KR100424853B1 - 포토마스크 블랭크, 포토마스크, 이들의 제조방법 및미세패턴의 형성방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (36)
- 차광기능을 갖는 박막으로서, Cr,Ti,Ni,Cu,Mo,Ta,W 등의 전이 금속 중 하나 또는 복수개 또는 그들의 화합물을 포함하는 박막을, 투명기판상에 형성한 포토 마스크 블랭크에 있어서,상기 박막중에 헬륨을 포함시키므로써, 헬륨이 포함되지 않은 경우에 비해 막응력을 적게할 수 있는 것을 특징으로 하는 포토 마스크 블랭크.
- 제1항에 있어서, 상기 박막 중의 헬륨 함유량은 상기 투명기판에 박막이 형성되지 않은 때의 평탄도를 초기치로하고, 그 초기치와 투명기판 상에 상기 박막을 형성한 때의 평탄도와의 차를 나타내는 평탄도 변화량이 2㎛이하가 되도록 하는 것을 특징으로 하는 포토 마스크 블랭크.
- 차광기능을 갖는 박막으로서, Cr,Ti,Ni,Cu,Mo,Ta,W 등의 전이 금속 중 하나 또는 복수개 또는 그들의 화합물을 포함하는 박막을, 투명기판상에 형성한 포토 마스크 블랭크에 있어서,상기 박막은, 분위기 가스가 도입된 진공 챔버 내에, 스퍼터 타겟을 배치하여, 스퍼터링에 의해 형성되고,상기 분위기 가스 중에 포함된 헬륨 가스 함유량이 30-90 부피%이고,상기 스퍼터 타겟은, Cr,Ti,Ni,Cu,Mo,Ta,W 등의 전이 금속 중 하나 또는 복수개 또는 그들의 화합물을 포함하는 것으로서,상기 스퍼터링에 의한 막형성 과정의 퇴적 속도가, 0.5㎚/sec - 6㎚/sec인 것을 특징으로 하는 포토 마스크 블랭크.
- 제1항에 있어서, 상기 박막은 Cr,Ti,Ni,Cu,Mo,Ta,W 등의 전이 금속 중 하나 또는 복수개 또는 그들의 화합물 및 헬륨을 포함하는 것 외에, 탄소 및 산소 중 하나 또는 양자를 포함하는 막인 것을 특징으로 하는 포토 마스크 블랭크.
- 제2항에 있어서, 상기 박막은 Cr,Ti,Ni,Cu,Mo,Ta,W 등의 전이 금속 중 하나 또는 복수개 또는 그들의 화합물 및 헬륨을 포함하는 것 외에, 탄소 및 산소 중 하나 또는 양자를 포함하는 막인 것을 특징으로 하는 포토 마스크 블랭크.
- 제4항에 있어서, 상기 박막은 Cr,Ti,Ni,Cu,Mo,Ta,W 등의 전이 금속 중 하나 또는 복수개 또는 그들의 화합물, 헬륨 및 탄소를 포함하는 차광층과, Cr,Ti,Ni,Cu,Mo,Ta,W 등의 전이금속 중 하나 또는 복수개 또는 그들의 화합물 및 산소를 포함하는 반사방지층을 갖는 적층막인 것을 특징으로 하는 포토 마스크 블랭크.
- 제5항에 있어서, 상기 박막은 Cr,Ti,Ni,Cu,Mo,Ta,W 등의 전이 금속 중 하나 또는 복수개 또는 그들의 화합물, 헬륨 및 탄소를 포함하는 차광층과, Cr,Ti,Ni,Cu,Mo,Ta,W 등의 전이 금속 중 하나 또는 복수개 또는 그들의 화합물 및 산소를 포함하는 반사방지층을 갖는 적층막인 것을 특징으로 하는 포토 마스크 블랭크.
- 제6항에 있어서, 상기 박막은 박막표면쪽으로부터 투명기판쪽을 향해 산소가 연속적으로 감소하고 또한 탄소가 연속적으로 증가하고 있는 것을 특징으로 하는 포토마스크 블랭크.
- 제7항에 있어서, 상기 박막은 박막표면쪽으로부터 투명기판쪽을 향해 산소가 연속적으로 감소하고 또한 탄소가 연속적으로 증가하고 있는 것을 특징으로 하는 포토마스크 블랭크.
- 제6항에 있어서, 탄소를 25at%까지, 산소를 70at%까지 포함하는 것을 특징으로 포토마스크 블랭크.
- 제7항에 있어서, 탄소를 25at%까지, 산소를 70at%까지 포함하는 것을 특징으로 포토마스크 블랭크.
- 제4항에 있어서, 상기 박막에 질소가 더 함유되어 있는 것을 특징으로 포토마스크 블랭크.
- 제5항에 있어서, 상기 박막에 질소가 더 함유되어 있는 것을 특징으로 포토마스크 블랭크.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 박막의 결정입자는 1∼7nm인 것을 특징으로 하는 포토마스크 블랭크.
- 제12항에 있어서, 상기 투명기판과 박막과의 사이에 상기 박막에 함유되어 있는 동일한 금속재료와 질소를 포함하는 질화막이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 포토마스크 블랭크.
- 제13항에 있어서, 상기 투명기판과 박막과의 사이에 상기 박막에 함유되어 있는 동일한 금속재료와 질소를 포함하는 질화막이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 포토마스크 블랭크.
- 제15항 또는 제16항에 있어서, 상기 박막은 박막표면으로부터 투명기판쪽을 향해 산소가 연속적으로 감소하고 또한 탄소가 연속적으로 증가하고 있으며, 상기 질화막에 있어서의 질소는 상기 박막에 함유된 질소의 함유량보다 상대적으로 많이 함유됨과 동시에, 상기 질화막의 질소가 증가함에 따라 상기 금속은 감소하는 것을 특징으로 하는 포토마스크 블랭크.
- 제1항 내지 제13항, 제15항 및 제16항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 박막은 크롬을 함유하는 막인 것을 특징으로 하는 포토마스크 블랭크.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 투명기판은 석영 글라스로 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 포토마스크 블랭크.
- 제1항 내지 제5항, 제12항, 제13항, 제15항 및 제16항 중 어느 한 항에 따른 포토마스크 블랭크의 투명기판상에 형성한 상기 박막, 또는 상기 박막 및 질화막을 패터닝함으로써 마스크 패턴이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 포토마스크.
- 분위기 가스가 도입된 진공 챔버내에, Cr,Ti,Ni,Cu,Mo,Ta,W 등의 전이금속 중 하나 또는 복수개 또는 그들의 화합물을 포함하는 스퍼터링 타겟을 배치하고 스퍼터링법에 의해 투명기판상에 차광기능을 갖는 박막을 형성하는 포토마스크 블랭크의 제조방법에 있어서,미리 분위기 가스 중에 포함되는 헬륨 가스의 함유량과, 상기 박막의 막응력과의 상관관계를 구해 두고,상기 박막이 상기 박막을 패터닝하였을 때 얻어진 마스크 패턴이 원하는 패턴위치 정밀도를 갖는 막응력을 이루도록 헬륨 가스의 함유량을 상기 상관관계로부터 구하며, 이 헬륨 가스의 함유량을 포함하는 분위기 가스 중에서 상기 박막을 스퍼터 성막하는 것을 특징으로 하는 포토마스크 블랭크의 제조방법.
- 분위기 가스가 도입된 진공 챔버내에, Cr,Ti,Ni,Cu,Mo,Ta,W 등의 전이금속 중 하나 또는 복수개 또는 그들의 화합물을 포함하는 스퍼터링 타겟을 배치하고 스퍼터링법에 의해 투명기판상에 차광기능을 갖는 박막을 형성하는 포토마스크 블랭크의 제조방법에 있어서,상기 박막은 퇴적속도가 0.5nm/sec∼6nm/sec로 구성되며,상기 분위기 가스는 헬륨 가스를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토마스크 블랭크의 제조방법.
- 제21항 또는 제22항에 있어서, 상기 분위기 가스중에 함유되는 헬륨 가스의 함유량이 30∼90부피%인 것을 특징으로 하는 포토마스크 블랭크의 제조방법.
- 제21항 또는 제22항에 있어서, 상기 분위기 가스중에 함유되는 헬륨 가스의 함유량이 40∼65부피%인 것을 특징으로 하는 포토마스크 블랭크의 제조방법.
- 제21항에 있어서, 상기 박막은 탄소 및 산소 중 하나 또는 양자를 포함하는 막임을 특징으로 하는 포토마스크의 제조방법.
- 제22항에 있어서, 상기 박막은 탄소 및 산소 중에서 하나 또는 양자를 포함하는 막임을 특징으로 하는 포토마스크의 제조방법.
- 제25항 또는 제26항에 있어서, 상기 박막은 탄소를 함유하는 차광층과 산소를 함유하는 반사방지층을 함유하는 적층막으로서, 상기 차광층 또는 반사방지층의 어느 하나 또는 양자가 헬륨 가스를 포함하는 분위기 가스 중에서 스퍼터 성막하는 것을 특징으로 하는 포토마스크 블랭크의 제조방법.
- 제25항 또는 제26항에 있어서, 상기 투명기판과 박막과의 사이에 상기 박막에 포함된 동일한 금속과 질소를 포함하는 질화막을 형성하는 것을 특징으로 하는 포토마스크 블랭크의 제조방법.
- 제21항, 제22항, 제25항 및 제26항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 박막, 또는 상기 박막 및 질화막을 인라인 스퍼터링법으로 형성하는 것을 특징으로 포토마스크 블랭크의 제조방법.
- 제27항에 있어서, 상기 박막, 또는 상기 박막 및 질화막을 인라인 스퍼터링법으로 형성하는 것을 특징으로 포토마스크 블랭크의 제조방법.
- 제28항에 있어서, 상기 박막, 또는 상기 박막 및 질화막을 인라인 스퍼터링법으로 형성하는 것을 특징으로 포토마스크 블랭크의 제조방법.
- 제21항, 제22항, 제25항 및 제26항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 박막은 크롬을 포함하는 막인 것을 특징으로 하는 포토마스크 블랭크의 제조방법.
- 제21항 또는 제22항에 있어서, 상기 투명기판은 석영 글라스로 이루어진 것을 특징으로 하는 포토마스크 블랭크의 제조방법.
- 제21항, 제22항 및 제25항 중 어느 하나의 제조방법에 의해 얻어진 포토마스크 블랭크의 상기 투명기판상에 형성된 막을 선택적으로 제거하여 마스크 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 포토마스크의 제조방법.
- 기판상에 사진석판술법에 의해 미세패턴을 형성하는 미세패턴의 형성방법에 있어서,미세패턴의 전사를 실시할 때 이용되는 마스크로서 제20항의 포토마스크를 이용하는 것을 특징으로 하는 미세패턴 형성방법.
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