JPS61273545A - フオトマスク - Google Patents

フオトマスク

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JPS61273545A
JPS61273545A JP60115863A JP11586385A JPS61273545A JP S61273545 A JPS61273545 A JP S61273545A JP 60115863 A JP60115863 A JP 60115863A JP 11586385 A JP11586385 A JP 11586385A JP S61273545 A JPS61273545 A JP S61273545A
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JP
Japan
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photomask
etching
glass substrate
transparent glass
film
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JP60115863A
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JPH0434144B2 (ja
Inventor
Akira Shigetomi
重富　晃
Shuichi Matsuda
修一 松田
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/54—Absorbers, e.g. of opaque materials
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
    • Y10S430/143—Electron beam

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、半導体装置の製造工程において用いられる
フォトマスクの製造方法に関するものである。
〔従来の技術〕
従来のフォトマスクの製造方法を第２図（ａ）〜（ｄ）
により説明する。まず、第２図（ａ）のように、透明ガ
ラス基板１にスパッタ法または蒸着法等によりクロム等
の金属マスク材料２を８００〜１ｏｏｏ　Ａに形成し、
次に第２図（効のように、金属マスク材料２上にレジス
ト３を塗布した後、光または電子ビーム（ｉＢ）により
所望のパターンを描画した後、ロム等の金属マスク材料
２をエツチング除去し、レジストパターンを除去するこ
とにより、第２図（ｄ）のようにフォトマスク（ハード
マスク）が形成される。
半導体装置、特に微細パターンを要する半導体装置の製
造に際し、写真製版工程で使用されるクロム等のハード
マスクは、従来のエマルジョンマスクに比べて嘆厚の薄
い材料が使えるために、パターンの微細化が可能となり
、か・つその寿命も長くなる等の多くの利点がある０ しかしながら、この場合同時にクロム等のノーードマス
クの金属マスク材料２のエツチング技術が重要な位置を
占めることになる。クロムを例にとると、従来、エツチ
ングは硝酸第二セリウムアン−ｖ：ｙ（ａｓ（ＮＨ４）
ｚ（ＮＯｚ）ｅ）と過塩素酸（ＨＯ１０４）との混合水
溶液等の薬品によるウェットケミカルエツチングが適用
されていた。しかしながら、近年パターンの微細化に伴
ってエツチングも進歩し、ガスプラズマまたは反応性イ
オンエツチングを利用したドライエツチング技術が開発
され利用されるようになった。クロムのプラズマエツチ
ングの場合、塩素などの７１０ゲン元素と酸素とを含ん
だ混合ガスをグロー放電させることによりＯｒ＋２０＋
２０ノー０ｒ０２０ノ２ と考えられる反応でクロムエツチングされる。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上記したように、クロム等のハードマスクは微細パター
ン形成に有利であるが、エツチング、特にガスプラズマ
を用いたドライエツチングではその速度が遅いという欠
点があった。つまり、クロムの場合、エツチング速呟は
約１０　ＯＡ　／分（３００Ｗ。
ｏ、２’ｒｏｒｒの条件で）程度であり、エツチング性
間は８〜１０分（８００〜１００ＯＡ喚厚）要すること
になる。また、長時間エツチングによるレジストの膜減
ルも多く、問題がある。
この発明は、上記のような従来の欠点を除去するために
なされたもので、ドライエツチングが容品なフォトマス
クの製造方法を提供することを目的としている。
〔問題点を解決するための手段〕
この発明に係るフォトマスクの製造方法は、石英等の透
明ガラス基板上に多元素金属シリサイド膜を形成しその
後エツチングを施すものである。
〔作用〕
との発明においては、マスクパターンを形成する金属マ
スク材料として多元素金属シリサイド膜を用いているか
ら、エツチング速度が速くなり、基板とのなじみもよい
ので嘆ノーガレを生じることもない。
〔実施例〕
第１図（、）〜（Ｑ）はこの発明の一実施例を示すフォ
トマスクの製造工程を示す断面図である。まず、ｖ／ｒ
、１図（ａ）に示すように、石英等の透明ガラス基板１
上にモリブデン（Ｍｏ）とチタン（Ｔ１Ｌモリブデン（
Ｍｏ）とチタン（Ｔ１）とタングステン（Ｗ）等の金属
のターゲットをスパッタ法またはＰ！Ｂ等により照射し
て、約１０００Ａ程度の嘆厚の多元素金属シリ“サイド
襖４を形成する。次いで第１図（１））に示すように、
金属シリサイド嗅４上にレジスト３を塗布し、光または
ＫＢにより所望のパターンを描画し、レジストパターン
を形成する。その後、現像処理、およびベーキングを施
した後、第１図（Ｃ）に示すように、金属シリサイド１
５１１［４上のエツチングを行うことによｐ金属シリサ
イドのマスクパターン５が形成され、半導体装置用のフ
ォトマスクが形成される。
多元素金属シリサイド膜４をマスク材料として用＾ると
、ドライエツチング性の容易さ、透明ガラス基板１との
接着性が増すことで高品質のマスクが提供できる。透明
ガラス基板１上に７オトレジストまたはＫＢレジストを
４０ｏＯ〜ａｏｏｏ　Ａ塗布した後、光またはＩＩＩＢ
でパターンを描画した場合、金属シリサイド膜４は１０
００程度の抵抗であ、り、ＫＢ描画におけるチャージア
ップ現象はない。
金属シリサイド１１１１４はクロム膜に比べてドライエ
ツチングが容易に付える。例えばモリブデン（ＭＯ）と
チタン（Ｔ１）の金属シリサイド膜４の場合、０Ｆ１４
＋　０２　（２％）　ｔＤ混合ガスを使用し、０．３　
Ｔｏｒｒの真空度、　３００Ｗの条件で約５ｏＯ〜１０
００Ａ／分のエツチング速度でＴｏシ、従来のクロム膜
のドライエツチングに比べ約５〜１０倍のスピードとな
る。これは十分量産に適しており、かつそのために寸法
制御も容易となる。
また、金属シリサイド＠４はシリコン（Ｓｌ）を主成分
としておシ、石英（８１０２、Ａｌ２２０３等を含む）
基板とのなじみもよく、喚ノーガレの問題はなく、信頼
性の高いフォトマスクが製造できる。
〔発明の効果〕
この発明は以上説明したとおり、フォトマスクの製造に
石英等の透明ガラス基板を用い、この透明ガラス基板上
に多元素金属シリサイド膜を形成することにより、ドラ
イエツチングが容易で、量産性に富んだ、かつ膜ノーガ
レのない高倦頼性のフオドマスクの製造が可能となる利
点がある。
【図面の簡単な説明】
Ｗｃ１図（ａ）〜（０）はこの発明の一実施例であるフ
ォトマスクの製造工程を示す断面図、第２図（ａ）〜（
ｄ）は従来のフォトマスクの製造工程を示す断面図であ
る。 図において、１は透明ガラス基板、３はレジスト、４は
多元素金属シリサイド模、５はマスクパターンである。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）透明ガラス基板上に２元素以上の合金である多元
    素金属をシリサイド化した材料を用いてフォトマスクを
    形成することを特徴とするフォトマスクの製造方法。
  2. （２）上記透明ガラス基板が石英であり、上記多元素金
    属がＴｉ−Ｍｏ、又はＴｉ−Ｍｏ−Ｗであることを特徴
    とする特許請求の範囲第１項記載のフォトマスクの製造
    方法。
JP60115863A 1985-05-29 1985-05-29 フオトマスク Granted JPS61273545A (ja)

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JP60115863A JPS61273545A (ja) 1985-05-29 1985-05-29 フオトマスク
US06/841,469 US4738907A (en) 1985-05-29 1986-03-20 Process for manufacturing a photomask

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JPS61273545A true JPS61273545A (ja) 1986-12-03
JPH0434144B2 JPH0434144B2 (ja) 1992-06-05

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