JP2836779B2 - コバルト系磁性合金及び磁気記録用磁性合金薄膜材料 - Google Patents
コバルト系磁性合金及び磁気記録用磁性合金薄膜材料Info
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- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高密度磁気記録用
のハードディスクなどに使用される新規な組成を有する
コバルト（Ｃｏ）系の磁性合金及びその薄膜材料に関す
る。より詳しくは、本発明はコバルト系の合金に、リン
（Ｐ）を添加したＣｏ−Ｃｒ−Ｐ−Ｐｔ又はＣｏ−Ｃｒ
−Ｐ−Ｎｉ合金及びその薄膜材料に関するものであり、
これらは高密度の磁気記録に有利な特性である高い保磁
力と角形比を有する。
のハードディスクなどに使用される新規な組成を有する
コバルト（Ｃｏ）系の磁性合金及びその薄膜材料に関す
る。より詳しくは、本発明はコバルト系の合金に、リン
（Ｐ）を添加したＣｏ−Ｃｒ−Ｐ−Ｐｔ又はＣｏ−Ｃｒ
−Ｐ−Ｎｉ合金及びその薄膜材料に関するものであり、
これらは高密度の磁気記録に有利な特性である高い保磁
力と角形比を有する。
【０００２】
【従来の技術】最近、コンピュータのハードディスクや
ＶＴＲなどの磁気記録及び再生装置分野において、記録
信号の高密度化が推進されている。記録信号の密度を高
めるためには、記録媒体の高保磁力化と同時に超薄膜化
が要求され、また信号対雑音比を高める方策も推進され
ている。既存の磁気記録用薄膜材料としては、コバルト
系の合金が最も多く使用されているが、ハードディスク
用磁性薄膜材料としては、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ系合金が現
在最も多く使われている。
ＶＴＲなどの磁気記録及び再生装置分野において、記録
信号の高密度化が推進されている。記録信号の密度を高
めるためには、記録媒体の高保磁力化と同時に超薄膜化
が要求され、また信号対雑音比を高める方策も推進され
ている。既存の磁気記録用薄膜材料としては、コバルト
系の合金が最も多く使用されているが、ハードディスク
用磁性薄膜材料としては、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ系合金が現
在最も多く使われている。
【０００３】この薄膜の保磁力を増加させる方法として
は、基板の温度を２００℃以上に加熱した後、スパッタ
リング(sputtering)又は蒸着によって薄膜を形成させる
方法と、スパッタリング又は蒸着の際、基板にバイアス
(bias)電圧を加える方法などがある。しかし、上記組成
の合金薄膜により得られる保磁力は、基板を加熱した場
合に１，６００Oeであり、基板を加熱してバイアス電圧
を加えた場合においても最大１，８００Oe程度に過ぎな
い。かかる薄膜の保磁力の向上方法は、次のような問題
点を有している。まず、前記基板の加熱方法で、Ａｌ基
板を使用した場合、加熱により基板が曲がったり、鍍金
された非晶質のＮｉ−Ｐ層が結晶化する恐れがあるた
め、温度を上げるにも限界があり、また、基板バイアス
方式を適用するためには基板が電気伝導体である必要が
あり、基板の選択が自由ではない。
は、基板の温度を２００℃以上に加熱した後、スパッタ
リング(sputtering)又は蒸着によって薄膜を形成させる
方法と、スパッタリング又は蒸着の際、基板にバイアス
(bias)電圧を加える方法などがある。しかし、上記組成
の合金薄膜により得られる保磁力は、基板を加熱した場
合に１，６００Oeであり、基板を加熱してバイアス電圧
を加えた場合においても最大１，８００Oe程度に過ぎな
い。かかる薄膜の保磁力の向上方法は、次のような問題
点を有している。まず、前記基板の加熱方法で、Ａｌ基
板を使用した場合、加熱により基板が曲がったり、鍍金
された非晶質のＮｉ−Ｐ層が結晶化する恐れがあるた
め、温度を上げるにも限界があり、また、基板バイアス
方式を適用するためには基板が電気伝導体である必要が
あり、基板の選択が自由ではない。
【０００４】最近、高密度磁気記録用ハードディスクの
基板に使用される材料としてはガラス又はセラミックス
が一番有利なものとして知られているが、これらはすべ
て電気的に不導体であるため、基板にバイアス電圧を適
用して高保磁力を得ることが困難である。記録密度を高
めるためには、残留磁束密度及び磁性層の厚さを減らす
ことにより予想される再生信号の弱化を補償するため
に、ヘッドと媒体間の距離を減少させる方向にあるが、
この場合には基板の平面度が非常に重要である。したが
って、今後は平面度の維持のためＡｌ合金より良好なガ
ラス又はセラミックス素材の基板が採択される趨勢であ
る。また、使用されるＡｌ合金ディスクの厚さも次第に
薄くなる傾向であるが、このため、加熱時に曲がる可能
性が更に大きくなる。
基板に使用される材料としてはガラス又はセラミックス
が一番有利なものとして知られているが、これらはすべ
て電気的に不導体であるため、基板にバイアス電圧を適
用して高保磁力を得ることが困難である。記録密度を高
めるためには、残留磁束密度及び磁性層の厚さを減らす
ことにより予想される再生信号の弱化を補償するため
に、ヘッドと媒体間の距離を減少させる方向にあるが、
この場合には基板の平面度が非常に重要である。したが
って、今後は平面度の維持のためＡｌ合金より良好なガ
ラス又はセラミックス素材の基板が採択される趨勢であ
る。また、使用されるＡｌ合金ディスクの厚さも次第に
薄くなる傾向であるが、このため、加熱時に曲がる可能
性が更に大きくなる。
【０００５】保磁力が１，８００Oe以上の磁性薄膜材料
としては、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ又はＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｔ
ａ等があるが、これらには高価な白金が多量に含まれて
いるため価格が高い点、及び結晶粒が大きく、結晶粒間
の分離がよくないため、雑音が大きいという問題を有し
ている。特開平４−２２１４１８号公報及び文献〔IEEE
Trans. Magn., Vol 28, No.5,p3084 (1992) 〕には、
Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂからなる磁性薄膜が記載されてい
る。この磁性薄膜の問題点は、基板温度を高温にして、
基板にバイアス電圧を加える場合においてのみ高い保磁
力を得ることができるので、製造方法が難しく、またガ
ラス等他の基板を使用する場合には、高い保磁力を得る
ことができないという問題がある。
としては、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ又はＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｔ
ａ等があるが、これらには高価な白金が多量に含まれて
いるため価格が高い点、及び結晶粒が大きく、結晶粒間
の分離がよくないため、雑音が大きいという問題を有し
ている。特開平４−２２１４１８号公報及び文献〔IEEE
Trans. Magn., Vol 28, No.5,p3084 (1992) 〕には、
Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂからなる磁性薄膜が記載されてい
る。この磁性薄膜の問題点は、基板温度を高温にして、
基板にバイアス電圧を加える場合においてのみ高い保磁
力を得ることができるので、製造方法が難しく、またガ
ラス等他の基板を使用する場合には、高い保磁力を得る
ことができないという問題がある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記の問題
点を解決し、簡単な方法で、保磁力及び角形比等の磁気
的特性が優れた新規なコバルト系磁性合金を提供するこ
とを目的とする。
点を解決し、簡単な方法で、保磁力及び角形比等の磁気
的特性が優れた新規なコバルト系磁性合金を提供するこ
とを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、このため
に鋭意検討を重ねた結果、コバルト系合金にリンを添加
したＣｏ−Ｃｒ−Ｐ−Ｐｔ又はＣｏ−Ｃｒ−Ｐ−Ｎｉ合
金をスパッタリング蒸着させて薄膜を形成すると、基板
の加熱なしでも高保磁力を得ることができ、またＡｌ合
金ディスクのみならずガラス等を基板として使用する場
合にも有利であることを見出し、本発明を完成した。す
なわち、本発明は、下記の組成式（Ｉ）で示されるコバ
ルト系磁性合金である。 （Ｃｏ）x （Ｃｒ）y （Ｐ）z （Ｍ）w （Ｉ） （式中、Ｍは白金原子又はニッケル原子を表し、ｘは６
０〜９０原子％であり、ｙは２〜１３原子％であり、ｚ
は０．１〜１５原子％であり、ｗは３．１〜４０原子％
であり、かつｘ＋ｙ＋ｚ＋ｗ＝１００原子％である）好
ましくは、組成式（Ｉ）においてＭが白金原子であり、
ｘが６１〜８５原子％であり、ｙが２〜１２原子％であ
り、ｚが５〜１２原子％であり、ｗが８〜１５原子％で
あり、かつｘ＋ｙ＋ｚ＋ｗ＝１００原子％である上記の
コバルト系磁性合金である。更に、上記コバルト系磁性
合金からなる磁気記録用磁性合金薄膜である。
に鋭意検討を重ねた結果、コバルト系合金にリンを添加
したＣｏ−Ｃｒ−Ｐ−Ｐｔ又はＣｏ−Ｃｒ−Ｐ−Ｎｉ合
金をスパッタリング蒸着させて薄膜を形成すると、基板
の加熱なしでも高保磁力を得ることができ、またＡｌ合
金ディスクのみならずガラス等を基板として使用する場
合にも有利であることを見出し、本発明を完成した。す
なわち、本発明は、下記の組成式（Ｉ）で示されるコバ
ルト系磁性合金である。 （Ｃｏ）x （Ｃｒ）y （Ｐ）z （Ｍ）w （Ｉ） （式中、Ｍは白金原子又はニッケル原子を表し、ｘは６
０〜９０原子％であり、ｙは２〜１３原子％であり、ｚ
は０．１〜１５原子％であり、ｗは３．１〜４０原子％
であり、かつｘ＋ｙ＋ｚ＋ｗ＝１００原子％である）好
ましくは、組成式（Ｉ）においてＭが白金原子であり、
ｘが６１〜８５原子％であり、ｙが２〜１２原子％であ
り、ｚが５〜１２原子％であり、ｗが８〜１５原子％で
あり、かつｘ＋ｙ＋ｚ＋ｗ＝１００原子％である上記の
コバルト系磁性合金である。更に、上記コバルト系磁性
合金からなる磁気記録用磁性合金薄膜である。
【０００８】磁性薄膜の組成と保磁力は非常に密接な関
係を有し、各元素成分が保磁力に及ぼす影響はそれぞれ
異なるが、Ｐの含量に比例して保磁力を向上させる程度
は、Ｎｉ又はＰｔに比較して同一、若しくは一層優れて
おり、特に本発明の長所はＰの効果を得るために、基板
の加熱は基板にバイアス電圧を加える等の操作の必要な
く、高い保磁力を得ることができることである。
係を有し、各元素成分が保磁力に及ぼす影響はそれぞれ
異なるが、Ｐの含量に比例して保磁力を向上させる程度
は、Ｎｉ又はＰｔに比較して同一、若しくは一層優れて
おり、特に本発明の長所はＰの効果を得るために、基板
の加熱は基板にバイアス電圧を加える等の操作の必要な
く、高い保磁力を得ることができることである。
【０００９】本発明によるＣｏ−Ｃｒ−Ｐ−Ｐｔ又はＣ
ｏ−Ｃｒ−Ｐ−Ｎｉ磁気記録用合金薄膜は、スパッタリ
ング若しくはその他の気相蒸着法により製造される。こ
の合金薄膜をスパッタリング法により製造するには、合
金ターゲット及び複合ターゲット方式又は同時スパッタ
リング方式等を使用して、直流又は高周波交流スパッタ
リング装置でスパッタリングすることができる。一般的
に、直流スパッタリング装置は電気伝導体である場合の
みスパッタリングできるが、高周波交流スパッタリング
装置では電気不導体にもスパッタリングが可能である。
しかし、直流スパッタリング装置が経済性又は安定性の
面で有利である。
ｏ−Ｃｒ−Ｐ−Ｎｉ磁気記録用合金薄膜は、スパッタリ
ング若しくはその他の気相蒸着法により製造される。こ
の合金薄膜をスパッタリング法により製造するには、合
金ターゲット及び複合ターゲット方式又は同時スパッタ
リング方式等を使用して、直流又は高周波交流スパッタ
リング装置でスパッタリングすることができる。一般的
に、直流スパッタリング装置は電気伝導体である場合の
みスパッタリングできるが、高周波交流スパッタリング
装置では電気不導体にもスパッタリングが可能である。
しかし、直流スパッタリング装置が経済性又は安定性の
面で有利である。
【００１０】本発明による磁気記録用合金薄膜は、基板
温度が常温の状態で、基板にバイアス電圧を加えること
なく薄膜を形成させることができる。しかし、基板を加
熱及び基板にバイアス電圧を加えた状態で薄膜を形成さ
せることも可能である。本発明の組成を有する磁性薄膜
は図１及び図２に示すとおり、基板の温度が常温の状態
でバイアス電圧を加えなくても、２，０００Oe以上の高
い保持力を比較的広い組成範囲にて得ることができるの
で、Ｎｉ−Ｐで鍍金されたＡｌ基板、又は加熱やバイア
ス電圧を加えるのが困難な素材であるガラス基板等の既
存の基板のみならず、新たな全ての基板にも適用可能で
ある。
温度が常温の状態で、基板にバイアス電圧を加えること
なく薄膜を形成させることができる。しかし、基板を加
熱及び基板にバイアス電圧を加えた状態で薄膜を形成さ
せることも可能である。本発明の組成を有する磁性薄膜
は図１及び図２に示すとおり、基板の温度が常温の状態
でバイアス電圧を加えなくても、２，０００Oe以上の高
い保持力を比較的広い組成範囲にて得ることができるの
で、Ｎｉ−Ｐで鍍金されたＡｌ基板、又は加熱やバイア
ス電圧を加えるのが困難な素材であるガラス基板等の既
存の基板のみならず、新たな全ての基板にも適用可能で
ある。
【００１１】また、高記録密度になるほど磁性膜の厚さ
を薄くでき、かつ高保磁力を有する磁性膜が要求される
が、本発明の磁性薄膜は図３に示したとおり、１００Å
程度の非常に薄い膜でも、２，０００Oe以上の高い保磁
力を示している。
を薄くでき、かつ高保磁力を有する磁性膜が要求される
が、本発明の磁性薄膜は図３に示したとおり、１００Å
程度の非常に薄い膜でも、２，０００Oe以上の高い保磁
力を示している。
【００１２】
【実施例】以下に、本発明を実施例に基づいてより具体
的に説明する。なお、本発明はこれらの実施例により制
限されるのでなく、本発明の範囲内で更に多様に変更及
び変化させることができる。
的に説明する。なお、本発明はこれらの実施例により制
限されるのでなく、本発明の範囲内で更に多様に変更及
び変化させることができる。
【００１３】実施例１ 直流マグネトロンスパッタリング装置（大韓民国シンヨ
ンHI-TECH 社製又は日本ANELVA社の商品名: ＳＰＦ−３
１２Ｈ）を使用し、表１に示した組成のＣｏ−Ｃｒ−Ｐ
−Ｐｔ薄膜をＮｉ−Ｐが鍍金されたＡｌ基板上に形成さ
せた。なお、Ｃｒを下部層として、その厚さを１，００
０Åに固定した。磁性層の厚さは５００Åであり、スパ
ッタリングガスの圧力は１０mTorr 、基板温度は常温で
あった。この方法により形成された薄膜の磁気的特性を
振動試料型磁速計（ＶＳＭ）で測定し、表１に示した。
また、このＣｏ−Ｃｒ−Ｐ−Ｐｔ磁気記録用合金薄膜の
組成による保磁力の変化を図１に示した。その結果、基
板の加熱や基板にバイアス電圧を加えなくても広い組成
範囲にて高保磁力が得られることが分かった。
ンHI-TECH 社製又は日本ANELVA社の商品名: ＳＰＦ−３
１２Ｈ）を使用し、表１に示した組成のＣｏ−Ｃｒ−Ｐ
−Ｐｔ薄膜をＮｉ−Ｐが鍍金されたＡｌ基板上に形成さ
せた。なお、Ｃｒを下部層として、その厚さを１，００
０Åに固定した。磁性層の厚さは５００Åであり、スパ
ッタリングガスの圧力は１０mTorr 、基板温度は常温で
あった。この方法により形成された薄膜の磁気的特性を
振動試料型磁速計（ＶＳＭ）で測定し、表１に示した。
また、このＣｏ−Ｃｒ−Ｐ−Ｐｔ磁気記録用合金薄膜の
組成による保磁力の変化を図１に示した。その結果、基
板の加熱や基板にバイアス電圧を加えなくても広い組成
範囲にて高保磁力が得られることが分かった。
【００１４】
【表１】
【００１５】実施例２ 直流又は高周波交流マグネトロンスパッタリング装置を
使用し、表２に示した組成のＣｏ−Ｃｒ−Ｐ−Ｐｔ薄膜
をガラス基板上に形成させた。なお、Ｃｒを下部層とし
て、その厚さを１，０００Åに固定した。磁性層の厚さ
は５００Åであり、スパッタリングガスの圧力は１０mT
orr 、基板温度は常温であった。この方法により形成さ
れた薄膜の磁気的特性を実施例１と同様に測定し、表２
に示した。また、このＣｏ−Ｃｒ−Ｐ−Ｐｔ系磁気記録
合金薄膜の組成による保磁力の変化を図２に示した。そ
の結果、基板の加熱や基板にバイアス電圧を加えること
が困難である素材のガラスを基板として使用した場合に
も、広い組成範囲にて高保磁力が得られることが分かっ
た。
使用し、表２に示した組成のＣｏ−Ｃｒ−Ｐ−Ｐｔ薄膜
をガラス基板上に形成させた。なお、Ｃｒを下部層とし
て、その厚さを１，０００Åに固定した。磁性層の厚さ
は５００Åであり、スパッタリングガスの圧力は１０mT
orr 、基板温度は常温であった。この方法により形成さ
れた薄膜の磁気的特性を実施例１と同様に測定し、表２
に示した。また、このＣｏ−Ｃｒ−Ｐ−Ｐｔ系磁気記録
合金薄膜の組成による保磁力の変化を図２に示した。そ
の結果、基板の加熱や基板にバイアス電圧を加えること
が困難である素材のガラスを基板として使用した場合に
も、広い組成範囲にて高保磁力が得られることが分かっ
た。
【００１６】
【表２】
【００１７】実施例３ 直流マグネトロンスパッタリング装置を使用し、表３に
示した厚さのＣｏ−Ｃｒ−Ｐ−Ｐｔ薄膜をガラス基板上
に形成させた。なお、Ｃｒを下部層として、その厚さを
１，０００Åに固定した。磁性層の組成はＣｏが７７．
７、Ｃｒが４．６、Ｐが５．６及びＰｔが１２．１のそ
れぞれ原子％であり、スパッタリングガスの圧力は１０
mTorr 、基板温度は常温であった。この方法により形成
された薄膜の磁気的特性を実施例１と同様に測定し、表
３に示した。また、このＣｏ−Ｃｒ−Ｐ−Ｐｔ磁気記録
用合金薄膜の厚さによる保磁力の変化を図３に示した。
その結果、１００Å程度の非常に薄い厚さでも２，００
０Oe以上の高保磁力が得られることが分かった。
示した厚さのＣｏ−Ｃｒ−Ｐ−Ｐｔ薄膜をガラス基板上
に形成させた。なお、Ｃｒを下部層として、その厚さを
１，０００Åに固定した。磁性層の組成はＣｏが７７．
７、Ｃｒが４．６、Ｐが５．６及びＰｔが１２．１のそ
れぞれ原子％であり、スパッタリングガスの圧力は１０
mTorr 、基板温度は常温であった。この方法により形成
された薄膜の磁気的特性を実施例１と同様に測定し、表
３に示した。また、このＣｏ−Ｃｒ−Ｐ−Ｐｔ磁気記録
用合金薄膜の厚さによる保磁力の変化を図３に示した。
その結果、１００Å程度の非常に薄い厚さでも２，００
０Oe以上の高保磁力が得られることが分かった。
【００１８】
【表３】
【００１９】実施例４ Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐ−Ｐｔ薄膜の代りに、表４に示した組成
のＣｏ−Ｃｒ−Ｐ−Ｎｉ薄膜を形成させた以外は、実施
例１と同様に実施した。この方法により形成された薄膜
の磁気的特性を表４に示した。また、このＣｏ−Ｃｒ−
Ｐ−Ｎｉ磁気記録用合金薄膜のＮｉ含量及びＰ含量によ
る保磁力の変化をそれぞれ図４及び図５に示した。
のＣｏ−Ｃｒ−Ｐ−Ｎｉ薄膜を形成させた以外は、実施
例１と同様に実施した。この方法により形成された薄膜
の磁気的特性を表４に示した。また、このＣｏ−Ｃｒ−
Ｐ−Ｎｉ磁気記録用合金薄膜のＮｉ含量及びＰ含量によ
る保磁力の変化をそれぞれ図４及び図５に示した。
【００２０】
【表４】
【００２１】実施例５ Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐ−Ｐｔ薄膜の代りに、表５に示した組成
のＣｏ−Ｃｒ−Ｐ−Ｎｉ薄膜を形成させた以外は、実施
例２と同様に実施した。この方法により形成された薄膜
の磁気的特性を実施例１と同様に測定し、表５に示し
た。
のＣｏ−Ｃｒ−Ｐ−Ｎｉ薄膜を形成させた以外は、実施
例２と同様に実施した。この方法により形成された薄膜
の磁気的特性を実施例１と同様に測定し、表５に示し
た。
【００２２】
【表５】
【００２３】図４から、Ｎｉの含量が２０〜３０原子％
である場合保磁力が高く、図５からＰ含量の増加により
保磁力が増加し、Ｐの含量が約９原子％では高価の白金
を添加しなくても１，５００Oe程度の比較的高い保磁力
を示すことが分かる。
である場合保磁力が高く、図５からＰ含量の増加により
保磁力が増加し、Ｐの含量が約９原子％では高価の白金
を添加しなくても１，５００Oe程度の比較的高い保磁力
を示すことが分かる。
【００２４】比較例１ Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐ−Ｔａ合金ターゲットを用いて、アルゴ
ン（Ａｒ）雰囲気中で基板を加熱し、スパッタリングを
行なってＣｏ−Ｃｒ−Ｐ−Ｔａ薄膜を形成させた（米国
特許第５，００４，６５２号、同第５，０４９，４５１
号及び同第５，０５７，２００号各明細書参照）。その
磁気的特性を実施例１と同様に測定し、表６に示した。
ン（Ａｒ）雰囲気中で基板を加熱し、スパッタリングを
行なってＣｏ−Ｃｒ−Ｐ−Ｔａ薄膜を形成させた（米国
特許第５，００４，６５２号、同第５，０４９，４５１
号及び同第５，０５７，２００号各明細書参照）。その
磁気的特性を実施例１と同様に測定し、表６に示した。
【００２５】
【表６】
【００２６】比較例２ Ｃｏターゲット上にＣｒ、Ｐｔ及びＢの小片を配置し
て、アルゴン雰囲気中で基板を２８０℃に加熱し、基板
に−３００Ｖのバイアス電圧を加えてスパッタリングを
行ない、Ｎｉ−Ｐが鍍金されたＡｌ基板上にＣｏ−Ｃｒ
−Ｐｔ−Ｂ薄膜を形成させた〔特開平４−２２１４１８
号公報及びIEEE Trans. Magn., Vol, 28,No.5 p3084 (1
992) 参照〕。その磁気的特性を実施例１と同様に測定
し、表７に示した。
て、アルゴン雰囲気中で基板を２８０℃に加熱し、基板
に−３００Ｖのバイアス電圧を加えてスパッタリングを
行ない、Ｎｉ−Ｐが鍍金されたＡｌ基板上にＣｏ−Ｃｒ
−Ｐｔ−Ｂ薄膜を形成させた〔特開平４−２２１４１８
号公報及びIEEE Trans. Magn., Vol, 28,No.5 p3084 (1
992) 参照〕。その磁気的特性を実施例１と同様に測定
し、表７に示した。
【００２７】
【表７】
【００２８】
【発明の効果】本発明のＣｏ−Ｃｒ−Ｐ−Ｐｔ又はＣｏ
−Ｃｒ−Ｐ−Ｎｉ合金は、スパッタリング蒸着して薄膜
を形成させると、基板の加熱又は基板にバイアス電圧を
加えなくても高保磁力を得ることができ、またＡｌ合金
ディスクのみならずガラス等を基板として使用する場合
にも優れた磁気的特性を得ることができる。
−Ｃｒ−Ｐ−Ｎｉ合金は、スパッタリング蒸着して薄膜
を形成させると、基板の加熱又は基板にバイアス電圧を
加えなくても高保磁力を得ることができ、またＡｌ合金
ディスクのみならずガラス等を基板として使用する場合
にも優れた磁気的特性を得ることができる。
【図１】実施例１のＣｏ−Ｃｒ−Ｐ−Ｐｔ合金をＮｉ−
Ｐ／Ａｌ基板に蒸着させた場合の合金組成による保磁力
の変化を示したグラフである。
Ｐ／Ａｌ基板に蒸着させた場合の合金組成による保磁力
の変化を示したグラフである。
【図２】実施例２のＣｏ−Ｃｒ−Ｐ−Ｐｔ合金をガラス
基板に蒸着させた場合の合金組成による保磁力の変化を
示したグラフである。
基板に蒸着させた場合の合金組成による保磁力の変化を
示したグラフである。
【図３】実施例３のＣｏ−Ｃｒ−Ｐ−Ｐｔ合金をガラス
基板に蒸着させた場合の膜厚の厚さによる保磁力の変化
を示したグラフである。
基板に蒸着させた場合の膜厚の厚さによる保磁力の変化
を示したグラフである。
【図４】実施例４のＣｏ−Ｃｒ−Ｐ−Ｎｉ合金をＮｉ−
Ｐ／Ａｌ基板及びガラス基板に蒸着させた場合の、Ｎｉ
含量の変化による保磁力の変化を示したグラフである。
Ｐ／Ａｌ基板及びガラス基板に蒸着させた場合の、Ｎｉ
含量の変化による保磁力の変化を示したグラフである。
【図５】実施例４のＣｏ−Ｃｒ−Ｐ−Ｎｉ合金をＮｉ−
Ｐ／Ａｌ基板及びガラス基板に蒸着させた場合の、Ｐ含
量の変化による保磁力の変化を示したグラフである。
Ｐ／Ａｌ基板及びガラス基板に蒸着させた場合の、Ｐ含
量の変化による保磁力の変化を示したグラフである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 張 平 宇 大韓民国忠清北道清州市金川洞199番地 １号 現代アパート110棟707号 (72)発明者 朴 昌 敏 大韓民国ソウル特別市西大門区弘恩３洞 188番地29号 三星ビラ マ棟201号 (56)参考文献 特開 平３−90547（ＪＰ，Ａ) 特公 昭63−31535（ＪＰ，Ｂ２) 特公 昭60−44381（ＪＰ，Ｂ２) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) C22C 19/07 C23C 14/06 G11B 5/62 - 5/66
Claims (4)
- 【請求項１】 下記の組成式（Ｉ）で示される磁気記録
用コバルト系磁性合金。 （Ｃｏ）x （Ｃｒ）y （Ｐ）z （Ｍ）w （Ｉ） （式中、Ｍは白金原子又はニッケル原子を表し、ｘは６
０〜９０原子％であり、ｙは２〜１３原子％であり、ｚ
は０．１〜１５原子％であり、ｗは３．１〜４０原子％
であり、かつｘ＋ｙ＋ｚ＋ｗ＝１００原子％である） - 【請求項２】 組成式（Ｉ）のＭが白金原子であり、ｘ
が６１〜８５原子％であり、ｙが２〜１２原子％であ
り、ｚが５〜１２原子％であり、ｗが８〜１５原子％で
あり、かつｘ＋ｙ＋ｚ＋ｗ＝１００原子％である、請求
項１記載のコバルト系磁性合金。 - 【請求項３】 請求項１又は２記載のコバルト系磁性合
金からなる磁気記録用磁性合金薄膜。 - 【請求項４】 請求項３記載の磁性合金薄膜が、下部層
を介して基板上に形成された磁気記録用媒体。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1994U21749 | 1994-08-31 | ||
| KR1019940021749A KR0147013B1 (ko) | 1994-08-31 | 1994-08-31 | 고밀도 자기 기록용 자성 박막 재료 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0881724A JPH0881724A (ja) | 1996-03-26 |
| JP2836779B2 true JP2836779B2 (ja) | 1998-12-14 |
Family
ID=19391637
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7222825A Expired - Fee Related JP2836779B2 (ja) | 1994-08-31 | 1995-08-31 | コバルト系磁性合金及び磁気記録用磁性合金薄膜材料 |
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|---|---|
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| JP (1) | JP2836779B2 (ja) |
| KR (1) | KR0147013B1 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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| KR0163822B1 (ko) * | 1995-05-17 | 1999-03-20 | 김은영 | 도난 방지기용 자기 센서 및 시스템 |
| EP1601451B1 (de) * | 2003-03-04 | 2006-12-13 | Lothar Wellenbrock | Vorrichtung zum umwälzen von korngut |
| SG124309A1 (en) * | 2005-01-25 | 2006-08-30 | Sony Corp | A material and uses thereof |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2200742A (en) * | 1938-11-21 | 1940-05-14 | Hardy Metallurg Company | Treatment of phosphorus |
| US3578571A (en) * | 1968-09-09 | 1971-05-11 | Gen Precision Systems Inc | Method of electrodepositing a magnetic alloy and electrolyte therefor |
| JPS59219907A (ja) * | 1983-05-30 | 1984-12-11 | Tdk Corp | 垂直磁気記録媒体 |
| JPS6044381A (ja) * | 1983-08-22 | 1985-03-09 | Seikosha Co Ltd | 印字ヘツドの搬送制御装置 |
| JPS6331535A (ja) * | 1986-07-23 | 1988-02-10 | Jgc Corp | 炭素析出抑止性含炭素化合物処理装置 |
| JPH0390547A (ja) * | 1989-08-31 | 1991-04-16 | Toshiba Corp | 極薄の軟磁性合金薄帯の製造方法、それを用いた極薄の軟磁性合金薄帯と磁性コア、その磁性コアを組込んだ電子装置、および軟磁性合金薄帯製造装置 |
| US5057200A (en) * | 1990-08-15 | 1991-10-15 | Hmt Technology Corporation | Method of forming thin-film recording medium |
| US5004652A (en) * | 1990-08-15 | 1991-04-02 | Hmt Technology Corporation | High-coercivity thin-film recording medium and method |
| US5049451A (en) * | 1990-08-15 | 1991-09-17 | Hmt Technology Corporation | High-coercivity thin-film recording medium |
| JP3273374B2 (ja) * | 1990-12-21 | 2002-04-08 | 株式会社アルバック | 磁気記録体 |
-
1994
- 1994-08-31 KR KR1019940021749A patent/KR0147013B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1995
- 1995-08-28 US US08/519,727 patent/US5560786A/en not_active Expired - Fee Related
- 1995-08-31 JP JP7222825A patent/JP2836779B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5560786A (en) | 1996-10-01 |
| KR0147013B1 (ko) | 1998-10-15 |
| KR960008706A (ko) | 1996-03-22 |
| JPH0881724A (ja) | 1996-03-26 |
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