JP6205871B2 - 磁気記録媒体 - Google Patents
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Description
長尺状の基体と、シード層と、下地層と、グラニュラ構造を有する垂直記録層とを備え、
(Msαδ1.5(1−Rs)0.33)、Ms、およびαが以下の関係を満たしている、軟磁性材料を含む裏打ち層を有さない磁気記録媒体である。
(Msαδ1.5(1−Rs)0.33)≦0.1[μ・emu・(mm)-1.5]
Ms≧450[emu/cc]
α≧1.2
(但し、Ms:飽和磁化量、α:抗磁力Hc近傍におけるM−Hループの傾き、δ:垂直記録層の厚さ、Rs:角型比である。)
1 磁気記録媒体の構成
2 スパッタ装置の構成
3 磁気記録媒体の製造方法
4 効果
5 変形例
図1は、本技術の一実施形態に係る磁気記録媒体の構成の一例を模式的に示す断面図である。本実施形態に係る磁気記録媒体は、いわゆる単層垂直磁気記録媒体であり、図1に示すように、基体11と、基体11の表面に設けられたシード層12と、シード層12の表面に設けられた下地層13と、下地層13の表面に設けられた磁気記録層14と、磁気記録層14の表面に設けられた保護層15と、保護層15の表面に設けられたトップコート層16とを備える。本実施形態に係る磁気記録媒体は、例えばリングタイプヘッドにて情報信号を記録可能な磁気記録媒体である。なお、本明細書では、軟磁性裏打ち層を持たない磁気記録媒体を「単層垂直磁気記録媒体」と称し、軟磁性裏打ち層を有する磁気記録媒体を「二層垂直磁気記録媒体」と称する。
F(Ms,α,δ,Rs)=(Msαδ1.5(1−Rs)0.33)[μ・emu・(mm)-1.5]
(但し、Ms:飽和磁化量、α:抗磁力Hc近傍におけるM−Hループの傾き、δ:磁気記録層14の厚さ、Rs:角型比である。)
f(Ku,V,T)=(KuV/kBT)
(但し、Ku:磁気異方性エネルギー、V:活性化体積、kB:ボルツマン定数、T:絶対温度である。)
F(Ms,α,δ,Rs)≦0.1[μ・emu・(mm)-1.5]
Ms≧450[emu/cc]
α≧1.2
f(Ku,V,T)≧65
支持体となる基体11は、例えば、長尺状のフィルムである。基体11としては、可撓性を有する非磁性基体を用いることが好ましい。非磁性基体の材料としては、例えば、通常の磁気記録媒体に用いられる可撓性の高分子樹脂材料を用いることができる。このような高分子樹脂材料の具体例としては、ポリエステル類、ポリオレフィン類、セルロース誘導体、ビニル系樹脂、ポリイミド類、ポリアミド類またはポリカーボネートなどが挙げられる。
シード層12は、基体11と下地層13との間に設けられている。シード層12は、アモルファス状態を有し、融点が2000℃以下である金属を含んでいることが好ましい。シード層12が、融点2000℃以下の金属以外にO(酸素)をさらに含んでいてもよい。この酸素は、例えば、スパッタリング法などの成膜法でシード層12を成膜する際に、シード層12内に微量に含まれる不純物酸素である。ここで、「シード層」とは、下地層13に類似した結晶構造を有し、結晶成長を目的として設けられる中間層ではなく、当該シード層12の平坦性およびアモルファス状態によって下地層13の垂直配向性を向上する中間層のことを意味する。「合金」とは、TiおよびCrを含む固溶体、共晶体、および金属間化合物などの少なくとも一種を意味する。「アモルファス状態」とは、電子線回折法により、ハローが観測され、結晶構造を特定できないことを意味する。
下地層13は、磁気記録層14と同様の結晶構造を有していることが好ましい。磁気記録層14がCo系合金を含んでいる場合には、下地層13は、Co系合金と同様の六方細密充填(hcp)構造を有する材料を含み、その構造のc軸が膜面に対して垂直方向(すなわち膜厚方向)に配向していることが好ましい。磁気記録層14の配向性を高め、かつ、下地層13と磁気記録層14との格子定数のマッチングを比較的良好にできるからである。六方細密充填(hcp)構造を有する材料としては、Ruを含む材料を用いることが好ましく、具体的にはRu単体またはRu合金が好ましい。Ru合金としては、例えば、Ru−SiO2、Ru−TiO2またはRu−ZrO2などのRu合金酸化物が挙げられる。
磁気記録層14は、記録密度を向上する観点から、Co系合金を含む、グラニュラ構造を有する垂直記録層であることが好ましい。このグラニュラ磁性層は、Co系合金を含む強磁性結晶粒子と、この強磁性結晶粒子を取り巻く非磁性粒界(非磁性体)とから構成されている。より具体的には、このグラニュラ磁性層は、Co系合金を含むカラム(柱状結晶)と、このカラムを取り囲み、それぞれのカラムを磁気的に分離する非磁性粒界(例えばSiO2などの酸化物)とから構成されている。この構造では、それぞれのカラムが磁気的に分離した構造を有する前記磁気記録層を構成することができる。
(CoxPtyCr100-x-y)100-z−(SiO2)z ・・・(1)
(但し、式(1)中において、x、y、zはそれぞれ、69≦X≦72、12≦y≦16、9≦Z≦12の範囲内の値である。)
保護層15は、例えば、炭素材料または二酸化ケイ素(SiO2)を含み、保護層15の膜強度の観点からすると、炭素材料を含んでいることが好ましい。炭素材料としては、例えば、グラファイト、ダイヤモンド状炭素(Diamond-Like Carbon:DLC)またはダイヤモンドなどが挙げられる。
トップコート層16は、例えば潤滑剤を含んでいる。潤滑剤としては、例えば、シリコーン系潤滑剤、炭化水素系潤滑剤またはフッ素化炭化水素系潤滑剤などを用いることができる。
図2は、本技術の一実施形態に係る磁気記録媒体の製造に用いられるスパッタ装置の構成の一例を示す概略図である。このスパッタ装置は、シード層12、下地層13および磁気記録層14の成膜に用いられる連続巻取式スパッタ装置であり、図2に示すように、成膜室21と、ドラム22と、カソード23a〜23cと、供給リール24と、巻き取りリール25とを備える。スパッタ装置は、例えばDC(直流)マグネトロンスパッタリング方式の装置であるが、スパッタリング方式はこの方式に限定されるものではない。
本技術の一実施形態に係る磁気記録媒体は、例えば、以下のようにして製造することができる。
以上により、図1に示した磁気記録媒体が得られる。
一実施形態に係る磁気記録媒体は、基体11の表面に、シード層12、下地層13、グラニュラ構造を有する磁気記録層(垂直記録層)14をこの順序で積層した積層構造有している。そして、関係式F(Ms,α,δ,Rs)、飽和磁化量MsおよびHc近傍におけるM−Hループの傾きαが以下の関係を満たしている。したがって、良好なSNRを有する磁気記録媒体を実現できる。
F(Ms,α,δ,Rs)≦0.1[μ・emu・(mm)-1.5]
Ms≧450[emu/cc]
α≧1.2
f(Ku,V,T)≧65
上述の一実施形態では、シード層12の構成を単層構造とする場合を例として説明したが、図3に示すように、シード層12の構成を第1のシード層(下側シード層)12aおよび第2のシード層(上側シード層)12bを備える2層構造としてもよい。この場合、第1のシード層12aが基体11の側に設けられ、第2のシード層12bが下地層13の側に設けられる。第1のシード層12aは、上述の一実施形態におけるシード層12と同様のものを用いることができる。第2のシード層12bは、例えば第1のシード層12aとは異なる組成の材料を含んでいる。この材料の具体例としては、NiWまたはTaなどが挙げられる。このようにシード層12が2層構造を有する場合には、下地層13および磁気記録層14の配向性をさらに改善し、磁気特性をさらに向上させることが可能となる。なお、シード層12の構成を3層以上の多層構造体としてもよい。
本実施例において、非磁性基体上に積層される各層の厚さは、以下のように測定した。まず、磁気テープをその主面に対して垂直に切り出し、その断面をTEM(Transmission Electron Microscope)により撮影した。次に、撮影したTEM写真から各層の厚さを求めた。
(シード層の成膜工程)
まず、以下の成膜条件にて、非磁性基体としての高分子フィルム上にTiCrシード層を5nm成膜した。
スパッタリング方式:DCマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット:TiCrターゲット(但し、実施例1−2では、実施例1−1、1−3〜1−8、比較例1−1〜1−4とは異なる組成のTiCrターゲットを使用して、表1に示すようにTiCrシード層の組成を変更した。)
バックグラウンド圧:1.0×10-5Pa
ガス種:Ar
ガス圧:0.5Pa
本明細書において、バックグラウンド圧(BG圧)とは、スパッタリング開始直前の圧力のことをいう。
次に、以下の成膜条件にて、TiCrシード層上にRu下地層を20nm成膜した。
スパッタリング方式:DCマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット:Ruターゲット
バックグラウンド圧:1.0×10-5Pa
ガス種:Ar
ガス圧:サンプルに応じて、以下のようにガス圧を変更した。
実施例1−1〜1−6、比較例1−1〜1−3:1.5Pa
比較例1−4:0.3Pa
実施例1−7:0.7Pa
実施例1−8:1.0Pa
次に、以下の成膜条件にて、Ru下地層上に(CoCrPt)−(SiO2)磁気記録層を20nm成膜した。
スパッタリング方式:DCマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット:(CoCrPt)−(SiO2)ターゲット(但し、表1に示す組成を有する磁気記録層が形成されるように、サンプルに応じて(CoCrPt)−(SiO2)ターゲットの組成を調製した。)
バックグラウンド圧:1.0×10-5Pa
ガス種:サンプルに応じて、以下のように導入ガス種を変更した。
実施例1−1〜1−5、1−7、1−8、比較例1−1〜1−4:Arガスのみ導入した。
実施例1−6:Arガス導入に加えて、ArとO2(3%)の混合ガスを同時に導入した。なお、混合ガスのガス流量は5sccmとした。
ガス圧:サンプルに応じて、以下のようにガス圧を変更
実施例1−1〜1−6、比較例1−1〜1−3:1.3Pa
実施例1−7、1−8、比較例1−4:1.5Pa
次に、以下の成膜条件にて、(CoCrPt)−(SiO2)磁気記録層上にカーボンからなる保護層を5nm成膜した。
スパッタリング方式:DCマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット:カーボンターゲット
ガス種:Ar
ガス圧:1.0Pa
次に、潤滑剤を保護層上に塗布し、保護層上にトップコート層を成膜した。
以上により、磁気テープを得た。
シード層の成膜工程における成膜条件を以下のように変更した。また、磁気記録層の成膜条件におけるガス圧を1.5Paに変更した。これ以外のことは、実施例1−4と同様にして磁気テープを得た。
スパッタリング方式:DCマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット:表3に示す材料を含むシード層が形成されるように、実施例2−1〜2−3、比較例2−1〜2−5それぞれでターゲットの材料を変更した。
バックグラウンド圧:1.0×10-5Pa
ガス種:Ar
ガス圧:0.5Pa
磁気記録層の成膜工程における成膜条件を以下のように変更する以外は、実施例1−1と同様にして磁気テープを得た。
スパッタリング方式:DCマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット:(CoCrPt)−(SiO2)ターゲットの組成(但し、表1に示す組成を有する磁気記録層が形成されるように、サンプルに応じて(CoCrPt)−(SiO2)ターゲットの組成を調製した。)
バックグラウンド圧:1.0×10-5Pa
ガス種:サンプルに応じて、以下のように導入ガス種を変更した。
実施例3−1〜3−3:Arガスのみ導入した。
実施例3−4、3−5:Arガス導入に加えて、ArとO2(3%)の混合ガスを同時に導入した。なお、実施例3−4では、混合ガスのガス流量を2.6sccmに設定し、実施例3−5では、混合ガスのガス流量を4.0sccmに設定した。
ガス圧:1.5Pa
(第1のシード層の成膜工程)
まず、以下の成膜条件にて、非磁性基体としての高分子フィルム上に第1のシード層としてのTiCrシード層を10nm成膜した。
スパッタリング方式:DCマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット:TiCrターゲット
バックグラウンド圧:1.0×10-5Pa
ガス種:Ar
ガス圧:0.5Pa
次に、以下の成膜条件にて、TiCrシード上に第2のシード層としてのNiWシード層を5nm成膜した。
スパッタリング方式:DCマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット:NiWターゲット
バックグラウンド圧:1.0×10-5Pa
ガス種:Ar
ガス圧:0.5Pa
次に、以下の成膜条件にて、NiWシード層上に第1の下地層としてのRu下地層を5nm成膜した。
スパッタリング方式:DCマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット:Ruターゲット
バックグラウンド圧:1.0×10-5Pa
ガス種:Ar
ガス圧:0.5Pa
次に、以下の成膜条件にて、第1の下地層としてのRu下地層上に第2の下地層としてのRu下地層を25nm成膜した。
スパッタリング方式:DCマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット:Ruターゲット
バックグラウンド圧:1.0×10-5Pa
ガス種:Ar
ガス圧:1.5Pa
なお、第1の下地層および第2の下地層はいずれもRuにより構成されるが、成膜条件(ガス圧)が異なるため、膜の性質が異なっている。
次に、以下の成膜条件にて、Ru下地層上に(CoCrPt)−(SiO2)磁気記録層を20nm成膜した。
スパッタリング方式:DCマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット:(CoCrPt)−(SiO2)ターゲット(但し、表8に示す組成を有する磁気記録層が形成されるように、(CoCrPt)−(SiO2)ターゲットの組成を調製した。)
バックグラウンド圧:1.0×10-5Pa
ガス種:Arガス導入に加えて、ArとO2(3%)の混合ガスを同時に導入した。なお、混合ガスのガス流量は2.6sccmとした。
ガス圧:1.5Pa
次に、実施例1−1と同様にして、(CoCrPt)−(SiO2)磁気記録層上に保護層およびトップコート層を順次成膜した。以上により、磁気テープを得た。
上述のようにして得られた実施例1−1〜1−8、2−1〜2−8、3−1〜3−5、4、比較例1−1〜1−4の磁気テープについて、以下の(a)〜(h)の評価を行った。
X線回折装置により、θ/2θ特性を調査し、下地層の状態および結晶構造を解析した。
電子線回折法により、シード層の状態および結晶構造を解析した。なお、電子線回折法では、シード層が結晶状態であれば電子線回折像としてドットが得られ、シード層が多結晶状態であれば電子線回折像としてリングが得られ、そして、シード層がアモルファス状態であれば電子線回折像としてハローが得られる。
以下のようにしてシード層の組成を分析した。サンプルの表層からイオンビームによるエッチングを行い、エッチングされた最表面についてオージェ電子分光法による解析を実施し、膜厚に対する平均の原子数比率をその元素の比率とした。具体的には、Ti、CrおよびOの3元素について解析を行い、その百分率比率による元素量を同定した。
以下のようにして磁気記録層の組成を分析した。上記「(c)シード層の組成」におけるのと同様にして、オージェ電子分光法による解析を実施し、膜厚に対する平均の原子数比率をその元素の比率とした。具体的には、Co、Pt、Cr、SiおよびOの5元素について解析を行い、その百分率比率による元素量を同定した。
以下のようにして磁気記録層の磁気特性を評価した。まず、振動試料磁力計(Vibrating Sample Magnetometer:VSM)を用いて、磁気記録層のM−Hループを得た。次に、得られたM−Hループから、飽和磁化量Ms、角型比Rs、抗磁力Hcおよび抗磁力Hc近傍におけるM−Hループの傾きαを求めた。なお、測定は、試料面に対して垂直方向に対して行い、かつ、所謂、試料形状に対する4πMsによる反磁界補正は実施しなかった。次に、このようにして求めた飽和磁化量Ms、傾きαおよび角型比Rsと、別途求めた磁気記録層の厚さδとを用いて、関係式F(Ms,α,δ,Rs)(=(Msαδ1.5(1−Rs)0.33))の値を求めた。
以下のようにして磁気テープの熱安定性を評価した。まず、磁気異方性エネルギーKu、活性化体積Vおよび絶対温度Tを以下のようにして求めた。
・磁気異方性エネルギーKu
トルク磁力計を用いてKu1およびKu2を求めたのち、これらの値を用いてKu(=Ku1+Ku2)を得た。
・活性化体積V
平面内TEM像よりカラムの平均粒直径Dを求め、カラムを円柱と近似して、活性化体積V=π(D/2)2tを求めた。但し、tは磁気記録層の膜厚である。
なお、CoCr系スパッタ膜の活性化体積は、カラム1つの体積に近いことが明らかにされている(参考文献:島津武仁、上住洋之、村岡裕明、中村慶久:日本応用磁気学会誌,26,3(2002))
・絶対温度T
絶対温度T=293K(室温20℃環境)とした。
次に、上述のようにして得られた磁気異方性エネルギーKu、活性化体積Vおよび絶対温度Tを用いて、関係式f(Ku,V,kB)(=(KuV/kBT))の値を求めた。
以下のようにして記録再生特性を評価した。まず、リング型の記録ヘッドと巨大磁気抵抗効果(Giant Magnetoresistive:GMR)型の再生ヘッドを用い、ピエゾステージによりこのヘッドを往復振動させることにより記録再生を行う、所謂、ドラッグテスタにて測定を行った。ここで、再生ヘッドのリードトラック幅は120nmとした。次に、記録波長を250kFCI(kilo Flux Changes per Inch)とし、SNRを、再生波形のピーク・トゥ・ピーク電圧と、ノイズスペクトラムを0kFCI〜500kFCIの帯域で積分した値から求めた電圧との比により計算して求めた。
以下のようにして出力減衰を評価した。まず、上述の「(f)記録再生特性」と同様にして、初期特性としての磁気テープのSNRを求めた。次に、SNRを求めた磁気テープを室温にて100時間保持したのち、磁気テープのSNRを改めて求めた。次に、以下の式から、磁気テープの出力減衰を求めた。
(出力減衰)=(初期のSNR)−(100時間経過後のSNR)
関係式F(Ms,α,δ,Rs)、飽和磁化量MsおよびHc近傍におけるM−Hループの傾きαが、F(Ms,α,δ,Rs)≦0.1[μ・emu・(mm)-1.5]、Ms≧450[emu/cc]、α≧1.2の関係満たすことで、SNRを20dB以上にすることができる。
関係式F(Ms,α,δ,Rs)、飽和磁化量MsおよびHc近傍におけるM−Hループの傾きαが上述の関係を満たし、かつ、関係式f(Ku,V,kB)がf(Ku,V,kB)≧65の関係をさらに満たすことで、出力減衰を1.0dB以下にすることができる。
上述の効果の発現は、シード層の材料としてTiCr合金を用いた場合に限定されるものではなく、シード層の材料として融点2000℃以下の金属を用いる場合には、F、Ms、α、またはF、Ms、α、fが上述の関係を満たせば、同様の効果が発現するものと考えられる。融点2000℃以下の金属としては、TiCr合金以外にTi単体、NiAl合金、CoCr合金などを用いることができる。
シード層および下地層の構造が積層構造を有し、かつF、Ms、α、またはF、Ms、α、fが上述の関係を満たすことで、より優れた効果が発現する。
比較例1−4と実施例1−7の評価結果を比較すると(表2参照)、目標とするSNR(≧20[dB])を実現するためには、上述したように、関係式F(≦0.1[μ・emu・(mm)-1.5])および飽和磁化量Ms(≧450[emu/cc])を設定し、さらに傾きα≧1.2に設定する必要があることがわかる。
実施例1−2〜1−4の出力減衰の評価結果から、熱擾乱の影響に対して十分に耐えるためには、KuV/kBT≧65であることが好ましいことがわかる。
表4の評価結果(Rsの評価結果)より、シード層の材料として融点2000℃以下の金属を用いると、下地層および磁気記録層の垂直配向が高くなることがわかる。なお、高いSNRを実現するためには、Rsは、0.7(70%)以上であることが好ましい。
(1)
基体と、シード層と、下地層と、グラニュラ構造を有する垂直記録層とを備え、
(Msαδ1.5(1−Rs)0.33)、Ms、およびαが以下の関係を満たしている磁気記録媒体。
(Msαδ1.5(1−Rs)0.33)≦0.1[μ・emu・(mm)-1.5]
Ms≧450[emu/cc]
α≧1.2
(但し、Ms:飽和磁化量、α:抗磁力Hc近傍におけるM−Hループの傾き、δ:上記垂直記録層の厚さ、Rs:角型比である。)
(2)
上記シード層は、アモルファス状態を有し、融点が2000℃以下である金属を含んでいる(1)に記載の磁気記録媒体。
(3)
上記シード層は、アモルファス状態を有し、TiおよびCrを含む合金を含んでいる(1)または(2)に記載の磁気記録媒体。
(4)
(KuV/kBT)が以下の関係を満たしている請求項1に記載の磁気記録媒体。
(KuV/kBT)≧65
(但し、Ku:磁気異方性エネルギー、V:活性化体積、kB:ボルツマン定数、T:絶対温度である。)
(5)
上記下地層は、Ruを含んでいる(1)から(4)のいずれかに記載の磁気記録媒体。
(6)
上記垂直記録層は、Co、PtおよびCrを含む粒子が酸化物で分離されたグラニュラ構造を有する(1)から(5)のいずれかに記載の磁気記録媒体。
(7)
上記垂直記録層は、以下の式(1)に示す平均組成を有している(6)に記載の磁気記録媒体。
(CoxPtyCr100-x-y)100-z−(SiO2)z ・・・(1)
(但し、式(1)中において、x、y、zはそれぞれ、69≦x≦72、12≦y≦16、9≦z≦12の範囲内の値である。)
(8)
上記基体は、可撓性を有する非磁性基体である(1)から(7)のいずれかに記載の磁気記録媒体。
12 シード層
13 下地層
14 磁気記録層
15 保護膜
16 トップコート層
21 成膜室
22 ドラム
23a、23b、23c カソード
24 供給リール
25 巻き取りリール
Claims (18)
- 長尺状の基体と、シード層と、下地層と、グラニュラ構造を有する垂直記録層とを備え、
(Msαδ1.5(1−Rs)0.33)、Ms、およびαが以下の関係を満たしている、軟磁性材料を含む裏打ち層を有さない磁気記録媒体。
(Msαδ1.5(1−Rs)0.33)≦0.1[μ・emu・(mm)-1.5]
Ms≧450[emu/cc]
α≧1.2
(但し、Ms:飽和磁化量、α:抗磁力Hc近傍におけるM−Hループの傾き、δ:上記垂直記録層の厚さ、Rs:角型比である。) - 上記シード層は、アモルファス状態を有し、融点が2000℃以下である金属を含んでいる請求項1に記載の磁気記録媒体。
- 上記シード層は、アモルファス状態を有し、TiおよびCrを含む合金を含んでいる請求項1または2に記載の磁気記録媒体。
- 上記シード層は、上記基体に隣接して設けられている請求項1から3のいずれかに記載の磁気記録媒体。
- 上記シード層は、上記基体に隣接して設けられ、
上記下地層は、上記シード層に隣接して設けられ、
上記垂直記録層は、上記下地層に隣接して設けられ、
上記シード層は、アモルファス状態を有し、TiおよびCrを含む合金を含み、
上記下地層は、Ruを含む請求項1に記載の磁気記録媒体。 - 上記シード層に含まれるTiおよびCrの総量に対するTiの割合は、30原子%以上100原子%未満である請求項3または5に記載の磁気記録媒体。
- 上記シード層は、O(酸素)をさらに含んでいる請求項3、5、6のいずれかに記載の磁気記録媒体。
- 上記シード層に含まれるTi、CrおよびOの総量に対するOの割合は、15原子%以下である請求項7に記載の磁気記録媒体。
- (KuV/kBT)が以下の関係を満たしている請求項1から8のいずれかに記載の磁気記録媒体。
(KuV/kBT)≧65
(但し、Ku:磁気異方性エネルギー、V:活性化体積、kB:ボルツマン定数、T:絶対温度である。) - 上記下地層は、Ruを含んでいる請求項1から4のいずれかに記載の磁気記録媒体。
- 上記垂直記録層は、単層構造の記録層である請求項1から10のいずれかに記載の磁気記録媒体。
- 上記垂直記録層が、六方細密充填構造を有するCo系合金を含み、
上記下地層は、六方細密充填構造を有する材料を含み、上記六方細密充填構造のc軸が垂直方向に配向している請求項1から11のいずれかに記載の磁気記録媒体。 - 上記垂直記録層は、Co、PtおよびCrを含む粒子が酸化物で分離されたグラニュラ構造を有する請求項1から12のいずれかに記載の磁気記録媒体。
- 上記垂直記録層は、以下の式(1)に示す平均組成を有している請求項13に記載の磁気記録媒体。
(CoxPtyCr100-x-y)100-z−(SiO2)z ・・・(1)
(但し、式(1)中において、x、y、zはそれぞれ、69≦x≦72、12≦y≦16、9≦z≦12の範囲内の値である。) - 上記基体は、可撓性を有する非磁性基体である請求項1から14のいずれかに記載の磁気記録媒体。
- 上記角形比Rsが、0.7以上である請求項1から15のいずれかに記載の磁気記録媒体。
- 上記抗磁力Hcが、3500Oe以上4500Oe以下である請求項1から16のいずれかに記載の磁気記録媒体。
- リングタイプヘッドにて情報信号を記録可能な請求項1から17のいずれかに記載の磁気記録媒体。
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