JPH08339535A - 磁性膜厚勾配を持った薄膜媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 ディスク外径側に、徐々にオーバーライト特
性を強めると共に、内径側にＳ／Ｎ比が強くなる薄膜媒
体。 【構成】 内径と外径により形状の定まる環状表面をも
つ円板状の基板と、前記基板表面に直接スパッタで形成
された下地層と、前記下地層の上にスパッタされ、前記
基板の内径側から外径側に向い薄くなっている磁性薄膜
層と、前記磁性薄膜層の上に形成された保護膜を有する
磁性薄膜媒体。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は薄膜磁気ディスクで、磁
性層が内径側から外径側へ膜厚の勾配を持つ、とりわけ
残留磁束密度の勾配を有する磁気ディスクに関するもの
である。

【０００２】

【技術背景】薄膜ハードディスクはコンピュータの記憶
装置に広く用いられている。近年高記録密度を得るため
の研究がなされてきている。記録密度を上げるための重
要な要素は以下の様なものである。

【０００３】（１）残留磁束密度：媒体に記録された孤
立波から読みとる信号出力の大きさであり、残留磁束又
はモーメントが大きければ大きいほど、読み取り信号出
力が大きい。

【０００４】（２）保磁力：残留磁束を０にする磁場を
云う。即ち、書き込まれている情報を消すような磁場で
ある。媒体が高保磁力であると、すぐ隣に書き込まれて
いる情報を、相互干渉がなくより接近させることが可能
になる。この様に高保磁力は高記録密度に寄与する。

【０００５】（３）信号対ノイズ比（ＳＩＮ比）：ある
周波数帯域でノイズの強さに対する信号の強さの比を云
い、ノイズレベルが関連する信号出力の大きさを示す。
Ｓ／Ｎ比が高ければ、信頼度高く読みとれる高密度が達
成できる。

【０００６】（４）オーバーライト：高周波信号である
周波数での信号を消す効果を云う。オーバーライトは新
信号で重ね書きした後の残留信号の大きさを示す。

【０００７】（５）浮上高さ：ヘッドとディスクの浮上
距離を云う。ヘッドが動いているときディスク内で隣り
合う磁性領域での電圧信号の重なりが少なければ、ヘッ
ドはより近くディスクに近づくことができる。結果とし
て、記録密度が上がることになる。浮上高さは原則とし
てディスク表面の粗さに左右される。普通のアルミ基板
の薄膜媒体での浮上高さは約6マイクロインチ（０．１
５２４μｍ）である。浮上高さ1〜2マイクロインチ
（０．０２５４〜０．０５１μｍ）は、薄膜媒体ではガ
ラス基板の様な平滑基板で達成可能である。

【０００８】更に、ヘッドのディスク直径方向位置によ
り読み書きサンプリング周波数を変える事は、通常の技
術となっている。特にサンプリング周波数は、基本的に
一定線記録密度を保つためにディスクの外径に向かって
増大する。例えば、ディスク外径のスピードが内径の２
倍だとすると、外径側と内径側のビット密度を同じ様に
しようとするならば、この様にサンプリング周波数も同
様に２倍でなければならない。このような高サンプリン
グ周波数は外径側での高出力信号と同時に高ノイズをも
たらす。

【０００９】同時に、薄膜ディスクでのオーバーライト
特性は、外径側で劣ることになる。これは高記録周波数
に起因するもので、形状効果に依存する浮上高さはディ
スク外径側に向かってディスクの動く速さと共に増大す
る。この様に、内径側で浮上高さが6マイクロインチ
（０．１５２４μｍ）であれば外径側では12マイクロイ
ンチ（０．３０４８μｍ）となる。この様に外径側での
大きな浮上量は、高記録周波数に伴い、磁性層の磁区を
飽和させる磁気ヘッドからの磁束能力を減少させ、オー
バーライト特性が落ちる。

【００１０】まとめると、径方向位置形状はディスクの
径方向でのサンプリング速度と浮上高さに依存し、ディ
スクの動作に重大な影響を及ぼす、特にＳ／Ｎ比とオー
バーライトはディスクの内外径側両方のビット密度を規
制する。

【００１１】

【発明の目的】本発明の目的は、ディスク外径側に向い
徐々にオーバーライト特性を強めた薄膜媒体で更に望ま
しくはディスク内径側に向い徐々にＳ／Ｎ比が強くなる
薄膜媒体を提供することにある。更に本発明は上記の様
な媒体の製造方法を提供することである。

【００１２】

【発明の概要】本発明は、内径と外径で規制される環状
の表面、基板に直接スパッタされる層、薄膜磁性層、薄
膜の上に形成される保護膜よりなる磁性薄膜媒体を含む
ものである。磁性層の特徴は内径から外径に向い厚さが
薄くなることである。この磁性層の望ましい厚みは内径
部で約500〜700Ａ、外径部で約350〜550Ａで、内径側と
外径側の厚さの差が150〜300Ａである。

【００１３】他の望ましい例として、前記磁性層が、デ
ィスクの内径から外径に向い残留磁束密度（Mr）が増加
する特徴を持つことである。この例では、磁性層がCo及
び以下のCr,Ta,V,W,B,Zrのうち少なくとも１種からな
り、内径から外径へ向い、Ni又はPtの様な高いモーメン
トを持つ成分量が増加するものである。

【００１４】又望ましい例としては、磁性層の保磁力が
内径部と外径部で多くて100 Oeの差を持つ事である。

【００１５】他の発明は、磁性薄膜層を持つ媒体の製法
である。本製法では、ディスク基板は、少なくとも環状
部分を持つ磁性合金ターゲットの近くに載置される。磁
性合金材料がターゲットから基板表面にスパッタされ
る。このスパッタ条件は、内径から外径に向い、径方向
に対称に徐々に薄く積層されるようにする。

【００１６】１つの例として、積層はマグネトロンスパ
ッタで行われ、スパッタプラズマは、ターゲットの内径
から外径に向い径方向に対称にプラズマにより調整され
た磁場により集束される。

【００１７】他の例として、ターゲットは内部と外部の
同軸環状部分を持ち、各々を環状カソード板に装着させ
る。この場合の内径部分には比較的高い電力が、外径部
分には比較的低い電力が各々のカソード板に印加され
る。

【００１８】ターゲットは内外同軸の環状部分を持ち、
各々Coを含み以下のCr,Ta,V,W,B,Zr,Si,Hf,Pのうち少な
くとも１種を含む合金よりなる。外径部分は更にPtとNi
のうち少なくとも１種を含んでもよい。以上本発明の目
的特徴は更に以下に詳述するが、図面を参照するとより
理解できる。

【００１９】

【実施例】

（実施例１） １．薄膜媒体 図１に本発明の薄膜媒体即ちディスク２０の断面図を示
す。ディスクは通常基板22を有する。この基板上に薄膜
層を重ねてゆく。基板上に直接スパッタされる結晶質の
下地層24あるいは、ニッケルを含む合金などのスパッタ
層、磁性薄膜層26とカーボン保護膜28を形成してゆく。
テクスチャーされ、通常表面コーティングされたアルミ
ニウム基板は、通常デジタル記録媒体に用いられてい
る。標準的には、基板は先ず必要な表面硬度を持たせる
ため、Ni/Pめっきのようなある種の合金で約300〜700マ
イクロインチ（７．６２〜１７．７８μｍ）の厚さにめ
っきされる。また基板はテクスチャーされたガラスかセ
ラミック基板でもよい。通常の大きさの基板は、外径が
130mmか95mmで内径は各々40mmと25mmである。図１で内
径と外径の端部は各々30と32で示す。結晶質下地層は好
ましくはスパッタされたクロム下地層で、厚みが約300
〜3,000Ａである。高保磁力、高残留磁束と高角形比が
得られるのは特に下地層厚さが約1,000〜3,000Ａのとき
である。クロム含有合金としては、CrV,CrGdやCrSiが望
ましく、タングステン下地層でも良い。

【００２０】本発明の重要な特徴は磁性薄膜が下地層の
上にスパッタされたものであり、内径側から外径側に向
かって、膜厚が薄くなってゆくことにある。磁性層は内
径端部近傍で約500〜700Ａ、外径端部近傍で約350〜550
Ａの薄膜磁性膜厚が望ましい。内径側と外径側の膜厚の
差は、約150〜300Ａが望ましい。

【００２１】他の実施例として、磁性層は内径側から外
径側に向かって残留磁束密度（Mr）が増加することが望
ましい。このMrの変動は、内外径側の磁性層に含まれる
ある合金成分の変動により可能である。スパッタされた
磁性層はCoを含み以下のCr,Ta,V,W,B,Zr,Si,Hf,Pのうち
の少なくとも１種以上を含み、内径側から外径側へ向っ
て、Ptおよび／又はNiの含有量が増加する。望ましい磁
性層はCoCrTa合金で、内径側から外径側へ向いPtおよび
／又はNiの量が増加することである。

【００２２】他の実施例として、内径側の磁性層を形成
する合金は、Co70〜85原子％、Cr5〜20原子％、Ta2〜10
原子％で、外径側の合金は、Co70〜85原子％、Cr5〜20
原子％、Pt2〜15原子％とTa2〜10原子％である。この合
金中で、内径側から外径側に向い白金は0から2〜15原子
％に増加する。この磁性層の厚みと合金変動の特徴は図
２に示されている。磁性層厚さ(点線)は、基本的に外径
側に向かって、直線的に減少し、白金の含有原子％(実
線)は外径側に向かって直線的に増加している。

【００２３】媒体のカーボン保護膜は、カーボンがダイ
ヤモンドに近い構造の主としてSP3になる様な条件で磁
性層の上にスパッタされる。保護膜の厚さは250〜500Ａ
が望ましい。

【００２４】（実施例２） ２．媒体の製法 図３の模式図は、前記薄膜媒体を製造するのに用いられ
るスパッタ装置34の一部を示す。本装置はスパッタ又は
加熱が行われる少なくとも４つのステーションを配置し
た真空チャンバ36を有する。真空チャンバのすぐ前の工
程の加熱ステーション(図示せず)には、ディスクホルダ
40で真空チャンバ内へと移送される基板38の両側を加熱
するための多数の赤外線ランプが配置されている。図３
には２つの基板38,42が示され、コンベア上で本装置を
通過するディスクホルダ40内に相並んで移送される。加
熱ステーションのすぐ次の工程は第１のスパッタステー
ション48があり、基板の上に最初のスパッタ膜が形成さ
れる。このステーションにはここを移送される各々の基
板用の１対の環状ターゲット52,54があり、このターゲ
ットの間を移動する基板はクロムスパッタを夫々のター
ゲットに対しその反対側の基板表面に施される。

【００２５】１つの実施例として、この最初のスパッタ
膜は、ニッケルを含んだ中間膜であり、基板に直接スパ
ッタされ、その厚みは100〜500Ａが望ましい。本実施例
ではターゲットはニッケル含有合金、例えばニッケル燐
又は他の好適な合金例えばNiB,NiBi,NiCr,NiWやNiTiで
ある。

【００２６】別の実施例として、最初のスパッタ膜はク
ロム下地層を有している。この実施例ではターゲットは
純クロム又はクロムが主である合金が望ましい。

【００２７】第２(又は第３)のスパッタステーション
は、下地層の上に磁性層を付けるステーションである。
このステーションは、スパッタされる材料の磁束勾配
を、内径側から外径側に向かって、減少させる様に設計
されている。即ち、本ターゲットは径方向に対称に内径
側から外径側に向かって積層量が徐々に少なくなる様に
作られている。

【００２８】１つの実施例として、スパッタ装置は図４
の56に示す様な形状をしている。本図は、環状のターゲ
ット58が基板62aとクロム下地層62bからなるディスクの
表面60に磁性合金をスパッタする様に配置されているこ
とを示している。本図は電磁石64を有し、この電磁石は
ある磁極を持つ内側の環状柱66とそれと反対の磁極を持
つ外側の柱68を有している。基本的に内側の柱の厚さが
厚ければターゲット表面近くで図に示す様にターゲット
の内径の方へ曲げられる磁場を発生させる。この曲げら
れた磁場が、ターゲットの内径側でスパッタプラズマを
集束し、実際に内径側から外径側への磁束密度を減少さ
せるのである。磁場とスパッタ電圧とチャンバ圧力は基
板がスパッタチャンバを通過する際に、好ましいスパッ
タ率とスパッタ変動を持つように調整される。

【００２９】スパッタの他の実施例として、Fig5の70に
示す。本発明では同軸の２つの合金からなる環状ターゲ
ット72は、内側部環状ターゲット72aと外側部環状ター
ゲット72bよりなる。内部ターゲットは前記した様なコ
バルト基合金が望ましく、外部ターゲットは内部と同じ
合金に2〜20原子％のPt及び／又はNiを含むものが望ま
しい。より望ましい実施例としては、内側部ターゲット
を構成する合金として前記した成分比率を持つCo-Cr-Ta
が良く、外側部ターゲットは前記した成分比率のCo-Cr-
Ta-Ptが良い。

【００３０】更に図５について説明すると、ターゲット
72の内側部72a及び外側部72bは、プレート74の内側部74
a及び外側部74bにそれぞれ支持されている。前記プレー
ト74は、絶縁リング76により分離されている。前記２つ
のプレートは夫々直流電源78と80に接続され、夫々のタ
ーゲットと基板間に夫々に適切な電圧を与えられる。供
給される電力及び／又は電圧は、ターゲットの内側部か
らスパッタされる材質の最適な磁束を得る様に調節され
る。１つの例として、内側部ターゲット74aと基板間の
直流電圧は300〜700Vである。同様に外側部ターゲット
と基板間も300〜700Vである。

【００３１】図６は磁性薄膜82を形成するディスクに２
つの合金ターゲットにより形成された積層模様を示す。
内部環状部分82aの積層膜は主としてターゲットの内側
部72aにより生じており、従って、ターゲットの内側部
の合金成分と基本的に同じである。同様に外部環状部分
82bの積層膜は、主としてターゲットの外側部72bにより
生じており、従ってターゲットの外側部の合金成分と基
本的に同じである。スパッタは、磁束を磁場効果又はス
パッタ電圧のいずれかにより制御されているが、これら
２つの組み合せで、望ましいスパッタ密度勾配を得るこ
とも考えられうる。

【００３２】スパッタ装置34には図３には図示してない
が、ディスクの両面にカーボン保護膜をスパッタする最
終工程を含んでいる。基本のスパッタ装置は、例えばバ
リアンインテバック(サンタクララ,カリフォルニア)、
サーキットプロセシングアパラタス(フリーモント,カリ
フォルニア)、ウルバック(日本)、レイボルドヘラウス
(独)、バクテック(ボールダ,コロラド)やマテリアルリ
サーチコーポレーション(アルバニ,ニューヨーク)など
の市販品でもよい。これらの装置は両面，インライン，
高生産性の装置で、ローディング，アンローディングの
ための２つのインターロッキングシステムを備えてい
る。

【００３３】操作は、まず、スパッタ室を約10-7torrま
で真空にし、次いでアルゴンガスを最終スパッタ圧が5
〜20mtorrになるまで導入する。基板は、次の３つのス
パッタ室に入る前に、適切な温度になる迄加熱ステーシ
ョンで加熱される。加熱条件としては、基板が約200℃
から、好ましくは270℃になるのが望ましい。加熱され
た基板は第１のスパッタ室に導入されテクスチャ付きデ
ィスクの表面に基板面が主として(110)結晶面になるよ
うにクロム下地がスパッタされる。何故ならば、クロム
層は平行対垂直の結晶方向異方性が高いのである。この
異方性は望ましい磁性層結晶方向、即ち面内Ｃ軸方向を
得るのに重要な役割を果たす。このことが、面内記録で
の高保磁力を生み出すのである。この(110)結晶面を作
るに良いスパッタ電圧や成膜レートは、当業者には良く
知られている。

【００３４】本発明では、下地膜厚も、薄膜媒体の良い
磁気特性を得るために規定している。本発明者らが持つ
米国特許5,049,451の中で述べている様に、Co-Cr-Ta-Pt
の磁性薄膜の媒体を研究した結果、高保磁力と分解能は
下地厚さが約1,000〜3,000Ａのときに得られる。この下
地厚さは通常のスパッタ条件例えば、スパッタ圧，ター
ゲット電力，電圧，積層時間などにより制御される。

【００３５】下地層形成後ディスクホルダー内の基板は
第２のスパッタ室へ移送される。そこでは、下地層の上
に磁性層がスパッタされる。磁性薄膜が前記した磁場と
電圧および圧力と基板温度などの条件下で下地層の上に
スパッタされる。上述したように、本発明では磁性層の
厚さ変動差が、内径側と外径側で150〜300Ａ、内径側の
磁性層膜厚が500〜700Ａ、外径側の磁性層膜厚が350〜5
50Ａとすることが望ましい。磁性薄膜をスパッタされた
ディスクは、次に最終工程のスパッタステーションに移
送される。ここでは通常の方法で、磁性層の上にカーボ
ン保護膜をスパッタする。

【００３６】３．磁性薄膜媒体の特性 ディスクの特性を図７で説明する。図７はディスク86の
右半分断面を示し内径側88から外径側90となる。前記し
た様に、ディスクは基板92、クロム下地層94および内径
側から外径側に向い厚さ勾配を持つ磁性層96よりなる。
保護膜は図示されてない。図７は磁性層とウィンチェス
タ型ヘッド98の相互作用を示し、内径側を浮上している
ヘッド(左側図)と外径側を浮上しているヘッド(右側図)
を示す。ヘッドの端部の有効範囲（フリンジフィール
ド）即ちディスクにデータを記録できる範囲を点線100
で示してある。

【００３７】内径側では、ヘッドの浮上高さはd1で、通
常は4〜8マイクロインチ（０．１〜０．２μｍ）であ
り、ある特殊なガラスやセラミック基板の場合は1〜3マ
イクロインチ（０．０２５４〜０．０７６２μｍ）の場
合もある。フリンジフィールドは磁性膜厚を効果的に通
過するので、磁性膜中の残留磁化を最小にし、最適なオ
ーバーライト特性を生み出すのである。

【００３８】外径側ではヘッドの浮上高さはd2でディス
ク外径の速度が速いため普通d1より大きい。この様に浮
上高さが高いと磁性膜へのフリンジフィールドが入り込
む範囲が減少され、ディスクのオーバーライト特性が減
少する。本発明では磁性膜厚が薄くなったことは、磁性
膜の低い部分の境界とヘッドの距離を減少させ、この結
果、オーバーライトする際に磁性層の低い部分の境界の
残留磁化を最小にする。

【００３９】望ましい実施例として、磁性層はディスク
の性能を向上させる合金成分の勾配を持ってもよい。上
述した様に、膜厚勾配は２合金ターゲットのスパッタで
形成され、１つのターゲットはディスク内径側の合金成
分に適するもので、他のターゲットはディスク外径側の
合金成分に適するものである。

【００４０】１つの実施例として、膜厚勾配を形成する
２つの合金としては、内径側にCo-Cr-Taで外径側にCo-C
r-Ta-Ptである。この２つの合金のバルクの磁気特性を
示すため、基本的には上述した方法でしかし均一な厚さ
の磁性層を持つディスクをスパッタで製作した。Co-Cr-
Taのディスクでは最終的な磁性層の厚みを685Ａ、Co-Cr
-Ta-Ptのディスクでは最終的な磁性層の厚みを530Ａと
した。この２つの磁気特性をVSM(振動試料型磁力計)で
調査した。

【００４１】表１にこの２つのディスクのバルクの磁気
特性を示す。上記磁性層膜厚を持つ２つのディスクの保
磁力(Hc)とMr*tは殆ど同じであった。Mr*tの結果は、Co
-Cr-Ta-Ptのディスクの磁性層膜厚を薄く(約25％減)し
ても、本発明の394Ａ厚の膜厚勾配を持つディスクと同
じ信号出力が得られる。

【００４２】

【表１】

【００４３】記録特性に関し均一な膜厚のCo-Cr-Taディ
スク(磁性層厚さ450Ａ)、及び均一な膜厚のCo-Cr-Ta-Pt
ディスク(磁性層厚さ299Ａ)と本発明に係る内径側で421
Ａと外径側で315Ａの２合金の勾配を持つディスクとの
比較を行った。均一な膜厚を持つディスクの磁性層厚さ
は、前述した様に同様なMr*tと信号出力を持つ様に製作
された。磁気記録テストはGuzik Model RWA 501で行っ
た。ヘッドは薄膜ヘッドでギャップ長14μin(0.36μ
m)、ギャップ幅472μin(12.0μm)で、浮上高さは4.5in
であった。ヘッドのインダクタンスは1.1μHでレジスタ
ンスは30Ωであった。飽和記録電流は25〜30mAであっ
た。記録周波数は内径側で7.17MHzで外径側で14.64MHz
であった。これらの周波数は内径25mm、外径95mmのディ
スクの通常の記録再生時の周波数に対応するものであ
る。

【００４４】表２にディスクの内径側の0.837インチ(2
1.3mm)部で7.17MHz、外径側の1.768インチ(44.9mm)部で
14.64MHzで測定した結果を高周波信号出力μV、信号対
雑音比(SNR)をdB、オーバーライト(OW)をdBで、各々記
してある。

【００４５】

【表２】

【００４６】３種類のディスクの高周波信号出力の内径
側と外径側の値はほぼ同じであった。このことは本発明
の合金勾配を持つ事が外径側を薄くしたディスクにおい
て、高信号出力を出すことに有効であることが分かる。
前述した様に高密度ディスクでは、最もビット密度の高
い内径側で高い信号対雑音比(SNR)と外径側での良好な
オーバーライト特性が望ましい。本発明でのこれらの特
徴であるSNRとオーバーライト特性は表２を見れば分か
る。膜厚勾配を持つディスクの内径側のSNRは低ノイズC
o-Cr-Taディスクとほぼ同じ高さで、外径側では均一膜
厚をもつ２つのディスクよりやや良好である。膜厚勾配
を持つディスクの外径側のオーバーライト特性は、実質
的には低ノイズのCo-Cr-Taディスクより高く、膜厚を薄
くしたCo-Cr-Ta-Ptディスクよりやや良好である。ディ
スクの径方向の保磁力はきわめて均一であり、内径側、
外径側共に高記録密度を実現するのに寄与している。内
径側と外径側の保磁力の差は100 Oe以内が望ましい。本
発明の説明は特定の成分、寸法の実施例で述べたが、こ
れに限定するものではなく、当業者が容易に思いつくも
のは本発明に含まれるものである。

【００４７】

【発明の効果】この様に本発明の膜厚勾配をディスク
は、低ノイズ磁性合金の内径側の高信号対雑音比と高ノ
イズと高残留磁束密度を持つ薄膜合金の高オーバーライ
ト特性の両方を重ね備えている。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のディスクの断面図である。d0は外径側
のdiは内径側の夫々磁性層膜厚を示す。

【図２】本発明における望ましい磁性薄膜厚さを示す。
実線は膜厚で点線はPtの含有量を示す。

【図３】本発明に用いられる薄膜製造装置の１実施例の
模式図である。

【図４】本発明のディスクを製造するマグネトロンスパ
ッタ装置の１実施例の模式図である。

【図５】本発明のマグネトロンスパッタ装置の他の実施
例の模式図である。

【図６】図５に示すような２つの同軸合金でスパッタさ
れた基板上の積層模様を示す。

【図７】薄膜ヘッドの端部と内径部・外径部との相互作
用を示す。

【符号の説明】

２０ ディスク、 ２２ 基板、 ２４ 下地層、 ２
６ 磁性薄膜層 ２８ カーボン保護膜、 ３０ 内径端部、 ３２ 外
径端部

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 内径と外径により形状の定まる環状表面
   を持つ円板状の基板と、前記基板表面に直接スパッタで
   形成された下地層と、前記下地層の上にスパッタされ、
   前記基板の内径側から外径側に向い薄くなっている磁性
   薄膜層と、前記磁性薄膜層の上に形成された保護膜を有
   することを特徴とする磁性薄膜媒体。
2. 【請求項２】 請求項１において、前記磁性薄膜層の厚
   さが、内径側近傍で約500〜700Ａ、外径側近傍で約350
   〜550Ａであり、かつ前記内径側近傍の磁性薄膜層の厚
   さと、前記外径側近傍の磁性薄膜層の厚さとの差が約15
   0〜300Ａであることを特徴とする磁性薄膜媒体。
3. 【請求項３】 請求項１において、前記磁性薄膜層を形
   成する合金はCoを含み、以下のCr,Ta,V,W,B,Zr,Si,Hf,P
   のうち少なくとも１種を含み、かつPt又はNiのうち少な
   くとも１つの含有量が、内径側から外径側に向い増加し
   ていることを特徴とする磁性薄膜媒体。
4. 【請求項４】 請求項３において、前記磁性薄膜層はCo
   -Cr-Ta合金であり、Pt又はNiのうち少なくとも１つの含
   有量が内径側から外径側に向い増加していることを特徴
   とする磁性薄膜媒体。
5. 【請求項５】 請求項３において、前記磁性薄膜層の内
   径側と外径側の保磁力の差が、せいぜい約100 Oe以内で
   あることを特徴とする磁性薄膜媒体。
6. 【請求項６】 内径と外径により形状の定まる環状表面
   を持つ円板状の基板の前記環状表面を少なくとも１つの
   環状部分を持つ磁性合金のターゲットに対し配置し、前
   記環状表面の径方向に対称に、しかも内径側から外径側
   に向い積層膜厚が薄くなるような条件でスパッタするこ
   とを特徴とする磁性薄膜媒体の製造方法。
7. 【請求項７】 請求項６において、前記スパッタは前記
   ターゲット内の磁場による集束されたプラズマを含み、
   前記磁場は、集束されたプラズマに対し前記ターゲット
   の径方向に対称に内径側から外径側に向い勾配を持つよ
   うに調整されたことを特徴とする磁性薄膜媒体の製造方
   法。
8. 【請求項８】 請求項６において、前記ターゲットは、
   内径側と外径側の同軸環状部分を持ち、夫々が環状のカ
   ソード極に載置され、前記スパッタは、前記ターゲット
   の環状部分の内径側には高く、外径側には低くなるよう
   に、ターゲット電圧および／又はターゲット電力が前記
   カソード極に印加されることを特徴とする磁性薄膜媒体
   の製造方法。
9. 【請求項９】 請求項６において、前記ターゲットは内
   径側と外径側の同軸環状部分を持ち、前記内径側と外径
   側の同軸環状部分の合金成分は、Coを含み以下のCr,Ta,
   V,W,B,Zr,Si,Hf,Pのうち少なくとも１種を含み、外径側
   同軸環状部分には更に少なくともPt又はNiのうち１種を
   含むことを特徴とする磁性薄膜媒体の製造方法。
10. 【請求項１０】 請求項９において、前記ターゲットの
    内径側環状部分の合金はCo-Cr-Taで、外径側環状部分は
    Co-Cr-TaにPt又はNiのうち少なくとも１種を含む合金で
    あることを特徴とする磁性薄膜媒体の製造方法。