JP2001147516A

JP2001147516A - ハーフトーン型位相シフトマスクブランク及びハーフトーン型位相シフトマスク

Info

Publication number: JP2001147516A
Application number: JP2000359959A
Authority: JP
Inventors: Masaru Mitsui; 勝三井
Original assignee: Hoya Corp
Current assignee: Hoya Corp
Priority date: 2000-11-27
Filing date: 2000-11-27
Publication date: 2001-05-29

Abstract

(57)【要約】【課題】高精度のパターニングが可能で、かつ、耐酸
性及び信頼性の高い位相シフトマスク及び位相シフトマ
スクブランクを提供する。【解決手段】透明基板１０と、この透明基板上に積層
されたハーフトーン材料膜１１と、このハーフトーン材
料膜上に積層された金属膜１２を有するハーフトーン型
位相シフトマスクブランクにおいて、前記金属膜の少な
くともハーフトーン材料膜と接する材料を窒素を含有す
る材料で構成した。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、マスクを通過する
露光光間に位相差を与えることにより、転写パターンの
解像度を向上できるようにした位相シフトマスク及びそ
の素材としての位相シフトマスクブランクに関し、特
に、いわゆるハーフトーン型位相シフトマスク及びハー
フトーン型位相シフトマスクブランクに関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体ＬＳＩ製造の際等においては、微
細パターンのマスクであるフォトマスクの一つとして、
ハーフトーン型位相シフトマスクが用いられている。

【０００３】このハーフトーン型位相シフトマスクは、
マスクを通過する露光光間に位相差を与えることによ
り、転写パターンの解像度を向上できるようにしたもの
である。

【０００４】このハーフトーン型位相シフトマスクの一
つに、特に単一のホール、ドット、又は、ライン等の孤
立したパターン転写に適したものとして、特開平６ー３
３２１５２号公報に記載のハーフトーン型位相シフトマ
スクが知られている。

【０００５】この公報記載のハーフトーン型位相シフト
マスクは、透明基板上に形成するマスクパターンを、実
質的に露光に寄与する強度の光を通過させる光透過部
と、実質的に露光に寄与しない強度の光を透過させる光
半透過部とで構成し、かつ、この光半透過部を通過する
光の位相をシフトさせて、この光半透過部を通過した光
の位相が前記光透過部を通過した光の位相に対して実質
的に反転する関係となるようにすることにより、前記
光透過部と半光透過部との境界部近傍を通過した光が互
いに打ち消し合うようにして、前記境界部のコントラ
ストを良好に保持できるようにしたものである。

【０００６】このようなハーフトーン型位相シフトマス
クは、光半透過部が、露光光を実質的に遮断する遮光機
能と光の位相をシフトさせる位相シフト機能との二つの
機能を兼ねることになるので、遮光膜パターンと位相シ
フト膜パターンとを別々に形成する必要がなく、構成が
単純で製造も容易であるという特徴を有している。

【０００７】このハーフトーン型位相マスクの素材とし
てのハーフトーン型位相マスクブランクの一従来例とし
て、図６及び図７に示すものが知られている。

【０００８】図６（ａ）に示すハーフトーン型位相マス
クブランクは、透明基板１上に、たとえば、モリブデン
・シリコン（ＭｏＳｉ）系ハーフトーン材料膜２が形成
されたものであり、また、図７（ａ）に示すハーフトー
ン型位相マスクブランクは、透明基板１上にモリブデン
・シリコン系ハーフトーン材料膜２が形成され、このハ
ーフトーン材料膜２上に、電子線露光時に前記透明基板
１が帯電して、電子線の進行経路が不安定になることを
防止するためのモリブデン金属膜３が形成されたもので
ある。

【０００９】しかし、これらのハーフトーン型位相マス
クブランクからハーフトーン型位相マスクを製造する場
合、図６（ｂ）及び図７（ｂ）に示すように、それぞれ
ハーフトーン材料膜２上にレジスト膜４を形成し、この
レジスト膜４に対して電子線露光及び現像を行なって、
図６（ｃ）及び図７（ｃ）に示すように、所望のレジス
トパターン５を形成し、このレジストパターン５をマス
クとしてモリブデン金属膜３及び／又はハーフトーン材
料膜２をエッチングするとき、レジストパターン５自体
もそのエッジ部分からエッチングされてしまうため、ハ
ーフトーン材料膜２の寸法制御が正確に行なわれず、そ
の結果、ハーフトーン材料膜２を高精度にエッチングす
ることができないという問題があった。

【００１０】また、成膜からハーフトーン型位相シフト
マスクができあがるまでの各処理工程では、酸やアルカ
リ等の各種薬品を使用することがあるが、これらの薬品
の作用により、ハーフトーン材料膜２が特性変化を起こ
して、希望するハーフトーン特性が得られなくといった
問題も生じていた。

【００１１】そして、前述した問題点を解決するため
に、図８（ａ）に示すように、ハーフトーン材料膜２に
対して撰択エッチング可能な金属膜６を、前記ハーフト
ーン材料膜２上に形成したハーフトーン型位相シフトマ
スクブランクが、特開平８ー１０１４９３号公報におい
て提案されている。

【００１２】このハーフトーン型位相シフトマスクブラ
ンクは、透明基板１上に、ＭｏＳｉＯｘＮｙ（ｘ・ｙ：
整数）ハーフトーン材料膜２を形成し、このハーフトー
ン材料膜２上にＣｒ金属膜６を積層した構成となってい
る。

【００１３】このような構成とすることにより、Ｃｒ金
属膜６とＭｏＳｉＯｘＮｙハーフトーン材料膜２とをそ
れぞれ独立してエッチング処理できるので、ハーフトー
ン材料膜２に対して種々の好ましい処理を施すことがで
き、前記ハーフトーン材料膜２を高精度にパターニング
することができることが可能となった。

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら図８
（ａ）に示すハーフトーン型位相シフトブランクにおい
ては、ハーフトーン型位相シフトマスクを製造する際
に、前記金属膜６上にレジスト膜７を形成し、図８
（ｂ）に示すように、前記レジスト膜７に対して電子線
露光を行なった後に現像を行なって、図８（ｃ）に示す
ように所望のレジストパターン８を形成し、このレジス
トパターン８をマスクとして前記金属膜６、又は、金属
膜６及びハーフトーン材料膜２をエッチングするとき、
ハーフトーン材料膜２上に金属膜６中の金属が残り、そ
の微細な金属をマスクとして前記ハーフトーン材料膜２
がパターニングされてしまうので、パターンの欠陥が発
生するといった問題がある。

【００１５】また、ＭｏＳｉＯｘＮｙハーフトーン材料
膜２上に撰択エッチング可能なＣｒ金属膜を形成して、
このＣｒ金属膜６をウェットエッチングでパターニング
したときに、Ｃｒ金属膜６のエッチングレートが遅いた
めに、ＭｏＳｉＯｘＮｙハーフトーン材料膜２に全く影
響がないとはいえず、光学特性に少なからず影響を与え
ている。

【００１６】さらに、ハーフトーン材料膜２とＣｒ金属
膜６との密着強度が十分でなく、膜剥離が発生してしま
うといった問題もある。

【００１７】本発明は、前述した従来の問題点に鑑みて
なされたもので、高精度のパターニングが可能で、か
つ、耐酸性及び信頼性の高いハーフトーン型位相シフト
マスク及びハーフトーン型位相シフトマスクブランクを
提供することを解決すべき課題とする。

【００１８】

【課題を解決するための手段】前述した課題を解決する
ための手段として、第１の手段は、透明基板と、この透
明基板上に形成されたハーフトーン材料膜と、このハー
フトーン材料膜上に形成された金属膜を有するハーフト
ーン型位相シフトマスクブランクにおいて、前記金属膜
の少なくともハーフトーン材料膜と接する材料を窒素を
含有する材料で構成したことを特等とするハーフトーン
型位相シフトマスクブランクである。

【００１９】第２の手段は、前記金属膜の窒素の含有量
が５〜６０ａｔ％であることを特徴とする第１の手段に
かかるハーフトーン型位相シフトマスクブランクであ
る。

【００２０】第３の手段は、前記金属膜が、その厚さ方
向において、酸化度、窒化度又は炭化度が段階的又は連
続的に変化する１又は２以上の層からなることを特徴と
する第１又は第２の手段にかかるハーフトーン型位相シ
フトマスクブランクである。

【００２１】第４の手段は、前記金属膜が、ハーフトー
ン材料膜に対して選択エッチング可能であることを特徴
とする第１〜第３のいずれかの手段にかかるハーフトー
ン型位相シフトマスクブランクである。

【００２２】第５の手段は、前記金属膜がクロムを主た
る構成元素とすることを特徴とする第１〜第３のいずれ
かの手段にかかるハーフトーン型位相シフトマスクブラ
ンクである。

【００２３】第６の手段は、前記ハーフトーン材料膜
が、モリブデン及びシリコンを主たる構成要素とするこ
とを特徴とする第１〜第５のいずれかの手段にかかるハ
ーフトーン型位相シフトマスクブランクである。

【００２４】第７の手段は、前記金属膜の表面側を高導
電性の材料で構成したことを特徴とする第１〜第６のい
ずれかの手段にかかるハーフトーン型位相シフトマスク
ブランクである。

【００２５】第８の手段は、第１〜第７の手段にかかる
ハーフトーン型位相シフトマスクブランクの少なくとも
ハーフトーン材料膜をパターンニングしてなるハーフト
ーン型位相シフトマスクであって、前記ハーフトーン材
料膜上の遮光領域を含む領域に遮光性の金属膜が形成さ
れていることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマ
スクである。

【００２６】上述の第１又は第２の手段によれば、前記
金属膜の少なくともハーフトーン材料膜と接する材料を
窒素を含有する材料で構成したことにより、金属膜の結
晶粒が密になり、ハーフトーン材料膜との密着度が高く
なるとともに、金属膜の反りが防止される。

【００２７】第３の手段によれば、金属膜表面側から透
明基板側に向かうにしたがって、段階的又は連続的にエ
ッチングレートの速い膜にすることができ、過剰なオー
バーエッチングによるハーフトーン材料膜のダメージを
防止し、かつ、このハーフトーン材料膜上における金属
膜の金属残りを防止することができる。

【００２８】これによって、高精度にハーフトーン型位
相シフト量の制御が行なえ、パターン欠陥のないハーフ
トーン型位相シフトマスクを生成し得るハーフトーン型
位相シフトマスクブランクが得られる。

【００２９】前記金属膜の、前記ハーフトーン材料膜と
接する金属膜のエッチングレートは、２ｎｍ／ｓｅｃ以
上であることが好ましい。

【００３０】エッチングレートが２ｎｍ／ｓｅｃ未満で
あると、エッチングレートが遅いので、金属膜の材料に
よっては、金属膜中の金属がハーフトーン材料膜上に残
ってしまうことを完全に除去する場合に、オーバーエッ
チングによるハーフトーン材料膜への影響が発生し好ま
しくない。

【００３１】前記ハーフトーン材料膜としては、金属、
シリコン、酸素及び／又は窒素を主たる構成要素とする
ことができ、たとえば、酸化されたモリブデン及びシリ
コン（以下、ＭｏＳｉＯ系材料と称す）、窒化されたモ
リブデン及びシリコン（以下、ＭｏＳｉＮ系材料と称
す）、酸化及び窒化されたモリブデン及びシリコン（以
下、ＭｏＳｉＯＮ系材料と称す）等がある。

【００３２】また、酸化されたタンタル及びシリコン
（以下、ＴａＳｉＯ系材料と称す）、窒化されたタンタ
ル及びシリコン（以下、ＴａＳｉＮ系材料と称す）、酸
化及び窒化されたタンタル及びシリコン（以下、ＴａＳ
ｉＯＮ系材料と称す）等がある。

【００３３】また、酸化されたタングステン及びシリコ
ン（以下、ＷＳｉＯ系材料と称す）、窒化されたタング
ステン及びシリコン（以下、ＷＳｉＮ系材料と称す）、
酸化及び窒化された酸化されたタングステン及びシリコ
ン（以下、ＷＳｉＯＮ系材料と称す）、酸化されたチタ
ン及びシリコン（以下、ＴｉＳｉＯ系材料と称す）等が
ある。

【００３４】また、窒化されたチタン及びシリコン（以
下、ＴｉＳｉＮ系材料と称す）、酸化及び窒化されたチ
タン及びシリコン（以下、ＴｉＳｉＯＮ系材料と称
す）、酸化されたクロム及びシリコン（以下、ＣｒＳｉ
Ｏ系材料と称す）、窒化されたクロム及びシリコン（以
下、ＣｒＳｉＮ系材料と称す）、酸化及び窒化されたク
ロム及びシリコン（以下、ＣｒＳｉＯＮ系材料と称
す）、フッ化されたクロム及びシリコン（以下、ＣｒＳ
ｉＦ系材料と称す）、等が挙げられる。

【００３５】なお、これらの物質は、ハーフトーン材料
膜としての機能を損なわない範囲で、これらの化合物あ
るいはこれらの物質との混合物として、炭素、水素、フ
ッ素、あるいはヘリウムなどを微量又は適量含んでもよ
い。

【００３６】また、たとえば、モリブデンシリサイドの
酸化物、モリブデンシリサイドの窒化物、モリブデンシ
リサイドの酸化窒化物、タンタルシリサイドの酸化物、
タンタルシリサイドの窒化物、タンタルシリサイドの酸
化窒化物、タングステンシリサイドの酸化物、タングス
テンシリサイドの窒化物、タングステシリサイドの酸化
窒化物、チタンシリサイドの酸化物、チタンシリサイド
の窒化物、チタンシリサイドの酸化窒化物、あるいは、
これらの物質の１種以上と窒化ケイ素及び／又は金属窒
化物との混合物などの物質も、ハーフトーン材料膜を構
成する材料として使用可能である。

【００３７】さらに、酸化されたモリブデンシリサイド
（ＭｏＳｉＯ）、窒化されたモリブデンシリサイド（Ｍ
ｏＳｉＮ）、酸化及び窒化されたモリブデンシリサイド
（ＭｏＳｉＯＮ）、酸化されたタンタルシリサイド（Ｔ
ａＳｉＯ）、窒化されたタンタルシリサイド（ＴａＳｉ
Ｎ）、酸化及び窒化されたタンタルシリサイド（ＴａＳ
ｉＯＮ）、酸化されたタングステンシリサイド（ＷＳｉ
Ｏ）、窒化されたタングステンシリサイド（ＷＳｉ
Ｎ）、酸化及び窒化された酸化されたタングステンシリ
サイド（ＷＳｉＯＮ）、酸化されたチタンシリサイド
（ＴｉＳｉＯ）、窒化されたチタンシリサイド（ＴｉＳ
ｉＮ）、酸化及び窒化されたチタンシリサイド（ＴｉＳ
ｉＯＮ）、等の従来一般的に表記されている物質もハー
フトーン材料膜を構成する材料として使用可能である。

【００３８】好ましいハーフトーン材料膜としては、金
属、シリコン及び、窒素を主たる構成要素とする、例え
ば、窒化されたモリブデン及びシリコン（ＭｏＳｉＮ
系）などが耐酸性、耐光性、導電性、屈折率、透過率、
エッチング選択性などの面から優れているので好まし
い。また、後述するハーフトーン材料膜上に形成される
窒素を含む金属膜との密着性や、その他の相性の面から
考えても、ハーフトーン材料膜としては、ＭｏＳｉＮ系
等が好ましい。

【００３９】本発明の金属膜の材料としては、クロム
（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンステン（Ｗ）、タ
ンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）等の金属又はこれらの
金属主成分とする合金、あるいは、前記金属の酸化物、
窒化物、炭化物等が使用される。但し、前述のハーフト
ーン材料膜のエツチング特性と異なるものが好ましい。

【００４０】そして、前記金属膜は、金属膜表面側から
透明基板側へ向かうにしたがって、エッチングレートが
速い膜にするために、たとえば、前記材料を組み合わせ
て積層したり、単層、または、複数層において、前記材
料の酸化度、窒化度、炭化度を段階的又は連続的に変化
させる。

【００４１】具体的には、金属膜を複層とし、ハーフト
ーン材料膜がモリブデン及びシリコンを主成分とする材
料の場合、ＣｒＮ／ＣｒＣ、ＣｒＮ／Ｃｒ、ＣｒＮ／Ｃ
ｒＦ、ＣｒＮ／ＣｒＯ等の組み合わせが挙げられる。

【００４２】もちろん、たとえば、前記材料の窒化度を
変化させた膜と、前記金属とを積層させた構成にするこ
とも可能である。

【００４３】第２の手段によれば、ハーフトーン材料膜
上に形成される金属膜の最上層又は最表面を導電性の良
い膜とすることによって、レジスト膜を電子露光してパ
ターニングする際に、金属膜とレジスト膜との間で電荷
の蓄積がなく、したがって、電子線の進行経路が安定し
高精度のパターニングが可能となる。

【００４４】導電性の善し悪しを決める評価方法の一つ
として、シート抵抗があるが、前記金属膜の最上層、又
は、最表面のシート抵抗値として、１ＭΩ／□以下であ
ることが好ましく、さらに好ましくは０．５ＭΩ／□以
下が望ましい。

【００４５】第３の手段によれば、前記金属膜が、その
厚さ方向において、酸化度、窒化度又は炭化度が段階的
又は連続的に変化する１又は２以上の層からなるように
したことにより、一般的に窒素を含む金属膜の方が炭素
を含む金属膜よりエッチングレートが速いことから、金
属膜をその表面側から透明基板に向かって段階的にエッ
チングレートが速くなるように変化した構成とすること
ができる。

【００４６】この結果、ハーフトーン材料膜にダメージ
を与えることがなくかつ金属残りを除去してパターン欠
陥のないハーフトーン型位相シフトマスクブランクが得
られる。

【００４７】具体的には、ハーフトーン材料膜が、モリ
ブデン及びシリコンを主成分とする材料の場合、第１金
属膜／第２金属膜が、ＣｒＮ／ＣｒＣ等が挙げられる。

【００４８】なお、第１金属膜として、窒化度の異なる
ＣｒＮを積層したもの、第２金属膜として、炭化度の異
なるＣｒＣを積層したものであってもよい。

【００４９】ハーフトーン材料膜にＭｏＳｉ系材料を使
用する場合には、金属膜の材料にはクロム系を用いるこ
とが好ましい。

【００５０】また、前記第１金属膜に含まれる窒素の量
は、５〜６０ａｔ％が好適であり、その含有量が５ａｔ
％未満であると、第１金属膜の結晶粒が密にならず、透
明基板との密着強度が弱く、また、第１金属膜に応力
（反り）が発生しやすくなり、膜はがれが発生する。

【００５１】さらに、エッチングレートが遅くなるので
ハーフトーン材料膜へのダメージが無視できなくなり、
透過率や位相シフト量といった光学特性が変化するので
好ましくない。

【００５２】一方、窒素の含有量が６０ａｔ％を越える
と、エッチングレートが速くなり、第２金属膜とのエッ
チングレートの差が大きくなってしまい、パターン形成
がオーバーハング形状となって、垂直なパターンが得れ
ないので好ましくない。

【００５３】そして、前述したオーバーハング形状は、
最上層の金属膜の先端が欠けやすくなり、この欠けた金
属膜が望まない箇所に付着して黒欠陥が発生することか
ら好ましくなく、パターン形状や生産性を考慮すると、
この窒素含有量の好ましい範囲は１０〜４０ａｔ％で、
より好ましい範囲は１５〜３０ａｔ％である。

【００５４】なお、金属膜の表面側の最上層として反射
防止膜を形成すれば、描画の際、金属膜表面の多重反射
を防止することによって、精度の高い転写をすることが
できる。

【００５５】この反射防止膜としては、たとえば、酸素
を含む金属膜、酸素及び窒素を含む金属膜、あるいは、
フッ素を含む金属膜等があり、具体的にはＣｒＯＮ、Ｃ
ｒＯ、ＣｒＦ等が挙げられる。好ましくは、前記金属膜
を構成する金属を主成分とすることが望まれる。これは
パターニングする際に、同じ種類のエッチング剤が使用
可能となるからである。

【００５６】さらに、第８の手段によれば、パターン欠
陥がなく、高精度にパターニングされたハーフトーン型
位相シフトマスクが得られる。また、このハーフトーン
型位相シフトマスクは、透明基板上にパターニングされ
たハーフトーン材料膜が形成されている構造の他に、遮
光性を有する前述したような金属膜材料や、Ｃｒ等の金
属をハーフトーン材料膜の上の適所に設けて、ハーフト
ーン型位相シフトマスクの遮光領域の遮光性を高めるこ
とも可能である。

【００５７】

【発明の実施の形態】以下に、実施例に基づき本発明を
さらに詳細に説明する。

【００５８】（実施例１）図１は実施例１に係わるハー
フトーン型位相シフトマスクブランク、図２はハーフト
ーン型位相シフトマスクのそれぞれの構成を示す模擬的
断面図、また、図３及び図４はハーフトーン型位相シフ
トマスクブランクの製造方法を説明するための模擬的断
面図である。

【００５９】本実施例に係わるハーフトーン型位相シフ
トマスクブランクは、石英からなる透明基板１０上に、
ＭｏＳｉＮ系材料からなるハーフトーン材料膜１１、Ｃ
ｒＮの第１金属膜１２、および、ＣｒＣの第２金属膜１
３を順次積層した構成となっている。

【００６０】詳述すれば、石英基板の主表面予備側面を
精密研磨して、６インチ×６インチ、厚さ０．２５イン
チの透明基板１０を作成し、モリブデン（Ｍｏ）とシリ
コン（Ｓｉ）の混合ターゲット（Ｍｏ：Ｓｉ＝２０：８
０ｍｏｌ％）を用いて、アルゴン（Ａｒ）と窒素
（Ｎ₂）との混合ガス雰囲気中（Ａｒ：１０％、Ｎ₂：９
０％、圧力：１．５×１０^-3Torr）で、反応性スパッタ
リングにより、前記透明基板１０上に、図３（ａ）に示
すように、膜厚９２５オングストロームのＭｏＳｉＮの
ハーフトーン材料膜１１を形成した。

【００６１】ここで、前記透明基板１０は、石英以外
に、蛍石、各種ガラス（たとえば、ソーダライムガラ
ス、アルミノシリケートガラス、アルミノボロシリケー
トガラス等）などが用いられる。

【００６２】このようにして得られたハーフトーン材料
膜１２の組成、光学特性を測定したところ、以下の結果
が得られた。

【００６３】組成＝Ｍｏ：１３ａｔ％、Ｓｉ：４０ａｔ
％、Ｎ：４７ａｔ％屈折率＝２．３４波長２４８ｎｍにおける光透過率＝５％位相シフト量＝１８０° つぎに前記ハーフトーン材料膜１１上に、クロム（Ｃ
ｒ）ターゲットを用い、アルゴン（Ａｒ）と窒素（Ｎ２
）との混合ガス雰囲気中（Ａｒ：８０％、Ｎ₂ ：２０
％、圧力：１．５×１０^-3torr）で、反応性スパッタリ
ングにより、図３（ｂ）に示すように、膜厚１５０オン
グストロームのＣｒＮの第１金属膜１２を形成した。

【００６４】得られた第１金属膜１２の窒素（Ｎ）の含
有量は２０ａｔ％であり、また、この第１金属膜１２の
エッチングレートを測定したところ２．２ｎｍ／ｓｅｃ
であった。

【００６５】ついで、前記第１金属膜１２上に、クロム
ターゲットを用い、アルゴン（Ａｒ）とメタン（Ｃ
Ｈ₄）との混合ガス雰囲気（Ａｒ：８８％、ＣＨ₄：１２
％、圧力：１．５×１０^-3torr）中で、反応型スパッタ
リングにより、図３（ｃ）に示すように、膜厚６００オ
ングストロームのＣｒＣの第２金属膜１３を形成し、超
音波洗浄を行なって、ハーフトーン型位相シフトマスク
ブランクを得た。

【００６６】そして、前記第２金属膜１３の炭素含有量
を測定したところ６ａｔ％で有り、また、エッチングレ
ートは０．３ｎｍ／ｓｅｃであり、また、その光学特性
は、波長４５０ｎｍでの光学濃度は３．０であった。

【００６７】また、６００ｇの荷重をかけて引っかき試
験を行なったところハーフトーン材料膜１１と、第１金
属膜１２、第２金属膜１３との間でのはがれは発生せ
ず、良好な膜強度が得られた。

【００６８】つぎに、第２金属膜１３上に、図３（ｄ）
に示すようにレジスト膜１４を形成し、パターン露光及
び現像によって、図４（ａ）に示すようにレジストパタ
ーン１５を形成した。

【００６９】そしてこのようなパターニングに際して、
安定した高精度のパターニングが実施されたが、これ
は、得られた第２金属膜１３のシート抵抗値を測定した
ところ、０．５ＭΩ／□以下であり、この結果、良好な
導電性が得られ、前述した電子露光の際、第２金属膜１
３と、レジスト膜１４との間に電荷の蓄積がないことに
起因しているものと考えられる。

【００７０】そして、前述したパターニングの後に、硝
酸第２セリウムアンモニウム１６５ｇと濃度７０％の過
酸素塩４２ｍｌとに純水を加えて１０００ｍｌとしたエ
ッチング液を温度１９℃〜２０℃に保持し、このエッチ
ング液によってウェットエッチングを施して、第２金属
膜１３及び第１金属膜１２を、図４（ｂ）に示すように
パターニングした。

【００７１】このようなパターニングを行なった後にお
いて、ハーフトーン材料膜１１上への第１金属膜１２や
第２金属膜１３中の金属（Ｃｒ）の残存がなく、また、
ハーフトーン材料膜１１にダメージは見られなかった。

【００７２】これは、第１金属膜１２および第２金属膜
１３とハーフトーン材料膜１１とが互いに撰択エッチン
グ可能であり、かつ、ハーフトーン材料膜１１に接する
第１金属膜１２のエッチングレートが速いことによるも
のと想定される。

【００７３】また、図５に示すように、第１金属膜１２
と第２金属膜１３のエッチング後の幅寸法Ｘ２とＸ１と
の差、すなわち、アンダーカット量が０．０２μｍとき
わめて小さく、先端がかけるほどのオーバーハング形状
になくことなく垂直なパターンが得られた。これは、第
１金属膜１２と第２金属膜１３とのエッチングレートの
差が、１．９ｎｍ／ｓｅｃと小さいことに起因するもの
と考えられる。

【００７４】つぎに、前記第１および第２の金属膜１２
・１３のパターンをマスクとして、ＣＦ₄とＯ₂ との混
合ガスによるドライエッチングによって、図４（ｃ）に
示すように、前記ハーフトーン材料膜１１の露出部分を
除去してハーフトーン材料膜パターン１１を形成した。

【００７５】これより、硫酸によって前記レジストパタ
ーン１５を剥離し、さらに、硝酸第２セリウムアンモニ
ウム１６５ｇと濃度７０％の過酸素塩４２ｍｌとに純水
を加えて１０００ｍｌとしたエッチング液を温度１９〜
２０℃に保持し、このエッチング液によってウェットエ
ッチングを施して、第２金属膜１３及び第１金属膜１２
を除去して、図４（ｄ）に示すように所望パターンのハ
ーフトーン材料膜パターン１１を備えたハーフトーン型
位相シフトマスクを得た。

【００７６】また、比較のために、前記実施例１のハー
フトーン材料膜１１上に、膜厚３００オングストローム
のＣｒからなる第１金属膜と、膜厚１５０オングストロ
ームのＣｒＮからなる第２金属膜を形成した他は、実施
例１と同様にしてハーフトーン型位相シフトマスクブラ
ンクおよびハーフトーン型位相シフトマスクを作成した
（比較例１）。

【００７７】ここで、前記第１金属膜は、１．５×１０
^-3ｔｏｒｒのＡｒガス雰囲気中でスパッタリングし、ま
た、第２金属膜は、１．５×１０^-3ｔｏｒｒのＡｒとＮ
２との混合ガス雰囲気中（Ａｒ：８０％、Ｎ₂：２０
％）で、反応性スパッタリングにより作成した。

【００７８】そして、この比較例１においては、ハーフ
トーン材料膜の表面にダメージが発生し、そのために所
望の位相差が得られないという不具合を生じた。

【００７９】これは、前記Ｃｒ膜とＣｒＮ膜のエッチン
グレートが、それぞれ１．５ｎｍ／ｓｅｃ、２．２ｎｍ
／ｓｅｃであり、パターニングする際における、ハーフ
トーン材料膜と接するＣｒからなる第１金属膜のエッチ
ングレートが、この第１金属膜上に形成されるＣｒＮか
らなる第２金属膜のエッチングレートよりも遅いことに
起因するものと想定される。

【００８０】また、得られたハーフトーン型位相シフト
マスクブランクについて引っかき試験を行なったとこ
ろ、１００枚の試験片中８枚が、第１金属膜と第２金属
膜との間で剥離が発生し、密着強度が不十分であった。

【００８１】さらなる比較のために、前記第１金属膜１
２を形成する際に、ＡｒとＮ₂との混合ガスに含まれる
Ｎ₂の量を調整して、第１金属膜１２の窒素の含有量を
５ａｔ％（実施例２）、１０ａｔ％（実施例３）、３０
ａｔ％（実施例４）、４０ａｔ％（実施例５）、５０ａ
ｔ％（実施例６）、６０ａｔ％（実施例７）とし、その
他の条件は前記実施例と同様にして、位相シフト量が１
８０°となるようにした各実施例を作成し、また、窒素
の含有量を３ａｔ％とした比較例２と、６５ａｔ％とし
た比較例２とを作成し、これらの各実施例及び比較例に
おける第１金属膜１２のエッチングレート（ｎｍ／ｓｅ
ｃ）、第１金属膜１２と第２金属膜１３のエッチングレ
ートの差（ｎｍ／ｓｅｃ）、アンダーカット量（μ
ｍ）、位相シフト量（°）を測定し、その結果を表１に
示す。

【００８２】

【表１】この表１からも明らかなように、第１金属膜１２の窒素
の含有量が５〜１０ａｔ％のとき、アンダーカット量が
０．１μｍ以下となるので、オーバーハング形状による
金属膜先端の欠けによる黒欠陥の発生が抑制され、ま
た、ほぼ垂直のパターンが形成されて、高精度のパター
ニングが行なわれる。

【００８３】また、ハーフトーン材料膜１１と接する金
属膜１２のエッチングレートが十分速いので、ハーフト
ーン材料膜１１にダメージが生じることが少なく、位相
シフト量も１８０°ー２°の範囲内に収束させられてお
り、信頼性の高いハーフトーン型位相シフトマスクが得
られる。

【００８４】そして、第１金属層１２における窒素含有
量が、前記範囲外である前記比較例２及び比較例３の何
れにおいても、オーバーハング形状となり黒欠陥が発生
しやすくなるとともに、垂直なパターニングがなされ
ず、高精度のパターニングができない。

【００８５】さらに、前記実施例１によって得られたハ
ーフトーン型位相シフトマスクブランク上に、膜厚２５
０オングストロームのＣｒＯＮからなる酸化防止膜を形
成した他は実施例１と同様としたハーフトーン型位相シ
フトマスクブランクおよびハーフトーン型位相シフトマ
スクを作成した。尚、得られたハーフトーン型位相シフ
トマスクブランクの光学特性、波長３６５ｎｍでの表面
反射率は２０％以下と良い結果が得られた。

【００８６】ここで、前記酸化防止膜は、１．５×１０
^-3ｔｏｒｒの、アルゴン（Ａｒ）と亜酸化窒素（Ｎ
₂Ｏ）との混合ガス雰囲気中（Ａｒ：８０％、Ｎ₂Ｏ：２
０％）で、反応性スパッタリングにより作成した。

【００８７】得られたハーフトーン型位相シフトマスク
ブランクは、実施例１において得られる作用効果に加え
て、表面反射率が低いといった優れた特性を備えてい
る。

【００８８】なお、前記実施形態において示した各構成
や寸法等は一例であって、設計要求とに基づき種々変更
可能である。

【００８９】たとえば、前記実施形態においては、ハー
フトーン材料膜１１上に形成した金属膜１２・１３を全
て除去したハーフトーン型位相シフトマスクを示した
が、これに限らず、ハーフトーン材料膜上の適所に第１
金属膜や第２金属膜、また、反射防止膜等のパターンを
設けてハーフトーン型位相シフトマスクの遮光性を向上
させることも可能である。

【００９０】また、前述の反射防止膜は、ＡｒとＮ₂Ｏ
との混合ガス雰囲気中で成膜したが、これに限らず、
Ｎ₂＋Ｏ₂，ＮＯ等とＡｒとしても良い。

【００９１】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
高精度のパターニングが可能で、かつ、耐酸性ならびに
信頼性の高いハーフトーン型位相シフトマスクブランク
およびハーフトーン型位相シフトマスクを得ることがで
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例１に係わるハーフトーン型位相
シフトマスクブランクの構成を示す模擬的断面図であ
る。

【図２】本発明の実施例１に係わるハーフトーン型位相
シフトマスクの構成を示す模擬的断面図である。

【図３】本発明の実施例１に係わるハーフトーン型位相
シフトマスクブランクの製造方法を説明するための模擬
的断面図である。

【図４】本発明の実施例１に係わるハーフトーン型位相
シフトマスクブランクの製造方法を説明するための模擬
的断面図である。

【図５】本発明の一実施例に係わるハーフトーン型位相
シフトマスクの製造方法を説明するための模擬的断面図
である。

【図６】ハーフトーン型位相シフトマスクの従来の製造
方法の一例を示す模擬的断面図である。

【図７】ハーフトーン型位相シフトマスクの従来の製造
方法の他の例を示す模擬的断面図である。

【図８】ハーフトーン型位相シフトマスクの従来の製造
方法のさらに他の例を示す模擬的断面図である。

【符号の説明】

１０透明基板１１ハーフトーン材料膜１２第１金属膜１３第２金属膜１４レジスト膜１５レジストパターン

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】透明基板と、この透明基板上に形成され
たハーフトーン材料膜と、このハーフトーン材料膜上に
形成された金属膜を有するハーフトーン型位相シフトマ
スクブランクにおいて、前記金属膜の少なくともハーフトーン材料膜と接する材
料を窒素を含有する材料で構成したことを特徴とするハ
ーフトーン型位相シフトマスクブランク。
【請求項２】前記金属膜の窒素の含有量が５〜６０ａ
ｔ％であることを特徴とする請求項１に記載のハーフト
ーン型位相シフトマスクブランク。
【請求項３】前記金属膜が、その厚さ方向において、
酸化度、窒化度又は炭化度が段階的又は連続的に変化す
る１又は２以上の層からなることを特徴とする請求項１
又は２に記載のハーフトーン型位相シフトマスクブラン
ク。
【請求項４】前記金属膜が、ハーフトーン材料膜に対
して選択エッチング可能であることを特徴とする請求項
１〜３のいずれかに記載のハーフトーン型位相シフトマ
スクブランク。
【請求項５】前記金属膜がクロムを主たる構成元素と
することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載
のハーフトーン型位相シフトマスクブランク。
【請求項６】前記ハーフトーン材料膜が、モリブデン
及びシリコンを主たる構成要素とすることを特徴とする
請求項１〜５のいずれかに記載のハーフトーン型位相
シフトマスクブランク。
【請求項７】前記金属膜の表面側を高導電性の材料で
構成したことを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記
載のハーフトーン型位相シフトマスクブランク。
【請求項８】請求項１〜７のいずれかに記載のハーフ
トーン型位相シフトマスクブランクの少なくともハーフ
トーン材料膜をパターンニングしてなるハーフトーン型
位相シフトマスクであって、前記ハーフトーン材料膜上
に金属膜が形成されていることを特徴とするハーフトー
ン型位相シフトマスク。