JPS6251460B2 - - Google Patents
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- JPS6251460B2 JPS6251460B2 JP4792281A JP4792281A JPS6251460B2 JP S6251460 B2 JPS6251460 B2 JP S6251460B2 JP 4792281 A JP4792281 A JP 4792281A JP 4792281 A JP4792281 A JP 4792281A JP S6251460 B2 JPS6251460 B2 JP S6251460B2
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- tantalum oxide
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/50—Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
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- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
- G03F1/46—Antireflective coatings
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体素子、IC，LSI，カラーストラ
イプフイルター等の製造に不可欠なフオトマスク
に関する。
イプフイルター等の製造に不可欠なフオトマスク
に関する。
極めて微細な回路画像を半導体基板等に焼付け
る為の原版であるフオトマスクとしては、比較的
精度のゆるい用途に用いられる安価なエマルジヨ
ンマスクと、高精度用途に用いられる耐久性にす
ぐれたクロムマスク等ハードマスクがある。後者
のハードマスクにはクロム膜の他酸化クロム膜、
酸化鉄膜、シリコン膜等が実用されており、更に
は超LSI；磁気バブル素子、表面弾性波素子等の
極微細パターン形成用途として、良好なドライエ
ツチング適性と、強靭な耐久性を持ち、かつ低毒
性材料としてタンタル膜を用いたハードマスクが
開発されている（特開昭52−65673）。
る為の原版であるフオトマスクとしては、比較的
精度のゆるい用途に用いられる安価なエマルジヨ
ンマスクと、高精度用途に用いられる耐久性にす
ぐれたクロムマスク等ハードマスクがある。後者
のハードマスクにはクロム膜の他酸化クロム膜、
酸化鉄膜、シリコン膜等が実用されており、更に
は超LSI；磁気バブル素子、表面弾性波素子等の
極微細パターン形成用途として、良好なドライエ
ツチング適性と、強靭な耐久性を持ち、かつ低毒
性材料としてタンタル膜を用いたハードマスクが
開発されている（特開昭52−65673）。
本発明は上記タンタル多層膜ハードマスクの特
性を更に向上し、より高精度なフオトマスクを実
現する為のものである。
性を更に向上し、より高精度なフオトマスクを実
現する為のものである。
一般にハードマスクはウエハー面との多重反射
を防止し、露光ラチチユードを大きくする目的で
表面に反射防止膜が設けられた２層タイプや更に
裏面の反射も防止して、オートマスクアライナー
を動作させる事の３層タイプ等、多層膜を遮光膜
として設けたものが主であり、タンタル材を用い
たフオトマスクもこの構成で主に使用される。
を防止し、露光ラチチユードを大きくする目的で
表面に反射防止膜が設けられた２層タイプや更に
裏面の反射も防止して、オートマスクアライナー
を動作させる事の３層タイプ等、多層膜を遮光膜
として設けたものが主であり、タンタル材を用い
たフオトマスクもこの構成で主に使用される。
しかるにこの多層構造タンタルマスクはクロム
系多層膜マスクと同様、反射防止層として酸化物
層が用いられており、上記のような優れた基本特
性を有するものの、下記のような製造上の困難と
それに起因する問題点が存在する。すなわち通
常、陽極酸化法を用いて生成される反射防止用酸
化タンタル層は遮光層である純タンタル層に比し
て非常に強固な反面、CF4等フレオン系ガスによ
るエツチング速度が小さく、ドライエツチング時
に上層に形成されているフオトレジストとのエツ
チ速度比を大きくとる事が難しい。
系多層膜マスクと同様、反射防止層として酸化物
層が用いられており、上記のような優れた基本特
性を有するものの、下記のような製造上の困難と
それに起因する問題点が存在する。すなわち通
常、陽極酸化法を用いて生成される反射防止用酸
化タンタル層は遮光層である純タンタル層に比し
て非常に強固な反面、CF4等フレオン系ガスによ
るエツチング速度が小さく、ドライエツチング時
に上層に形成されているフオトレジストとのエツ
チ速度比を大きくとる事が難しい。
したがつて、タンタル単層膜の場合はジヤスト
エツチング時間の２〜３倍更にオーバーエツチを
施しても殆んど寸法シフトがみられず広いプロセ
スラチチユードが得られるのに対し、酸化タンタ
ルと積層した多層膜の場合、通常、クロム系マス
クと同等の寸法変化を生じてしまう。これはサブ
ミクロンパターン形成等高精度用途に反するもの
である。更に、他の層との間のエツチ速度が４〜
５倍異なる為に、エツチングを均一に行なうこと
が難しく、一般にムラを生じ易い。この事によつ
て条件によつては局部的なアンダーエツチングに
よつて生ずる膜残渣に起因する欠陥が生ぜしめら
れる。又、上記のことはこの酸化膜を酸化タンタ
ルターゲツトを用い、スパツタ法で形成した場合
にもいえることである。そして第２の問題として
は膜形成上の困難が挙げられる。陽極酸化法によ
る酸化タンタル層の酸化膜形成は、均一で大量処
理が可能であるものの、化学薬品を使用するウエ
ツトプロセスであり、タンタル層を形成するスパ
ツタリング等ドライプロセスと異なる工程によら
ねばならない。そしてウエツトプロセスであるが
ゆえに不純物、異物、粒子等液管理の煩雑さを伴
つており、マスクブランク表面に欠陥を生じ易
い。
エツチング時間の２〜３倍更にオーバーエツチを
施しても殆んど寸法シフトがみられず広いプロセ
スラチチユードが得られるのに対し、酸化タンタ
ルと積層した多層膜の場合、通常、クロム系マス
クと同等の寸法変化を生じてしまう。これはサブ
ミクロンパターン形成等高精度用途に反するもの
である。更に、他の層との間のエツチ速度が４〜
５倍異なる為に、エツチングを均一に行なうこと
が難しく、一般にムラを生じ易い。この事によつ
て条件によつては局部的なアンダーエツチングに
よつて生ずる膜残渣に起因する欠陥が生ぜしめら
れる。又、上記のことはこの酸化膜を酸化タンタ
ルターゲツトを用い、スパツタ法で形成した場合
にもいえることである。そして第２の問題として
は膜形成上の困難が挙げられる。陽極酸化法によ
る酸化タンタル層の酸化膜形成は、均一で大量処
理が可能であるものの、化学薬品を使用するウエ
ツトプロセスであり、タンタル層を形成するスパ
ツタリング等ドライプロセスと異なる工程によら
ねばならない。そしてウエツトプロセスであるが
ゆえに不純物、異物、粒子等液管理の煩雑さを伴
つており、マスクブランク表面に欠陥を生じ易
い。
又、タンタルターゲツトと酸素―アルゴン混合
ガスによる反応性スパツタリング法により酸化タ
ンタル層を形成する場合は、安定した膜形成を行
うには通常700〜900℃の基板温度が必要であり、
非常に平坦なガラスを基板とするフオトマスクブ
ランクの形成は不可能である。そして300℃以下
の基板温度で膜形成を行う場合は酸化度の再現性
に乏しく、かつ膜形成速度は非常に遅い。微小な
欠陥発生をも大きな問題とするフオトマスクブラ
ンクの製造においては、以上述べた事から判断さ
れる様に全ドライプロセス、特に反応性スパツタ
法が望ましいのであるが、酸化タンタルとタンタ
ルの積層構成膜についてはそれが困難である。
ガスによる反応性スパツタリング法により酸化タ
ンタル層を形成する場合は、安定した膜形成を行
うには通常700〜900℃の基板温度が必要であり、
非常に平坦なガラスを基板とするフオトマスクブ
ランクの形成は不可能である。そして300℃以下
の基板温度で膜形成を行う場合は酸化度の再現性
に乏しく、かつ膜形成速度は非常に遅い。微小な
欠陥発生をも大きな問題とするフオトマスクブラ
ンクの製造においては、以上述べた事から判断さ
れる様に全ドライプロセス、特に反応性スパツタ
法が望ましいのであるが、酸化タンタルとタンタ
ルの積層構成膜についてはそれが困難である。
他の層との間のエツチング速度差を無くす為に
は、陽極酸化法やスパツタ法での液組成比、ガス
組成比、温度、電流値等の条件を変え、酸化タン
タル膜の膜質を変化させる事も考えられるが、そ
の様な範囲は非常に狭く、又、著しい条件変化は
膜の耐久性や光学特性等基本特性を損う事となる
かもしくは生産性を低下せしめる事となる。
は、陽極酸化法やスパツタ法での液組成比、ガス
組成比、温度、電流値等の条件を変え、酸化タン
タル膜の膜質を変化させる事も考えられるが、そ
の様な範囲は非常に狭く、又、著しい条件変化は
膜の耐久性や光学特性等基本特性を損う事となる
かもしくは生産性を低下せしめる事となる。
本発明は以上の如きタンタル、酸化タンタル多
層マスクの問題点を鑑み、それらを解決し、高精
度・高耐久度・タンタル多層マスクの実現を図る
べくなされたものである。
層マスクの問題点を鑑み、それらを解決し、高精
度・高耐久度・タンタル多層マスクの実現を図る
べくなされたものである。
そして本発明者は反射防止層としての酸化タン
タル層にかわり、遮光層タンタル膜と同様のエツ
チング特性を持ち、かつ従来の優れたタンタル多
層膜の基本特性を損なわぬ材料すなわち、容易
に膜形成が行える事、特に反応性スパツタによる
形成が可能な事、10％以下の表面反射率を実現
できる事、タンタル膜とほぼ同一のドライエツ
チングレートを有する事。酸化タンタルと同等
以上の化学的耐久性を有する事、酸化タンタルと
同等の表面強度を有する事、均一で欠陥のない
膜を形成する事、フオトレジストと優れた密着
性を示す事、等の特性を備えた材料を開発すべく
研究の結果、酸化タンタルにかわり、酸化タンタ
ル及び窒化タンタルを主成分とする薄膜をタンタ
ル薄膜と積層することにより上記要求特性を全く
満すフオトマスクブランク板を形成することがで
き、そのブランク板を用いて高精度であり、且つ
耐薬品性に富みしかも強じんなフオトマスクを形
成し得ることを見い出し、かかる知見にもとづい
て本発明を完成した。
タル層にかわり、遮光層タンタル膜と同様のエツ
チング特性を持ち、かつ従来の優れたタンタル多
層膜の基本特性を損なわぬ材料すなわち、容易
に膜形成が行える事、特に反応性スパツタによる
形成が可能な事、10％以下の表面反射率を実現
できる事、タンタル膜とほぼ同一のドライエツ
チングレートを有する事。酸化タンタルと同等
以上の化学的耐久性を有する事、酸化タンタルと
同等の表面強度を有する事、均一で欠陥のない
膜を形成する事、フオトレジストと優れた密着
性を示す事、等の特性を備えた材料を開発すべく
研究の結果、酸化タンタルにかわり、酸化タンタ
ル及び窒化タンタルを主成分とする薄膜をタンタ
ル薄膜と積層することにより上記要求特性を全く
満すフオトマスクブランク板を形成することがで
き、そのブランク板を用いて高精度であり、且つ
耐薬品性に富みしかも強じんなフオトマスクを形
成し得ることを見い出し、かかる知見にもとづい
て本発明を完成した。
即ち、第１の発明の要旨は透明基板上にタンタ
ル薄膜層とそれに積層された酸化タンタル及び窒
化タンタルを主成分とする薄膜層とからなる多層
遮光膜が遮光すべき領域にパターン化されて設け
られていることを特徴とするフオトマスクであ
り、第２の発明の要旨は透明基板上に第１の酸化
タンタル及び窒化タンタルを主成分とする薄膜
層、タンタル薄膜層、及び第２の酸化タンタル及
び窒化タンタルを主成分とする薄膜層とからなる
多層遮光膜が遮光すべき領域にパターン化されて
設けられていることを特徴とするフオトマスクで
ある。
ル薄膜層とそれに積層された酸化タンタル及び窒
化タンタルを主成分とする薄膜層とからなる多層
遮光膜が遮光すべき領域にパターン化されて設け
られていることを特徴とするフオトマスクであ
り、第２の発明の要旨は透明基板上に第１の酸化
タンタル及び窒化タンタルを主成分とする薄膜
層、タンタル薄膜層、及び第２の酸化タンタル及
び窒化タンタルを主成分とする薄膜層とからなる
多層遮光膜が遮光すべき領域にパターン化されて
設けられていることを特徴とするフオトマスクで
ある。
窒化タンタルのエツチ速度はタンタルのそれに
比して速いことから酸化タンタルと窒化タンタル
の組成比を適当に変化させる事によつて目的とす
るエツチング速度を得る事ができる。
比して速いことから酸化タンタルと窒化タンタル
の組成比を適当に変化させる事によつて目的とす
るエツチング速度を得る事ができる。
又、酸化タンタル及び窒化タンタルを主成分と
する薄膜の形成法としては酸素ガスと窒素ガスを
用いる事によつて容易に反応性スパツタリングが
可能であり、目的の膜形成の為に特に高温を必要
とする事もない。もちろん適当な組成の酸化物タ
ーゲツトを用いて積層を行う事も可能である。
する薄膜の形成法としては酸素ガスと窒素ガスを
用いる事によつて容易に反応性スパツタリングが
可能であり、目的の膜形成の為に特に高温を必要
とする事もない。もちろん適当な組成の酸化物タ
ーゲツトを用いて積層を行う事も可能である。
酸化タンタル及び窒化タンタルを主成分とする
薄膜は光学特性、化学的耐久性、膜強度等殆んど
酸化タンタル膜と同一であり、しかもタンタル膜
と同一のエツチング特性を有し、寸法シフトのな
い高精度エツチング加工を行なうことができる。
薄膜は光学特性、化学的耐久性、膜強度等殆んど
酸化タンタル膜と同一であり、しかもタンタル膜
と同一のエツチング特性を有し、寸法シフトのな
い高精度エツチング加工を行なうことができる。
以下、本発明につき図面を参照しながら詳細に
説明する。
説明する。
第１図は第１の発明のフオトマスクＳを示す。
このフオトマスクＳは、表面低反射フオトマスク
で、表面の充分研摩されたソーダライムガラス、
ボロシリケートガラス、石英ガラス、サフアイア
等からなる透明基板１上に厚さ500〜1000Åのタ
ンタル薄膜層２と反射防止層としての200〜400Å
厚の酸化タンタル及び窒化タンタルを主成分とす
る薄膜層３とからなる多層遮光膜４が遮光すべき
領域にパターン化されて設けられている。
このフオトマスクＳは、表面低反射フオトマスク
で、表面の充分研摩されたソーダライムガラス、
ボロシリケートガラス、石英ガラス、サフアイア
等からなる透明基板１上に厚さ500〜1000Åのタ
ンタル薄膜層２と反射防止層としての200〜400Å
厚の酸化タンタル及び窒化タンタルを主成分とす
る薄膜層３とからなる多層遮光膜４が遮光すべき
領域にパターン化されて設けられている。
第２図は第２の発明のフオトマスク７を示す。
このフオトマスク７は両面低反射タンタルマスク
で、表面の充分研摩されたソーダライムガラス、
ボロシリケートガラス、石英ガラス、サフアイア
等からなる透明基板１上に反射防止層としての
200〜400Å厚の第１の酸化タンタル及び窒化タン
タルを主成分とする薄膜層３ａと膜厚400〜1000
Åのタンタル薄膜層２と第２の酸化タンタル及び
窒化タンタルを主成分とする薄膜層３ｂとからな
る多層遮光膜６が遮光すべき領域にパターン化さ
れて設けられている。
このフオトマスク７は両面低反射タンタルマスク
で、表面の充分研摩されたソーダライムガラス、
ボロシリケートガラス、石英ガラス、サフアイア
等からなる透明基板１上に反射防止層としての
200〜400Å厚の第１の酸化タンタル及び窒化タン
タルを主成分とする薄膜層３ａと膜厚400〜1000
Åのタンタル薄膜層２と第２の酸化タンタル及び
窒化タンタルを主成分とする薄膜層３ｂとからな
る多層遮光膜６が遮光すべき領域にパターン化さ
れて設けられている。
而して、本発明のフオトマスクにおいて酸化タ
ンタル及び窒化タンタルを主成分とする薄膜層の
組成をTax Ny Ozと表現した場合、ｘ＝１，ｙ
＝0.15〜0.5z＝1.0〜2.5の範囲が適当である。実
際には装置、作成条件にあわせてエツチ速度を最
適とするｘ，ｙ，ｚの値を選択する必要がある。
ンタル及び窒化タンタルを主成分とする薄膜層の
組成をTax Ny Ozと表現した場合、ｘ＝１，ｙ
＝0.15〜0.5z＝1.0〜2.5の範囲が適当である。実
際には装置、作成条件にあわせてエツチ速度を最
適とするｘ，ｙ，ｚの値を選択する必要がある。
次に酸化タンタル及び窒化タンタルを主成分と
する薄膜層の作製法としてはTaとＮとＯとから
なるターゲツト、例えば酸化タンタルと窒化タン
タルの混合物を焼結させたターゲツトを用いる不
活性スパツタ法、N2ガスとO2ガス雰囲気を用い
る反応性スパツタ法、電子ビーム蒸着法等有る
が、前述の如くのスパツタ法が最適の方法であ
る。
する薄膜層の作製法としてはTaとＮとＯとから
なるターゲツト、例えば酸化タンタルと窒化タン
タルの混合物を焼結させたターゲツトを用いる不
活性スパツタ法、N2ガスとO2ガス雰囲気を用い
る反応性スパツタ法、電子ビーム蒸着法等有る
が、前述の如くのスパツタ法が最適の方法であ
る。
次にタンタル薄膜層と酸化タンタル及び窒化タ
ンタルを主成分とする薄膜層とからなる積層体又
は第１の酸化タンタル及び窒化タンタルを主成分
とする薄膜層、タンタル薄膜層、及び第２の酸化
タンタル及び窒化タンタルを主成分とする薄膜層
からなる積層体をパターン化する。画像形成法は
通常のフオトリソグラフイーないし電子ビームリ
ソグラフイーと同一方法で有り、CF4やCF4＋O2
等のガスを用い、ドライエツチングを行なえばオ
ーバーエツチングに対しても許容範囲が広く殆ん
ど寸法変化がない為、容易に高精度なフオトマス
クを得る事が出来る。
ンタルを主成分とする薄膜層とからなる積層体又
は第１の酸化タンタル及び窒化タンタルを主成分
とする薄膜層、タンタル薄膜層、及び第２の酸化
タンタル及び窒化タンタルを主成分とする薄膜層
からなる積層体をパターン化する。画像形成法は
通常のフオトリソグラフイーないし電子ビームリ
ソグラフイーと同一方法で有り、CF4やCF4＋O2
等のガスを用い、ドライエツチングを行なえばオ
ーバーエツチングに対しても許容範囲が広く殆ん
ど寸法変化がない為、容易に高精度なフオトマス
クを得る事が出来る。
本発明のフオトマスクは強靭で有り、各種のマ
スク洗浄液に対して優れた耐性を示す。すなわ
ち、H2O2とH2SO4の混合液110℃に延べ10時間、
KNO3とH2SO4の混合液80℃に50時間、又、
K2Cr2O7とH2SO4の混合液に50時間、いづれの浸
漬テストに対しても本発明のフオトマスクは表面
反射率、光学濃度共に殆んど変化がみられない。
又、回転ナイロンブラシによるスクラバー洗浄、
2000psiでの高圧水洗浄のいずれの場合にも同様
に画線に何らの変化も認められない。
スク洗浄液に対して優れた耐性を示す。すなわ
ち、H2O2とH2SO4の混合液110℃に延べ10時間、
KNO3とH2SO4の混合液80℃に50時間、又、
K2Cr2O7とH2SO4の混合液に50時間、いづれの浸
漬テストに対しても本発明のフオトマスクは表面
反射率、光学濃度共に殆んど変化がみられない。
又、回転ナイロンブラシによるスクラバー洗浄、
2000psiでの高圧水洗浄のいずれの場合にも同様
に画線に何らの変化も認められない。
次に本発明の実施例をあげて具体的に説明す
る。
る。
実施例 １
充分に研磨された合成石英ガラス基板上にスパ
ツタリングにより600Å厚のタンタル膜を形成し
た。スパツタリング条件はスパツタガスはアルゴ
ンガス100％、圧力２×10-2Torr、基板―ターゲ
ツト間距離５cm、スパツタ速度100Å／minであ
つた。
ツタリングにより600Å厚のタンタル膜を形成し
た。スパツタリング条件はスパツタガスはアルゴ
ンガス100％、圧力２×10-2Torr、基板―ターゲ
ツト間距離５cm、スパツタ速度100Å／minであ
つた。
次にタンタル膜上にスパツタリングにより250
Å厚の窒化タンタル及び酸化タンタルを主成分と
する薄膜を積層した。スパツタリング条件はスパ
ツタガスはアルゴンガス100％、圧力10-2Torr、
基板―ターゲツト間距離５cm、プラズマ励起は
13.56MHzの高周波であり、スパツタ速度は25
Å／minであり、用いたスパツタターゲツトは酸
化タンタル及び窒化タンタルの混合物を焼結して
なるTa：Ｎ：Ｏ＝１：0.3：1.6相当の組成比（原
子数比）の組成物であつた。このようにして得ら
れたマスクブランクの表面反射率はHg―glineに
て５％、光学濃度は3.0であつた。
Å厚の窒化タンタル及び酸化タンタルを主成分と
する薄膜を積層した。スパツタリング条件はスパ
ツタガスはアルゴンガス100％、圧力10-2Torr、
基板―ターゲツト間距離５cm、プラズマ励起は
13.56MHzの高周波であり、スパツタ速度は25
Å／minであり、用いたスパツタターゲツトは酸
化タンタル及び窒化タンタルの混合物を焼結して
なるTa：Ｎ：Ｏ＝１：0.3：1.6相当の組成比（原
子数比）の組成物であつた。このようにして得ら
れたマスクブランクの表面反射率はHg―glineに
て５％、光学濃度は3.0であつた。
次いで周知のフオトリソグラフイープロセスに
よりAZ―1350フオトレジストパターンをブラン
ク上に形成し、ドライエツチングにより、最小
0.5μｍ線巾の非常にシヤープな画線を持つフオ
トマスクを得た。ドライエツチングガスは
CF4100％、ガス圧10mtorr、平行平板対向電極型
のドライエツチング装置を用いパワー密度
0.3W／cm2にてエツチング時間は２分であつた。
同様にドライエツチング時間15分処理の同一パタ
ーンフオトマスクを得て、寸法値の比較を行つた
がマスク間の寸法差は0.05μｍ以下であつた。こ
れらのフオトマスクをK2Cr2O7100ｇ、H2SO4100
mlの混合液に温度80℃にて50時間浸漬したが、反
射率、濃度、欠陥等フオトマスク特性に問題とな
る様な変化はみられなかつた。
よりAZ―1350フオトレジストパターンをブラン
ク上に形成し、ドライエツチングにより、最小
0.5μｍ線巾の非常にシヤープな画線を持つフオ
トマスクを得た。ドライエツチングガスは
CF4100％、ガス圧10mtorr、平行平板対向電極型
のドライエツチング装置を用いパワー密度
0.3W／cm2にてエツチング時間は２分であつた。
同様にドライエツチング時間15分処理の同一パタ
ーンフオトマスクを得て、寸法値の比較を行つた
がマスク間の寸法差は0.05μｍ以下であつた。こ
れらのフオトマスクをK2Cr2O7100ｇ、H2SO4100
mlの混合液に温度80℃にて50時間浸漬したが、反
射率、濃度、欠陥等フオトマスク特性に問題とな
る様な変化はみられなかつた。
実施例 ２
充分に研磨されたLE―30ガラス基板（保谷電
子製）上に反応性スパツタリングにより00Å厚の
酸化タンタル及び窒化タンタルを主成分とする薄
膜を形成した。尚、スパツタリング条件はスパツ
タガスはAr（55％）＋He（10％）＋N2（30％）＋
O2（５％）の混合ガス、ガス圧２×10-2Torr、
スパツタ速度30Å／min、ターゲツトマスク間距
離５cmであつた。
子製）上に反応性スパツタリングにより00Å厚の
酸化タンタル及び窒化タンタルを主成分とする薄
膜を形成した。尚、スパツタリング条件はスパツ
タガスはAr（55％）＋He（10％）＋N2（30％）＋
O2（５％）の混合ガス、ガス圧２×10-2Torr、
スパツタ速度30Å／min、ターゲツトマスク間距
離５cmであつた。
次いでその上にタンタル膜を実施例１と同一条
件で500Å積層し、更に第３層として再度酸化タ
ンタル及び窒化タンタルを主成分とする薄膜を反
応性スパツタリングにて300Å形成した。
件で500Å積層し、更に第３層として再度酸化タ
ンタル及び窒化タンタルを主成分とする薄膜を反
応性スパツタリングにて300Å形成した。
上記の如くして得られた酸化タンタル及び窒化
タンタルを主成分とする薄膜のTa：Ｎ：Ｏの組
成比（原子数比）は１：0.5：1.7であつた。又、
表面反射率はHg―glineにて７％、裏面反射率は
Hg―elineにて14％、光学濃度は2.8である。
タンタルを主成分とする薄膜のTa：Ｎ：Ｏの組
成比（原子数比）は１：0.5：1.7であつた。又、
表面反射率はHg―glineにて７％、裏面反射率は
Hg―elineにて14％、光学濃度は2.8である。
次いで周知のフオトリソグラフイー法により、
AZ―1350フオトレジスト画像をこのマスクブラ
ンク上に形成し、CF4（100％）＋O2（５％）の混
合ガスを用いドライエツチングを行つた。エツチ
ング装置は平行平板対向電極型であり極間距離は
10cm、パワー密度は0.5W／cm2であつた。この条
件にてエツチング時間２分〜15分処理のフオトマ
スクを得、１μｍ巾の画線寸法値の比較を行つた
がマスク間の寸法差は0.05μｍ以下であつた。
AZ―1350フオトレジスト画像をこのマスクブラ
ンク上に形成し、CF4（100％）＋O2（５％）の混
合ガスを用いドライエツチングを行つた。エツチ
ング装置は平行平板対向電極型であり極間距離は
10cm、パワー密度は0.5W／cm2であつた。この条
件にてエツチング時間２分〜15分処理のフオトマ
スクを得、１μｍ巾の画線寸法値の比較を行つた
がマスク間の寸法差は0.05μｍ以下であつた。
得られたフオトマスクを用いて、実施例１と同
様の耐薬品テストを行つたが、マスク精度の変化
は殆んど見られず、欠陥の増加も認められなかつ
た。
様の耐薬品テストを行つたが、マスク精度の変化
は殆んど見られず、欠陥の増加も認められなかつ
た。
第１図は第１の発明のフオトマスクの断面図、
第２図は第２の発明のフオトマスクの断面図であ
る。 ５，７……フオトマスク、１……透明基板、２
……タンタル薄膜層、３，３ａ，３ｂ……酸化タ
ンタル及び窒化タンタルを主成分とする薄膜層、
４，６……多層遮光膜。
第２図は第２の発明のフオトマスクの断面図であ
る。 ５，７……フオトマスク、１……透明基板、２
……タンタル薄膜層、３，３ａ，３ｂ……酸化タ
ンタル及び窒化タンタルを主成分とする薄膜層、
４，６……多層遮光膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 透明基板上にタンタル薄膜層とそれに積層さ
れた酸化タンタル及び窒化タンタルを主成分とす
る薄膜層とからなる多層遮光膜が遮光すべき領域
にパターン化されて設けられていることを特徴と
するフオトマスク。 ２ 透明基板上に第１の酸化タンタル及び窒化タ
ンタルを主成分とする薄膜層、タンタル薄膜層及
び第２の酸化タンタル及び窒化タンタルを主成分
とする薄膜層が順次積層された多層遮光膜が遮光
するべき領域にパターン化されて設けられている
ことを特徴とするフオトマスク。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4792281A JPS57161856A (en) | 1981-03-31 | 1981-03-31 | Photomask |
| EP81109440A EP0054736B1 (en) | 1980-12-22 | 1981-10-30 | Photomask and photomask blank |
| DE8181109440T DE3170637D1 (en) | 1980-12-22 | 1981-10-30 | Photomask and photomask blank |
| US06/319,962 US4374912A (en) | 1981-03-31 | 1981-11-10 | Photomask and photomask blank |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4792281A JPS57161856A (en) | 1981-03-31 | 1981-03-31 | Photomask |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57161856A JPS57161856A (en) | 1982-10-05 |
| JPS6251460B2 true JPS6251460B2 (ja) | 1987-10-30 |
Family
ID=12788853
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4792281A Granted JPS57161856A (en) | 1980-12-22 | 1981-03-31 | Photomask |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57161856A (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6033555A (ja) * | 1983-08-04 | 1985-02-20 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | ドライエッチング用マスク素材 |
| JPS6280656A (ja) * | 1985-10-04 | 1987-04-14 | Toppan Printing Co Ltd | フオトマスクブランクおよびフオトマスク |
| JP2759582B2 (ja) * | 1991-09-05 | 1998-05-28 | 三菱電機株式会社 | フォトマスクおよびその製造方法 |
| JP5606028B2 (ja) * | 2009-09-11 | 2014-10-15 | Ｈｏｙａ株式会社 | フォトマスクブランクおよびフォトマスクの製造方法 |
| JP5997530B2 (ja) * | 2011-09-07 | 2016-09-28 | Hoya株式会社 | マスクブランク、転写用マスク、および半導体デバイスの製造方法 |
| WO2023120026A1 (ja) * | 2021-12-23 | 2023-06-29 | Hoya株式会社 | マスクブランク、転写用マスクの製造方法、および半導体デバイスの製造方法 |
-
1981
- 1981-03-31 JP JP4792281A patent/JPS57161856A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57161856A (en) | 1982-10-05 |
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