JPH0950618A - 磁気記録媒体及びその製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH0950618A JPH0950618A JP21966895A JP21966895A JPH0950618A JP H0950618 A JPH0950618 A JP H0950618A JP 21966895 A JP21966895 A JP 21966895A JP 21966895 A JP21966895 A JP 21966895A JP H0950618 A JPH0950618 A JP H0950618A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic recording
- magnetic
- recording medium
- recording layer
- gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 塗布型磁気記録媒体と薄膜型磁気記録媒体の
長所を兼ね備えて、しかも保磁力の高い磁気記録媒体を
提供する。 【解決手段】 非磁性基体２上に、Ｆｅに対して３５ａ
ｔ％以下のＣｏを含む合金磁性微粒子６と絶縁部材５と
からなグラニュラー磁気記録層３を設けるように構成す
る。これにより、ノイズの低減化、耐久性の向上及び保
磁力の向上を図る。
長所を兼ね備えて、しかも保磁力の高い磁気記録媒体を
提供する。 【解決手段】 非磁性基体２上に、Ｆｅに対して３５ａ
ｔ％以下のＣｏを含む合金磁性微粒子６と絶縁部材５と
からなグラニュラー磁気記録層３を設けるように構成す
る。これにより、ノイズの低減化、耐久性の向上及び保
磁力の向上を図る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気ディスクや磁
気テープ等の磁気記録媒体に係り、特に、高密度磁気記
録に好適な磁気記録媒体及びその製造方法に関する。
気テープ等の磁気記録媒体に係り、特に、高密度磁気記
録に好適な磁気記録媒体及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、情報記録産業の発展に伴って、
コンピュータやＯＡ機器等で用いられる記録媒体の大容
量化及び高密度化が更に望まれている。例えば、磁気記
録媒体を例にとれば、現在、実用に供されている磁気デ
ィスク等の磁気記録媒体には、２種類ある。１つは、強
磁性微粒子を有機樹脂からなるバインダー中に分散さ
せ、これを基板（又はベース）上に塗布して得られる塗
布型磁気記録媒体であり、他は、強磁性金属薄膜を基板
（又はベース）上に成膜して得られる薄膜磁気記録媒体
である。
コンピュータやＯＡ機器等で用いられる記録媒体の大容
量化及び高密度化が更に望まれている。例えば、磁気記
録媒体を例にとれば、現在、実用に供されている磁気デ
ィスク等の磁気記録媒体には、２種類ある。１つは、強
磁性微粒子を有機樹脂からなるバインダー中に分散さ
せ、これを基板（又はベース）上に塗布して得られる塗
布型磁気記録媒体であり、他は、強磁性金属薄膜を基板
（又はベース）上に成膜して得られる薄膜磁気記録媒体
である。
【０００３】塗布型磁気記録媒体は、優れた耐久性と低
変調ノイズという長所を有するが、高密度磁気記録が困
難であるという欠点がある。一方、薄膜磁気記録媒体
は、高密度磁気記録には適するが、耐久性に問題があ
り、また、連続膜であることに起因する高変調ノイズも
解決すべき問題である。そこで、これら両者の記録媒体
の長所を兼ね備え、更に保護膜が不要な磁気記録媒体と
して、Ｓ．Ｈ．Ｌｉｏｕ等によってグラニュラー薄膜
（Ｇｒａｎｕｌａｒ Ｍｅｔａｌ Ｆｉｌｍ）が提案さ
れた（Ｓ．Ｈ．Ｌｉｏｕ ａｎｄ Ｃ．Ｌ．Ｃｈｉｅ
ｎ：Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．５２（６），８
Ｆｅｂ．１９８８，Ｙ．Ｋａｎａｉ ａｎｄ Ｓ．Ｈ．
Ｃｈａｒａｐ：Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｙｈｓ．６９（８）．
１５ Ａｐｒ．１９９１）。
変調ノイズという長所を有するが、高密度磁気記録が困
難であるという欠点がある。一方、薄膜磁気記録媒体
は、高密度磁気記録には適するが、耐久性に問題があ
り、また、連続膜であることに起因する高変調ノイズも
解決すべき問題である。そこで、これら両者の記録媒体
の長所を兼ね備え、更に保護膜が不要な磁気記録媒体と
して、Ｓ．Ｈ．Ｌｉｏｕ等によってグラニュラー薄膜
（Ｇｒａｎｕｌａｒ Ｍｅｔａｌ Ｆｉｌｍ）が提案さ
れた（Ｓ．Ｈ．Ｌｉｏｕ ａｎｄ Ｃ．Ｌ．Ｃｈｉｅ
ｎ：Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．５２（６），８
Ｆｅｂ．１９８８，Ｙ．Ｋａｎａｉ ａｎｄ Ｓ．Ｈ．
Ｃｈａｒａｐ：Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｙｈｓ．６９（８）．
１５ Ａｐｒ．１９９１）。
【０００４】Ｓ．Ｈ．Ｌｉｏｕ等は、ＦｅとＳｉＯ2 か
らなる複合ターゲットを用いたＲＦ（高周波）マグネト
ロンスパッタ法によって、非晶質母材中に微細な磁気粒
子であるＦｅを埋め込んで記録層を形成しており、室温
での保磁力１１２５ Ｏｅを有するグラニュラー薄膜を
得ている。この磁気粒子は、上記塗布型の記録媒体中の
磁性粉の大きさが０．１μｍのオーダーであるのに対し
て約３００Å程度の大きさとなり、超微細な粒子構造な
っている。
らなる複合ターゲットを用いたＲＦ（高周波）マグネト
ロンスパッタ法によって、非晶質母材中に微細な磁気粒
子であるＦｅを埋め込んで記録層を形成しており、室温
での保磁力１１２５ Ｏｅを有するグラニュラー薄膜を
得ている。この磁気粒子は、上記塗布型の記録媒体中の
磁性粉の大きさが０．１μｍのオーダーであるのに対し
て約３００Å程度の大きさとなり、超微細な粒子構造な
っている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、このグラニ
ュラー薄膜を磁気記録媒体として使用するとき、母材が
硬質の非晶質ＳｉＯ2 であるので、磁気記録再生の際に
摺接する磁気ヘッドから磁気記録媒体を保護するための
保護膜を必要とせず、従って、必然的に磁気ヘッド−媒
体間のスペーシングも小さくすることができる。また、
母材が非磁性部材であるために微細なＦｅ粒子間の磁気
的相互作用も無くなり、変調ノイズの小さい高磁気記録
密度を有する磁気記録媒体として、さらなる高特性が期
待されている。しかしながら、上述のように高磁気記録
密度化のために不可欠な高い保磁力を有する媒体が得ら
れていないのが現状である。
ュラー薄膜を磁気記録媒体として使用するとき、母材が
硬質の非晶質ＳｉＯ2 であるので、磁気記録再生の際に
摺接する磁気ヘッドから磁気記録媒体を保護するための
保護膜を必要とせず、従って、必然的に磁気ヘッド−媒
体間のスペーシングも小さくすることができる。また、
母材が非磁性部材であるために微細なＦｅ粒子間の磁気
的相互作用も無くなり、変調ノイズの小さい高磁気記録
密度を有する磁気記録媒体として、さらなる高特性が期
待されている。しかしながら、上述のように高磁気記録
密度化のために不可欠な高い保磁力を有する媒体が得ら
れていないのが現状である。
【０００６】そこで、本発明者は、先の出願（特願平５
−２６５７２７号及び特願平６−１９７３５９号）にお
いて高保磁力媒体の作製法を提案した。特願平５−２６
５７２７号においては、非磁性基体にＲＦバイアスを印
加しながら作製した薄膜を、後で熱処理することにより
高保磁力化させている。しかしながら、この前者の製法
では熱処理という新たな工程が増えることから工程数の
増加によりコストアップが余儀なくされてしまう。ま
た、熱処理に際しては、５００℃以上という高温熱処理
を必要とするため、これに耐えるように非磁性基体の材
質も限定されてしまう。
−２６５７２７号及び特願平６−１９７３５９号）にお
いて高保磁力媒体の作製法を提案した。特願平５−２６
５７２７号においては、非磁性基体にＲＦバイアスを印
加しながら作製した薄膜を、後で熱処理することにより
高保磁力化させている。しかしながら、この前者の製法
では熱処理という新たな工程が増えることから工程数の
増加によりコストアップが余儀なくされてしまう。ま
た、熱処理に際しては、５００℃以上という高温熱処理
を必要とするため、これに耐えるように非磁性基体の材
質も限定されてしまう。
【０００７】また、後者の特願平６−１９７３５９号に
おいては、スパッタリングガスとしてＮｅガスを用いる
ことにより低基体温度で、例えば１０００ Ｏｅを越え
る高保磁力のＦｅ−ＳｉＯ2 グラニュラー媒体を得てい
る。しかしながら、保磁力が１０００ Ｏｅを越えたと
いえども、現在要求されている高密度磁気記録媒体とし
ては十分なものではない。本発明は、以上のような問題
点に着目し、これを有効に解決すべく創案されたもので
あり、その目的は、塗布型磁気記録媒体と薄膜型磁気記
録媒体の長所を兼ね備え、しかも保磁力も高い磁気記録
媒体及びその製造方法を提供することにある。
おいては、スパッタリングガスとしてＮｅガスを用いる
ことにより低基体温度で、例えば１０００ Ｏｅを越え
る高保磁力のＦｅ−ＳｉＯ2 グラニュラー媒体を得てい
る。しかしながら、保磁力が１０００ Ｏｅを越えたと
いえども、現在要求されている高密度磁気記録媒体とし
ては十分なものではない。本発明は、以上のような問題
点に着目し、これを有効に解決すべく創案されたもので
あり、その目的は、塗布型磁気記録媒体と薄膜型磁気記
録媒体の長所を兼ね備え、しかも保磁力も高い磁気記録
媒体及びその製造方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記問題点を
解決するために、非磁性基体上に、Ｆｅに対して３５ａ
ｔ％以下のＣｏを含む合金磁性微粒子と非磁性部材とか
らなるグラニュラー磁気記録層を設けるように構成した
ものである。
解決するために、非磁性基体上に、Ｆｅに対して３５ａ
ｔ％以下のＣｏを含む合金磁性微粒子と非磁性部材とか
らなるグラニュラー磁気記録層を設けるように構成した
ものである。
【０００９】このような磁気記録媒体は、非磁性部材と
Ｆｅ及びＣｏをターゲットとしてスパッタすることによ
り形成することができる。このスパッタに際しては、非
磁性基体にＲＦバイアスを印加させておき、また、スパ
ッタガスとしてはＡｒガス、或いはＮｅガスを用いる。
これにより、高い保磁力のグラニュラー磁気記録層を得
ることができた。非磁性部材としては、ＳｉＯ2 ，Ａｌ
2 Ｏ3 ，ＢＮまたはＣ（カーボン）を用いることができ
る。
Ｆｅ及びＣｏをターゲットとしてスパッタすることによ
り形成することができる。このスパッタに際しては、非
磁性基体にＲＦバイアスを印加させておき、また、スパ
ッタガスとしてはＡｒガス、或いはＮｅガスを用いる。
これにより、高い保磁力のグラニュラー磁気記録層を得
ることができた。非磁性部材としては、ＳｉＯ2 ，Ａｌ
2 Ｏ3 ，ＢＮまたはＣ（カーボン）を用いることができ
る。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下に、本発明に係る磁気記録媒
体及びその製造方法の一実施例を添付図面を参照して詳
述する。図１は本発明の磁気記録媒体を示す拡大断面
図、図２は図１に示す記録媒体を作製するためのスパッ
タ装置を示す断面図である。
体及びその製造方法の一実施例を添付図面を参照して詳
述する。図１は本発明の磁気記録媒体を示す拡大断面
図、図２は図１に示す記録媒体を作製するためのスパッ
タ装置を示す断面図である。
【００１１】図１に示すようにこの磁気記録媒体１は、
非磁性基体２上にグラニュラー磁気記録層３を形成して
構成されている。この記録層３は硬質なことから、この
表面に保護膜等を何ら設けなくてもよいが、必要に応じ
てこの記録層３の上面に潤滑剤を塗布するようにしても
よい。この非磁性基体２としては、通常の磁気ディスク
に用いられるガラス基板、各種の樹脂基板や通常の磁気
テープに用いられる樹脂性フィルム等を用いることがで
きる。また、上記グラニュラー磁気記録層３は、例えば
ＳｉＯ2 の非磁性部材５を母材として内部にＦｅ（鉄）
とＣｏ（コバルト）の合金よりなる合金磁性微粒子６が
含まれる。この場合、ＦｅとＣｏの組成比は、Ｆｅに対
してＣｏは３５ａｔ％以下であり、Ｃｏはゼロａｔ％で
はなく、僅かでも含んでおればよい。
非磁性基体２上にグラニュラー磁気記録層３を形成して
構成されている。この記録層３は硬質なことから、この
表面に保護膜等を何ら設けなくてもよいが、必要に応じ
てこの記録層３の上面に潤滑剤を塗布するようにしても
よい。この非磁性基体２としては、通常の磁気ディスク
に用いられるガラス基板、各種の樹脂基板や通常の磁気
テープに用いられる樹脂性フィルム等を用いることがで
きる。また、上記グラニュラー磁気記録層３は、例えば
ＳｉＯ2 の非磁性部材５を母材として内部にＦｅ（鉄）
とＣｏ（コバルト）の合金よりなる合金磁性微粒子６が
含まれる。この場合、ＦｅとＣｏの組成比は、Ｆｅに対
してＣｏは３５ａｔ％以下であり、Ｃｏはゼロａｔ％で
はなく、僅かでも含んでおればよい。
【００１２】グラニュラー磁気記録層３中における、合
金磁性微粒子６の大きさは、最大３００Å程度であり、
通常の塗布型記録媒体中の磁性粉の大きさが０．１μｍ
程度であるのに対してそれよりも遥かに小さい。このよ
うな記録層３は後述するようにスパッタリングにより形
成することができる。尚、図１においては理解を容易に
するために微粒子６の直径は誇張して実際よりも大きく
記載されている。
金磁性微粒子６の大きさは、最大３００Å程度であり、
通常の塗布型記録媒体中の磁性粉の大きさが０．１μｍ
程度であるのに対してそれよりも遥かに小さい。このよ
うな記録層３は後述するようにスパッタリングにより形
成することができる。尚、図１においては理解を容易に
するために微粒子６の直径は誇張して実際よりも大きく
記載されている。
【００１３】また、記録層３を形成する母材としての非
磁性部材５は、例えばＳｉＯ2 を用いることができる
が、他にＡｌ2 Ｏ3 （アルミナ）、ＢＮ（ボロンナイト
ライド）、Ｃ（カーボン）等を用いることができる。母
材としてＳｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3，ＢＮを用いる場合に
は、各磁性微粒子６の磁気的孤立化を確立して低変調ノ
イズ化するために記録層３の表面抵抗を１×１０5Ω・
ｃｍ以上となるように設定する。この表面抵抗のコント
ロールはスパッタ時におけるターゲットとなる母材とＦ
ｅ及びＣｏの面積比率を調整すればよい。母材としてカ
ーボンを用いる場合には、カーボン自体の電気的抵抗が
小さいために表面抵抗が１×１０5Ω・ｃｍ以下となっ
てしまうが、この場合にも、ある程度の変調ノイズの低
減化が図れ、問題が生ずることはない。
磁性部材５は、例えばＳｉＯ2 を用いることができる
が、他にＡｌ2 Ｏ3 （アルミナ）、ＢＮ（ボロンナイト
ライド）、Ｃ（カーボン）等を用いることができる。母
材としてＳｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3，ＢＮを用いる場合に
は、各磁性微粒子６の磁気的孤立化を確立して低変調ノ
イズ化するために記録層３の表面抵抗を１×１０5Ω・
ｃｍ以上となるように設定する。この表面抵抗のコント
ロールはスパッタ時におけるターゲットとなる母材とＦ
ｅ及びＣｏの面積比率を調整すればよい。母材としてカ
ーボンを用いる場合には、カーボン自体の電気的抵抗が
小さいために表面抵抗が１×１０5Ω・ｃｍ以下となっ
てしまうが、この場合にも、ある程度の変調ノイズの低
減化が図れ、問題が生ずることはない。
【００１４】また、潤滑剤としては、例えばフッソ系潤
滑剤を用いることができるが、これに限定されるもので
はない。このような磁気記録媒体１は、例えば図２に示
すような２極型のスパッタ装置７を用いて行なう。この
スパッタ装置７について説明すると、８は例えばアルミ
ニウム等により形成された真空処理容器であり、この処
理容器８には図示しない真空排気系が接続されて内部を
真空引き可能としている。この処理容器８は、電気的に
接地されると共に、スパッタガスノズル９からは、スパ
ッタガスとしてＡｒガスやＮｅガスを流量制御しつつ供
給できるようになっている。
滑剤を用いることができるが、これに限定されるもので
はない。このような磁気記録媒体１は、例えば図２に示
すような２極型のスパッタ装置７を用いて行なう。この
スパッタ装置７について説明すると、８は例えばアルミ
ニウム等により形成された真空処理容器であり、この処
理容器８には図示しない真空排気系が接続されて内部を
真空引き可能としている。この処理容器８は、電気的に
接地されると共に、スパッタガスノズル９からは、スパ
ッタガスとしてＡｒガスやＮｅガスを流量制御しつつ供
給できるようになっている。
【００１５】処理容器８内には、容器から電気的に絶縁
された電極１０が設けられ、この電極には例えば直径６
インチのターゲット１１が配置されている。このターゲ
ット１１の材料は、上記グラニュラー磁気記録層３の母
材を構成する非磁性部材、例えばＳｉＯ2 よりなり、こ
の表面に所定の形状、例えば５ｍｍ×５ｍｍ×１ｍｍ程
度の大きさの四角形のＦｅチップ１２とＣｏチップ１３
が適切な枚数比で配置されており、非磁性部材と同時に
スパッタされるようになっている。上記電極１０には、
電気導入端子１４、マッチングボックス１６を介して、
例えば１３．５６ＭＨｚのスパッタ用高周波電源１５が
接続されている。
された電極１０が設けられ、この電極には例えば直径６
インチのターゲット１１が配置されている。このターゲ
ット１１の材料は、上記グラニュラー磁気記録層３の母
材を構成する非磁性部材、例えばＳｉＯ2 よりなり、こ
の表面に所定の形状、例えば５ｍｍ×５ｍｍ×１ｍｍ程
度の大きさの四角形のＦｅチップ１２とＣｏチップ１３
が適切な枚数比で配置されており、非磁性部材と同時に
スパッタされるようになっている。上記電極１０には、
電気導入端子１４、マッチングボックス１６を介して、
例えば１３．５６ＭＨｚのスパッタ用高周波電源１５が
接続されている。
【００１６】また、処理容器８内には、上記ターゲット
１１に対向させて、容器８から電気的に絶縁された対向
電極１７が固定して設けられている。この対向電極１７
は、基板ホルダーを兼ねており、この下面にターゲット
１１と対向させて非磁性基体２を着脱可能に取り付けて
いる。この対向電極１７には、電気導入端子１８、マッ
チングボックス２０を介して、例えば１３．５６ＭＨｚ
のバイアス用高周波電源１９が接続されている。
１１に対向させて、容器８から電気的に絶縁された対向
電極１７が固定して設けられている。この対向電極１７
は、基板ホルダーを兼ねており、この下面にターゲット
１１と対向させて非磁性基体２を着脱可能に取り付けて
いる。この対向電極１７には、電気導入端子１８、マッ
チングボックス２０を介して、例えば１３．５６ＭＨｚ
のバイアス用高周波電源１９が接続されている。
【００１７】さて、このように構成されたスパッタ装置
７を用いて磁気記録媒体１のグラニュラー磁気記録層３
の成膜を行なうには、上述のように対向電極１７に例え
ばソーダガラス基板よりなる非磁性基体２を保持させ、
また、例えばＳｉＯ2 よりなるターゲット１１上にＦｅ
チップ１２、Ｃｏチップ１３を、適当数ずつ配置する。
この場合、成膜により形成される磁気記録層３中の合金
磁性微粒子６のＣｏの含有比ｒがＦｅに対して０＜ｒ≦
３５％の範囲内になるように両者の面積比率或いは個数
を設定する。また、両チップの合計表面積は、ターゲッ
ト１１の表面積、例えば１８２ｃｍ2に対して、例えば
２０％の面積比率となるように設定する。この面積比率
を制御することにより、成膜される磁気記録層３の表面
抵抗をコントロールすることができる。従って、母材と
してカーボンを使用する場合を除き、表面抵抗が１×１
０5Ω・ｃｍ以上となるように上記面積比率を設定すれ
ばよい。
７を用いて磁気記録媒体１のグラニュラー磁気記録層３
の成膜を行なうには、上述のように対向電極１７に例え
ばソーダガラス基板よりなる非磁性基体２を保持させ、
また、例えばＳｉＯ2 よりなるターゲット１１上にＦｅ
チップ１２、Ｃｏチップ１３を、適当数ずつ配置する。
この場合、成膜により形成される磁気記録層３中の合金
磁性微粒子６のＣｏの含有比ｒがＦｅに対して０＜ｒ≦
３５％の範囲内になるように両者の面積比率或いは個数
を設定する。また、両チップの合計表面積は、ターゲッ
ト１１の表面積、例えば１８２ｃｍ2に対して、例えば
２０％の面積比率となるように設定する。この面積比率
を制御することにより、成膜される磁気記録層３の表面
抵抗をコントロールすることができる。従って、母材と
してカーボンを使用する場合を除き、表面抵抗が１×１
０5Ω・ｃｍ以上となるように上記面積比率を設定すれ
ばよい。
【００１８】このように、非磁性基体２やターゲット１
１等のセットが完了したならば、処理容器８内をベース
圧まで真空引きし、その後、スパッタガス、例えばＮｅ
ガスを供給しつつスパッタリングによる成膜処理を行な
う。スパッタ条件は、Ｎｅガス圧を１Ｐａ、基体加熱温
度を３００℃、ターゲット−基体間距離を５０ｍｍ、ス
パッタリング電力を３００Ｗ、ＲＦバイアス電力を８０
Ｗ／１８２ｃｍ2とし、これにより例えば厚さ約１００
０ÅのＦｅＣｏ−ＳｉＯ2 グラニュラー磁気記録層３を
得ることができる。このようにして得られた磁気記録層
３は、１５００ Ｏｅ以上の高い保磁力を示しており、
高密度磁気記録媒体として最適な値を有している。しか
も、塗布型磁気記録媒体と薄膜磁気記録媒体の長所を兼
ね備えているために、低変調ノイズで耐久性にも優れて
いる。スパッタガスとしては、ＡｒガスやＮｅガスを用
いることができるが、他の不活性ガス、例えば窒素ガ
ス、ＨＥガス、Ｘｅガスでは十分な保磁力を得ることが
できない。また、スパッタ時に、非磁性基体にＲＦバイ
アスを印加しない場合にも、十分な保磁力を得ることが
できない。
１等のセットが完了したならば、処理容器８内をベース
圧まで真空引きし、その後、スパッタガス、例えばＮｅ
ガスを供給しつつスパッタリングによる成膜処理を行な
う。スパッタ条件は、Ｎｅガス圧を１Ｐａ、基体加熱温
度を３００℃、ターゲット−基体間距離を５０ｍｍ、ス
パッタリング電力を３００Ｗ、ＲＦバイアス電力を８０
Ｗ／１８２ｃｍ2とし、これにより例えば厚さ約１００
０ÅのＦｅＣｏ−ＳｉＯ2 グラニュラー磁気記録層３を
得ることができる。このようにして得られた磁気記録層
３は、１５００ Ｏｅ以上の高い保磁力を示しており、
高密度磁気記録媒体として最適な値を有している。しか
も、塗布型磁気記録媒体と薄膜磁気記録媒体の長所を兼
ね備えているために、低変調ノイズで耐久性にも優れて
いる。スパッタガスとしては、ＡｒガスやＮｅガスを用
いることができるが、他の不活性ガス、例えば窒素ガ
ス、ＨＥガス、Ｘｅガスでは十分な保磁力を得ることが
できない。また、スパッタ時に、非磁性基体にＲＦバイ
アスを印加しない場合にも、十分な保磁力を得ることが
できない。
【００１９】次に、本発明の実施例と比較例について検
討を行なう。 〈実施例１〉非磁性基体２として直径３．５インチのソ
ーダガラス基板を使用し、ターゲット１１として６イン
チのＳｉＯ2 基板を用いた。このＳｉＯ2 基板の表面に
Ｆｅチップ１２とＣｏチップ１３を、Ｆｅに対するＣｏ
の含有比が２１ａｔ％になるように両者の数を調整して
配置した。各チップの大きさは、５ｍｍ×５ｍｍ×１ｍ
ｍとした。また、ＸＰＳ（Ｘ−ｒａｙ Ｐｈｏｔｏｃｈ
ｅｍｉｃａｌ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）を用いた定
量分析の結果、（Ｆｅ−Ｃｏ）：ＳｉＯ2 の比が１：１
となるようにチップのトータル数を調整した。成膜に
は、ＲＦ２極スパッタリング装置を用い、その時の、成
膜条件は以下の通りである。 ・Ｎｅガス圧 １Ｐａ ・基体加熱温度 ３００℃ ・スパッタリング電力 ３００Ｗ ・ＲＦバイアス電力 ８０Ｗ／４９０ｃｍ2 この成膜条件により、膜厚１０００ÅのＦｅＣｏ２１ａ
ｔ％−ＳｉＯ2 グラニュラー磁気記録層３を形成した。
この記録層３の保磁力は２１７０ Ｏｅであった。
討を行なう。 〈実施例１〉非磁性基体２として直径３．５インチのソ
ーダガラス基板を使用し、ターゲット１１として６イン
チのＳｉＯ2 基板を用いた。このＳｉＯ2 基板の表面に
Ｆｅチップ１２とＣｏチップ１３を、Ｆｅに対するＣｏ
の含有比が２１ａｔ％になるように両者の数を調整して
配置した。各チップの大きさは、５ｍｍ×５ｍｍ×１ｍ
ｍとした。また、ＸＰＳ（Ｘ−ｒａｙ Ｐｈｏｔｏｃｈ
ｅｍｉｃａｌ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）を用いた定
量分析の結果、（Ｆｅ−Ｃｏ）：ＳｉＯ2 の比が１：１
となるようにチップのトータル数を調整した。成膜に
は、ＲＦ２極スパッタリング装置を用い、その時の、成
膜条件は以下の通りである。 ・Ｎｅガス圧 １Ｐａ ・基体加熱温度 ３００℃ ・スパッタリング電力 ３００Ｗ ・ＲＦバイアス電力 ８０Ｗ／４９０ｃｍ2 この成膜条件により、膜厚１０００ÅのＦｅＣｏ２１ａ
ｔ％−ＳｉＯ2 グラニュラー磁気記録層３を形成した。
この記録層３の保磁力は２１７０ Ｏｅであった。
【００２０】＜実施例２＞スパッタガスとしてＮｅガス
に代えてＡｒガスを用い、その圧力を５Ｐａとした点を
除き、実施例１と同一条件で成膜を行なった。得られた
ＦｅＣｏ２１ａｔ％−ＳｉＯ2 グラニュラー磁気記録層
３の保磁力は１７７０ Ｏｅであった。 ＜実施例３＞Ｆｅチップ及びＣｏチップの数を変化させ
て調整し、Ｆｅに対するＣｏの含有比が１０ａｔ％とな
るようにした。他は実施例１と同一条件として成膜を行
なった。得られたＦｅＣｏ１０ａｔ％−ＳｉＯ2 グラニ
ュラー磁気記録層３の保磁力は１５３０ Ｏｅであっ
た。
に代えてＡｒガスを用い、その圧力を５Ｐａとした点を
除き、実施例１と同一条件で成膜を行なった。得られた
ＦｅＣｏ２１ａｔ％−ＳｉＯ2 グラニュラー磁気記録層
３の保磁力は１７７０ Ｏｅであった。 ＜実施例３＞Ｆｅチップ及びＣｏチップの数を変化させ
て調整し、Ｆｅに対するＣｏの含有比が１０ａｔ％とな
るようにした。他は実施例１と同一条件として成膜を行
なった。得られたＦｅＣｏ１０ａｔ％−ＳｉＯ2 グラニ
ュラー磁気記録層３の保磁力は１５３０ Ｏｅであっ
た。
【００２１】＜比較例１＞Ｃｏチップは用いずにＦｅチ
ップのみを用い、Ｆｅ：ＳｉＯ2 の比が１：１となるよ
うにチップ数を調整した点を除き、実施例１と同一条件
で成膜を行なった。得られたＦｅ−ＳｉＯ2 グラニュラ
ー磁気記録層３の保磁力は１１１０ Ｏｅであった。 ＜比較例２＞Ｆｅチップ及びＣｏチップの数を変化させ
て調整し、Ｆｅに対するＣｏの含有比が３６ａｔ％とな
るようにした。他は実施例１と同一条件として成膜を行
なった。得られたＦｅＣｏ３６ａｔ％−ＳｉＯ2 グラニ
ュラー磁気記録層３の保磁力は１１１０ Ｏｅであっ
た。
ップのみを用い、Ｆｅ：ＳｉＯ2 の比が１：１となるよ
うにチップ数を調整した点を除き、実施例１と同一条件
で成膜を行なった。得られたＦｅ−ＳｉＯ2 グラニュラ
ー磁気記録層３の保磁力は１１１０ Ｏｅであった。 ＜比較例２＞Ｆｅチップ及びＣｏチップの数を変化させ
て調整し、Ｆｅに対するＣｏの含有比が３６ａｔ％とな
るようにした。他は実施例１と同一条件として成膜を行
なった。得られたＦｅＣｏ３６ａｔ％−ＳｉＯ2 グラニ
ュラー磁気記録層３の保磁力は１１１０ Ｏｅであっ
た。
【００２２】＜比較例３＞Ｆｅチップ及びＣｏチップの
数を変化させて調整し、Ｆｅに対するＣｏの含有比が３
６ａｔ％となるようにした。他は実施例１と同一条件と
して成膜を行なった。得られたＦｅＣｏ６１ａｔ％−Ｓ
ｉＯ2 グラニュラー磁気記録層３の保磁力は２３０ Ｏ
ｅであった。
数を変化させて調整し、Ｆｅに対するＣｏの含有比が３
６ａｔ％となるようにした。他は実施例１と同一条件と
して成膜を行なった。得られたＦｅＣｏ６１ａｔ％−Ｓ
ｉＯ2 グラニュラー磁気記録層３の保磁力は２３０ Ｏ
ｅであった。
【００２３】＜比較例４＞Ｃｏチップは用いずにＦｅチ
ップのみを用い、Ｆｅ−ＳｉＯ2 の比が１：１となるよ
うにチップ数を調整した点を除き、実施例２と同一条件
で成膜を行なった。得られたＦｅ−ＳｉＯ2 グラニュラ
ー磁気記録層３の保磁力は８１０ Ｏｅであった。上記
実施例１〜３及び比較例１〜４をまとめると表１のよう
になる。
ップのみを用い、Ｆｅ−ＳｉＯ2 の比が１：１となるよ
うにチップ数を調整した点を除き、実施例２と同一条件
で成膜を行なった。得られたＦｅ−ＳｉＯ2 グラニュラ
ー磁気記録層３の保磁力は８１０ Ｏｅであった。上記
実施例１〜３及び比較例１〜４をまとめると表１のよう
になる。
【００２４】
【表１】
【００２５】また、スパッタガスとしてＮｅガスを用い
た実施例１、３、比較例１〜３の保磁力の結果をまとめ
たものが図３のグラフである。グラフには保磁力の限界
値が略１２００ Ｏｅ程度として示されており、表１及
びグラフから明らかなようにＦｅに対するＣｏの含有比
ｒが０＜ｒ≦３５ａｔ％の範囲内で良好な保磁力を示し
ていることが判明した。特に、Ｃｏの含有比を２１ａｔ
％程度に設定することにより、最も高い保磁力を得るこ
とができた（実施例１）。スパッタガスとしては、Ｎｅ
ガスでもＡｒガスでもどちらでも使用できることが判明
した。
た実施例１、３、比較例１〜３の保磁力の結果をまとめ
たものが図３のグラフである。グラフには保磁力の限界
値が略１２００ Ｏｅ程度として示されており、表１及
びグラフから明らかなようにＦｅに対するＣｏの含有比
ｒが０＜ｒ≦３５ａｔ％の範囲内で良好な保磁力を示し
ていることが判明した。特に、Ｃｏの含有比を２１ａｔ
％程度に設定することにより、最も高い保磁力を得るこ
とができた（実施例１）。スパッタガスとしては、Ｎｅ
ガスでもＡｒガスでもどちらでも使用できることが判明
した。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように本発明の磁気記録媒
体及びその製造方法によれば次のように優れた作用効果
を発揮することができる。スパッタ法により、Ｆｅに対
するＣｏの含有比が３５ａｔ％以下となるようにＣｏＦ
ｅのグラニュラー磁気記録層を形成するようにしたの
で、低変調ノイズで耐久性が高く、しかも高い保磁力の
磁気記録媒体を得ることができる。また、グラニュラー
磁気記録媒体の耐久性も高いことから、保護膜も不要と
することができる。
体及びその製造方法によれば次のように優れた作用効果
を発揮することができる。スパッタ法により、Ｆｅに対
するＣｏの含有比が３５ａｔ％以下となるようにＣｏＦ
ｅのグラニュラー磁気記録層を形成するようにしたの
で、低変調ノイズで耐久性が高く、しかも高い保磁力の
磁気記録媒体を得ることができる。また、グラニュラー
磁気記録媒体の耐久性も高いことから、保護膜も不要と
することができる。
【図１】本発明の磁気記録媒体を示す拡大断面図であ
る。
る。
【図２】図１に示す記録媒体を作製するためのスパッタ
装置を示す断面図である。
装置を示す断面図である。
【図３】Ｃｏ含有比と保磁力との関係を示すグラフであ
る。
る。
１…磁気記録媒体、２…非磁性基体、３…グラニュラー
磁気記録層、５…非磁性部材、６…合金磁性微粒子。
磁気記録層、５…非磁性部材、６…合金磁性微粒子。
Claims (5)
- 【請求項１】 非磁性基体上に、Ｆｅに対して３５ａｔ
％以下のＣｏを含む合金磁性微粒子と非磁性部材とから
なるグラニュラー磁気記録層を設けてなる磁気記録媒
体。 - 【請求項２】 前記非磁性部材は、ＳｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ
3 ，ＢＮ，Ｃよりなる群より選択される１または２以上
の材料よりなることを特徴とする請求項１記載の磁気記
録媒体。 - 【請求項３】 非磁性基体上に、磁気記録層を形成して
なる磁気記録媒体の製造方法において、前記非磁性基体
上に、非磁性材料とＦｅ及びＣｏをターゲットとしてス
パッタ法によりＦｅに対して３５ａｔ％以下のＣｏを含
む合金磁性微粒子と非磁性部材とからなるグラニュラー
磁気記録層を形成するように構成したとを特徴とする磁
気記録媒体の製造方法。 - 【請求項４】 前記非磁性部材は、ＳｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ
3 ，ＢＮ，Ｃよりなる群より選択される１または２以上
の材料よりなることを特徴とする請求項３記載の磁気記
録媒体の製造方法。 - 【請求項５】 前記スパッタを行なうに際して、スパッ
タリングガスとしてＮｅガスとＡｒガスのいずれか一方
を用いるように構成したことを特徴とする請求項３また
は４記載の磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21966895A JPH0950618A (ja) | 1995-08-04 | 1995-08-04 | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21966895A JPH0950618A (ja) | 1995-08-04 | 1995-08-04 | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0950618A true JPH0950618A (ja) | 1997-02-18 |
Family
ID=16739112
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21966895A Pending JPH0950618A (ja) | 1995-08-04 | 1995-08-04 | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0950618A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002058086A1 (en) * | 2001-01-18 | 2002-07-25 | Taiyo Yuden Co. Ltd. | Granular thin magnetic film and method of manufacturing the film, laminated magnetic film, magnetic part, and electronic device |
| WO2014065201A1 (ja) * | 2012-10-23 | 2014-05-01 | Jx日鉱日石金属株式会社 | Ｆｅ－Ｐｔ系焼結体スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
-
1995
- 1995-08-04 JP JP21966895A patent/JPH0950618A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002058086A1 (en) * | 2001-01-18 | 2002-07-25 | Taiyo Yuden Co. Ltd. | Granular thin magnetic film and method of manufacturing the film, laminated magnetic film, magnetic part, and electronic device |
| US7060374B2 (en) | 2001-01-18 | 2006-06-13 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Granular magnetic thin film and method for making the same, multilayered magnetic film, magnetic components and electronic equipment |
| US7498088B2 (en) | 2001-01-18 | 2009-03-03 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Granular magnetic thin film and method for making the same, multilayered magnetic film, magnetic components and electronic equipment |
| WO2014065201A1 (ja) * | 2012-10-23 | 2014-05-01 | Jx日鉱日石金属株式会社 | Ｆｅ－Ｐｔ系焼結体スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
| JP5913620B2 (ja) * | 2012-10-23 | 2016-04-27 | Ｊｘ金属株式会社 | Ｆｅ−Ｐｔ系焼結体スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
| TWI616548B (zh) * | 2012-10-23 | 2018-03-01 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | Ｆｅ－Ｐｔ系燒結體濺鍍靶及其製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0363919A (ja) | 磁気薄膜記録媒体及びその製法 | |
| TW200407450A (en) | Fabrication of nanocomposite thin films for high density magnetic recording media | |
| JPS6134723A (ja) | 磁気記録媒体及びその製造法 | |
| US5989673A (en) | Caromium-tantalum oxides (Cr-TaOx), sputtering targets and thin film seedlayer/sublayers for thin film magnetic recording media | |
| JPH0950618A (ja) | 磁気記録媒体及びその製造方法 | |
| JP4253515B2 (ja) | カーボン保護膜の製造方法、磁気記録媒体の製造方法及び磁気ヘッドの製造方法、並びに成膜装置 | |
| JP3954702B2 (ja) | 磁気記録媒体 | |
| US6746786B2 (en) | Magnetic recording medium and process for producing the same | |
| JP2003281707A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| US5411813A (en) | Ferhgasi soft magnetic materials for inductive magnetic heads | |
| JPH0798835A (ja) | 磁気記録媒体及びその製造方法 | |
| JPS6098611A (ja) | 熱磁気記録材料の製造方法 | |
| JP3765398B2 (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JP2996100B2 (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPH10241935A (ja) | 磁気記録媒体およびその製造方法 | |
| JP2613294B2 (ja) | 薄膜形成方法 | |
| JP2001250216A (ja) | 磁気記録媒体及びその製造法 | |
| JP2001176045A (ja) | 磁気記録媒体及びその製造法 | |
| JPH04134719A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPH05174356A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPH1092640A (ja) | 超高密度磁気記録媒体および製法 | |
| JPS5820732A (ja) | 酸化物磁性薄膜の製造方法 | |
| JPH05159290A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPS62241125A (ja) | 磁気記録媒体とその製造方法 | |
| JPS6126131B2 (ja) |