JPS61227231A - 磁気記録体の製造方法 - Google Patents
磁気記録体の製造方法Info
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- JPS61227231A JPS61227231A JP6737885A JP6737885A JPS61227231A JP S61227231 A JPS61227231 A JP S61227231A JP 6737885 A JP6737885 A JP 6737885A JP 6737885 A JP6737885 A JP 6737885A JP S61227231 A JPS61227231 A JP S61227231A
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- Japan
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- magnetic recording
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、磁気記録体の製造方法に関し、特に垂直磁気
記録方式に適するＧｏ −Ｃｒ系垂直磁気記録層を形成
する磁気記録体の製造方法に関する。
記録方式に適するＧｏ −Ｃｒ系垂直磁気記録層を形成
する磁気記録体の製造方法に関する。
（従来の技術）
Ｃｏ −Ｃｒ系垂直磁気記録層は、 １００ ｋｂｐｉ
以上の高密度記録が可能な垂直磁気記録方式に用いられ
る各種の記録媒体の中でも特に好適なものである。
以上の高密度記録が可能な垂直磁気記録方式に用いられ
る各種の記録媒体の中でも特に好適なものである。
このことは９例えば日本電子工業振興協会線；新電子材
料に関する調査研究報告書ＩＸ ５Ｂ−Ｍ−１９８，（
昭和５８年３月、 Ｐ、５９）などでよく知られている
。
料に関する調査研究報告書ＩＸ ５Ｂ−Ｍ−１９８，（
昭和５８年３月、 Ｐ、５９）などでよく知られている
。
Ｇｏ −Ｃｒ系垂直磁気記録層を形成する方法としては
。
。
従来からマグネトロン・スパッタ法が採用されており、
この方法は組成の制御が容易である。膜質の安定性に優
れるなどの特長を有している。しかしながら、その成膜
速度の遅さが欠点として指摘されている。すなわち、前
記報告書の第７９頁によれば、真空蒸着では成膜速度が
０．１２〜０．９μｍ／ｗｉｎであるのに対して、スパ
ッタ法では０．０５μｍ／＋ｉｎである。
この方法は組成の制御が容易である。膜質の安定性に優
れるなどの特長を有している。しかしながら、その成膜
速度の遅さが欠点として指摘されている。すなわち、前
記報告書の第７９頁によれば、真空蒸着では成膜速度が
０．１２〜０．９μｍ／ｗｉｎであるのに対して、スパ
ッタ法では０．０５μｍ／＋ｉｎである。
この欠点を克服するために、特開昭５６−１６５９３１
号には直流方式のイオン・ブレーティング法（以下ＤＣ
イオン・ブレーティング法と略す。）を用いた成膜法が
提案されている。
号には直流方式のイオン・ブレーティング法（以下ＤＣ
イオン・ブレーティング法と略す。）を用いた成膜法が
提案されている。
（発明が解決しようとする問題点）
本発明者らの知見によれば、特開昭５６−１６５９３１
号の方法では成膜速度の向上は見られるものの。
号の方法では成膜速度の向上は見られるものの。
特にポリエステル・フィルムなどの絶縁物を表面とする
基板において、良好な垂直磁気異方性を誘起することは
困難であることが判明した。そしてＤＣイオン・ブレー
ティング法では絶縁物を表面とする基板を用いると、成
膜中に電荷が蓄積し、成膜速度が遅くなることも一般に
知られている。
基板において、良好な垂直磁気異方性を誘起することは
困難であることが判明した。そしてＤＣイオン・ブレー
ティング法では絶縁物を表面とする基板を用いると、成
膜中に電荷が蓄積し、成膜速度が遅くなることも一般に
知られている。
したがって９本発明の目的は、絶縁物を表面とする基板
上にＣｏ −Ｃｒ系垂直磁気記録層を形成する際に、速
い速度の成膜が可能で、かつ良好な垂直磁気異方性を誘
起しうる方法を提供することにある。
上にＣｏ −Ｃｒ系垂直磁気記録層を形成する際に、速
い速度の成膜が可能で、かつ良好な垂直磁気異方性を誘
起しうる方法を提供することにある。
（問題点を解決するための手段）
本発明者らは、上記のごとき目的を達成すべくＧｏ −
Ｃｒ系垂直磁気記録層の形成法について鋭意検討した結
果、高周波イオン・ブレーティング法（以下ＲＦイオン
・ブレーティング法と略す、）を用い、かつ基板の支持
体もしくは基板の裏側にバイアス電極を設けて、 １０
０Ｖ以上の負の電圧を印加すれば良好な垂直磁気異方性
を誘起することができ。
Ｃｒ系垂直磁気記録層の形成法について鋭意検討した結
果、高周波イオン・ブレーティング法（以下ＲＦイオン
・ブレーティング法と略す、）を用い、かつ基板の支持
体もしくは基板の裏側にバイアス電極を設けて、 １０
０Ｖ以上の負の電圧を印加すれば良好な垂直磁気異方性
を誘起することができ。
しかも成膜速度も高いことを見出し１本発明を完成した
。
。
すなわち本発明は、絶縁物を表面とする基板上にＣｏ
−Ｃｒ系垂直磁気記録層を形成することにより磁気記録
体を製造するに際し、 ＲＦイオン・ブレーティング法
によりＣｏ −Ｃｒ系垂直磁気記録層を形成しつつ、基
板の支持体もしくは基板の裏側に１００ｖ以上の負のバ
イアス電圧を印加して、垂直磁気異方性を誘起すること
を特徴とする磁気記録体の製造方法である。
−Ｃｒ系垂直磁気記録層を形成することにより磁気記録
体を製造するに際し、 ＲＦイオン・ブレーティング法
によりＣｏ −Ｃｒ系垂直磁気記録層を形成しつつ、基
板の支持体もしくは基板の裏側に１００ｖ以上の負のバ
イアス電圧を印加して、垂直磁気異方性を誘起すること
を特徴とする磁気記録体の製造方法である。
以下１図面により本発明の詳細な説明する。第１図は９
本発明を実施するために用いられる装置の一例の断面構
造を模式的に示したものである。
本発明を実施するために用いられる装置の一例の断面構
造を模式的に示したものである。
すなわち、第１図の装置はＲＦイオン・ブレーティング
を行うための真空装置である。１はペルジャーを示し、
２は図には示されていない真空ポンプ系へと接続する排
気口を示している。３はペルジャー内に気体を導入する
ためのガス導入管を、４は薄膜形成材料となる母材の蒸
発源を、５は蒸発した母材粒子をイオン化したり２周囲
の雰囲気気体を低温プラズマ化するために、高周波電界
を印加するための放電コイルを、６は薄膜が形成される
基板をそれぞれ示す、７は基板を保持するための支持体
を示し１本装置例では加速電圧を印加するための裏面電
極となっている。８は装置の基台を示す。
を行うための真空装置である。１はペルジャーを示し、
２は図には示されていない真空ポンプ系へと接続する排
気口を示している。３はペルジャー内に気体を導入する
ためのガス導入管を、４は薄膜形成材料となる母材の蒸
発源を、５は蒸発した母材粒子をイオン化したり２周囲
の雰囲気気体を低温プラズマ化するために、高周波電界
を印加するための放電コイルを、６は薄膜が形成される
基板をそれぞれ示す、７は基板を保持するための支持体
を示し１本装置例では加速電圧を印加するための裏面電
極となっている。８は装置の基台を示す。
上記構造の装置において、まず蒸発源４に母材としてＣ
ｏ −Ｃｒ合金を装着する。次いで、真空ポンプ系によ
り排気口２からペルジャー１内を排気し。
ｏ −Ｃｒ合金を装着する。次いで、真空ポンプ系によ
り排気口２からペルジャー１内を排気し。
真空度が１０−’Ｔｏｒｒ以下の真空とする。このペル
ジャー１にガス導入管３を通して、アルゴン、ヘリウム
などの不活性気体を導入し、ペルジャー１内の真空度を
ｌＸｌ０−’〜ｌＸｌ０−’↑ｏｒｒ程度に調整する０
次いで、ペルジャー１内の蒸発源４のＣｏ −Ｃｒ合金
を加熱し、蒸発させる。この時、高周波放電コイル５に
好ましくは１〜５ＫＶの高周波電界を印加し、低温プラ
ズマを発生させる。同時に基板支持体７に負のバイアス
電圧を印加する。このとき良好な垂直磁気異方性を誘起
するには、 ＲＦイオン・ブレーティング法においてバ
イアス電極に１００ｖ以上の負のバイアス電圧を印加ふ
ることが必要である。このようなバイアス電圧を印加し
ない場合では、基板温度を３００℃以上に保たないと垂
直磁気異方性を誘起することができない。しかしながら
、磁気記録体の基板として用いられるポリエステルフィ
ルムなどの多くの高分子フィルムは、耐熱性が１００〜
２００℃の範囲にしかないので、垂直磁気異方性を誘起
するため、基板を３００℃以上に加熱することは、高分
子フィルムの損傷があるため実用的ではない、したがっ
て、バイアス電極に印加される負のバイアス電圧は１０
０Ｖ以上、好ましくは３００Ｖ以上であることが必要で
あるが、一方。
ジャー１にガス導入管３を通して、アルゴン、ヘリウム
などの不活性気体を導入し、ペルジャー１内の真空度を
ｌＸｌ０−’〜ｌＸｌ０−’↑ｏｒｒ程度に調整する０
次いで、ペルジャー１内の蒸発源４のＣｏ −Ｃｒ合金
を加熱し、蒸発させる。この時、高周波放電コイル５に
好ましくは１〜５ＫＶの高周波電界を印加し、低温プラ
ズマを発生させる。同時に基板支持体７に負のバイアス
電圧を印加する。このとき良好な垂直磁気異方性を誘起
するには、 ＲＦイオン・ブレーティング法においてバ
イアス電極に１００ｖ以上の負のバイアス電圧を印加ふ
ることが必要である。このようなバイアス電圧を印加し
ない場合では、基板温度を３００℃以上に保たないと垂
直磁気異方性を誘起することができない。しかしながら
、磁気記録体の基板として用いられるポリエステルフィ
ルムなどの多くの高分子フィルムは、耐熱性が１００〜
２００℃の範囲にしかないので、垂直磁気異方性を誘起
するため、基板を３００℃以上に加熱することは、高分
子フィルムの損傷があるため実用的ではない、したがっ
て、バイアス電極に印加される負のバイアス電圧は１０
０Ｖ以上、好ましくは３００Ｖ以上であることが必要で
あるが、一方。
実用的には２ＫＶ以下、特に５ｏｏｖ以下であることが
好ましい、また、基板の温度によって好ましいバイアス
電圧の値は異なる。基板加熱を行わなくとも、成膜中に
基板温度は上昇するので、一般には基板上部に冷却水を
循環させて冷却し、室温に保つことが行われており、こ
の場合では３００〜５００Ｖ程度の負のバイアス電圧が
好ましい。この結果。
好ましい、また、基板の温度によって好ましいバイアス
電圧の値は異なる。基板加熱を行わなくとも、成膜中に
基板温度は上昇するので、一般には基板上部に冷却水を
循環させて冷却し、室温に保つことが行われており、こ
の場合では３００〜５００Ｖ程度の負のバイアス電圧が
好ましい。この結果。
基板６に良好な垂直磁気異方性を有するＣｏ −Ｃｒ系
磁気記録層が容易に形成される。しかも、その成膜速度
は０．５４ ｍ／＋＋＋ｉｎ以上、好ましくは３μｍ／
ｍｉｎあるいはそれ以上と、スパッタ法に比べて５〜１
０倍程度あるいはそれ以上大きく、工業生産に向いた実
用的なＣｏ −Ｃｒ系磁気記録層の製造方法といえる。
磁気記録層が容易に形成される。しかも、その成膜速度
は０．５４ ｍ／＋＋＋ｉｎ以上、好ましくは３μｍ／
ｍｉｎあるいはそれ以上と、スパッタ法に比べて５〜１
０倍程度あるいはそれ以上大きく、工業生産に向いた実
用的なＣｏ −Ｃｒ系磁気記録層の製造方法といえる。
（実施例）
実施例１．比較例１．２
第１図に示す装置を用い、以下のようにして磁気記録体
を作成した。
を作成した。
なお、蒸発源としてはＣｏ −Ｃｒ合金を電子銃で加熱
して蒸発させ、形成された組成は原子％比でＣ。
して蒸発させ、形成された組成は原子％比でＣ。
： Ｃｒ＝８０ ： ２０であった。また、基板として
はフィルム厚さ５０μ謡のポリエステル・フィルムを用
いた。
はフィルム厚さ５０μ謡のポリエステル・フィルムを用
いた。
まず、 ５ Ｘｌ０−’Ｔｏｒｒにペルジャー１内を
排気したのちアルゴン・ガスを導入して、ペルジャー１
内の真空度を３〜５ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒに保った０
次に。
排気したのちアルゴン・ガスを導入して、ペルジャー１
内の真空度を３〜５ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒに保った０
次に。
蒸発源４のＣｏ −Ｃｒ合金を電子銃により加熱し、蒸
発させた０次いで、高周波電界の放電コイル５に周波１
３．５６ ＭＨｚ、電圧２ＫＶの高周波電界をかけ、放
電コイル５の周囲のガスにプラズマを発生させた。
発させた０次いで、高周波電界の放電コイル５に周波１
３．５６ ＭＨｚ、電圧２ＫＶの高周波電界をかけ、放
電コイル５の周囲のガスにプラズマを発生させた。
Ｃｏ −Ｃｒ合金の蒸発源から蒸発した粒子の一部分が
ここでイオン化され、基板に堆積し、磁性薄膜を形成し
た。このとき、基板の支持体であるバイアス電極に負の
直流バイアス電圧を３５０ｖ印加した。
ここでイオン化され、基板に堆積し、磁性薄膜を形成し
た。このとき、基板の支持体であるバイアス電極に負の
直流バイアス電圧を３５０ｖ印加した。
その結果１表−１に示すごとき良好な垂直磁気異方性を
有するＣｏ −Ｃｒ磁性膜を作成できた。
有するＣｏ −Ｃｒ磁性膜を作成できた。
比較のために、特開昭５６−１６５９３１号公報に示さ
れたＤＣイオン・ブレーティング法に基づき９表−１に
示す条件でＣｏ −Ｃｒ磁性膜を作成し、比較例１とし
た。また、 ＲＦプレーナ・マグネトロン・スパッタ法
により表−１に示す条件でＣｏ −Ｃｒ垂直磁性膜を作
成し、比較例２とした。
れたＤＣイオン・ブレーティング法に基づき９表−１に
示す条件でＣｏ −Ｃｒ磁性膜を作成し、比較例１とし
た。また、 ＲＦプレーナ・マグネトロン・スパッタ法
により表−１に示す条件でＣｏ −Ｃｒ垂直磁性膜を作
成し、比較例２とした。
表−１には実施例１．比較例１，２の実験条件とともに
薄膜組成、保磁力などのデータを示している。
薄膜組成、保磁力などのデータを示している。
また９表−１に示した各偶についてトルク曲線を測定し
、第２図に示した。第２図（ａ）は実施例１゜（ｂｌは
比較例１．（０）は比較例２のトルク曲線を示す。
、第２図に示した。第２図（ａ）は実施例１゜（ｂｌは
比較例１．（０）は比較例２のトルク曲線を示す。
実施例１では、理想的な垂直膜の場合に測定されるトル
ク曲線とほぼ同様な正弦波に近いトルク曲線が得られた
。一方、比較例１では垂直方向の残留磁化は２面内方向
の残留磁化よりも大きい例であるが、第２図中）のよう
に測定されたトルク曲線は理想的な垂直磁性膜の描くト
ルク曲線と大きく異なることがわかる。比較例２では、
従来からよく知られているように、実施例７とほとんど
同様の結果が得られた。しかし、比較例２では成膜速度
が実施例１の５分の１しかなく、生産性に欠ける。つま
り１本発明の方法では比較例２に対して５倍の生産性を
有し、実用性に優れる方法であることがわかる。
ク曲線とほぼ同様な正弦波に近いトルク曲線が得られた
。一方、比較例１では垂直方向の残留磁化は２面内方向
の残留磁化よりも大きい例であるが、第２図中）のよう
に測定されたトルク曲線は理想的な垂直磁性膜の描くト
ルク曲線と大きく異なることがわかる。比較例２では、
従来からよく知られているように、実施例７とほとんど
同様の結果が得られた。しかし、比較例２では成膜速度
が実施例１の５分の１しかなく、生産性に欠ける。つま
り１本発明の方法では比較例２に対して５倍の生産性を
有し、実用性に優れる方法であることがわかる。
表−１
＊ 形成された膜の原子組成（％比）を示す。
（発明の効果）
本発明によれば、絶縁物を表面とする基板上に高速で、
しかも高密度磁気記録用の垂直磁気記録方式に好適なＣ
ｏ −Ｃｒ系垂直磁化膜を容易に作成することができる
。
しかも高密度磁気記録用の垂直磁気記録方式に好適なＣ
ｏ −Ｃｒ系垂直磁化膜を容易に作成することができる
。
第１図は本発明の方法を実施するために用いられる装置
の一例の構造を模式的に示す断面図であり、第２図（ａ
）は実施例の、 （ｂ）、 （Ｃ）は比較例のトルク曲
線をそれぞれ示す。 １：ベルジャー、３：ガス導入管、４：蒸発源。
の一例の構造を模式的に示す断面図であり、第２図（ａ
）は実施例の、 （ｂ）、 （Ｃ）は比較例のトルク曲
線をそれぞれ示す。 １：ベルジャー、３：ガス導入管、４：蒸発源。
Claims (1)
- （１）絶縁物を表面とする基板上にＣｏ−Ｃｒ系垂直磁
気記録層を形成することにより磁気記録体を製造するに
際し、高周波イオンプレーティング法によりＣｏ−Ｃｒ
系垂直磁気記録層を形成しつつ、基板の支持体もしくは
基板の裏側に１００Ｖ以上の負のバイアス電圧を印加し
て垂直磁気異方性を誘起することを特徴とする磁気記録
体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6737885A JPS61227231A (ja) | 1985-03-30 | 1985-03-30 | 磁気記録体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6737885A JPS61227231A (ja) | 1985-03-30 | 1985-03-30 | 磁気記録体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61227231A true JPS61227231A (ja) | 1986-10-09 |
Family
ID=13343288
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6737885A Pending JPS61227231A (ja) | 1985-03-30 | 1985-03-30 | 磁気記録体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61227231A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02154323A (ja) * | 1988-12-06 | 1990-06-13 | Mitsubishi Kasei Corp | 磁気記録媒体の製造方法 |
| JPH03108125A (ja) * | 1989-09-21 | 1991-05-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体の製造方法 |
-
1985
- 1985-03-30 JP JP6737885A patent/JPS61227231A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02154323A (ja) * | 1988-12-06 | 1990-06-13 | Mitsubishi Kasei Corp | 磁気記録媒体の製造方法 |
| JPH0572015B2 (ja) * | 1988-12-06 | 1993-10-08 | Mitsubishi Chem Ind | |
| JPH03108125A (ja) * | 1989-09-21 | 1991-05-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体の製造方法 |
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