JPH09244212A

JPH09244212A - ハーフトーン位相シフトフォトマスク及びハーフトーン位相シフトフォトマスク用ブランク

Info

Publication number: JPH09244212A
Application number: JP5479596A
Authority: JP
Inventors: Norito Ito; 伊藤範人; Takekazu Mikami; 三上豪一; Hiroshi Mori; 弘毛利; Hisafumi Yokoyama; 横山寿文; Hiroshi Fujita; 浩藤田; Hiroyuki Miyashita; 宮下裕之; Naoya Hayashi; 直也林
Original assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Current assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority date: 1996-03-12
Filing date: 1996-03-12
Publication date: 1997-09-19

Abstract

(57)【要約】【課題】ハーフトーン位相シフト膜をクロム系の多層
膜により構成する場合に、その上に形成する遮光膜をウ
ェットエッチングによりパターニンニグする際に、ハー
フトーン位相シフト膜中の層がエッチングされるのを防
ぐ。【解決手段】透明基板１０１と、その上に形成される
全ての層１０２、１０３に少なくともクロム原子とフッ
素原子とを含む多層のハーフトーン位相シフト膜１０４
と、さらにその上に形成されるフッ素原子を実質的に含
まないクロム膜からなる遮光膜１０５とを有するハーフ
トーン位相シフトフォトマスク用ブランク、及び、これ
をパターンニングして形成されるハーフトーン位相シフ
トフォトマスク。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ＬＳＩ製造等のリ
ソグラフィー工程に用いられるフォトマスク及びこれを
製造するために用いられるフォトマスク用ブランクの
中、特に、微細パターンのリソグラフィー工程に用いら
れるハーフトーン位相シフトフォトマスク及びこれを製
造するために用いられるハーフトーン位相シフトフォト
マスク用ブランクに関する。

【０００２】

【従来の技術】特開平７−１１０５７２号に示されたク
ロム原子とフッ素原子とを主体とする膜を含むハーフト
ーン位相シフト膜は、６４ＭＤＲＡＭ以降のリソグラフ
ィーの露光波長である遠紫外域まで十分な透過率を有
し、また、クロム原子を主体としているため、従来のフ
ォトマスクであるクロムマスクと略同じ工程で製造可能
であることから、実用化が始まりつつある。

【０００３】ハーフトーン位相シフトフォトマスクに
は、ステッパー露光時の隣接するショット同士が重ねて
露光されるいわゆる多重露光領域でのレジストの感光を
防ぐために、パターン周辺部に遮光領域を形成する必要
がある。この遮光領域を形成するために、上記のクロム
原子とフッ素原子とを含むハーフトーン位相シフト膜上
に、従来のフォトマスクと同じクロム膜を形成し、これ
を上記遮光領域だけに残るように製版するという方法が
提案されている。ここで、従来のフォトマスクのクロム
膜は、露光光に対して十分な遮光性能がある。

【０００４】クロム膜は、通常、ウェットエッチングと
ドライエッチングとの両方が可能である。ウェットエッ
チングは、硝酸セリウム系のエッチャントを用い、ドラ
イエッチングは、塩素系ガスと酸素系ガスとの混合ガス
のプラズマ中に曝すことによる。ところが、クロム膜に
フッ素原子が導入されると、上述のウェットエッチャン
トによるエッチングレートが低下し、ある程度以上の含
有量に達すると、全くエッチングされなくなる。一方、
ドライエッチングに関しては、膜中にフッ素原子を含ん
でいても殆どエッチングレートを落とすことなくエッチ
ングすることが可能である。

【０００５】そこで、このようなエッチングの特性を活
かし、以下のように多重露光領域用の遮光膜を形成する
方法が考えられる。透明基板上に、クロム原子とフッ素
原子とを主体とする膜を含むハーフトーン位相シフト膜
を成膜し、この上に重ねてフッ素を含まないクロム遮光
膜を形成する。さらに、この上にレジストをコーティン
グし、通常の電子線描画装置によりレジストパターンを
形成する。この後、塩素系ガスと酸素系ガスとによるド
ライエッチングを行うことにより、ハーフトーン位相シ
フト膜とクロム遮光膜とを一気にエッチングする。この
際、塩素系ガスと酸素系ガスとによるドライエッチング
は、透明基板として多く使われる合成石英をエッチング
しない。このエッチング終了後、残ったレジストを除去
し、綺麗に洗浄した後、再度レジストコーティングを行
い、多重露光領域を残すようレジストをパターニングす
る。その後、ウェットエッチングによりクロム遮光膜を
パターニングすると、上述の通りハーフトーン位相シフ
ト膜はエッチングされないので、クロム遮光膜だけがパ
ターニングされる。これにより、多重露光領域をクロム
膜で遮光したハーフトーン位相シフトフォトマスクが得
られる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】ところで、実用的なハ
ーフトーン位相シフトフォトマスクに関しては、特開平
７−１１０５７２号に示された通り、ハーフトーン位相
シフト膜をクロム系の多層膜により形成することが一般
的である。これは、ハーフトーン位相シフト膜を単層で
形成したときには、（１）透過率の調整が困難である、
（２）膜の導電性が低く、電子線描画時にチャージアッ
プが生じ、精度良いパターンが描けなくなる、（３）検
査波長での透過率が高く、高感度な検査ができない、と
いう問題があるためである。このような問題は、（１）
と（３）は、露光波長から検査波長まで透過率が全体的
に低い層と全体的に高い層との組合せを用いることで、
また、（２）については、導電性の高い層を多層構造の
中に含めることで解決できる。

【０００７】具体的には、フッ素を十分に含有していて
透過率が高く、しかし、導電性の低い層と、フッ素を全
く含まないクロム膜の層とを積層したハーフトーン位相
シフト膜を利用するのが一般的であった。ここで、クロ
ム膜は、高い導電性を有し、かつ、露光波長から検査波
長までの広い波長域で透過率が低いために、上述の問題
を回避することが可能であった。

【０００８】ところが、上述の多重露光領域にクロム遮
光膜を形成する方法を適応した場合、２層目のウェット
エッチングの際に、パターンエッジで露出しているフッ
素原子を含まないクロム層もエッチングされてしまうと
いう問題があった。すなわち、ドライエッチングで垂直
で理想的なパターンエッジ断面を形成しても、ウェット
エッチングでフッ素を含まない層がエッチングされてし
まい、サイドエッチが入った断面になってしまう。

【０００９】ハーフトーン位相シフトリソグラフィーで
は、パターン端での残り領域と除去領域との位相差が１
８０°になることが重要であるが、このようなサイドエ
ッチはパターン端での位相差を狂わせ、ハーフトーン位
相シフトフォトマスクの特性を著しく損ねてしまうとい
う問題があった。

【００１０】本発明は従来技術のこのような問題点に鑑
みてなされたものであり、その目的は、ハーフトーン位
相シフト膜をクロム系の多層膜により構成する場合に、
その上に形成する遮光膜をウェットエッチングによりパ
ターニンニグする際に、ハーフトーン位相シフト膜中の
層がエッチングされるのを防ぐことである。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明において、上記目
的を達成するために、ハーフトーン位相シフト膜を構成
する全ての層にフッ素原子を導入することにより、多重
露光領域にクロム遮光膜を形成する際のウェットエッチ
ング工程でハーフトーン位相シフト膜中の層がエッチン
グされてしまうことを防いでいる。すなわち、従来法の
クロム系の多層膜で構成されたハーフトーン位相シフト
膜中のクロム膜もフッ素を含むクロム系膜で置き換えた
ものである。

【００１２】ところで、フッ素原子を含有するクロム膜
の場合、膜の透過率スペクトルや導電性は、フッ素含有
量により調整でき、一般的に、フッ素を多く含む程透過
率が高くなり、導電性が低くなる。この際、フッ素原子
を全く含まないクロム膜が、露光波長から検査波長まで
の波長域で透過率が最も低く、かつ、導電性が最も高い
ことから、従来、フッ素原子を全く含まないクロム膜を
多層膜の１つの層に用いるのが通例であった。

【００１３】そこで、本発明において、クロム膜中への
フッ素原子の含有が透過率、導電性、及び、エッチング
特性にどのような影響を及ぼすかを明らかにした結果、
フッ素の含有量をコントロールすることによって、硝酸
セリウム系のエッチング液によるウェットエッチングに
対して十分な耐性を有し、かつ、露光波長から検査波長
へかけての波長範囲で透過率が低く、さらに、高い導電
性を兼ね備えた膜を得ることにより、（１）透過率の調
整が容易で、（２）十分な導電性を有し、電子線描画時
にチャージアップが生じることがなく、また、（３）検
査波長での透過率が十分に低いハーフトーン位相シフト
膜が得られた。

【００１４】一般的に、フッ素原子を含むクロム膜は、
スパッタリング法により成膜される。これは、従来型の
クロムマスクのブランク製造の装置・技術がそのまま応
用できるからである。具体的には、金属クロムをターゲ
ットとして、ＡｒガスとＣＦ₄ガスとの混合ガスによる
反応性スパッタリングにより、高精度用フォトマスクブ
ランクに要求される特性を十分に満たすことができるこ
とが知られている。ここで、膜中に取り込まれるフッ素
はＣＦ₄ガスより供給される。

【００１５】以下に、反応性スパッタリングの際のガス
の混合比を変えたときの、露光光の透過率、導電性、及
び、ウェットエッチング特性を示す。ここでは、平行平
板型電極を有する直流型マグネトロンスパッター装置
で、圧力、ＤＣ電流を一定に保ったまま、ガス流量を変
え、以下の５通りの膜を成膜した。ここで、サンプル
は、特開平７−１１０５７２号で示されたハーフトーン
位相シフト膜の一般的な成膜条件である。なお、圧力は
５．０ｍＴｏｒｒ、電流値は４Ａである。

【００１６】

【００１７】次の表に、上記各サンプル〜の膜厚、
波長２４８ｎｍ及び４８８ｎｍでの透過率、シート抵
抗、及び、硝酸セリウム系のクロムエッチャント（イン
クテック社製ＭＲ−ＥＳ）でのエッチングレートを示
す。２４８ｎｍは、次世代リソグラフィーの光源である
ＫｒＦエキシマレーザーの波長であり、４８８ｎｍは、
代表的なフォトマスクの欠陥検査装置の検査光であるア
ルゴンレーザーの波長である。また、ここにおいて、各
サンプルの膜厚は、凡そ１２０〜１３０ｎｍであるが、
これは評価用のものであり、実際にハーフトーン位相シ
フト膜の１つの層として使う場合は、これよりも薄くな
る。

【００１８】。

【００１９】なお、ここで、膜厚、透過率、及び、シー
ト抵抗は、それぞれ触針式表面粗さ計ＤＥＫＴＡＫ８０
００（ＳＬＯＡＮ社製）、可視紫外分光光度計ＨＰ８４
５０Ａ（ＨｅｗｌｅｔｔＰａｃｋａｒｄ社製）、４探
針式の抵抗計ＬｏｒｅｓｔａＦＰ（三菱油化（株）製）
を用いて測定している。

【００２０】また、上述のサンプルのＸＰＳ（Ｘ線光電
子分光法）分析により、サンプル〜ではフッ素が膜
中に含まれることが確認されている。具体的には、サン
プルについては、クロム原子１００に対し約２００、
サンプルでは、同じく約３３であることが確認された
が、サンプル及びについては微量であり、その存在
は認められるものの、定量は不可能であった。一方、ス
パッタリング中にＣＦ₄ガスを全く流さないサンプル
の膜中からはフッ素は全く検出されなかった。

【００２１】上記の結果から分かる通り、膜中にごく僅
かな量のフッ素原子しか含まないサンプル、は、全
くフッ素を含まないサンプルに比べ、クロムエッチャ
ントに対するエッチレートは小さくなること、一方で、
露光光・検査光に対する透過率及びシート抵抗は、フッ
素を含まない膜並に低いことが分かる。また、これらの
サンプルのドライエッチングの特性は、サンプルに代
表される位相シフター膜と変わらなかった。

【００２２】したがって、サンプル又はを含む多層
膜をハーフトーン位相シフト膜とするハーフトーン位相
シフトフォトマスクは、（１）透過率の調整が容易で、
（２）十分な導電性を有し、電子線描画時にチャージア
ップが生じることがなく、また、（３）検査波長での透
過率が十分に低い、という特徴を維持したまま、このハ
ーフトーン位相シフト膜上に形成されるクロム膜からな
る遮光膜を硝酸セリウム系のウェットエッチャントによ
りパターンニングする際に、エッチャントにより侵され
ない、垂直な断面が得られる。

【００２３】ところで、上述のように、サンプル、
は、ＸＰＳ分析により膜中にフッ素原子が含有されるこ
とは確認されたが、その定量は困難であった。したがっ
て、本発明において、上述の特性を引き出すために必要
なフッ素含有量を特定できるには至らなかった。

【００２４】以上から明らかなように、本発明のハーフ
トーン位相シフトフォトマスクは、透明基板上に多層膜
からなるハーフトーン位相シフト膜のパターンを有する
ハーフトーン位相シフトフォトマスクにおいて、前記ハ
ーフトーン位相シフト膜を構成する全ての層が、少なく
ともクロム原子とフッ素原子とを含む膜からなることを
特徴とするものである。

【００２５】この場合、ハーフトーン位相シフト膜の第
１のパターン上に、実質的にフッ素原子を含まない遮光
膜からなる第２のパターンを形成するのが望ましく、そ
の場合、遮光膜はクロム膜からなることが望ましい。

【００２６】また、本発明のハーフトーン位相シフトフ
ォトマスク用ブランクは、透明基板上に多層膜からなる
ハーフトーン位相シフト膜を有するハーフトーン位相シ
フトフォトマスク用ブランクにおいて、前記ハーフトー
ン位相シフト膜を構成する全ての層が、少なくともクロ
ム原子とフッ素原子とを含む膜からなることを特徴とす
るものである。

【００２７】この場合、ハーフトーン位相シフト膜上
に、実質的にフッ素原子を含まない遮光膜を形成するの
が望ましく、その場合、遮光膜はクロム膜からなること
が望ましい。

【００２８】本発明においては、ハーフトーン位相シフ
トフォトマスクを構成する全ての層が、少なくともクロ
ム原子とフッ素原子とを含む膜からなるので、（１）透
過率の調整が容易で、（２）十分な導電性を有し、電子
線描画時にチャージアップが生じることがなく、また、
（３）検査波長での透過率が十分に低い、という特徴を
持つクロム系多層構造のハーフトーン位相シフトフォト
マスクであり、かつ、遮光領域を形成するための膜をウ
ェットエッチング法により容易にパターニング可能なク
ロム膜から形成できるものである。そして、このとき、
多層構造のハーフトーン位相シフト膜を構成する全ての
膜はウェットエッチングにより侵されず、断面を垂直に
することができるものである。

【００２９】

【発明の実施の形態】以下に、本発明のハーフトーン位
相シフトフォトマスク用ブランク及びハーフトーン位相
シフトフォトマスクの実施例について説明する。〔実施例１〕以下に、本発明のハーフトーン位相シフト
フォトマスク用ブランクの実施例を図１に従って説明す
る。なお、ここでは、露光波長を２４８ｎｍ（ＫｒＦエ
キシマレーザーリソグラフィー）とする。また、ここ
で、ハーフトーン位相シフト膜は、２層から構成されて
いる。

【００３０】図１（ａ）に示すように、６インチ角、
０．２５インチ厚のフォトマスク用合成石英基板１０１
上に、以下に示す条件により、ハーフトーン位相シフト
膜を構成する第１層１０２を成膜した。なお、膜厚は約
１５ｎｍであった。

【００３１】成膜方式：反応性直流マグネトロンスパッター法ターゲット：金属クロム成膜ガス：アルゴン（５０ｓｃｃｍ）＋ＣＦ₄（６ｓ
ｃｃｍ）成膜圧力：５．０ｍＴｏｒｒ電流：４．０Ａ次に、図１（ｂ）に示すように、この第１層１０２上に
以下の条件でハーフトーン位相シフト膜を構成する第２
層１０３を成膜した。なお、ここで、第１層１０２と第
２層１０３とでは、成膜時に流すガス流量だけが異なる
ので、同じスパッター装置で続けて成膜できる。また、
ここで、第２層１０３の膜厚は約１５５ｎｍであった。

【００３２】成膜方式：反応性直流マグネトロンスパッター法ターゲット：金属クロム成膜ガス：アルゴン（５０ｓｃｃｍ）＋ＣＦ₄（２４
ｓｃｃｍ）成膜圧力：５．０ｍＴｏｒｒ電流：４．０Ａこれにより、２層構造のハーフトーン位相シフト膜１０
４を有する本発明のハーフトーン位相シフトフォトマス
ク用ブランクを得た。なお、このブランクの波長２４８
ｎｍでの透過率をＨｅｗｌｅｔｔＰａｃｋａｒｄ社製
可視紫外分光光度計ＨＰ８４５０Ａで測定したところ、
エアーリファレンスで８．３％であった。

【００３３】続いて、図１（ｃ）に示すように、このブ
ランクの上に以下の条件で遮光膜用のクロム膜１０５を
形成した。この遮光膜１０５の厚さは約８０ｎｍであっ
た。なお、この遮光膜１０５もスパッターガスを変える
だけで成膜できるため、必要に応じて上記ハーフトーン
位相シフト膜と同じ成膜装置で続けて成膜することもで
きる。

【００３４】成膜方式：直流マグネトロンスパッター法ターゲット：金属クロム成膜ガス：アルゴン（５０ｓｃｃｍ）成膜圧力：５．０ｍＴｏｒｒ電流：４．０Ａ以上により、遮光膜付きの本発明のハーフトーン位相シ
フトフォトマスク用ブランク１０６を得た。

【００３５】〔実施例２〕次に、実施例１で得られたハ
ーフトーン位相シフトフォトマスク用ブランクを使っ
て、本発明のハーフトーン位相シフトフォトマスクを作
製する実施例を図２、図３に従って説明する。図２
（ａ）に示すように、図１（ｃ）で得た遮光膜付きの本
発明のハーフトーン位相シフトフォトマスク用ブランク
２０１（１０６）上に、市販の電子線レジスト２０４を
スピンコート法により塗布した。レジスト厚は約５００
ｎｍとした。続いて、図２（ｂ）に示すように、常用の
電子線描画装置によりパターン描画を行い、現像後レジ
ストパターン２０５を得た。次に、このレジストパター
ン２０５をマスクとし、以下の条件でエッチングを行っ
た。

【００３６】エッチング方式：反応性イオンエッチング法エッチングガス：ＣＨ₂Ｃｌ₂（３５ｓｃｃｍ）＋Ｏ₂
（５３ｓｃｃｍ）エッチング圧力：０．２５Ｔｏｒｒ投入電力：ＲＦ２５０Ｗここで、ハーフトーン位相シフト膜２０２と遮光膜２０
３とは、共に同様にエッチングされるので、図２（ｃ）
に示すように、略垂直なパターンを持つ遮光膜とハーフ
トーン位相シフト膜とが重なったパターン２１０が得ら
れた。また、この条件では、基板に使われる合成石英は
殆どエッチングされないため、位相角の制御も精密にで
きる。続いて、不要なレジストパターン２０９を剥離
し、図２（ｄ）に示すように、遮光膜とハーフトーン位
相シフト膜とのパターン２１０が得られた。

【００３７】さらに次に、図３（ａ）に示すように、こ
の上に再度電子線レジスト２０６を塗布し、次いで、図
３（ｂ）に示すように、マスク上のパターン領域の外側
だけを残し、パターン領域のレジストが除去されるよう
に露光、現像し、第２のレジストパターン２０７を得
た。次に、市販のクロムウェットエッチャント（例え
ば、インクテック社製ＭＲ−ＥＳ）を用い、レジストパ
ターン２０７より露出されている部分のクロム膜２１１
を除去した。ここで、露出されたクロム膜２１１からな
る遮光膜は完全に除去されるが、ハーフトーン位相シフ
ト膜２１２は全くエッチングされない。ウェットエッチ
ング後、不要なレジストを除去することにより、図３
（ｃ）に示すように、パターン領域以外をクロム遮光膜
により覆われた本発明のハーフトーン位相シフトフォト
マスク２０８を得た。

【００３８】なお、このハーフトーン位相シフトフォト
マスク２０８は、遮光膜が除去された部分の波長２４８
ｎｍにおける透過率を上記ＨｅｗｌｅｔｔＰａｃｋａ
ｒｄ社製可視紫外分光光度計ＨＰ８４５０Ａで測定した
ところ、エアーレファレンスで８．２％であった。ま
た、このハーフトーン位相シフトフォトマスク２０８
は、品質、耐久性等全て実用に耐え得るものであった。

【００３９】以上、本発明のハーフトーン位相シフトフ
ォトマスク用ブランク、及び、ハーフトーン位相シフト
フォトマスクの原理とそれらの実施例について説明して
きたが、本発明はこれらに限定されず種々の変形が可能
である。

【００４０】

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
は、ハーフトーン位相シフトフォトマスクを構成する全
ての層が、少なくともクロム原子とフッ素原子とを含む
膜からなるので、（１）透過率の調整が容易で、（２）
十分な導電性を有し、電子線描画時にチャージアップが
生じることがなく、また、（３）検査波長での透過率が
十分に低い、という特徴を持つクロム系多層構造のハー
フトーン位相シフトフォトマスクであり、かつ、遮光領
域を形成するための膜をウェットエッチング法により容
易にパターニング可能なクロム膜から形成できるもので
ある。そして、このとき、多層構造のハーフトーン位相
シフト膜を構成する全ての膜はウェットエッチングによ
り侵されず、断面を垂直にすることができるものであ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による実施例１のハーフトーン位相シフ
トフォトマスク用ブランクを製造するための工程を説明
するための図である。

【図２】本発明による実施例２のハーフトーン位相シフ
トフォトマスクを製造するための工程の前半を説明する
ための図である。

【図３】本発明による実施例２のハーフトーン位相シフ
トフォトマスクを製造するための工程の後半を説明する
ための図である。

【符号の説明】

１０１…合成石英基板１０２…ハーフトーン位相シフト膜を構成する第１層１０３…ハーフトーン位相シフト膜を構成する第２層１０４…２層構造のハーフトーン位相シフト膜１０５…遮光膜用のクロム膜１０６…遮光膜付きハーフトーン位相シフトフォトマス
ク用ブランク２０１…遮光膜付きハーフトーン位相シフトフォトマス
ク用ブランク２０２…ハーフトーン位相シフト膜２０３…遮光膜２０４…電子線レジスト２０５…レジストパターン２０６…電子線レジスト２０８…ハーフトーン位相シフトフォトマスク２０７…レジストパターン２０９…レジストパターン２１０…遮光膜とハーフトーン位相シフト膜とが重なっ
たパターン２１１…クロム膜２１２…ハーフトーン位相シフト膜

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者横山寿文東京都新宿区市谷加賀町一丁目１番１号大日本印刷株式会社内 (72)発明者藤田浩東京都新宿区市谷加賀町一丁目１番１号大日本印刷株式会社内 (72)発明者宮下裕之東京都新宿区市谷加賀町一丁目１番１号大日本印刷株式会社内 (72)発明者林直也東京都新宿区市谷加賀町一丁目１番１号大日本印刷株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】透明基板上に多層膜からなるハーフトー
ン位相シフト膜のパターンを有するハーフトーン位相シ
フトフォトマスクにおいて、前記ハーフトーン位相シフト膜を構成する全ての層が、
少なくともクロム原子とフッ素原子とを含む膜からなる
ことを特徴とするハーフトーン位相シフトフォトマス
ク。
【請求項２】請求項１記載のハーフトーン位相シフト
フォトマスクにおいて、前記ハーフトーン位相シフト膜の第１のパターン上に、
実質的にフッ素原子を含まない遮光膜からなる第２のパ
ターンが形成されていることを特徴とするハーフトーン
位相シフトフォトマスク。
【請求項３】請求項２記載のハーフトーン位相シフト
フォトマスクにおいて、前記遮光膜がクロム膜からなることを特徴とするハーフ
トーン位相シフトフォトマスク。
【請求項４】透明基板上に多層膜からなるハーフトー
ン位相シフト膜を有するハーフトーン位相シフトフォト
マスク用ブランクにおいて、前記ハーフトーン位相シフト膜を構成する全ての層が、
少なくともクロム原子とフッ素原子とを含む膜からなる
ことを特徴とするハーフトーン位相シフトフォトマスク
用ブランク。
【請求項５】請求項４記載のハーフトーン位相シフト
フォトマスク用ブランクにおいて、前記ハーフトーン位相シフト膜上に、実質的にフッ素原
子を含まない遮光膜が形成されていることを特徴とする
ハーフトーン位相シフトフォトマスク用ブランク。
【請求項６】請求項５記載のハーフトーン位相シフト
フォトマスク用ブランクにおいて、前記遮光膜がクロム膜からなることを特徴とするハーフ
トーン位相シフトフォトマスク用ブランク。