JP5194547B2 - 極端紫外線露光用マスク及びマスクブランク - Google Patents
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Description
る極端紫外線露光用マスクにおいて、前記多層膜はMoとSiを交互に積層した多層膜であり、キャッピング膜の直下にある膜がSiであり、前記キャッピング膜がZrSi 2 、ZrSiO、またはRuで形成され、前記多層膜の、キャッピング膜の直下にあるSiの膜厚は、Moと交互に積層する場合のSiの厚さとは異なり、前記多層膜と前記キャッピング膜からなる部分の極端紫外線に対する反射率が、前記キャッピング膜の2nmから4nmの範囲の厚さの変化に対して、1%以内の変化量であることを特徴とする極端紫外線露光用マスクとしたものである。
ャッピング膜直下のSi膜厚に依存している。
Mo膜厚(2.8nm)+Si膜厚(4.2nm)=7.0nm
の4分の1倍(図3(b))、若しくは4分の5倍(図4(g))のときに、キャッピング膜厚がほぼ2nmから5nmの薄い領域に反射率が変化しにくい領域が出来ていることが分る。
2・・・・多層膜
2a・・・Mo膜
2b・・・Si膜
2c・・・多層膜最上Si膜
3・・・・キャッピング膜
4・・・・緩衝膜
5・・・・吸収膜パターン
6・・・・入射EUV光
7・・・・反射EUV光(反射率R)
Claims (6)
- 基板上に形成された多層膜と、前記多層膜上にあり、前記多層膜を保護するキャッピング膜と、パターン状に形成された吸収膜を少なくとも具備する極端紫外線露光用マスクにおいて、
前記多層膜はMoとSiを交互に積層した多層膜であり、キャッピング膜の直下にある膜がSiであり、キャッピング膜がZrSi 2 又はZrSiOで形成され、キャッピング膜直下のSi膜厚が、多層膜の1周期の4分の1倍もしくは4分の5倍であり、
前記多層膜と前記キャッピング膜からなる部分の極端紫外線に対する反射率が、前記キャッピング膜の2nmから4nmの範囲の厚さの変化に対して、1%以内の変化量であることを特徴とする極端紫外線露光用マスク。 - 基板上に形成された多層膜と、前記多層膜上にあり、前記多層膜を保護するキャッピング膜と、パターン状に形成された吸収膜を少なくとも具備する極端紫外線露光用マスクにおいて、
前記多層膜はMoとSiを交互に積層した多層膜であり、キャッピング膜の直下にある膜がSiであり、
キャッピング膜がRuで形成され、キャッピング膜直下のSi膜厚が、0を含めた多層膜の1周期分の整数倍から、それに加えて多層膜の1周期分の4分の1倍までの領域を除いた値であり、
前記多層膜と前記キャッピング膜からなる部分の極端紫外線に対する反射率が、前記キャッピング膜の2nmから4nmの範囲の厚さの変化に対して、1%以内の変化量であ
ることを特徴とする極端紫外線露光用マスク。 - 基板上に形成された多層膜と、前記多層膜上にあり、前記多層膜を保護するキャッピング膜と、パターン状に形成された吸収膜を少なくとも具備する極端紫外線露光用マスクにおいて、
前記多層膜はMoとSiを交互に積層した多層膜であり、キャッピング膜の直下にある膜がSiであり、
前記キャッピング膜がZrSi 2 、ZrSiO、またはRuで形成され、
前記多層膜の、キャッピング膜の直下にあるSiの膜厚は、Moと交互に積層する場合のSiの厚さとは異なり、
前記多層膜と前記キャッピング膜からなる部分の極端紫外線に対する反射率が、前記キャッピング膜の2nmから4nmの範囲の厚さの変化に対して、1%以内の変化量であることを特徴とする極端紫外線露光用マスク。 - 請求項1に記載の極端紫外線露光用マスクを製造するための極端紫外線露光用マスクブランク。
- 請求項2に記載の極端紫外線露光用マスクを製造するための極端紫外線露光用マスクブランク。
- 請求項3に記載の極端紫外線露光用マスクを製造するための極端紫外線露光用マスクブランク。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007116758A JP5194547B2 (ja) | 2007-04-26 | 2007-04-26 | 極端紫外線露光用マスク及びマスクブランク |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007116758A JP5194547B2 (ja) | 2007-04-26 | 2007-04-26 | 極端紫外線露光用マスク及びマスクブランク |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008277398A JP2008277398A (ja) | 2008-11-13 |
JP5194547B2 true JP5194547B2 (ja) | 2013-05-08 |
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ID=40055040
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2007116758A Expired - Fee Related JP5194547B2 (ja) | 2007-04-26 | 2007-04-26 | 極端紫外線露光用マスク及びマスクブランク |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5194547B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5453855B2 (ja) * | 2009-03-11 | 2014-03-26 | 凸版印刷株式会社 | 反射型フォトマスクブランク及び反射型フォトマスク |
JP6069919B2 (ja) | 2012-07-11 | 2017-02-01 | 旭硝子株式会社 | Euvリソグラフィ用反射型マスクブランクおよびその製造方法、ならびに該マスクブランク用の反射層付基板およびその製造方法 |
DE102012222466A1 (de) * | 2012-12-06 | 2014-06-12 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Reflektives optisches Element für die EUV-Lithographie |
US20240134265A1 (en) * | 2021-03-02 | 2024-04-25 | Hoya Corporation | Substrate with multilayer reflective film, reflective mask blank, reflective mask, and method for manufacturing semiconductor device |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5371162B2 (ja) * | 2000-10-13 | 2013-12-18 | 三星電子株式会社 | 反射型フォトマスク |
JP2004342734A (ja) * | 2003-05-14 | 2004-12-02 | Hoya Corp | 反射型マスクブランクス及び反射型マスク |
JP4613499B2 (ja) * | 2004-03-04 | 2011-01-19 | 凸版印刷株式会社 | 極限紫外線露光用マスク、ブランク、およびマスクの製造方法、並びにパターン転写方法 |
JP4703354B2 (ja) * | 2005-10-14 | 2011-06-15 | Hoya株式会社 | 多層反射膜付き基板、その製造方法、反射型マスクブランクおよび反射型マスク |
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2007
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2008277398A (ja) | 2008-11-13 |
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A621 | Written request for application examination |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Written amendment |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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