JP4491768B2 - 垂直磁気記録媒体およびその製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は各種磁気記録装置に搭載される垂直磁気記録媒体およびその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
磁気記録の高密度化を実現する技術として、従来の面内記録方式に代えて、垂直磁気記録方式が注目されつつある。
【0003】
垂直磁気記録媒体は、主に、硬質磁性材料の磁気記録層と、磁気記録層を目的の方向に配向させるための下地層、磁気記録層の表面を保護する保護層、そして磁気記録層への記録に用いられる磁気ヘッドが発生する磁束を集中させる役割を担う軟磁性材料の裏打ち層から構成される。
【0004】
近年、面内記録方式の磁気記録媒体では、記録密度が上昇するにつれ、熱安定性すなわち熱揺らぎによる記録消失の問題が顕在化してきている。一方、垂直記録媒体では高密度になるほどビット(記録)の安定性が増すため、熱安定性については面内記録方式ほど問題にならないと考えられていた。しかし、今後、磁気記録層のさらなる薄膜化が進み、熱安定性が不充分となる可能性が考えられる。また、サーポパターンのような低密度の記録に対する安定性も求められている。これらのことから、最近では垂直記録媒体においても熱安定性の向上が重要な課題となっている。
【0005】
垂直磁気記録媒体の熱安定性は磁気記録層の一軸異方性定数(以下、Ku)に比例することから、熱安定性を向上させるにはKuを高くすれば良い。最近行われている高Ku化へのアプローチとして具体例を挙げると、Co/Pt多層積層膜、Co/Pd多層積層膜、CoPt規則格子、FePt規則格子、TbFeCo等のアモルファス材料の利用などがある。しかし、多層積層膜はその製造プロセスが量産に向かず、また規則格子では規則化のための熱処理が必要であり、アモルファス材料では耐食性の向上が課題であるなど、いずれも実用化までに解決すベき問題を含んでいるというのが実情である。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
前述の通り、高Ku材料である、Co/Pt・Co/Pd多層積屠腹、CoPt・FePt等の規則格子、TbFeCo等のアモルファス材料は、大量生産を考えた場合に何れも問題がある。そこで、実際の大量生産を考慮した場合には、従来のCoCr系の磁気記録材料を用いて高Ku化を図り、それによって熱安定性の向上を図ることが望ましい。しかし、材料組成を変えることによるKuの上昇には限界があり、組成変更以外の方策が求められていた。
【0007】
【課題を解決するための手段】
上記の問題を解決する手段として、以下の方法を提案する。
【0008】
(1)磁気記録層の材料よりもa軸の格子定数が大きい、Ru、Ti、TiCr、Re、CoCr、CuZn、IrMo、Ir2W、MoPt、MoRh2などの六方最密充填(以下、hcpと称する)型の結晶構造を持つ金属および合金を、下地層として用いる。これにより、磁気記録層のa軸格子定数が増大し、相対的にc軸格子定数が減少することで磁歪が増し、Kuが上昇する。但し、格子定数のミスフィットが大きすぎる場合は磁気記録層の結晶構造(格子定数)が下地層に従わないため、ミスフィットの上限は20%程度を目安とする。
【0009】
(2)(下地層のa軸格子定数)×1/√2の長さが、磁気記録層の材料のa軸格子定数よりも大きい、Pd、Cu、Au、Ir、Pt、Rh、Ag、Ni3Al、Co3Tiなどの面心立方格子(以下、fccと称する)型の結晶構造を持つ金属および合金を、下地層として用いる。これにより、磁気記録層のa軸格子定数が増大し、相対的にc軸格子定数が減少することで磁歪が増し、Kuが上昇する。磁気記録層の格子定数と(下地層のa軸格子定数)×1/√2のミスフィットの上限は(2)と同様に20%程度とする。
【0010】
(3)(1)あるいは(2)の下地層を用い、磁気記録層の成膜直後に急冷することにより膜内に歪を導入し、磁歪によりKuおよび保磁力Hcを上昇させる。
【0011】
(4)または、(1)あるいは(2)の下地層を用い、磁気記録層の成膜後に急加熱し、急冷することで(3)と同様の効果を得る。
【0012】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好ましい形態について説明する。図1は本発明に係る垂直磁気記録媒体(磁気記録層および軟磁性裏打ち層の2つの磁性層を有する垂直二層媒体)の断面模式図である。垂直磁気記録媒体は、非磁性基体1上に少なくとも、下地層3、磁気記録層4、および保護層5が順に形成された構造を有しており、さらにその上に液体潤滑材層6が形成されている。軟磁性裏打ち層2は、非磁性基体1と下地層3との間に設けられ、記録時にヘッドから発生する磁束の広がりを防止し、垂直方向の磁界を確保する役割を果たす。したがって軟磁性裏打ち層2がある方が望ましいが、該層が無くても記録は可能である。
【0013】
非磁性基体1としては、通常の磁気記録媒体用に用いられる、NiPメッキを施したAl合金、強化ガラス、または結晶化ガラス等を用いることができる。必要に応じて、表面処理を施すことにより、非磁性基体1に対して所望の表面粗さまたは表面形状を付与することができる。
【0014】
次に、非磁性基体1の表面上に、軟磁性裏打ち層2を設けてもよい。前述のように、軟磁性裏打ち層2は、ヘッドからの磁束を集中させて垂直方向磁界を確保するのに有効であるが、設けなくてもよい。軟磁性裏打ち層2の材料として、結晶のNiFe合金、センダスト(FeSiAl)合金等、または非晶質のCo合金を用いることができる。非晶質のCo合金としては、CoZrNbなどを用いることができる。軟磁性裏打ち層2の膜厚は、記録に使用する磁気ヘッドの構造や特性によって最適値が変化する。生産性を考慮すると、一般的に約10nm以上500nm以下程度であることが望ましい。
【0015】
軟磁性裏打ち層2は、蒸着、スパッタ、電子ビーム蒸着、CVDのような当該技術において知られている任意の方法を用いて形成することができる。スパッタ法を用いることが好ましく、特にDCマグネトロンスパッタ法を用いることが好ましい。軟磁性裏打ち層2を、基体を加熱しながら、または基体に対してバイアス電圧を印加しながら形成してもよい。基体を加熱する場合の温度は、所望される特性に依存して決定される。一般的に、150〜350℃の温度範囲を用いることが好ましい。
【0016】
次に、非磁性基体1または軟磁性裏打ち層2の表面上に、下地層を設ける。本発明の下地層3は、その上に形成される磁気記録層4の結晶構造に対して歪みを導入し、磁気記録層4の一軸異方性Kuおよび保磁力Hcを増大させるために用いられる。下地層3は、5〜30nmの膜厚を有することが好ましい。本発明においては、磁気記録層のhcp構造をa軸方向に拡張するような歪みを与える。下地層3として、適切なa軸格子定数を持つhcpおよびfcc構造を有する、種々の金属または合金を用いることができる。
【0017】
Ruは、磁気記録層4のa軸格子定数の110%のa軸格子定数を有し、下地層3として好ましいhcp構造を有する材料である。また、下地層3として好ましいhcp構造を有する他の材料は、a軸格子定数が磁気記録層の材料のa軸格子定数の100%よりも大きく120%以下である金属および合金材料である、Ti、TiCr、Re、CoCr、CuZn、IrMo、Ir2W、MoPt、MoRh2などを含む。hcp構造を有する下地層材料のa軸格子定数は、磁気記録層材料のa軸格子定数の105%よりも大きく110%以下であることがより好ましい。前述の範囲のa軸格子定数を有することによって、磁気記録層4の結晶構造を下地層3の結晶構造に良好に追随させ、および効率的に歪みを与えることが可能となる。
【0018】
下地層3として好ましいfcc構造を有する材料は、(a軸格子定数)×1/√2が磁気記録層の材料のa軸格子定数の100%よりも大きく120%以下である、Pd、Cu、Au、Ir、Pt、Rh、Ag、Ni3Al、Co3Tiなどを含む。fcc構造を有する下地層材料のa軸格子定数×1/√2は、磁気記録層材料のa軸格子定数の105%よりも大きく110%以下であることがより好ましい。前述の範囲のa軸格子定数を有することによって、磁気記録層の結晶構造を下地層の結晶構造に良好に追随させ、および効率的に歪みを与えることが可能となる。
【0019】
下地層3は、蒸着、スパッタ、電子ビーム蒸着、CVDのような当該技術において知られている任意の方法を用いて形成することができる。スパッタ法を用いることが好ましく、特にDCマグネトロンスパッタ法を用いることが好ましい。下地層3を、基体を加熱しながら、または基体に対してバイアス電圧を印加しながら形成してもよい。基体を加熱する場合の温度は、所望される特性に依存して決定される。一般的に、150〜350℃の温度範囲を用いることが好ましい。
【0020】
なお、本明細書におけるa軸格子定数は、特に指定のない限り、バルク(無歪み)状態におけるものである。これらのa軸格子定数は、種々の文献に記載されている。特に複雑な合金などに関しては、ガラス基板上に目的とする合金の膜を単独で形成し、それをX線回折により分析することで求めることができる。以下に、本発明の磁気記録層および下地層に用いることができる代表的材料のa軸格子定数を示す。(Ni15Fe25Crは、全原子数を基準として15原子%のFeと、25原子%のCrと、残余のNiとからなる合金を示す。)
【0021】
【表1】
【0022】
次に、下地層3の表面上に、磁気記録層4を設ける。磁気記録層4の材料として、少なくともCoおよびCrを含む合金の強磁性材料が好適に用いられる。好ましい合金は、hcp構造を有するCoCr、CoCrPt、またはCoCrTaを含む。垂直磁気記録媒体用の磁気記録層4として用いる場合には、これらの合金のhcp構造のc軸(すなわち、磁化容易軸)が層表面に対して垂直方向に配向していることが必要である。
【0023】
磁気記録層4は、蒸着、スパッタ、電子ビーム蒸着、CVDのような当該技術において知られている任意の方法を用いて形成することができる。スパッタ法を用いることが好ましく、特にDCマグネトロンスパッタ法を用いることが好ましい。磁気記録層4を、基体を加熱しながら、または基体に対してバイアス電圧を印加しながら形成してもよい。基体を加熱する場合の温度は、所望される特性に依存して決定される。一般的に、150〜350℃の温度範囲を用いることが好ましい。
【0024】
本発明において、磁気記録層4をその形成直後に急冷することによって、磁気記録層4に歪みを導入し、磁気異方性および保磁力を増大させることができる。本明細書において「急冷」とは、10〜30℃/分の速度で、磁気記録層4の温度を100〜300℃低下させることを意味する。好ましくは、急冷において、磁気記録層の温度は、20〜25℃/分の速度で、150〜200℃低下させられる。
【0025】
そのような急冷は、成膜チャンバ内に不活性ガスなどの冷媒を導入すること、あるいは成膜中の磁気記録媒体を保持しているホルダを冷媒で冷却することによって実施することができる。あるいはまた、成膜チャンバに隣接する冷却チャンバ内に成膜中の磁気記録媒体を移動させ、該冷却チャンバ内で上記操作を行ってもよい。好ましくは、急冷は冷却チャンバ内で行われる。
【0026】
また、本発明において、磁気記録層4をその形成直後に急冷する前に急加熱を行ってもよい。この方法は、特に磁気記録層4の形成を比較的低温(室温〜250℃)で行った場合に有効である。本明細書において「急加熱」とは、10〜35℃/分の速度で、磁気記録層4の温度を100〜400℃上昇させることを意味する。好ましくは、急加熱において、磁気記録層の温度は、10〜20℃/分の速度で、100〜200℃上昇させられる。
【0027】
そのような急加熱は、ランプヒータ、シースヒータ、成膜中の磁気記録媒体を保持しているホルダを熱媒で加熱すること、あるいは誘導加熱のような、当該技術において知られている任意の手段によって実施することができる。
【0028】
磁気記録層4の急冷または急加熱・急冷処理を行った後に、磁気記録層4の表面上に保護層5を形成する。保護層5は、保護層として従来より使用されている材料を用いて形成することができ、たとえばカーボンを主体とする材料から形成することができる。保護層5の膜厚などの条件は、通常の磁気記録媒体で用いられる諸条件をそのまま用いることができる。
【0029】
保護層5は、蒸着、スパッタ、電子ビーム蒸着、CVDのような当該技術において知られている任意の方法を用いて形成することができる。スパッタ法を用いることが好ましく、特にDCマグネトロンスパッタ法を用いることが好ましい。保護層5を、基体を加熱しながら、または基体に対してバイアス電圧を印加しながら形成してもよい。基体を加熱する場合の温度は、所望される特性に依存して決定される。一般的に、250〜300℃の温度範囲を用いることが好ましい。
【0030】
最後に、保護層5の表面上に、液体潤滑材層6を設ける。液体潤滑材層6は、たとえば、パーフルオロポリエーテル系の潤滑剤等の従来より使用されている材料を用いることができる。液体潤滑材層6の膜厚などの条件は、通常の磁気記録媒体で用いられる諸条件をそのまま用いることができる。
【0031】
液体潤滑材層6は、ディップ法、スピンコート法、ロール塗布法などの当該技術において知られている任意の方法を用いて形成することができる。ディップ法を用いることが好ましい。
【0032】
また、本発明において、下地層3もしくは存在する場合には軟磁性裏打ち層2から保護層5までの層を、同一装置内で形成させることが可能である。特に、各層の形成において減圧条件を用いる場合には、同一装置内で減圧を破ることなしに、前記各層を形成することが好ましい。
【0033】
【実施例】
以下に本発明の実施例を記す。
(実施例1)
非磁性基体として表面が平滑な化学強化ガラス基板(例えばH0YA社製N−10ガラス基板)を用いた。該基板を洗浄後スパッタ装置内に導入し、Ruターゲットを用いて厚さ5nmのRu下地層を成膜した。引き続いてランプヒータを用いて基板表面温度が300℃になるように加熱を行なった後、Co20Cr10Ptターゲットを用いて厚さ20nmのCoCrPt磁気記録層を成膜した。次に成膜中の基板を冷却チャンバに導入し、7秒間で基板温度を300℃から150℃まで低下させるような速度で急冷した。再び、成膜中の基板を成膜チャンバに移し、最後にカーボンターゲットを用いてカーボンからなる厚さ10nmの保護層を成膜し、真空装置から取り出した。ヒータ加熱および急冷を除くこれらの成膜はすべてArガス圧5mTorr(0.67Pa)下でDCマグネトロンスパッタリング法により行なった。その後、パーフルオロポリエーテルからなる厚さ2nmの液体潤滑材層をディッフ法により形成し、単層の垂直磁気記録媒体とした。
【0034】
完成した垂直磁気記録媒体について、VSM(振動試料磁力計)を用いて保磁力Hcを、トルクメ―タを用いてKuを、X線回折装置を用いて磁気記録層のc軸格子定数を評価した。また、TEMによる構造観察を行った。表2に、下地層として、(a軸格子定数)×1/√2の長さが磁気記録層のa軸格子定数とほば同じでfcc型の結晶構造を持つ合金であるNi15Fe25Crを用いた場合(比較例1)、Ruを下地として用い急冷をしなかった場合(比較例2)と比較して、本実施例における媒体の諸特性を示す。
【0035】
【表2】
【0036】
磁気記録層とほぼ格子整合しているNi15Fe25Cr下地層を、より大きなa軸格子定数を有するRu下地層に変更することで、Hc、Kuともに上昇し、また磁気記録層のc軸格子定数が減少していることがわかる。また、同じRu下地層を用いた場合でも、磁気記録層成膜後に急冷することでHcおよびKuともに1割以上上昇し、磁気記録層のc軸格子定数は減少している。通常のX線回折装置では、磁気記録媒体中に積層された磁気記録層のa軸格子定数の測定は不可能であるため類推するしかないが、c軸が縮んだ分(体積が一定になるような割合で)相対的にa軸が伸び、磁歪が増していると推測される。TEM観察により、これらのサンプルの微細構造に大きな違いはないことがわかっていることから、HcおよびKuの変化は、磁気記録層の結晶格子が歪んだことによる磁歪の影響であると考えられる。このように、磁気記録層の組成を変更することなく、下地層を変更し、磁気記録層成膜直後に急冷を加えることで、KuおよびHcを上昇させることができた。微細構造が同等の磁気記録層を有する磁気記録媒体の熱安定性はKuに比例するため、本実施例により磁気記録媒体の熱安定性が向上する。
【0037】
(実施例2)
下地層としてRuの代わりにPdターゲットを用いて厚さ5nmのPdを成膜し、Co17Cr17Ptターゲットを用いて厚さ20nmのCoCrPt磁気記録層を成膜した以外は実施例1と全く同様にして垂直媒体を作製した。表3に急冷をした場合と急冷しなかった場合(比較例3)のHc、Kuおよびc軸格子定数を示す。
【0038】
【表3】
【0039】
なお、上記特性は実施例1と同様にそれぞれVSM、トルクメータ、X線回折装置を用いて測定した。表からわかるように、実施例1と同様に磁気記録層のc軸格子定数が減少し、HcおよびKuが増加している。これらの結果から、本実施例でも媒体の熱安定性を向上させることができた。
【0040】
(実施例3、4)
非磁性基体として表面が平滑な化学強化ガラス基板(例えばHOYA社製N−10ガラス基板)を用い、これを洗浄後スパッタ装置内に導入し、Co5Zr8Nbターゲットを用いて厚さ200nmのCoZrNb軟磁性裏打ち層を成膜した。次に、Ruターゲットを用いて厚さ5nmのRu下地層を成膜した。引き続いてランプヒータを用いて基板表面温度が220℃になるように加熱を行なった後、Co20Cr10Ptターゲットを用いて厚さ20nmのCoCrPt磁気記録層を成膜した。引き続いてランプヒータを用いて基板表面温度が320℃になるように加熱を行った後、成膜中の基板を冷却チャンバに導入し、7秒で基板温度が320℃から150℃まで低下するような速度で急冷した。再び、成膜中の基板を成膜チャンバに移し、最後にカーボンターゲットを用いてカーボンからなる厚さ10nmの保護層を成膜し、真空装置から取り出した。ヒータ加熱および急冷を除くこれらの成膜はすべてArガス圧5mTorr(0.67Pa)下でDCマグネトロンスパッタリング法により行なった。その後、パーフルオロポリエーテルからなる厚さ2nmの液体潤滑材層をディップ法により形成し、垂直磁気記録媒体とした。
【0041】
磁気記録層成膜前の加熱温度、成膜後の急加熱の有無、急冷の有無を変更したことを除いて、上記の方法により種々の磁気記録媒体を作成した。それら磁気記録媒体にについて、Kerr効果(外部磁界を印加しながら、入射光の偏向面の回転角を測定)を用いて保磁力Hcを、X線回折装置を用いて磁気記録層のc軸格子定数を測定した。図2に磁気記録層のc軸格子定数と保磁力Hcの関係を示す。図2中に矢印で示す点が、上記の方法で作成した実施例3の磁気記録媒体の特性である。代表的な磁気記録媒体の特性を、以下の表4に示す。
【0042】
【表4】
【0043】
図2からわかるように、磁気記録層のc軸格子定数が減少するに従い、保磁力Hcが上昇する傾向が見られ、実施例3の磁気記録媒体では、c軸格子定数4.123[Å]、Hc=318.6[kA/m](4004[Oe])が得られている。また、急加熱を行った実施例3の磁気記録媒体は、磁気記録層形成後の急加熱を行わなかった実施例4よりも大きなHcおよび小さいc軸格子定数を有することが分かった。なお、軟磁性裏打ち層のついた媒体では、トルクメータによるKuの測定ができないため定性的な判断になるが、図中に示した媒体では微細構造に変化が無いことを確認しており、Hcの上昇は実施例1と同様に磁歪による一軸異方性の上昇であると考えられる。すなわち、実施例3においても実施例1同様にKuが増大しているとみなすことができる。よって、実施例3の急加熱工程により、媒体の熱安定性を向上させることができた。
【0044】
(実施例5)
下地層としてRuの代わりにTi10Crターゲットを用いて厚さ10nmのTiCrを成膜した以外は実施例3と全く同様にして垂直記録媒体を作製した。表3に、磁気記録層形成直後の急加熱および急冷をしていないサンプル(比較例5)と本実施例のサンプルとのHc、磁気記録層のc軸格子定数およびD50を示す。D50とは、スピンスタンドテスタ上で媒体出力の記録周波数依存性を測定した際に、出力が最大値の半分になる周波数(単位:磁束変化数毎インチ(FCI))を意味し、D50が大きいほど高密度まで記録できる。
【0045】
【表5】
【0046】
実施例3と同様に、急加熱・急冷によりHcの向上およびc軸格子定数の減少が見られる。本実施例の媒体も軟磁性裏打ち層がついているため、トルクメータによるKuの測定はできないが、実施例3と同様に熱安定性が向上していると考える。また表3からわかるように、加熱・急冷によりD50が約1割向上しており、更に高密度まで記録可能になっていることがわかる。以上から、本実施例により熱安定性の向上に加え、記録特性を向上させることができた。
【0047】
【発明の効果】
以上述べたように本発明によれば、磁気記録層の熱安定性が向上することから、媒体の信頼性向上につながる。また本発明は、従来のCoCr系磁気記録材料を使用でき、成膜も従来の装置を用いて実施可能であることから、大量生産に向いている。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る垂直二層媒体の断面模式図である。
【図2】実施例3に係る磁気記録層のc軸格子定数と保磁力Hcの関係を示すグラフである。
【符号の説明】
1 非磁性基板
2 軟磁性裏打ち層
3 下地層
4 磁気記録層
5 保護層
6 液体潤滑剤層
Claims (6)
- 非磁性基体上に下地層を積層する工程と、
該下地層の上に、磁気記録層を形成する工程と、
該磁気記録層を急冷する工程と、
該磁気記録層の上に、保護層を積層する工程と、
該保護層の上に、液体潤滑剤層を積層する工程と
を少なくともこの順に具え、
該下地層を、六方最密充填構造を有し、かつそのa軸格子定数が磁気記録層の材料のa軸格子定数の105%より大きく120%以下となるような金属あるいは合金材料で形成し、
該磁気記録層の一軸異方性Kuおよび保磁力Hcを向上させることを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方法。 - 非磁性基体上に下地層を積層する工程と、
該下地層の上に、磁気記録層を形成する工程と、
該磁気記録層を急加熱する工程と、
該磁気記録層を急冷する工程と、
該磁気記録層の上に、保護層を積層する工程と、
該保護層の上に、液体潤滑剤層を積層する工程と
を少なくともこの順に具え、
該下地層を、六方最密充填構造を有し、かつそのa軸格子定数が磁気記録層の材料のa軸格子定数の105%より大きく120%以下となるような金属あるいは合金材料で形成し、
該磁気記録層の一軸異方性Kuおよび保磁力Hcを向上させることを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方法。 - 前記金属あるいは合金材料は、Ru、Ti、TiCr、Re、CoCr、CuZn、IrMo、Ir2W、MoPtおよびMoRh2からなる群から選択されることを特徴とする請求項1または2に記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
- 非磁性基体上に下地層を積層する工程と、
該下地層の上に、磁気記録層を形成する工程と、
該磁気記録層を急冷する工程と、
該磁気記録層の上に、保護層を積層する工程と、
該保護層の上に、液体潤滑剤層を積層する工程と
を少なくともこの順に具え、
該下地層を、面心立方格子構造を有し、かつ(a軸格子定数)×1/√2が磁気記録層の材料のa軸格子定数の105%より大きく120%以下となるような金属あるいは合金材料で形成し、
該磁気記録層の一軸異方性Kuおよび保磁力Hcを向上させることを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方法。 - 非磁性基体上に下地層を積層する工程と、
該下地層の上に、磁気記録層を形成する工程と、
該磁気記録層を急加熱する工程と、
該磁気記録層を急冷する工程と、
該磁気記録層の上に、保護層を積層する工程と、
該保護層の上に、液体潤滑剤層を積層する工程と
を少なくともこの順に具え、
該下地層を、面心立方格子構造を有し、かつ(a軸格子定数)×1/√2が磁気記録層の材料のa軸格子定数の105%より大きく120%以下となるような金属あるいは合金材料で形成し、
該磁気記録層の一軸異方性Kuおよび保磁力Hcを向上させることを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方法。 - 前記金属あるいは合金材料は、Pd、Cu、Au、Ir、Pt、Rh、Ag、Ni3AlおよびCo3Tiからなる群から選択されることを特徴とする請求項4または5に記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
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