JPS5856381A - マグネトロン・スパツタリング装置によるＴａ↓２Ｎ膜生成方法 - Google Patents
マグネトロン・スパツタリング装置によるＴａ↓２Ｎ膜生成方法Info
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- JPS5856381A JPS5856381A JP15458181A JP15458181A JPS5856381A JP S5856381 A JPS5856381 A JP S5856381A JP 15458181 A JP15458181 A JP 15458181A JP 15458181 A JP15458181 A JP 15458181A JP S5856381 A JPS5856381 A JP S5856381A
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- tantalum
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- magnetron sputtering
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はマグネトロン・スノ（ツタリング装置によるＴ
ａ１Ｎ腹生成方法に関する。
ａ１Ｎ腹生成方法に関する。
六方厳密１１造を有するＴａｍＮ腺を利用した一路素子
、例えは薄展混成集棟回路に形成されたタンタル薄膜抵
抗素子は一般に舘１図に示す如く、アルミナ基板又はア
ルミナ基板表面にガラス質を薄くコーティングして表面
平滑性の高いグレーズドアルミナ基板１を使用し、基板
ｌの上面にＴａ、Ｎ農をスパッタしたのち骸Ｔａ、Ｎ膜
を選択的に残置させたＴａ、Ｎ抵抗層２を形成し、その
対向両端部に例えばニクロム（ＮＩ Ｃｒ）を下地層３
として金（Ａｕ）を極層４ｔ−積層形成し、さらに所望
の抵抗値を得るためのトリ電ングとして抵抗層２の抵抗
値をモニタしながら陽極酸化、或いは熱酸化手段でタン
タル酸化物の絶縁層５が形成されている。
、例えは薄展混成集棟回路に形成されたタンタル薄膜抵
抗素子は一般に舘１図に示す如く、アルミナ基板又はア
ルミナ基板表面にガラス質を薄くコーティングして表面
平滑性の高いグレーズドアルミナ基板１を使用し、基板
ｌの上面にＴａ、Ｎ農をスパッタしたのち骸Ｔａ、Ｎ膜
を選択的に残置させたＴａ、Ｎ抵抗層２を形成し、その
対向両端部に例えばニクロム（ＮＩ Ｃｒ）を下地層３
として金（Ａｕ）を極層４ｔ−積層形成し、さらに所望
の抵抗値を得るためのトリ電ングとして抵抗層２の抵抗
値をモニタしながら陽極酸化、或いは熱酸化手段でタン
タル酸化物の絶縁層５が形成されている。
このようなタンタル薄膜抵抗素子のＴａ１Ｎ展生成に際
してメンタルの融点が非常に高いため、通常はスパッタ
リング又は電子ビーム蒸着によシ膜生成し、スパッタリ
ング装置にはＤＣ二極スパッタ方式或いはＲＦ （Ｒａ
ｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ ） スパッタ方式のもの
が用いられている。即ち、アルゴンガス雰囲気中でタン
タルをスパッタする場合、純タンタル薄膜（Ｂ−Ｔａ）
の抵抗率はタンタルバルクの約１５倍とな９その抵抗温
度係数は±２００９ｐｍ／℃となる不安定要因を除くた
め、アルゴンガス中に活性ガスを混入した反応スパッタ
が試みられ、！ｉｌ素ガスによって顕著な効果が見出さ
れた０そして、アルゴンガスに添加する窒素ガスを次第
に増量したとき、最初はテトラゴナル（Ｔ＠ｔｒａｇｏ
ｎａＪ ）構造のＢ−Ｔａｒ；を体心立方構造（ｂ、
ｃ、 ｅ ）のα−Ｔａとなシ、次いで体心立方構造の
格子間に窒素が溶は込んで抵抗が増加し六方最密構造（
ｈＣｐ）のＴｍ、Ｎを生じ、終りに面心立方構造（ｆｅ
ｅ）の−Ｎが形成される。そのうち、Ｔａ、Ｎが軒時変
化特性及び製造上の再現性の点で最も優れておシ、広く
用いられてき九。
してメンタルの融点が非常に高いため、通常はスパッタ
リング又は電子ビーム蒸着によシ膜生成し、スパッタリ
ング装置にはＤＣ二極スパッタ方式或いはＲＦ （Ｒａ
ｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ ） スパッタ方式のもの
が用いられている。即ち、アルゴンガス雰囲気中でタン
タルをスパッタする場合、純タンタル薄膜（Ｂ−Ｔａ）
の抵抗率はタンタルバルクの約１５倍とな９その抵抗温
度係数は±２００９ｐｍ／℃となる不安定要因を除くた
め、アルゴンガス中に活性ガスを混入した反応スパッタ
が試みられ、！ｉｌ素ガスによって顕著な効果が見出さ
れた０そして、アルゴンガスに添加する窒素ガスを次第
に増量したとき、最初はテトラゴナル（Ｔ＠ｔｒａｇｏ
ｎａＪ ）構造のＢ−Ｔａｒ；を体心立方構造（ｂ、
ｃ、 ｅ ）のα−Ｔａとなシ、次いで体心立方構造の
格子間に窒素が溶は込んで抵抗が増加し六方最密構造（
ｈＣｐ）のＴｍ、Ｎを生じ、終りに面心立方構造（ｆｅ
ｅ）の−Ｎが形成される。そのうち、Ｔａ、Ｎが軒時変
化特性及び製造上の再現性の点で最も優れておシ、広く
用いられてき九。
ただし、前記装置ｉ′ｆ：用いた従来方法でＴａ會Ｎ＊
を生成するには、装置槽内に導入される混合ガスの窒素
ガス分圧が比較的低く、例えばＤＣ二極スパッタリング
装置にあっては窒素ガス分圧が２〜５−程度である〇一
方、高純度のＴ ａ ＊ Ｎ ３１ を生成するに蝶、
装置槽内を一旦Ｉ Ｘ １０ ’Ｔｏｒｒ より良い
真空度にし大王でプレスパツタを行ない、清浄なカソー
ド面をだす必要が６３１、ＤＣ二極スパッタリング装置
及び電子ビーム蒸着鋲置ＯＴａ、Ｎ膜生成速度は毎分数
百オングストローム（Ａ）程度である。
を生成するには、装置槽内に導入される混合ガスの窒素
ガス分圧が比較的低く、例えばＤＣ二極スパッタリング
装置にあっては窒素ガス分圧が２〜５−程度である〇一
方、高純度のＴ ａ ＊ Ｎ ３１ を生成するに蝶、
装置槽内を一旦Ｉ Ｘ １０ ’Ｔｏｒｒ より良い
真空度にし大王でプレスパツタを行ない、清浄なカソー
ド面をだす必要が６３１、ＤＣ二極スパッタリング装置
及び電子ビーム蒸着鋲置ＯＴａ、Ｎ膜生成速度は毎分数
百オングストローム（Ａ）程度である。
他方、ＤＣ二極スパッタリング装置やＲＦスパッタリン
グ装置等よシスバッタ速度が約１桁速いことで知られて
いる装置としてマグネトロンニスバッタリング装置があ
る。即ち、直交電磁界を利用しローレンツの式に従って
運動するプラズマをターゲット（カソード）近傍の局所
的空間に閉じ込め、ターゲット上をサイクロイド運動す
る電子がガス分子と衝突する結果密度の高いプラズマが
発生し、電子がスパッタ基板に衝突して生じるダメージ
を無くするとともに高いスパッタ速度が得られるスパッ
タリング装置である。そして、このような装置はＮ、含
有率が少ないα−Ｔａｌｌ膜の形成に極めて有効である
。
グ装置等よシスバッタ速度が約１桁速いことで知られて
いる装置としてマグネトロンニスバッタリング装置があ
る。即ち、直交電磁界を利用しローレンツの式に従って
運動するプラズマをターゲット（カソード）近傍の局所
的空間に閉じ込め、ターゲット上をサイクロイド運動す
る電子がガス分子と衝突する結果密度の高いプラズマが
発生し、電子がスパッタ基板に衝突して生じるダメージ
を無くするとともに高いスパッタ速度が得られるスパッ
タリング装置である。そして、このような装置はＮ、含
有率が少ないα−Ｔａｌｌ膜の形成に極めて有効である
。
しかしながら従来、マグネトロン・スパッタリング装置
によりタンタルをスパッタした際、混合ガス中のｉｉｌ
素ガス分圧を変えることにより、抵抗率及び抵抗温度係
数の異なるタンタル薄農或い扛窒化タンタル薄展を生成
できるが、六方最密構造のＴ幻Ｎは検知されていなかう
た０ 本発明の目的はマグネトロン・スノ（ツタリング装置を
用いて、再現性及び特性の優れたＴａ腎膜を生成するこ
とであシ、カソードにタンタルを設はアルゴンガスと窒
素ガスの混合ガスを満したマグネトロン・スパッタリン
グ装置の槽内で、摂氏２７０度以上に強制的に加熱した
絶縁基板にスノセツタしてタンタルの輩化物を生成させ
ることを特徴としたマグネトロン・スパッタリング装置
１ｊＫよるＴａｍＮ＆生成方法を提供して達成される。
によりタンタルをスパッタした際、混合ガス中のｉｉｌ
素ガス分圧を変えることにより、抵抗率及び抵抗温度係
数の異なるタンタル薄農或い扛窒化タンタル薄展を生成
できるが、六方最密構造のＴ幻Ｎは検知されていなかう
た０ 本発明の目的はマグネトロン・スノ（ツタリング装置を
用いて、再現性及び特性の優れたＴａ腎膜を生成するこ
とであシ、カソードにタンタルを設はアルゴンガスと窒
素ガスの混合ガスを満したマグネトロン・スパッタリン
グ装置の槽内で、摂氏２７０度以上に強制的に加熱した
絶縁基板にスノセツタしてタンタルの輩化物を生成させ
ることを特徴としたマグネトロン・スパッタリング装置
１ｊＫよるＴａｍＮ＆生成方法を提供して達成される。
以下、本発明の実施例につき図面を参照しながら詳述す
る。
る。
第２図はマグネトロン・スパッタリング装置を使用し、
アルゴンガスと窒素ガスとの混合ガス中の窒素ガス分圧
を変えてメンタルをスパッタしたとき、得られたタンタ
ル薄膜の抵抗率ｐと抵抗温度係数ＴＣＲｔ−グロットし
九測定例である。ただし、混合ガスの総圧力は３．ｇ
ｘ １０ Ｔｏｒｒでタンタル膜の厚さは約２５０Ｏ
Ａとし、図の横軸は混合ガス中の窒素ガス分圧Ｐ１−の
縦軸は右備を抵抗率ρ（μΩ・ｃＩＬ）とし左側が抵抗
温度係数ＴＣＲ（ｐ−ｐ０ｍ／”Ｃ）である。また、図
中の実線は従来方法にて形成したタンタル膜のＴＣＲ値
とρ値、破線は本発明方法にて形成したタンタル膜のＴ
ＣＲ値であり、本発明方法膜のρ値は従来方法膜のρ値
に一致して図示されない。
アルゴンガスと窒素ガスとの混合ガス中の窒素ガス分圧
を変えてメンタルをスパッタしたとき、得られたタンタ
ル薄膜の抵抗率ｐと抵抗温度係数ＴＣＲｔ−グロットし
九測定例である。ただし、混合ガスの総圧力は３．ｇ
ｘ １０ Ｔｏｒｒでタンタル膜の厚さは約２５０Ｏ
Ａとし、図の横軸は混合ガス中の窒素ガス分圧Ｐ１−の
縦軸は右備を抵抗率ρ（μΩ・ｃＩＬ）とし左側が抵抗
温度係数ＴＣＲ（ｐ−ｐ０ｍ／”Ｃ）である。また、図
中の実線は従来方法にて形成したタンタル膜のＴＣＲ値
とρ値、破線は本発明方法にて形成したタンタル膜のＴ
ＣＲ値であり、本発明方法膜のρ値は従来方法膜のρ値
に一致して図示されない。
即ち、第２図において本発明方法膜のＴＣＲ値は、従来
方法膜のＴＣＲ値より若干プラス値に移動し、その数値
的偏差はあまり大きくない。しかし、かかる２極のタン
タル膜の結晶構造をｘｉ回折により見ると、窒素ガス分
圧Ｐが比較的小さい０〜数チ領域ではＴＣＲ値及びρ値
のピークにそれぞれ対応してβ−Ｔａ又はα−Ｔａ（Ｚ
）ｔｉ６晶を示す回折図が得られる。しかし、分圧Ｐが
α−Ｔａ領域よシ大きくなる領域において、従来方法膜
に拡六方最密構造のＴａ１Ｎを示す明瞭な回折図が得ら
れない反面、本発明方法膜のそれには通常のＤＣ２極ス
パッタリング装置で形成したものと同様な六方最密構造
Ｔａ１Ｎを示すＮ形が観察することができる。
方法膜のＴＣＲ値より若干プラス値に移動し、その数値
的偏差はあまり大きくない。しかし、かかる２極のタン
タル膜の結晶構造をｘｉ回折により見ると、窒素ガス分
圧Ｐが比較的小さい０〜数チ領域ではＴＣＲ値及びρ値
のピークにそれぞれ対応してβ−Ｔａ又はα−Ｔａ（Ｚ
）ｔｉ６晶を示す回折図が得られる。しかし、分圧Ｐが
α−Ｔａ領域よシ大きくなる領域において、従来方法膜
に拡六方最密構造のＴａ１Ｎを示す明瞭な回折図が得ら
れない反面、本発明方法膜のそれには通常のＤＣ２極ス
パッタリング装置で形成したものと同様な六方最密構造
Ｔａ１Ｎを示すＮ形が観察することができる。
第３図は本発明１＊施すしためのヒータを槽内に設は九
マグネトロン轡スパッタリング装置の概略構成を示す断
面図であシ、これは槽１１の中に電極部１２と、図示し
ない手段で保持されたスパッタ基板１３及びヒータ１４
を収容して構成され、かつ、槽１１にはスパッタ雰囲気
を形成するアルゴンガスＡｒと窒素ガスＮ、を導入する
ためのバブル１５〜１７を備えた尋入管１８と図示しな
い排気管とが設けである。電極部１２＃′１ＮＩｉ！を
中心部にし九複数個の永久磁石１９と、タンタルにてな
るカソード（ターゲット）２０と、カソード２０を囲う
ように配設されたカソードシールド２１及び７ノード２
２等にて＃Ｓ成され、カソード２０は壷数本の取付ねじ
２３にてバッキングプレート２４に結合され、バッキン
グプレー）２４ｔｉ複数本の取付ねじ２５にて各永久磁
石１９の磁極面に結合されている。
マグネトロン轡スパッタリング装置の概略構成を示す断
面図であシ、これは槽１１の中に電極部１２と、図示し
ない手段で保持されたスパッタ基板１３及びヒータ１４
を収容して構成され、かつ、槽１１にはスパッタ雰囲気
を形成するアルゴンガスＡｒと窒素ガスＮ、を導入する
ためのバブル１５〜１７を備えた尋入管１８と図示しな
い排気管とが設けである。電極部１２＃′１ＮＩｉ！を
中心部にし九複数個の永久磁石１９と、タンタルにてな
るカソード（ターゲット）２０と、カソード２０を囲う
ように配設されたカソードシールド２１及び７ノード２
２等にて＃Ｓ成され、カソード２０は壷数本の取付ねじ
２３にてバッキングプレート２４に結合され、バッキン
グプレー）２４ｔｉ複数本の取付ねじ２５にて各永久磁
石１９の磁極面に結合されている。
このような装置によシスバッタ基板１３０表面（図示下
面）にＴａ１Ｎ展を被着生成するには、まず空気を排除
した槽１１の中に３．８Ｘ１０ Ｔｏｒｒ程度の圧力
でアルゴンガスと≦４８ガスの混合ガス、例えばアルゴ
ンガス２！１（８０饅で窒素ガスが２０−の混合ガスを
導入する。次いで、ヒータ１４に所定電流を流して基板
１３の温度を図示しない熱電対又は輻射熱によシ検出し
ながら摂氏２７０度以上に加熱したのち、カソード２０
にマイナス数百ボルト、アノード２２にプラス数十ボル
トの直流電圧を印加すると、永久磁石１９にょる′磁界
とカソード２０の表面に垂直な磁界とによって作られる
直交を磁空間に高密度プラズマが発生し、骸磁界に巻き
ついて荷電粒子がサイクロイド運動をしながら激しくカ
ソード２ｏを衝撃しタンタル原子を叩き出す。
面）にＴａ１Ｎ展を被着生成するには、まず空気を排除
した槽１１の中に３．８Ｘ１０ Ｔｏｒｒ程度の圧力
でアルゴンガスと≦４８ガスの混合ガス、例えばアルゴ
ンガス２！１（８０饅で窒素ガスが２０−の混合ガスを
導入する。次いで、ヒータ１４に所定電流を流して基板
１３の温度を図示しない熱電対又は輻射熱によシ検出し
ながら摂氏２７０度以上に加熱したのち、カソード２０
にマイナス数百ボルト、アノード２２にプラス数十ボル
トの直流電圧を印加すると、永久磁石１９にょる′磁界
とカソード２０の表面に垂直な磁界とによって作られる
直交を磁空間に高密度プラズマが発生し、骸磁界に巻き
ついて荷電粒子がサイクロイド運動をしながら激しくカ
ソード２ｏを衝撃しタンタル原子を叩き出す。
その結果、カソード２ｏに対向する基板１３の赤面には
タンタル膜がスパッタ生成されるが、前述した如く基板
１３′ｆｒ：加熱し混合ガスの窒素ガス分圧が約２０％
であるとき、前記タンタル膜は大力最密構造のＴａ１Ｎ
族となって生成される。
タンタル膜がスパッタ生成されるが、前述した如く基板
１３′ｆｒ：加熱し混合ガスの窒素ガス分圧が約２０％
であるとき、前記タンタル膜は大力最密構造のＴａ１Ｎ
族となって生成される。
第４図はマグネトロン・スパッタリング装置により生成
されたタンタル膜のＴａ＊Ｎ？検出するＸ線回折スペク
ト比例であシ、（（転）はスパッタ基板の温度がスパッ
タ時の自然温度（約摂氏８０度）、（ｂ）はスパッタ基
板を摂氏１５０度に加熱してスパッタしたもの、（Ｃ）
はスパッタ基板ｔ−摂氏２５０度に加熱してスパッタし
九もの、（ｄ）Ｆｉスバクメ基板を摂氏２７０度に加熱
したものである。なお、スパッタ条件は出力３ＫＷのプ
レーナ形！グネトロンΦスパッタリング装置を使用し、
スパッタ時装置槽内の混合ガス圧力が３．８ ｘ １０
Ｔｏｒｒでその窒素ガス分圧は２０−であシ、（ａ
）〜（ｅ）のタンタル膜生成厚さは２５００ Ａとし、
（ｄ）のタンタル膜生成厚さは５０００ Ａである。
されたタンタル膜のＴａ＊Ｎ？検出するＸ線回折スペク
ト比例であシ、（（転）はスパッタ基板の温度がスパッ
タ時の自然温度（約摂氏８０度）、（ｂ）はスパッタ基
板を摂氏１５０度に加熱してスパッタしたもの、（Ｃ）
はスパッタ基板ｔ−摂氏２５０度に加熱してスパッタし
九もの、（ｄ）Ｆｉスバクメ基板を摂氏２７０度に加熱
したものである。なお、スパッタ条件は出力３ＫＷのプ
レーナ形！グネトロンΦスパッタリング装置を使用し、
スパッタ時装置槽内の混合ガス圧力が３．８ ｘ １０
Ｔｏｒｒでその窒素ガス分圧は２０−であシ、（ａ
）〜（ｅ）のタンタル膜生成厚さは２５００ Ａとし、
（ｄ）のタンタル膜生成厚さは５０００ Ａである。
微細なスペクトル成分を省略して簡易化し、横押
軸を回デ角度２＃で示す第５図において、（ｄ）図にｔ
ｉＴａｍＮ （１０１）面のスペクトル成分を示す２＃
＝３７１ｇ度の位置と、Ｔａ１Ｎ （００２）面のスペ
クトル成分を示す２１＝３５．４ｔの位置と、Ｔａ１Ｎ
（１００）面のスペクトル成分會示す２ａ＝３３．４度
の位置とに、それぞれ顕著なピークが記録されＴａ、Ｎ
の存在が明らかである。それに対し、伽）及び（ｅ１図
では２＃＝３７．８度、３５．４度、３３．４度の各回
折角度に渡りて１つの低くてなだらかなピークが記録さ
れ、（ａ）図には２θ＝３５．７ｍが最大値となる低く
てなだらかな１つのピークが記録され、Ｔａ、Ｎの生成
が不明確となってい石。
ｉＴａｍＮ （１０１）面のスペクトル成分を示す２＃
＝３７１ｇ度の位置と、Ｔａ１Ｎ （００２）面のスペ
クトル成分を示す２１＝３５．４ｔの位置と、Ｔａ１Ｎ
（１００）面のスペクトル成分會示す２ａ＝３３．４度
の位置とに、それぞれ顕著なピークが記録されＴａ、Ｎ
の存在が明らかである。それに対し、伽）及び（ｅ１図
では２＃＝３７．８度、３５．４度、３３．４度の各回
折角度に渡りて１つの低くてなだらかなピークが記録さ
れ、（ａ）図には２θ＝３５．７ｍが最大値となる低く
てなだらかな１つのピークが記録され、Ｔａ、Ｎの生成
が不明確となってい石。
なお、第４図（＆）に示すスペクトル特性を有するとζ
ろの非晶質窒化タンタル膜と、第４図（ｄ）に示すスペ
クトル特性を有すゐＴａ１Ｎ膜との各抵抗率は近似した
値になるが、後者の抵抗は前者の抵抗に比べて経時変化
が少なく、かつ、後者の方が基板等との密着性に優れて
いることを確認している。
ろの非晶質窒化タンタル膜と、第４図（ｄ）に示すスペ
クトル特性を有すゐＴａ１Ｎ膜との各抵抗率は近似した
値になるが、後者の抵抗は前者の抵抗に比べて経時変化
が少なく、かつ、後者の方が基板等との密着性に優れて
いることを確認している。
以上説明した如く、本発明はスパッタ速度の早い１グネ
トロン・スパッタリング装ｆｌｌｉ１−用いたＴａＩＮ
膜生成を実現させたことにより、Ｔａ１Ｎ膜を含んで構
成される回路素子及び回路の生産性が高められたのみな
らず、Ｔａ、Ｎ膜スパッタ雰囲気の窒素ガス分圧はスパ
ッタ速度に比例して従来よシ高い良めその条件設定が緩
和され、がっ、不純物ガスの影畳が弱められたξとによ
ＱＴａ雪Ｎ＠特性が均一化された効果を有する。
トロン・スパッタリング装ｆｌｌｉ１−用いたＴａＩＮ
膜生成を実現させたことにより、Ｔａ１Ｎ膜を含んで構
成される回路素子及び回路の生産性が高められたのみな
らず、Ｔａ、Ｎ膜スパッタ雰囲気の窒素ガス分圧はスパ
ッタ速度に比例して従来よシ高い良めその条件設定が緩
和され、がっ、不純物ガスの影畳が弱められたξとによ
ＱＴａ雪Ｎ＠特性が均一化された効果を有する。
なお、本発明はマグネトロン・スパッタ９７グ装置の構
成など図示例に限定されるものでなく、「特許請求の範
曲」内において適宜実施し得るものである。
成など図示例に限定されるものでなく、「特許請求の範
曲」内において適宜実施し得るものである。
第１図は基板上に形成された薄膜タンタル抵抗素子の側
断面図、第２図はマグネトロン・スパッタリング装置の
槽内窒素ガス分圧の変化によるタンタル薄膜の抵抗率変
化及び抵抗温度係数変化を示す特性図、第３図は本発明
１−実施するためのヒータを槽内に設けたマグネトロン
・スパッタ９７グ装置を概略構成で示す側断面図、第４
１ｉｉ！ＩＦｉマグネトロンｅスパツタリング装置を用
いスパッタ基板温度の変化によるＸ紐回折スペクトル特
性図である。 なお、図中において１はアルミナ基板もしくはグレーズ
ドアルミナ基板、２ｑＴａＩＮ抵抗層、１１はスパッタ
槽、１３社スパッタ基板、１４はヒータ、′２０はタン
タルにてなるカソードを示す。 代理人 −２士 松 胸 宏−門Ｖコ晃ｊ図 夷２図 ％３図 ） ５ 第４囚 くα） 回折角度（２θ）
断面図、第２図はマグネトロン・スパッタリング装置の
槽内窒素ガス分圧の変化によるタンタル薄膜の抵抗率変
化及び抵抗温度係数変化を示す特性図、第３図は本発明
１−実施するためのヒータを槽内に設けたマグネトロン
・スパッタ９７グ装置を概略構成で示す側断面図、第４
１ｉｉ！ＩＦｉマグネトロンｅスパツタリング装置を用
いスパッタ基板温度の変化によるＸ紐回折スペクトル特
性図である。 なお、図中において１はアルミナ基板もしくはグレーズ
ドアルミナ基板、２ｑＴａＩＮ抵抗層、１１はスパッタ
槽、１３社スパッタ基板、１４はヒータ、′２０はタン
タルにてなるカソードを示す。 代理人 −２士 松 胸 宏−門Ｖコ晃ｊ図 夷２図 ％３図 ） ５ 第４囚 くα） 回折角度（２θ）
Claims (1)
- セラミックス等にてなる絶縁基板上にＴａ１Ｎ農を被着
生成せしめるに際して、直交電磁界を利用しカソードに
はタンタルを設けてなるマグネトロン・スパッタリング
装置１ｌｉＬを用い、アルゴンガスと窒素ガスとの混合
ガスが満され友前記装置の槽内で、摂氏２７０度以上に
加熱した絶縁基也にスノくツタして結晶榊造がｈａｐな
るタンタルの窒化物を生成させることを特徴としたマグ
ネトロン・スノ（、ツタリング装置によるＴａｔＮ展生
成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15458181A JPS5856381A (ja) | 1981-09-29 | 1981-09-29 | マグネトロン・スパツタリング装置によるＴａ↓２Ｎ膜生成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15458181A JPS5856381A (ja) | 1981-09-29 | 1981-09-29 | マグネトロン・スパツタリング装置によるＴａ↓２Ｎ膜生成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5856381A true JPS5856381A (ja) | 1983-04-04 |
| JPS6337504B2 JPS6337504B2 (ja) | 1988-07-26 |
Family
ID=15587334
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15458181A Granted JPS5856381A (ja) | 1981-09-29 | 1981-09-29 | マグネトロン・スパツタリング装置によるＴａ↓２Ｎ膜生成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5856381A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60208346A (ja) * | 1984-03-31 | 1985-10-19 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 透明、耐熱、難燃、耐衝撃性樹脂組成物 |
| JPS6280656A (ja) * | 1985-10-04 | 1987-04-14 | Toppan Printing Co Ltd | フオトマスクブランクおよびフオトマスク |
-
1981
- 1981-09-29 JP JP15458181A patent/JPS5856381A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60208346A (ja) * | 1984-03-31 | 1985-10-19 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 透明、耐熱、難燃、耐衝撃性樹脂組成物 |
| JPS6280656A (ja) * | 1985-10-04 | 1987-04-14 | Toppan Printing Co Ltd | フオトマスクブランクおよびフオトマスク |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6337504B2 (ja) | 1988-07-26 |
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