JPS6280656A - フオトマスクブランクおよびフオトマスク - Google Patents
フオトマスクブランクおよびフオトマスクInfo
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- JPS6280656A JPS6280656A JP60221226A JP22122685A JPS6280656A JP S6280656 A JPS6280656 A JP S6280656A JP 60221226 A JP60221226 A JP 60221226A JP 22122685 A JP22122685 A JP 22122685A JP S6280656 A JPS6280656 A JP S6280656A
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/50—Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
- G03F1/40—Electrostatic discharge [ESD] related features, e.g. antistatic coatings or a conductive metal layer around the periphery of the mask substrate
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、半導体、ＩＣ，Ｌ’ＳＩ等の製造に用いられ
るフォトマスクブランクおよびフォトマスクに関する。
るフォトマスクブランクおよびフォトマスクに関する。
さらに詳しくは１本発明は、フォトマスク、とくにノ蔦
−ドマスクと一般に呼ばれる。
−ドマスクと一般に呼ばれる。
透明基板表面に金属またはそれに代わる遮光性物質の薄
膜を蒸着またはスパッタによって形成し。
膜を蒸着またはスパッタによって形成し。
フォトリソグラフィ、エツチング技術を経て、前記薄膜
からなるＩＣ，ＬＳＩ用パターンを形成されるフォトマ
スクブランクおよびフォトマスクに関するものである、 （従来の技術） 従来この種の７オトマスクは、半導体基板上に重ねられ
て転写露光用に用いられるが、フォトマスクの遮光パタ
ーンはガラス基板上に点在する金属クロムまたは酸化ク
ロムなどの被膜から構成されている。しかし、その被膜
はすべてが連続しているとは限らず、ガラス基板上に島
状に孤立して存在している部分もある。しかるにこのノ
１ニドマスクの遮光パターンを他に転写しようとして、
銀乳剤被膜を有する基板やレジストコートされた半導体
基板上に接触させた場合、密着、剥離によつて静電気が
発生し、ハードマスクのパターン間あるいは他の部品と
放電現象ｈ′−起こり、とくに上記したパターンの島状
部分の金属クロムまたは酸化クロムなどからなる被膜の
周辺部に欠落が生じるという現象がみられる。この現象
は、フォトマスクが大形サイズになればなるほど顕著で
あり、最−近の半導体技術のパターン微細化からすると
、このよつＴｘ部分のわずかな欠落はフォトマスクとし
ての機能を全く失なわせるものであり致命的な欠陥とな
る。
からなるＩＣ，ＬＳＩ用パターンを形成されるフォトマ
スクブランクおよびフォトマスクに関するものである、 （従来の技術） 従来この種の７オトマスクは、半導体基板上に重ねられ
て転写露光用に用いられるが、フォトマスクの遮光パタ
ーンはガラス基板上に点在する金属クロムまたは酸化ク
ロムなどの被膜から構成されている。しかし、その被膜
はすべてが連続しているとは限らず、ガラス基板上に島
状に孤立して存在している部分もある。しかるにこのノ
１ニドマスクの遮光パターンを他に転写しようとして、
銀乳剤被膜を有する基板やレジストコートされた半導体
基板上に接触させた場合、密着、剥離によつて静電気が
発生し、ハードマスクのパターン間あるいは他の部品と
放電現象ｈ′−起こり、とくに上記したパターンの島状
部分の金属クロムまたは酸化クロムなどからなる被膜の
周辺部に欠落が生じるという現象がみられる。この現象
は、フォトマスクが大形サイズになればなるほど顕著で
あり、最−近の半導体技術のパターン微細化からすると
、このよつＴｘ部分のわずかな欠落はフォトマスクとし
ての機能を全く失なわせるものであり致命的な欠陥とな
る。
また、静電気を帯びることは、ゴミを吸着しやすく、ゴ
ミによる不良パターンの発生等の原因にもなる。
ミによる不良パターンの発生等の原因にもなる。
さらに近年、半導体素子の微細化、高密度化に伴い、フ
ォトリングラフィにかわり電子線露光法が使用されるに
至っているが、上述したマスクは。
ォトリングラフィにかわり電子線露光法が使用されるに
至っているが、上述したマスクは。
ガラス基板ｈ；絶縁性のため、電子線４光に際して照射
部が帯電し画１象の歪み、位置ずれ等を生ずる欠点カー
ある。
部が帯電し画１象の歪み、位置ずれ等を生ずる欠点カー
ある。
このような欠点を解決する手段として、フォトマスクに
透明な導電膜を設け、フォトマスクの帯電現象を解消す
ることが、提案されている。しかし、問題は、透明な導
電膜に用いる材料にあるのであって、例えば、酸化イン
ジウムや酸化スズは。
透明な導電膜を設け、フォトマスクの帯電現象を解消す
ることが、提案されている。しかし、問題は、透明な導
電膜に用いる材料にあるのであって、例えば、酸化イン
ジウムや酸化スズは。
透明性に優れるが、所望の導電度を得るには相当な厚さ
の膜が盛装であり、その上に遮光膜としてミクロンオー
ダーの微、面パターンを形成することは、パターンとし
ての荒れの問題が生じる慣れがある。そねに前者酸化イ
ンジウムは、化学的１１ｉｔ久性に劣り遮光用薄１漠の
金属クロムや酸化クロムをパターン化する際のエツチン
グ剤に侵されてしまうということがある。この他透明な
導電膜の材料と°して、モリブデン（Ｍｏ）、タングス
テン（ｖＶ ）、タンタル（Ｔａ）等の比較的侵されに
くい金属を薄く蒸着して透明導電膜とすることも提案さ
れているが、これらの材料は１本質的に金属であるから
。
の膜が盛装であり、その上に遮光膜としてミクロンオー
ダーの微、面パターンを形成することは、パターンとし
ての荒れの問題が生じる慣れがある。そねに前者酸化イ
ンジウムは、化学的１１ｉｔ久性に劣り遮光用薄１漠の
金属クロムや酸化クロムをパターン化する際のエツチン
グ剤に侵されてしまうということがある。この他透明な
導電膜の材料と°して、モリブデン（Ｍｏ）、タングス
テン（ｖＶ ）、タンタル（Ｔａ）等の比較的侵されに
くい金属を薄く蒸着して透明導電膜とすることも提案さ
れているが、これらの材料は１本質的に金属であるから
。
透明性に劣り、またエツチング剤に侵されやすく。
さらに言えば、ガラス基板との接着性および遮光薄膜で
ある金属クロムや酸化クロムとの接着性にも問題が無い
とは言えない。
ある金属クロムや酸化クロムとの接着性にも問題が無い
とは言えない。
（発明が解決しようとする問題点）
本発明は、大形サイズのフォトマスクに特に起こりカｔ
ちな静電気の放心現象の発生を防止し、透明性および隣
接する層との接着性を向上させること、成膜が容易でか
つ耐薬品性等の化学的耐久性ｂ”−高いこと１等な実現
するフォトマスクブランクおよびフォトマスクを提供す
るものである。
ちな静電気の放心現象の発生を防止し、透明性および隣
接する層との接着性を向上させること、成膜が容易でか
つ耐薬品性等の化学的耐久性ｂ”−高いこと１等な実現
するフォトマスクブランクおよびフォトマスクを提供す
るものである。
（発明の構成）
すなわち１本発明は、透明基板上に感光性樹脂の感光領
域の光に対して７５％以上の透過率を有し膜厚６０〜８
０Ａの窒化タンタル（ＴａＮｘ ：Ｘ≦１）の導電性
薄膜を設け、さらに感光性樹脂の感光領域の光に対して
遮光性の薄膜を設けたことを特徴とするフォトマスクブ
ランクであり、かつ透明基板上に感光性樹脂の感光領域
の光に対して７５％以上の透過率を有し膜厚３０〜８０
Ａの窒化タンタル（Ｔ’ａＮｘ：ｘ≦１）からなる導電
性薄膜を設け、さらに感光性樹脂の感光領域の光に対し
て遮光性のパターン化された薄膜を設けたことを特徴と
するフォトマスクである。
域の光に対して７５％以上の透過率を有し膜厚６０〜８
０Ａの窒化タンタル（ＴａＮｘ ：Ｘ≦１）の導電性
薄膜を設け、さらに感光性樹脂の感光領域の光に対して
遮光性の薄膜を設けたことを特徴とするフォトマスクブ
ランクであり、かつ透明基板上に感光性樹脂の感光領域
の光に対して７５％以上の透過率を有し膜厚３０〜８０
Ａの窒化タンタル（Ｔ’ａＮｘ：ｘ≦１）からなる導電
性薄膜を設け、さらに感光性樹脂の感光領域の光に対し
て遮光性のパターン化された薄膜を設けたことを特徴と
するフォトマスクである。
（発明の詳述）
以下さらに１本発明の詳細な説明すれば、第１図から第
３図は１本発明のフォトマスクブランクの種々の形状を
示すものであるが、透明基板（１）は。
３図は１本発明のフォトマスクブランクの種々の形状を
示すものであるが、透明基板（１）は。
たとえば、ソーダライムガラス、硼硅酸ガラス、石英ガ
ラス、水晶、サファイヤ等、光学的に透明な任意材料か
らなり、その厚みには本質的な制約はないが１通常０．
２〜６酎のものｂ′−用いられる。
ラス、水晶、サファイヤ等、光学的に透明な任意材料か
らなり、その厚みには本質的な制約はないが１通常０．
２〜６酎のものｂ′−用いられる。
第１図のものは、窒化タンタル（ＴａＮｘ：ｘ≦１）の
透明導電膜（２）を透明基板（１）の表面に漬層し、そ
の上に遮光性薄膜（６）としての金属クロムが設し十ら
れている。ここで、透明導電膜（２）は、他の実・施例
でも共通であるので説明すると、窒化数Ｘは１以下とす
る。
透明導電膜（２）を透明基板（１）の表面に漬層し、そ
の上に遮光性薄膜（６）としての金属クロムが設し十ら
れている。ここで、透明導電膜（２）は、他の実・施例
でも共通であるので説明すると、窒化数Ｘは１以下とす
る。
１１ＡＪＩは３０〜８０λ（オングストローム）とする
。３０人より薄い膜では、導電性が不足気味であり、８
０Ａより厚い、摸では、感光性樹脂の感光領域の光に対
して７５％以上の光透過率を示さないからまずい。膜厚
の最適呟は、４０〜６ＯＡであり、この時の面抵抗値は
４〜５にΩ／ｄ を示し良好である。（但し、透明導電
膜１２）を成膜した直後の値である。） 第２図は、窒化タンタル（ＴａＮｘ：ｘ≦１）の透明導
電膜（２）の上に遮光性薄膜（３）として金属クロム。
。３０人より薄い膜では、導電性が不足気味であり、８
０Ａより厚い、摸では、感光性樹脂の感光領域の光に対
して７５％以上の光透過率を示さないからまずい。膜厚
の最適呟は、４０〜６ＯＡであり、この時の面抵抗値は
４〜５にΩ／ｄ を示し良好である。（但し、透明導電
膜１２）を成膜した直後の値である。） 第２図は、窒化タンタル（ＴａＮｘ：ｘ≦１）の透明導
電膜（２）の上に遮光性薄膜（３）として金属クロム。
模（３ａ）と酸化クロム膜（６ｂ）とからなる二層構成
を採用している。上層の酸化クロム；摸（６ｂ）は、表
面の光反射を防止する役目を荷っている。
を採用している。上層の酸化クロム；摸（６ｂ）は、表
面の光反射を防止する役目を荷っている。
第６図は、遮光性薄膜（３）として、下側にも酸化クロ
ムの薄膜（３ｃ）を設けたものである。薄膜（６ｃ）は
、裏面の光反射を防止することと、隣接する上下の層の
接着性を補強させる役目も荷っている。
ムの薄膜（３ｃ）を設けたものである。薄膜（６ｃ）は
、裏面の光反射を防止することと、隣接する上下の層の
接着性を補強させる役目も荷っている。
遮光性薄膜（３）としては、上記のほか酸化クロムの単
層膜もありうる。
層膜もありうる。
これらの膜は、公知のエツチング液例えば硝酸セリウム
と過酸化水素の混合液やドライエツチング法でパターン
化が可能であり、しかも下層のＴａＮｘの導電性薄膜が
耐薬品性に富むので、エツチングされない。
と過酸化水素の混合液やドライエツチング法でパターン
化が可能であり、しかも下層のＴａＮｘの導電性薄膜が
耐薬品性に富むので、エツチングされない。
導電性薄膜（ＴａＮｘ）の成膜方法としては１反応性の
スパッタ蒸着法が良く、例えば１モル比でアルゴンガス
（Ａｒ）１０に対して窒素ガス（Ｎ２）を０．５〜２．
５の割合でスパッター室へ導入し、スパッター室の圧力
を１０−４〜１０−３Ｔｏｒｒ程度に設定したＤＣマグ
ネトロン方式でターゲットを金属タンタルとしたスパッ
ター蒸着法があげられる、以下に本発明の窒化タンタル
導電膜つぎのフォトマスクの製造方法の一例を１図面の
第４図ｔａ）〜（ｂｌに基いて、述べる。
スパッタ蒸着法が良く、例えば１モル比でアルゴンガス
（Ａｒ）１０に対して窒素ガス（Ｎ２）を０．５〜２．
５の割合でスパッター室へ導入し、スパッター室の圧力
を１０−４〜１０−３Ｔｏｒｒ程度に設定したＤＣマグ
ネトロン方式でターゲットを金属タンタルとしたスパッ
ター蒸着法があげられる、以下に本発明の窒化タンタル
導電膜つぎのフォトマスクの製造方法の一例を１図面の
第４図ｔａ）〜（ｂｌに基いて、述べる。
（実施例）
石英ガラス、硼ケイ酸系ガラス、ソーダライムガラス等
の透明基板（１）に対して、直流マグネトロンスパッタ
装置を用いて、ターゲットとして金属タンタルを用い、
アルゴンガスｍｉｓ ｏ ＳＣＣＭ。
の透明基板（１）に対して、直流マグネトロンスパッタ
装置を用いて、ターゲットとして金属タンタルを用い、
アルゴンガスｍｉｓ ｏ ＳＣＣＭ。
窒素ガス（Ｎ２）流量４ＳＣＣＭに設定し、ターゲット
電流０．５Ａ、ターゲット電圧３５０〜４００Ｖ、 ス
ハッタ放’を時（７）圧力！ｌ”−５，８〜６．４ Ｘ
１０ ’Ｔｏｒｒの条件で、透明基板（１）の上に
透明導電膜（２）のＴａＮｘ（ｘ≦１）を４０〜５０Ａ
厚に成膜した。
電流０．５Ａ、ターゲット電圧３５０〜４００Ｖ、 ス
ハッタ放’を時（７）圧力！ｌ”−５，８〜６．４ Ｘ
１０ ’Ｔｏｒｒの条件で、透明基板（１）の上に
透明導電膜（２）のＴａＮｘ（ｘ≦１）を４０〜５０Ａ
厚に成膜した。
得られた透明導電膜（２）の感光性樹脂の感光領域（３
００〜ｓｏｏｎｍ）の光透過率は８ｏ〜９０％で１表面
電気抵抗値は４〜５にΩ／ｄであった。
００〜ｓｏｏｎｍ）の光透過率は８ｏ〜９０％で１表面
電気抵抗値は４〜５にΩ／ｄであった。
この上に遮光性薄膜（３）として金属クロム８００Ａお
よび酸化クロム２０＋）Ａの二層構成の膜を成膜して１
表面の光反射率を低減したフォトマスクブランクを得た
。
よび酸化クロム２０＋）Ａの二層構成の膜を成膜して１
表面の光反射率を低減したフォトマスクブランクを得た
。
これにＡＺ−１３５０（米国シラプレー社製ポジ型感光
性樹脂）ヲ１．２μ厚にスピンナー塗布してフォトレジ
スト層（４）とし、所望のパターンな部分露光した（第
４図（ａ）参照）。しかる後、ＡＺ−１３５０の指定現
１象液を用いて露光部のフォトレジスト層（４）を除去
しく第４図（ｂｌ参照）、続いて硝酸セリウムアンモン
と過酸化水素からなる酸化クロム−金属クロム用腐食液
な用いて露出した遮光性薄膜（３）な選択的に腐食除去
し、（第４図（ｃ）参照）しかる後、残存していたフォ
トレジスト層（４）′を剥離Ｉ（！ｉ、にて除去し、フ
ォトマスクとした。（第４図（ｄｌ 参照）得られたマ
スクの接着性をテストするため、鉄筆やカミソリ刃によ
る摩擦試験を行なったが１．漠の剥がれ等の欠隔は生じ
なかった。
性樹脂）ヲ１．２μ厚にスピンナー塗布してフォトレジ
スト層（４）とし、所望のパターンな部分露光した（第
４図（ａ）参照）。しかる後、ＡＺ−１３５０の指定現
１象液を用いて露光部のフォトレジスト層（４）を除去
しく第４図（ｂｌ参照）、続いて硝酸セリウムアンモン
と過酸化水素からなる酸化クロム−金属クロム用腐食液
な用いて露出した遮光性薄膜（３）な選択的に腐食除去
し、（第４図（ｃ）参照）しかる後、残存していたフォ
トレジスト層（４）′を剥離Ｉ（！ｉ、にて除去し、フ
ォトマスクとした。（第４図（ｄｌ 参照）得られたマ
スクの接着性をテストするため、鉄筆やカミソリ刃によ
る摩擦試験を行なったが１．漠の剥がれ等の欠隔は生じ
なかった。
（発明の効果）
本発明のフォトマスクブランクおよびフォトマスクは以
上のようなものであり、本発明によれば。
上のようなものであり、本発明によれば。
フォトマスクに導電膜を付したので、静電気が帯電せず
、放電現象による遮光パターンの欠落あるいは静電気に
よるゴミ吸着などを防止できる。本発明による透明導電
膜の材料は７化物であり、金属のように遮光性に富むも
のではないから、感光性樹脂の感光領域での光透過率も
７５％以上（実際には８０〜９０％にもなる）とするこ
とが容易で、しかも窒化タンタルは導電率も所期の高い
値が得られる。そのほか、金属と異なり、耐薬品性が高
（、遮光性薄膜をエツチングする際にも下層の透明導電
膜は侵されに＜＜、エツチング剤の選定幅も広くなる。
、放電現象による遮光パターンの欠落あるいは静電気に
よるゴミ吸着などを防止できる。本発明による透明導電
膜の材料は７化物であり、金属のように遮光性に富むも
のではないから、感光性樹脂の感光領域での光透過率も
７５％以上（実際には８０〜９０％にもなる）とするこ
とが容易で、しかも窒化タンタルは導電率も所期の高い
値が得られる。そのほか、金属と異なり、耐薬品性が高
（、遮光性薄膜をエツチングする際にも下層の透明導電
膜は侵されに＜＜、エツチング剤の選定幅も広くなる。
そのほか、窒化タンタルの透明導電膜は、金４タンタル
等の金属の透明導電膜に比べて、隣接する上下の層との
接着性が強固であり、実施例に述べたように、遮光性薄
膜を鉄筆やカミソリ刃で摩擦する試験でも剥離が起こら
ず。
等の金属の透明導電膜に比べて、隣接する上下の層との
接着性が強固であり、実施例に述べたように、遮光性薄
膜を鉄筆やカミソリ刃で摩擦する試験でも剥離が起こら
ず。
良好であった。
第１図から第３図までは、本発明のフォトマスクブラン
クの種々の実施例を示す断面図であり。 第４図（ａ）〜（ｄ）は、本発明のフォトマスクの製造
プロセスの一例を工程順に示す説明図である。
クの種々の実施例を示す断面図であり。 第４図（ａ）〜（ｄ）は、本発明のフォトマスクの製造
プロセスの一例を工程順に示す説明図である。
Claims (2)
- （１）透明基板上に感光性樹脂の感光領域の光に対して
７５％以上の透過率を有し膜厚３０〜８０Åの窒化タン
タル（ＴａＮ＿ｘ：ｘ≦１）の導電性薄膜を設け、さら
に感光性樹脂の感光領域の光に対して遮光性の薄膜を設
けたことを特徴とするフォトマスクブランク。 - （２）透明基板上に感光性樹脂の感光領域の光に対して
７５％以上の透過率を有し膜厚３０〜８０Åの窒化タン
タル（ＴａＮ＿ｘ：ｘ≦１）からなる導電性薄膜を設け
、さらに感光性樹脂の感光領域の光に対して遮光性のパ
ターン化された薄膜を設けたことを特徴とするフォトマ
スク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60221226A JPS6280656A (ja) | 1985-10-04 | 1985-10-04 | フオトマスクブランクおよびフオトマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60221226A JPS6280656A (ja) | 1985-10-04 | 1985-10-04 | フオトマスクブランクおよびフオトマスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6280656A true JPS6280656A (ja) | 1987-04-14 |
| JPS645288B2 JPS645288B2 (ja) | 1989-01-30 |
Family
ID=16763442
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60221226A Granted JPS6280656A (ja) | 1985-10-04 | 1985-10-04 | フオトマスクブランクおよびフオトマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6280656A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0386786A2 (en) * | 1989-03-09 | 1990-09-12 | Canon Kabushiki Kaisha | X-ray mask structure, and x-ray exposure process |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5764739A (en) * | 1980-10-09 | 1982-04-20 | Dainippon Printing Co Ltd | Photomask substrate and photomask |
| JPS57161857A (en) * | 1981-03-31 | 1982-10-05 | Dainippon Printing Co Ltd | Photomask blank plate |
| JPS57161856A (en) * | 1981-03-31 | 1982-10-05 | Dainippon Printing Co Ltd | Photomask |
| JPS5856381A (ja) * | 1981-09-29 | 1983-04-04 | 富士通株式会社 | マグネトロン・スパツタリング装置によるＴａ↓２Ｎ膜生成方法 |
-
1985
- 1985-10-04 JP JP60221226A patent/JPS6280656A/ja active Granted
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5764739A (en) * | 1980-10-09 | 1982-04-20 | Dainippon Printing Co Ltd | Photomask substrate and photomask |
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US5196283A (en) * | 1989-03-09 | 1993-03-23 | Canon Kabushiki Kaisha | X-ray mask structure, and x-ray exposure process |
| US5773177A (en) * | 1989-03-09 | 1998-06-30 | Canon Kabushiki Kaisha | X-ray mask structure, and X-ray exposure process |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS645288B2 (ja) | 1989-01-30 |
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