위상 반전 마스크.
- 마스크 기판의 상부에 Mo층과 Si층을 교대로 증착하여 다층박막층을 형성하는 단계;상기 다층박막층의 상부에 Ru를 증착하여 캡핑층을 형성하는 단계;상기 캡핑층의 상부에 위상반전막을 증착하여 형성하는 단계;상기 위상반전막의 상부에 스페이서막을 형성하는 단계; 및상기 스페이서막의 상부에 어테뉴에이터막을 증착하여 형성하는 단계;로 실행하는 것을 특징으로 하는 제1항의 위상 반전 마스크의 제조방법.
- 제8항에 있어서,상기 위상반전막과 스페이서막 및 어테뉴에이터막을 패터닝하는 단계를 더 실행하는 것을 특징으로 하는 위상 반전 마스크의 제조방법.
- 제8항에 있어서,상기 위상반전막은 Mo로 형성시키도록 실행하는 것을 특징으로 하는 위상 반전 마스크의 제조방법.
- 제8항에 있어서,상기 스페이서막은 Al2O3으로 형성시키도록 실행하는 것을 특징으로 하는 위상 반전 마스크의 제조방법.
- 제8항에 있어서,상기 어테뉴에이터막은 TaN으로 형성시키도록 실행하는 것을 특징으로 하는 위상 반전 마스크의 제조방법.
- 제9항에 있어서,상기에서 실행하는 패터닝하는 단계는 e-beam 노광공정에 의해 형성시키는 것을 특징으로 하는 위상 반전 마스크의 제조방법.
- 제1항에 있어서,상기 위상 반전 마스크는 기판과의 위상 차이가 180도인 것을 특징으로 하는 위상 반전 마스크의 제조방법.
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---|---|
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Cited By (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20140015060A (ko) * | 2012-07-27 | 2014-02-06 | 엘지이노텍 주식회사 | 위상반전 마스크 |
WO2021026056A1 (en) * | 2019-08-08 | 2021-02-11 | Applied Materials, Inc. | Euv mask blanks and methods of manufacture |
US11194244B2 (en) | 2018-12-21 | 2021-12-07 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet mask absorber and processes for manufacture |
US11209727B2 (en) | 2018-10-26 | 2021-12-28 | Applied Materials, Inc. | Ta—Cu alloy material for extreme ultraviolet mask absorber |
US11249390B2 (en) | 2019-01-31 | 2022-02-15 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet mask absorber materials |
US11249389B2 (en) | 2019-01-31 | 2022-02-15 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet mask absorber materials |
US11249388B2 (en) | 2019-01-31 | 2022-02-15 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet mask absorber materials |
US11275302B2 (en) | 2019-05-22 | 2022-03-15 | Applied Materials Inc. | Extreme ultraviolet mask absorber materials |
US11275303B2 (en) | 2019-05-22 | 2022-03-15 | Applied Materials Inc. | Extreme ultraviolet mask absorber matertals |
US11275304B2 (en) | 2019-05-22 | 2022-03-15 | Applied Materials Inc. | Extreme ultraviolet mask absorber matertals |
US11300871B2 (en) | 2020-04-29 | 2022-04-12 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet mask absorber materials |
US11300872B2 (en) | 2019-05-22 | 2022-04-12 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet mask absorber materials |
US11366379B2 (en) | 2019-05-22 | 2022-06-21 | Applied Materials Inc. | Extreme ultraviolet mask with embedded absorber layer |
US11513437B2 (en) | 2021-01-11 | 2022-11-29 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet mask absorber materials |
US11537040B2 (en) | 2020-01-27 | 2022-12-27 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet mask blank hard mask materials |
US11556053B2 (en) | 2020-01-27 | 2023-01-17 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet mask blank hard mask materials |
US11592738B2 (en) | 2021-01-28 | 2023-02-28 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet mask absorber materials |
US11609490B2 (en) | 2020-10-06 | 2023-03-21 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet mask absorber materials |
US11630385B2 (en) | 2020-01-24 | 2023-04-18 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet mask absorber materials |
US11640109B2 (en) | 2020-01-27 | 2023-05-02 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet mask absorber materials |
US11644741B2 (en) | 2020-04-17 | 2023-05-09 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet mask absorber materials |
US11675263B2 (en) | 2020-07-13 | 2023-06-13 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet mask absorber materials |
US11754917B2 (en) | 2016-07-27 | 2023-09-12 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet mask blank with multilayer absorber and method of manufacture |
US11860533B2 (en) | 2020-03-27 | 2024-01-02 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet mask absorber materials |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20020029590A (ko) * | 2000-10-13 | 2002-04-19 | 윤종용 | 반사형 포토마스크 |
KR20060099607A (ko) * | 2005-03-14 | 2006-09-20 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의 패턴 형성방법 |
KR20070036519A (ko) * | 2005-09-29 | 2007-04-03 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반사형 마스크 |
JP2007109971A (ja) * | 2005-10-14 | 2007-04-26 | Hoya Corp | 多層反射膜付き基板、その製造方法、反射型マスクブランクおよび反射型マスク |
-
2007
- 2007-08-31 KR KR1020070088456A patent/KR100879139B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20020029590A (ko) * | 2000-10-13 | 2002-04-19 | 윤종용 | 반사형 포토마스크 |
KR20060099607A (ko) * | 2005-03-14 | 2006-09-20 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의 패턴 형성방법 |
KR20070036519A (ko) * | 2005-09-29 | 2007-04-03 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반사형 마스크 |
JP2007109971A (ja) * | 2005-10-14 | 2007-04-26 | Hoya Corp | 多層反射膜付き基板、その製造方法、反射型マスクブランクおよび反射型マスク |
Cited By (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20140015060A (ko) * | 2012-07-27 | 2014-02-06 | 엘지이노텍 주식회사 | 위상반전 마스크 |
KR101926614B1 (ko) | 2012-07-27 | 2018-12-11 | 엘지이노텍 주식회사 | 위상반전 마스크 |
US11754917B2 (en) | 2016-07-27 | 2023-09-12 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet mask blank with multilayer absorber and method of manufacture |
US11209727B2 (en) | 2018-10-26 | 2021-12-28 | Applied Materials, Inc. | Ta—Cu alloy material for extreme ultraviolet mask absorber |
US11194244B2 (en) | 2018-12-21 | 2021-12-07 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet mask absorber and processes for manufacture |
US11249390B2 (en) | 2019-01-31 | 2022-02-15 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet mask absorber materials |
US11249389B2 (en) | 2019-01-31 | 2022-02-15 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet mask absorber materials |
US11249388B2 (en) | 2019-01-31 | 2022-02-15 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet mask absorber materials |
US11300872B2 (en) | 2019-05-22 | 2022-04-12 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet mask absorber materials |
US11275303B2 (en) | 2019-05-22 | 2022-03-15 | Applied Materials Inc. | Extreme ultraviolet mask absorber matertals |
US11275304B2 (en) | 2019-05-22 | 2022-03-15 | Applied Materials Inc. | Extreme ultraviolet mask absorber matertals |
US11275302B2 (en) | 2019-05-22 | 2022-03-15 | Applied Materials Inc. | Extreme ultraviolet mask absorber materials |
US11366379B2 (en) | 2019-05-22 | 2022-06-21 | Applied Materials Inc. | Extreme ultraviolet mask with embedded absorber layer |
WO2021026056A1 (en) * | 2019-08-08 | 2021-02-11 | Applied Materials, Inc. | Euv mask blanks and methods of manufacture |
US11385536B2 (en) | 2019-08-08 | 2022-07-12 | Applied Materials, Inc. | EUV mask blanks and methods of manufacture |
US11630385B2 (en) | 2020-01-24 | 2023-04-18 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet mask absorber materials |
US11556053B2 (en) | 2020-01-27 | 2023-01-17 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet mask blank hard mask materials |
US11537040B2 (en) | 2020-01-27 | 2022-12-27 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet mask blank hard mask materials |
US11640109B2 (en) | 2020-01-27 | 2023-05-02 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet mask absorber materials |
US11860533B2 (en) | 2020-03-27 | 2024-01-02 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet mask absorber materials |
US11644741B2 (en) | 2020-04-17 | 2023-05-09 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet mask absorber materials |
US11300871B2 (en) | 2020-04-29 | 2022-04-12 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet mask absorber materials |
US11675263B2 (en) | 2020-07-13 | 2023-06-13 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet mask absorber materials |
US11609490B2 (en) | 2020-10-06 | 2023-03-21 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet mask absorber materials |
US11513437B2 (en) | 2021-01-11 | 2022-11-29 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet mask absorber materials |
US11592738B2 (en) | 2021-01-28 | 2023-02-28 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet mask absorber materials |
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