JP2018120009A - 反射型フォトマスク及び反射型フォトマスクブランク - Google Patents
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Abstract
Description
従って、EUVマスクを用いる露光光学系では、マスクへの入射光と反射光が同軸上に設計できず、6度程度光軸を傾けてマスクへ入射した光の反射光を半導体基板(ウェハ)に導き、ウェハ上に塗布された感光性樹脂を感光させる手法が採用されている。
基板上に、多層反射層、保護膜、吸収膜層パターンをこの順に備えた反射型フォトマスクであって、前記吸収膜層パターンは、基板に遠い側から第1の吸収膜パターンと第2の吸収膜パターンの2層膜構造からなり、
前記第1の吸収膜パターンは、波長13.5nmにおける消衰係数が0.06以上の高吸収材料であり、前記第2の吸収膜パターンは、波長13.5nmにおける消衰係数が0.02以下の低吸収材料であり、かつ、
前記吸収膜層パターンは、波長13.5nmにおける位相差が160度〜200度であり、反射率が1%〜40%であることを特徴とする反射型フォトマスクとしたものである。
前記第1の吸収膜パターンと第2の吸収膜パターンは、いずれか一方の吸収膜パターンがSn及びそれらの酸化物、窒化物、酸窒化物からなる群より選択される少なくとも一種の原子または分子を主たる構成要素とし、他方の吸収膜パターンがMo及びそれらの酸化物、窒化物、酸窒化物からなる群より選択される少なくとも一種の原子または分子を主たる構成要素とすることを特徴とする請求項1に記載の反射型フォトマスクとしたものである。
基板上に多層反射層、保護膜、吸収膜層をこの順に備えた反射型フォトマスクブランクであって、
前記吸収膜層は、基板に遠い側から第1の吸収膜と第2の吸収膜の2層膜構造からなり、前記第1の吸収膜は、波長13.5nmにおける消衰係数が0.06以上の高吸収材料であり、前記第2の吸収膜は、波長13.5nmにおける消衰係数が0.02以下の低吸収材料であり、かつ、
前記吸収膜層は、波長13.5nmにおける位相差が160度〜200度であり、反射率が1%〜40%であることを特徴とする反射型フォトマスクブランクとしたものである。
前記第1の吸収膜と第2の吸収膜は、いずれか一方の吸収膜がSn及びそれらの酸化物、窒化物、酸窒化物からなる群より選択される少なくとも一種の原子または分子を主たる構成要素とし、他方の吸収膜がMo及びそれらの酸化物、窒化物、酸窒化物からなる群より選択される少なくとも一種の原子または分子を主たる構成要素とすることを特徴とする請求項3に記載の反射型フォトマスクブランクとしたものである。
本発明の反射型フォトマスクブランク10は、基板1上に、多層反射層2、保護膜3、第2の吸収膜4、第1の吸収膜5をこの順に積層してなる。ここで、第2の吸収膜4と第1の吸収膜5とを総称して吸収膜層6とする。
図3(a)は、平坦な低熱膨張基板1上に多層反射層2が成膜され、その上に多層反射層2を保護する保護膜3が成膜され、さらにその上に第2の吸収膜4と第1の吸収膜5がこの順に成膜された反射型フォトマスクブランク10上に、電子線描画またはレーザー描画用のレジスト7がコーティングされ形成された形態を示している。
は、これらの原子、及び分子を成す原子数の和が、全原子数の90%以上であることを意味する。
尚、これらの計算において、保護膜は厚さ2.5nmのRu膜、多層反射層はSiとMoによる40対の多層膜として計算している。
またこのとき、吸収膜層の膜厚は44〜45nmであり、従来の吸収膜の膜厚が60〜70nmであることに比べると薄膜化できている。
2・・・・多層反射層
3・・・・保護膜
4・・・・第2の吸収膜
4a・・・第2の吸収膜パターン
5・・・・第1の吸収膜
5a・・・第1の吸収膜パターン
6・・・・吸収膜層
7・・・・レジスト
7a・・・レジストパターン
7b・・・膜減りしたレジストパターン
10・・・反射型フォトマスクブランク
14・・・第2の吸収膜パターン
15・・・第1の吸収膜パターン
16・・・吸収膜層パターン
20・・・反射型フォトマスク
I・・・入射光
R・・・吸収層における反射光
R0・・・多層反射層+保護層における反射光
Claims (4)
- 基板上に、多層反射層、保護膜、吸収膜層パターンをこの順に備えた反射型フォトマスクであって、前記吸収膜層パターンは、基板に遠い側から第1の吸収膜パターンと第2の吸収膜パターンの2層膜構造からなり、
前記第1の吸収膜パターンは、波長13.5nmにおける消衰係数が0.06以上の高吸収材料であり、前記第2の吸収膜パターンは、波長13.5nmにおける消衰係数が0.02以下の低吸収材料であり、かつ、
前記吸収膜層パターンは、波長13.5nmにおける位相差が160度〜200度であり、反射率が1%〜40%であることを特徴とする反射型フォトマスク。 - 前記第1の吸収膜パターンと第2の吸収膜パターンは、いずれか一方の吸収膜パターンがSn及びそれらの酸化物、窒化物、酸窒化物からなる群より選択される少なくとも一種の原子または分子を主たる構成要素とし、他方の吸収膜パターンがMo及びそれらの酸化物、窒化物、酸窒化物からなる群より選択される少なくとも一種の原子または分子を主たる構成要素とすることを特徴とする請求項1に記載の反射型フォトマスク。
- 基板上に多層反射層、保護膜、吸収膜層をこの順に備えた反射型フォトマスクブランクであって、
前記吸収膜層は、基板に遠い側から第1の吸収膜と第2の吸収膜の2層膜構造からなり、前記第1の吸収膜は、波長13.5nmにおける消衰係数が0.06以上の高吸収材料であり、前記第2の吸収膜は、波長13.5nmにおける消衰係数が0.02以下の低吸収材料であり、かつ、
前記吸収膜層は、波長13.5nmにおける位相差が160度〜200度であり、反射率が1%〜40%であることを特徴とする反射型フォトマスクブランク。 - 前記第1の吸収膜と第2の吸収膜は、いずれか一方の吸収膜がSn及びそれらの酸化物、窒化物、酸窒化物からなる群より選択される少なくとも一種の原子または分子を主たる構成要素とし、他方の吸収膜がMo及びそれらの酸化物、窒化物、酸窒化物からなる群より選択される少なくとも一種の原子または分子を主たる構成要素とすることを特徴とする請求項3に記載の反射型フォトマスクブランク。
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