WO2023095769A1 - 反射型フォトマスクブランク及び反射型フォトマスク - Google Patents

反射型フォトマスクブランク及び反射型フォトマスク Download PDF

Info

Publication number
WO2023095769A1
WO2023095769A1 PCT/JP2022/043116 JP2022043116W WO2023095769A1 WO 2023095769 A1 WO2023095769 A1 WO 2023095769A1 JP 2022043116 W JP2022043116 W JP 2022043116W WO 2023095769 A1 WO2023095769 A1 WO 2023095769A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
degrees
absorption layer
layer
phase difference
reflective
Prior art date
Application number
PCT/JP2022/043116
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
大輔 宮脇
和範 関
秀亮 中野
Original Assignee
株式会社トッパンフォトマスク
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 株式会社トッパンフォトマスク filed Critical 株式会社トッパンフォトマスク
Publication of WO2023095769A1 publication Critical patent/WO2023095769A1/ja

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
    • G03F1/24—Reflection masks; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/54—Absorbers, e.g. of opaque materials

Definitions

  • the present disclosure relates to a reflective photomask blank and a reflective photomask.
  • EUV Extreme Ultraviolet
  • the photomask also changes from the conventional transmissive type to the reflective EUV photomask. Since the incident light and the reflected light to the EUV photomask cannot be designed to be coaxial, normally in EUV lithography, the optical axis is tilted 6° from the vertical direction of the EUV photomask, and the EUV light is incident at an angle of -6°. A method of irradiating a semiconductor substrate with reflected light is adopted.
  • a reflective phase shift mask In a reflective phase shift mask, the reflected light that has passed through the absorption layer and has been attenuated has a phase difference with the light reflected at the opening. Similar to the transmissive phase shift mask, such a reflective phase shift mask can improve the contrast of the optical image on the wafer and improve the resolution of the transfer pattern by using the phase shift effect.
  • the optimum value of the phase difference is 170 to 190 degrees. This value includes 180 degrees, which is the optimum value of the phase difference of the conventional transmissive phase shift mask.
  • the optimum phase difference of the absorption layer is different from 180 degrees.
  • the inventors have found that the optimum phase difference of the absorption layer in the reflective mask is a value different from "180 degrees" used in the conventional design concept.
  • the phase shift effect cannot be sufficiently utilized (utilized), and the transferability (especially the resolution) is not sufficient.
  • An object of the present disclosure is to provide a reflective photomask blank and a reflective photomask that make the most of the phase shift effect and have high transferability (especially resolution).
  • a reflective photomask blank includes a substrate and EUV light having a multilayer film structure formed on the substrate.
  • a reflective layer that reflects, a protective layer formed on the reflective layer to protect the reflective layer, and an absorbing layer that absorbs EUV light formed on the protective layer, wherein the absorbing layer is 200
  • a reflective photomask blank characterized by having a phase difference within the range of 280 degrees or more.
  • the absorption layer in the reflective photomask blank according to one aspect of the present invention may have a phase difference within the range of 215 degrees or more and 270 degrees or less.
  • the absorption layer in the reflective photomask blank according to one aspect of the present invention may have a phase difference within the range of 230 degrees or more and 260 degrees or less.
  • the absorption layer in the reflective photomask blank according to one aspect of the present invention may have a refractive index n of less than 0.93 with respect to EUV light.
  • the absorption layer in the reflective photomask blank according to one aspect of the present invention may have a refractive index n of less than 0.92 with respect to EUV light.
  • the absorption layer in the reflective photomask blank according to one aspect of the present invention contains at least one element selected from Ru, Rh, Mo, Pd, Ag, Pt, Au, Os, Ir, and Re. It may be composed of any material.
  • the absorption layer in the reflective photomask blank according to one aspect of the present invention may have a reflectance of 2% or more and 20% or less for EUV light.
  • the absorption layer in the reflective photomask blank according to one aspect of the present invention may be made of a material containing at least one element selected from Pt, Au, Ir, and Re.
  • the absorption layer in the reflective photomask blank according to one aspect of the present invention contains Mo, W, Nb, Hg, Fe, Ta, V, Bi, Ti, Zr, Hf, C, B, Be, and Al. It may be composed of a material containing at least one or more elements among.
  • a reflective photomask includes a substrate, a reflective layer having a multilayer structure formed on the substrate and reflecting EUV light, and a reflective layer formed on the reflective layer to protect the reflective layer. and an absorbing pattern layer formed on the protective layer and absorbing patterned EUV light, wherein the absorbing pattern layer has a retardation within the range of 200 degrees or more and 280 degrees or less.
  • the absorption pattern layer in the reflective photomask according to one aspect of the present invention may have a phase difference within the range of 215 degrees or more and 270 degrees or less.
  • the absorption pattern layer in the reflective photomask according to one aspect of the present invention may have a phase difference within the range of 230 degrees or more and 260 degrees or less.
  • the absorption pattern layer in the reflective photomask according to one aspect of the present invention may have a refractive index n of less than 0.93 with respect to EUV light.
  • the absorption pattern layer in the reflective photomask according to one aspect of the present invention may have a refractive index n of less than 0.92 with respect to EUV light.
  • the absorption pattern layer in the reflective photomask according to one aspect of the present invention contains at least one element selected from Ru, Rh, Mo, Pd, Ag, Pt, Au, Os, Ir, and Re. It may be composed of any material.
  • the absorption pattern layer in the reflective photomask according to one aspect of the present invention may have a reflectance of 2% or more and 20% or less for EUV light.
  • the absorption pattern layer in the reflective photomask according to one aspect of the present invention may be made of a material containing at least one element selected from Pt, Au, Ir, and Re.
  • the absorption pattern layer in the reflective photomask according to one aspect of the present invention contains Mo, W, Nb, Hg, Fe, Ta, V, Bi, Ti, Zr, Hf, C, B, Be, and Al. It may be composed of a material containing at least one or more elements among.
  • the reflective photomask blank and the reflective photomask according to one aspect of the present disclosure, it is possible to obtain a sufficient phase shift effect and improve wafer transfer performance (especially resolution).
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing the structure of a reflective photomask blank according to this embodiment
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing the structure of a reflective photomask according to this embodiment
  • FIG. 4 is a graph showing the optical constants of each metal material at the wavelength of EUV light
  • 1 is a schematic cross-sectional view showing the structure of a reflective photomask blank according to an example of the present invention
  • 1A to 1D are schematic cross-sectional views showing manufacturing steps of a reflective photomask according to an example of the present invention
  • 1A to 1D are schematic cross-sectional views showing manufacturing steps of a reflective photomask according to an example of the present invention
  • 1A to 1D are schematic cross-sectional views showing manufacturing steps of a reflective photomask according to an example of the present invention
  • 1 is a schematic cross-sectional view showing the structure of a reflective photomask according to an example of the present invention
  • FIG. 5 is a graph showing NILS of a reflective photomask according to an example of the present invention
  • 4 is a graph showing phase differences of reflective photomasks according to examples of the present invention.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing a reflective photomask blank 100 according to an embodiment of the invention.
  • a reflective photomask blank 100 according to an embodiment of the present invention includes a substrate 11, a reflective layer 12 formed on the substrate 11, and a protective layer 13 formed on the reflective layer 12. and an absorbing layer 14 formed on the protective layer 13 .
  • FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing a reflective photomask 200 according to an embodiment of the present invention.
  • the reflective photomask 200 according to the embodiment of the invention shown in FIG. 2 is formed by patterning the absorption layer 14 of the reflective photomask blank 100 according to the embodiment of the invention shown in FIG. .
  • Each layer will be described in detail below.
  • the substrate 11 may be made of titanium-added low-thermal-expansion glass, but the present embodiment is not limited thereto as long as the material has a small thermal expansion coefficient.
  • a back conductive film 15 can be formed on the surface of the substrate 11 on which the reflective layer 12 is not formed.
  • the back conductive film 15 is a film for fixing the reflective photomask 200 using the principle of an electrostatic chuck when it is installed in an exposure machine.
  • the reflective layer 12 only needs to reflect EUV light (extreme ultraviolet light), which is exposure light, and is a multilayer reflective film (that is, a It may be an EUV light reflective film) having a multilayer film structure.
  • the reflective layer 12 including a multi-layer reflective film is formed by repeatedly laminating a combination of Mo (molybdenum) and Si (silicon), or Mo (molybdenum) and Be (beryllium), for example, about 40 cycles.
  • the protective layer 13 is a layer that functions as an etching stopper that prevents damage to the reflective layer 12 when forming the absorbing pattern layer 14a by etching. Depending on the material of the reflective layer 12 and etching conditions, the protective layer 13 may be omitted.
  • the protective layer 13 is made of a material that is resistant to dry etching performed during pattern formation of the absorption layer 14 .
  • the material of the protective layer 13 may be ruthenium (Ru).
  • the absorption layer 14 is a layer formed on the protective layer 13, and is a layer that absorbs EUV light, which is exposure light.
  • the absorption layer 14 is a layer forming an absorption pattern layer (transfer pattern) 14a, which is a fine pattern for transfer. That is, by removing part of the absorption layer 14 of the reflective photomask blank 100, that is, by patterning the absorption layer 14, the absorption pattern (absorption pattern layer 14a) of the reflective photomask 200 shown in FIG. It is formed.
  • the part where the absorption layer 14 absorbs the EUV light and reflects part of the light.
  • the EUV light is reflected from the reflective layer 12 through the protective layer 13 at the openings of the pattern (portions without the absorbing layer 14).
  • the reflected light from the portion where the absorption layer 14 is formed forms a desired phase difference with the reflected light from the opening.
  • the reflectance of the absorption layer 14 and the phase difference from the opening formed as a result of patterning depend on the optical constants (refractive index n, extinction coefficient k) and film thickness of each layer of the reflective photomask blank and the reflective photomask. , is uniquely determined once the wavelength of light to be used is determined, and can be obtained by calculation based on optical theory (for details, see, for example, Applied Physics Engineering Selection 3, Sadashi Yoshida "Thin Film", Baifukan, 1990).
  • the “phase difference” in this embodiment means the difference between the phase of the reflected light from the absorption layer 14 and the phase of the reflected light from the reflective layer 12 (at the opening).
  • the values of the refractive index n and the extinction coefficient k used to calculate the reflectance and the phase difference are actually measured values using EUV light.
  • the NILS (Normalized Aerial Image Logarithmic Slope) of the wafer pattern when wafer-transferred using the reflective photomask 200 depends on the phase difference of the reflective photomask 200 .
  • the absorption layer 14 absorption pattern layer 14a
  • the exposure conditions are such that the numerical aperture NA is 0.33.
  • 4 is a graph showing NILS (Normalized Aerial Image Logarithmic Slope) when a hole pattern of 19 nm is exposed at four levels of film thicknesses of 38 nm, 41 nm, 47 nm, and 54 nm.
  • the retardation changes when the composition of RhAl is changed, that is, when the refractive index n is changed.
  • the horizontal axis represents the phase difference and shows the relationship with NILS.
  • NILS Normalized Aerial Image Log Slope
  • NILS w ⁇ dln(I)/dx
  • Expression (1) is a value of contrast obtained by , and serves as an index of resolution of a wafer pattern when the wafer pattern is formed using the reflective photomask 200 .
  • w represents the line width
  • I represents the intensity of the latent energy image. It should be noted that the higher the NILS value, the higher the resolution of the transfer pattern.
  • the NILS value is 2.49 when the film thickness is 54 nm and the phase difference of the absorption pattern layer 14a made of RhAl is 180 degrees.
  • the NILS value is 2.60 when the phase difference is 200 degrees, and the NILS value is 2.60 when the phase difference is 280 degrees. The value is about 5% higher than in some cases.
  • the NILS value is 2.68 when the phase difference is 215 degrees, and the NILS value is 2.67 when the phase difference is 270 degrees.
  • the value is about 7% higher than that of The NILS value is 2.72 when the phase difference is 230 degrees, and the NILS value is 2.71 when the phase difference is 260 degrees. The value is about 9% higher than that of . Furthermore, when the phase difference is 240 degrees, the maximum NILS is 2.74, which is about 10% higher than when the phase difference is 180 degrees.
  • the NILS is improved by 9% or more.
  • the NILS value is 2.76, compared to the case where the phase difference is 180 degrees. and its value is about 12% higher.
  • the NILS value is 2.78, compared to the case where the phase difference is 180 degrees. and its value is about 13% higher.
  • the NILS value is 2.71, which is higher than that when the phase difference is 180 degrees. and its value is about 31% higher.
  • the phase difference of the absorption layer 14 is preferably in the range of 200 degrees or more and 280 degrees or less, more preferably in the range of 215 degrees or more and 270 degrees or less, and 230 degrees. It can be seen that the range of 260 degrees or more is most preferable.
  • the EUV light is incident obliquely and reflected by the reflective layer 12, but the absorption layer 14 (absorption pattern layer 14a) hinders the optical path due to the projection effect, which reduces the transfer performance onto the wafer (semiconductor substrate). may worsen. It is known that this deterioration in transfer performance can be reduced by reducing the thickness of the absorption layer 14 that absorbs EUV light.
  • the film thickness of the absorption layer 14 is preferably 60 nm or less. When the thickness of the absorption layer 14 is 60 nm or less, the projection effect can be sufficiently reduced and the transfer performance can be improved as compared with the conventional Ta-based absorption film.
  • FIG. 10 shows the relationship between the thickness of the absorption layer 14 and the phase difference when the refractive index n of the absorption layer 14 for EUV light is 0.90, 0.91, 0.92, 0.93, and 0.94. is a graph calculated by simulation.
  • the smaller the refractive index n of the absorption layer 14 for EUV light the thinner the film thickness for obtaining the desired phase difference.
  • the refractive index n of the absorption layer 14 for EUV light is 0.93
  • the minimum film thickness for obtaining a phase difference of 230 to 260 degrees is 60 nm, which is about the same as the film thickness of a conventional Ta-based absorption film. .
  • the film thickness can be made thinner than 60 nm, which is preferable. Further, if the refractive index n of the absorption layer 14 for EUV light is smaller than 0.92, the minimum film thickness for obtaining a phase difference of 230 to 260 degrees is 50 nm or less, which is more preferable.
  • FIG. 3 is a graph showing the optical constants of each metal material with respect to the EUV light wavelength of 13.5 nm.
  • the horizontal axis of the graph in FIG. 3 represents the refractive index n, and the vertical axis represents the extinction coefficient k.
  • each of Ru, Rh, Mo, Pd, Ag, Pt, Au, Os, Ir, and Re has a refractive index n smaller than 0.93. I know you can.
  • the above-mentioned "Ru, Rh, Mo, Pd, Ag, Pt, Au, Os, Ir, and Re" are hereinafter defined as a "first material group" for convenience.
  • the material of the absorbing layer 14 may be a mixture as long as it contains elements of the first material group. If it is a mixture, the optical constants (refractive index n, extinction coefficient k) of the absorption layer 14 can be controlled by changing the composition, and a desired phase difference and reflectance can be obtained. That is, it is preferable that the absorption layer 14 is made of a material containing at least one element selected from Ru, Rh, Mo, Pd, Ag, Pt, Au, Os, Ir, and Re.
  • the material of the absorption layer 14 is at least tin (Sn), indium (In), tantalum (Ta), aluminum (Al), niobium (Nb), and titanium (Ti) in addition to the first material group described above. You may further contain 1 type. Oxides, nitrides, or oxynitrides of Sn, In, and Ta have a high melting point, so further improvement in heat resistance and improvement in workability with existing etching equipment can be expected. Also, if Al, Nb, or Ti, further improvement in washing resistance can be expected due to the formation of a passive film.
  • the absorption layer 14 is composed only of the elements of the first material group. or may be composed of an element of the first material group and an element of the second material group.
  • the absorption layer 14 may be composed of an element of the first material group and an element other than the element of the second material group, or may be composed of an element of the first material group and an element of the second material group. It may be composed of an element of the material group and an element other than the element of the second material group.
  • the content of the elements of the first material group is 70% of the elements in the absorption layer 14 as a whole. It is preferably at least 80 atomic %, more preferably at least 90 atomic %, and even more preferably at least 90 atomic %.
  • the material of the absorption layer 14 is preferably composed of a material containing at least one element selected from Pt, Au, Ir, and Re.
  • Pt, Au, Ir, and Re are materials that can be expected to improve processability with existing etching equipment among the first material group described above, and are resistant to hydrogen radicals used for cleaning EUV exposure equipment. It is an expensive material. Furthermore, since the refractive index n is smaller than 0.92, reduction of the projection effect can be expected.
  • the "Pt, Au, Ir, and Re" mentioned above are hereinafter defined as a "third material group" for the sake of convenience.
  • the material of the absorption layer 14 is Mo, W, Nb, Hg, Fe, Ta, V, Bi, Ti, Zr, Hf, C, B, Be, and Al. At least one type may be further included.
  • Mo, W, Nb, Hg, Fe, Ta, V, Bi, Ti, Zr, Hf, C, B, Be and Al are defined as the "fourth material group". If the fourth material group is contained, improvement in workability with existing etching equipment and improvement in resistance to hydrogen radicals can be expected.
  • the absorption layer 14 may be composed only of elements of the third material group, or may be composed of elements of the third material group and elements of the fourth material group.
  • the absorption layer 14 may be composed of an element of the third material group and an element other than the element of the fourth material group, or may be composed of an element of the third material group and an element of the fourth material group. It may be composed of an element of the material group and an element other than the element of the fourth material group.
  • the content of the element of the third material group is 20% of the total element of the absorption layer 14. It is preferable if it is atomic % or more.
  • the absolute reflectance of the absorption layer 14 is preferably 1% or more and 30% or less, more preferably 2% or more and 20% or less.
  • “absolute reflectance” refers to a value calculated as a ratio of the amount of light reflected by the actual sample to the amount of light directly measured from the light source. In other words, it means the reflectance when the intensity of incident light is 100%.
  • the term “absolute reflectance” is used to mean the ratio of the reflectance (approximately 66%) of the multilayer reflective layer (reflective layer 12) to the reflectance of the absorption layer 14, which is “relative reflectance". This is to distinguish it from “reflectance”.
  • the “absolute reflectance” in this embodiment is a different concept from the “relative reflectance”.
  • a hard mask layer may be provided on the absorption layer 14 .
  • a material resistant to dry etching such as a Cr-based film or a Si-based film, is used for the hard mask layer.
  • Example 1 A synthetic quartz substrate having low thermal expansion was used as the substrate shown in FIG.
  • 40 sheets of laminated films each having a pair of silicon (Si) and molybdenum (Mo) were laminated as multilayer reflective films.
  • the film thickness of the multilayer reflective film was set to 280 nm.
  • a capping layer (protective layer) was formed on the multilayer reflective film using ruthenium (Ru) so as to have a thickness of 3.5 nm.
  • Ru ruthenium
  • An absorption layer containing rhodium (Rh) and aluminum (Al) was formed to a thickness of 47 nm on the capping layer.
  • the atomic number ratio of rhodium (Rh) and aluminum (Al) in the absorption layer was measured by XPS (X-ray photoelectron spectroscopy) and found to be 66:34. Moreover, when the crystallinity of the absorption layer was measured by XRD (X-ray diffraction device), it was found to be amorphous although slight crystallinity was observed.
  • XRD X-ray diffraction device
  • a multi-source sputtering system was used to form each film on the substrate.
  • the film thickness of each film was controlled by the sputtering time.
  • FIG. 5 As shown in FIG. 5, on the absorption layer 14 of the reflective photomask blank 100, a positive chemically amplified resist (SEBP9012: manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) was applied by spin coating to a film thickness of 120 nm, and was heated at 110°C. After baking for 10 minutes, a resist film 16 was formed. Next, a predetermined pattern was drawn on the resist film 16 by an electron beam drawing machine (JBX3030: manufactured by JEOL Ltd.). After that, pre-bake treatment was performed at 110° C. for 10 minutes, and then development treatment was performed using a spray developing machine (SFG3000: manufactured by Sigma Meltec). Thus, a resist pattern 16a was formed as shown in FIG.
  • SEBP9012 manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.
  • the absorption layer 14 was patterned by dry etching mainly using a chlorine-based gas. As a result, an absorption pattern (absorption pattern layer) 14a was formed in the absorption layer 14, as shown in FIG. Next, the resist pattern 16a was removed, and a reflective photomask 200 according to this embodiment shown in FIG. 8 was produced.
  • the absorption pattern 14a formed in the absorption layer 14 was a hole pattern of 76 nm on the reflective photomask 200 for transfer evaluation.
  • Example 1 the refractive index and extinction coefficient of the absorption layer were measured (actually measured) using EUV light with a wavelength of 13.5 nm.
  • the refractive index and extinction coefficient of the absorption layer were measured (actually measured) using EUV light with a wavelength of 13.5 nm.
  • the absorption layer had an absolute reflectance of 3.4% and a phase difference of 205 degrees at a wavelength of 13.5 nm.
  • a reflective photomask of Example 2 was produced in the same manner as in Example 1 except for the above.
  • the absorption layer had an absolute reflectance of 3.7% and a phase difference of 220 degrees at a wavelength of 13.5 nm.
  • a reflective photomask of Example 3 was produced in the same manner as in Example 1 except for the above.
  • the absorption layer had an absolute reflectance of 4.3% at a wavelength of 13.5 nm and a phase difference of 240 degrees.
  • a reflective photomask of Example 4 was produced in the same manner as in Example 1 except for the above.
  • the absorption layer had an absolute reflectance of 5.3% and a phase difference of 265 degrees at a wavelength of 13.5 nm.
  • a reflective photomask of Example 5 was produced in the same manner as in Example 1 except for the above.
  • the absorption layer had an absolute reflectance of 5.9% at a wavelength of 13.5 nm and a phase difference of 275 degrees.
  • a reflective photomask of Example 6 was produced in the same manner as in Example 1 except for the above.
  • the absorption layer had an absolute reflectance of 2.6% and a phase difference of 240 degrees at a wavelength of 13.5 nm.
  • a reflective photomask of Example 7 was produced in the same manner as in Example 1 except for the above.
  • the absorption layer had an absolute reflectance of 4.4% at a wavelength of 13.5 nm and a phase difference of 240 degrees.
  • a reflective photomask of Example 8 was produced in the same manner as in Example 1 except for the above.
  • the absorption layer had an absolute reflectance of 9.2% at a wavelength of 13.5 nm and a phase difference of 240 degrees.
  • Example 9 The material of the absorption layer was changed to rhodium (Rh), and the film was formed so as to have a thickness of 33 nm.
  • a reflective photomask of Example 9 was produced in the same manner as in Example 1 except for the above.
  • the absolute reflectance of the absorption layer at a wavelength of 13.5 nm was 11.0%, and the phase difference was 240 degrees.
  • Example 10 The material of the absorption layer was changed to a mixed material (RuNb) in which ruthenium (Ru) and niobium (Nb) are homogeneous at an atomic ratio of 85:15, and the film was formed to a thickness of 44 nm.
  • RuNb mixed material
  • Nb niobium
  • a reflective photomask of Example 10 was produced in the same manner as in Example 1 except for the above.
  • the absorption layer had an absolute reflectance of 17.0% and a phase difference of 240 degrees at a wavelength of 13.5 nm.
  • Example 11 The material of the absorption layer was changed to a homogeneous mixed material (RuAl) in which ruthenium (Ru) and aluminum (Al) were mixed at an atomic ratio of 59:41, and the film was formed to a thickness of 72 nm.
  • RuAl homogeneous mixed material
  • a reflective photomask of Example 11 was produced in the same manner as in Example 1 except for the above.
  • the absorption layer had an absolute reflectance of 3.7% and a phase difference of 240 degrees at a wavelength of 13.5 nm.
  • Example 12 The material of the absorption layer was changed to a homogeneous mixed material (SnRuO) of tin oxide (SnO) and ruthenium (Ru) at an atomic ratio of 20:80, and the film was formed to a thickness of 42 nm.
  • SnRuO homogeneous mixed material
  • Ru ruthenium
  • the absorption layer had an absolute reflectance of 3.1% and a phase difference of 240 degrees at a wavelength of 13.5 nm.
  • Example 13 The thickness of the SnRuO absorption layer was changed to 39 nm, and the film was formed. A reflective photomask of Example 13 was produced in the same manner as in Example 12 except for the above.
  • the absorption layer had an absolute reflectance of 8.9% and a phase difference of 225 degrees at a wavelength of 13.5 nm.
  • Example 14 The material of the absorption layer was changed to a mixed material (InRuO) in which indium oxide (InO) and ruthenium (Ru) are homogeneous at an atomic ratio of 15:85, and the film was formed to a thickness of 42 nm.
  • InRuO indium oxide
  • Ru ruthenium
  • the absorption layer had an absolute reflectance of 3.3% and a phase difference of 240 degrees at a wavelength of 13.5 nm.
  • Example 15 The thickness of the InRuO absorption layer was changed to 39 nm.
  • a reflective photomask of Example 15 was produced in the same manner as in Example 14 except for the above.
  • the absorption layer had an absolute reflectance of 9.3% and a phase difference of 225 degrees at a wavelength of 13.5 nm.
  • Example 16 The material of the absorption layer was changed to a homogeneous mixed material (TaTi) of tantalum (Ta) and titanium (Ti) at an atomic ratio of 60:40, and the film was formed to a film thickness of 78 nm.
  • a reflective photomask of Example 16 was produced in the same manner as in Example 1 except for the above.
  • the absorption layer had an absolute reflectance of 1.2% and a phase difference of 212 degrees at a wavelength of 13.5 nm.
  • Example 17 The material of the absorption layer was changed to titanium (Ti), and the film was formed so as to have a film thickness of 80 nm.
  • a reflective photomask of Example 17 was produced in the same manner as in Example 1 except for the above.
  • the absorption layer had an absolute reflectance of 6.5% and a phase difference of 212 degrees at a wavelength of 13.5 nm.
  • Example 18 The material of the absorption layer was changed to a homogeneous mixed material (MoPd) of molybdenum (Mo) and palladium (Pd) at an atomic ratio of 40:60, and the film was formed to a thickness of 45 nm.
  • MoPd homogeneous mixed material
  • Mo molybdenum
  • Pd palladium
  • the absorption layer had an absolute reflectance of 6.6% and a phase difference of 235 degrees at a wavelength of 13.5 nm.
  • Example 19 The material of the absorption layer was changed to platinum (Pt), and the film was formed so as to have a film thickness of 45 nm.
  • a reflective photomask of Example 19 was produced in the same manner as in Example 1 except for the above.
  • the absorption layer had an absolute reflectance of 1.3% and a phase difference of 243 degrees at a wavelength of 13.5 nm.
  • Example 20 The material of the absorption layer was changed to a homogeneous mixed material (IrPt) of iridium (Ir) and platinum (Pt) at an atomic ratio of 75:25, and the film was formed to a thickness of 45 nm.
  • IrPt homogeneous mixed material
  • Ir iridium
  • Pt platinum
  • the absorption layer had an absolute reflectance of 2.2% and a phase difference of 234 degrees at a wavelength of 13.5 nm.
  • Example 21 The material of the absorption layer was changed to a mixed material (IrAu) in which iridium (Ir) and gold (Au) are homogeneous at an atomic ratio of 40:60, and the film was formed to a thickness of 45 nm.
  • a reflective photomask of Example 21 was produced in the same manner as in Example 1 except for the above.
  • the absorption layer had an absolute reflectance of 2.2% and a phase difference of 234 degrees at a wavelength of 13.5 nm.
  • Example 22 The material of the absorption layer was changed to a homogeneous mixed material (RePt) of rhenium (Re) and platinum (Pt) at an atomic ratio of 75:25, and the film was formed to a thickness of 46 nm.
  • a reflective photomask of Example 22 was produced in the same manner as in Example 1 except for the above.
  • the absorption layer had an absolute reflectance of 2.2% and a phase difference of 240 degrees at a wavelength of 13.5 nm.
  • Example 23 The material of the absorption layer was changed to a homogeneous mixed material (ReAu) of rhenium (Re) and gold (Au) at an atomic ratio of 40:60, and the film was formed to a thickness of 45 nm.
  • a reflective photomask of Example 23 was produced in the same manner as in Example 1 except for the above.
  • the absorption layer had an absolute reflectance of 2.8% and a phase difference of 227 degrees at a wavelength of 13.5 nm.
  • Example 24 The material of the absorption layer was changed to a homogeneous mixed material (PtMo) of platinum (Pt) and molybdenum (Mo) at an atomic ratio of 20:80, and the film was formed to a thickness of 48 nm.
  • PtMo homogeneous mixed material
  • Mo molybdenum
  • the absorption layer had an absolute reflectance of 7.8% and a phase difference of 213 degrees at a wavelength of 13.5 nm.
  • Example 25 The material of the absorption layer was changed to a homogeneous mixed material (PtMo) of platinum (Pt) and molybdenum (Mo) at an atomic ratio of 80:20, and the film was formed to a thickness of 45 nm.
  • PtMo homogeneous mixed material
  • Mo molybdenum
  • the absorption layer had an absolute reflectance of 2.2% and a phase difference of 234 degrees at a wavelength of 13.5 nm.
  • Example 26 The material of the absorption layer was changed to a homogeneous mixed material (PtNb) of platinum (Pt) and niobium (Nb) at an atomic ratio of 35:65, and the film was formed to a thickness of 47 nm.
  • PtNb homogeneous mixed material
  • Nb niobium
  • the absorption layer had an absolute reflectance of 6% and a phase difference of 214 degrees at a wavelength of 13.5 nm.
  • Example 27 The material of the absorption layer was changed to a homogeneous mixed material (PtNb) of platinum (Pt) and niobium (Nb) at an atomic ratio of 80:20, and the film was formed to a thickness of 45 nm.
  • PtNb homogeneous mixed material
  • Nb niobium
  • the absorption layer had an absolute reflectance of 2.2% and a phase difference of 234 degrees at a wavelength of 13.5 nm.
  • Example 28 The material of the absorption layer was changed to a homogeneous mixed material (AuMo) containing gold (Au) and molybdenum (Mo) at an atomic ratio of 25:75, and the film was formed to a thickness of 49 nm.
  • a reflective photomask of Example 28 was produced in the same manner as in Example 1 except for the above.
  • the absorption layer had an absolute reflectance of 7.6% and a phase difference of 209 degrees at a wavelength of 13.5 nm.
  • Example 29 The material of the absorption layer was changed to a homogeneous mixed material (AuMo) of gold (Au) and molybdenum (Mo) at an atomic ratio of 95:5, and the film was formed to a thickness of 39 nm.
  • a reflective photomask of Example 29 was produced in the same manner as in Example 1 except for the above.
  • the absorption layer had an absolute reflectance of 2.7% and a phase difference of 228 degrees at a wavelength of 13.5 nm.
  • Example 30 The material of the absorption layer was changed to a homogeneous mixed material (AuNb) in which gold (Au) and niobium (Nb) were mixed at an atomic ratio of 45:55, and the film was formed to a thickness of 48 nm.
  • a reflective photomask of Example 30 was produced in the same manner as in Example 1 except for the above.
  • the absorption layer had an absolute reflectance of 4.5% and a phase difference of 213 degrees at a wavelength of 13.5 nm.
  • Example 31 The material of the absorption layer was changed to a homogeneous mixed material (AuNb) of gold (Au) and niobium (Nb) at an atomic ratio of 90:10, and the film was formed to a thickness of 45 nm.
  • a reflective photomask of Example 31 was produced in the same manner as in Example 1 except for the above.
  • the absorption layer had an absolute reflectance of 2.2% and a phase difference of 234 degrees at a wavelength of 13.5 nm.
  • Example 32 The material of the absorption layer was changed to a homogeneous mixed material (AuTi) of gold (Au) and titanium (Ti) at an atomic ratio of 65:35, and the film was formed to a thickness of 47 nm.
  • a reflective photomask of Example 32 was produced in the same manner as in Example 1 except for the above.
  • the absorption layer had an absolute reflectance of 1.3% and a phase difference of 225 degrees at a wavelength of 13.5 nm.
  • Example 33 The material of the absorption layer was changed to a homogeneous mixed material (AuTi) of gold (Au) and titanium (Ti) at an atomic ratio of 85:15, and the film was formed to a thickness of 46 nm.
  • a reflective photomask of Example 33 was produced in the same manner as in Example 1 except for the above.
  • the absorption layer had an absolute reflectance of 2.2% and a phase difference of 240 degrees at a wavelength of 13.5 nm.
  • Example 34 The material of the absorption layer was changed to a homogeneous mixed material (AuZr) of gold (Au) and zirconium (Zr) at an atomic ratio of 70:30, and the film was formed to a thickness of 51 nm.
  • a reflective photomask of Example 34 was produced in the same manner as in Example 1 except for the above.
  • the absorption layer had an absolute reflectance of 2.1% and a phase difference of 218 degrees at a wavelength of 13.5 nm.
  • Example 35 The material of the absorption layer was changed to a homogeneous mixed material (AuZr) of gold (Au) and zirconium (Zr) at an atomic ratio of 90:10, and the film was formed to a thickness of 46 nm.
  • a reflective photomask of Example 35 was produced in the same manner as in Example 1 except for the above.
  • the absorption layer had an absolute reflectance of 2.5% and a phase difference of 248 degrees at a wavelength of 13.5 nm.
  • Example 36 The material of the absorption layer was changed to a mixed material (IrMo) in which iridium (Ir) and molybdenum (Mo) are homogeneous at an atomic ratio of 30:70, and the film was formed to a thickness of 49 nm.
  • IrMo mixed material
  • Mo molybdenum
  • the absorption layer had an absolute reflectance of 7.6% and a phase difference of 209 degrees at a wavelength of 13.5 nm.
  • Example 37 The material of the absorption layer was changed to a mixed material (IrMo) in which iridium (Ir) and molybdenum (Mo) are homogeneous at an atomic ratio of 90:10, and the film was formed to a thickness of 45 nm.
  • IrMo mixed material
  • Mo molybdenum
  • the absorption layer had an absolute reflectance of 3.7% and a phase difference of 227 degrees at a wavelength of 13.5 nm.
  • Example 38 The material of the absorption layer was changed to a homogeneous mixed material (IrW) of iridium (Ir) and tungsten (W) at an atomic ratio of 50:50, and the film was formed to a thickness of 47 nm.
  • IrW homogeneous mixed material
  • Ir iridium
  • W tungsten
  • the absorption layer had an absolute reflectance of 1.3% and a phase difference of 225 degrees at a wavelength of 13.5 nm.
  • Example 39 The material of the absorption layer was changed to a mixed material (IrW) in which iridium (Ir) and tungsten (W) are homogeneous at an atomic ratio of 90:10, and the film was formed to a thickness of 46 nm.
  • IrW mixed material
  • Ir iridium
  • W tungsten
  • a reflective photomask of Example 39 was produced in the same manner as in Example 1 except for the above.
  • the absorption layer had an absolute reflectance of 2.2% and a phase difference of 240 degrees at a wavelength of 13.5 nm.
  • Example 40 The material of the absorption layer was changed to a mixed material (IrNb) in which iridium (Ir) and niobium (Nb) are homogeneous at an atomic ratio of 50:50, and the film was formed to a thickness of 47 nm.
  • a reflective photomask of Example 40 was produced in the same manner as in Example 1 except for the above.
  • the absorption layer had an absolute reflectance of 6% and a phase difference of 214 degrees at a wavelength of 13.5 nm.
  • Example 41 The material of the absorption layer was changed to a mixed material (IrNb) in which iridium (Ir) and niobium (Nb) are homogeneous at an atomic ratio of 90:10, and the film was formed to a thickness of 46 nm.
  • a reflective photomask of Example 41 was produced in the same manner as in Example 1 except for the above.
  • the absolute reflectance of the absorption layer at a wavelength of 13.5 nm was 3.1%, and the phase difference was 237 degrees.
  • Example 42 The material of the absorption layer was changed to a mixed material (IrTa) in which iridium (Ir) and tantalum (Ta) are homogeneous at an atomic ratio of 85:15, and the film was formed to a thickness of 45 nm.
  • a reflective photomask of Example 42 was produced in the same manner as in Example 1 except for the above.
  • the absorption layer had an absolute reflectance of 2.8% and a phase difference of 219 degrees at a wavelength of 13.5 nm.
  • Example 43 The material of the absorption layer was changed to a mixed material (IrTa) in which iridium (Ir) and tantalum (Ta) are homogeneous at an atomic ratio of 95:5, and the film was formed to a thickness of 46 nm.
  • IrTa mixed material
  • Ti tantalum
  • a reflective photomask of Example 43 was produced in the same manner as in Example 1 except for the above.
  • the absorption layer had an absolute reflectance of 2.5% and a phase difference of 248 degrees at a wavelength of 13.5 nm.
  • Example 44 The material of the absorption layer was changed to a mixed material (IrV) in which iridium (Ir) and vanadium (V) are homogeneous at an atomic ratio of 65:35, and the film was formed to a thickness of 45 nm.
  • IrV mixed material
  • V vanadium
  • the absolute reflectance of the absorption layer at a wavelength of 13.5 nm was 3.4%, and the phase difference was 201 degrees.
  • Example 45 The material of the absorption layer was changed to a mixed material (IrV) in which iridium (Ir) and vanadium (V) are homogeneous at an atomic ratio of 90:10, and the film was formed to a thickness of 46 nm.
  • IrV mixed material
  • V vanadium
  • the absorption layer had an absolute reflectance of 2.2% and a phase difference of 240 degrees at a wavelength of 13.5 nm.
  • Example 46 The material of the absorption layer was changed to a homogeneous mixed material (ReMo) of rhenium (Re) and molybdenum (Mo) at an atomic ratio of 45:55, and the film was formed to a thickness of 48 nm.
  • ReMo homogeneous mixed material
  • Mo molybdenum
  • the absorption layer had an absolute reflectance of 7.8% and a phase difference of 213 degrees at a wavelength of 13.5 nm.
  • Example 47 The material of the absorption layer was changed to a homogeneous mixed material (ReMo) of rhenium (Re) and molybdenum (Mo) at an atomic ratio of 90:10, and the film was formed to a thickness of 47 nm.
  • ReMo homogeneous mixed material
  • Mo molybdenum
  • the absorption layer had an absolute reflectance of 2.5% and a phase difference of 234 degrees at a wavelength of 13.5 nm.
  • Example 48 The material of the absorption layer was changed to a homogeneous mixed material (ReW) of rhenium (Re) and tungsten (W) at an atomic ratio of 75:25, and the film was formed to a thickness of 46 nm.
  • a reflective photomask of Example 48 was produced in the same manner as in Example 1 except for the above.
  • the absorption layer had an absolute reflectance of 2.4% and a phase difference of 216 degrees at a wavelength of 13.5 nm.
  • Example 49 The material of the absorption layer was changed to a homogeneous mixed material (ReW) of rhenium (Re) and tungsten (W) at an atomic ratio of 95:5, and the film was formed to a thickness of 46 nm.
  • a reflective photomask of Example 49 was produced in the same manner as in Example 1 except for the above.
  • the absorption layer had an absolute reflectance of 2.8% and a phase difference of 227 degrees at a wavelength of 13.5 nm.
  • Example 50 The material of the absorption layer was changed to a mixed material (ReNb) in which rhenium (Re) and niobium (Nb) are homogeneous at an atomic ratio of 75:25, and the film was formed to a thickness of 48 nm.
  • a reflective photomask of Example 50 was produced in the same manner as in Example 1 except for the above.
  • the absorption layer had an absolute reflectance of 2.5% and a phase difference of 213 degrees at a wavelength of 13.5 nm.
  • Example 51 The material of the absorption layer was changed to a homogeneous mixed material (ReNb) of rhenium (Re) and niobium (Nb) at an atomic ratio of 90:10, and the film was formed to a thickness of 46 nm.
  • a reflective photomask of Example 51 was produced in the same manner as in Example 1 except for the above.
  • the absorption layer had an absolute reflectance of 4% and a phase difference of 224 degrees at a wavelength of 13.5 nm.
  • Comparative Example 1 a conventional photomask having an existing film containing tantalum (Ta) as a main material was used.
  • tantalum nitride (TaN) was used to form an absorption layer with a thickness of 58 nm
  • tantalum oxide (TaO) was used to form an outermost layer with a thickness of 2 nm to form a reflective photomask. made.
  • a reflective photomask of Comparative Example 1 was produced in the same manner as in Example 1 except for the above.
  • the absorption layer of Comparative Example 1 formed as described above had an absolute reflectance of 1.3% at a wavelength of 13.5 nm and a phase difference of 160 degrees.
  • the absorption layer had an absolute reflectance of 3.1% at a wavelength of 13.5 nm and a phase difference of 180 degrees.
  • the absolute reflectance of the absorption layer at a wavelength of 13.5 nm was 6.3%, and the phase difference was 285 degrees.
  • An EUV exposure apparatus (NXE3300B, manufactured by ASML) was used to transfer and expose the absorption pattern of the reflective photomask produced in each example and comparative example onto a semiconductor wafer coated with an EUV positive chemically amplified resist. At this time, the exposure amount was adjusted so that the hole pattern was transferred to 19 nm as designed. After that, the transferred resist pattern was observed and the line width was measured by an electron beam dimension measuring machine, and the resolution was confirmed.
  • Table 1 shows the evaluation results of Examples 1-51 and Comparative Examples 1-3.
  • Comparative Example 1 having a conventional tantalum (Ta)-based absorption layer with a thickness of 60 nm had a phase difference of 160 degrees and an NILS of 2.37. It was found that when the phase difference of the absorption pattern layer was 200 degrees or more and 280 degrees or less as in Examples 1 to 51, the NILS was larger than in Comparative Example 1, and the resolution was improved.
  • Comparative Example 2 with a phase difference of 180 degrees and Comparative Example 3 with a phase difference of 285 degrees Examples 1 to 51 with a phase difference of 200 degrees or more and 280 degrees or less have large NILS, and the solution It was found that image quality was improved.
  • Table 1 shows the results of comparing the NILS of each example and each comparative example.
  • Example 1 As shown in Examples 1 to 5 and Comparative Examples 2 and 3 in FIG. has a NILS value of 2.47.
  • the NILS value of Example 1 in which the phase difference is 205 degrees is 2.66, which is about 7% higher than that in the case of the phase difference of 180 degrees (Comparative Example 2).
  • the NILS value of Example 2 with a phase difference of 220 degrees is 2.73, which is about 10% higher than that of the case of a phase difference of 180 degrees (Comparative Example 2).
  • the NILS value of Example 3 with a phase difference of 240 degrees is 2.76, which is about 12% higher than that of the case of a phase difference of 180 degrees (Comparative Example 2).
  • the NILS value of Example 4 with a phase difference of 265 degrees is 2.67, which is about 8% higher than the case of a phase difference of 180 degrees (Comparative Example 2).
  • the NILS value of Example 5 with a phase difference of 275 degrees is 2.56, which is about 4% higher than that of the case of a phase difference of 180 degrees (Comparative Example 2).
  • the NILS value of Comparative Example 3 in which the phase difference is 285 degrees, is 2.46, which is almost the same value as in the case of the phase difference of 180 degrees (Comparative Example 2). Further, as shown in Example 6 of FIG.
  • the NILS value of Example 6 with a phase difference of 240 degrees is 2.74. The value is about 10% higher than when the film thickness is the same and the phase difference is 180 degrees.
  • the NILS value of Example 7 in which the phase difference is 240 degrees is 2.78. The value is about 13% higher than when the film thickness is the same and the phase difference is 180 degrees.
  • Example 8 of FIG. 9 and Table 1 when the thickness of the absorption pattern layer 14a is 38 nm, the NILS value of Example 8 with a phase difference of 240 degrees is 2.71. The value is about 31% higher than when the film thickness is the same and the phase difference is 180 degrees.
  • the phase difference is preferably in the range of 200 degrees or more and 280 degrees or less, more preferably in the range of 215 degrees or more and 270 degrees or less, and 230 degrees or more and 260 degrees or less. It can be seen that within the range is most preferred. In other words, the preferable range of the phase difference of the absorption layer in the reflective mask differs greatly from "within the range of 170 degrees or more and 190 degrees or less" used in the conventional design concept, and is "200 degrees or more and 280 degrees or less.” within range.
  • the NILS of Example 9 which is formed of rhodium (Rh) with a film thickness of 33 nm and has a phase difference of 240 degrees, is 2.53, and the atomic ratio of ruthenium (Ru) and niobium (Nb) with a film thickness of 44 nm is
  • the NILS of Example 10 was 2.48, which was formed from a material containing the phase difference of 85:15 and had a phase difference of 240 degrees.
  • Examples 6 to 10 show cases where the reflectance is different at 2.6%, 4.4%, 9.2%, 11.0%, and 17.0%, respectively. In the case of , better transferability was obtained than in each comparative example. From this, it can be seen that if the reflectance is within the range of 2% or more and 20% or less, a sufficient phase shift effect can be obtained and the resolution can be improved.
  • the NILS of Example 11 which is formed of a material containing ruthenium (Ru) and aluminum (Al) with a film thickness of 72 nm so that the atomic ratio is 59:41, and has a phase difference of 240 degrees, is 2.73. there were. Since the refractive index n of Example 11 is as high as 0.94, the film thickness is thicker than the conventional film of Comparative Example 1 (60 nm), and the projection effect cannot be reduced, but the NILS is good due to the phase shift effect.
  • the NILS of Example 12 in which the film thickness is 42 nm and which contains tin oxide (SnO) and ruthenium (Ru) at an atomic ratio of 20:80 and the phase difference is 240 degrees is 2.78.
  • the NILS of Example 13 which is formed of a material containing tin oxide (SnO) and ruthenium (Ru) with a film thickness of 39 nm so that the atomic ratio is 20:80, and has a phase difference of 225 degrees, is 2.65, formed of a material containing indium oxide (InO) and ruthenium (Ru) with a film thickness of 42 nm so that the atomic ratio is 15:85, and the phase difference is 240 degrees.
  • NILS has a NILS of 2.78, and is formed of a material containing indium oxide (InO) and ruthenium (Ru) with a film thickness of 39 nm in an atomic ratio of 15:85, and has a phase difference of 225 degrees.
  • the NILS for Example 15 was 2.64.
  • the absorption layer 14 (absorption pattern layer 14a) was formed from a material containing tin (Sn) or indium (In), which has excellent workability, a phase shift effect was obtained and the resolution was improved.
  • the NILS of Example 16 which is formed of a material containing tantalum (Ta) and titanium (Ti) at an atomic ratio of 60:40 with a film thickness of 78 nm and a phase difference of 212 degrees, is 2.48.
  • the refractive indices n were relatively high, 0.947 and 0.952, respectively.
  • NILS was good due to the phase shift effect.
  • the reflectances of Examples 16 and 17 were 1.2% and 6.5%, respectively, and the NILS was better in Example 17, which had a reflectance in the range of 2% or more and 20% or less. rice field.
  • the NILS of Example 18 which is formed of a material containing molybdenum (Mo) and palladium (Pd) with a film thickness of 45 nm so that the atomic ratio is 40:60, and has a phase difference of 235 degrees, is 2.76.
  • the NILS of Example 19 which is formed of platinum (Pt) with a film thickness of 45 nm and has a phase difference of 243 degrees, is 2.72. Both Examples 18 and 19 had good NILS due to the phase shift effect.
  • the reflectances of Examples 18 and 19 were 6.6% and 1.3%, respectively, and the NILS was better in Example 18, in which the reflectance was in the range of 2% or more and 20% or less. rice field.
  • the NILS of Example 20 which is formed of a material containing iridium (Ir) and platinum (Pt) at an atomic ratio of 75:25 with a film thickness of 45 nm and a phase difference of 234 degrees, is 2.74.
  • the NILS of Example 22 is formed of a material containing rhenium (Re) and platinum (Pt) with a film thickness of 46 nm so that the atomic ratio is 75:25, and has a phase difference of 240 degrees.
  • the NILS was
  • Example 24 which is formed of a material containing platinum (Pt) and molybdenum (Mo) with a film thickness of 48 nm in an atomic ratio of 20:80 and has a phase difference of 213 degrees, has an NILS of 2.65.
  • the NILS of Example 26 which is formed of a material containing platinum (Pt) and niobium (Nb) with a film thickness of 47 nm in an atomic ratio of 35:65 and has a phase difference of 214 degrees, is 2.
  • 68 is formed of a material containing platinum (Pt) and niobium (Nb) with a film thickness of 45 nm so that the atomic ratio is 80:20, and the phase difference is 234 degrees. was 2.74.
  • the NILS of Example 28 which is formed of a material containing gold (Au) and molybdenum (Mo) in a film thickness of 49 nm in an atomic ratio of 25:75 and has a phase difference of 209 degrees, is 2.
  • 63 is formed of a material containing gold (Au) and molybdenum (Mo) with a film thickness of 39 nm so that the atomic ratio is 95:5, and the phase difference is 228 degrees. was 2.75.
  • the NILS of Example 30 which is formed of a material containing gold (Au) and niobium (Nb) with a film thickness of 48 nm in an atomic ratio of 45:55 and has a phase difference of 213 degrees, is 2.
  • the NILS of Example 31 is formed of a material containing gold (Au) and niobium (Nb) with a film thickness of 45 nm so that the atomic ratio is 90:10, and has a phase difference of 234 degrees. was 2.74.
  • the NILS of Example 32 which is formed of a material containing gold (Au) and titanium (Ti) with a film thickness of 47 nm in an atomic ratio of 65:35 and has a phase difference of 225 degrees, is 2. 69, the NILS of Example 33 having a film thickness of 46 nm and containing gold (Au) and titanium (Ti) at an atomic ratio of 85:15 and having a phase difference of 240 degrees is was 2.75.
  • the NILS of Example 34 which is formed of a material containing gold (Au) and zirconium (Zr) with a film thickness of 51 nm in an atomic ratio of 70:30 and has a phase difference of 218 degrees, is 2. 67, is formed of a material containing gold (Au) and zirconium (Zr) with a film thickness of 46 nm so that the atomic ratio is 90:10, and the phase difference is 248 degrees. was 2.74.
  • the NILS of Example 36 which is formed of a material containing iridium (Ir) and molybdenum (Mo) at an atomic ratio of 30:70 with a film thickness of 49 nm and a phase difference of 209 degrees, is 2.
  • 63 is formed of a material containing iridium (Ir) and molybdenum (Mo) with a film thickness of 45 nm so that the atomic ratio is 90:10, and has a phase difference of 227 degrees. was 2.74.
  • the NILS of Example 38 which is formed of a material containing iridium (Ir) and tungsten (W) at an atomic ratio of 50:50 with a film thickness of 47 nm and a phase difference of 225 degrees, is 2. 69, is formed of a material containing iridium (Ir) and tungsten (W) with a film thickness of 46 nm so that the atomic ratio is 90:10, and the phase difference is 240 degrees. was 2.75.
  • the NILS of Example 40 which is formed of a material containing iridium (Ir) and niobium (Nb) at an atomic ratio of 50:50 with a film thickness of 47 nm and a phase difference of 214 degrees, is 2.
  • 68 is formed of a material containing iridium (Ir) and niobium (Nb) with a film thickness of 46 nm so that the atomic ratio is 90:10, and has a phase difference of 237 degrees. was 2.76.
  • the NILS of Example 42 which is formed of a material containing iridium (Ir) and tantalum (Ta) in an atomic ratio of 85:15 and has a film thickness of 45 nm and a phase difference of 219 degrees, is 2.
  • the NILS of Example 43 is was 2.74.
  • the NILS of Example 44 which is formed of a material containing iridium (Ir) and vanadium (V) in an atomic ratio of 65:35 and has a film thickness of 45 nm and a phase difference of 201 degrees, is 2. 6, is formed of a material containing iridium (Ir) and vanadium (V) with a film thickness of 46 nm so that the atomic ratio is 90:10, and has a phase difference of 240 degrees. was 2.75.
  • the NILS of Example 46 which is formed of a material containing rhenium (Re) and molybdenum (Mo) with a film thickness of 48 nm in an atomic ratio of 45:55 and has a phase difference of 213 degrees, is 2. 65, is formed of a material containing rhenium (Re) and molybdenum (Mo) in an atomic ratio of 90:10, has a film thickness of 47 nm, and has a phase difference of 234 degrees. was 2.75.
  • the NILS of Example 48 which is formed of a material containing rhenium (Re) and tungsten (W) with a film thickness of 46 nm in an atomic ratio of 75:25 and has a phase difference of 216 degrees, is 2.
  • the NILS of Example 49 is formed of a material containing rhenium (Re) and tungsten (W) with a film thickness of 46 nm so that the atomic ratio is 95:5, and has a phase difference of 227 degrees. was 2.74.
  • the NILS of Example 50 which is formed of a material containing rhenium (Re) and niobium (Nb) with a film thickness of 48 nm in an atomic ratio of 75:25 and has a phase difference of 213 degrees, is 2. 7 is formed of a material containing rhenium (Re) and niobium (Nb) with a film thickness of 46 nm so that the atomic ratio is 90:10, and has a phase difference of 224 degrees. was 2.74.
  • the absorption layer 14 (absorption pattern layer 14a) is made of a material containing an element of the fourth material group excellent in workability and hydrogen resistance in addition to the element of the third material group having a small refractive index n. Even when formed, a phase shift effect was obtained and the resolution was improved. Also, when the content of the elements of the third material group was 20 atomic % or more of the elements in the entire absorber layer 14, the NILS was good. Also, when the combination of the elements of the third material group and the elements of the fourth material group contained in the absorption layer 14 was the same, the higher the content of the elements of the third material group, the better the NILS.
  • the reflective photomask blank and reflective photomask according to the present invention can be suitably used for forming fine patterns by EUV exposure in the manufacturing process of semiconductor integrated circuits and the like.

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Abstract

本開示は、位相シフト効果を最大限に活用し、高い転写性（特に解像性）を有する反射型フォトマスクブランク及び反射型フォトマスクを提供することを目的とする。本開示の一態様に係る反射型フォトマスクブランク（１００）は、基板（１１）と、基板（１１）上に形成された多層膜構造を有するＥＵＶ光を反射する反射層（１２）と、反射層（１２）上に形成され、反射層（１２）を保護する保護層（１３）と、保護層（１３）上に形成されたＥＵＶ光を吸収する吸収層（１４）と、を備え、吸収層（１４）は、２００度以上２８０度以下の範囲内の位相差を有することを特徴とする。

Description

反射型フォトマスクブランク及び反射型フォトマスク
　本開示は、反射型フォトマスクブランク及び反射型フォトマスクに関する。
　半導体デバイスの製造プロセスにおいては、半導体デバイスの微細化に伴い、フォトリソグラフィ技術の微細化に対する要求が高まっている。フォトリソグラフィにおける転写パターンの最小現像寸法は、露光光源の波長に大きく依存し、波長が短いほど最小解像寸法を小さくできる。このため、先端の半導体デバイスの製造プロセスにおける露光光源は、従来の波長１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザー光から、波長１３．５ｎｍのＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ　Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ）に置き換わってきている。
　ほとんどの物質がＥＵＶに対して高い光吸収性をもつため、従来の光の透過を利用する屈折光学系が使用できないことから、露光機の光学系部材はレンズではなく、ミラーとなる。フォトマスクも従来の透過型から反射型のＥＵＶフォトマスクとなる。ＥＵＶフォトマスクへの入射光と反射光が同軸上に設計できないことから、通常、ＥＵＶリソグラフィでは光軸をＥＵＶフォトマスクの垂直方向から６°傾けてＥＵＶ光を入射し、マイナス６°の角度で反射する反射光を半導体基板に照射する手法が採用されている。しかし、光軸を傾斜させることから、ＥＵＶフォトマスクに入射するＥＵＶ光がＥＵＶフォトマスクのパターン（吸収層パターン）の影を作ることにより、転写性能が悪化する問題がある。今後、更なる微細化を行う為には、転写性能の改善が課題となる。
　現在のＥＵＶフォトマスクでは、光吸収層として膜厚６０～９０ｎｍのタンタル（Ｔａ）を主成分とした膜が用いられている。このＥＵＶフォトマスクでパターン転写の露光を行った場合、入射方向とマスクパターンの向きの関係によっては、マスクパターンの影となるエッジ部分で、コントラストの低下を引き起こす恐れがある。これに伴い、半導体基板上の転写パターンのラインエッジラフネスの増加や、線幅が狙った寸法に形成できないなどの問題が生じ、転写性能が悪化する。
　この課題に対し、吸収層に消衰係数ｋが高い材料を用いてＥＵＶ反射率を抑える手法 [例えば、特許文献１を参照]や、位相シフト効果を用いた手法[例えば、特許文献２を参照]が提案されている。
　反射型位相シフトマスクでは、吸収層を通り減光した反射光は、開口部で反射される光と位相差を持つ。このような反射型位相シフトマスクは透過型位相シフトマスクと同様に、位相シフト効果を用いることにより、ウェハ上の光学像のコントラストが向上し、転写パターンの解像性を向上させることができる。
　例えば、特許文献２に記載の位相シフト効果を用いた反射型マスクは、位相差の最適値を１７０～１９０度としている。これは従来の透過型の位相シフトマスクの位相差の最適値の１８０度を含んだ値である。
　しかし、反射型マスクの場合、ＥＵＶ光が傾いて入射するため、反射光の一部は吸収層パターンのエッジ部分を通る。エッジ部分に当たった反射光はパターン中心部の反射光と位相がずれてしまうため、吸収層の最適な位相差は１８０度と異なる。つまり、反射型マスクにおける吸収層の最適な位相差は、従来の設計思想で用いられてきた「１８０度」とは異なる値であることを本発明者は見出した。
　このように、従来技術に係る反射型の位相シフトマスクでは、位相シフト効果を十分に活用（利用）できておらず、その転写性（特に解像性）は十分でなかった。
国際公開第２０１８／１５９７８５号 特許第６２８７０９９号
　本開示は、位相シフト効果を最大限に活用し、高い転写性（特に解像性）を有する反射型フォトマスクブランク及び反射型フォトマスクを提供することを目的とする。
　本発明は上記課題を解決するために成されたものであって、本発明の一態様に係る反射型フォトマスクブランクは、基板と、前記基板上に形成された多層膜構造を有するＥＵＶ光を反射する反射層と、前記反射層上に形成され、該反射層を保護する保護層と、前記保護層上に形成されたＥＵＶ光を吸収する吸収層と、を備え、前記吸収層は、２００度以上２８０度以下の範囲内の位相差を有することを特徴とする反射型フォトマスクブランクである。
　また、本発明の一態様に係る反射型フォトマスクブランクにおける前記吸収層は、２１５度以上２７０度以下の範囲内の位相差を有してもよい。
　また、本発明の一態様に係る反射型フォトマスクブランクにおける前記吸収層は、２３０度以上２６０度以下の範囲内の位相差を有してもよい。
　また、本発明の一態様に係る反射型フォトマスクブランクにおける前記吸収層は、ＥＵＶ光に対する屈折率ｎが０．９３より小さくてもよい。
　また、本発明の一態様に係る反射型フォトマスクブランクにおける前記吸収層は、ＥＵＶ光に対する屈折率ｎが０．９２より小さくてもよい。
　また、本発明の一態様に係る反射型フォトマスクブランクにおける前記吸収層は、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｍｏ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｏｓ、Ｉｒ、及びＲｅのうち少なくとも１種類以上の元素を含む材料から構成されていてもよい。
　また、本発明の一態様に係る反射型フォトマスクブランクにおける前記吸収層は、ＥＵＶ光に対する反射率が２％以上２０％以下の範囲内であってもよい。
　また、本発明の一態様に係る反射型フォトマスクブランクにおける前記吸収層は、Ｐｔ、Ａｕ、Ｉｒ、及びＲｅのうち少なくとも１種類以上の元素を含む材料から構成されていてもよい。
　また、本発明の一態様に係る反射型フォトマスクブランクにおける前記吸収層は、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｂ、Ｈｇ、Ｆｅ、Ｔａ、Ｖ、Ｂｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｃ、Ｂ、Ｂｅ、及びＡｌのうち少なくとも１種類以上の元素を含む材料から構成されていてもよい。
　本発明の一態様に係る反射型フォトマスクは、基板と、前記基板上に形成された多層膜構造を有するＥＵＶ光を反射する反射層と、前記反射層上に形成され、該反射層を保護する保護層と、前記保護層上に形成され、パターンが形成されているＥＵＶ光を吸収する吸収パターン層と、を備え、前記吸収パターン層は、２００度以上２８０度以下の範囲内の位相差を有することを特徴とする反射型フォトマスクである。
　また、本発明の一態様に係る反射型フォトマスクにおける前記吸収パターン層は、２１５度以上２７０度以下の範囲内の位相差を有してもよい。
　また、本発明の一態様に係る反射型フォトマスクにおける前記吸収パターン層は、２３０度以上２６０度以下の範囲内の位相差を有してもよい。
　また、本発明の一態様に係る反射型フォトマスクにおける前記吸収パターン層は、ＥＵＶ光に対する屈折率ｎが０．９３より小さくてもよい。
　また、本発明の一態様に係る反射型フォトマスクにおける前記吸収パターン層は、ＥＵＶ光に対する屈折率ｎが０．９２より小さくてもよい。
　また、本発明の一態様に係る反射型フォトマスクにおける前記吸収パターン層は、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｍｏ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｏｓ、Ｉｒ、及びＲｅのうち少なくとも１種類以上の元素を含む材料から構成されていてもよい。
　また、本発明の一態様に係る反射型フォトマスクにおける前記吸収パターン層は、ＥＵＶ光に対する反射率が２％以上２０％以下の範囲内であってもよい。
　また、本発明の一態様に係る反射型フォトマスクにおける前記吸収パターン層は、Ｐｔ、Ａｕ、Ｉｒ、及びＲｅのうち少なくとも１種類以上の元素を含む材料から構成されていてもよい。
　また、本発明の一態様に係る反射型フォトマスクにおける前記吸収パターン層は、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｂ、Ｈｇ、Ｆｅ、Ｔａ、Ｖ、Ｂｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｃ、Ｂ、Ｂｅ、及びＡｌのうち少なくとも１種類以上の元素を含む材料から構成されていてもよい。
　本開示の一態様に係る反射型フォトマスクブランク及び反射型フォトマスクであれば、十分な位相シフト効果が得られ、ウェハ転写性能（特に解像性）を向上することが可能になる。
本実施形態に係る反射型フォトマスクブランクの構造を示す断面図である。 本実施形態に係る反射型フォトマスクの構造を示す断面図である。 ＥＵＶ光の波長における各金属材料の光学定数を示すグラフである。 本発明の実施例に係る反射型フォトマスクブランクの構造を示す概略断面図である。 本発明の実施例に係る反射型フォトマスクの製造工程を示す概略断面図である。 本発明の実施例に係る反射型フォトマスクの製造工程を示す概略断面図である。 本発明の実施例に係る反射型フォトマスクの製造工程を示す概略断面図である。 本発明の実施例に係る反射型フォトマスクの構造を示す概略断面図である。 本発明の実施例に係る反射型フォトマスクのＮＩＬＳを示すグラフである。 本発明の実施例に係る反射型フォトマスクの位相差を示すグラフである。
　本開示の一実施形態について図面を参照しつつ説明する。
　ここで、図面に示す構成は模式的なものであり、厚さと平面寸法との関係、各層の厚さの比率などは現実のものとは異なる。また、以下に示す実施形態は、本開示の技術的思想を具体化するための構成を例示するものであって、本開示の技術的思想は、構成部品の材質、形状、構造などが下記のものに限定されるものでない。本開示の技術的思想は、特許請求の範囲に記載された請求項が規定する技術的範囲内において、種々の変更を加えることができる。
（反射型フォトマスクブランク及び反射型フォトマスクの構成）
　図１は、本発明の実施の形態に係る反射型フォトマスクブランク１００を示す概略断面図である。図１に示すように、本発明の実施形態に係る反射型フォトマスクブランク１００は、基板１１と、基板１１上に形成された反射層１２と、反射層１２の上に形成された保護層１３と、保護層１３の上に形成された吸収層１４と、を備えている。また、図２は、本発明の実施の形態に係る反射型フォトマスク２００を示す概略断面図である。ここで、図２に示す本発明の実施形態に係る反射型フォトマスク２００は、図１に示す本発明の実施形態に係る反射型フォトマスクブランク１００の吸収層１４をパターニングして形成されている。以下、各層について詳細に説明する。
（基板）
　本発明の実施形態に係る基板１１には、例えば、平坦なＳｉ基板や合成石英基板等を用いることができる。また、基板１１には、チタンを添加した低熱膨張ガラスを用いることができるが、熱膨張率の小さい材料であれば、本実施形態はこれらに限定されるものではない。
　また、後述する図４に示すように、基板１１の反射層１２を形成していない面に裏面導電膜１５を形成することができる。裏面導電膜１５は、反射型フォトマスク２００を露光機に設置するときに静電チャックの原理を利用して固定するための膜である。
（反射層）
　本発明の実施形態に係る反射層１２は、露光光であるＥＵＶ光（極端紫外光）を反射するものであればよく、ＥＵＶ光に対する屈折率の大きく異なる材料の組み合わせによる多層反射膜（つまり、多層膜構造を有するＥＵＶ光反射膜）であってもよい。多層反射膜を含む反射層１２は、例えば、Ｍｏ（モリブデン）とＳｉ（シリコン）、またはＭｏ（モリブデン）とＢｅ（ベリリウム）といった組み合わせの層を４０周期程度繰り返し積層することにより形成したものであってもよい。
（保護層）
　本発明の実施形態に係る保護層１３は、吸収パターン層１４ａをエッチングにより形成する際に、反射層１２へのダメージを防ぐエッチングストッパとして機能する層である。なお、反射層１２の材質やエッチング条件により、保護層１３はなくてもかまわない。保護層１３は、吸収層１４のパターン形成の際に行われるドライエッチングに対して耐性を有する材質で形成されている。例えば、保護層１３の材料はルテニウム（Ｒｕ）であってもよい。
（吸収層及び吸収パターン層）
　図１に示すように、吸収層１４は、保護層１３上に形成される層であり、露光光であるＥＵＶ光を吸収する層である。また、吸収層１４は、転写するための微細パターンである吸収パターン層（転写パターン）１４ａを形成する層である。つまり、反射型フォトマスクブランク１００の吸収層１４の一部を除去することにより、即ち吸収層１４をパターニングすることにより、図２に示す反射型フォトマスク２００の吸収パターン（吸収パターン層１４ａ）が形成される。
　吸収層１４（吸収パターン層１４ａ）が形成されている部分では、ＥＵＶ光を吸収して一部の光を反射させる。一方、パターンの開口部（吸収層１４がない部分）では、ＥＵＶ光が保護層１３を介して反射層１２から反射する。吸収層１４が形成されている部分からの反射光は、開口部からの反射光と所望の位相差を形成する。
　一般に、吸収層１４の、反射率及びパターニングした結果生じる開口部との位相差は、反射型フォトマスクブランク及び反射型フォトマスクの各層の光学定数（屈折率ｎ、消衰係数ｋ）と膜厚、使用する光の波長が決まれば、一意に定まり、光学理論により計算で求めることができる（詳細は、例えば、応用物理工学選書３、吉田貞史「薄膜」、培風館、１９９０を参照）。つまり、本実施形態における「位相差」とは、吸収層１４の反射光の位相と、反射層１２の（開口部での）反射光の位相と、の差を意味する。
　なお、本実施形態では、上記反射率及び上記位相差の算出に用いた屈折率ｎ及び消衰係数ｋの各値は、ＥＵＶ光を用いた実測値を用いた。
　反射型フォトマスク２００を用いてウェハ転写した際のウェハパターンのＮＩＬＳ（規格化空間像対数傾斜）は、反射型フォトマスク２００の位相差に依存する。図９は、吸収層１４（吸収パターン層１４ａ）を、ロジウム（Ｒｈ）とアルミニウム（Ａｌ）の混合材料を用いた単層膜として、開口数ＮＡが０．３３の露光条件で、ウェハ上の１９ｎｍのホールパターンを露光した場合のＮＩＬＳ（規格化空間像対数傾斜）を、膜厚３８ｎｍ、４１ｎｍ、４７ｎｍ、５４ｎｍ、の４水準で求めたグラフである。Ｒｈは屈折率ｎ＝０．８７５、消衰係数ｋ＝０．０３であり、Ａｌは屈折率ｎ＝１．０３、消衰係数ｋ＝０．０３であるので、ＲｈＡｌの組成を変えたとき、屈折率は０．８７５＜ｎ＜１．０３の範囲内で変化し、消衰係数はおよそｋ＝０．０３で一定である。また、同じ膜厚で比べた場合、ＲｈＡｌの組成を変えたとき、すなわち屈折率ｎを変えたとき、位相差が変化する。なお、図９では、横軸に位相差をとり、ＮＩＬＳとの関係を示している。
　ＮＩＬＳ（規格化空間像対数傾斜）は、
　　　ＮＩＬＳ＝ｗ×ｄｌｎ（Ｉ）／ｄｘ　・・・式（１）
で求められるコントラストの値であり、反射型フォトマスク２００を用いてウェハパターンを形成した際のウェハパターンの解像性の指標になる。ここで「ｗ」は線幅を表し、「Ｉ」はエネルギー潜像の強度を表す。なお、ＮＩＬＳの値が大きい程、転写パターンの解像性が高いことを意味する。
　図９に示すように、位相差とＮＩＬＳには関係があり、位相差が２３０度から２６０度近傍でＮＩＬＳは最大になる。
　また、図９に示すように、膜厚が５４ｎｍであり、且つＲｈＡｌで形成された吸収パターン層１４ａの位相差が１８０度である場合のＮＩＬＳの値は２．４９である。
　これに対し、位相差が２００度である場合のＮＩＬＳの値は２．６０であり、位相差が２８０度である場合のＮＩＬＳの値は２．６０であり、いずれも位相差が１８０度である場合に比べてその値は約５％高くなっている。
　また、位相差が２１５度である場合のＮＩＬＳの値は２．６８であり、位相差が２７０度である場合のＮＩＬＳの値は２．６７であり、いずれも位相差が１８０度である場合に比べてその値は約７％高くなっている。
　また、位相差が２３０度である場合のＮＩＬＳの値は２．７２であり、位相差が２６０度である場合のＮＩＬＳの値は２．７１であり、いずれも位相差が１８０度である場合に比べてその値は約９％高くなっている。
　さらに、位相差が２４０度である場合にＮＩＬＳは最大となり、その値は２．７４であり、位相差が１８０度である場合に比べてその値は約１０％高くなっている。
　このように位相差が１８０度である場合よりも、位相差が２００度以上２８０度以下の範囲内であれば５％以上、位相差が２１５度以上２７０度以下の範囲内であれば７％以上、位相差が２３０度以上２６０度以下の範囲内であれば９％以上ＮＩＬＳが向上する。
　また、図９に示すように、吸収パターン層１４ａの膜厚が４７ｎｍであり、位相差が２４０度である場合のＮＩＬＳの値は２．７６であり、位相差が１８０度である場合に比べてその値は約１２％高くなっている。
　また、図９に示すように、吸収パターン層１４ａの膜厚が４１ｎｍであり、位相差が２４０度である場合のＮＩＬＳの値は２．７８であり、位相差が１８０度である場合に比べてその値は約１３％高くなっている。
　また、図９に示すように、吸収パターン層１４ａの膜厚が３８ｎｍであり、位相差が２４０度である場合のＮＩＬＳの値は２．７１であり、位相差が１８０度である場合に比べてその値は約３１％高くなっている。
　これらのことから、解像性を向上させるためには、吸収層１４の位相差は、２００度以上２８０度以下の範囲内が好ましく、２１５度以上２７０度以下の範囲内がさらに好ましく、２３０度以上２６０度以下の範囲内が最も好ましいことが分かる。
　ＥＵＶリソグラフィにおいて、ＥＵＶ光は斜めに入射し、反射層１２で反射されるが、吸収層１４（吸収パターン層１４ａ）が光路の妨げとなる射影効果により、ウェハ（半導体基板）上への転写性能が悪化することがある。この転写性能の悪化は、ＥＵＶ光を吸収する吸収層１４の厚さを薄くすることで低減できることが知られている。
　吸収層１４の膜厚は、６０ｎｍ以下であることが好ましい。吸収層１４の膜厚が６０ｎｍ以下である場合、従来のＴａ系吸収膜と比較して十分に射影効果を低減し、転写性能を向上させることができる。
　図１０は、ＥＵＶ光に対する吸収層１４の屈折率ｎが０．９０、０．９１、０．９２、０．９３、０．９４である場合における吸収層１４の膜厚と位相差との関係をシミュレーションで算出したグラフである。
　図１０に示すように、ＥＵＶ光に対する吸収層１４の屈折率ｎが小さければ小さいほど、所望の位相差を得るための膜厚を薄くすることができる。ＥＵＶ光に対する吸収層１４の屈折率ｎが０．９３の場合、２３０～２６０度の位相差を得るための最低膜厚は６０ｎｍであり、従来のＴａ系吸収膜の膜厚と同程度である。そのため、ＥＵＶ光に対する吸収層１４の屈折率ｎは０．９３より小さければ、膜厚を６０ｎｍより薄くすることができるため、好ましい。また、ＥＵＶ光に対する吸収層１４の屈折率ｎが０．９２より小さければ、２３０～２６０度の位相差を得るための最低膜厚が５０ｎｍ以下になるため、さらに好ましい。
　図３は、各金属材料のＥＵＶ光の波長１３．５ｎｍに対する光学定数を示すグラフである。図３のグラフの横軸は屈折率ｎを表し、縦軸は消衰係数ｋを示している。図３より、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｍｏ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｒｅのそれぞれは、屈折率ｎが０．９３より小さいため、これらの材料群を用いることにより射影効果を低減できることが分かる。なお、上述した「Ｒｕ、Ｒｈ、Ｍｏ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｒｅ」を、以下便宜的に「第１の材料群」と定義する。
　吸収層１４の材料は、第１の材料群の元素を含んでいれば混合物であってもよい。混合物であれば、組成を変えることによって吸収層１４の光学定数（屈折率ｎ、消衰係数ｋ）を制御することができ、所望の位相差と反射率を得ることができる。つまり、吸収層１４は、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｍｏ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｏｓ、Ｉｒ、及びＲｅのうち少なくとも１種類以上の元素を含む材料で構成されていれば好ましい。
　吸収層１４の材料は、上述した第１の材料群に加えて、錫（Ｓｎ）、インジウム（Ｉｎ）、タンタル（Ｔａ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニオブ（Ｎｂ）、チタン（Ｔｉ）のうち少なくとも１種をさらに含んでいても良い。Ｓｎ、Ｉｎ、Ｔａの酸化物、窒化物もしくは酸窒化物であれば、高融点の為、耐熱性の更なる改善と既存エッチング装置での加工性向上が期待できる。また、Ａｌ、Ｎｂ、Ｔｉであれば、不動態被膜形成による洗浄耐性の更なる改善が期待できる。
　ここで、上述した「Ｓｎ、Ｉｎ、Ｔａ、Ａｌ、Ｎｂ、Ｔｉ」を、便宜的に「第２の材料群」と定義した場合、吸収層１４は、第１の材料群の元素のみで構成されていてもよいし、第１の材料群の元素と、第２の材料群の元素とで構成されていてもよい。また、吸収層１４は、第１の材料群の元素と、第２の材料群の元素以外の他の元素とで構成されていてもよいし、第１の材料群の元素と、第２の材料群の元素と、第２の材料群の元素以外の他の元素とで構成されていてもよい。なお、吸収層１４が第１の材料群の元素と第２の材料群の元素とで構成されている場合には、第１の材料群の元素の含有率が吸収層１４全体の元素の７０原子％以上であれば好ましく、８０原子％以上であればより好ましく、９０原子％以上であればさらに好ましい。
　吸収層１４の材料は、Ｐｔ、Ａｕ、Ｉｒ、及びＲｅのうち少なくとも１種類以上の元素を含む材料で構成されていれば好ましい。Ｐｔ、Ａｕ、Ｉｒ、及びＲｅは上述した第1の材料群の中でも既存エッチング装置での加工性向上が期待できる材料であり、かつ、ＥＵＶ露光装置のクリーニングの際に用いられる水素ラジカルに対する耐性が高い材料である。さらに屈折率ｎが０．９２よりも小さいため、射影効果の低減が期待できる。なお、上述した「Ｐｔ、Ａｕ、Ｉｒ、Ｒｅ」を、以下便宜的に「第３の材料群」と定義する。
　吸収層１４の材料は、上述した第３の材料群に加えて、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｂ、Ｈｇ、Ｆｅ、Ｔａ、Ｖ、Ｂｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｃ、Ｂ、Ｂｅ、及びＡｌのうち少なくとも１種をさらに含んでいても良い。ここで、「Ｍｏ、Ｗ、Ｎｂ、Ｈｇ、Ｆｅ、Ｔａ、Ｖ、Ｂｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｃ、Ｂ、Ｂｅ、Ａｌ」を「第４の材料群」と定義する。第４の材料群が含まれていれば、既存エッチング装置での加工性向上、水素ラジカル耐性の向上が期待できる。
　吸収層１４は、第３の材料群の元素のみで構成されていてもよいし、第３の材料群の元素と、第４の材料群の元素とで構成されていてもよい。また、吸収層１４は、第３の材料群の元素と、第４の材料群の元素以外の他の元素とで構成されていてもよいし、第３の材料群の元素と、第４の材料群の元素と、第４の材料群の元素以外の他の元素とで構成されていてもよい。なお、吸収層１４が第３の材料群の元素と第４の材料群の元素とで構成されている場合には、第３の材料群の元素の含有率が吸収層１４全体の元素の２０原子％以上であれば好ましい。
　十分な位相シフト効果を得るためには吸収層１４の反射率は、絶対反射率で１％以上３０％以下が好ましく、２％以上２０％以下がさらに好ましい。ここで、「絶対反射率」とは、光源からの光を直接測定した光の量に対する実試料で反射した光の量の比率で計算された値をいう。つまり、入射光の強度を１００％としたときの反射率を意味する。なお、本実施形態において「絶対反射率」の用語を用いたのは、多層反射層（反射層１２）の反射率（約６６％）と吸収層１４の反射率との比を意味する「相対反射率」と区別するためである。このように、本実施形態における「絶対反射率」は、「相対反射率」とは異なる概念である。
　また、吸収層１４の上には、ハードマスク層を備えていても良い。ハードマスク層には、Ｃｒ系膜またはＳｉ系膜など、ドライエッチングに耐性がある材料が用いられる。
［実施例］
　以下、本開示を実施例によりさらに詳しく説明するが、本開示は実施例により何ら限定されるものではない。
＜実施例１＞
　図４に示す基板として、低熱膨張性を有する合成石英基板を用いた。その基板の上に、多層反射膜としてシリコン（Ｓｉ）とモリブデン（Ｍｏ）とを一対とする積層膜を４０枚積層して形成した。多層反射膜の膜厚は２８０ｎｍとした。
　次に、多層反射膜上に、ルテニウム（Ｒｕ）を用いて膜厚が３．５ｎｍになるようにキャッピング層（保護層）を成膜した。これにより、基板上には多層反射膜及びキャッピング層を有する反射部が形成された。
　キャッピング層の上に、ロジウム（Ｒｈ）とアルミニウム（Ａｌ）とを含む吸収層を膜厚が４７ｎｍになるように成膜した。吸収層におけるロジウム（Ｒｈ）とアルミニウム（Ａｌ）との原子数比率をＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）で測定したところ、６６：３４であった。また、吸収層の結晶性をＸＲＤ（Ｘ線回析装置）で測定したところ、わずかに結晶性が見られるものの、アモルファスであることが分かった。
　次に、基板の多層反射膜が形成されていない側に、窒化クロム（ＣｒＮ）を用いて１００ｎｍの厚さとなるように裏面導電膜を成膜した。反射型フォトマスクブランク１００を作成した。
　基板上へのそれぞれの膜の成膜は、多元スパッタリング装置を用いた。各々の膜の膜厚は、スパッタリング時間で制御した。
　次に、反射型フォトマスク２００の作製方法について、図５から図８を用いて説明する。図５に示すように、反射型フォトマスクブランク１００の吸収層１４の上に、ポジ型化学増幅型レジスト（ＳＥＢＰ９０１２：信越化学社製）を１２０ｎｍの膜厚にスピンコートで塗布し、１１０℃で１０分ベークし、レジスト膜１６を形成した。
　次に、電子線描画機（ＪＢＸ３０３０：日本電子社製）によってレジスト膜１６に所定のパターンを描画した。
　その後、１１０℃、１０分のプリベーク処理を行い、次いでスプレー現像機（ＳＦＧ３０００：シグマメルテック社製）を用いて現像処理をした。これにより図６に示したように、レジストパターン１６ａを形成した。
　次に、レジストパターン１６ａをエッチングマスクとして、塩素系ガスを主体としたドライエッチングにより、吸収層１４のパターニングを行った。これにより、図７に示すように、吸収層１４に吸収パターン（吸収パターン層）１４ａを形成した。
　次に、レジストパターン１６ａの剥離を行い、図８に示す、本実施例による反射型フォトマスク２００を作製した。
　本実施例において、吸収層１４に形成した吸収パターン１４ａは、転写評価用の反射型フォトマスク２００上で、７６ｎｍのホールパターンとした。
　上記のように形成した実施例１について、波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光を用いて、吸収層の屈折率、消衰係数を測定（実測）した。その結果、実施例１の吸収層の屈折率ｎ、消衰係数ｋは、それぞれｎ＝０．９２４、ｋ＝０．０３であった。
　なお、以降の各実施例及び各比較例についても実施例１の場合と同様に、波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光を用いて、吸収層の屈折率、消衰係数を測定（実測）した。
　また、上記吸収層の波長１３．５ｎｍにおける絶対反射率は３．４％であり、位相差は２０５度であった。
＜実施例２＞
　吸収層の材料であるＲｈＡｌの組成を原子数比率でＲｈ：Ａｌ＝７０：３０となるように変更し、膜厚４７ｎｍになるように成膜した。それ以外は実施例１と同様の方法で、実施例２の反射型フォトマスクを作製した。
　上記のように形成した実施例２の吸収層の波長１３．５ｎｍにおける屈折率ｎ、消衰係数ｋは、それぞれｎ＝０．９１９、ｋ＝０．０３であった。
　また、上記吸収層の波長１３．５ｎｍにおける絶対反射率は３．７％であり、位相差は２２０度であった。
＜実施例３＞
　吸収層の材料であるＲｈＡｌの組成を原子数比率でＲｈ：Ａｌ＝７５：２５となるように変更し、膜厚４７ｎｍになるように成膜した。それ以外は実施例１と同様の方法で、実施例３の反射型フォトマスクを作製した。
　上記のように形成した実施例３の吸収層の波長１３．５ｎｍにおける屈折率ｎ、消衰係数ｋは、それぞれｎ＝０．９１２、ｋ＝０．０３であった。
　また、上記吸収層の波長１３．５ｎｍにおける絶対反射率は４．３％であり、位相差は２４０度であった。
＜実施例４＞
　吸収層の材料であるＲｈＡｌの組成を原子数比率でＲｈ：Ａｌ＝８２：１８となるように変更し、膜厚４７ｎｍになるように成膜した。それ以外は実施例１と同様の方法で、実施例４の反射型フォトマスクを作製した。
　上記のように形成した実施例４の吸収層の波長１３．５ｎｍにおける屈折率ｎ、消衰係数ｋは、それぞれｎ＝０．９０２、ｋ＝０．０３であった。
　また、上記吸収層の波長１３．５ｎｍにおける絶対反射率は５．３％であり、位相差は２６５度であった。
＜実施例５＞
　吸収層の材料であるＲｈＡｌの組成を原子数比率でＲｈ：Ａｌ＝８６：１４となるように変更し、膜厚４７ｎｍになるように成膜した。それ以外は実施例１と同様の方法で、実施例５の反射型フォトマスクを作製した。
　上記のように形成した実施例５の吸収層の波長１３．５ｎｍにおける屈折率ｎ、消衰係数ｋは、それぞれｎ＝０．８９６、ｋ＝０．０３であった。
　また、上記吸収層の波長１３．５ｎｍにおける絶対反射率は５．９％であり、位相差は２７５度であった。
＜実施例６＞
　吸収層の材料であるＲｈＡｌの組成を原子数比率でＲｈ：Ａｌ＝６７：３３となるように変更し、膜厚５４ｎｍになるように成膜した。それ以外は実施例１と同様の方法で、実施例６の反射型フォトマスクを作製した。
　上記のように形成した実施例６の吸収層の波長１３．５ｎｍにおける屈折率ｎ、消衰係数ｋは、それぞれｎ＝０．９２３、ｋ＝０．０３であった。
　また、上記吸収層の波長１３．５ｎｍにおける絶対反射率は２．６％であり、位相差は２４０度であった。
＜実施例７＞
　吸収層の材料であるＲｈＡｌの組成を原子数比率でＲｈ：Ａｌ＝８４：１６となるように変更し、膜厚４１ｎｍになるように成膜した。それ以外は実施例１と同様の方法で、実施例７の反射型フォトマスクを作製した。
　上記のように形成した実施例７の吸収層の波長１３．５ｎｍにおける屈折率ｎ、消衰係数ｋは、それぞれｎ＝０．８９９、ｋ＝０．０３であった。
　また、上記吸収層の波長１３．５ｎｍにおける絶対反射率は４．４％であり、位相差は２４０度であった。
＜実施例８＞
　吸収層の材料であるＲｈＡｌの組成を原子数比率でＲｈ：Ａｌ＝９８：２となるように変更し、膜厚３８ｎｍになるように成膜した。それ以外は実施例１と同様の方法で、実施例８の反射型フォトマスクを作製した。
　上記のように形成した実施例８の吸収層の波長１３．５ｎｍにおける屈折率ｎ、消衰係数ｋは、それぞれｎ＝０．８７８、ｋ＝０．０３であった。
　また、上記吸収層の波長１３．５ｎｍにおける絶対反射率は９．２％であり、位相差は２４０度であった。
＜実施例９＞
　吸収層の材料をロジウム（Ｒｈ）に変更し、膜厚３３ｎｍになるように成膜した。それ以外は実施例１と同様の方法で、実施例９の反射型フォトマスクを作製した。
　上記のように形成した実施例９の吸収層の波長１３．５ｎｍにおける屈折率ｎ、消衰係数ｋは、それぞれｎ＝０．８７５、ｋ＝０．０３であった。
　また、上記吸収層の波長１３．５ｎｍにおける絶対反射率は１１．０％であり、位相差は２４０度であった。
＜実施例１０＞
　吸収層の材料をルテニウム（Ｒｕ）とニオブ（Ｎｂ）が８５：１５の原子数比率で均質となる混合材料（ＲｕＮｂ）に変更し、膜厚４４ｎｍになるように成膜した。それ以外は実施例１と同様の方法で、実施例１０の反射型フォトマスクを作製した。
　上記のように形成した実施例１０の吸収層の波長１３．５ｎｍにおける屈折率ｎ、消衰係数ｋは、それぞれｎ＝０．８９５、ｋ＝０．０１５であった。
　また、上記吸収層の波長１３．５ｎｍにおける絶対反射率は１７．０％であり、位相差は２４０度であった。
＜実施例１１＞
　吸収層の材料をルテニウム（Ｒｕ）とアルミニウム（Ａｌ）が５９：４１の原子数比率で均質となる混合材料（ＲｕＡｌ）に変更し、膜厚７２ｎｍになるように成膜した。それ以外は実施例１と同様の方法で、実施例１１の反射型フォトマスクを作製した。
　上記のように形成した実施例１１の吸収層の波長１３．５ｎｍにおける屈折率ｎ、消衰係数ｋは、それぞれｎ＝０．９４０、ｋ＝０．０２３であった。
　また、上記吸収層の波長１３．５ｎｍにおける絶対反射率は３．７％であり、位相差は２４０度であった。
＜実施例１２＞
　吸収層の材料を酸化錫（ＳｎＯ）とルテニウム（Ｒｕ）が２０：８０の原子数比率で均質となる混合材料（ＳｎＲｕＯ）に変更し、膜厚４２ｎｍになるように成膜した。それ以外は実施例１と同様の方法で、実施例１２の反射型フォトマスクを作製した。
　上記のように形成した実施例１２の吸収層の波長１３．５ｎｍにおける屈折率ｎ、消衰係数ｋは、それぞれｎ＝０．８９６、ｋ＝０．０３であった。
　また、上記吸収層の波長１３．５ｎｍにおける絶対反射率は３．１％であり、位相差は２４０度であった。
＜実施例１３＞
　吸収層のＳｎＲｕＯの膜厚を３９ｎｍに変更して成膜した。それ以外は実施例１２と同様の方法で、実施例１３の反射型フォトマスクを作製した。
　上記のように形成した実施例１３の吸収層の波長１３．５ｎｍにおける屈折率ｎ、消衰係数ｋは、それぞれｎ＝０．８９６、ｋ＝０．０３であった。
　また、上記吸収層の波長１３．５ｎｍにおける絶対反射率は８．９％であり、位相差は２２５度であった。
＜実施例１４＞
　吸収層の材料を酸化インジウム（ＩｎＯ）とルテニウム（Ｒｕ）が１５：８５の原子数比率で均質となる混合材料（ＩｎＲｕＯ）に変更し、膜厚４２ｎｍになるように成膜した。それ以外は実施例１と同様の方法で、実施例１４の反射型フォトマスクを作製した。
　上記のように形成した実施例１４の吸収層の波長１３．５ｎｍにおける屈折率ｎ、消衰係数ｋは、それぞれｎ＝０．８９５、ｋ＝０．０３であった。
　また、上記吸収層の波長１３．５ｎｍにおける絶対反射率は３．３％であり、位相差は２４０度であった。
＜実施例１５＞
　吸収層のＩｎＲｕＯの膜厚を３９ｎｍに変更して成膜した。それ以外は実施例１４と同様の方法で、実施例１５の反射型フォトマスクを作製した。
　上記のように形成した実施例１５の吸収層の波長１３．５ｎｍにおける屈折率ｎ、消衰係数ｋは、それぞれｎ＝０．８９５、ｋ＝０．０３であった。
　また、上記吸収層の波長１３．５ｎｍにおける絶対反射率は９．３％であり、位相差は２２５度であった。
＜実施例１６＞
　吸収層の材料をタンタル（Ｔａ）とチタン（Ｔｉ）が６０：４０の原子数比率で均質となる混合材料（ＴａＴｉ）に変更し、膜厚７８ｎｍになるように成膜した。それ以外は実施例１と同様の方法で、実施例１６の反射型フォトマスクを作製した。
　上記のように形成した実施例１６の吸収層の波長１３．５ｎｍにおける屈折率ｎ、消衰係数ｋは、それぞれｎ＝０．９４７、ｋ＝０．０３０であった。
　また、上記吸収層の波長１３．５ｎｍにおける絶対反射率は１．２％であり、位相差は２１２度であった。
＜実施例１７＞
　吸収層の材料をチタン（Ｔｉ）に変更し、膜厚８０ｎｍになるように成膜した。それ以外は実施例１と同様の方法で、実施例１７の反射型フォトマスクを作製した。
　上記のように形成した実施例１７の吸収層の波長１３．５ｎｍにおける屈折率ｎ、消衰係数ｋは、それぞれｎ＝０．９５２、ｋ＝０．０１４であった。
　また、上記吸収層の波長１３．５ｎｍにおける絶対反射率は６．５％であり、位相差は２１２度であった。
＜実施例１８＞
　吸収層の材料をモリブデン（Ｍｏ）とパラジウム（Ｐｄ）が４０：６０の原子数比率で均質となる混合材料（ＭｏＰｄ）に変更し、膜厚４５ｎｍになるように成膜した。それ以外は実施例１と同様の方法で、実施例１８の反射型フォトマスクを作製した。
　上記のように形成した実施例１８の吸収層の波長１３．５ｎｍにおける屈折率ｎ、消衰係数ｋは、それぞれｎ＝０．８９６、ｋ＝０．０３であった。
　また、上記吸収層の波長１３．５ｎｍにおける絶対反射率は６．６％であり、位相差は２３５度であった。
＜実施例１９＞
　吸収層の材料を白金（Ｐｔ）に変更し、膜厚４５ｎｍになるように成膜した。それ以外は実施例１と同様の方法で、実施例１９の反射型フォトマスクを作製した。
　上記のように形成した実施例１９の吸収層の波長１３．５ｎｍにおける屈折率ｎ、消衰係数ｋは、それぞれｎ＝０．８９０、ｋ＝０．０６であった。
　また、上記吸収層の波長１３．５ｎｍにおける絶対反射率は１．３％であり、位相差は２４３度であった。
＜実施例２０＞
　吸収層の材料をイリジウム（Ｉｒ）と白金（Ｐｔ）が７５：２５の原子数比率で均質となる混合材料（ＩｒＰｔ）に変更し、膜厚４５ｎｍになるように成膜した。それ以外は実施例１と同様の方法で、実施例２０の反射型フォトマスクを作製した。
　上記のように形成した実施例２０の吸収層の波長１３．５ｎｍにおける屈折率ｎ、消衰係数ｋは、それぞれｎ＝０．９０２、ｋ＝０．０４９であった。
　また、上記吸収層の波長１３．５ｎｍにおける絶対反射率は２．２％であり、位相差は２３４度であった。
＜実施例２１＞
　吸収層の材料をイリジウム（Ｉｒ）と金（Ａｕ）が４０：６０の原子数比率で均質となる混合材料（ＩｒＡｕ）に変更し、膜厚４５ｎｍになるように成膜した。それ以外は実施例１と同様の方法で、実施例２１の反射型フォトマスクを作製した。
　上記のように形成した実施例２１の吸収層の波長１３．５ｎｍにおける屈折率ｎ、消衰係数ｋは、それぞれｎ＝０．９０１、ｋ＝０．０４９であった。
　また、上記吸収層の波長１３．５ｎｍにおける絶対反射率は２．２％であり、位相差は２３４度であった。
＜実施例２２＞
　吸収層の材料をレニウム（Ｒｅ）と白金（Ｐｔ）が７５：２５の原子数比率で均質となる混合材料（ＲｅＰｔ）に変更し、膜厚４６ｎｍになるように成膜した。それ以外は実施例１と同様の方法で、実施例２２の反射型フォトマスクを作製した。
　上記のように形成した実施例２２の吸収層の波長１３．５ｎｍにおける屈折率ｎ、消衰係数ｋは、それぞれｎ＝０．９０９、ｋ＝０．０４５であった。
　また、上記吸収層の波長１３．５ｎｍにおける絶対反射率は２．２％であり、位相差は２４０度であった。
＜実施例２３＞
　吸収層の材料をレニウム（Ｒｅ）と金（Ａｕ）が４０：６０の原子数比率で均質となる混合材料（ＲｅＡｕ）に変更し、膜厚４５ｎｍになるように成膜した。それ以外は実施例１と同様の方法で、実施例２３の反射型フォトマスクを作製した。
　上記のように形成した実施例２３の吸収層の波長１３．５ｎｍにおける屈折率ｎ、消衰係数ｋは、それぞれｎ＝０．９０５、ｋ＝０．０４７であった。
　また、上記吸収層の波長１３．５ｎｍにおける絶対反射率は２．８％であり、位相差は２２７度であった。
＜実施例２４＞
　吸収層の材料を白金（Ｐｔ）とモリブデン（Ｍｏ）が２０：８０の原子数比率で均質となる混合材料（ＰｔＭｏ）に変更し、膜厚４８ｎｍになるように成膜した。それ以外は実施例１と同様の方法で、実施例２４の反射型フォトマスクを作製した。
　上記のように形成した実施例２４の吸収層の波長１３．５ｎｍにおける屈折率ｎ、消衰係数ｋは、それぞれｎ＝０．９１８、ｋ＝０．０１７であった。
　また、上記吸収層の波長１３．５ｎｍにおける絶対反射率は７．８％であり、位相差は２１３度であった。
＜実施例２５＞
　吸収層の材料を白金（Ｐｔ）とモリブデン（Ｍｏ）が８０：２０の原子数比率で均質となる混合材料（ＰｔＭｏ）に変更し、膜厚４５ｎｍになるように成膜した。それ以外は実施例１と同様の方法で、実施例２５の反射型フォトマスクを作製した。
　上記のように形成した実施例２５の吸収層の波長１３．５ｎｍにおける屈折率ｎ、消衰係数ｋは、それぞれｎ＝０．８９８、ｋ＝０．０４９であった。
　また、上記吸収層の波長１３．５ｎｍにおける絶対反射率は２．２％であり、位相差は２３４度であった。
＜実施例２６＞
　吸収層の材料を白金（Ｐｔ）とニオブ（Ｎｂ）が３５：６５の原子数比率で均質となる混合材料（ＰｔＮｂ）に変更し、膜厚４７ｎｍになるように成膜した。それ以外は実施例１と同様の方法で、実施例２６の反射型フォトマスクを作製した。
　上記のように形成した実施例２６の吸収層の波長１３．５ｎｍにおける屈折率ｎ、消衰係数ｋは、それぞれｎ＝０．９１９、ｋ＝０．０２４であった。
　また、上記吸収層の波長１３．５ｎｍにおける絶対反射率は６％であり、位相差は２１４度であった。
＜実施例２７＞
　吸収層の材料を白金（Ｐｔ）とニオブ（Ｎｂ）が８０：２０の原子数比率で均質となる混合材料（ＰｔＮｂ）に変更し、膜厚４５ｎｍになるように成膜した。それ以外は実施例１と同様の方法で、実施例２７の反射型フォトマスクを作製した。
　上記のように形成した実施例２７の吸収層の波長１３．５ｎｍにおける屈折率ｎ、消衰係数ｋは、それぞれｎ＝０．９００、ｋ＝０．０４９であった。
　また、上記吸収層の波長１３．５ｎｍにおける絶対反射率は２．２％であり、位相差は２３４度であった。
＜実施例２８＞
　吸収層の材料を金（Ａｕ）とモリブデン（Ｍｏ）が２５：７５の原子数比率で均質となる混合材料（ＡｕＭｏ）に変更し、膜厚４９ｎｍになるように成膜した。それ以外は実施例１と同様の方法で、実施例２８の反射型フォトマスクを作製した。
　上記のように形成した実施例２８の吸収層の波長１３．５ｎｍにおける屈折率ｎ、消衰係数ｋは、それぞれｎ＝０．９１８、ｋ＝０．０１８であった。
　また、上記吸収層の波長１３．５ｎｍにおける絶対反射率は７．６％であり、位相差は２０９度であった。
＜実施例２９＞
　吸収層の材料を金（Ａｕ）とモリブデン（Ｍｏ）が９５：５の原子数比率で均質となる混合材料（ＡｕＭｏ）に変更し、膜厚３９ｎｍになるように成膜した。それ以外は実施例１と同様の方法で、実施例２９の反射型フォトマスクを作製した。
　上記のように形成した実施例２９の吸収層の波長１３．５ｎｍにおける屈折率ｎ、消衰係数ｋは、それぞれｎ＝０．９００、ｋ＝０．０５０であった。
　また、上記吸収層の波長１３．５ｎｍにおける絶対反射率は２．７％であり、位相差は２２８度であった。
＜実施例３０＞
　吸収層の材料を金（Ａｕ）とニオブ（Ｎｂ）が４５：５５の原子数比率で均質となる混合材料（ＡｕＮｂ）に変更し、膜厚４８ｎｍになるように成膜した。それ以外は実施例１と同様の方法で、実施例３０の反射型フォトマスクを作製した。
　上記のように形成した実施例３０の吸収層の波長１３．５ｎｍにおける屈折率ｎ、消衰係数ｋは、それぞれｎ＝０．９１８、ｋ＝０．０２６であった。
　また、上記吸収層の波長１３．５ｎｍにおける絶対反射率は４．５％であり、位相差は２１３度であった。
＜実施例３１＞
　吸収層の材料を金（Ａｕ）とニオブ（Ｎｂ）が９０：１０の原子数比率で均質となる混合材料（ＡｕＮｂ）に変更し、膜厚４５ｎｍになるように成膜した。それ以外は実施例１と同様の方法で、実施例３１の反射型フォトマスクを作製した。
　上記のように形成した実施例３１の吸収層の波長１３．５ｎｍにおける屈折率ｎ、消衰係数ｋは、それぞれｎ＝０．９０３、ｋ＝０．０４７であった。
　また、上記吸収層の波長１３．５ｎｍにおける絶対反射率は２．２％であり、位相差は２３４度であった。
＜実施例３２＞
　吸収層の材料を金（Ａｕ）とチタン（Ｔｉ）が６５：３５の原子数比率で均質となる混合材料（ＡｕＴｉ）に変更し、膜厚４７ｎｍになるように成膜した。それ以外は実施例１と同様の方法で、実施例３２の反射型フォトマスクを作製した。
　上記のように形成した実施例３２の吸収層の波長１３．５ｎｍにおける屈折率ｎ、消衰係数ｋは、それぞれｎ＝０．９１８、ｋ＝０．０３９であった。
　また、上記吸収層の波長１３．５ｎｍにおける絶対反射率は１．３％であり、位相差は２２５度であった。
＜実施例３３＞
　吸収層の材料を金（Ａｕ）とチタン（Ｔｉ）が８５：１５の原子数比率で均質となる混合材料（ＡｕＴｉ）に変更し、膜厚４６ｎｍになるように成膜した。それ以外は実施例１と同様の方法で、実施例３３の反射型フォトマスクを作製した。
　上記のように形成した実施例３３の吸収層の波長１３．５ｎｍにおける屈折率ｎ、消衰係数ｋは、それぞれｎ＝０．９０７、ｋ＝０．０４６であった。
　また、上記吸収層の波長１３．５ｎｍにおける絶対反射率は２．２％であり、位相差は２４０度であった。
＜実施例３４＞
　吸収層の材料を金（Ａｕ）とジルコニウム（Ｚｒ）が７０：３０の原子数比率で均質となる混合材料（ＡｕＺｒ）に変更し、膜厚５１ｎｍになるように成膜した。それ以外は実施例１と同様の方法で、実施例３４の反射型フォトマスクを作製した。
　上記のように形成した実施例３４の吸収層の波長１３．５ｎｍにおける屈折率ｎ、消衰係数ｋは、それぞれｎ＝０．９１７、ｋ＝０．０３８であった。
　また、上記吸収層の波長１３．５ｎｍにおける絶対反射率は２．１％であり、位相差は２１８度であった。
＜実施例３５＞
　吸収層の材料を金（Ａｕ）とジルコニウム（Ｚｒ）が９０：１０の原子数比率で均質となる混合材料（ＡｕＺｒ）に変更し、膜厚４６ｎｍになるように成膜した。それ以外は実施例１と同様の方法で、実施例３５の反射型フォトマスクを作製した。
　上記のように形成した実施例３５の吸収層の波長１３．５ｎｍにおける屈折率ｎ、消衰係数ｋは、それぞれｎ＝０．９０５、ｋ＝０．０４７であった。
　また、上記吸収層の波長１３．５ｎｍにおける絶対反射率は２．５％であり、位相差は２４８度であった。
＜実施例３６＞
　吸収層の材料をイリジウム（Ｉｒ）とモリブデン（Ｍｏ）が３０：７０の原子数比率で均質となる混合材料（ＩｒＭｏ）に変更し、膜厚４９ｎｍになるように成膜した。それ以外は実施例１と同様の方法で、実施例３６の反射型フォトマスクを作製した。
　上記のように形成した実施例３６の吸収層の波長１３．５ｎｍにおける屈折率ｎ、消衰係数ｋは、それぞれｎ＝０．９１８、ｋ＝０．０１８であった。
　また、上記吸収層の波長１３．５ｎｍにおける絶対反射率は７．６％であり、位相差は２０９度であった。
＜実施例３７＞
　吸収層の材料をイリジウム（Ｉｒ）とモリブデン（Ｍｏ）が９０：１０の原子数比率で均質となる混合材料（ＩｒＭｏ）に変更し、膜厚４５ｎｍになるように成膜した。それ以外は実施例１と同様の方法で、実施例３７の反射型フォトマスクを作製した。
　上記のように形成した実施例３７の吸収層の波長１３．５ｎｍにおける屈折率ｎ、消衰係数ｋは、それぞれｎ＝０．９０７、ｋ＝０．０４１であった。
　また、上記吸収層の波長１３．５ｎｍにおける絶対反射率は３．７％であり、位相差は２２７度であった。
＜実施例３８＞
　吸収層の材料をイリジウム（Ｉｒ）とタングステン（Ｗ）が５０：５０の原子数比率で均質となる混合材料（ＩｒＷ）に変更し、膜厚４７ｎｍになるように成膜した。それ以外は実施例１と同様の方法で、実施例３８の反射型フォトマスクを作製した。
　上記のように形成した実施例３８の吸収層の波長１３．５ｎｍにおける屈折率ｎ、消衰係数ｋは、それぞれｎ＝０．９１９、ｋ＝０．０３９であった。
　また、上記吸収層の波長１３．５ｎｍにおける絶対反射率は１．３％であり、位相差は２２５度であった。
＜実施例３９＞
　吸収層の材料をイリジウム（Ｉｒ）とタングステン（Ｗ）が９０：１０の原子数比率で均質となる混合材料（ＩｒＷ）に変更し、膜厚４６ｎｍになるように成膜した。それ以外は実施例１と同様の方法で、実施例３９の反射型フォトマスクを作製した。
　上記のように形成した実施例３９の吸収層の波長１３．５ｎｍにおける屈折率ｎ、消衰係数ｋは、それぞれｎ＝０．９０８、ｋ＝０．０４４であった。
　また、上記吸収層の波長１３．５ｎｍにおける絶対反射率は２．２％であり、位相差は２４０度であった。
＜実施例４０＞
　吸収層の材料をイリジウム（Ｉｒ）とニオブ（Ｎｂ）が５０：５０の原子数比率で均質となる混合材料（ＩｒＮｂ）に変更し、膜厚４７ｎｍになるように成膜した。それ以外は実施例１と同様の方法で、実施例４０の反射型フォトマスクを作製した。
　上記のように形成した実施例４０の吸収層の波長１３．５ｎｍにおける屈折率ｎ、消衰係数ｋは、それぞれｎ＝０．９２０、ｋ＝０．０２５であった。
　また、上記吸収層の波長１３．５ｎｍにおける絶対反射率は６％であり、位相差は２１４度であった。
＜実施例４１＞
　吸収層の材料をイリジウム（Ｉｒ）とニオブ（Ｎｂ）が９０：１０の原子数比率で均質となる混合材料（ＩｒＮｂ）に変更し、膜厚４６ｎｍになるように成膜した。それ以外は実施例１と同様の方法で、実施例４１の反射型フォトマスクを作製した。
　上記のように形成した実施例４１の吸収層の波長１３．５ｎｍにおける屈折率ｎ、消衰係数ｋは、それぞれｎ＝０．９０８、ｋ＝０．０４１であった。
　また、上記吸収層の波長１３．５ｎｍにおける絶対反射率は３．１％であり、位相差は２３７度であった。
＜実施例４２＞
　吸収層の材料をイリジウム（Ｉｒ）とタンタル（Ｔａ）が８５：１５の原子数比率で均質となる混合材料（ＩｒＴａ）に変更し、膜厚４５ｎｍになるように成膜した。それ以外は実施例１と同様の方法で、実施例４２の反射型フォトマスクを作製した。
　上記のように形成した実施例４２の吸収層の波長１３．５ｎｍにおける屈折率ｎ、消衰係数ｋは、それぞれｎ＝０．９１１、ｋ＝０．０４４であった。
　また、上記吸収層の波長１３．５ｎｍにおける絶対反射率は２．８％であり、位相差は２１９度であった。
＜実施例４３＞
　吸収層の材料をイリジウム（Ｉｒ）とタンタル（Ｔａ）が９５：５の原子数比率で均質となる混合材料（ＩｒＴａ）に変更し、膜厚４６ｎｍになるように成膜した。それ以外は実施例１と同様の方法で、実施例４３の反射型フォトマスクを作製した。
　上記のように形成した実施例４３の吸収層の波長１３．５ｎｍにおける屈折率ｎ、消衰係数ｋは、それぞれｎ＝０．９０７、ｋ＝０．０４５であった。
　また、上記吸収層の波長１３．５ｎｍにおける絶対反射率は２．５％であり、位相差は２４８度であった。
＜実施例４４＞
　吸収層の材料をイリジウム（Ｉｒ）とバナジウム（Ｖ）が６５：３５の原子数比率で均質となる混合材料（ＩｒＶ）に変更し、膜厚４５ｎｍになるように成膜した。それ以外は実施例１と同様の方法で、実施例４４の反射型フォトマスクを作製した。
　上記のように形成した実施例４４の吸収層の波長１３．５ｎｍにおける屈折率ｎ、消衰係数ｋは、それぞれｎ＝０．９１８、ｋ＝０．０３８であった。
　また、上記吸収層の波長１３．５ｎｍにおける絶対反射率は３．４％であり、位相差は２０１度であった。
＜実施例４５＞
　吸収層の材料をイリジウム（Ｉｒ）とバナジウム（Ｖ）が９０：１０の原子数比率で均質となる混合材料（ＩｒＶ）に変更し、膜厚４６ｎｍになるように成膜した。それ以外は実施例１と同様の方法で、実施例４５の反射型フォトマスクを作製した。
　上記のように形成した実施例４５の吸収層の波長１３．５ｎｍにおける屈折率ｎ、消衰係数ｋは、それぞれｎ＝０．９０９、ｋ＝０．０４３であった。
　また、上記吸収層の波長１３．５ｎｍにおける絶対反射率は２．２％であり、位相差は２４０度であった。
＜実施例４６＞
　吸収層の材料をレニウム（Ｒｅ）とモリブデン（Ｍｏ）が４５：５５の原子数比率で均質となる混合材料（ＲｅＭｏ）に変更し、膜厚４８ｎｍになるように成膜した。それ以外は実施例１と同様の方法で、実施例４６の反射型フォトマスクを作製した。
　上記のように形成した実施例４６の吸収層の波長１３．５ｎｍにおける屈折率ｎ、消衰係数ｋは、それぞれｎ＝０．９２０、ｋ＝０．０２１であった。
　また、上記吸収層の波長１３．５ｎｍにおける絶対反射率は７．８％であり、位相差は２１３度であった。
＜実施例４７＞
　吸収層の材料をレニウム（Ｒｅ）とモリブデン（Ｍｏ）が９０：１０の原子数比率で均質となる混合材料（ＲｅＭｏ）に変更し、膜厚４７ｎｍになるように成膜した。それ以外は実施例１と同様の方法で、実施例４７の反射型フォトマスクを作製した。
　上記のように形成した実施例４７の吸収層の波長１３．５ｎｍにおける屈折率ｎ、消衰係数ｋは、それぞれｎ＝０．９１６、ｋ＝０．０３７であった。
　また、上記吸収層の波長１３．５ｎｍにおける絶対反射率は２．５％であり、位相差は２３４度であった。
＜実施例４８＞
　吸収層の材料をレニウム（Ｒｅ）とタングステン（Ｗ）が７５：２５の原子数比率で均質となる混合材料（ＲｅＷ）に変更し、膜厚４６ｎｍになるように成膜した。それ以外は実施例１と同様の方法で、実施例４８の反射型フォトマスクを作製した。
　上記のように形成した実施例４８の吸収層の波長１３．５ｎｍにおける屈折率ｎ、消衰係数ｋは、それぞれｎ＝０．９２０、ｋ＝０．０３８であった。
　また、上記吸収層の波長１３．５ｎｍにおける絶対反射率は２．４％であり、位相差は２１６度であった。
＜実施例４９＞
　吸収層の材料をレニウム（Ｒｅ）とタングステン（Ｗ）が９５：５の原子数比率で均質となる混合材料（ＲｅＷ）に変更し、膜厚４６ｎｍになるように成膜した。それ以外は実施例１と同様の方法で、実施例４９の反射型フォトマスクを作製した。
　上記のように形成した実施例４９の吸収層の波長１３．５ｎｍにおける屈折率ｎ、消衰係数ｋは、それぞれｎ＝０．９１６、ｋ＝０．０４０であった。
　また、上記吸収層の波長１３．５ｎｍにおける絶対反射率は２．８％であり、位相差は２２７度であった。
＜実施例５０＞
　吸収層の材料をレニウム（Ｒｅ）とニオブ（Ｎｂ）が７５：２５の原子数比率で均質となる混合材料（ＲｅＮｂ）に変更し、膜厚４８ｎｍになるように成膜した。それ以外は実施例１と同様の方法で、実施例５０の反射型フォトマスクを作製した。
　上記のように形成した実施例５０の吸収層の波長１３．５ｎｍにおける屈折率ｎ、消衰係数ｋは、それぞれｎ＝０．９２０、ｋ＝０．０３１であった。
　また、上記吸収層の波長１３．５ｎｍにおける絶対反射率は２．５％であり、位相差は２１３度であった。
＜実施例５１＞
　吸収層の材料をレニウム（Ｒｅ）とニオブ（Ｎｂ）が９０：１０の原子数比率で均質となる混合材料（ＲｅＮｂ）に変更し、膜厚４６ｎｍになるように成膜した。それ以外は実施例１と同様の方法で、実施例５１の反射型フォトマスクを作製した。
　上記のように形成した実施例５１の吸収層の波長１３．５ｎｍにおける屈折率ｎ、消衰係数ｋは、それぞれｎ＝０．９１７、ｋ＝０．０３７であった。
　また、上記吸収層の波長１３．５ｎｍにおける絶対反射率は４％であり、位相差は２２４度であった。
＜比較例１＞
　比較例１では、従来のタンタル（Ｔａ）を主材料とした既存膜を備えたフォトマスクを用いた。比較例１では、窒化タンタル（ＴａＮ）を用いて膜厚５８ｎｍになるよう吸収層を形成し、酸化タンタル（ＴａＯ）を用いて膜厚２ｎｍになるよう最表層を形成して反射型フォトマスクを作製した。それ以外は、実施例１と同様の方法で比較例１の反射型フォトマスクを作製した。
　上記のように形成した比較例１の吸収層の波長１３．５ｎｍにおける絶対反射率は１．３％であり、位相差は１６０度であった。
＜比較例２＞
　吸収層の材料をロジウム（Ｒｈ）とアルミニウム（Ａｌ）が６０：４０の原子数比率で均質となる混合材料（ＲｈＡｌ）に変更し、膜厚４７ｎｍになるように成膜した。それ以外は実施例１と同様の方法で、比較例２の反射型フォトマスクを作製した。
　上記のように形成した比較例２の吸収層の波長１３．５ｎｍにおける屈折率ｎ、消衰係数ｋは、それぞれｎ＝０．９３２、ｋ＝０．０３であった。
　また、上記吸収層の波長１３．５ｎｍにおける絶対反射率は３．１％であり、位相差は１８０度であった。
＜比較例３＞
　吸収層の材料のＲｈＡｌの組成を原子数比率でＲｈ：Ａｌ＝８９：１１となるように変更し、膜厚４７ｎｍになるように成膜した。それ以外は実施例１と同様の方法で、比較例３の反射型フォトマスクを作製した。
　上記のように形成した比較例３の吸収層の波長１３．５ｎｍにおける屈折率ｎ、消衰係数ｋは、それぞれｎ＝０．８９２、ｋ＝０．０３であった。
　また、上記吸収層の波長１３．５ｎｍにおける絶対反射率は６．３％であり、位相差は２８５度であった。
＜評価＞
　上述した実施例１～５１、比較例１～３で得られた反射型フォトマスクについて、以下の方法で転写性能の評価を行った。転写性能はウェハ露光評価により確認した。また、解像性は、ＮＩＬＳ（Ｎｏｒｍａｌｉｚｅｄ　Ｉｍａｇｅ　Ｌｏｇ-Ｓｌｏｐｅ：規格化空間像対数傾斜）値により評価した。
　ＥＵＶ露光装置（ＮＸＥ３３００Ｂ：ＡＳＭＬ社製）を用いて、ＥＵＶポジ型化学増幅型レジストを塗布した半導体ウェハ上に、各実施例、比較例で作製した反射型フォトマスクの吸収パターンを転写露光した。このとき、露光量は、ホールパターンが設計通りの１９ｎｍに転写するように調節した。その後、電子線寸法測定機により転写されたレジストパターンの観察及び線幅測定を実施し、解像性を確認し、以下の「◎」、「○」、「△」、「×」の４段階で評価した。
＜評価基準＞
　◎：ＮＩＬＳ値が２．７３より大きい場合
　○：ＮＩＬＳ値が２．４８以上であり、２．７３以下である場合
　△：ＮＩＬＳ値が２．４０以上であり、２．４８より小さい場合
　×：ＮＩＬＳ値が２．４０より小さい場合
　以上の評価結果を表１に示す。
　なお、ＮＩＬＳ値については、「○」以上の評価であれば、転写性能に問題はないため、合格とした。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　表１に、実施例１～５１、比較例１～３の評価結果を示す。
　従来の膜厚６０ｎｍのタンタル（Ｔａ）系吸収層を備えた比較例１の位相差は１６０度であり、ＮＩＬＳは２．３７であった。実施例１～５１のように吸収パターン層の位相差が２００度以上２８０度以下である場合には、比較例１と比べてＮＩＬＳが大きく、解像性が向上することが分かった。
　また、位相差が１８０度である比較例２、位相差が２８５度である比較例３と比べても、位相差が２００度以上２８０度以下である実施例１～５１はＮＩＬＳが大きく、解像性が向上することが分かった。
　以下、表１及び、図９に示すグラフを用いて、各実施例及び各比較例のＮＩＬＳを比較した結果について、詳細に説明する。
　図９及び表１の実施例１～５、比較例２、３に示すように、膜厚が４7ｎｍであり、且つＲｈＡｌで形成された吸収パターン層１４ａの位相差が１８０度である比較例２のＮＩＬＳの値は２．４７である。これに対し、位相差が２０５度である実施例１のＮＩＬＳの値は２．６６であり、位相差が１８０度である場合（比較例２）に比べてその値は約７％高くなっている。
　また、位相差が２２０度である実施例２のＮＩＬＳの値は２．７３であり、位相差が１８０度である場合（比較例２）に比べてその値は約１０％高くなっている。
　また、位相差が２４０度である実施例３のＮＩＬＳの値は２．７６であり、位相差が１８０度である場合（比較例２）に比べてその値は約１２％高くなっている。
　また、位相差が２６５度である実施例４のＮＩＬＳの値は２．６７であり、位相差が１８０度である場合（比較例２）に比べてその値は約８％高くなっている。
　また、位相差が２７５度である実施例５のＮＩＬＳの値は２．５６であり、位相差が１８０度である場合（比較例２）に比べてその値は約４％高くなっている。
　一方で、位相差が２８５度である比較例３のＮＩＬＳの値は２．４６であり、位相差が１８０度である場合（比較例２）と比べてほぼ同じ値である。
　また、図９及び表１の実施例６に示すように、吸収パターン層１４ａの膜厚が５４ｎｍである場合、位相差が２４０度である実施例６のＮＩＬＳの値は２．７４であり、同じ膜厚で位相差が１８０度である場合に比べてその値は約１０％高くなっている。
　また、図９及び表１の実施例７に示すように、吸収パターン層１４ａの膜厚が４１ｎｍである場合、位相差が２４０度である実施例７のＮＩＬＳの値は２．７８であり、同じ膜厚で位相差が１８０度である場合に比べてその値は約１３％高くなっている。
　また、図９及び表１の実施例８に示すように、吸収パターン層１４ａの膜厚が３８ｎｍである場合、位相差が２４０度である実施例８のＮＩＬＳの値は２．７１であり、同じ膜厚で位相差が１８０度である場合に比べてその値は約３１％高くなっている。
　これらのことから、解像性を向上させるためには、位相差は２００度以上２８０度以下の範囲内が好ましく、２１５度以上２７０度以下の範囲内がさらに好ましく、２３０度以上２６０度以下の範囲内が最も好ましいことが分かる。
　つまり、反射型マスクにおける吸収層の好適な位相差の範囲は、従来の設計思想で用いられてきた「１７０度以上１９０度以下の範囲内」とは大きく異なり、「２００度以上２８０度以下の範囲内」である。
　膜厚が３３ｎｍのロジウム（Ｒｈ）で形成され、位相差が２４０度の実施例９のＮＩＬＳは２．５３であり、膜厚が４４ｎｍのルテニウム（Ｒｕ）とニオブ（Ｎｂ）とを原子数比率が８５：１５となるように含有した材料で形成され、位相差が２４０度の実施例１０のＮＩＬＳは２．４８であった。
　実施例６～１０は、反射率がそれぞれ２．６％、４．４％、９．２％、１１．０％、１７．０％で異なる場合を示したが、反射率によらず、全ての場合で各比較例より良好な転写性が得られた。このことから、２％以上２０％以下の範囲内の反射率であれば、十分な位相シフト効果が得られ、解像性が向上することが分かる。
　膜厚が７２ｎｍのルテニウム（Ｒｕ）とアルミニウム（Ａｌ）とを原子数比率が５９：４１となるように含有した材料で形成され、位相差が２４０度の実施例１１のＮＩＬＳは２．７３であった。実施例１１は屈折率ｎが０．９４と高いため、比較例１の従来膜の６０ｎｍよりも膜厚が厚く、射影効果を低減できなかったが、位相シフト効果によりＮＩＬＳは良好であった。
　膜厚が４２ｎｍの酸化錫（ＳｎＯ）とルテニウム（Ｒｕ）とを原子数比率が２０：８０となるように含有した材料で形成され、位相差が２４０度の実施例１２のＮＩＬＳは２．７８であり、膜厚が３９ｎｍの酸化錫（ＳｎＯ）とルテニウム（Ｒｕ）とを原子数比率が２０：８０となるように含有した材料で形成され、位相差が２２５度の実施例１３のＮＩＬＳは２．６５であり、膜厚が４２ｎｍの酸化インジウム（ＩｎＯ）とルテニウム（Ｒｕ）とを原子数比率が１５：８５となるように含有した材料で形成され、位相差が２４０度の実施例１４のＮＩＬＳは２．７８であり、膜厚が３９ｎｍの酸化インジウム（ＩｎＯ）とルテニウム（Ｒｕ）とを原子数比率が１５：８５となるように含有した材料で形成され、位相差が２２５度の実施例１５のＮＩＬＳは２．６４であった。
　このように加工性に優れた錫（Ｓｎ）やインジウム（Ｉｎ）を含んだ材料で吸収層１４（吸収パターン層１４ａ）を形成した場合でも位相シフト効果が得られ、解像性が向上した。
　膜厚が７８ｎｍのタンタル（Ｔａ）とチタン（Ｔｉ）とを原子数比率が６０：４０となるように含有した材料で形成され、位相差が２１２度の実施例１６のＮＩＬＳは２．４８であり、膜厚８０ｎｍのチタン（Ｔｉ）で形成され、位相差が２１２度の実施例１７のＮＩＬＳは２．５６であった。実施例１６及び１７は、屈折率ｎがそれぞれ０．９４７、０．９５２と相対的に高いため、比較例１の従来膜の６０ｎｍよりも膜厚が厚く、射影効果を低減できなかったが、位相シフト効果によりＮＩＬＳは良好であった。また、実施例１６及び１７の反射率はそれぞれ１．２％、６．５％であり、反射率が２％以上２０％以下の範囲内にある実施例１７の方がよりＮＩＬＳが良好であった。
　膜厚が４５ｎｍのモリブデン（Ｍｏ）とパラジウム（Ｐｄ）とを原子数比率が４０：６０となるように含有した材料で形成され、位相差が２３５度の実施例１８のＮＩＬＳは２．７６であり、膜厚４５ｎｍの白金（Ｐｔ）で形成され、位相差が２４３度の実施例１９のＮＩＬＳは２．７２であった。実施例１８及び１９は、共に位相シフト効果によりＮＩＬＳが良好であった。また、実施例１８及び１９の反射率はそれぞれ６．６％、１．３％であり、反射率が２％以上２０％以下の範囲内にある実施例１８の方がよりＮＩＬＳが良好であった。
　膜厚が４５ｎｍのイリジウム（Ｉｒ）と白金（Ｐｔ）とを原子数比率が７５：２５となるように含有した材料で形成され、位相差が２３４度の実施例２０のＮＩＬＳは２．７４であり、膜厚が４５ｎｍのイリジウム（Ｉｒ）と金（Ａｕ）とを原子数比率が４０：６０となるように含有した材料で形成され、位相差が２３４度の実施例２１のＮＩＬＳは２．７４であり、膜厚が４６ｎｍのレニウム（Ｒｅ）と白金（Ｐｔ）とを原子数比率が７５：２５となるように含有した材料で形成され、位相差が２４０度の実施例２２のＮＩＬＳは２．７５であり、膜厚が４５ｎｍのレニウム（Ｒｅ）と金（Ａｕ）とを原子数比率が４０：６０となるように含有した材料で形成され、位相差が２２７度の実施例２３のＮＩＬＳは２．７４であった。
　このように、屈折率ｎが小さく、かつ加工性と水素耐性に優れた第３の材料群のみの元素で構成された吸収層１４（吸収パターン層１４ａ）を形成した場合でも位相シフト効果が得られ、解像性が向上した。
　膜厚が４８ｎｍの白金（Ｐｔ）とモリブデン（Ｍｏ）とを原子数比率が２０：８０となるように含有した材料で形成され、位相差が２１３度の実施例２４のＮＩＬＳは２．６５であり、膜厚が４５ｎｍの白金（Ｐｔ）とモリブデン（Ｍｏ）とを原子数比率が８０：２０となるように含有した材料で形成され、位相差が２３４度の実施例２５のＮＩＬＳは２．７４であった。
　また、膜厚が４７ｎｍの白金（Ｐｔ）とニオブ（Ｎｂ）とを原子数比率が３５：６５となるように含有した材料で形成され、位相差が２１４度の実施例２６のＮＩＬＳは２．６８であり、膜厚が４５ｎｍの白金（Ｐｔ）とニオブ（Ｎｂ）とを原子数比率が８０：２０となるように含有した材料で形成され、位相差が２３４度の実施例２７のＮＩＬＳは２．７４であった。
　また、膜厚が４９ｎｍの金（Ａｕ）とモリブデン（Ｍｏ）とを原子数比率が２５：７５となるように含有した材料で形成され、位相差が２０９度の実施例２８のＮＩＬＳは２．６３であり、膜厚が３９ｎｍの金（Ａｕ）とモリブデン（Ｍｏ）とを原子数比率が９５：５となるように含有した材料で形成され、位相差が２２８度の実施例２９のＮＩＬＳは２．７５であった。
　また、膜厚が４８ｎｍの金（Ａｕ）とニオブ（Ｎｂ）とを原子数比率が４５：５５となるように含有した材料で形成され、位相差が２１３度の実施例３０のＮＩＬＳは２．７１であり、膜厚が４５ｎｍの金（Ａｕ）とニオブ（Ｎｂ）とを原子数比率が９０：１０となるように含有した材料で形成され、位相差が２３４度の実施例３１のＮＩＬＳは２．７４であった。
　また、膜厚が４７ｎｍの金（Ａｕ）とチタン（Ｔｉ）とを原子数比率が６５：３５となるように含有した材料で形成され、位相差が２２５度の実施例３２のＮＩＬＳは２．６９であり、膜厚が４６ｎｍの金（Ａｕ）とチタン（Ｔｉ）とを原子数比率が８５：１５となるように含有した材料で形成され、位相差が２４０度の実施例３３のＮＩＬＳは２．７５であった。
　また、膜厚が５１ｎｍの金（Ａｕ）とジルコニウム（Ｚｒ）とを原子数比率が７０：３０となるように含有した材料で形成され、位相差が２１８度の実施例３４のＮＩＬＳは２．６７であり、膜厚が４６ｎｍの金（Ａｕ）とジルコニウム（Ｚｒ）とを原子数比率が９０：１０となるように含有した材料で形成され、位相差が２４８度の実施例３５のＮＩＬＳは２．７４であった。
　また、膜厚が４９ｎｍのイリジウム（Ｉｒ）とモリブデン（Ｍｏ）とを原子数比率が３０：７０となるように含有した材料で形成され、位相差が２０９度の実施例３６のＮＩＬＳは２．６３であり、膜厚が４５ｎｍのイリジウム（Ｉｒ）とモリブデン（Ｍｏ）とを原子数比率が９０：１０となるように含有した材料で形成され、位相差が２２７度の実施例３７のＮＩＬＳは２．７４であった。
　また、膜厚が４７ｎｍのイリジウム（Ｉｒ）とタングステン（Ｗ）とを原子数比率が５０：５０となるように含有した材料で形成され、位相差が２２５度の実施例３８のＮＩＬＳは２．６９であり、膜厚が４６ｎｍのイリジウム（Ｉｒ）とタングステン（Ｗ）とを原子数比率が９０：１０となるように含有した材料で形成され、位相差が２４０度の実施例３９のＮＩＬＳは２．７５であった。
　また、膜厚が４７ｎｍのイリジウム（Ｉｒ）とニオブ（Ｎｂ）とを原子数比率が５０：５０となるように含有した材料で形成され、位相差が２１４度の実施例４０のＮＩＬＳは２．６８であり、膜厚が４６ｎｍのイリジウム（Ｉｒ）とニオブ（Ｎｂ）とを原子数比率が９０：１０となるように含有した材料で形成され、位相差が２３７度の実施例４１のＮＩＬＳは２．７６であった。
　また、膜厚が４５ｎｍのイリジウム（Ｉｒ）とタンタル（Ｔａ）とを原子数比率が８５：１５となるように含有した材料で形成され、位相差が２１９度の実施例４２のＮＩＬＳは２．７１であり、膜厚が４６ｎｍのイリジウム（Ｉｒ）とタンタル（Ｔａ）とを原子数比率が９５：５となるように含有した材料で形成され、位相差が２４８度の実施例４３のＮＩＬＳは２．７４であった。
　また、膜厚が４５ｎｍのイリジウム（Ｉｒ）とバナジウム（Ｖ）とを原子数比率が６５：３５となるように含有した材料で形成され、位相差が２０１度の実施例４４のＮＩＬＳは２．６であり、膜厚が４６ｎｍのイリジウム（Ｉｒ）とバナジウム（Ｖ）とを原子数比率が９０：１０となるように含有した材料で形成され、位相差が２４０度の実施例４５のＮＩＬＳは２．７５であった。
　また、膜厚が４８ｎｍのレニウム（Ｒｅ）とモリブデン（Ｍｏ）とを原子数比率が４５：５５となるように含有した材料で形成され、位相差が２１３度の実施例４６のＮＩＬＳは２．６５であり、膜厚が４７ｎｍのレニウム（Ｒｅ）とモリブデン（Ｍｏ）とを原子数比率が９０：１０となるように含有した材料で形成され、位相差が２３４度の実施例４７のＮＩＬＳは２．７５であった。
　また、膜厚が４６ｎｍのレニウム（Ｒｅ）とタングステン（Ｗ）とを原子数比率が７５：２５となるように含有した材料で形成され、位相差が２１６度の実施例４８のＮＩＬＳは２．７１であり、膜厚が４６ｎｍのレニウム（Ｒｅ）とタングステン（Ｗ）とを原子数比率が９５：５となるように含有した材料で形成され、位相差が２２７度の実施例４９のＮＩＬＳは２．７４であった。
　また、膜厚が４８ｎｍのレニウム（Ｒｅ）とニオブ（Ｎｂ）とを原子数比率が７５：２５となるように含有した材料で形成され、位相差が２１３度の実施例５０のＮＩＬＳは２．７であり、膜厚が４６ｎｍのレニウム（Ｒｅ）とニオブ（Ｎｂ）とを原子数比率が９０：１０となるように含有した材料で形成され、位相差が２２４度の実施例５１のＮＩＬＳは２．７４であった。
　このように、屈折率ｎが小さい第３の材料群の元素に加えて、加工性と水素耐性に優れた第４の材料群の元素を含んだ材料で吸収層１４（吸収パターン層１４ａ）を形成した場合でも位相シフト効果が得られ、解像性が向上した。また、第３の材料群の元素の含有率が吸収層１４全体の元素の２０原子％以上である場合、ＮＩＬＳは良好であった。また、吸収層１４に含まれる第３の材料群の元素と第４の材料群の元素の組み合わせが同じ場合、第３の材料群の元素の含有率が多いほどＮＩＬＳがより良好であった。
　なお、本開示の反射型フォトマスクブランク及び反射型フォトマスクは、上記の実施形態及び実施例に限定されるものではなく、発明の特徴を損なわない範囲において種々の変更が可能である。
　本発明に係る反射型フォトマスクブランク及び反射型フォトマスクは、半導体集積回路などの製造工程において、ＥＵＶ露光によって微細なパターンを形成するために好適に用いることができる。
１１…基板
１２…反射層
１３…保護層
１４…吸収層
１４ａ…吸収パターン（吸収パターン層）
１５…裏面導電膜
１６…レジスト膜
１６ａ…レジストパターン
１００…反射型フォトマスクブランク
２００…反射型フォトマスク

Claims (18)

  1. 　基板と、
    　前記基板上に形成された多層膜構造を有するＥＵＶ光を反射する反射層と、
    　前記反射層上に形成され、該反射層を保護する保護層と、
    　前記保護層上に形成されたＥＵＶ光を吸収する吸収層と、を備え、
    　前記吸収層は、２００度以上２８０度以下の範囲内の位相差を有することを特徴とする反射型フォトマスクブランク。
  2. 　前記吸収層は、２１５度以上２７０度以下の範囲内の位相差を有することを特徴とする請求項１に記載の反射型フォトマスクブランク。
  3. 　前記吸収層は、２３０度以上２６０度以下の範囲内の位相差を有することを特徴とする請求項１に記載の反射型フォトマスクブランク。
  4. 　前記吸収層は、ＥＵＶ光に対する屈折率ｎが０．９３より小さいことを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の反射型フォトマスクブランク。
  5. 　前記吸収層は、ＥＵＶ光に対する屈折率ｎが０．９２より小さいことを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の反射型フォトマスクブランク。
  6. 　前記吸収層は、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｍｏ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｏｓ、Ｉｒ、及びＲｅのうち少なくとも１種類以上の元素を含む材料から構成されることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の反射型フォトマスクブランク。
  7. 　前記吸収層は、ＥＵＶ光に対する反射率が２％以上２０％以下の範囲内であることを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の反射型フォトマスクブランク。
  8. 　前記吸収層は、Ｐｔ、Ａｕ、Ｉｒ、及びＲｅのうち少なくとも１種類以上の元素を含む材料から構成されることを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の反射型フォトマスクブランク。
  9. 　前記吸収層は、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｂ、Ｈｇ、Ｆｅ、Ｔａ、Ｖ、Ｂｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｃ、Ｂ、Ｂｅ、及びＡｌのうち少なくとも１種類以上の元素をさらに含むことを特徴とする請求項６または請求項８に記載の反射型フォトマスクブランク。
  10. 　基板と、
    　前記基板上に形成された多層膜構造を有するＥＵＶ光を反射する反射層と、
    　前記反射層上に形成され、該反射層を保護する保護層と、
    　前記保護層上に形成され、パターンが形成されているＥＵＶ光を吸収する吸収パターン層と、を備え、
    　前記吸収パターン層は、２００度以上２８０度以下の範囲内の位相差を有することを特徴とする反射型フォトマスク。
  11. 　前記吸収パターン層は、２１５度以上２７０度以下の範囲内の位相差を有することを特徴とする請求項１０に記載の反射型フォトマスク。
  12. 　前記吸収パターン層は、２３０度以上２６０度以下の範囲内の位相差を有することを特徴とする請求項１０に記載の反射型フォトマスク。
  13. 　前記吸収パターン層は、ＥＵＶ光に対する屈折率ｎが０．９３より小さいことを特徴とする請求項１０から請求項１２のいずれか１項に記載の反射型フォトマスク。
  14. 　前記吸収パターン層は、ＥＵＶ光に対する屈折率ｎが０．９２より小さいことを特徴とする請求項１０から請求項１２のいずれか１項に記載の反射型フォトマスク。
  15. 　前記吸収パターン層は、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｍｏ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｏｓ、Ｉｒ、及びＲｅのうち少なくとも１種類以上の元素を含む材料から構成されることを特徴とする請求項１０から請求項１４のいずれか１項に記載の反射型フォトマスク。
  16. 　前記吸収パターン層は、ＥＵＶ光に対する反射率が２％以上２０％以下の範囲内であることを特徴とする請求項１０から請求項１５のいずれか１項に記載の反射型フォトマスク。
  17. 　前記吸収パターン層は、Ｐｔ、Ａｕ、Ｉｒ、及びＲｅのうち少なくとも１種類以上の元素を含む材料から構成されることを特徴とする請求項１０から請求項１６のいずれか１項に記載の反射型フォトマスク。
  18. 　前記吸収パターン層は、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｂ、Ｈｇ、Ｆｅ、Ｔａ、Ｖ、Ｂｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｃ、Ｂ、Ｂｅ、及びＡｌのうち少なくとも１種類以上の元素をさらに含むことを特徴とする請求項１５または請求項１７に記載の反射型フォトマスク。
PCT/JP2022/043116 2021-11-24 2022-11-22 反射型フォトマスクブランク及び反射型フォトマスク WO2023095769A1 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2021190273 2021-11-24
JP2021-190273 2021-11-24

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2023095769A1 true WO2023095769A1 (ja) 2023-06-01

Family

ID=86539435

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2022/043116 WO2023095769A1 (ja) 2021-11-24 2022-11-22 反射型フォトマスクブランク及び反射型フォトマスク

Country Status (1)

Country Link
WO (1) WO2023095769A1 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7392236B1 (ja) 2022-07-05 2023-12-06 Ａｇｃ株式会社 反射型マスクブランク、反射型マスク、反射型マスクブランクの製造方法、および反射型マスクの製造方法
WO2024029409A1 (ja) * 2022-08-03 2024-02-08 Ａｇｃ株式会社 反射型マスクブランク及び反射型マスク
US12001134B2 (en) 2022-07-05 2024-06-04 AGC Inc. Reflective mask blank, reflective mask, method of manufacturing reflective mask blank, and method of manufacturing reflective mask

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019225737A1 (ja) * 2018-05-25 2019-11-28 Hoya株式会社 反射型マスクブランク、反射型マスク、並びに反射型マスク及び半導体装置の製造方法
JP2020106639A (ja) * 2018-12-27 2020-07-09 Hoya株式会社 反射型マスクブランク、反射型マスク、及び半導体装置の製造方法
WO2021085382A1 (ja) * 2019-10-29 2021-05-06 Ａｇｃ株式会社 反射型マスクブランクおよび反射型マスク
WO2021132111A1 (ja) * 2019-12-27 2021-07-01 Ａｇｃ株式会社 Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランク、ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスク、およびそれらの製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019225737A1 (ja) * 2018-05-25 2019-11-28 Hoya株式会社 反射型マスクブランク、反射型マスク、並びに反射型マスク及び半導体装置の製造方法
JP2020106639A (ja) * 2018-12-27 2020-07-09 Hoya株式会社 反射型マスクブランク、反射型マスク、及び半導体装置の製造方法
WO2021085382A1 (ja) * 2019-10-29 2021-05-06 Ａｇｃ株式会社 反射型マスクブランクおよび反射型マスク
WO2021132111A1 (ja) * 2019-12-27 2021-07-01 Ａｇｃ株式会社 Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランク、ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスク、およびそれらの製造方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7392236B1 (ja) 2022-07-05 2023-12-06 Ａｇｃ株式会社 反射型マスクブランク、反射型マスク、反射型マスクブランクの製造方法、および反射型マスクの製造方法
US12001134B2 (en) 2022-07-05 2024-06-04 AGC Inc. Reflective mask blank, reflective mask, method of manufacturing reflective mask blank, and method of manufacturing reflective mask
WO2024029409A1 (ja) * 2022-08-03 2024-02-08 Ａｇｃ株式会社 反射型マスクブランク及び反射型マスク

Also Published As

Publication number Publication date
TW202336519A (zh) 2023-09-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2023095769A1 (ja) 反射型フォトマスクブランク及び反射型フォトマスク
JP7193344B2 (ja) 反射型マスクブランク、反射型マスクの製造方法、及び半導体装置の製造方法
US20060222961A1 (en) Leaky absorber for extreme ultraviolet mask
WO2020100632A1 (ja) 反射型フォトマスクブランク及び反射型フォトマスク
JP7346088B2 (ja) 反射型フォトマスクブランクス及び反射型フォトマスク
JP7475154B2 (ja) 反射型マスクブランク、反射型マスク、導電膜付き基板、及び半導体装置の製造方法
JP2018120009A (ja) 反射型フォトマスク及び反射型フォトマスクブランク
WO2021085192A1 (ja) 反射型マスク及び反射型マスクの製造方法
JP7059679B2 (ja) 反射型フォトマスクブランク及び反射型フォトマスク
WO2021106954A1 (ja) 反射型フォトマスクブランク及び反射型フォトマスク
WO2023190696A1 (ja) 反射型フォトマスクブランク及び反射型フォトマスク
TWI837962B (zh) 反射型空白光罩及反射型光罩
WO2022264832A1 (ja) 反射型フォトマスク及び反射型フォトマスクの製造方法
WO2022172878A1 (ja) 反射型フォトマスクブランク及び反射型フォトマスク
JP7421411B2 (ja) 反射型フォトマスクブランク及び反射型フォトマスク
WO2021230297A1 (ja) 反射型マスクブランク及び反射型マスク
WO2022153657A1 (ja) 反射型フォトマスクブランク及び反射型フォトマスク
JP2024064236A (ja) 反射型フォトマスク及び反射型フォトマスクの製造方法
WO2022172916A1 (ja) 反射型フォトマスクブランク及び反射型フォトマスク
JP7409861B2 (ja) 反射型マスクブランク、反射型マスク、反射型マスクの製造方法、及び反射型マスクの修正方法
JP2024069789A (ja) 反射型フォトマスクブランク及び反射型フォトマスク
US20210389662A1 (en) Phase shift mask for extreme ultraviolet lithography and a method of manufacturing a semiconductor device using the same
TW202331406A (zh) 反射型光罩基底、反射型光罩、反射型光罩之製造方法
JP2021067787A (ja) 反射型フォトマスク及び反射型フォトマスクブランク

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 22898552

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2023563685

Country of ref document: JP