JPS61270760A - フオトマスク - Google Patents
フオトマスクInfo
- Publication number
- JPS61270760A JPS61270760A JP60113491A JP11349185A JPS61270760A JP S61270760 A JPS61270760 A JP S61270760A JP 60113491 A JP60113491 A JP 60113491A JP 11349185 A JP11349185 A JP 11349185A JP S61270760 A JPS61270760 A JP S61270760A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- silicide
- thin film
- photomask
- pattern forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/54—Absorbers, e.g. of opaque materials
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は高純度合成石英などのようにＳｔ Ｏｘを主成
分とする透明ガラス基板上に薄膜パターンを形成するフ
ォトマスクに関するものである。
分とする透明ガラス基板上に薄膜パターンを形成するフ
ォトマスクに関するものである。
゛ 従来この種フォトマスクとしてはやはり同様に透
明なガラス基板上に、主として純口材を薄膜パターンと
して使用したフォトマスクが使用されていた。
明なガラス基板上に、主として純口材を薄膜パターンと
して使用したフォトマスクが使用されていた。
ところが、最近の状況にみるごとく、ＬＳＩの高集積化
に伴い、高解像力をもち、高精度で欠陥の少ないフォト
マスクがますます要求されるようになって来ているが、
従来タイプのハードマスクでは技術的に十分対応できて
いないのが実情である０ すなわち、従来フォトマスク用基板としては５ｌ（ｈ
、 Ａｌｘ Ｏｓを主成分として、ＲＯおよびＲｈｏで
表わされる２価金属酸化物（ＣａＯ、ＭｇＯなど）と１
価の金属酸化物（Ｎａｇ Ｏｅ Ｋｚ Ｏなど）を多量
に含む、いわゆる青板、白板あるいはＳｉＯｘ ＋ Ｂ
ｚ ＯｎおよびＡＬ！ （ｈを主成分とし、ＲＯを多く
含むいわゆ・る低膨張ガラスが主として用いられていた
が、これらの材料の熱膨腰伝数は３５〜１００Ｘ１０−
７ｌ℃もある。ところが６４Ｋｂ ＤＲＡＭ、２５６Ｋ
ｂ ＤＲＡＭをはじめとして、１μ程度以下のパターン
を精度よく焼付けることが必要になって来ると、このよ
うな大きな熱膨張係数をもつ基板では、露光中での温度
変動によるパターンのづれが大きな問題となり、より熱
膨張の小さな基板が要求されるよう罠なって来た。そこ
で登場したのがいわゆる高純度石英基板である。これは
熱膨張係数は５×１０”−’／Ｃと著しく低く、しかも
、波長の短い紫外光に対する透過率も高く、マスク基板
としては最適のように考えられた。
に伴い、高解像力をもち、高精度で欠陥の少ないフォト
マスクがますます要求されるようになって来ているが、
従来タイプのハードマスクでは技術的に十分対応できて
いないのが実情である０ すなわち、従来フォトマスク用基板としては５ｌ（ｈ
、 Ａｌｘ Ｏｓを主成分として、ＲＯおよびＲｈｏで
表わされる２価金属酸化物（ＣａＯ、ＭｇＯなど）と１
価の金属酸化物（Ｎａｇ Ｏｅ Ｋｚ Ｏなど）を多量
に含む、いわゆる青板、白板あるいはＳｉＯｘ ＋ Ｂ
ｚ ＯｎおよびＡＬ！ （ｈを主成分とし、ＲＯを多く
含むいわゆ・る低膨張ガラスが主として用いられていた
が、これらの材料の熱膨腰伝数は３５〜１００Ｘ１０−
７ｌ℃もある。ところが６４Ｋｂ ＤＲＡＭ、２５６Ｋ
ｂ ＤＲＡＭをはじめとして、１μ程度以下のパターン
を精度よく焼付けることが必要になって来ると、このよ
うな大きな熱膨張係数をもつ基板では、露光中での温度
変動によるパターンのづれが大きな問題となり、より熱
膨張の小さな基板が要求されるよう罠なって来た。そこ
で登場したのがいわゆる高純度石英基板である。これは
熱膨張係数は５×１０”−’／Ｃと著しく低く、しかも
、波長の短い紫外光に対する透過率も高く、マスク基板
としては最適のように考えられた。
しかるに、従来、青板、白板およびいわゆる低膨張ガラ
スに適用したのと同じＰｕｒｅ Ｃｒ系のスパッター膜
などでパターニングを行なったところ、パターン巾が４
〜５μｍと比較的広い場合は問題が比較的少なかったも
のの、超ＬＳＩ用として、これよシ巾のせまいパターン
を形成した場合、膜はがれや、白板欠陥、などが多発し
、マスク自体の歩留はもとよシ、デバイス自体の歩留も
大巾に低下し、大きな問題となっている。
スに適用したのと同じＰｕｒｅ Ｃｒ系のスパッター膜
などでパターニングを行なったところ、パターン巾が４
〜５μｍと比較的広い場合は問題が比較的少なかったも
のの、超ＬＳＩ用として、これよシ巾のせまいパターン
を形成した場合、膜はがれや、白板欠陥、などが多発し
、マスク自体の歩留はもとよシ、デバイス自体の歩留も
大巾に低下し、大きな問題となっている。
本発明は従来技術のこのような欠点を解決することを目
的とする□すなわち、上記問題点は基板となる透明体が
高純度のＳｔ （ｈとなったところに主原因があり、Ｓ
ｔ Ｏｘ基体とパターン材であるＣｒとの密着力が不足
しているところに問題がある。
的とする□すなわち、上記問題点は基板となる透明体が
高純度のＳｔ （ｈとなったところに主原因があり、Ｓ
ｔ Ｏｘ基体とパターン材であるＣｒとの密着力が不足
しているところに問題がある。
そこで発明者らは高純度の酸化シリコンと各種金属との
密着性および反応性を詳細に検討したところＷ 、 Ｖ
、 Ｎｂ 、 Ｔａ ｅ Ｔｉ ｔ ＺｒおよびＨｆ
のシリサイドがすぐれていることを見い出した。なお、
この際比較材として、ＣｒおよびＭｏのメタルおよびシ
リサイドも検討したが、密着性の点でこれらが劣ること
が確認できた。なおこの場合、シリサイドでないＷ ｅ
Ｖ ｔ Ｎｂ ＊ Ｔａ ｅ Ｔｉ ｔ Ｚｒおよび
Ｈｆの金属自体をパターン形成膜として使用することも
可能であり、密着性も良好であるが、パターン部の反射
散乱等を考慮するとシリサイドの方が優れていたため、
ここでは、シリサイドを採用している。また、以上の効
果は、単一の金属だけでのシリサイドで十分であるが、
たとえばＴａ＋Ｎｂの合金のシリサイドでありても効果
は全く同様であることが判明している。
密着性および反応性を詳細に検討したところＷ 、 Ｖ
、 Ｎｂ 、 Ｔａ ｅ Ｔｉ ｔ ＺｒおよびＨｆ
のシリサイドがすぐれていることを見い出した。なお、
この際比較材として、ＣｒおよびＭｏのメタルおよびシ
リサイドも検討したが、密着性の点でこれらが劣ること
が確認できた。なおこの場合、シリサイドでないＷ ｅ
Ｖ ｔ Ｎｂ ＊ Ｔａ ｅ Ｔｉ ｔ Ｚｒおよび
Ｈｆの金属自体をパターン形成膜として使用することも
可能であり、密着性も良好であるが、パターン部の反射
散乱等を考慮するとシリサイドの方が優れていたため、
ここでは、シリサイドを採用している。また、以上の効
果は、単一の金属だけでのシリサイドで十分であるが、
たとえばＴａ＋Ｎｂの合金のシリサイドでありても効果
は全く同様であることが判明している。
以下本発明をその実施例に基いて説明する。
高純度の合成石英基板を用いて、スパッタリン １グ
および一部ＣＶＤＫよりＷ ｖ Ｖ ＊ Ｎｂ ＋ Ｔ
ａ ｔＴｉｔＺｒおよびＨｆのシリサイドの薄膜（厚さ
６ｏｏ〜７５０Ａ）を形成し、ブランクスとするととも
に、比較材としては、純Ｇ、クロムシリサイドおよびモ
リブテンシリサイドを同様な条件で膜付けし、ブランク
スとした。
および一部ＣＶＤＫよりＷ ｖ Ｖ ＊ Ｎｂ ＋ Ｔ
ａ ｔＴｉｔＺｒおよびＨｆのシリサイドの薄膜（厚さ
６ｏｏ〜７５０Ａ）を形成し、ブランクスとするととも
に、比較材としては、純Ｇ、クロムシリサイドおよびモ
リブテンシリサイドを同様な条件で膜付けし、ブランク
スとした。
これについて、同一形状のテストパタンを形成して、欠
陥検査機によシ、２μ以上の欠陥の数を比較したところ
、比率にして以下のような結果を得た。
陥検査機によシ、２μ以上の欠陥の数を比較したところ
、比率にして以下のような結果を得た。
表 １
すなわち、本発明によれば従来材のもつ欠点を事件の表
示 昭和６０年 特許願 第１１３４９１、発明の名称 フ
ォトマスク 補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 東京都千代田区丸ノ内二丁目１番２号名称 （５
０８）日立金属株式会社 代表者 松 野 浩 二
示 昭和６０年 特許願 第１１３４９１、発明の名称 フ
ォトマスク 補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 東京都千代田区丸ノ内二丁目１番２号名称 （５
０８）日立金属株式会社 代表者 松 野 浩 二
Claims (1)
- Ｔｉ、Ｖ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｈｆ、ＴａおよびＷの中よりえ
らばれた１種又は２種以上の金属のシリサイドを主成分
とする薄膜をパターン形成膜としたことを特徴とするフ
ォトマスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60113491A JPS61270760A (ja) | 1985-05-27 | 1985-05-27 | フオトマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60113491A JPS61270760A (ja) | 1985-05-27 | 1985-05-27 | フオトマスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61270760A true JPS61270760A (ja) | 1986-12-01 |
Family
ID=14613647
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60113491A Pending JPS61270760A (ja) | 1985-05-27 | 1985-05-27 | フオトマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61270760A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61273545A (ja) * | 1985-05-29 | 1986-12-03 | Mitsubishi Electric Corp | フオトマスク |
| EP3361314A1 (en) * | 2017-02-09 | 2018-08-15 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method for preparing photomask blank, photomask blank, method for preparing photomask, photomask, and metallic chromium target |
-
1985
- 1985-05-27 JP JP60113491A patent/JPS61270760A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61273545A (ja) * | 1985-05-29 | 1986-12-03 | Mitsubishi Electric Corp | フオトマスク |
| JPH0434144B2 (ja) * | 1985-05-29 | 1992-06-05 | Mitsubishi Electric Corp | |
| EP3361314A1 (en) * | 2017-02-09 | 2018-08-15 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method for preparing photomask blank, photomask blank, method for preparing photomask, photomask, and metallic chromium target |
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