JP3956116B2 - フォトマスクブランクの選定方法 - Google Patents
フォトマスクブランクの選定方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3956116B2 JP3956116B2 JP2002207102A JP2002207102A JP3956116B2 JP 3956116 B2 JP3956116 B2 JP 3956116B2 JP 2002207102 A JP2002207102 A JP 2002207102A JP 2002207102 A JP2002207102 A JP 2002207102A JP 3956116 B2 JP3956116 B2 JP 3956116B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- photomask blank
- atomic
- antireflection film
- light shielding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Images
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体集積回路又は高密度集積回路等の製造工程において使用されるフォトマスクブランクの選定方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
LSI、VLSI等の高密度半導体集積回路やCCD(電荷結合素子)やLCD(液晶表示素子)用のカラーフィルターや磁気ヘッド等の微細加工には、フォトマスクを使ったフォトリソグラフィー技術が用いられている。
【0003】
この微細加工には、石英ガラス、アルミノシリケートガラス等の透明な基板の上に、一般的にはクロム膜からなる遮光膜をスパッタ又は真空蒸着等で形成したフォトマスクブランクを用い、この遮光膜に所定のパターンを形成したものをフォトマスクとして用いている。
【0004】
この様なフォトマスクは、まず、基板上にクロム系の遮光膜を成膜したフォトマスクブランクに、フォトレジストや電子線レジストを塗布した後、所定のパターンに選択的に露光し、現像工程、リンス工程及び乾燥工程を経てレジストパターンを形成し、次いで、このレジストパターンをマスクして、硝酸セリウムアンモニウムと過塩素酸の混合水溶液からなるエッチング液を用いてウェットエッチングを行うか、又は塩素ガスを用いたドライエッチングを行うことによりマスクされていない部分のクロム系膜を除去し、その後レジストを除去することにより得ることができ、これにより遮光部と透光部とからなる所定のパターンを形成することができる。
【0005】
また、このようなクロム系の遮光膜は、光反射率が大きいことから、被露光物である半導体基板で反射した光が投影レンズを通ってフォトマスクで反射し、再び半導体基板に戻ることを防止するため、通常、遮光膜の表面、又は表面及び裏面に反射防止膜を形成している。
【0006】
このようなフォトマスクに使用されるフォトマスクブランクとしては、従来、合成石英基板上に遮光膜をスパッタ又は真空蒸着等で形成し、さらに遮光膜の表層部に、シリコンウェハ等の半導体基板から反射した露光光が再度反射されるのを防止するための反射防止膜を設けているもの(2層構造膜)や、遮光膜の基板側にも反射防止膜を設けたもの(3層構造膜)などがあり、例えば、基板側の反射防止膜としてクロム炭化物及びクロム窒化物を含有するクロム炭化窒化物膜、遮光膜としてクロム膜、表面側の反射防止膜としてクロム酸化物及びクロム窒化物を含有するクロム酸化窒化物膜を順次積層したフォトマスクブランクスが提案されている(特公昭62−37385号公報)。また、反射防止膜としてCrONを用いたもの(特公昭61−46821号公報、特公昭62−27387号公報)、CrNを用いたもの(特公昭62−27386号公報、特公昭62−27387号公報)や、窒化クロムを用いた単層膜(特公平4−1339号公報)なども提案されている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、フォトマスクは、透明基板上に形成されたレジストパターンをマスクとし、エッチング液を用いて遮光膜や反射防止膜をウェットエッチングすることによってパターンを設けるが、この場合、遮光膜や反射防止膜に所定以上の大きさのエッチング斑が発生してしまうとパターンのエッジ部分のラフネスが大きくなり、微細なパターンを正確に作成することが困難になる。
【0008】
本発明は、上記問題点に鑑みなされたもので、エッチング時に形成されるエッチング斑が小さく、微細なパターンを正確に作成することが可能なフォトマスクブランクの選定方法を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段及び発明の実施の形態】
本発明者は、上記目的を達成するため鋭意検討を重ねた結果、露光光が透過する透明基板上に、少なくとも1層の遮光膜と少なくとも1層の反射防止膜とを積層したフォトマスクブランクであって、ウェットエッチングした際に発生するエッチング斑が150nm以下であるフォトマスクブランクが、パターンのエッジラフネスの少ないフォトマスクを与えるフォトマスクブランクであり、このようなフォトマスクブランクは、特に、遮光膜及び反射防止膜を酸素、窒素及び炭素の少なくとも1種を含むクロム系材料で形成し、更に、これらの炭素濃度を0〜7原子%とすることにより得ることができることを見出し、本発明をなすに至った。
【0010】
即ち、本発明は、下記のフォトマスクブランクの選定方法を提供する。
請求項1:
露光光が透過する透明基板上に、少なくとも1層の遮光膜と少なくとも1層の反射防止膜とを積層したフォトマスクブランクであって、ウェットエッチングした際に発生するエッチング斑が150nm以下であるフォトマスクブランクを、線幅が1.0μm以下の微細なパターンを正確に作成することが可能なフォトマスクブランクとして選定することを特徴とするフォトマスクブランクの選定方法。
請求項2:
遮光膜及び反射防止膜が、酸素、窒素及び炭素の少なくとも1種を含むクロム系材料からなるフォトマスクブランクであることを特徴とする請求項1記載のフォトマスクブランクの選定方法。
請求項3:
遮光膜及び反射防止膜の炭素濃度が、0〜7原子%であることを特徴とする請求項1記載のフォトマスクブランクの選定方法。
請求項4:
遮光膜及び反射防止膜が、炭素濃度が7原子%以下のCrCO若しくはCrCON又はCrONからなることを特徴とする請求項1記載のフォトマスクブランクの選定方法。
【0011】
本発明のフォトマスクブランクによれば、ウェットエッチングした際のエッチング斑部分を150nm以下とすることにより、微細なパターンをパターニングした際のパターンのエッジラフネスが良好なフォトマスクを得ることができる。
【0012】
以下、本発明につき更に詳しく説明する。
本発明のフォトマスクブランクは、露光光が透過する透明基板上に、少なくとも1層の遮光膜と少なくとも1層の反射防止膜とを積層したフォトマスクブランクであって、ウェットエッチングした際に発生するエッチング斑が150nm以下、好ましくは100nm以下のものである。
【0013】
上記フォトマスクブランクとしては、最表面層が反射防止膜であることが望ましく、遮光膜が1層、反射防止膜が1層の2層構造膜の場合、図1に示したように、透明基板1の上に遮光膜2、この遮光膜2の上に反射防止膜3を順次形成したものが好ましい。
【0014】
また、遮光膜が1層、反射防止膜が2層の3層構造膜の場合、図2に示したように、透明基板11上に第1の反射防止膜13、この第1の反射防止膜13の上に遮光膜12、更に遮光膜12の上に第2の反射防止膜13’を順次形成したものが好ましい。
【0015】
ここで、成膜に用いる基板としては特に制限されないが、例えば、石英、アルミノシリケートガラス、フッ化カルシウム、フッ化マグネシウムなどを好ましく用いることができる。
【0016】
一方、遮光膜及び反射防止膜は、酸素、窒素及び炭素の少なくとも1種を含むクロム系材料からなることが好ましく、その炭素濃度は0〜7原子%、特に0〜5原子%であることが好ましい。
【0017】
上記遮光膜、反射防止膜としては、特に、クロム酸化炭化物(CrCO)、クロム酸化窒化炭化物(CrCON)、クロム酸化窒化物(CrON)等のクロム系材料の膜を好ましく用いることができる。
【0018】
このようなCr系遮光膜又はCr系反射防止膜は、例えば、クロム単体又はクロムに酸素、窒素、炭素のいずれか又はこれらを組み合わせて添加したクロム化合物をターゲットとして用い、必要に応じて酸素源、窒素源、炭素源となる反応性ガス、及びAr,Ne,Kr等の不活性ガスを添加したスパッタリングガスを用いた反応性スパッタリングにより成膜することができる。
【0019】
具体的には、クロム酸化炭化物(CrCO)膜の場合、ターゲットとしてクロムを用い、スパッタガスとしてCH4,CO2,CO等の炭素を含むガスと、CO2,O2等の酸素を含むガスをそれぞれ1種以上用いるか、これらに、更にAr,Ne,Kr等の不活性ガスを混合したガスを用いて成膜することができる。特に、スパッタガスとしてCO2又はCO2と不活性ガスとの混合ガスを用いると安全であり、CO2ガスはO2等より反応性が低いが故に、チャンバ内の広範囲に均一にガスを回り込ませることができ、成膜されるCrCO膜の膜質が均一になる点から好ましい。ガスは、チャンバ内に個々に導入しても予め混合して導入してもよい。
【0020】
上記CrCO膜の組成は、特に限定されるものではないが、Cが1〜7原子%、Oが5〜60原子%、残りがCrであることが好ましい。
【0021】
また、クロム酸化窒化炭化物(CrCON)膜の場合、ターゲットとしてクロムを用い、スパッタガスとしてCH4,CO2,CO等の炭素を含むガスと、CO2,O2等の酸素を含むガスと、N2,NO,N2O等の窒素を含むガスのそれぞれ1種以上を用いるか、これらにAr,Ne,Kr等の不活性ガスを混合したガスを用いて成膜することができる。特に、スパッタガスとしてCO2とN2又はCO2とN2と不活性ガスとの混合ガスを用いると安全であり、CO2ガスはO2等より反応性が低いが故に、チャンバ内の広範囲に均一にガスを回り込ませることができ、成膜されるCrCON膜の膜質が均一になる点から好ましい。ガスは、チャンバ内に個々に導入しても予め混合して導入してもよい。
【0022】
上記CrCON膜の組成は、特に限定されるものではないが、Cが1〜7原子%、Oが5〜60原子%、Nが1〜60原子%、残りがCrであることが好ましい。
【0023】
なお、上記CrCO,CrCON等の炭素を含む膜を形成する際は、スパッタガスとして用いるCH4,CO2,CO等の炭素を含むガスの流量を調整することによって目的とする炭素濃度に制御することができる。
【0024】
また、クロム酸化窒化物(CrON)膜を成膜する場合は、ターゲットとしてクロムを用い、スパッタガスとしてNO,N2O等の窒素及び酸素を含むガスの1種以上を、必要に応じて更にN2を添加して用いるか、これらにAr,Ne,Kr等の不活性ガスを混合したガスを用いて成膜することができる。ガスは、チャンバ内に個々に導入しても予め混合して導入してもよい。
【0025】
上記CrON膜の組成は、特に限定されるものではないが、Oが30〜70原子%、Nが1〜60原子%、残りがCrであることが好ましい。
【0026】
スパッタリング方式としては、直流(DC)電源を用いたものでも、高周波(RF)電源を用いたものでもよく、またマグネトロンスパッタリング方式であっても、コンベンショナル方式であってもよいが、DCスパッタリングは機構が単純であり好ましい。また、マグネトロンスパッタリングを用いた場合、成膜速度が速くなり、生産性が向上する点から好ましい。なお、成膜装置は通過型でも枚葉型でも構わない。
【0027】
なお、上記膜の膜厚は、最表面の膜は5〜80nm、特に10〜70nmであることが好ましく、最表面の膜以外は、遮光膜の場合は10〜90nm、特に20〜80nm、反射防止膜の場合は5〜80nm、特に10〜70nmであることが好ましい。
【0028】
本発明において、エッチング斑とは、透明基板上の遮光膜及び反射防止膜をウェットエッチングしたときに発生するエッチングレートの速い部分と遅い部分の微細領域での差によるものであり、本発明のフォトマスクブランクは、このエッチング斑の大きさが150nm以下、好ましくは100nm以下である。このようなフォトマスクブランクをリソグラフィ法によりパターン形成して得られるフォトマスクは、微細なパターン、特に、線幅が1.0μm以下、好ましくは0.8μm以下のパターンを形成した際のパターンのエッジラフネスが良好となる。
【0029】
ウェットエッチングは、例えば、クロム系膜をエッチングする場合は、硝酸セリウムアンモニウムと過塩素酸の混合水溶液等のエッチング液を用いて、一般的なディップ方式やパドル方式等で実施することができる。
【0030】
特に、フォトマスクブランクの透明基板上に積層した遮光膜及び反射防止膜を、ジャストエッチ時間(エッチングにより遮光膜及び反射防止膜が除去され基板が露出するまでにかかる時間)の70%の時間でエッチングしたときに、透明基板上に残存する遮光膜又は反射防止膜の表面上に発生するエッチング斑の大きさが150nm以下、好ましくは100nm以下である場合、フォトマスクブランクをパターン形成したときのパターンのエッジラフネスが特に良好となる。
【0031】
本発明のフォトマスクは、上述のフォトマスクブランクをリソグラフィ法によりパターン形成することにより得ることができ、例えば、図3(A)に示したような3層構造膜のフォトマスクブランクから、図3(D)に示したような遮光膜と反射防止膜とからなる3層構造膜のフォトマスクが得られる。
【0032】
具体的には、図3(A)に示したように、透明基板11の上に第1の反射防止膜13、遮光膜12、第2の反射防止膜13’を順次形成した後、第2の反射防止膜膜13’の上にレジスト膜14を形成し、図3(B)に示したように、レジスト膜14をパターニングし、更に、図3(C)に示したように、第2の反射防止膜13’、遮光膜12及び第1の反射防止膜13をウェットエッチングした後、図3(D)に示したように、レジスト膜14を剥離する方法が採用し得る。この場合、レジスト膜の塗布、パターニング(露光、現像)、レジスト膜の除去は、公知の方法によって行うことができる。
【0033】
【実施例】
以下、実施例及び比較例を示し、本発明を具体的に説明するが、本発明は下記実施例に制限されるものではない。
【0034】
[実施例1]
6”の石英基板上に金属Crターゲットを用い、Arを32sccm、N2Oを14sccm、N2を10sccm流し、放電中のガス圧0.3Pa、投入電力6.6W/cm2のDCスパッタ法にてCrONの反射防止膜を10nm成膜した。このCrONの膜組成をESCAにより分析した結果、Crが47原子%、Oが43原子%、Nが10原子%含まれていた。
【0035】
このCrON膜上に金属Crをターゲットとし、Arを32sccm、CO2を0.7sccm、N2を7sccm流し、放電中のガス圧0.3Pa、投入電力6.6W/cm2のDCスパッタ法にてCrCONの遮光膜を70nm成膜した。このCrCONの膜組成をESCAにより分析した結果、Crが70原子%、Cが5原子%、Oが15原子%、Nが10原子%含まれていた。
【0036】
次に、このCrCON膜上に金属Crをターゲットとし、Arを32sccm、N2Oを14sccm、CO2を0.5sccm、N2を10sccm流し、放電中のガス圧0.3Pa、投入電力6.6W/cm2のDCスパッタ法にてCrCONの反射防止膜を18nm成膜した。このCrCONの膜組成をESCAにより分析した結果、Crが42原子%、Cが5原子%、Oが38原子%、Nが15原子%含まれていた。
【0037】
更に、このCrCON膜上に金属Crをターゲットとし、Arを32sccm、N2Oを48sccm流し、放電中のガス圧0.3Pa、投入電圧6.6W/cm2のDCスパッタ法にてCrONの反射防止膜を10nm成膜し、クロム系の4層膜を成膜したフォトマスクブランクを得た。このCrONの膜組成をESCAにより分析した結果、Crが38原子%、Oが50原子%、Nが12原子%含まれていた。
【0038】
このフォトマスクブランクを、硝酸セリウムアンモニウムと過塩素酸の混合水溶液からなるクロムエッチング液にジャストエッチ時間の70%の時間浸漬して取り出し、洗浄後、エッチング斑を観察した結果、観察されたエッチング斑の大きさは最大80nmであった。
【0039】
また、同様の方法にて得たフォトマスクブランク上にレジスト膜を形成してパターニングし、遮光膜及び反射防止膜をウェットエッチングし、レジスト膜を剥離することにより、線幅1.0μmのパターンを有するフォトマスクを得、このパターンを観察したところ、全体にわたりエッジが整ったパターンが形成されていた。
【0040】
[比較例1]
6”の石英基板上に金属Crターゲットを用い、Arを32sccm、CO2を14sccm、N2を10sccm流し、放電中のガス圧0.3Pa、投入電力6.6W/cm2のDCスパッタ法にてCrCONの反射防止膜を10nm成膜した。このCrCONの膜組成をESCAにより分析した結果、Crが42原子%、Cが5原子%、Oが43原子%、Nが10原子%含まれていた。
【0041】
このCrCON膜上に金属Crをターゲットとし、Arを32sccm、CO2を0.7sccm、N2を7sccm流し、放電中のガス圧0.3Pa、投入電力6.6W/cm2のDCスパッタ法にてCrCONの遮光膜を70nm成膜した。このCrCONの膜組成をESCAにより分析した結果、Crが70原子%、Cが5原子%、Oが15原子%、Nが10原子%含まれていた。
【0042】
次に、このCrCON膜上に金属Crをターゲットとし、Arを32sccm、CO2を14sccm、N2を10sccm流し、放電中のガス圧0.3Pa、投入電力6.6W/cm2のDCスパッタ法にてCrCONの反射防止膜を18nm成膜した。このCrCONの膜組成をESCAにより分析した結果、Crが42原子%、Cが10原子%、Oが38原子%、Nが10原子%含まれていた。
【0043】
更に、このCrCON膜上に金属Crをターゲットとし、Arを32sccm、CO2を24sccm、N2を10sccm流し、放電中のガス圧0.3Pa、投入電力6.6W/cm2のDCスパッタ法にてCrCONの反射防止膜を10nm成膜し、クロム系の4層膜を成膜したフォトマスクブランクを得た。このCrCONの膜組成をESCAにより分析した結果、Crが32原子%、Cが6原子%、Oが52原子%、Nが10原子%含まれていた。
【0044】
このフォトマスクブランクを、硝酸セリウムアンモニウムと過塩素酸の混合水溶液からなるクロムエッチング液にジャストエッチ時間の70%の時間浸漬して取り出し、洗浄後、エッチング斑を観察した結果、観察されたエッチング斑の大きさは最大270nmであった。
【0045】
また、同様の方法にて得たフォトマスクブランク上にレジスト膜を形成してパターニングし、遮光膜及び反射防止膜をウェットエッチングし、レジスト膜を剥離することにより、線幅1.0μmのパターンを有するフォトマスクを得、このパターンを観察したところ、パターンのところどころにエッジが崩れた部分があることが確認された。
【0046】
【発明の効果】
本発明のフォトマスクブランクは、ウェットエッチングにより発生するエッチング斑が150nm以下であり、所望とする微細なパターンを正確に形成することができ、半導体集積回路装置等における更なる高集積化に十分対応することができるものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例に係るフォトマスクブランクの断面図である。
【図2】本発明の別の実施例に係るフォトマスクブランクの断面図である。
【図3】フォトマスクの製造法を示した説明図であり、(A)はレジスト膜を形成した状態、(B)はレジスト膜をパターンニングした状態、(C)は遮光膜及び反射防止膜のエッチングを行った状態、(D)はレジスト膜を除去した状態の概略断面図である。
【符号の説明】
1,11 透明基板
2,12 遮光膜
3 反射防止膜
13 第1の反射防止膜
13’ 第2の反射防止膜
14 レジスト膜
Claims (4)
- 露光光が透過する透明基板上に、少なくとも1層の遮光膜と少なくとも1層の反射防止膜とを積層したフォトマスクブランクであって、ウェットエッチングした際に発生するエッチング斑が150nm以下であるフォトマスクブランクを、線幅が1.0μm以下の微細なパターンを正確に作成することが可能なフォトマスクブランクとして選定することを特徴とするフォトマスクブランクの選定方法。
- 遮光膜及び反射防止膜が、酸素、窒素及び炭素の少なくとも1種を含むクロム系材料からなるフォトマスクブランクであることを特徴とする請求項1記載のフォトマスクブランクの選定方法。
- 遮光膜及び反射防止膜の炭素濃度が、0〜7原子%であることを特徴とする請求項1記載のフォトマスクブランクの選定方法。
- 遮光膜及び反射防止膜が、炭素濃度が7原子%以下のCrCO若しくはCrCON又はCrONからなることを特徴とする請求項1記載のフォトマスクブランクの選定方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002207102A JP3956116B2 (ja) | 2002-07-16 | 2002-07-16 | フォトマスクブランクの選定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002207102A JP3956116B2 (ja) | 2002-07-16 | 2002-07-16 | フォトマスクブランクの選定方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004053662A JP2004053662A (ja) | 2004-02-19 |
JP3956116B2 true JP3956116B2 (ja) | 2007-08-08 |
Family
ID=31931649
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002207102A Expired - Lifetime JP3956116B2 (ja) | 2002-07-16 | 2002-07-16 | フォトマスクブランクの選定方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3956116B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100780815B1 (ko) | 2005-07-01 | 2007-11-29 | 주식회사 에스앤에스텍 | 액정표시장치용 블랭크마스크 및 포토마스크 제조방법 |
JP2007219038A (ja) * | 2006-02-15 | 2007-08-30 | Hoya Corp | マスクブランク及びフォトマスク |
WO2009123172A1 (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-08 | Hoya株式会社 | フォトマスクブランク、フォトマスクおよびフォトマスクブランクの製造方法 |
JP6158460B1 (ja) | 2015-11-06 | 2017-07-05 | Hoya株式会社 | マスクブランク、位相シフトマスクの製造方法、及び半導体デバイスの製造方法 |
WO2017141605A1 (ja) * | 2016-02-15 | 2017-08-24 | Hoya株式会社 | マスクブランク、位相シフトマスクの製造方法、及び半導体デバイスの製造方法 |
-
2002
- 2002-07-16 JP JP2002207102A patent/JP3956116B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2004053662A (ja) | 2004-02-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100596110B1 (ko) | 포토마스크용 블랭크 및 포토마스크 | |
EP1152292B1 (en) | Halftone phase shift photomask and blank for halftone phase shift photomask | |
JP4088742B2 (ja) | フォトマスクブランクス、フォトマスク及びフォトマスクブランクスの製造方法 | |
JP2009258357A (ja) | フォトマスク用基板及びフォトマスクとその製造方法 | |
JP3956103B2 (ja) | フォトマスクブランク、フォトマスク及びフォトマスクブランクの評価方法 | |
JP2005234209A (ja) | ハーフトーン位相シフトマスクブランクの製造方法、ハーフトーン位相シフトマスクブランク、ハーフトーン位相シフトマスク及びパターン転写方法 | |
JP3037763B2 (ja) | フォトマスクブランク及びその製造方法、並びにフォトマスク及びその製造方法 | |
JP3956116B2 (ja) | フォトマスクブランクの選定方法 | |
TW544549B (en) | Half-tone type phase shift mask blank, process for prodncing half-tone type phase shift mask, pattern transfer method, laminate and method of forming pattern | |
JP3312702B2 (ja) | 位相シフトフォトマスク及び位相シフトフォトマスク用ブランクス | |
JPS6251461B2 (ja) | ||
JP4497263B2 (ja) | フォトマスクブランクス及びその製造方法 | |
JPH11125896A (ja) | フォトマスクブランクス及びフォトマスク | |
JP2004053663A (ja) | フォトマスクブランク、フォトマスク及びフォトマスクブランクの選定方法 | |
JP4332697B2 (ja) | スパッタターゲット | |
JP2002287330A (ja) | フォトマスク用ブランクス及びフォトマスク | |
JP2018054794A (ja) | マスクブランク用ガラス基板の再生方法、マスクブランクの製造方法及び転写用マスクの製造方法 | |
WO2004017140A1 (ja) | マスクブランクの製造方法、転写マスクの製造方法、マスクブランク製造用スパッタリングターゲット | |
JPH0950112A (ja) | 位相シフトマスク | |
JPS6251460B2 (ja) | ||
KR100610749B1 (ko) | 크롬 포토 마스크의 제조 방법 | |
JP2004318087A (ja) | 位相シフトマスクブランク、位相シフトマスク及び位相シフトマスクブランクの製造方法 | |
JP7411840B2 (ja) | フォトマスクブランク、フォトマスクの製造方法及びフォトマスク | |
JP3664332B2 (ja) | ハーフトーン位相シフトフォトマスクの製造方法 | |
JP7258717B2 (ja) | フォトマスクブランク、フォトマスクブランクの製造方法、フォトマスクの製造方法及び表示装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040728 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060728 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060809 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061005 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070411 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070424 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 3956116 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130518 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160518 Year of fee payment: 9 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |