JPH06289589A

JPH06289589A - 位相シフトマスクとその製造方法そしてそれに用いるブランク

Info

Publication number: JPH06289589A
Application number: JP7322593A
Authority: JP
Inventors: Kinji Okubo; 欽司大久保; Yuichi Fukushima; 祐一福島; Toshio Konishi; 敏雄小西
Original assignee: Toppan Printing Co Ltd
Current assignee: Toppan Inc
Priority date: 1993-03-31
Filing date: 1993-03-31
Publication date: 1994-10-18

Abstract

(57)【要約】（修正有）【目的】ハーフトーン型の位相シフト部を有する位相シ
フトマスクであり、従来のフォトマスクと同様の投影露
光装置に装填して支障無く使用でき、且つ高精度なパタ
ーンを形成することが可能な位相シフトマスクとそれを
容易に安定して得られる製造方法とそれに用いるブラン
クを提供する。【構成】位相シフトマスクが、特に透明基板１に少なく
とも遮光部７、光透過部、光半透過部３そして位相シフ
ト部５を備えており、主領域部１３が前記光透過部と前
記光半透過部３と前記位相シフト部５とで形成され、前
記主領域部１３を除く部分は少なくとも一部が遮光部７
で形成されていることを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、ＬＳＩ，ＶＬＳＩ等の
半導体集積回路の製造に代表される極めて微細なパター
ンの形成に際し、フォトリソグラフィ法を応用する場合
の複製用原版として使用されるフォトマスクに係わり、
特に詳細には、いわゆる位相シフト技術を応用した位相
シフトマスクとその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来のフォトマスクでは、微細なパター
ンの投影露光に際し、近接したパターンはマスクの光透
過部を通過した光が回折し、干渉し合うことによって、
パターン境界部での光強度を強め合い、感光して、ウェ
ハー上に転写されたパターンが分離解像しないという問
題が生じていた。この現像は露光波長に近い微細なパタ
ーンほどその傾向が強く、原理的には従来のフォトマス
クと従来の露光光学系では光の波長以下の微細パターン
を解像することは不可能であった。

【０００３】そこで、隣接するパターンを透過する投影
光の位相を互いに１８０度とすることにより微細パター
ンの解像力を向上させるという、位相シフト技術を用い
た位相シフトマスクが開発された。すなわち、隣接する
開口部の片側に位相シフト部を設けることにより、透過
光が回折し干渉し合う際、位相が反転しているために境
界部の光強度は逆に弱め合い、強度ゼロになり、その結
果転写パターンは分離解像する。この関係は焦点の前後
でも成り立っているため、焦点が多少ずれていても解像
度は従来よりも向上し、焦点裕度が改善される。

【０００４】尚、上記のような位相シフト法は米国ＩＢ
ＭのＬｅｖｅｎｓｏｎらによって提唱され、特開昭５８
−１７３７４４号公報や特公昭６２−５０８１１号公報
等に記載されている。

【０００５】さて、パターンを遮光層で形成した場合に
は、遮光パターンの隣接する開口部の片側に位相シフト
部を設けて位相を反転させる。しかしながら、遮光部で
はない光半透過部（すなわち遮光性が完全ではない遮光
部）があり、且つ光半透過部に対して上方あるいは下方
に位相シフト層がある場合にも、やはり位相シフト効果
により解像度を向上できることが知られている。

【０００６】図４は、この原理に基く位相シフトマスク
を用いてウェハー面に対して露光した場合を示す。図４
の（ａ）に示すように、マスク面に対して垂直に入射し
た光のうち、露光光(I) 及び(III) は光半透過部を通り
振幅が減衰し、かつ位相シフト層を通り位相が反転する
が、露光光(II)は位相が反転しないため、透過光の振幅
は図４の（ｂ）のようになる。そして結局、ウェハー面
上に投影された光の強度は図４の（ｃ）のようになる。

【０００７】ここで、光強度は光の振幅の２乗に比例す
るという関係から、光半透過部と透過部との境界領域の
光強度は０になるため、投影像中のパターンエッジのコ
ントラストが向上されパターンの解像度が上がる。さら
に、焦点の前後においても同様な効果が維持されるた
め、多少の焦点ズレがあっても解像度が上がり、よって
焦点深度の余裕が向上する効果が得られる。

【０００８】この技術は光半透過部と位相シフト層とを
積層することによって解像度向上の効果及び焦点深度の
余裕増大化を達成しうることが特徴であり、便宜的にハ
ーフトーン型と称される。尚、この技術は、例えば第３
８回春季応用物理学会予稿集第２分冊ｐ５３５、２９ｐ
−ｚｃ−３（１９９１）に述べられている。

【０００９】そして、位相シフト効果を最大にするため
には、位相反転量を１８０°にすることが望ましい。こ
のためにはｄ＝λ／｛２（ｎ−１）｝・・・（ｄは位相
シフト部膜厚、λは露光波長、ｎは屈折率）の関係が成
り立つよう位相シフト層を形成すればよい。

【００１０】図３に従来の位相シフトマスクの製造方法
を示す。図３の（ａ）は透明基板１の上に光半透過部層
１５、位相シフト層３を設ける。次に図３の（ｂ）に示
すように、電子線レジスト層１７を設け、電子線描画１
８を行う。主領域部では半導体回路パターン等のメイン
パターンを描画し、周辺部ではマスク名、パターン名等
の非回路パターンを主に描画する。これは、ハーフトー
ン型位相シフト効果による高い解像度が必要なパターン
が主領域部のみに配置されているという前提による。

【００１１】続いて図３の（ｃ）のように、現像してレ
ジスト層１７をパターニングし、さらに前記レジストパ
ターンをマスクとして位相シフト層３をエッチングし、
さらに遮光層１５をエッチングして、位相シフトパター
ン部及び半透過遮光パターン部を形成する。最後に、図
３の（ｄ）のように前記レジスト層１７を除去すること
により位相シフトマスクを得る。

【００１２】なお、前記位相シフト層のエッチング方法
としてはウェットエッチングあるいはドライエッチング
のいずれも可能である。

【００１３】なお、本発明におけるマスクとは、半導体
製造装置のひとつである投影露光装置もしくは縮小投影
露光装置（ステッパー）に装着して使用される露光用原
版を表すが、フォトマスクあるいはレチクルと表現する
場合もある。

【００１４】しかしながら、前記従来の技術によるとパ
ターンが光半透過部と光透過部のみからなり、パターン
のコントラストが充分にとれないために、前記の原理に
よって転写することは可能であるが、品名やパターン名
は半透過遮光のため目視では見にくく製品の管理が出来
にくかったり、マスクを投影露光装置に装着して用いる
場合に、フィデュシャルマークが正しく読み取れず、装
置の自動アライメント機能が働かないような不具合が発
生し、そのために正常な使用ができないという欠点があ
った。

【００１５】また、レジストパターンをマスクとして前
記位相シフト層をドライエッチングする場合、位相シフ
ト層のエッチングと同時にレジストパターンも削られて
いくため、位相シフトパターンのエッジ部断面が垂直に
ならず台形となったり、パターン寸法幅が変化し、所定
の値を得ることが困難であるという欠点があった。

【００１６】

【発明が解決しようとする課題】本発明は前記従来の問
題点に鑑みてなされたものであり、その目的とするとこ
ろは、ハーフトーン型の位相シフト部を有する位相シフ
トマスクであり、従来のフォトマスクと同様の投影露光
装置に装填して支障無く使用でき、且つ高精度なパター
ンを形成することが可能な位相シフトマスクとそれを容
易に安定して得られる製造方法とそれに用いるブランク
を提供することにある。

【００１７】

【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に本発明が提供する手段とは、すなわち、透明基板に少
なくとも遮光部、光透過部、光半透過部そして位相シフ
ト部を備えた位相シフトマスクにおいて、主領域部が前
記光透過部と前記光半透過部と前記位相シフト部とで形
成され、前記主領域部を除く部分は少なくとも一部が遮
光部で形成されていることを特徴とする位相シフトマス
クである。

【００１８】そして好ましくは、前記光半透過部は透過
率が４乃至３０％であることを特徴とする前記の位相シ
フトマスクである。

【００１９】さらに好ましくは、前記光半透過部の材質
が、クロム、窒化クロム、酸化クロム、ＳｉＯ_x（０＜
Ｘ＜２）なる酸化珪素、そして窒化シリコンのうちのい
ずれかの単体かあるいは多層膜からなることを特徴とす
る前記の位相シフトマスクである。

【００２０】さらに好ましくは、前記遮光部、光透過
部、光半透過部そして位相シフト部とは、間にエッチン
グストッパー層を挟んで前記透明基板上に設けられてい
ることを特徴とする前記の位相シフトマスクである。

【００２１】さらに好ましくは、前記エッチングストッ
パー層の材質が、アルミナ、マグネシアスピネル、ジル
コニア、サイアロン、窒化珪素、酸化錫、タンタル、あ
るいは酸化タンタルからなることを特徴とする前記の位
相シフトマスクである。

【００２２】また、透明基板に少なくとも遮光部、光透
過部、光半透過部そして位相シフト部を備えた位相シフ
トマスクの製造方法において、以下に示す工程、すなわ
ち、（イ）透明基板上に光半透過層兼エッチングストッ
パー層、位相シフト層、遮光層そして第一のレジスト層
をこの順に形成する工程、（ロ）前記第一のレジスト層
を用いて、フォトリソグラフィ法により前記遮光層をパ
ターニングする工程、（ハ）前記第一のレジスト層と前
記遮光層とを用いて、フォトリソグラフィ法により位相
シフト層、光半透過層兼エッチングストッパー層をパタ
ーニングし、前記第一のレジスト層を除去する工程、
（ニ）次いでこの上へ第二のレジスト層を形成し、前記
第二のレジスト層を用いてフォトリソグラフィ法により
主領域部の前記遮光層をエッチングし、前記第二のレジ
スト層を除去する工程、以上（イ）乃至（ニ）の各工程
を具備することを特徴とする位相シフトマスクの製造方
法である。

【００２３】さらには、位相シフトマスクの製造方法に
用いられるブランクにおいて、透明基板上に、光半透過
層兼エッチングストッパー層、位相シフト層そして遮光
層がこの順に設けられてあることを特徴とするブランク
である。

【００２４】以下、添付図面を参照して本発明をさらに
詳述する。図１（ａ）〜（ｆ）は本発明に係わり、図１
（ｆ）および図２に示した構成の半透過遮光型位相シフ
トマスクの製造方法の説明図である。

【００２５】図１（ａ）に示すように、透明基板１の上
に、エッチング耐性をもち、かつ半透過する材料よりな
る半透過遮光兼エッチングストッパー層３、透明材料よ
りなる位相シフト層５、及び一般的に金属及び金属酸化
物材料よりなる遮光層７の順に所定の膜厚に設けられ、
さらに遮光層７の上に電子線レジスト９をコートする。
透明基板１はフォトマスク用として一般的に使用されて
いる合成石英ガラス等の光学的に透明な材料からなり、
通常は厚さが１．５乃至７ｍｍ程度のうちの何れかが使
用されるが、その厚さは使用目的や技術的制約等に由来
する要求仕様によるものであり特には制限はない。

【００２６】次に、半透過遮光兼エッチングストッパー
層３はエッチング方法によって適正材料を選択する。さ
らに、透明材料よりなる位相シフト層５は材料としては
光学的に透明であればよく、ＳｉＯ_X、ＳＯＧ（スピン
オングラス）、ＭｇＦ₂等が使用できるが、特に限定さ
れるものではない。膜厚は前記の通り透過光の位相反転
量が１８０°に相当する膜厚とすることが望ましい。

【００２７】次に、一般的に遮光層７は金属及び金属酸
化物材料よりなり通常クロム、酸化クロム、位相シフト
材料、従来フォトマスクに用いられる遮光材料でよい
が、遮光性を有するように一定の光学濃度が必要であ
り、通常は光学濃度を２．０〜４．０程度とする。膜厚
は一定の光学濃度とするために２０〜３００ｎｍ程度と
する。

【００２８】最後に電子線レジスト層９が設けられ、主
領域部１３にはパターンを描画し、主領域部以外の周辺
部分１５には品名やパターン名、アライメントマーク、
フィデュシャルマークのそれぞれのパターンが含まれ
る。ここで、前記レジスト材料として紫外線感光性フォ
トレジスト用いることも可能であり、レーザー描画装置
を用いて描画すればよい。

【００２９】次に図１の（ｂ）に示すように、全領域部
にレジストパターン１７をエッチングで形成を行う。さ
らに図１の（ｃ）の工程では、遮光層７をマスクとして
エッチングし、前記レジストパターン１７と遮光パター
ン１９をマスクにしてシフター層５と半透過遮光層３を
エッチングする。

【００３０】半透過遮光層は金属および金属酸化物材料
の単体または多層膜で構成されるが、その光学透過率は
３〜２０％の範囲内とし、金属膜の膜厚を調整すること
によりこの値を得る。この後残ったレジストを除去す
る。

【００３１】次に、図１の（ｄ）のようにポジ型フォト
レジスト２３をコートして、主領域部のみを紫外線露光
２１して、現像処理を行って除去した。さらに図１
（ｅ）の工程では、位相シフトパターン２５上の遮光膜
をエッチングする。これで主領域部に位相シフトパター
ンを作製する。さらに図１（ｆ）の工程において、最後
に残ったレジスト２３を除去して、位相シフトマスクを
得る。

【００３２】この時、主領域部以外の周辺部分の位相シ
フト部１５もエッチングされているが、露光用マスクと
しては遮光部に完全に被覆された位相シフト層は何ら作
用をなさないので、この部分は露光転写の際、単に遮光
パターンとして働く。

【００３３】図２は本発明に係わるハーフトーン型位相
シフトマスクの構成を示す断面図及び平面図である。

【００３４】図２は前記図（ｆ）構成の位相シフシマス
クの平面図を示し、主領域部１３透過部および位相シフ
ト部が含まれ、遮光部は含まない。主領域部の外部すな
わち周辺部は、遮光パターンであり、この中にフィデュ
シャルマーク部２７、パターン名部２９、ウライメント
マーク部３１のそれぞれのパターンが含まれる。なお図
２におけるこれらのパターン位置は例として示したもの
であり、特に位置は固定されるものではなく、パターン
の大きさ、数も制限されない。

【００３５】図５は前記図１に示した工程を行うために
準備されるマスクブランクの構成を示した図であり、透
明基板状１の上に、エッチング耐性をもち、かつ半透過
する材料よりなる半透過遮光兼エッチングストッパー層
３、透明材料よりなる位相シフト層５、及び一般的に金
属及び金属酸化物材料よりなる遮光層７の順に所定の膜
厚に設けられたマスクである。

【００３６】

【作用】本発明によれば、主領域部が透過部と層シフト
部とからなることによってハータトーン型位相シフトマ
スクを得ることができ、主領域部以外の部分は少なくと
も一部が遮光部からなることによって、従来マスクより
解像効果の高い転写露光が可能になり、かつ従来投影露
光装置にそのまま使用することができる。

【００３７】

【実施例】洗浄済みの合成石英ガラス基板（厚さ２．３
ｍｍ，大きさ５インチ角）上の全面に、半透過遮光エッ
チングストッパー材としてハーフクロム（膜厚３０ｎ
ｍ）をＰＶＤ法により形成し、その上に位相シフト材と
してＳｉＯ₂（膜厚３７０ｎｍ）をＰＶＤ法により形成
し、さらにその上に金属クロム膜および酸化クロム層を
積層した低反射の２層クロム膜（膜厚１００ｎｍ）をス
パッタリング法により形成した。

【００３８】次に前記基板を所定の方法にて洗浄、乾燥
した後、その上に電子線レジスト（東亜合成化学製、商
品名ＴＴＣＲ）をスピンコート法で５００ｎｍの厚さを
塗布し、所定のベーク処理後、ベクタースキャン型電子
線描画装置を使用して、加速電圧２０ｋＶ、ドーズ量約
１０μＣ／ｃｍ²にて所定のパターンを描画し、メチル
イソブチケトン（ＭＩＢＫ）とｎ−プロパノール（ＩＰ
Ａ）の５：５重量比混合液からなる現像液を用いて、所
定の条件にて現像処理を行い、レジストパターンを得
た。

【００３９】なお、このときの描画パターンは、主領域
部に半導体回路パターンを含み、周辺部にマスク品名、
パターン名、アライメントマークおよびフィデュシャル
マークを含めた。

【００４０】つぎの工程では、レジストパターンをマス
クとして硫酸第二セリウムエッチング液を用いてレジス
トと金属クロムをマスクとしてＳｉＯ₂とハーフクロム
をエッチングしてパターン形成を行った。前記位相シフ
ト層のドライエッチングを、平行平板型反応性イオンエ
ッチング装置を用いて行い、異方性および直線性の良い
エッチング形成で、寸法再現性も良いパターンが得られ
た。ドライエッチング条件は、Ｃ₂Ｆ₆ガスとＨ₂ガス
とを用い、混合比Ｃ₂Ｆ₆：Ｈ₂＝１０：１、パワー３
００Ｗ、ガス圧０．０３Ｔｏｒｒとした。このときのエ
ッチング時間は約１５分であり、位相シフト層であるＳ
ｉＯ₂のエッチングが前記エッチングストッパー層表面
まで達するまで行った。

【００４１】さらに、露出したハーフクロムのドライエ
ッチングも、平行平板型反応性イオンエッチング装置を
用いて行い、異方性および直線性の良いエッチング形状
で、寸法再現性も良いパターンが得られた。ドライエッ
チング条件は、ＣＣｌ₄ガスとＯ₂ガスを用い、混合比
ＣＣｌ₄：Ｏ₂＝１：３、パワー２００Ｗ、ガス圧０．
３Ｔｏｒｒとした。このときのエッチング時間は約５分
であり、位相シフト層（半透過遮光兼エッチングストッ
パー）であるハーフクロムのエッチングが合成石英ガラ
ス層表面までさらに遮光膜であるクロムがシフター層表
面までに達するまで行った。

【００４２】更に、次の工程ではポジ型フォトレジスト
（シプレイ製、商品名：ＭＰ１４００−２７）をスピン
コート法により約５００ｎｍの厚さに塗布し、所定のベ
ーク処理後、主領域部のみレジストを除去した。

【００４３】次に、主領域部のパターン上のクロムをド
ライエッチングすることにより半透過遮光パターンを形
成した。最後に残ったレジストを専用剥離液をもちいて
除去し、洗浄、乾燥を行って図１の（ｆ）に示した構成
の位相シフトマスクを得た。

【００４４】更に得られたマスクを用いて、従来用いて
いるｉ線用投影露光装置で露光転写したところ、フィデ
ュシャルマークパターンの読みとり作業およびアライメ
ント作業は全く問題なく動作し、転写ウェハー上のレジ
ストパターンにおいてコンタクトパターンホールで直径
約０．３μｍの微細パターンが得られ、従来の最小解像
度である０．５μｍに比べ、非常に高い解像度向上効果
が得られた。また、エッチングストッパー層の効果によ
り、位相シフト層のエッチング深さのマスク面内の均一
性は極めて良好であり、その程度としては１００ｎｍ角
内において範囲２０ｎｍ以下の値が得られた。

【００４５】本実施例において、前記位相シフト層のエ
ッチング方法はドライエッチングを用いたが、ウェット
エッチングを行うこともでき、この場合はエッチングス
トッパー層材料をウェットエッチング耐性を持つ材料と
すればよい。具体的には、前記位相シフト材料がＳｉＯ
₂であれば、所定の濃度の緩衝フッ酸溶液をエッチング
液としてウェットエッチングを行う。

【００４６】

【発明の効果】以上のように本発明によると、得られた
位相シフトマスクは、主領域部が位相シフト部と光半透
過部とからなるハーフトーン型の位相シフトマスクとな
っており、従来のフォトマスクに比べて非常に高い解像
力と焦点深度の余裕とを有し、露光波長を下回る微細パ
ターンを解像する能力を持つことが出来ている。しかも
この効果は投影露光装置やレジストプロセスの持つ解像
度を更に向上させることができ、従来装置や従来プロセ
スに何ら変更を加えず、本発明によるマスクを用いるだ
けでよい。

【００４７】さらに、主領域部以外（普通は周辺部）に
は遮光部のパターンを持つため、投影露光装置に装填し
て使用する際に、従来のフォトマスクと同様に遮光パタ
ーンとして形成されたいわゆるフィデュシャルマークを
読みとり、高精度なアライメントが可能である。またフ
ォトマスク品名やパターン名等も遮光部からなるパター
ンとしてあるので、目視確認も容易であり、マスク管理
も従来通りに可能である。もちろん、必要に応じてこの
領域に他のパターンを設けることもできる。

【００４８】その結果、本発明によるとハーフトーン型
の位相シフト部を有する位相シフトマスクであり、従来
のフォトマスクと同様の投影露光装置に装填して支障無
く使用でき、且つ高精度なパターンを形成することが可
能な位相シフトマスクとそれを容易に安定して得られる
製造方法とそれに用いるブランクを提供することが出来
た。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係わる位相シフトマスクの製造の一実
施例について、断面図を用いて工程の概略を示す説明図
である。（（ａ）〜（ｆ））

【図２】本発明に係わる位相シフトマスクの一実施例に
ついて、平面図を用いて概略を示す説明図である。

【図３】従来の（ハーフトーン型）の位相シフトマスク
の製造方法の一例を、断面図を用いて工程の概略を示す
説明図である。（（ａ）〜（ｄ））

【図４】（ａ）は従来の（ハーフトーン型）位相シフト
マスクの一例の、断面図を用いて概略の構成を示す説明
図である。（ｂ）は（ａ）の場合の透過光の概略の振幅
を示す説明図である。（ｃ）は（ａ）の場合のウエハー
面上での概略の光強度を示す説明図である。

【図５】本発明に係わる位相シフトマスクに用いるブラ
ンクの一実施例について、断面図を用いて概略を示す説
明図である。

【符号の説明】

１・・・透明基板３・・・光半透過層兼エッチングストッパー層５・・・位相シフト層７・・・遮光層９・・・電子線レジスト層１１・・・電子線描画１３・・・主領域部１５・・・周辺部遮光部１７・・・レジストパターン１９・・・遮光パターン２１・・・紫外線露光２３・・・レジスト層２５・・・ハーフトーン型位相シフトパターン形成部２７・・・フィデュシャルマーク部２９・・・パターン名部３１・・・アライメントマーク部

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】透明基板に少なくとも遮光部、光透過部、
光半透過部そして位相シフト部を備えた位相シフトマス
クにおいて、主領域部が該光透過部と該光半透過部と該
位相シフト部とで形成され、該主領域部を除く部分は少
なくとも一部が遮光部で形成されていることを特徴とす
る位相シフトマスク。
【請求項２】前記光半透過部は透過率が４乃至３０％で
あることを特徴とする請求項１記載の位相シフトマス
ク。
【請求項３】前記光半透過部の材質が、クロム、窒化ク
ロム、酸化クロム、ＳｉＯ_x（０＜Ｘ＜２）なる酸化珪
素、そして窒化シリコンのうちのいずれかの単体かある
いは多層膜からなることを特徴とする請求項１乃至２記
載の位相シフトマスク。
【請求項４】前記遮光部、光透過部、光半透過部そして
位相シフト部とは、間にエッチングストッパー層を挟ん
で前記透明基板上に設けられていることを特徴とする請
求項１乃至３記載の位相シフトマスク。
【請求項５】前記エッチングストッパー層の材質が、ア
ルミナ、マグネシアスピネル、ジルコニア、サイアロ
ン、窒化珪素、酸化錫、タンタル、あるいは酸化タンタ
ルからなることを特徴とする請求項１乃至４記載の位相
シフトマスク。
【請求項６】透明基板に少なくとも遮光部、光透過部、
光半透過部そして位相シフト部を備えた位相シフトマス
クの製造方法において、以下に示す工程、すなわち、
（イ）透明基板上に光半透過層兼エッチングストッパー
層、位相シフト層、遮光層そして第一のレジスト層をこ
の順に形成する工程、（ロ）該第一のレジスト層を用い
て、フォトリソグラフィ法により該遮光層をパターニン
グする工程、（ハ）該第一のレジスト層と該遮光層とを
用いて、フォトリソグラフィ法により位相シフト層、光
半透過層兼エッチングストッパー層をパターニングし、
該第一のレジスト層を除去する工程、（ニ）次いでこの
上へ第二のレジスト層を形成し、該第二のレジスト層を
用いてフォトリソグラフィ法により主領域部の該遮光層
をエッチングし、該第二のレジスト層を除去する工程、
以上（イ）乃至（ニ）の各工程を具備することを特徴と
する位相シフトマスクの製造方法。
【請求項７】位相シフトマスクの製造方法に用いられる
ブランクにおいて、透明基板上に、光半透過層兼エッチ
ングストッパー層、位相シフト層そして遮光層がこの順
に設けられてあることを特徴とするブランク。