JPH05174356A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPH05174356A JPH05174356A JP35575791A JP35575791A JPH05174356A JP H05174356 A JPH05174356 A JP H05174356A JP 35575791 A JP35575791 A JP 35575791A JP 35575791 A JP35575791 A JP 35575791A JP H05174356 A JPH05174356 A JP H05174356A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- substrate
- recording medium
- coercive force
- magnetic recording
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
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- Thin Magnetic Films (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 非磁性基板上にCr膜を介して磁性金属膜を形
成してなる磁気記録媒体において、前記磁性金属膜が
（Cox Niy Crz )1-aSma で表され、かつ０＜ａ≦０．
２、０．５≦ｘ＜１．０、０＜ｚ≦０．２、ｘ＋ｙ＋ｚ
＝１の原子％の組成比をもつことを特徴とする磁気記録
媒体。 【効果】 低基板温度、無基板バイアス、基板のテクス
チャー処理無しで、更にはCr膜の膜厚が小さい場合で
も、高い保磁力が得られる。
成してなる磁気記録媒体において、前記磁性金属膜が
（Cox Niy Crz )1-aSma で表され、かつ０＜ａ≦０．
２、０．５≦ｘ＜１．０、０＜ｚ≦０．２、ｘ＋ｙ＋ｚ
＝１の原子％の組成比をもつことを特徴とする磁気記録
媒体。 【効果】 低基板温度、無基板バイアス、基板のテクス
チャー処理無しで、更にはCr膜の膜厚が小さい場合で
も、高い保磁力が得られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、面内記録型の磁気記録
媒体に関する。更に詳しくは、カード、テープ、または
ハードディスクなどのディスク形状で使用される磁気記
録媒体に関する。
媒体に関する。更に詳しくは、カード、テープ、または
ハードディスクなどのディスク形状で使用される磁気記
録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、高密度記録を行うために金属
薄膜型磁気記録媒体が注目され、検討されている。この
中で非磁性基板上にスパッタ法や蒸着法でCr膜を介して
形成されたCo−Ni−Cr膜は、面内方向で高い保磁力を示
し、面内記録型のハードディスク媒体等に応用されてい
る。特に、ハードディスク媒体では高密度記録化のため
に再生出力やノズル信号比Ｃ／Ｎの向上、磁性層の薄層
化が検討されている。再生出力やＣ／Ｎは面内方向の保
磁力に強く依存し、保磁力が大きいほど大きな再生出
力、良好なＣ／Ｎが得られるので、より高保磁力化に向
けて媒体の開発が行われている。
薄膜型磁気記録媒体が注目され、検討されている。この
中で非磁性基板上にスパッタ法や蒸着法でCr膜を介して
形成されたCo−Ni−Cr膜は、面内方向で高い保磁力を示
し、面内記録型のハードディスク媒体等に応用されてい
る。特に、ハードディスク媒体では高密度記録化のため
に再生出力やノズル信号比Ｃ／Ｎの向上、磁性層の薄層
化が検討されている。再生出力やＣ／Ｎは面内方向の保
磁力に強く依存し、保磁力が大きいほど大きな再生出
力、良好なＣ／Ｎが得られるので、より高保磁力化に向
けて媒体の開発が行われている。
【０００３】現在は、Al基板やガラス基板上にスパッタ
法や蒸着法でCr膜を介して形成されたCo−Ni−Cr膜で、
Co−Ni−Cr膜厚４００〜５００Åで検討されていて、こ
の場合面内方向の保磁力１２００〜１５００ Oe が得ら
れている（特開昭６１−２１７９２５）。
法や蒸着法でCr膜を介して形成されたCo−Ni−Cr膜で、
Co−Ni−Cr膜厚４００〜５００Åで検討されていて、こ
の場合面内方向の保磁力１２００〜１５００ Oe が得ら
れている（特開昭６１−２１７９２５）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし乍ら、以上のよ
うな従来の金属薄膜型磁気記録媒体においては、面内方
向での高い保磁力１２００〜１５００ Oe を得るため
に、媒体作製時に基板温度を２００℃以上、しばしば２
５０℃以上に加熱すること、作製時に基板バイアスを印
加すること、Al基板の表面をテクスチャー処理するこ
と、Cr膜の膜厚を３０００〜６０００Åと大きくするこ
と等が必要であり、これらが製造工程を複雑にし製造コ
ストを増大させている。本発明は、かかる実情に鑑み上
記問題点を解決した磁気記録媒体を提供しようとするも
のである。
うな従来の金属薄膜型磁気記録媒体においては、面内方
向での高い保磁力１２００〜１５００ Oe を得るため
に、媒体作製時に基板温度を２００℃以上、しばしば２
５０℃以上に加熱すること、作製時に基板バイアスを印
加すること、Al基板の表面をテクスチャー処理するこ
と、Cr膜の膜厚を３０００〜６０００Åと大きくするこ
と等が必要であり、これらが製造工程を複雑にし製造コ
ストを増大させている。本発明は、かかる実情に鑑み上
記問題点を解決した磁気記録媒体を提供しようとするも
のである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、非磁性基板上
にCr膜を介して作製されたCo−Ni−Cr磁性膜に、Sm元素
を添加して（Cox Niy Crz )1-aSma で表される式におい
て、組成比を０＜ａ≦０．２、０．５≦ｘ＜１．０、０
＜ｚ≦０．２、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１とすることにより、低基
板温度、無基板バイアス、基板のテクスチャー処理無し
で、かつCr膜の膜厚が小さい場合でも高い保磁力を得る
ものである。
にCr膜を介して作製されたCo−Ni−Cr磁性膜に、Sm元素
を添加して（Cox Niy Crz )1-aSma で表される式におい
て、組成比を０＜ａ≦０．２、０．５≦ｘ＜１．０、０
＜ｚ≦０．２、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１とすることにより、低基
板温度、無基板バイアス、基板のテクスチャー処理無し
で、かつCr膜の膜厚が小さい場合でも高い保磁力を得る
ものである。
【０００６】本発明に使用される非磁性基板としては、
アルミニウム、ステンレス等の金属板、ガラス板、ポリ
イミド、ポリエステル等の有機高分子の板等が使用され
る。
アルミニウム、ステンレス等の金属板、ガラス板、ポリ
イミド、ポリエステル等の有機高分子の板等が使用され
る。
【０００７】本発明の磁気記録媒体を作製するにあたっ
て重要な点は、Smの添加量とCO、Ni、Crの組成である。
図１に（Co0.63 Ni0.3 Cr0.07)1-a Sma の場合における
保磁力とSm添加量との関係を示す。保磁力はSm添加量に
依存し、Smの添加量が０％より大きく２０％以下の範囲
で１２００ Oe 以上の大きな保磁力が得られていること
がわかる。Sm添加量がこの範囲外では、保磁力が小さく
なる。従って、大きな保磁力が得られるためにはSm添加
量が０＜ａ≦０．２の範囲であることが必要である。ま
た、Cox Niy Crz では、０．５≦ｘ＜１．０、０＜ｚ≦
０．２、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１の範囲の組成で大きな保磁力が
得られるが、ｘ＜０．５、ｘ＝１の場合やｚ＝０の場合
では保磁力が小さくなる。またｚが０．２よりも大きく
なると飽和磁化が小さくなる。
て重要な点は、Smの添加量とCO、Ni、Crの組成である。
図１に（Co0.63 Ni0.3 Cr0.07)1-a Sma の場合における
保磁力とSm添加量との関係を示す。保磁力はSm添加量に
依存し、Smの添加量が０％より大きく２０％以下の範囲
で１２００ Oe 以上の大きな保磁力が得られていること
がわかる。Sm添加量がこの範囲外では、保磁力が小さく
なる。従って、大きな保磁力が得られるためにはSm添加
量が０＜ａ≦０．２の範囲であることが必要である。ま
た、Cox Niy Crz では、０．５≦ｘ＜１．０、０＜ｚ≦
０．２、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１の範囲の組成で大きな保磁力が
得られるが、ｘ＜０．５、ｘ＝１の場合やｚ＝０の場合
では保磁力が小さくなる。またｚが０．２よりも大きく
なると飽和磁化が小さくなる。
【０００８】
【実施例】以下、実施例に基づいて本発明を更に具体的
に説明するが、本発明はこれらにより何ら制限されるも
のではない。
に説明するが、本発明はこれらにより何ら制限されるも
のではない。
【０００９】実施例１〜５ 媒体の作製は、高周波マグネトロンスパッタリング法で
行った。装置は直径６インチのターゲットが装着できる
スパッタ機を用い、Crターゲット、Co−Ni−Crターゲッ
トを装着した。Sm添加は１cm2 角のSmチップをCo−Ni−
Crターゲット上に置くことにより行い、添加量はSmチッ
プ数で制御した。基板としては厚さ３０μｍのポリイミ
ドフィルムと厚さ１mmのAl板を用いた。Cr下地層は、基
板温度１５０℃、アルゴンガス圧１５mTorr 、スパッタ
パワー３００Ｗで作製し、膜厚は１０００Åとした。次
に、真空を破ることなくCo−Ni−Cr膜をスパッタした。
条件は、基板温度１５０℃、アルゴンガス圧１．２mTor
r 、スパッタパワー２６０Ｗ、膜厚は５００Åとした。
膜の磁気特性は、試料振動型磁力計で、膜厚は触針式表
面粗さ計で、膜の組成は電子線マイクロアナライザでそ
れぞれ分析した。結果を図１及び表１に示す。ポリイミ
ドフィルム、Al板と２種類の基板を用い、Sm添加量を６
〜２０％の範囲で変化させているが、いずれの媒体も１
２００〜１５５０ Oe の大きな保磁力を有していること
がわかる。
行った。装置は直径６インチのターゲットが装着できる
スパッタ機を用い、Crターゲット、Co−Ni−Crターゲッ
トを装着した。Sm添加は１cm2 角のSmチップをCo−Ni−
Crターゲット上に置くことにより行い、添加量はSmチッ
プ数で制御した。基板としては厚さ３０μｍのポリイミ
ドフィルムと厚さ１mmのAl板を用いた。Cr下地層は、基
板温度１５０℃、アルゴンガス圧１５mTorr 、スパッタ
パワー３００Ｗで作製し、膜厚は１０００Åとした。次
に、真空を破ることなくCo−Ni−Cr膜をスパッタした。
条件は、基板温度１５０℃、アルゴンガス圧１．２mTor
r 、スパッタパワー２６０Ｗ、膜厚は５００Åとした。
膜の磁気特性は、試料振動型磁力計で、膜厚は触針式表
面粗さ計で、膜の組成は電子線マイクロアナライザでそ
れぞれ分析した。結果を図１及び表１に示す。ポリイミ
ドフィルム、Al板と２種類の基板を用い、Sm添加量を６
〜２０％の範囲で変化させているが、いずれの媒体も１
２００〜１５５０ Oe の大きな保磁力を有していること
がわかる。
【００１０】比較例１〜５ Sm添加量を変えた以外は実施例１〜５と同様な方法で媒
体を作製した。結果を表１に示す。Smが無添加の場合ま
たはSm組成が２０重量％より大きくなる場合は、いずれ
も保磁力が小さいことがわかる。
体を作製した。結果を表１に示す。Smが無添加の場合ま
たはSm組成が２０重量％より大きくなる場合は、いずれ
も保磁力が小さいことがわかる。
【００１１】実施例６ 基板温度を変化させた以外は実施例１〜５と同様な方法
で媒体を作製した。結果を表１に示す。基板温度が１０
０℃と低くても比較的大きな保磁力が得られていること
がわかる。
で媒体を作製した。結果を表１に示す。基板温度が１０
０℃と低くても比較的大きな保磁力が得られていること
がわかる。
【００１２】実施例７〜１０ Co、Ni、Cr、Smの組成をそれぞれ変化させた。組成変化
はCo−Ni−Crターゲット上に１cm2 サイズのチップを置
くことにより行い、チップ数を変えることで組成を変化
させた。以上の他は実施例１〜５と同様な方法で媒体を
作製した。結果を表１に示す。各組成が（Cox Niy C
rz )1-aSma で表される式において、０＜ａ≦０．２、
０．５≦ｘ＜１．０、０＜ｚ≦０．２、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１
の範囲内にある膜は大きな保磁力が得られることがわか
る。
はCo−Ni−Crターゲット上に１cm2 サイズのチップを置
くことにより行い、チップ数を変えることで組成を変化
させた。以上の他は実施例１〜５と同様な方法で媒体を
作製した。結果を表１に示す。各組成が（Cox Niy C
rz )1-aSma で表される式において、０＜ａ≦０．２、
０．５≦ｘ＜１．０、０＜ｚ≦０．２、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１
の範囲内にある膜は大きな保磁力が得られることがわか
る。
【００１３】比較例６〜１０ 実施例７〜１０と同様にCo、Ni、Cr、Smの組成をそれぞ
れ変化させた。Ni、Crの組成が零またはCrの組成が零の
場合は直径６インチのCoターゲットを使用し、実施例７
〜１０と同様に各組成のチップで組成をコントロールし
た。以上の他は実施例１〜５と同様な方法で媒体を作製
した。結果を表１に示す。各組成が（Cox Niy Crz )1-a
Sma で表される式において、０＜ａ≦０．２、０．５≦
ｘ＜１．０、０＜ｚ≦０．２、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１の範囲か
らはずれると保磁力が著しく低下することがわかる。ま
た、ｚが０．２より大きい比較例１０は、Msが低かっ
た。
れ変化させた。Ni、Crの組成が零またはCrの組成が零の
場合は直径６インチのCoターゲットを使用し、実施例７
〜１０と同様に各組成のチップで組成をコントロールし
た。以上の他は実施例１〜５と同様な方法で媒体を作製
した。結果を表１に示す。各組成が（Cox Niy Crz )1-a
Sma で表される式において、０＜ａ≦０．２、０．５≦
ｘ＜１．０、０＜ｚ≦０．２、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１の範囲か
らはずれると保磁力が著しく低下することがわかる。ま
た、ｚが０．２より大きい比較例１０は、Msが低かっ
た。
【００１４】
【表１】
【００１５】
【発明の効果】本発明は、非磁性基板上にCr膜を介して
磁性金属膜を形成してなるCo−Ni−Cr系磁気記録媒体に
おいて、Sm元素を添加し、その組成を（Cox Niy Crz )
1-aSma において、０＜ａ≦０．２、０．５≦ｘ＜１．
０、０＜ｚ≦０．２、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１の原子％の範囲内
で構成することにより、低基板温度、無基板バイアス、
基板のテクスチャー処理無しで、かつCr膜の膜厚が小さ
い場合でも高い保磁力を得ることができる。
磁性金属膜を形成してなるCo−Ni−Cr系磁気記録媒体に
おいて、Sm元素を添加し、その組成を（Cox Niy Crz )
1-aSma において、０＜ａ≦０．２、０．５≦ｘ＜１．
０、０＜ｚ≦０．２、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１の原子％の範囲内
で構成することにより、低基板温度、無基板バイアス、
基板のテクスチャー処理無しで、かつCr膜の膜厚が小さ
い場合でも高い保磁力を得ることができる。
【図１】基板温度１５０℃、Cr膜厚１０００Å、組成が
（Co0.63 Ni0.30 Cr0.07)1-a−Sma で膜厚が５００Åの
場合の面内方向の保磁力とSm添加量との関係を示す。
（Co0.63 Ni0.30 Cr0.07)1-a−Sma で膜厚が５００Åの
場合の面内方向の保磁力とSm添加量との関係を示す。
Claims (1)
- 【請求項１】 非磁性基板上にCr膜を介して磁性金属膜
を形成してなる磁気記録媒体において、前記磁性金属膜
が（Cox Niy Crz )1-aSma で表され、かつ０＜ａ≦０．
２、０．５≦ｘ＜１．０、０＜ｚ≦０．２、ｘ＋ｙ＋ｚ
＝１の原子％の組成比をもつことを特徴とする磁気記録
媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35575791A JPH05174356A (ja) | 1991-12-20 | 1991-12-20 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35575791A JPH05174356A (ja) | 1991-12-20 | 1991-12-20 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05174356A true JPH05174356A (ja) | 1993-07-13 |
Family
ID=18445602
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35575791A Withdrawn JPH05174356A (ja) | 1991-12-20 | 1991-12-20 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05174356A (ja) |
-
1991
- 1991-12-20 JP JP35575791A patent/JPH05174356A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990311 |