JP5474129B2 - 半透明積層膜の設計方法およびフォトマスクブランクの製造方法 - Google Patents
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Description
前記位相進行膜につき、k(+)>a1・n(+)+b1
前記位相遅延膜につき、k(−)<a2・n(−)+b2
の関係を満足させることを特徴とする。
ここで、
a1=0.113・d(+)+0.774
b1=−0.116・d(+)−0.281
a2=0.113・d(-)+0.774
b2=−0.116・d(-)−0.281
本比較例は、従来から知られている単純な構成の半透明膜の諸特性を、実施例1の本発明の半透明積層膜の諸特性と比較した結果について説明するものである。
本実施例では、本発明のフォトマスクブランクを使用して位相シフトマスクを得るための製造プロセスを説明する。
12 半透明積層膜
13 第1の半透明膜
14 第2の半透明膜
15 遮光性膜
16 第1のレジストパターン
17 第2のレジストパターン
18 溝部
19 半遮光部
20 位相シフタ(位相シフト部)
21 開口部
Claims (4)
- 膜中を透過する光の位相を空気中を伝播する場合に比較して進行させる位相進行膜と遅延させる位相遅延膜とが積層された半透明積層膜の設計方法であって、
前記位相進行膜および前記位相遅延膜の膜厚(nm)をd(+)およびd(-)とし、該膜中を透過する光に対する屈折率をn(+)およびn(−)、消衰係数をk(+)およびk(−)としたとき、
前記位相進行膜につき、k(+)>a1・n(+)+b1
前記位相遅延膜につき、k(−)<a2・n(−)+b2
の関係を満足させる、ことを特徴とする半透明積層膜の設計方法。
ここで、
a1=0.113・d(+)+0.774
b1=−0.116・d(+)−0.281
a2=0.113・d(-)+0.774
b2=−0.116・d(-)−0.281 - 請求項1に記載の方法により半透明積層膜を設計し、透明基板上に前記半透明積層膜を形成した後に、該半透明積層膜に150℃以上600℃以下の温度で熱処理を施すステップを備えている、ことを特徴とするフォトマスクブランクの製造方法。
- 前記熱処理温度は200℃以上600℃以下である、請求項2に記載のフォトマスクブランクの製造方法。
- 前記熱処理温度は300℃以上600℃以下である、請求項3に記載のフォトマスクブランクの製造方法。
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