KR20010024372A - 포토마스크 블랭크, 포토마스크, 이들의 제조방법 및미세패턴의 형성방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (26)
- 투명기판상에 적어도 차광기능을 갖는 박막을 형성한 포토마스크 블랭크에 있어서,상기 박막에 헬륨이 포함되어 있는 것을 특징으로 하는 포토마스크 블랭크.
- 투명기판상에 적어도 차광기능을 갖는 박막을 형성한 포토마스크 블랭크에 있어서,상기 박막은 분위기 가스가 도입된 진공 챔버내에 스퍼터링 타겟을 배치하고 스퍼터링에 의해 형성된 것으로서,상기 박막은 분위기 가스 중에 포함되는 헬륨 가스의 함유량을 30∼90 퇴적%로 하고, 퇴적속도를 0.5nm/sec∼6nm/sec의 범위로 성막한 것임을 특징으로 하는 포토마스크 블랭크.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 박막은 탄소 또는 산소 중에서 선택된 적어도 1종을 포함하는 막인 것을 특징으로 하는 포토마스크 블랭크.
- 제3항에 있어서, 상기 박막은 탄소를 함유하는 차광막과, 산소를 함유하는 반사방지막을 포함하는 적층막인 것을 특징으로 하는 포토마스크 블랭크.
- 제4항에 있어서, 상기 박막은 박막표면쪽으로부터 투명기판쪽을 향해 산소가 연속적으로 감소하고 또한 탄소가 연속적으로 증가하고 있는 것을 특징으로 하는 포토마스크 블랭크.
- 제4항 또는 제5항에 있어서, 탄소가 0∼25at%, 산소가 0∼70at%인 것을 특징으로 포토마스크 블랭크.
- 제1항 내지 제6항의 어느 한 항에 있어서, 상기 박막에 질소가 더욱 함유되어 있는 것을 특징으로 포토마스크 블랭크.
- 제1항 내지 제7항의 어느 한 항에 있어서, 상기 박막의 결정입자는 1∼7nm인 것을 특징으로 하는 포토마스크 블랭크.
- 제1항 내지 제8항의 어느 한 항에 있어서, 상기 투명기판과 박막과의 사이에 상기 박막에 함유되어 있는 동일한 금속재료와 질소를 포함하는 질화막이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 포토마스크 블랭크.
- 제9항에 있어서, 상기 박막은 박막표면으로부터 투명기판쪽을 향해 산소가 연속적으로 감소하고 또한 탄소가 연속적으로 증가하고 있으며, 상기 질화막에 있어서의 질소는 상기 박막에 함유된 질소의 함유량보다 상대적으로 많이 함유됨과 동시에, 상기 질화막의 질소가 증가함에 따라 상기 금속은 감소하는 것을 특징으로 하는 포토마스크 블랭크.
- 제1항 내지 제10항의 어느 한 항에 있어서, 상기 박막은 크롬을 함유하는 막인 것을 특징으로 하는 포토마스크 블랭크.
- 제1항 내지 제11항의 어느 한 항에 있어서, 상기 투명기판은 석영 글라스로 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 포토마스크 블랭크.
- 제1항 내지 제12항의 어느 한 항에 따른 포토마스크 블랭크의 투명기판상에 형성한 상기 박막, 또는 상기 박막 및 질화막을 패터닝함으로써 마스크 패턴이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 포토마스크.
- 분위기 가스가 도입된 진공 챔버내에 스퍼터링 타겟을 배치하고 스퍼터링법에 의해 투명기판상에 적어도 차광기능을 갖는 박막을 형성하는 포토마스크 블랭크의 제조방법에 있어서,미리 분위기 가스 중에 포함되는 헬륨 가스의 함유량과, 상기 박막의 막응력과의 상관관계를 구해 두고,상기 박막이 상기 박막을 패터닝하였을 때 얻어진 마스크 패턴이 원하는 패턴위치 정밀도를 갖는 막응력을 이루도록 헬륨 가스의 함유량을 상기 상관관계로부터 구하며, 이 헬륨 가스의 함유량을 포함하는 분위기 가스 중에서 상기 박막을 스퍼터 성막하는 것을 특징으로 하는 포토마스크 블랭크의 제조방법.
- 분위기 가스가 도입된 진공 챔버내에 스퍼터링 타겟을 배치하고 스퍼터링법에 의해 투명기판상에 적어도 차관기능을 갖는 박막을 형성하는 포토마스크 블랭크의 제조방법에 있어서,상기 박막은 퇴적속도가 0.5nm/sec∼6nm/sec로 구성되며,상기 분위기 가스는 헬륨 가스를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토마스크 블랭크의 제조방법.
- 분위기 가스가 도입된 진공 챔버내에 스퍼터링 타겟을 배치하고 스퍼터링법에 의해 투명기판상에 적어도 차광기능을 갖는 박막을 형성한 포토마스크 블랭크의 제조방법에 있어서,상기 박막은 스퍼터 전력 950∼3000W에서 성막되며상기 분위기 가스는 헬륨 가스를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토마스크 블랭크의 제조방법.
- 제14항 내지 제16항의 어느 한 항에 있어서, 상기 분위기 가스중에 함유되는 헬륨 가스의 함유량이 30∼90부피%인 것을 특징으로 하는 포토마스크 블랭크의 제조방법.
- 제17항에 있어서, 상기 분위기 가스중에 함유되는 헬륨 가스의 함유량이 40∼65부피%인 것을 특징으로 하는 포토마스크 블랭크의 제조방법.
- 제14항 내지 제18항의 어느 한 항에 있어서, 상기 박막은 탄소 또는 산소 중에서 선택된 적어도 1종을 포함하는 막임을 특징으로 하는 포토마스크의 제조방법.
- 제19항에 있어서, 상기 박막은 탄소를 함유하는 차광막과 산소를 함유하는 반사방지막을 함유하는 적층막으로서, 상기 차광막 또는 반사방지막의 적어도 어느 한쪽이 헬륨 가스를 포함하는 분위기 가스 중에서 스퍼터 성막하는 것을 특징으로 하는 포토마스크 블랭크의 제조방법.
- 제14항 내지 제20항의 어느 한 항에 있어서, 상기 투명기판과 박막과의 사이에 상기 박막에 포함된 동일한 금속과 질소를 포함하는 질화막을 형성하는 것을 특징으로 하는 포토마스크 블랭크의 제조방법.
- 제14항 내지 제21항의 어느 한 항에 있어서, 상기 박막, 또는 상기 박막 및 질화막을 인라인 스퍼터링법으로 형성하는 것을 특징으로 포토마스크 블랭크의 제조방법.
- 제14항 내지 제22항의 어느 한 항에 있어서, 상기 박막은 크롬을 포함하는 막인 것을 특징으로 하는 포토마스크 블랭크의 제조방법.
- 제14항 내지 제23항의 어느 한 항에 있어서, 상기 투명기판은 석영 글라스로 이루어진 것을 특징으로 하는 포토마스크 블랭크의 제조방법.
- 제14항 내지 제24항의 어느 하나의 제조방법에 의해 얻어진 포토마스크 블랭크의 상기 투명기판상에 형성된 막을 선택적으로 제거하여 마스크 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 포토마스크의 제조방법.
- 기판상에 사진석판술법에 의해 미세패턴을 형성하는 미세패턴의 형성방법에 있어서,미세패턴의 전사를 실시할 때 이용되는 마스크로서 제13항의 포토마스크를 이용하는 것을 특징으로 하는 미세패턴 형성방법.
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