JPS62234163A - フオトマスクおよびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この発明は、半導体集積回路などの製造において、フォ
トリソグラフィーによってウェーハに所望のノぞターン
を転写するために使用されるフォトマスクすなわち露光
マスクと、その製造方法とに関する。ここで７オトマス
クと称するものは、透明の基板の表面上に、／ゼターン
なしで広くＲ光層を付着させたいわゆるフォトマスクブ
ランクと。

このフォトマスクブランクの遮光層の成るパターンの部
分をエツチングなどによって除去して、透明の基板の表
面上に、前記ノＺターンに相補的な７ぞターンの遮光層
を残置するようにした狭義のフォトマスクとの、双方を
含むものとする。

（従来の技術） 第ｒ図に示すように、フォトマスク１０／は。

一般に１合成石英ガラス、低膨張ガラスなどの透明な基
板ｉｏコの表面上に、適箔な厚さの薄膜遮光層１０３を
付着させたものからなシ、薄膜遮光層１０３としてＯｒ
またはＴａなどの層を採用したものは、古くから知られ
ている。

さらに、フォトマスクの光学的特性を改善する７ため、
第２図に示すように、フォトマスク１０／の基板１０２
の表面上に付着された薄膜遮光層１０３０表面上に、さ
らに薄膜反射防止ｆｄ１０４Ｌを付着させることも、知
られている。例えば、ＯｒまたはＴａなどからなる薄膜
遮光ノεｉｏｉに対して。

０ｒ２０３からなる薄膜反射防止層１０弘が採用される
。

かかる周知のフォトマスクの特性を改善するため、モリ
ブデンシリサイド、タングステンシリサイド、タンタル
シリサイドまたはチタンシリサイドなどの金属シリサイ
ド或いはポリシリコンまたはこれに不純成分をドーグさ
せたポリサイドのような高屈折率物質で１例えば厚さ１
００λ程度の薄膜遮光層１０３を形成することが、最近
考えられている。この高屈折率物質からなる薄膜遮光層
１０３、特に金属シリサイド例えばモリブデンシリサイ
ドからなる薄膜遮光層１０３は、所望のパターンを得る
ためのドライエツチングが容易であシ、またパターン作
成後の洗浄工程の際に欠陥が生じることがない、という
点で、極めてすぐれている。

（発明が解決しようとする問題点り しかしながら、高屈折率物質からなる薄膜連光層を採用
しようとする場合には、多くの問題点が生じる、 第１に、これら高屈折率物質は一般に反射率が高いので
、フォトリングラフイーを行なう際に。

薄膜遮光層とウェーハとの間の多重反射によって。

露光精度が低下する。この欠点を除去するための最適の
手段は％前述したように、薄膜遮光層の表面上に薄膜反
射防止層を付着させて１反射率を低下させることである
。

しかるに、薄膜反射防止層は、明らかに、薄くなる程望
ましいにも拘わらず、高屈折率物質からなる薄膜制光層
に対して必要な薄膜反射防止層は。

古くから知られているＲ膜遮光層に対するものよりも、
かなシ厚くなる。

この点について、高屈折率物質であるモリブデンシリサ
イドからなる薄膜遮光層と、古くから知られているＯｒ
および′１゛１からそれぞれなる薄膜遮光層とについて
例示すると、モリブデンシリサイド。

Ｃ「およびＴａの、光の波長４４　Ｊ　ｔ　ｎｍにおけ
る光学定数は。

Ｎ（モリブデンシリサイトノ　＝弘、７ｊ−Ｊ、ｊＰｉ
Ｎ　　（Ｏｒ　　）　　　　　　　　　　　　　　＝コ
、Ｊ　Ｉ　−，２，り７ＩＮ　　（Ｔａ　　）　　　　
　　　　　　　　　＝２．１！−２，り！１で表わされ
、Ｎの実数部で示される屈折率ｎは。

モリブデンシリサイドの場合に著しく大きい。この光学
定数から、薄膜遮光層に対して必要な薄膜反射防止層の
厚さｄを求めることができ、λを。

薄膜反射防止層を設けたときに反射率が極小値を堰る光
の波長、　　（ｎ／）を、薄膜反射防止層の屈折率とす
ると、ｄは次のようになる。

ｄ（モリブデンシリサイトノ＝０，２／λ／＜ｎ／）ｄ
（Ｏｒ）　　　　　　　　　　＝０．／ｊλ／＜ｎ／）
ｄ　（Ｔａ　）　　　　　　　　　　＝　０．／！Ｊλ
／＜ｎ／）従って、λおよび（ｎ／）が等しいとすれば
、モリブデンシリサイドからなる？［Ｗ光層に対して必
要な薄膜反射防止層の厚さｄ（モリブデンシリサイトノ
はＩ　　ＬｒおよびＴａからそれぞれなる薄膜遮光層に
対して必要な薄膜反射防止層の厚さｄ（Ｃｒ）およびｄ
　（Ｔａ）よフ約弘０％大になる４ｄの値について例示
すれば、λが通常Ｉ択されるように≠００−弘３６　ｎ
ｍであシ、薄膜反射防止層が、従来から知られているよ
うに、　　Ｃｒ２０５−その光学定数Ｎ（Ｃｒ２０３　
）　＝２．ｔ　Ｊ’−０，２Ｊ　ｉ−からなる場合には
。

ｄ（モリブデンシリサイトノ　＝：Ｊ！ＰＡｄ＜Ｏｒ）
　　　　　　　　　　　＝２ｊ６ｋｄ（Ｔａ）　　　　
　　　　　　　＝２４ｊＡになる。

従って、高屈折率物質からなる薄膜Ｒ光層に対しては、
特に、薄膜反射防止層が屈折率の大きい物質からなるこ
とが、望ましくかつ一般に必要である。

第２の問題点として、薄膜反射防止層は、フォトマスク
ブランクから前述した狭義の７オトマスクを作る際に、
薄膜連光層と同じドライエツチング条件でエツチングで
きることが債ましい。かかる特性も、薄膜反射防止層に
対して要望され、ｔたは要求される。

上述した点以外に、薄膜反射防止層は、耐酸性および耐
アルカリ性のすぐれた物質からなることも、望ましく若
しくは必要である。

この発明は、前述したような高屈折率物質からなる薄膜
遮光層に関する問題点を解決することを。

その主な目的とする。

（問題点を解決するための手段） 上述した問題点を解決するため、この発明によれば、透
明の基板の表面上に付着するように、薄膜遮光層を形成
し、この薄膜連光層の表面上に付着するように、薄膜反
射防止層を形成することからなるフォトマスクの製造方
法において、或いはこの製造方法に従って製造されたフ
ォトマスク（でおいて、薄膜連光層は、モリブデンシリ
サイド。

タングステンシリサイｌ−′、タンタルシリサイド。

チタンシリサイド、ポリシリコンまたはポリサイドのよ
うな高屈折率物質からな）、薄膜反射防止層は、炭化タ
ンタルを主成分とし、若しくは炭化タンタル、酸化タン
タルおよび窒化タンタルの混合物を主成分とする。

実施例によれば、基板の表面上に薄膜遮光層が直接付着
形成され、その上に上述したような材料の薄膜反射層が
付着形成される。

薄膜反射防止層の形成は、マグネトロンスパッタリング
によって達成することが望ましい。このマグネトロンス
パッタリングとしては２例えば。

タンタルをターゲットとし、　　ＣＯ２、Ｎ２　、　Ａ
ｒのうちの少くとも二つ含みかつＣ０２を必ず含む混合
ガスを雰囲気ガスとする、反応性マグネトロンスフ９ツ
タリングが採用され、その際に、基板の温度は、例えば
、ＺＯＣと２！０℃の間になるように制御される。

特に望ましい実施例によれば、雰囲気ガスは。

体積比でＡｒ１１！〜Ｉｆ％、　　Ｃｏ２２．！　〜／
　Ｊ、ｊ　％およびＮ２λ、ｊ−６２，６％の範囲内の
組成を有し、マグネトロンスパッタリングの際の基板の
温度は、！Ｏ〜１２０℃の範囲内になるように制御され
る。

別の特に望ましい実施例によれば、雰囲気ガスは１体積
比でＡｒ　ｔ　ｊ　〜ｒ　ｊ％　＋　　００２　’　−
ｊ　〜／　ｊ−およびＮ２０〜ｊ　２．ｊ　％の範囲内
の組成を有し、マグネトロンスパッタリングの際の基板
の温度は。

／コｏ−１ｒｏＣの範囲内になるように制御される。

薄膜遮光層の形成は１望ましくは、直流マグネトロンス
パッタリングによって達成される。

（作用） 上述したような構成のこの発明によれば、高屈折率物質
例えばモリブデンシリサイドからなる薄膜遮光層に対し
て、薄膜反射防止層の厚さを３１０λ未満に押さえても
１通常のフォトリソグラフィーに使用される遠紫外から
、ｔ　００　ｎｍ　までの波長域の光について１反射率
が３Ｑチ以下、特にｇｏ。

〜（ｌ　Ｊ　ｌ　ｎｍの波長域の光について１反射率が
ｔ〜ｌよ％の、すぐれた光学特性を有するフォトマスク
が得られる。。

このフォトマスクにおいて、薄膜反射防止層は。

薄膜遮光層と同じドライエツチング条件で、ドライエツ
チングできる。

さらに、このフォトマスクは、耐酸性および耐アルカリ
性のすぐれたものである。

かぐして、この発明によって得られたフォトマスクによ
れば、この発明に従う薄膜遮光層に、この発明に従う薄
膜反射層を設けたことによって。

薄ＷＸ逗光層の）ぞターンをフォトリソグラフィーによ
ってウェーハに転写する際のノソターン転写精度が改善
される。

（実施例） 以下、必要に応じて図面を参照しながら、この発明の実
施例について説明する。

実施例として、十分く研磨した合成石英ガラスの基板お
よび低膨張ガラスの基板の表面上に、直流マグネトロン
方式によるスノぞツタリングによって、厚さ１００λの
モリブデンシリサイド薄膜遮光層を形成した。その際に
、スＡツタリングターゲットとしては、モリブデンとシ
リコンの真空焼結体を使用した。また、スパッタリング
条件は。

次の通シであった。

スノゼツタリングガス：１００％アルフ／１ガス圧カニ
　ｊ　Ｘ　／　０−３トール。

基板とターゲットの間の距離：６３゜ 基板温度：ｉｏｏ℃。

スパッタリング時間：２０秒 使用電カニ　ｏ、６　ＫＶＡ 次に、かぐして形成されたモリブデンシリサイド薄膜遮
光層の表面上に、反応性直流マグネトロンスパッタリン
グによって、厚さ一００〜弘ＯＯλの炭化タンタル、酸
化タンタルおよび窒化タンタルを主成分とする種々の薄
膜反射防止層を形成した。その際に、スノぐツタリング
ターゲットとしては、タンタルを使用した。また、スパ
ッタリング条件は１次の通シであった。

雰囲気ガス：Ａｒ　、００２およびＮ２の混合ガスガス
圧カニｊ”ｊＸｌｏ　　）−ル。

使Ｊ’ｆＨ１：　０．−！ｒ　〜０．７　ＫＶＡＩスノ
ぐツタリング速度：３Ｑ０〜ｒ　００　Ａ／分。

薄膜遮光層を形成した基板とターゲットの間の距離：１
１ｃｍ。

基板の温度二スノぐツタリングの際ＶＣ１０〜３００℃
の範囲内の一定の温度に制御。

上述のようにして形成された薄膜反射防止層において１
分析の結果によれば、Ｔａ：Ｏ：Ｎ：Ｏの組成比（原子
数比）は１例えばｏ、ｚ〜ｏ、ｔ　：ｏ、ｉｒ〜０．２
　：　０．２〜Ｏ，ｊ　：　０．Ｏｒ〜０．０　／であ
った。

前述した範囲で雰囲気ガスの組成および基板の温度など
を変化させて得られた薄膜反射防止層の例と、そのスパ
ッタリング条件および薄膜特性とは１第１表に示す通シ
であった。

かくして得られたフォトマスクブランクは、第１図ｒＣ
示すＬうな構成である。この図に示す工うに、フォトマ
スクブランク／／は、合成石英ガラスまたは低膨版ガラ
スの基板／λと、基板１２の表面上に付層する、モリブ
デンシリサイＰの薄膜趙光層１３と、この＃膜迩元層／
３の表面上に付着する、炭化タンタル、酸化タンタルｂ
、Ｃび窒化タンタルを主成分とする薄膜反射防止層ｌ≠
とρ為らなる。

このフォトマスクブランク１１、の反射率は、［（＠−
ＩｉＩ線（′ｆｊＬ長λ＝＜４Ｊ４ｎｍ）に対してλ〜
コｊ憾、その光学儲ハは、はぼ３であった。また、薄膜
反射防止層の光学帯数Ｎは、ｖＪ１表に示すように　、
　　Ｎ　　＝ｎ−ｋｉ＝　　（２〜　３．ｊ　　　）　
　　−（０，／　　〜／、ｊ）ｉであった。

第１図に示す工うな、前述の実施例によるフォトマスク
ブランク／／と、第１図に図示された工うな従来のフォ
トマスクブランク１０／【合成石英ガラスまたは低膨張
ガラスの基板１０２の表面上に、前記実施例の場合と同
様に厚さｓ’ｏｏｈのモリブデンシリサイｒ＃膜遮光層
１０３を形成したもの一薄膜反射防止層なし）とについ
て、分光反射率を測定した。その結果の一例は、第２図
に示す通りであり、この図で、横軸はｎｍ単位で表わし
た尤の波長を示し、Ｍ軸は、係で表わした反射率を示す
。また、Ｕは前記実施例によるフォトマスクブランク１
１、の分光反射率の例を示す曲線、■は、従来の７オト
マスクブランク１０／（ｇｒ図）の分光反射率の例を示
す曲線である。第２図から明らかなように、実施例によ
るフォトマスクブランクは、従来のものに比べて反射率
が大Ｉ−に低減する。

前述した第１表に示すように、薄膜反射防止層の光学常
数とげライエツチング特注は、これ倉スノぞツタリング
によって形成する際の、雰囲気ガスの組成と基板の温度
とによって、変化する。

第３図は、雰囲気ガスの組成全体積比でＡｒ：ＣＯ□：
Ｎ２＝５０：ｊ：ｌｊ　としたとき（第１表で試料番号
１０ａ、１０ｅ１１０ｆ　）の、基板温度による表面分
光反射率曲線の変化を示す。ここで基板温度は、ｉｏ、
で１０℃、１０ｅで２００℃、ま几１０ｆで３００℃で
ある。また第参図は、１３囲気カスの組成を体積比でＡ
ｒ　：　ＣＯ２：　Ｎ２　＝１０：１０：１０としたと
き（第１表で試料番号／　ＩＬＢ、／　ｌＡｃ、／　＃
ｄ　）の、基板ｍ度ｖｃｘる表面分光反射率曲線の変化
を示す。ここで基板温度は、／≠１で１０℃、１ｔｉｃ
でｉｉｚ℃、またｌｊｄで１３０℃である。

一般的な傾向として、はとんどの雰囲気ガス組成におい
て、基板の温度を３００℃から５０℃まで下降させるに
従って、屈折ａｎは増大し、元学定奴の虚数都の絶対値
には減小し、従って反射防止層の必要な膜厚も減小する
。

ｉライエツチング特注については、４腺反射防止層をス
ノぐツタリングで形■する際の雰囲気ガス組成に二って
、スパッタリングの際の塙板県匿が低くなるとエンチン
グ速度が大きくなる傾向を示すものと、その反対の傾向
を示すものとがある。

光学的特注のすぐれた薄膜反射防止層のほとんどは、前
者の傾向を示す。

フォトマスクの光学的特注お工びｒライエツチング特注
が共に特にすぐれている、薄膜反射防止層ｔスパッタリ
ングで形成する際の雰囲気ガス組成と基板Ｉ！１１ｍの
組合わせ全例示すルば、次の２Ｉ４１ジでめる。

第１例 基板温度＝。１０、−１２０℃ 雰囲気ガス組成（係で示した体積比）：Ａｒ　　１　弘
！〜ｒＩ ＣＯ２、λ、ｊ〜／２＋ｊ Ｎ２　．２．ｊ〜ｊ２＋ｊ この雰囲気ガス組成を三角図で示すと、この打１或ハ、
＠！図の平行四辺形の中で表わされる＝第２例 ｊ４ｋＯＪ、Ｈ：　　ｔ　　−Ｚ　Ｏ〜　／　　Ｉ　　
Ｏ℃；メ囲気カス組成（憾で示した体積比）；ｋｒ　　
１６１〜８５ ＣＯ２、Ｊ、ｊ〜／ｊ Ｎ２　、θ〜３＋２．ｊ この雰囲気ガス４１成を三角図で示すと、この組成は、
第６図の平行四辺形の中で表わされる。

もちろん、上述した第１例および４２例以外にも、実用
上皮−のない程度のｈ註を有するフォトマスクを得るに
通した、基＠占直と゛８−気ガス組成に）組合わせが、
種々存する。

以上に説明した。Ｌうな適当なスパッタリング条件で形
成したフォトマスクブランクでは、その表山分元反射畢
は、従来のものと比べて大幅に低減し、−収にその反ｊ
Ｆ１４は、３００〜！００ｎｒｎの成長の光についてｊ
〜３０＝６の範囲に十分に納まり、またその＃膜反射ル
ｊ止噌の膜厚も、望ましい、ｔｊＯＡ程度ンＣなる。

仄いでｓ　ｕｉ１述した実施し１ｊによる横様の７万ト
マスクブランク上ＶＣフォトレジスト１ｌｉｊ＋１′Ｊ
７に形ｆＪ、シし、ＣＣＶ４（１０４）＋０７（２０優
）の混合ガスとＣ１’４（り６％）＋０□（弘悌）の混
合ガスと金それぞれ便用して、ドライエツチング金行な
い、フォトマスク（狭義の）を得た。このｂａに、極閲
泡離７、よ１の平行平板対向電極型♂ンイエッチング装
置を使用し、前者のａＯガスの場合には０．弘Ｗ／−１
後肴の混合ガスの場合には０，２ｊＷ／ｃ！Ｉｔの電力
密度で、ｊ−６分間のエツチング処理を遂行した。

かくして得られた（狭義の）フォトマスクにおいて、１
μｍ［の画１潰寸法に対して、その寸法η４差は０．０
１μｍ以下でめった。

次ぎに、前述したようにして得られた（狭義の）フォト
マスクに対して、Ｈ２ＳＯ４・／１０℃、６゜分の熱硫
酸耐酸試験およびｊ釜Ｎａ　０ｆ−１・２５℃・６０分
の耐アルカリ試鹸ヲ行つ几。これらの試験のいずれにお
いても、フォトマスクの′＋ｆｅに対して問題となるよ
うな反射率の変化、光学濃度の変化おＬび欠陥の発生な
どは、全く見られなかつ九。

上述し之実施例以外に、次のような繍４重の変型が存し
、これら変型はいずれも、実願に工って確認されたとこ
ろによれば、前述した工うなこの発明の目的を達成し、
この発明のすぐれた作用が得られる。

ｉｌｌ　　Ｎ膜反射防止層？形成するのに、実施例では
、タンタル全ターゲットとする反応性直流マグネトロン
スノぐツタリングが採用されているが、その代りに、炭
化タンタル、窒化タンタルお工び酸化タンタルの混合物
の焼結体をスパッタリングターゲットとし、アルゴンな
どを放電用ガスとする高周波マグネトロン方式にＬるス
パッタリングを採用する。

（２）　　フォトマスクブランク金第７図に示すように
Ｕ［する。このフォトマスクブランク７／は、前述した
実施例の場合と同様な基板ｉ２、ｒａｔｍ越光層／３お
工び＃膜反射防止層／４Ｌ以外に、基板ノコと薄膜遮光
層１３の間に、第コ薄膜反射防止層／！を有する。この
変型において、５ｇ２薄映反ｙＦｉ防止層ｉｓは、薄膜
反射防止層ｌ弘と同様に、炭化タンタルを主成分とし、
若しくは炭化タンタル、酸化タンタルお工び窒化タンタ
ルの混合物を王ル又分とする。また薄膜遮光１−７３、
薄膜反射防止層ｌ≠お工び第２薄Ｉ模反射防止層／ｊの
厚さは、八にされる。

（３）　　前述した実施例では、薄膜遮光層としてモリ
ブデンシリサイＰが使用されているが、その代りに、モ
リブデンシリサイρ以外の高屈折率物質も薄膜遮光層に
使用できる。この高屈折率物質の９・１１としては、タ
ングステンシリサイ♂、タンタルシリサイ２お工びチタ
ンシリサイ♂などの金属シリサイ２並びにポリシリコン
お工びポリサイ♂（不純成分ｔ１−ブした；Ｊ”！　１
．１シリコン）が存する。

（発明の効果） この発明は、モリブデンシリサイ１の工うな篩屈所率ｗ
質からなる４課迷光１０に対して、耐酸性お工び耐アル
カＩＪ　ｕが強くかつ屈折率が大きい炭化タンタルを主
成分とするまたは炭化タンタル、窒化タンタルお工び醸
化タンタルの１１ム合１勿金主成分とする薄膜反射防止
層を選択したので、フォトマスクとして望ましくない薄
膜反射防止層の厚さの増大全弁さえながら、光学的２Ｆ
！ｊ注、ρライエツチング注、耐ｅ＆注お工び耐アルカ
リ注にすぐれ、従ってフォトリソグラフィーの際のパタ
ーン転写ＭＩＸが高いフォトマスクを得ることができる
。

ま之、この発明にＬる方法において、移ＶＣ薄膜反射防
止層の形成を、スノぞツタリングに工って、望ましくば
ｋｒ　、　ＣＯ２お工びＮ２　　からなる混合ガス全イ
３：曲気ガスとする反応性直流マグネトロンスパッタリ
ングによって、達成するようにすれば、フォトマスクが
址産でさる。

【図面の簡単な説明】

第７図は、この発明による７オトマスクの一実ＩＪｉＭ
　Ｈの図解的断圓図である。第２図は、この発明による
７オトマスクと従来リフォトマスクの分光反射率の例を
示す線図でりる。第３図お工ひ第４凶ｔよ、この発明に
よる７オトマスクにおいて、これ倉スノξンタＩＪ　７
グにＬつて形成する除の雰囲気ガスの組ＩＪｙ、’？一
定にして、基板の結反を変えたときの、　＃Ｉｌｌ！反
射防止展の分元反射率曲）図の変化を、いずれも表υ丁
。第を図お工ひ第６図は、いずれも、望ましい＋ａの薄
膜反射防止膜を形成するに遇した、スパッタリングの除
の望ましい雰囲気ガスの組成を示す三角図である。第７
図は、第１図のフォトマスクの変型金示す、第１図と同
様の図でるる。第ｒ図お工び第り図はいずれも、従来の
フォトマスクを示す、第７図と同様の図である。 図面において、ｌ／はフォトマスク、１２は基板、／３
は博族趙光層、／弘は薄１戻反射防止１−１ｉｓは第一
２＋１１良反射防止１−イを示す。 第８図　　　　　　第１図 第９図　　　　　　　　　　第了図 第２図 う良民（７１′ＩｒＬ） 晃３図 笑４図 Ｎ２体積比（％） Ｎ２イ耕酎ヒ（７，）

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、透明の基板と、前記基板の表面上に直接または間接
   に付着する、モリブデンシリサイド、タングステンシリ
   サイド、タンタルシリサイド、チタンシリサイド、ポリ
   シリコンまたはポリサイドのような高屈折率物質からな
   る薄膜遮光層と、前記遮光層の表面上に直接付着する、
   炭化タンタルを主成分とする若しくは炭化タンタル、酸
   化タンタルおよび窒化タンタルの混合物を主成分とする
   薄膜反射防止層とによつて構成されたフォトマスク。 ２、前記基板と前記遮光層との間に、炭化タンタルを主
   成分とする若しくは炭化タンタル、酸化タンタルおよび
   窒化タンタルの混合物を主成分とする第２の薄膜反射防
   止層が介在する、特許請求の範囲第１項に記載のフォト
   マスク。 ３、透明の基板の表面上に、モリブデンシリサイド、タ
   ングステンシリサイド、タンタルシリサイド、チタンシ
   リサイド、ポリシリコンまたはポリサイドのような高屈
   折率物質からなる薄膜遮光層を、直接または間接に形成
   し、前記遮光層の表面上に、炭化タンタルを主成分とす
   る若しくは炭化タンタル、酸化タンタルおよび窒化タン
   タルの混合物を主成分とする薄膜反射防止層を直接に形
   成することを特徴とするフォトマスクの製造方法。 ４、前記基板の表面上に、炭化タンタルを主成分とする
   若しくは炭化タンタル、酸化タンタルおよび窒化タンタ
   ルの混合物を主成分とする第２薄膜反射防止層を直接形
   成し、前記第２薄膜反射防止層の表面上に、前記遮光層
   を直接形成する、特許請求の範囲第３項に記載の製造方
   法。 ５、前記反射防止層の形成をマグネトロンスパツタリン
   グによつて達成する、特許請求の範囲第３項に記載の製
   造方法。 ６、前記両反射防止層またはそのいずれかの形成を、マ
   グネトロンスパッタリングによつて達成する、特許請求
   の範囲第４項に記載の製造方法。 ７、前記マグネトロンスパッタリングが、タンタルをタ
   ーゲットとし、ＣＯ＿２、Ｎ＿２、Ａｒのうちの少くと
   も二つ含みかつＣＯ＿２を必ず含む混合ガスを雰囲気ガ
   スとする、反応性マグネトロンスパッタリングである、
   特許請求の範囲第５項または第６項に記載の製造方法。 ８、前記マグネトロンスパッタリングの際に、前記基板
   の温度を、５０℃と２５０℃の間になるように制御する
   、特許請求の範囲第５項から第７項のいずれか１項に記
   載の製造方法。 ９、雰囲気ガスの組成が、体積比で、Ａｒ４５〜８５％
   、ＣＯ＿２２．５〜１２．５％およびＮ＿２２．５〜５
   ２．５％の範囲に存し、マグネトロンスパツタリングの
   際に、前記基板の温度が、５０〜１２０℃の範囲内の温
   度になるように制御される、特許請求の範囲第７項に記
   載の製造方法。 １０、雰囲気ガスの組成が、体積比でＡｒ６５〜８５％
   、ＣＯ＿２２．５〜１５％およびＮ＿２０〜３２．５％
   の範囲に存し、マグネトロンスパッタリングの際に、前
   記基板の温度が、１２０〜１８０℃の範囲内の温度にな
   るように制御される、特許請求の範囲第７項に記載の製
   造方法。 １１、前記遮光層の形成を、直流マグネトロンスパツタ
   リングによつて達成する、特許請求の範囲第３項から第
   １０項のいずれか１項に記載の製造方法。