JP2001243618A

JP2001243618A - 磁気記録媒体、その製造方法、スパッタリングターゲット、および磁気記録再生装置

Info

Publication number: JP2001243618A
Application number: JP2000049941A
Authority: JP
Inventors: Kenji Shimizu; 謙治清水; Hiroshi Sakai; 浩志酒井
Original assignee: Showa Denko KK
Current assignee: Resonac Holdings Corp
Priority date: 2000-02-25
Filing date: 2000-02-25
Publication date: 2001-09-07

Abstract

(57)【要約】【課題】熱揺らぎ耐性に優れた磁気記録媒体を提供す
る。【解決手段】基板１上に第１下地膜２が設けられ、そ
の上にｈｃｐ構造をなす第２下地膜３が設けられ、さら
に非磁性中間膜４が設けられ、その上に磁化容易軸が基
板に対し主に垂直に配向した垂直磁性膜５が設けられ、
第１下地膜２がＳｉを含む材料からなるものである。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、磁気ディスク装置
などに用いられる磁気記録媒体、その製造方法、、上記
磁気記録媒体の製造に用いられるスパッタリングターゲ
ット、および上記磁気記録媒体を用いた磁気記録再生装
置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、磁気記録媒体としては、磁性膜内
の磁化容易軸が主に基板に対し水平に配向した面内磁気
記録媒体が広く用いられている。面内磁気記録媒体で
は、高記録密度化するとビット体積が小さくなりすぎ、
熱揺らぎ効果により再生特性が悪化する可能性がある。
また、高記録密度化した際に、記録ビット境界での反磁
界の影響により媒体ノイズが増加することがある。これ
に対し、磁性膜内の磁化容易軸が主に基板に対し垂直に
配向した、いわゆる垂直磁気記録媒体は、高記録密度化
した場合でもビット境界での反磁界の影響が小さく、境
界が鮮明な記録磁区が形成されるため低ノイズ化が可能
であり、しかも比較的ビット体積が大きくても高記録密
度化が可能であることから熱揺らぎ効果にも強く、近年
大きな注目を集めており、垂直磁気記録に適した媒体の
構造などが提案されている。例えば、特開昭５８−７７
０２５号公報および特開昭５８−１４１４３５号公報に
は、Ｃｏ合金からなる垂直磁性膜の下地層の材料として
Ｔｉを用いることが開示されている。また特開平８−１
８０３６０号公報には、上記下地層の材料として、Ｃｏ
とＲｕからなる合金を用いることが開示されている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】近年では、磁気記録媒
体の更なる高記録密度化が要望されており、これに伴い
ノイズ特性とともに、熱揺らぎ耐性を向上させることが
要求されてきている。しかしながら従来の磁気記録媒体
では、熱揺らぎ耐性の点で満足できるものが得られてい
ないのが現状である。本発明は、上記事情に鑑みてなさ
れたもので、熱揺らぎ耐性に優れた磁気記録媒体、その
製造方法、この磁気記録媒体を容易に製造することがで
きるスパッタリングターゲット、および熱揺らぎ耐性に
優れた磁気記録再生装置を提供することを目的とする。

【０００４】

【課題を解決するための手段】本発明の磁気記録媒体
は、基板上に第１下地膜が設けられ、その上にｈｃｐ構
造をなす第２下地膜が設けられ、その上に磁化容易軸が
基板に対し主に垂直に配向した垂直磁性膜が設けられ、
第１下地膜がＳｉを含む材料からなるものであることを
特徴とする。第１下地膜の厚さは、２〜１０ｎｍとする
のが好ましい。また第２下地膜は、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｒｕ、
Ｒｅ、Ｙ、Ｔｂ、およびＣｏのうち１種または２種以上
を主成分とする材料からなるものとするのが好ましい。
また垂直磁性膜は、Ｃｏ／Ｃｒ系、Ｃｏ／Ｃｒ／Ｐｔ
系、Ｃｏ／Ｃｒ／Ｔａ系、Ｃｏ／Ｃｒ／Ｐｔ／Ｘ系
（Ｘ：Ｔａ、Ｚｒ、Ｃｕ、Ｒｅ、Ｂ、およびＮｂのうち
１種または２種以上）のうちいずれかの合金からなるも
のとするのが好ましい。垂直磁性膜の直下には、ｈｃｐ
構造を有する非磁性中間膜を設けるのが好ましい。また
本発明のスパッタリングターゲットは、磁気記録媒体の
第１下地膜を作製するために用いられるスパッタリング
ターゲットであって、Ｓｉを含む材料からなるものであ
ることを特徴とする。また本発明の磁気記録媒体の製造
方法は、基板上に第１下地膜を形成し、その上にｈｃｐ
構造をなす第２下地膜を形成し、その上に磁化容易軸が
基板に対し主に垂直に配向した垂直磁性膜を形成する製
造方法であって、第１下地膜の材料として、Ｓｉを含む
材料を用いることを特徴とする製造方法である。また本
発明の磁気記録再生装置は、磁気記録媒体と、該磁気記
録媒体に情報を記録再生する磁気ヘッドとを備え、磁気
記録媒体が、基板上に第１下地膜が設けられ、その上に
ｈｃｐ構造をなす第２下地膜が設けられ、その上に磁化
容易軸が基板に対し主に垂直に配向した垂直磁性膜が設
けられ、第１下地膜が、Ｓｉを含む材料からなるもので
あることを特徴とするものである。

【０００５】

【発明の実施の形態】図１は、本発明の磁気記録媒体の
一実施形態を示すもので、ここに示す磁気記録媒体は、
非磁性基板１上に、第１下地膜２、第２下地膜３、非磁
性中間膜４、垂直磁性膜５、および保護膜６を順次形成
してなるものである。非磁性基板１としては、磁気記録
媒体用基板として一般に用いられるＮｉＰメッキ膜が形
成されたアルミニウム合金基板のほか、ガラス基板、セ
ラミック基板、カーボン基板、可撓性樹脂基板、または
これらの基板にＮｉＰ膜をメッキ法やスパッタ法により
形成した基板を用いることができる。

【０００６】第１下地膜２は、角型比を高め、熱揺らぎ
耐性を向上させるためのもので、Ｓｉを含む材料からな
るものである。第１下地膜２には、Ｓｉを含む材料が用
いられる。第１下地膜２は、Ｓｉのみからなるものであ
ってもよいし、Ｓｉを主成分とし、他の元素（例えば
Ｃ、Ｂ、Ｇｅ、Ｐ、Ｃｏのうち１種または２種以上）を
含む材料からなるものであってもよい。第１下地膜２中
のＳｉの含有率は、８０ａｔ％以上（好ましくは９０ａ
ｔ％以上）とするのが望ましい。この含有率が上記範囲
未満であると、熱揺らぎ耐性を向上させる効果が低下す
る。第１下地膜２は、アモルファス構造をなすものであ
ることが望ましい。

【０００７】第１下地膜２の厚さは、２〜１０ｎｍ（す
なわち２０〜１００Å）とするのが好ましい。この厚さ
が上記範囲未満であると、熱揺らぎ耐性を向上させる効
果が低下する。また、この厚さが上記範囲を越えると、
垂直磁性膜５内の磁性粒子の粗大化が起きやすくなり、
ノイズ特性が低下するため好ましくない。

【０００８】第２下地膜３は、垂直磁性膜５のｃ軸を基
板１に対し垂直に配向させ、その垂直配向性を高めるた
めのもので、ｈｃｐ構造をなす材料が用いられる。第２
下地膜３の材料としては、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｒｕ、Ｒｅ、
Ｙ、Ｔｂ、およびＣｏのうち１種または２種以上を主成
分とするものを用いることができる。

【０００９】第２下地膜３の厚さは、３〜１００ｎｍ
（すなわち３０〜１０００Å）とするのが好ましい。こ
の厚さが上記範囲未満であると、熱揺らぎ耐性を向上さ
せる効果が低下する。また、この厚さが上記範囲を越え
ると、垂直磁性膜５内の磁性粒子の粗大化が起きやすく
なり、ノイズ特性が低下するため好ましくない。

【００１０】非磁性中間膜４は、媒体の保磁力および角
型比を高めるためのもので、ｈｃｐ構造を有する非磁性
材料からなるものとするのが好ましい。非磁性中間膜４
の材料としては、Ｃｏ／Ｃｒ系、Ｃｏ／Ｃｒ／Ｐｔ系、
Ｃｏ／Ｃｒ／Ｔａ系、Ｃｏ／Ｃｒ／Ｐｔ／Ｘ系（Ｘ：Ｔ
ａ、Ｚｒ、Ｃｕ、Ｒｅ、およびＢのうち１種または２種
以上）のうちいずれかの合金を用いるのが好適である。
特に、Ｃｒの含有率が２５〜５０ａｔ％、Ｐｔの含有率
が０〜１５ａｔ％、Ｘの含有率が０〜１０ａｔ％、残部
がＣｏからなるＣｏ合金を主成分とするものを用いるの
が好ましい。非磁性中間膜４は、単層構造をなすものと
してもよいし、多層構造をなすものとしてもよい。多層
構造とする場合には、上記材料から選ばれた互いに同一
または異なる複数の材料を多数積層したものとすること
ができる。

【００１１】非磁性中間膜４の厚さは、５０ｎｍ（すな
わち５００Å）以下とするのが好ましい。この厚さが上
記範囲を越えると、垂直磁性膜５内の磁性粒子の粗大化
が起きやすくなり、ノイズ特性が低下するため好ましく
ない。非磁性中間膜４の厚さは５〜２０ｎｍ（５０〜２
００Å）とするのがより好ましい。

【００１２】垂直磁性膜５は、その磁化容易軸が基板に
対し主に垂直方向に配向した磁性材料からなる膜であ
り、Ｃｏ／Ｃｒ系、Ｃｏ／Ｃｒ／Ｐｔ系、Ｃｏ／Ｃｒ／
Ｔａ系、Ｃｏ／Ｃｒ／Ｐｔ／Ｘ系（Ｘ：Ｔａ、Ｚｒ、Ｃ
ｕ、Ｒｅ、Ｂ、およびＮｂのうち１種または２種以上）
のうちいずれかの合金を用いるのが好ましい。特に、Ｃ
ｒの含有率が１３〜２５ａｔ％、Ｐｔの含有率が０〜１
５ａｔ％、Ｘの含有率が０〜５ａｔ％、残部がＣｏから
なるＣｏ合金を用いるのが好ましい。上記各成分の含有
率が上記範囲を外れると、ノイズ特性または再生出力が
低下するおそれがある。

【００１３】垂直磁性膜５の厚さは、１０〜１００ｎｍ
（１００〜１０００Å）とするのが好ましい。垂直磁性
膜５の厚さが上記範囲未満であると、十分な磁束が得ら
れず、再生出力が低下する。また垂直磁性膜５の厚さが
上記範囲を越えると、垂直磁性膜５内の磁性粒子の粗大
化が起きやすくなりノイズ特性が低下するおそれがあ
る。垂直磁性膜５の厚さは、３０〜７０ｎｍ（３００〜
７００Å）とするのがさらに好ましい。これは、垂直磁
性膜５の厚さをこの範囲とすると、再生出力をさらに向
上させるとともに、垂直磁性膜５内の磁性粒子の粗大化
を防ぎ、ノイズ特性をより高めることができるためであ
る。

【００１４】保護膜６は、垂直磁性膜５の腐食を防ぎ、
媒体表面の損傷を防ぐためのもので、従来公知の材料を
使用でき、例えばＣ、ＳｉＯ₂、ＺｒＯ₂、またはこれら
を主成分とし他元素を含むものが使用可能である。保護
膜６の厚さは、耐腐食性、摺動性の点から１〜２０ｎｍ
（すなわち１０〜２００Å）が望ましい。さらには、ス
ペーシングロスを少なくし十分な再生出力を得るために
１〜１０ｎｍ（１０〜１００Å）とするのが好ましい。
また、保護膜６上には、パーフルオロポリエーテル、フ
ッ素化アルコール、フッ素化カルボン酸などからなる潤
滑膜を設けるのが好ましい。

【００１５】図２は、上記磁気記録媒体を用いた磁気記
録再生装置の例を示すものである。ここに示す磁気記録
再生装置は、図１に示す構成の磁気記録媒体７と、磁気
記録媒体７を回転駆動させる媒体駆動部８と、磁気記録
媒体７に情報を記録再生する磁気ヘッド９と、ヘッド駆
動部１０と、記録再生信号処理系１１とを備えている。
記録再生信号処理系１１は、外部からの記録信号を処理
して磁気ヘッド９に送ったり、磁気ヘッド９からの再生
信号を処理して外部に送ることができるようになってい
る。

【００１６】上記構成の磁気記録媒体を製造するには、
基板１上に、第１下地膜２、第２下地膜３、非磁性中間
膜４、垂直磁性膜５を順次をスパッタリング、真空蒸
着、イオンプレーティングなどの手法により形成し、続
いて保護膜６を、プラズマＣＶＤ法、イオンビーム法、
スパッタリング法などにより形成する。

【００１７】第１下地膜２をスパッタリング法により形
成する場合には、上記Ｓｉを含む材料、例えばＳｉを８
０ａｔ％以上含む材料からなるスパッタリングターゲッ
トが用いられる。このスパッタリングターゲットは、カ
ーボン、酸素、窒素、アルミニウムなどの不純物の含有
量が１００重量ｐｐｍ以下であることが望ましい。この
ターゲットとしては、焼結合金ターゲットや、溶製法に
より製造された合金ターゲットを用いることができ、特
に、焼結合金ターゲットを用いるのが好ましい。この焼
結合金ターゲットは、上記材料の粉末を用い、これをＨ
ＩＰ（熱間静水圧プレス）、ホットプレス等の従来公知
の方法により焼結したものとすることができる。なお上
記材料粉末としては、ガスアトマイズ法等の従来公知の
方法により製造したものを用いることができる。

【００１８】また、潤滑膜を形成するには、ディッピン
グ法、スピンコート法などの従来公知の方法を採用する
ことができる。

【００１９】上記構成の磁気記録媒体にあっては、基板
１上に第１下地膜２が設けられ、その上にｈｃｐ構造を
なす第２下地膜３が設けられ、その上に垂直磁性膜５が
設けられ、第１下地膜２は、Ｓｉを含む材料からなるも
のであるので、角型比を高め、熱揺らぎ耐性を向上させ
ることができる。なお、熱揺らぎ現象とは、記録ビット
が不安定となり記録したデータの熱消失が起こる現象を
いい、この現象が起こった場合には、磁気記録再生装置
において記録したデータの再生出力が減衰することがあ
る。

【００２０】また第２下地膜３をｈｃｐ構造をなす材料
からなるものとすることによって、第２下地膜３の上に
非磁性中間膜４を介して形成される垂直磁性膜５の垂直
配向性を高め、ノイズ特性および保磁力を向上させるこ
とができる。この効果は、ｈｃｐ構造の第２下地膜３
が、第１下地膜２と非磁性中間膜４との間の格子の整合
性を向上させることにより得られると考えられる。

【００２１】また、垂直磁性膜５の直下に、ｈｃｐ構造
を有する非磁性中間膜４を設けることによって、垂直磁
性膜５の初期成長時における結晶配向性の乱れを防ぎ、
垂直磁性膜５の結晶配向性を向上させ、高保磁力化、低
ノイズ化を図ることができる。

【００２２】また、上記スパッタリングターゲットによ
れば、Ｓｉを含む材料からなるものであるので、第１下
地膜２を容易に作製することができる。よって、上記磁
気記録媒体の製造を容易にすることができる。

【００２３】また、上記磁気記録再生装置によれば、上
記磁気記録媒体を用いるので、熱揺らぎ現象を防ぎ、再
生出力の減衰を防ぐことができる。

【００２４】なお、上記構成の磁気記録媒体は、ｈｃ
ｐ構造を有する材料からなる非磁性中間膜４を設けた
が、本発明の磁気記録媒体はこれに限らず、非磁性中間
膜４を設けなくてもよい。非磁性中間膜４を設けない場
合の磁気記録媒体を図３に示す。また本明細書において
主成分とは当該成分を５０ａｔ％を越えて含むことを指
す。

【００２５】

【実施例】以下、具体例を示して本発明の作用効果を明
確にする。図１または図３に示す磁気記録媒体を次のよ
うにして作製した。（試験例１）まず、ガラスからなる非磁性基板１（直径
９５ｍｍ、厚さ０．８ｍｍ）をＤＣマグネトロンスパッ
タ装置（アネルバ社製３０１０）のチャンバ内にセット
した。チャンバ内を真空到達度２×１０^-7Ｐａとなるま
で排気するとともに、基板１を２００℃まで加熱した
後、この基板１上に、Ｓｉからなる第１下地膜２、Ｒｕ
からなりｈｃｐ構造を有する第２下地膜３、Ｃｏ−３５
ａｔ％Ｃｒ−５ａｔ％Ｐｔ（Ｃｏ３５Ｃｒ５Ｐｔ）から
なる非磁性中間膜４、Ｃｏ−２０ａｔ％Ｃｒ−１０ａｔ
％Ｐｔ−２ａｔ％Ｂ（Ｃｏ２０Ｃｒ１０Ｐｔ２Ｂ）から
なる垂直磁性膜５を順次スパッタリングにより形成し
た。垂直磁性膜５上には、プラズマＣＶＤ法を用いて厚
さ７０Å（すなわち７ｎｍ）のカーボン保護膜６を形成
した。保護膜６上には厚さ２０Å（すなわち２ｎｍ）の
パーフルポリオロエーテルからなる潤滑膜をディッピン
グ法により形成した。

【００２６】（試験例２）第１下地膜２を設けなかった
こと以外は試験例１と同様にして磁気記録媒体を作製し
た。

【００２７】（試験例３〜５）第１下地膜２の膜厚を変
えたこと以外は試験例１と同様にして磁気記録媒体を作
製した。

【００２８】（試験例６〜８）第２下地膜３の材料を変
えたこと以外は試験例１と同様にして磁気記録媒体を作
製した。

【００２９】（試験例９〜１１）非磁性中間膜４の厚さ
を変えたこと以外は試験例１と同様にして磁気記録媒体
を作製した。

【００３０】（試験例１２〜１５）垂直磁性膜５の厚さ
を変えたこと以外は試験例１と同様にして磁気記録媒体
を作製した。

【００３１】（試験例１６〜１８）垂直磁性膜５の材料
組成を変えたこと以外は試験例１と同様にして磁気記録
媒体を作製した。

【００３２】（試験例１９）非磁性中間膜４を設けなか
ったこと以外は試験例１と同様にして磁気記録媒体を作
製した。

【００３３】各試験例の磁気記録媒体の静磁気特性を振
動式磁気特性測定装置（ＶＳＭ）を用いて測定した。ま
た、これら磁気記録媒体の電磁変換特性を、ＧＵＲＩＫ
社製リードライトアナライザＲＷＡ１６３２、およびス
ピンスタンドＳ１７０１ＭＰを用いて測定した。電磁変
換特性の評価には、磁気ヘッドとして、再生部に巨大磁
気抵抗（ＧＭＲ）素子を有する複合型薄膜磁気記録ヘッ
ドを用い、記録条件を線記録密度１５０ｋＦＣＩとして
測定を行った。上記試験例の磁気記録媒体の静磁気特
性、電磁変換特性の測定結果を表１に示す。また熱揺ら
ぎ耐性については、磁気ヘッドとして上記複合型薄膜磁
気記録ヘッドを用い、線記録密度１５０ｋＦＣＩ、温度
２５℃の条件で、記録直後の出力に対する出力の低下率
（％／ｄｅｃａｄｅ）を、ｌｏｇ｛（Ｓ₀−Ｓ）×１０
０／Ｓ₀｝／３に基づいて算出した。結果を表１に併せ
て示す。なお、Ｓ₀は磁気記録媒体に信号を書き込んだ
直後の出力を示し、Ｓは１０００秒後の出力を示す。

【００３４】

【表１】

【００３５】表１中、試験例１〜５の比較より、第１下
地膜２の厚さを２０〜１００Å（２〜１０ｎｍ）の範囲
とした試験例１および４の磁気記録媒体は、第１下地膜
２の厚さを上記範囲外に設定した試験例２、３および５
の磁気記録媒体に比べ、角型比（Ｍｒ／Ｍｓ）、熱揺ら
ぎ耐性の点で優れていることがわかる。またｈｃｐ構造
の第２下地膜３の材料をＲｕ、Ｔｉ、Ｚｒ、またはＲｕ
５０Ｃｏとした試験例１、６〜８の磁気記録媒体は、角
型比、熱揺らぎ耐性の点でいずれも優れていることがわ
かる。試験例１、９〜１１は、非磁性中間膜４の膜厚に
関係なく、角型比、熱揺らぎ耐性の点で優れており、特
に非磁性中間膜４の厚さを５００Å（５０ｎｍ）以下と
した試験例１、９、および１０の磁気記録媒体は、非磁
性中間膜４の厚さを上記範囲外とした試験例１１の磁気
記録媒体に比べ、優れたノイズ特性を有するものとなっ
た。試験例１、１２〜１５の比較より、垂直磁性膜５の
厚さが１００Å（１０ｎｍ）未満である試験例１２の磁
気記録媒体に比べ、この厚さを１００Å（１０ｎｍ）以
上とした試験例１、１３〜１５の磁気記録媒体は、角型
比、熱揺らぎ耐性の点で優れていることがわかる。特に
垂直磁性膜５の厚さを１００〜１０００Å（１０〜１０
０ｎｍ）の範囲とした試験例１、１３および１４の磁気
記録媒体は、垂直磁性膜５の厚さを上記範囲外に設定し
た試験例１２，１５に比べ、優れたノイズ特性を示すも
のとなった。

【００３６】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の磁気記録
媒体は、基板上に第１下地膜が設けられ、その上にｈｃ
ｐ構造をなす第２下地膜が設けられ、その上に磁化容易
軸が基板に対し主に垂直に配向した垂直磁性膜が設けら
れ、第１下地膜がＳｉを含む材料からなるものであるの
で、角型比を高め、熱揺らぎ耐性を向上させることがで
きる。また、本発明のスパッタリングターゲットによれ
ば、Ｓｉを含む材料からなるものであるので、第１下地
膜を容易に作製することができる。よって、上記磁気記
録媒体の製造を容易にすることができる。また、本発明
の磁気記録再生装置によれば、基板上に第１下地膜が設
けられ、その上にｈｃｐ構造をなす第２下地膜が設けら
れ、その上に磁化容易軸が基板に対し主に垂直に配向し
た垂直磁性膜が設けられ、第１下地膜がＳｉを含む材料
からなるものである磁気記録媒体を用いるので、熱揺ら
ぎ現象を防ぎ、再生出力の減衰を防ぐことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の磁気記録媒体の一実施形態を示す
一部断面図である。

【図２】図１に示す磁気記録媒体を用いた磁気記録
再生装置の一例を示す概略構成図である。

【図３】本発明の磁気記録媒体の他の実施形態を示
す一部断面図である。

【符号の説明】

１・・・基板、２・・・第１下地膜、３・・・第２下地膜、５・・・
垂直磁性膜、７・・・磁気記録媒体、９・・・磁気ヘッド

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 4K029 AA09 BA01 BA24 BA35 BB02 BD11 CA05 DC05 DC34 DC39 GA03 5D006 BB01 BB02 BB07 CA01 CA05 CA06 5D112 AA03 AA05 BB01 BD02 FA04 FB02

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に第１下地膜が設けられ、その
上にｈｃｐ構造をなす第２下地膜が設けられ、その上に
磁化容易軸が基板に対し主に垂直に配向した垂直磁性膜
が設けられ、第１下地膜は、Ｓｉを含む材料からなるも
のであることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項２】請求項１記載の磁気記録媒体におい
て、第１下地膜の厚さは、２〜１０ｎｍであることを特
徴とする磁気記録媒体。
【請求項３】請求項１または２記載の磁気記録媒体
において、第２下地膜は、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｒｕ、Ｒｅ、
Ｙ、Ｔｂ、およびＣｏのうち１種または２種以上を主成
分とする材料からなるものであることを特徴とする磁気
記録媒体。
【請求項４】請求項１〜３のうちいずれか１項記載
の磁気記録媒体において、垂直磁性膜が、Ｃｏ／Ｃｒ
系、Ｃｏ／Ｃｒ／Ｐｔ系、Ｃｏ／Ｃｒ／Ｔａ系、Ｃｏ／
Ｃｒ／Ｐｔ／Ｘ系（Ｘ：Ｔａ、Ｚｒ、Ｃｕ、Ｒｅ、Ｂ、
およびＮｂのうち１種または２種以上）のうちいずれか
の合金からなるものであることを特徴とする磁気記録媒
体。
【請求項５】請求項１〜４のうちいずれか１項記載
の磁気記録媒体の第１下地膜を作製するために用いられ
るスパッタリングターゲットであって、Ｓｉを含む材料
からなるものであることを特徴とするスパッタリングタ
ーゲット。
【請求項６】基板上に第１下地膜を形成し、その上
にｈｃｐ構造をなす第２下地膜を形成し、その上に磁化
容易軸が基板に対し主に垂直に配向した垂直磁性膜を形
成する磁気記録媒体の製造方法であって、第１下地膜の
材料として、Ｓｉを含む材料を用いることを特徴とする
磁気記録媒体の製造方法。
【請求項７】磁気記録媒体と、該磁気記録媒体に情
報を記録再生する磁気ヘッドとを備え、磁気記録媒体が、基板上に第１下地膜が設けられ、その
上にｈｃｐ構造をなす第２下地膜が設けられ、その上に
磁化容易軸が基板に対し主に垂直に配向した垂直磁性膜
が設けられ、第１下地膜が、Ｓｉを含む材料からなるも
のであることを特徴とする磁気記録再生装置。