JP4907688B2 - フォトマスクブランク及びフォトマスク、並びにフォトマスクを用いたパターン転写方法 - Google Patents
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Description
透光性基板2として、両主表面及び端面が精密研磨された6インチ×6インチ×0.25インチの石英ガラス基板を用いて、実施例1と同様の手順で遮光層3として膜厚500オングストロームのCr膜、反射率低減膜4として膜厚180オングストロームのCrO膜を形成し、しかる後、スクラブ洗浄を行ってフォトマスクブランク1を得た。つまり、比較例2は、実施例1のフォトマスクブランクから本発明の必須構成である「反射防止膜6」が欠落した構成である。
透光性基板2として、両主表面及び端面が精密研磨された6インチ×6インチ×0.25インチの石英ガラス基板を用いて、実施例2および実施例3と同様の手順で遮光膜(層)3としてCrC膜、反射率低減膜(層)4としてCrON膜を合計800オングストロームとなるように連続的に形成し、しかる後、スクラブ洗浄を行ってフォトマスクブランク1を得た。つまり、比較例2は、実施例2および実施例3のフォトマスクブランクから本発明の必須構成である「反射防止膜6」が欠落した構成である。
2:透光性基板
3:遮光膜
4:反射率低減膜
6:反射防止膜
7:レジスト
11:フォトマスク
Claims (16)
- 透光性基板上に、金属を主成分とする一層又は多層の遮光膜を有するフォトマスクブランクであって、
前記フォトマスクブランクは、200nm以下の露光波長に供されるフォトマスクを製造するために用いられ、
前記遮光膜上に、シリコンと、酸素及び/又は窒素とを少なくとも含む反射防止膜を有し、
前記遮光膜は、前記遮光膜の材料のエッチングに対して前記反射防止膜の材料が耐性があるような材料とすることを特徴とするフォトマスクブランク。 - 前記遮光膜は、塩素系ガスを用いたドライエッチングが可能な材料からなり、前記反射防止膜は、フッ素系ガスを用いたドライエッチングが可能な材料からなることを特徴とする請求項1に記載のフォトマスクブランク。
- 前記遮光膜における金属がタンタル又はこの金属と他の金属との合金、あるいは、前記金属又は合金に、酸素、窒素、炭素、ホウ素又は水素を一種又は二種以上含む材料から選択されることを特徴とする請求項1又は2に記載のフォトマスクブランク。
- 前記遮光膜における金属がクロム又はこの金属と他の金属との合金、あるいは、前記金属又は合金に、酸素、窒素、炭素、ホウ素又は水素を一種又は二種以上含む材料から選択されることを特徴とする請求項1又は2に記載のフォトマスクブランク。
- 前記遮光膜における金属がタングステン又はこの金属と他の金属との合金、あるいは、前記金属又は合金に、酸素、窒素、炭素、ホウ素又は水素を一種又は二種以上含む材料から選択されることを特徴とする請求項1又は2に記載のフォトマスクブランク。
- 前記反射防止膜は、金属を含むことを特徴とする請求項1〜5から選ばれる一項に記載のフォトマスクブランク。
- 前記遮光膜と前記反射防止膜との間に、前記反射防止膜に対してエッチング耐性を有する材料からなる反射率低減膜を有することを特徴とする請求項1〜6から選ばれる一項に記載のフォトマスクブランク。
- 前記遮光膜と前記反射防止膜との間に、前記反射防止膜を構成する材料の屈折率よりも小さい屈折率を有する材料からなる反射率低減膜を有することを特徴とする請求項1〜7から選ばれる一項に記載のフォトマスクブランク。
- 前記遮光膜と前記反射防止膜との間に、前記反射防止膜を構成する材料の屈折率よりも小さい屈折率を有する材料からなる反射率低減膜を有し、
150〜300nmの波長帯域に亘って表面反射率が15%以下であることを特徴とする請求項1〜7から選ばれる一項に記載のフォトマスクブランク。 - 前記遮光膜と前記反射防止膜との間に、前記反射防止膜を構成する材料の屈折率よりも小さい屈折率を有する材料からなる反射率低減膜を有し、
150〜250nmの波長帯域に亘って表面反射率が10%以下であることを特徴とする請求項1〜7から選ばれる一項に記載のフォトマスクブランク。 - 前記遮光膜と前記反射防止膜との間に、前記遮光膜を構成する材料の屈折率よりも大きく前記反射防止膜を構成する材料の屈折率よりも小さい屈折率を有する材料からなる反射率低減膜を有することを特徴とする請求項1〜10から選ばれる一項に記載のフォトマスクブランク。
- 前記反射率低減膜は、クロムを含むことを特徴とする請求項7〜11から選ばれる一項に記載のフォトマスクブランク。
- 前記反射防止膜の透過率は、200nm以下の波長に対して70%以上であり、前記反射率低減膜の透過率よりも高いことを特徴とする請求項7〜12のいずれかに記載のフォトマスクブランク。
- 前記透光性基板と前記遮光膜との間に、位相シフト層を有することを特徴とする請求項1〜13のいずれかに記載のフォトマスクブランク。
- 請求項1〜14のいずれかに記載のフォトマスクブランクを用いて製造されたことを特徴とするフォトマスク。
- 請求項15に記載のフォトマスクを用いてパターン転写を行うことを特徴とするパターン転写方法。
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KR101394715B1 (ko) * | 2003-04-09 | 2014-05-15 | 호야 가부시키가이샤 | 포토 마스크의 제조방법 및 포토 마스크 블랭크 |
US7521292B2 (en) | 2004-06-04 | 2009-04-21 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Stretchable form of single crystal silicon for high performance electronics on rubber substrates |
KR101260981B1 (ko) | 2004-06-04 | 2013-05-10 | 더 보오드 오브 트러스티스 오브 더 유니버시티 오브 일리노이즈 | 인쇄가능한 반도체소자들의 제조 및 조립방법과 장치 |
TW200609666A (en) * | 2004-07-09 | 2006-03-16 | Hoya Corp | Photomask blank, photomask manufacturing method and semiconductor device manufacturing method |
JP2006078825A (ja) * | 2004-09-10 | 2006-03-23 | Shin Etsu Chem Co Ltd | フォトマスクブランクおよびフォトマスクならびにこれらの製造方法 |
TWI375114B (en) * | 2004-10-22 | 2012-10-21 | Shinetsu Chemical Co | Photomask-blank, photomask and fabrication method thereof |
CN102176465B (zh) * | 2005-06-02 | 2014-05-07 | 伊利诺伊大学评议会 | 可印刷半导体结构以及相关制造和组装方法 |
JP5178996B2 (ja) * | 2005-06-23 | 2013-04-10 | 凸版印刷株式会社 | 反射型フォトマスクブランク、反射型フォトマスク、ならびにこれを用いたパターン転写方法 |
JP5036544B2 (ja) * | 2005-09-09 | 2012-09-26 | Hoya株式会社 | フォトマスクブランク、及びフォトマスクとその製造方法、並びに半導体装置の製造方法 |
JP4726010B2 (ja) * | 2005-11-16 | 2011-07-20 | Hoya株式会社 | マスクブランク及びフォトマスク |
TWI451191B (zh) * | 2005-12-26 | 2014-09-01 | Hoya Corp | A manufacturing method of a mask blank and a mask, and a method of manufacturing the semiconductor device |
TWI569092B (zh) * | 2005-12-26 | 2017-02-01 | Hoya Corp | A mask substrate and a mask for manufacturing a flat panel display device |
JP4551344B2 (ja) * | 2006-03-02 | 2010-09-29 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランクおよびフォトマスク |
JP4883278B2 (ja) * | 2006-03-10 | 2012-02-22 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランク及びフォトマスクの製造方法 |
JP4509050B2 (ja) * | 2006-03-10 | 2010-07-21 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランク及びフォトマスク |
JP4737426B2 (ja) * | 2006-04-21 | 2011-08-03 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランク |
US7949220B2 (en) * | 2006-07-20 | 2011-05-24 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Hybrid optical/electrical mixed circuit board |
DE102007028800B4 (de) * | 2007-06-22 | 2016-11-03 | Advanced Mask Technology Center Gmbh & Co. Kg | Maskensubstrat, Photomaske und Verfahren zur Herstellung einer Photomaske |
TWI457696B (zh) * | 2008-03-31 | 2014-10-21 | Hoya Corp | 空白光罩、光罩及空白光罩之製造方法 |
JP5372403B2 (ja) * | 2008-05-01 | 2013-12-18 | Hoya株式会社 | 多階調フォトマスク、及びパターン転写方法 |
WO2010050520A1 (ja) * | 2008-10-30 | 2010-05-06 | 旭硝子株式会社 | Euvリソグラフィ用反射型マスクブランク |
JP5658435B2 (ja) * | 2009-03-31 | 2015-01-28 | リンテック株式会社 | マスクフィルム用部材、それを用いたマスクフィルムの製造方法及び感光性樹脂印刷版の製造方法 |
JP5201361B2 (ja) * | 2009-05-15 | 2013-06-05 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランクの加工方法 |
JP5257256B2 (ja) * | 2009-06-11 | 2013-08-07 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクの製造方法 |
JP2012002908A (ja) * | 2010-06-15 | 2012-01-05 | Toshiba Corp | フォトマスク |
KR20120069006A (ko) * | 2010-11-02 | 2012-06-28 | 삼성전기주식회사 | 포토마스크 |
WO2012158709A1 (en) | 2011-05-16 | 2012-11-22 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Thermally managed led arrays assembled by printing |
JP2011228743A (ja) * | 2011-07-26 | 2011-11-10 | Toppan Printing Co Ltd | 反射型フォトマスクブランク、反射型フォトマスク、ならびにこれを用いたパターン転写方法 |
JP5474129B2 (ja) * | 2012-05-24 | 2014-04-16 | 信越化学工業株式会社 | 半透明積層膜の設計方法およびフォトマスクブランクの製造方法 |
JP5701946B2 (ja) * | 2013-08-14 | 2015-04-15 | Hoya株式会社 | 位相シフトマスクの製造方法 |
WO2018074512A1 (ja) * | 2016-10-21 | 2018-04-26 | Hoya株式会社 | 反射型マスクブランク、反射型マスクの製造方法、及び半導体装置の製造方法 |
JP6998181B2 (ja) | 2017-11-14 | 2022-02-04 | アルバック成膜株式会社 | マスクブランク、位相シフトマスクおよびその製造方法 |
WO2019177116A1 (ja) * | 2018-03-15 | 2019-09-19 | 大日本印刷株式会社 | 大型フォトマスク |
JP7254599B2 (ja) * | 2019-04-15 | 2023-04-10 | アルバック成膜株式会社 | マスクブランクスの製造方法および位相シフトマスクの製造方法 |
JP7303077B2 (ja) | 2019-09-10 | 2023-07-04 | アルバック成膜株式会社 | マスクブランクスの製造方法及びフォトマスクの製造方法、マスクブランクス及びフォトマスク |
JP7331793B2 (ja) * | 2020-06-30 | 2023-08-23 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクの製造方法及びフォトマスクブランク |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59139034A (ja) * | 1983-01-31 | 1984-08-09 | Hoya Corp | フオトマスクブランク |
JP3041802B2 (ja) * | 1990-04-27 | 2000-05-15 | ホーヤ株式会社 | フォトマスクブランク及びフォトマスク |
JP3037763B2 (ja) * | 1991-01-31 | 2000-05-08 | ホーヤ株式会社 | フォトマスクブランク及びその製造方法、並びにフォトマスク及びその製造方法 |
JPH0695363A (ja) * | 1992-09-11 | 1994-04-08 | Toppan Printing Co Ltd | フォトマスクブランク及びその製造方法並びにフォトマスク |
JPH07159974A (ja) | 1993-12-09 | 1995-06-23 | Ryoden Semiconductor Syst Eng Kk | パターン転写マスクおよびその製造方法 |
JP2000012428A (ja) * | 1998-06-19 | 2000-01-14 | Canon Inc | X線マスク構造体、該x線マスク構造体を用いたx線露光方法、前記x線マスク構造体を用いたx線露光装置、前記x線マスク構造体を用いた半導体デバイスの製造方法、および該製造方法によって製造された半導体デバイス |
KR100424853B1 (ko) * | 1998-07-31 | 2004-03-27 | 호야 가부시키가이샤 | 포토마스크 블랭크, 포토마스크, 이들의 제조방법 및미세패턴의 형성방법 |
JP2983020B1 (ja) * | 1998-12-18 | 1999-11-29 | ホーヤ株式会社 | ハーフトーン型位相シフトマスクブランク及びハーフトーン型位相シフトマスク |
KR100322537B1 (ko) * | 1999-07-02 | 2002-03-25 | 윤종용 | 블랭크 마스크 및 이를 이용한 위상 반전 마스크 제조방법 |
US6472107B1 (en) * | 1999-09-30 | 2002-10-29 | Photronics, Inc. | Disposable hard mask for photomask plasma etching |
JP2001201842A (ja) * | 1999-11-09 | 2001-07-27 | Ulvac Seimaku Kk | 位相シフトフォトマスクブランクス及び位相シフトフォトマスク並びに半導体装置の製造方法 |
JP4686006B2 (ja) * | 2000-04-27 | 2011-05-18 | 大日本印刷株式会社 | ハーフトーン位相シフトフォトマスクとハーフトーン位相シフトフォトマスク用ブランクス、及びハーフトーン位相シフトフォトマスクの製造方法 |
JP4497263B2 (ja) | 2000-11-20 | 2010-07-07 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランクス及びその製造方法 |
JP2002229183A (ja) * | 2000-12-01 | 2002-08-14 | Hoya Corp | リソグラフィーマスクブランク及びその製造方法 |
KR100375218B1 (ko) * | 2000-12-07 | 2003-03-07 | 삼성전자주식회사 | 반사 방지막 및 자기정렬 콘택 기술을 사용하는 반도체 소자의 제조 방법 및 그에 의해 제조된 반도체 소자 |
JP4088742B2 (ja) * | 2000-12-26 | 2008-05-21 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランクス、フォトマスク及びフォトマスクブランクスの製造方法 |
JP4696365B2 (ja) * | 2001-01-30 | 2011-06-08 | 凸版印刷株式会社 | レベンソン型位相シフトマスク |
JP4020242B2 (ja) * | 2001-09-28 | 2007-12-12 | Hoya株式会社 | マスクブランク、及びマスク |
US7166392B2 (en) * | 2002-03-01 | 2007-01-23 | Hoya Corporation | Halftone type phase shift mask blank and halftone type phase shift mask |
EP2317383A3 (en) | 2002-04-11 | 2011-12-28 | HOYA Corporation | Reflective mask blank, reflective mask and methods of producing the mask blank and the mask |
JP4212025B2 (ja) | 2002-07-04 | 2009-01-21 | Hoya株式会社 | 反射型マスクブランクス及び反射型マスク並びに反射型マスクの製造方法 |
-
2004
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