JP6205871B2 - 磁気記録媒体 - Google Patents

Description

本技術は、磁気記録媒体に関する。詳しくは、シード層を備える磁気記録媒体に関する。

近年、データストレージ用磁気記録媒体としては、磁性粉を非磁性支持体上に塗布した塗布型の磁気記録媒体が主流となっている。カートリッジ１巻当たりの記録容量を増やすためには、磁性粉を微粒子化して面記録密度を向上させる必要があるが、現在用いられている塗布法では、１０ｎｍ以下の微粒子で薄膜を形成することは困難である。

そこで、磁気異方性の高いＣｏＣｒＰｔ系の金属材料をスパッタ法などの手法により、可撓性を有する基体上に成膜し、かつ、その材料を基体の表面に対して垂直方向に結晶配向させた磁気記録媒体が提案されている。この磁気記録媒体については、磁気記録層の配向性を改善し、磁気特性を向上することが望まれており、この要望に応えるための技術が、近年種々検討されている。例えば特許文献１では、その技術の一つとして、基体上に、少なくとも、アモルファス層、シード層、下地層、磁性層、および保護層が順次積層された磁気記録媒体が開示されている。また、シード層をＴｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｚｒ、Ｔｉ合金、Ｃｒ合金、Ｚｒ合金のいずれかにより形成し、下地層をＲｕにより形成し、磁性層をグラニュラ構造とすることが開示されている。

特開２００５−１９６８８５号公報

本技術の目的は、良好なＳＮＲ（Signal-Noise Ratio）を有する磁気記録媒体を提供することにある。

上述の課題を解決するために、本技術は、
長尺状の基体と、シード層と、下地層と、グラニュラ構造を有する垂直記録層とを備え、
（Ｍｓαδ^1.5（１−Ｒｓ）^0.33）、Ｍｓ、およびαが以下の関係を満たしている、軟磁性材料を含む裏打ち層を有さない磁気記録媒体である。
（Ｍｓαδ^1.5（１−Ｒｓ）^0.33）≦０．１［μ・emu・(mm)^-1.5］
Ｍｓ≧４５０［emu/cc］
α≧１．２
（但し、Ｍｓ：飽和磁化量、α：抗磁力Ｈｃ近傍におけるＭ−Ｈループの傾き、δ：垂直記録層の厚さ、Ｒｓ：角型比である。）

以上説明したように、本技術によれば、良好なＳＮＲを有する磁気記録媒体を提供できる。

図１は、本技術の一実施形態に係る磁気記録媒体の構成の一例を模式的に示す断面図である。 図２は、本技術の一実施形態に係る磁気記録媒体の製造に用いられるスパッタ装置の構成の一例を示す概略図である。 図３は、本技術の一実施形態に係る磁気記録媒体の構成の一変形例を模式的に示す断面図である。 図４Ａは、関係式Ｆ（＝Ｍｓαδ^1.5（１−Ｒｓ）^0.33）とＳＮＲとの関係を示す図である。図４Ｂは、関係式ｆ（＝ＫｕＶ／ｋ_BＴ）と出力減衰との関係を示す図である。

本技術において、シード層、下地層および記録層は、単層構造および多層構造のいずれであってもよい。磁気記録媒体の磁気特性および／または記録再生特性をさらに向上する観点からすると、多層構造を有するものを採用することが好ましい。製造効率を考慮すると、多層構造のうちでも２層構造を採用することが好ましい。

また、本技術において用いる「含む（または含んでいる）」（comprising）という用語は、より制限的な用語である「から本質的になる」（consisting essentially of）および「からなる」（consisting of）を含んでいる。

本技術の実施形態について以下の順序で説明する。
１ 磁気記録媒体の構成
２ スパッタ装置の構成
３ 磁気記録媒体の製造方法
４ 効果
５ 変形例

［１ 磁気記録媒体の構成］
図１は、本技術の一実施形態に係る磁気記録媒体の構成の一例を模式的に示す断面図である。本実施形態に係る磁気記録媒体は、いわゆる単層垂直磁気記録媒体であり、図１に示すように、基体１１と、基体１１の表面に設けられたシード層１２と、シード層１２の表面に設けられた下地層１３と、下地層１３の表面に設けられた磁気記録層１４と、磁気記録層１４の表面に設けられた保護層１５と、保護層１５の表面に設けられたトップコート層１６とを備える。本実施形態に係る磁気記録媒体は、例えばリングタイプヘッドにて情報信号を記録可能な磁気記録媒体である。なお、本明細書では、軟磁性裏打ち層を持たない磁気記録媒体を「単層垂直磁気記録媒体」と称し、軟磁性裏打ち層を有する磁気記録媒体を「二層垂直磁気記録媒体」と称する。

この磁気記録媒体は、今後ますます需要が高まることが期待されるデータアーカイブ用ストレージメディアとして用いて好適なものである。この磁気記録媒体は、例えば、現在のストレージ用塗布型磁気テープの１０倍以上の面記録密度、すなわち５０Ｇｂ／ｉｎ²の面記録密度を実現することが可能である。このような面記録密度を有する磁気記録媒体を用いて、一般のリニア記録方式のデータカートリッジを構成した場合には、データカートリッジ１巻当たり５０ＴＢ以上の大容量記録が可能になる。

本技術では、以下の関係式Ｆ（Ｍｓ，α，δ，Ｒｓ）を定義する（参考文献：N.Honda et.al., J.Magn.soc.Japan, vol.21(S2),pp.505-508,1997）。
Ｆ（Ｍｓ，α，δ，Ｒｓ）＝（Ｍｓαδ^1.5（１−Ｒｓ）^0.33）［μ・emu・(mm)^-1.5］
（但し、Ｍｓ：飽和磁化量、α：抗磁力Ｈｃ近傍におけるＭ−Ｈループの傾き、δ：磁気記録層１４の厚さ、Ｒｓ：角型比である。）

さらに、本技術では、以下の関係式ｆ（Ｋｕ，Ｖ，Ｔ）を定義する。
ｆ（Ｋｕ，Ｖ，Ｔ）＝（ＫｕＶ／ｋ_BＴ）
（但し、Ｋｕ：磁気異方性エネルギー、Ｖ：活性化体積、ｋ_B:ボルツマン定数、Ｔ：絶対温度である。）

本実施形態に係る磁気記録媒体では、関係式Ｆ（Ｍｓ，α，δ，Ｒｓ）、飽和磁化量ＭｓおよびＨｃ近傍におけるＭ−Ｈループの傾きαが以下の関係を満たしている。この関係を満たすことで、良好なＳＮＲを有する磁気記録媒体を実現できる。
Ｆ（Ｍｓ，α，δ，Ｒｓ）≦０．１［μ・emu・(mm)^-1.5］
Ｍｓ≧４５０［emu/cc］
α≧１．２

以下に、Ｆ（Ｍｓ，α，δ，Ｒｓ）≦０．１［μ・emu・(mm)^-1.5］としている理由について具体的に説明する。関係式Ｆの値は、主にノイズ出力と関係している。本実施形態で想定する記録密度領域（例えば５０Ｇｂ／ｉｎ²以上）では、信号出力は、主に低スペーシングおよび再生ヘッド感度に依存しており、媒体特性として求められるのは、低ノイズ特性である。したがって、本実施形態では、Ｆ（Ｍｓ，α，δ，Ｒｓ）≦０．１［μ・emu・(mm)^-1.5］に設定して、磁気記録媒体の低ノイズを実現している。

以下に、Ｍｓ≧４５０［emu/cc］としている理由について具体的に説明する。磁気記録媒体の特性としては、上述のように関係式Ｆの値を小さくして、低ノイズを実現することが望ましいが、飽和磁化量Ｍｓの値が小さくなり過ぎると、ノイズ出力の低下以上に、信号出力の低下が大きくなり、結果として、ＳＮＲも低下してしまう。そこで、本実施形態では、関係式ＦをＦ≦０．１［μ・emu・(mm)^-1.5］に設定した上で、さらに飽和磁化量ＭｓをＭｓ≧４５０［emu/cc］に設定している。

以下に、α≧１．２としている理由について具体的に説明する。抗磁力Ｈｃ近傍におけるＭ−Ｈループの傾きαは、磁化粒子間の交換相互作用と相関のあるパラメータであり、αが小さいほど交換相互作用が低くなり、結晶粒子が交換相互作用および磁気的相互作用により結合した状態である活性化体積が小さくなり、ノイズが低下する。しかしながら、αが小さくなり過ぎると、飽和記録のために大きなヘッド磁界が必要になるとともに、磁化反転が鈍くなり、信号出力が低下し、結果としてＳＮＲが低下する。そこで、本実施形態では、αをα≧１．２に設定している。

本実施形態に係る磁気記録媒体では、関係式Ｆ（Ｍｓ，α，δ，Ｒｓ）、飽和磁化量ＭｓおよびＨｃ近傍におけるＭ−Ｈループの傾きαが上述の関係を満たしつつ、ｆ（Ｋｕ，Ｖ，Ｔ）がさらに以下の関係を満たしていることが好ましい。この関係を満たすことで、良好なＳＮＲを有し、かつ、熱擾乱に対して高い安定性を有する磁気記録媒体を実現できる。
ｆ（Ｋｕ，Ｖ，Ｔ）≧６５

以下に、ｆ（Ｋｕ，Ｖ，Ｔ）≧６５としている理由について具体的に説明する。低ノイズ化を実現するためには、磁性粒子のサイズを小さくすることが好ましいが、磁性粒子のサイズが小さくなると、熱擾乱の影響が大きくなり、磁化状態を保持できなくなる。熱擾乱の影響に対して十分に耐えるためには、一般的には、ＫｕＶ／ｋＢＴがＫｕＶ／ｋＢＴ≧６０〜８０であることが望ましい。本実施形態では、ＫｕＶ／ｋＢＴがＫｕＶ／ｋＢＴ≧６５であることが望ましい。

（基体）
支持体となる基体１１は、例えば、長尺状のフィルムである。基体１１としては、可撓性を有する非磁性基体を用いることが好ましい。非磁性基体の材料としては、例えば、通常の磁気記録媒体に用いられる可撓性の高分子樹脂材料を用いることができる。このような高分子樹脂材料の具体例としては、ポリエステル類、ポリオレフィン類、セルロース誘導体、ビニル系樹脂、ポリイミド類、ポリアミド類またはポリカーボネートなどが挙げられる。

（シード層）
シード層１２は、基体１１と下地層１３との間に設けられている。シード層１２は、アモルファス状態を有し、融点が２０００℃以下である金属を含んでいることが好ましい。シード層１２が、融点２０００℃以下の金属以外にＯ（酸素）をさらに含んでいてもよい。この酸素は、例えば、スパッタリング法などの成膜法でシード層１２を成膜する際に、シード層１２内に微量に含まれる不純物酸素である。ここで、「シード層」とは、下地層１３に類似した結晶構造を有し、結晶成長を目的として設けられる中間層ではなく、当該シード層１２の平坦性およびアモルファス状態によって下地層１３の垂直配向性を向上する中間層のことを意味する。「合金」とは、ＴｉおよびＣｒを含む固溶体、共晶体、および金属間化合物などの少なくとも一種を意味する。「アモルファス状態」とは、電子線回折法により、ハローが観測され、結晶構造を特定できないことを意味する。

アモルファス状態を有し、融点が２０００℃以下である金属を含んでいるシード層１２には、基体１１に吸着したＯ₂ガスやＨ₂Ｏの影響を抑制するとともに、基体１１の表面に金属性の平滑面を形成して、下地層１３の垂直配向性を向上する働きがある。なお、シード層１２の状態を結晶状態にすると、結晶成長に伴うカラム形状が明瞭となり、基体１１の表面の凹凸が強調され、下地層１３の結晶配向が悪化する。

融点が２０００℃以下である金属は、金属単体および合金のいずれであってもよい。融点が２０００℃以下である金属としては、例えば、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｃｏ、ＮｉおよびＡｌなどからなる群より選ばれる１種以上の元素が挙げられる。より具体的には例えば、ＴｉおよびＣｒを含む合金、ＮｉおよびＡｌを含む合金、ＣｏおよびＣｒを含む合金、Ｔｉ単体などが挙げられ、これらの材料うちＴｉおよびＣｒを含む合金が特に好ましい。

上述したように、シード層１２を設ける目的の一つは、基材表面における平滑性の実現である。良好な平滑面の形成は、シード層１２の材料として融点の低い金属、具体的には融点２０００℃以下の金属を用いることで可能になると推測される。材料の融点は拡散係数と相関があることが知られており、融点が低い材料ほど、拡散係数が大きくなる。材料の拡散係数は膜の成長メカニズムに大きく影響し、拡散係数が大きくなるほど、基材１１の表面上でのマイグレーションが大きくなり、密度が高く、表面が平滑になると考えられる。

シード層１２がＴｉ、ＣｒおよびＯ（酸素）を含む場合、シード層１２に含まれるＴｉ、ＣｒおよびＯの総量に対するＯの割合は、好ましくは１５原子％（atomic％：at％）以下、より好ましくは１０原子％以下である。酸素の割合が１５原子％を超えると、ＴｉＯ₂結晶が生成することにより、シード層１２の表面に形成される下地層１３の結晶核形成に影響を与えるようになり、下地層１３の配向性が大きく低下する。

シード層１２に含まれるＴｉおよびＣｒの総量に対するＴｉの割合は、好ましくは３０原子％以上１００原子％未満、より好ましくは５０原子％以上１００原子％未満の範囲内である。Ｔｉの比率が３０％未満であると、Ｃｒの体心立法格子（Body-Centered Cubic lattice：ｂｃｃ）構造の（１００）面が配向するようになり、シード層１２の表面に形成される下地層１３の配向性が低下する。

なお、上記元素の割合は次のようにして求めることができる。磁気記録媒体のトップコート層１６側からイオンビームによるエッチングを行い、エッチングされたシード層１２の最表面についてオージェ電子分光法による解析を実施し、膜厚に対する平均の原子数比率をその元素の比率とする。具体的には、Ｔｉ、ＣｒおよびＯの３元素について解析を行い、その百分率比率による元素量を同定する。

シード層１２の材料としてＴｉおよびＣｒを含む合金を用いる場合、その合金が、ＴｉおよびＣｒ以外の金属元素を添加元素としてさらに含んでいてもよい。この添加元素としては、融点２０００℃以下の金属元素が好ましく、例えばＣｏ、ＮｉおよびＡｌなどからなる群より選ばれる１種以上の元素が挙げられる。

（下地層）
下地層１３は、磁気記録層１４と同様の結晶構造を有していることが好ましい。磁気記録層１４がＣｏ系合金を含んでいる場合には、下地層１３は、Ｃｏ系合金と同様の六方細密充填（ｈｃｐ）構造を有する材料を含み、その構造のｃ軸が膜面に対して垂直方向（すなわち膜厚方向）に配向していることが好ましい。磁気記録層１４の配向性を高め、かつ、下地層１３と磁気記録層１４との格子定数のマッチングを比較的良好にできるからである。六方細密充填（ｈｃｐ）構造を有する材料としては、Ｒｕを含む材料を用いることが好ましく、具体的にはＲｕ単体またはＲｕ合金が好ましい。Ｒｕ合金としては、例えば、Ｒｕ−ＳｉＯ₂、Ｒｕ−ＴｉＯ₂またはＲｕ−ＺｒＯ₂などのＲｕ合金酸化物が挙げられる。

（磁気記録層）
磁気記録層１４は、記録密度を向上する観点から、Ｃｏ系合金を含む、グラニュラ構造を有する垂直記録層であることが好ましい。このグラニュラ磁性層は、Ｃｏ系合金を含む強磁性結晶粒子と、この強磁性結晶粒子を取り巻く非磁性粒界（非磁性体）とから構成されている。より具体的には、このグラニュラ磁性層は、Ｃｏ系合金を含むカラム（柱状結晶）と、このカラムを取り囲み、それぞれのカラムを磁気的に分離する非磁性粒界（例えばＳｉＯ₂などの酸化物）とから構成されている。この構造では、それぞれのカラムが磁気的に分離した構造を有する前記磁気記録層を構成することができる。

Ｃｏ系合金は、六方細密充填（ｈｃｐ）構造を有し、そのｃ軸が膜面に対して垂直方向（膜厚方向）に配向している。Ｃｏ系合金としては、少なくともＣｏ、ＣｒおよびＰｔを含有するＣｏＣｒＰｔ系合金を用いることが好ましい。ＣｏＣｒＰｔ系合金は、特に限定されるものではなく、ＣｏＣｒＰｔ合金がさらに添加元素を含んでいてもよい。添加元素としては、例えば、ＮｉおよびＴａなどからなる群より選ばれる１種以上の元素が挙げられる。

強磁性結晶粒子を取り巻く非磁性粒界は、非磁性金属材料を含んでいる。ここで、金属には半金属を含むものとする。非磁性金属材料としては、例えば、金属酸化物および金属窒化物のうちの少なくとも一方を用いることができ、グラニュラ構造をより安定に維持する観点からすると、金属酸化物を用いることが好ましい。金属酸化物としては、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｃｅ、ＹおよびＨｆなどからなる群より選ばれる少なくとも１種以上の元素を含む金属酸化物が挙げられ、少なくともＳｉ酸化物（すなわちＳｉＯ₂）を含んでいる金属酸化物が好ましい。その具体例としては、ＳｉＯ₂、Ｃｒ₂Ｏ₃、ＣｏＯ、Ａｌ₂Ｏ₃、ＴｉＯ₂、Ｔａ₂Ｏ₅、ＺｒＯ₂またはＨｆＯ₂などが挙げられる。金属窒化物としては、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｃｅ、ＹおよびＨｆなどからなる群より選ばれる少なくとも１種以上の元素を含む金属窒化物が挙げられる。その具体例としては、ＳｉＮ、ＴｉＮまたはＡｌＮなどが挙げられる。グラニュラ構造をより安定に維持するためには、非磁性粒界が金属窒化物および金属酸化物のうち金属酸化物を含んでいることが好ましい。

ＳＮＲを更なる向上を実現する観点からすると、強磁性結晶粒子に含まれるＣｏＣｒＰｔ系合金と、非磁性粒界に含まれるＳｉ酸化物とが、以下の式（１）に示す平均組成を有していることが好ましい。反磁界の影響を抑え、かつ、十分な再生出力を確保できる飽和磁化量Ｍｓを実現でき、これにより、高いＳＮＲを確保できるからである。
（Ｃｏ_xＰｔ_yＣｒ_100-x-y）_100-z−（ＳｉＯ₂）_z ・・・（１）
（但し、式（１）中において、ｘ、ｙ、ｚはそれぞれ、６９≦Ｘ≦７２、１２≦ｙ≦１６、９≦Ｚ≦１２の範囲内の値である。）

なお、上記組成は次のようにして求めることができる。磁気記録媒体のトップコート層１６側からイオンビームによるエッチングを行い、エッチングされた磁気記録層１２の最表面についてオージェ電子分光法による解析を実施し、膜厚に対する平均の原子数比率をその元素の比率とする。具体的には、Ｃｏ、Ｐｔ、Ｃｒ、ＳｉおよびＯの５元素について解析を行い、その百分率比率による元素量を同定する。

本実施形態に係る磁気記録媒体は、軟磁性材料を含む裏打ち層（軟磁性裏打ち層）を有さない単層磁気記録媒体であるが、この種の磁気記録媒体では、磁気記録層１４に起因する垂直方向への反磁界の影響が大きいと、垂直方向への十分な記録が困難となる傾向がある。反磁界は、磁気記録層１４の飽和磁化量Ｍｓに比例して大きくなるので、反磁界を抑えるためには飽和磁化量Ｍｓを小さくすることが望ましい。しかしながら、飽和磁化量Ｍｓが小さくなると、残留磁化量Ｍｒが小さくなり、再生出力が低下する。したがって、磁気記録層１４に含まれる材料は、反磁界の影響の抑制（すなわち飽和磁化量Ｍｓの低減）と、十分な再生出力を確保できる残留磁化量Ｍｒとを両立する観点から選択することが好ましい。上記（１）の平均組成においては、これらの特性を両立し、高いＳＮＲを確保できる。

（保護層）
保護層１５は、例えば、炭素材料または二酸化ケイ素（ＳｉＯ₂）を含み、保護層１５の膜強度の観点からすると、炭素材料を含んでいることが好ましい。炭素材料としては、例えば、グラファイト、ダイヤモンド状炭素（Diamond-Like Carbon：ＤＬＣ）またはダイヤモンドなどが挙げられる。

（トップコート層）
トップコート層１６は、例えば潤滑剤を含んでいる。潤滑剤としては、例えば、シリコーン系潤滑剤、炭化水素系潤滑剤またはフッ素化炭化水素系潤滑剤などを用いることができる。

［２ スパッタ装置の構成］
図２は、本技術の一実施形態に係る磁気記録媒体の製造に用いられるスパッタ装置の構成の一例を示す概略図である。このスパッタ装置は、シード層１２、下地層１３および磁気記録層１４の成膜に用いられる連続巻取式スパッタ装置であり、図２に示すように、成膜室２１と、ドラム２２と、カソード２３ａ〜２３ｃと、供給リール２４と、巻き取りリール２５とを備える。スパッタ装置は、例えばＤＣ（直流）マグネトロンスパッタリング方式の装置であるが、スパッタリング方式はこの方式に限定されるものではない。

成膜室２１は、排気口２６を介して図示しない真空ポンプに接続され、この真空ポンプにより成膜室２１内の雰囲気が所定の真空度に設定される。成膜室２１の内部には、回転可能な構成を有するドラム２２、供給リール２４および巻き取りリール２５が配置されている。スパッタ時には、供給リール２４から巻き出された基体１１が、ドラム２２を介して巻き取りリール２５に巻き取られる。ドラム２２には、図示しない冷却機構が設けられており、スパッタ時には、例えば−２０℃程度に冷却される。成膜室２１の内部には、ドラム２２の円筒面に対向して複数のカソード２３ａ〜２３ｃが配置されている。これらのカソード２３ａ〜２３ｃにはそれぞれターゲットがセットされている。具体的には、カソード２３ａ、２３ｂ、２３ｃにはそれぞれ、シート層１２、下地層１３、磁気記録層１４を成膜するためのターゲットがセットされている。これらのカソード２３ａ〜２３ｃにより複数の種類の膜、すなわちシート層１２、下地層１３および磁気記録層１４が同時に成膜される。

スパッタ時の成膜室２１の雰囲気は、例えば、１×１０^-5Ｐａ〜５×１０^-5Ｐａ程度に設定される。シート層１２、下地層１３および磁気記録層１４の膜厚および特性（例えば磁気特性）は、基体１１を巻き取るテープライン速度、スパッタ時に導入するＡｒガスの圧力（スパッタガス圧）、および投入電力などを調整することにより制御可能である。テープライン速度は、１ｍ／ｍｉｎ〜１０ｍ／ｍｉｎ程度の範囲内であることが好ましい。スパッタガス圧は、０．１Ｐａ〜５Ｐａ程度の範囲内であることが好ましい。投入電力量は、３０ｍＷ／ｃｍ²〜１５０ｍＷ／ｃｍ²程度の範囲内であることが好ましい。

［３ 磁気記録媒体の製造方法］
本技術の一実施形態に係る磁気記録媒体は、例えば、以下のようにして製造することができる。

まず、図２に示したスパッタ装置を用いて、シード層１２、下地層１３および磁気記録層１４を基体１１の上に形成する。具体的には以下のようにして成膜する。まず、成膜室２１を所定の圧力になるまで真空引きする。その後、成膜室２１内にＡｒガスなどのプロセスガスを導入しながら、カソード２３ａ〜２３ｃにセットされたターゲットをスパッタして、基体１１の表面にシード層１２、下地層１３および磁気記録層１４を順次成膜する。

次に、磁気記録層１４の表面に保護層１５を形成する。保護層１５の形成方法としては、例えば化学気相成長（Chemical Vapor Deposition：ＣＶＤ）法または物理蒸着（physical vapor deposition：ＰＶＤ）法を用いることができる。

次に、例えば潤滑剤を保護層１５の表面に塗布し、トップコート層１６を形成する。潤滑剤の塗布方法はとしては、例えば、グラビアコーティング、ディップコーティングなどの各種塗布方法を用いることができる。
以上により、図１に示した磁気記録媒体が得られる。

［４ 効果］
一実施形態に係る磁気記録媒体は、基体１１の表面に、シード層１２、下地層１３、グラニュラ構造を有する磁気記録層（垂直記録層）１４をこの順序で積層した積層構造有している。そして、関係式Ｆ（Ｍｓ，α，δ，Ｒｓ）、飽和磁化量ＭｓおよびＨｃ近傍におけるＭ−Ｈループの傾きαが以下の関係を満たしている。したがって、良好なＳＮＲを有する磁気記録媒体を実現できる。
Ｆ（Ｍｓ，α，δ，Ｒｓ）≦０．１［μ・emu・(mm)^-1.5］
Ｍｓ≧４５０［emu/cc］
α≧１．２

関係式Ｆ（Ｍｓ，α，δ，Ｒｓ）、飽和磁化量ＭｓおよびＨｃ近傍におけるＭ−Ｈループの傾きαが上述の関係を満たしつつ、ｆ（Ｋｕ，Ｖ，Ｔ）がさらに以下の関係を満たしている場合には、良好なＳＮＲを有し、かつ熱擾乱に対して高い磁気安定性を有する磁気記録媒体を実現できる。
ｆ（Ｋｕ，Ｖ，Ｔ）≧６５

基体１１と下地層１３との間に、アモルファス状態を有し、融点が２０００℃以下である金属を含んでいるシード層１２を設けた場合には、基体１１に吸着したＯ₂ガスやＨ₂Ｏなどが下地層１３に対して及ぼす影響を抑制するとともに、基体１１の表面に金属性の平滑面を形成して、下地層１３および磁気記録層１４の配向性を改善し、優れた磁気特性を達成することができる。したがって、高出力化および低ノイズ化といった媒体性能の向上を実現できる。

［５ 変形例］
上述の一実施形態では、シード層１２の構成を単層構造とする場合を例として説明したが、図３に示すように、シード層１２の構成を第１のシード層（下側シード層）１２ａおよび第２のシード層（上側シード層）１２ｂを備える２層構造としてもよい。この場合、第１のシード層１２ａが基体１１の側に設けられ、第２のシード層１２ｂが下地層１３の側に設けられる。第１のシード層１２ａは、上述の一実施形態におけるシード層１２と同様のものを用いることができる。第２のシード層１２ｂは、例えば第１のシード層１２ａとは異なる組成の材料を含んでいる。この材料の具体例としては、ＮｉＷまたはＴａなどが挙げられる。このようにシード層１２が２層構造を有する場合には、下地層１３および磁気記録層１４の配向性をさらに改善し、磁気特性をさらに向上させることが可能となる。なお、シード層１２の構成を３層以上の多層構造体としてもよい。

また、上述の一実施形態では、下地層１３の構成を単層構造とする場合を例として説明したが、図３に示すように、下地層１３の構成を第１の下地層（下側下地層）１３ａおよび第２の下地層（上側下地層）１３ｂを備える２層構造としてもよい。この場合、第１の下地層１３ａがシード層１２の側に設けられ、第２の下地層１３ｂが磁気記録層１４の側に設けられる。第２の下地層１３ｂの厚さは、第１の下地層１３ａの厚さよりも厚いことが好ましい。磁気記録媒体の特性を向上できるからである。なお、下地層１３の構成を３層以上の多層構造体としてもよい。

また、上述の磁気記録媒体では、関係式Ｆ（Ｍｓ，α，δ，Ｒｓ）、飽和磁化量ＭｓおよびＨｃ近傍におけるＭ−Ｈループの傾きαの３つの数値範囲を規定する場合を例として説明したが、関係式Ｆ（Ｍｓ，α，δ，Ｒｓ）の数値範囲のみを規定（Ｆ≦０．１［μ・emu・(mm)^-1.5］）するようにしてもよい。この場合にも、熱擾乱に対して高い磁気安定性を得る観点からすると、ｆ（Ｋｕ，Ｖ，Ｔ）の数値範囲を規定（ｆ≧６５）することが好ましい。

以下、実施例により本技術を具体的に説明するが、本技術はこれらの実施例のみに限定されるものではない。

（膜厚）
本実施例において、非磁性基体上に積層される各層の厚さは、以下のように測定した。まず、磁気テープをその主面に対して垂直に切り出し、その断面をＴＥＭ（Transmission Electron Microscope）により撮影した。次に、撮影したＴＥＭ写真から各層の厚さを求めた。

（実施例１−１〜１−８、比較例１−１〜１−４）
（シード層の成膜工程）
まず、以下の成膜条件にて、非磁性基体としての高分子フィルム上にＴｉＣｒシード層を５ｎｍ成膜した。
スパッタリング方式：ＤＣマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット：ＴｉＣｒターゲット（但し、実施例１−２では、実施例１−１、１−３〜１−８、比較例１−１〜１−４とは異なる組成のＴｉＣｒターゲットを使用して、表１に示すようにＴｉＣｒシード層の組成を変更した。）
バックグラウンド圧：１．０×１０^-5Ｐａ
ガス種：Ａｒ
ガス圧：０．５Ｐａ
本明細書において、バックグラウンド圧（ＢＧ圧）とは、スパッタリング開始直前の圧力のことをいう。

（下地層の成膜工程）
次に、以下の成膜条件にて、ＴｉＣｒシード層上にＲｕ下地層を２０ｎｍ成膜した。
スパッタリング方式：ＤＣマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット：Ｒｕターゲット
バックグラウンド圧：１．０×１０^-5Ｐａ
ガス種：Ａｒ
ガス圧：サンプルに応じて、以下のようにガス圧を変更した。
実施例１−１〜１−６、比較例１−１〜１−３：１．５Ｐａ
比較例１−４：０．３Ｐａ
実施例１−７：０．７Ｐａ
実施例１−８：１．０Ｐａ

（磁気記録層の成膜工程）
次に、以下の成膜条件にて、Ｒｕ下地層上に（ＣｏＣｒＰｔ）−（ＳｉＯ₂）磁気記録層を２０ｎｍ成膜した。
スパッタリング方式：ＤＣマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット：（ＣｏＣｒＰｔ）−（ＳｉＯ₂）ターゲット（但し、表１に示す組成を有する磁気記録層が形成されるように、サンプルに応じて（ＣｏＣｒＰｔ）−（ＳｉＯ₂）ターゲットの組成を調製した。）
バックグラウンド圧：１．０×１０^-5Ｐａ
ガス種：サンプルに応じて、以下のように導入ガス種を変更した。
実施例１−１〜１−５、１−７、１−８、比較例１−１〜１−４：Ａｒガスのみ導入した。
実施例１−６：Ａｒガス導入に加えて、ＡｒとＯ₂（３％）の混合ガスを同時に導入した。なお、混合ガスのガス流量は５ｓｃｃｍとした。
ガス圧：サンプルに応じて、以下のようにガス圧を変更
実施例１−１〜１−６、比較例１−１〜１−３：１．３Ｐａ
実施例１−７、１−８、比較例１−４：１．５Ｐａ

（保護層の成膜工程）
次に、以下の成膜条件にて、（ＣｏＣｒＰｔ）−（ＳｉＯ₂）磁気記録層上にカーボンからなる保護層を５ｎｍ成膜した。
スパッタリング方式：ＤＣマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット：カーボンターゲット
ガス種：Ａｒ
ガス圧：１．０Ｐａ

（トップコート層の成膜工程）
次に、潤滑剤を保護層上に塗布し、保護層上にトップコート層を成膜した。
以上により、磁気テープを得た。

（実施例２−１〜２−８）
シード層の成膜工程における成膜条件を以下のように変更した。また、磁気記録層の成膜条件におけるガス圧を１．５Ｐａに変更した。これ以外のことは、実施例１−４と同様にして磁気テープを得た。
スパッタリング方式：ＤＣマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット：表３に示す材料を含むシード層が形成されるように、実施例２−１〜２−３、比較例２−１〜２−５それぞれでターゲットの材料を変更した。
バックグラウンド圧：１．０×１０^-5Ｐａ
ガス種：Ａｒ
ガス圧：０．５Ｐａ

（実施例３−１〜３−５）
磁気記録層の成膜工程における成膜条件を以下のように変更する以外は、実施例１−１と同様にして磁気テープを得た。
スパッタリング方式：ＤＣマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット：（ＣｏＣｒＰｔ）−（ＳｉＯ₂）ターゲットの組成（但し、表１に示す組成を有する磁気記録層が形成されるように、サンプルに応じて（ＣｏＣｒＰｔ）−（ＳｉＯ₂）ターゲットの組成を調製した。）
バックグラウンド圧：１．０×１０^-5Ｐａ
ガス種：サンプルに応じて、以下のように導入ガス種を変更した。
実施例３−１〜３−３：Ａｒガスのみ導入した。
実施例３−４、３−５：Ａｒガス導入に加えて、ＡｒとＯ₂（３％）の混合ガスを同時に導入した。なお、実施例３−４では、混合ガスのガス流量を２．６ｓｃｃｍに設定し、実施例３−５では、混合ガスのガス流量を４．０ｓｃｃｍに設定した。
ガス圧：１．５Ｐａ

（実施例４）
（第１のシード層の成膜工程）
まず、以下の成膜条件にて、非磁性基体としての高分子フィルム上に第１のシード層としてのＴｉＣｒシード層を１０ｎｍ成膜した。
スパッタリング方式：ＤＣマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット：ＴｉＣｒターゲット
バックグラウンド圧：１．０×１０^-5Ｐａ
ガス種：Ａｒ
ガス圧：０．５Ｐａ

（第２のシード層の成膜工程）
次に、以下の成膜条件にて、ＴｉＣｒシード上に第２のシード層としてのＮｉＷシード層を５ｎｍ成膜した。
スパッタリング方式：ＤＣマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット：ＮｉＷターゲット
バックグラウンド圧：１．０×１０^-5Ｐａ
ガス種：Ａｒ
ガス圧：０．５Ｐａ

（第１の下地層の成膜工程）
次に、以下の成膜条件にて、ＮｉＷシード層上に第１の下地層としてのＲｕ下地層を５ｎｍ成膜した。
スパッタリング方式：ＤＣマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット：Ｒｕターゲット
バックグラウンド圧：１．０×１０^-5Ｐａ
ガス種：Ａｒ
ガス圧：０．５Ｐａ

（第２の下地層の成膜工程）
次に、以下の成膜条件にて、第１の下地層としてのＲｕ下地層上に第２の下地層としてのＲｕ下地層を２５ｎｍ成膜した。
スパッタリング方式：ＤＣマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット：Ｒｕターゲット
バックグラウンド圧：１．０×１０^-5Ｐａ
ガス種：Ａｒ
ガス圧：１．５Ｐａ
なお、第１の下地層および第２の下地層はいずれもＲｕにより構成されるが、成膜条件（ガス圧）が異なるため、膜の性質が異なっている。

（磁気記録層の成膜工程）
次に、以下の成膜条件にて、Ｒｕ下地層上に（ＣｏＣｒＰｔ）−（ＳｉＯ₂）磁気記録層を２０ｎｍ成膜した。
スパッタリング方式：ＤＣマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット：（ＣｏＣｒＰｔ）−（ＳｉＯ₂）ターゲット（但し、表８に示す組成を有する磁気記録層が形成されるように、（ＣｏＣｒＰｔ）−（ＳｉＯ₂）ターゲットの組成を調製した。）
バックグラウンド圧：１．０×１０^-5Ｐａ
ガス種：Ａｒガス導入に加えて、ＡｒとＯ₂（３％）の混合ガスを同時に導入した。なお、混合ガスのガス流量は２．６ｓｃｃｍとした。
ガス圧：１．５Ｐａ

（保護層およびトップコート層の成膜工程）
次に、実施例１−１と同様にして、（ＣｏＣｒＰｔ）−（ＳｉＯ₂）磁気記録層上に保護層およびトップコート層を順次成膜した。以上により、磁気テープを得た。

（特性評価）
上述のようにして得られた実施例１−１〜１−８、２−１〜２−８、３−１〜３−５、４、比較例１−１〜１−４の磁気テープについて、以下の（ａ）〜（ｈ）の評価を行った。

（ａ）下地層の状態
Ｘ線回折装置により、θ／２θ特性を調査し、下地層の状態および結晶構造を解析した。

（ｂ）シード層の状態
電子線回折法により、シード層の状態および結晶構造を解析した。なお、電子線回折法では、シード層が結晶状態であれば電子線回折像としてドットが得られ、シード層が多結晶状態であれば電子線回折像としてリングが得られ、そして、シード層がアモルファス状態であれば電子線回折像としてハローが得られる。

（ｃ）シード層の組成
以下のようにしてシード層の組成を分析した。サンプルの表層からイオンビームによるエッチングを行い、エッチングされた最表面についてオージェ電子分光法による解析を実施し、膜厚に対する平均の原子数比率をその元素の比率とした。具体的には、Ｔｉ、ＣｒおよびＯの３元素について解析を行い、その百分率比率による元素量を同定した。

以下に、オージェ電子分光法について説明する。オージェ電子分光法は、細く絞った電子線を固体表面に照射し、発生するオージェ電子のエネルギーと数を測定することで、固体表面に存在する元素の種類と量を同定する分析方法である。この放出されるオージェ電子のエネルギーは、表面に照射された電子線により作られた空準位へ外殻準位から電子が落ちる際に放出されるエネルギーに依存し、元素によって決まった値をとるため、サンプル表面の元素を特定することができる。

（ｄ）磁気記録層の組成
以下のようにして磁気記録層の組成を分析した。上記「（ｃ）シード層の組成」におけるのと同様にして、オージェ電子分光法による解析を実施し、膜厚に対する平均の原子数比率をその元素の比率とした。具体的には、Ｃｏ、Ｐｔ、Ｃｒ、ＳｉおよびＯの５元素について解析を行い、その百分率比率による元素量を同定した。

（ｅ）磁気記録層の磁気特性
以下のようにして磁気記録層の磁気特性を評価した。まず、振動試料磁力計（Vibrating Sample Magnetometer：ＶＳＭ）を用いて、磁気記録層のＭ−Ｈループを得た。次に、得られたＭ−Ｈループから、飽和磁化量Ｍｓ、角型比Ｒｓ、抗磁力Ｈｃおよび抗磁力Ｈｃ近傍におけるＭ−Ｈループの傾きαを求めた。なお、測定は、試料面に対して垂直方向に対して行い、かつ、所謂、試料形状に対する４πＭｓによる反磁界補正は実施しなかった。次に、このようにして求めた飽和磁化量Ｍｓ、傾きαおよび角型比Ｒｓと、別途求めた磁気記録層の厚さδとを用いて、関係式Ｆ（Ｍｓ，α，δ，Ｒｓ）（＝（Ｍｓαδ^1.5（１−Ｒｓ）^0.33））の値を求めた。

（ｆ）熱安定性
以下のようにして磁気テープの熱安定性を評価した。まず、磁気異方性エネルギーＫｕ、活性化体積Ｖおよび絶対温度Ｔを以下のようにして求めた。
・磁気異方性エネルギーＫｕ
トルク磁力計を用いてＫｕ１およびＫｕ２を求めたのち、これらの値を用いてＫｕ（＝Ｋｕ１＋Ｋｕ２）を得た。
・活性化体積Ｖ
平面内ＴＥＭ像よりカラムの平均粒直径Ｄを求め、カラムを円柱と近似して、活性化体積Ｖ＝π（Ｄ／２）²ｔを求めた。但し、ｔは磁気記録層の膜厚である。
なお、ＣｏＣｒ系スパッタ膜の活性化体積は、カラム１つの体積に近いことが明らかにされている（参考文献：島津武仁、上住洋之、村岡裕明、中村慶久：日本応用磁気学会誌，２６，３（２００２））
・絶対温度Ｔ
絶対温度Ｔ＝２９３Ｋ（室温２０℃環境）とした。
次に、上述のようにして得られた磁気異方性エネルギーＫｕ、活性化体積Ｖおよび絶対温度Ｔを用いて、関係式ｆ（Ｋｕ，Ｖ，ｋ_B）（＝（ＫｕＶ／ｋ_BＴ））の値を求めた。

（ｇ）記録再生特性
以下のようにして記録再生特性を評価した。まず、リング型の記録ヘッドと巨大磁気抵抗効果（Giant Magnetoresistive：ＧＭＲ）型の再生ヘッドを用い、ピエゾステージによりこのヘッドを往復振動させることにより記録再生を行う、所謂、ドラッグテスタにて測定を行った。ここで、再生ヘッドのリードトラック幅は１２０ｎｍとした。次に、記録波長を２５０ｋＦＣＩ（kilo Flux Changes per Inch）とし、ＳＮＲを、再生波形のピーク・トゥ・ピーク電圧と、ノイズスペクトラムを０ｋＦＣＩ〜５００ｋＦＣＩの帯域で積分した値から求めた電圧との比により計算して求めた。

一般に、記録再生システムを成立させるのに最低必要となるＳＮＲは、波形等化やエラー補正を処理した後のＳＮＲ（所謂ディジタルＳＮＲ）において、１６ｄＢ程度といわれている。ディジタルＳＮＲは本測定方法（上記記録再生特性の評価に用いた測定方法）によるＳＮＲに対して４ｄＢほど低くなるので、１６ｄＢのディジタルＳＮＲを確保するためには、本測定方法によるＳＮＲは２０ｄＢほど必要となる。したがって、本測定方法によるＳＮＲは最低２０ｄＢ必要と判断している。更に、磁気テープと磁気ヘッドの摺動にて発生する出力低下や、磁気テープの変形などの実用上の特性低下を考慮した場合、更にＳＮＲマージンを設定することが望ましい。このマージンを考慮すると、ＳＮＲは２３ｄＢ以上であることが好ましいと考えられる。

なお、本実施例の磁気テープでは、線記録密度が５００ｋＢＰＩ（Bit Per Inch）であり、トラックピットを再生ヘッドのトラック幅の２倍として、トラック密度が１０６ｋＴＰＩ（Tracks Per Inch）であると考えると、５００ｋＢＰＩ×１０６ｋＴＰＩ＝５３Ｇｂ／ｉｎ²の面記録密度を実現できることになる。

（ｈ）出力減衰
以下のようにして出力減衰を評価した。まず、上述の「（ｆ）記録再生特性」と同様にして、初期特性としての磁気テープのＳＮＲを求めた。次に、ＳＮＲを求めた磁気テープを室温にて１００時間保持したのち、磁気テープのＳＮＲを改めて求めた。次に、以下の式から、磁気テープの出力減衰を求めた。
（出力減衰）＝（初期のＳＮＲ）−（１００時間経過後のＳＮＲ）

（評価結果）
表１は、実施例１−１〜１−８、比較例１−１〜１−４の磁気テープの成膜条件および層構成を示す。

表２は、実施例１−１〜１−８、比較例１−１〜１−４の磁気テープの評価結果を示す。

表３は、実施例２−１〜２−８の磁気テープの成膜条件および層構成を示す。

表４は、実施例２−１〜２−８の磁気テープの評価結果を示す。

表５は、実施例３−１〜３−５の磁気テープの成膜条件および層構成を示す。

表６は、実施例３−１〜３−５の磁気テープの評価結果を示す。

表７、表８は、実施例４の磁気テープの成膜条件および層構成を示す。

表９は、実施例４の磁気テープの評価結果を示す。

表１〜表９および図４Ａ、図４Ｂから以下のことがわかる。
関係式Ｆ（Ｍｓ，α，δ，Ｒｓ）、飽和磁化量ＭｓおよびＨｃ近傍におけるＭ−Ｈループの傾きαが、Ｆ（Ｍｓ，α，δ，Ｒｓ）≦０．１［μ・emu・(mm)^-1.5］、Ｍｓ≧４５０［emu/cc］、α≧１．２の関係満たすことで、ＳＮＲを２０ｄＢ以上にすることができる。
関係式Ｆ（Ｍｓ，α，δ，Ｒｓ）、飽和磁化量ＭｓおよびＨｃ近傍におけるＭ−Ｈループの傾きαが上述の関係を満たし、かつ、関係式ｆ（Ｋｕ，Ｖ，ｋ_B）がｆ（Ｋｕ，Ｖ，ｋ_B）≧６５の関係をさらに満たすことで、出力減衰を１．０ｄＢ以下にすることができる。
上述の効果の発現は、シード層の材料としてＴｉＣｒ合金を用いた場合に限定されるものではなく、シード層の材料として融点２０００℃以下の金属を用いる場合には、Ｆ、Ｍｓ、α、またはＦ、Ｍｓ、α、ｆが上述の関係を満たせば、同様の効果が発現するものと考えられる。融点２０００℃以下の金属としては、ＴｉＣｒ合金以外にＴｉ単体、ＮｉＡｌ合金、ＣｏＣｒ合金などを用いることができる。
シード層および下地層の構造が積層構造を有し、かつＦ、Ｍｓ、α、またはＦ、Ｍｓ、α、ｆが上述の関係を満たすことで、より優れた効果が発現する。

比較例１−３と実施例１−５の評価結果を比較すると（表２参照）、目標とするＳＮＲ（≧２０［ｄＢ］）を実現するためには、関係式ＦをＦ≦０．１［μ・emu・(mm)^-1.5］に設定し、さらに飽和磁化量ＭｓをＭｓ≧４５０［emu/cc］に設定する必要があることがわかる。
比較例１−４と実施例１−７の評価結果を比較すると（表２参照）、目標とするＳＮＲ（≧２０［ｄＢ］）を実現するためには、上述したように、関係式Ｆ（≦０．１［μ・emu・(mm)^-1.5］）および飽和磁化量Ｍｓ（≧４５０［emu/cc］）を設定し、さらに傾きα≧１．２に設定する必要があることがわかる。
実施例１−２〜１−４の出力減衰の評価結果から、熱擾乱の影響に対して十分に耐えるためには、ＫｕＶ／ｋＢＴ≧６５であることが好ましいことがわかる。
表４の評価結果（Ｒｓの評価結果）より、シード層の材料として融点２０００℃以下の金属を用いると、下地層および磁気記録層の垂直配向が高くなることがわかる。なお、高いＳＮＲを実現するためには、Ｒｓは、０．７（７０％）以上であることが好ましい。

以上、本技術の実施形態について具体的に説明したが、本技術は、上述の実施形態に限定されるものではなく、本技術の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。

例えば、上述の実施形態において挙げた構成、方法、工程、形状、材料および数値などはあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異なる構成、方法、工程、形状、材料および数値などを用いてもよい。

また、上述の実施形態の構成、方法、工程、形状、材料および数値などは、本技術の主旨を逸脱しない限り、互いに組み合わせることが可能である。

また、本技術は以下の構成を採用することもできる。
（１）
基体と、シード層と、下地層と、グラニュラ構造を有する垂直記録層とを備え、
（Ｍｓαδ^1.5（１−Ｒｓ）^0.33）、Ｍｓ、およびαが以下の関係を満たしている磁気記録媒体。
（Ｍｓαδ^1.5（１−Ｒｓ）^0.33）≦０．１［μ・emu・(mm)^-1.5］
Ｍｓ≧４５０［emu/cc］
α≧１．２
（但し、Ｍｓ：飽和磁化量、α：抗磁力Ｈｃ近傍におけるＭ−Ｈループの傾き、δ：上記垂直記録層の厚さ、Ｒｓ：角型比である。）
（２）
上記シード層は、アモルファス状態を有し、融点が２０００℃以下である金属を含んでいる（１）に記載の磁気記録媒体。
（３）
上記シード層は、アモルファス状態を有し、ＴｉおよびＣｒを含む合金を含んでいる（１）または（２）に記載の磁気記録媒体。
（４）
（ＫｕＶ／ｋ_BＴ）が以下の関係を満たしている請求項１に記載の磁気記録媒体。
（ＫｕＶ／ｋ_BＴ）≧６５
（但し、Ｋｕ：磁気異方性エネルギー、Ｖ：活性化体積、ｋ_B:ボルツマン定数、Ｔ：絶対温度である。）
（５）
上記下地層は、Ｒｕを含んでいる（１）から（４）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（６）
上記垂直記録層は、Ｃｏ、ＰｔおよびＣｒを含む粒子が酸化物で分離されたグラニュラ構造を有する（１）から（５）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（７）
上記垂直記録層は、以下の式（１）に示す平均組成を有している（６）に記載の磁気記録媒体。
（Ｃｏ_xＰｔ_yＣｒ_100-x-y）_100-z−（ＳｉＯ₂）_z ・・・（１）
（但し、式（１）中において、ｘ、ｙ、ｚはそれぞれ、６９≦ｘ≦７２、１２≦ｙ≦１６、９≦ｚ≦１２の範囲内の値である。）
（８）
上記基体は、可撓性を有する非磁性基体である（１）から（７）のいずれかに記載の磁気記録媒体。

１１ 非磁性基体
１２ シード層
１３ 下地層
１４ 磁気記録層
１５ 保護膜
１６ トップコート層
２１ 成膜室
２２ ドラム
２３ａ、２３ｂ、２３ｃ カソード
２４ 供給リール
２５ 巻き取りリール

Claims (18)

1. 長尺状の基体と、シード層と、下地層と、グラニュラ構造を有する垂直記録層とを備え、
   （Ｍｓαδ^1.5（１−Ｒｓ）^0.33）、Ｍｓ、およびαが以下の関係を満たしている、軟磁性材料を含む裏打ち層を有さない磁気記録媒体。
   （Ｍｓαδ^1.5（１−Ｒｓ）^0.33）≦０．１［μ・emu・(mm)^-1.5］
   Ｍｓ≧４５０［emu/cc］
   α≧１．２
   （但し、Ｍｓ：飽和磁化量、α：抗磁力Ｈｃ近傍におけるＭ−Ｈループの傾き、δ：上記垂直記録層の厚さ、Ｒｓ：角型比である。）
2. 上記シード層は、アモルファス状態を有し、融点が２０００℃以下である金属を含んでいる請求項１に記載の磁気記録媒体。
3. 上記シード層は、アモルファス状態を有し、ＴｉおよびＣｒを含む合金を含んでいる請求項１または２に記載の磁気記録媒体。
4. 上記シード層は、上記基体に隣接して設けられている請求項１から３のいずれかに記載の磁気記録媒体。
5. 上記シード層は、上記基体に隣接して設けられ、
   上記下地層は、上記シード層に隣接して設けられ、
   上記垂直記録層は、上記下地層に隣接して設けられ、
   上記シード層は、アモルファス状態を有し、ＴｉおよびＣｒを含む合金を含み、
   上記下地層は、Ｒｕを含む請求項１に記載の磁気記録媒体。
6. 上記シード層に含まれるＴｉおよびＣｒの総量に対するＴｉの割合は、３０原子％以上１００原子％未満である請求項３または５に記載の磁気記録媒体。
7. 上記シード層は、Ｏ（酸素）をさらに含んでいる請求項３、５、６のいずれかに記載の磁気記録媒体。
8. 上記シード層に含まれるＴｉ、ＣｒおよびＯの総量に対するＯの割合は、１５原子％以下である請求項７に記載の磁気記録媒体。
9. （ＫｕＶ／ｋ_BＴ）が以下の関係を満たしている請求項１から８のいずれかに記載の磁気記録媒体。
   （ＫｕＶ／ｋ_BＴ）≧６５
   （但し、Ｋｕ：磁気異方性エネルギー、Ｖ：活性化体積、ｋ_B:ボルツマン定数、Ｔ：絶対温度である。）
10. 上記下地層は、Ｒｕを含んでいる請求項１から４のいずれかに記載の磁気記録媒体。
11. 上記垂直記録層は、単層構造の記録層である請求項１から１０のいずれかに記載の磁気記録媒体。
12. 上記垂直記録層が、六方細密充填構造を有するＣｏ系合金を含み、
    上記下地層は、六方細密充填構造を有する材料を含み、上記六方細密充填構造のｃ軸が垂直方向に配向している請求項１から１１のいずれかに記載の磁気記録媒体。
13. 上記垂直記録層は、Ｃｏ、ＰｔおよびＣｒを含む粒子が酸化物で分離されたグラニュラ構造を有する請求項１から１２のいずれかに記載の磁気記録媒体。
14. 上記垂直記録層は、以下の式（１）に示す平均組成を有している請求項１３に記載の磁気記録媒体。
    （Ｃｏ_xＰｔ_yＣｒ_100-x-y）_100-z−（ＳｉＯ₂）_z ・・・（１）
    （但し、式（１）中において、ｘ、ｙ、ｚはそれぞれ、６９≦ｘ≦７２、１２≦ｙ≦１６、９≦ｚ≦１２の範囲内の値である。）
15. 上記基体は、可撓性を有する非磁性基体である請求項１から１４のいずれかに記載の磁気記録媒体。
16. 上記角形比Ｒｓが、０．７以上である請求項１から１５のいずれかに記載の磁気記録媒体。
17. 上記抗磁力Ｈｃが、３５００Ｏｅ以上４５００Ｏｅ以下である請求項１から１６のいずれかに記載の磁気記録媒体。
18. リングタイプヘッドにて情報信号を記録可能な請求項１から１７のいずれかに記載の磁気記録媒体。

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