JP6186859B2 - 磁気記録媒体 - Google Patents
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Description
可撓性を有する長尺状の基体と、
TiおよびCrを含む合金を含む、アモルファス状を有するシード層と、
Ruを含む下地層と、
グラニュラ構造を有する記録層と
を含み、
シード層は、基体と下地層との間に設けられ、
下地層の厚さは、5nm以上50nm以下の範囲内である磁気記録媒体である。
1 磁気記録媒体の構成
2 スパッタ装置の構成
3 磁気記録媒体の製造方法
4 効果
図1は、本技術の一実施形態に係る磁気記録媒体の構成の一例を模式的に示す断面図である。本実施形態に係る磁気記録媒体は、いわゆる単層垂直磁気記録媒体であり、図1に示すように、基体11と、基体11の表面に設けられたシード層12と、シード層12の表面に設けられた下地層13と、下地層13の表面に設けられた磁気記録層14と、磁気記録層14の表面に設けられた保護層15と、保護層15の表面に設けられたトップコート層16とを備える。なお、本明細書では、軟磁性裏打ち層を持たない磁気記録媒体を「単層垂直磁気記録媒体」と称し、軟磁性裏打ち層を有する磁気記録媒体を「二層垂直磁気記録媒体」という。
磁気記録媒体の耐クラック荷重は、好ましくは200[g/12.75mm]以上、より好ましくは200[g/12.75mm]以上730[g/12.75mm]以下、さらに好ましくは200[g/12.75mm]以上500[g/12.75mm]以下の範囲内である。耐クラック荷重が200[g/12.75mm]未満であると、磁気記録媒体を用いてデータカートリッジを製造者が作製する段階で、もしくはデータカートリッジをユーザが使用する段階で、クラックが発生し易くなる。このようにクラックが発生すると、磁気記録媒体の耐久性や信頼性が低下する。一方、耐クラック荷重が730[g/12.75mm]以下であると、基体11の材料として磁気記録媒体において一般的な可撓性高分子材料を用いることができる。
基体11は、この基体11の表面に設けられる積層膜を支持する支持体である。基体11は、例えば、長尺状のフィルムである。基体11としては、可撓性を有する非磁性基体を用いることが好ましい。非磁性基体の材料としては、例えば、磁気記録媒体において一般的な可撓性高分子材料を用いることができる。このような高分子材料の具体例としては、ポリエステル系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、セルロース誘導体、ビニル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリカーボネート系樹脂などが挙げられる。ポリエステル系樹脂としては、例えば、ポリエステルを10質量%以上含む共重合体または混合体を用いることができる。
一方、基体11のヤング率を16000N/mm2以下にすることで、基体11の材料として磁気記録媒体において一般的な可撓性高分子材料を用いることができる。このような可撓性高分子材料の具体例としては、上で例示したものが挙げられる。また、基体11のヤング率を7000N/mm2以下にすることで、磁気記録媒体において一般的な可撓性高分子材料のうちでも、特に安価なものを用いることができる。したがって、磁気記録媒体をさらに低廉化することができる。このような安価な可撓性高分子材料としては、例えば、ポリエステル系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、セルロース誘導体、ビニル系樹脂、ポリカーボネート系樹脂などが挙げられる
シード層12は、基体11と下地層13との間に設けられている。シード層12は、アモルファス状態を有している。シード層12の状態が結晶状態であると、結晶成長に伴うカラム形状が明瞭となり、基体11の表面の凹凸が強調され、下地層13の結晶配向が悪化する。すなわち、アモルファス状態のシード層12には、基体11の表面の凹凸を緩和する働きがある。
下地層13は、磁気記録層14と同様の結晶構造を有していることが好ましい。磁気記録層14がCo系合金を含んでいる場合には、下地層13は、Co系合金と同様の六方細密充填(hcp)構造を有する材料を含み、その構造のc軸が膜面に対して垂直方向(すなわち膜厚方向)に配向していることが好ましい。磁気記録層14の配向性を高め、かつ、下地層13と磁気記録層14との格子定数のマッチングを比較的良好にできるからである。六方細密充填(hcp)構造を有する材料としては、Ruを含む材料を用いることが好ましく、具体的にはRu単体またはRu合金が好ましい。Ru合金としては、例えば、Ru−SiO2、Ru−TiO2またはRu−ZrO2などのRu合金酸化物が挙げられる。下地層13におけるRuの含有量は、例えば10原子%以上である。
磁気記録層14は、磁気記録材料が垂直方向に配向した垂直記録層である。磁気記録層14は、記録密度を向上する観点から、Co系合金を含むグラニュラ磁性層であることが好ましい。このグラニュラ磁性層は、Co系合金を含む強磁性結晶粒子と、この強磁性結晶粒子を取り巻く非磁性粒界(非磁性体)とから構成されている。より具体的には、このグラニュラ磁性層は、Co系合金を含むカラム(柱状結晶)と、このカラムを取り囲み、それぞれのカラムを磁気的に分離する非磁性粒界(例えばSiO2などの酸化物)とから構成されている。この構造では、それぞれのカラムが磁気的に分離した構造を有する磁気記録層14を構成することができる。磁気記録層14におけるCoの含有量は、例えば10原子%以上である。
(CoxPtyCr100-x-y)100-z−(SiO2)z ・・・(1)
(但し、式(1)中において、x、y、zはそれぞれ、69≦X≦72、12≦y≦16、9≦Z≦12の範囲内の値である。)
保護層15は、例えば、炭素材料または二酸化ケイ素(SiO2)を含み、保護層15の膜強度の観点からすると、炭素材料を含んでいることが好ましい。保護層15における炭素材料の含有量は、例えば10%以上である。炭素材料としては、例えば、グラファイト、ダイヤモンド状炭素(Diamond-Like Carbon:DLC)またはダイヤモンドなどが挙げられる。保護層15の厚さは、例えば1.0nm以上10.0nm以下の範囲内である。
トップコート層16は、例えば潤滑剤を含んでいる。潤滑剤としては、例えば、シリコーン系潤滑剤、炭化水素系潤滑剤またはフッ素化炭化水素系潤滑剤などを用いることができる。
図2は、本技術の一実施形態に係る磁気記録媒体の製造に用いられるスパッタ装置の構成の一例を示す概略図である。このスパッタ装置は、シード層12、下地層13および磁気記録層14の成膜に用いられる連続巻取式スパッタ装置であり、図2に示すように、成膜室21と、ドラム22と、カソード23a〜23cと、供給リール24と、巻き取りリール25とを備える。スパッタ装置は、例えばDC(直流)マグネトロンスパッタリング方式の装置であるが、スパッタリング方式はこの方式に限定されるものではない。
本技術の一実施形態に係る磁気記録媒体は、例えば、以下のようにして製造することができる。
以上により、図1に示した磁気記録媒体が得られる。
一実施形態に係る磁気記録媒体では、可撓性を有する基体11の表面に、アモルファス状を有するシード層12と、Ruを含む下地層13、グラニュラ構造を有する磁気記録層14を積層している。そして、この積層構成において下地層の厚さを50.0nm以下の範囲内としている。したがって、磁気記録媒体に対して引張り応力または荷重などが加えられた場合に、もしくは磁気記録媒体が曲げられたりした場合に、基体11の表面の積層膜に対するクラックの発生を抑制できる。したがって、製品としての磁気記録媒体の信頼性を向上することができる。また、下地層13の厚さを5.0nm以上の範囲内としているので、磁気特性を向上することができる。
本実施例において、非磁性基体としての高分子フィルムのヤング率は、以下のように測定した。まず、高分子フィルムから幅10mm×試長50mmの試験片を切り出した。次に、この試験片のヤング率をテンシロン引張試験機用いて室温25°の環境下にて引張速度20mm/minで測定した。
本実施例において、非磁性基体上に積層される各層の厚さは、以下のように測定した。まず、磁気テープをその主面に対して垂直に切り出し、その断面をTEMにより撮影した。次に、撮影したTEM写真から各層の厚さを求めた。
(シード層の成膜工程)
まず、可撓性を有する非磁性基体として、ヤング率6250N/mm2の高分子フィルムを準備した後、以下の成膜条件にて、このフィルム上にTiCrシード層を厚さ5.0nm成膜した。
スパッタリング方式:DCマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット:Ti50Cr50ターゲット
到達真空度:1×10-5Pa
ガス種:Ar
ガス圧:0.5Pa
次に、以下の成膜条件にて、TiCrシード層上にRu下地層を厚さ5.0nm〜55.0nmの範囲で成膜した。
スパッタリング方式:DCマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット:Ruターゲット
ガス種:Ar
ガス圧:1.5Pa
次に、以下の成膜条件にて、Ru下地層上に(CoCrPt)−(SiO2)磁気記録層を厚さ20.0nm成膜した。
スパッタリング方式:DCマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット:(Co75Cr10Pt15)90−(SiO2)10ターゲット
ガス種:Ar
ガス圧:1.5Pa
次に、以下の成膜条件にて、(CoCrPt)−(SiO2)磁気記録層上にカーボンからなる保護層を厚さ5.0nm成膜した。
スパッタリング方式:DCマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット:カーボンターゲット
ガス種:Ar
ガス圧:1.5Pa
次に、フッ素系潤滑剤を保護層上に塗布し、保護層上にトップコート層を成膜した。
以上により、垂直磁気記録媒体である磁気テープを得た。
可撓性を有する非磁性基体として、ヤング率6680N/mm2の高分子フィルムを用いる以外は実施例1−1〜1−4、比較例1−1と同様にして、磁気テープを得た。
可撓性を有する非磁性基体として、ヤング率16000N/mm2の高分子フィルムを用いる以外は実施例1−1〜1−4、比較例1−1と同様にして、磁気テープを得た。
アモルファス状態のTiCrシード層を非磁性基体とRu下地層との間に形成しないこと以外は実施例1−1と同様にして磁気テープを得た。
結晶状態のTiCrシード層を非磁性基体とRu下地層との間に形成すること以外は実施例1−1と同様にして磁気テープを得た。
上述のようにして得られた実施例1−1〜1−4、比較例1−1、実施例2−1〜2−4、比較例2−1、実施例3−1〜3−5の磁気テープについて、以下の(a)〜(d)の評価を行った。また、比較例3、4の磁気テープについて、以下の(c)、(d)の評価を行った。
図3を参照して、耐クラック荷重の評価方法について説明する。まず、磁気テープから幅12.75mm×試長500mmの試験片を切り出し、この試験片の長手方向の一端をステージの固定部に固定した。次に、試験片の長手方向の他端をばねばかり(プッシュプルゲージ)にくくりつけ、ばねばかりごと一方向に荷重をかけて引っ張り、磁気テープ表面を光学顕微鏡で観察した。そして、荷重を増加させていく段階で、基体表面の積層体にクラックが発生し始めたときの引張荷重をばねばかりの目盛で読み取り、この値を「耐クラック荷重」と定義した。その結果を表1および図4Aに示す。ここで、「耐クラック荷重」とは、クラックが発生し始めるときの引張荷重を意味する。なお、本評価は、ドライブなどの記録再生装置に磁気テープをセットした際に、磁気テープを走行させるメカ機構の引張り応力に磁気テープが耐え得るかどうかを想定した評価である。
磁気記録層の垂直方向の抗磁力Hcを振動試料磁力計(Vibrating Sample Magnetometer:VSM)を用いて調べた。その結果を表1および図4Bに示す。
X線回折装置によりθ/2θ特性を調査し、下地層に含まれるRuの垂直配向性を以下の基準で評価した。その結果を表1に示す。
垂直配向性が良好:(0002)のみのピークが観察された場合
垂直配向性が悪い:(0002)のピークの以外に、(10−10)、(10−11)のピークも観察された場合
ここで、上記結晶方位における「−1」は、オーバーラインが付された「1」を意味する。
電子線回折法によりTiCrシード層の状態を解析した。その結果を表1に示す。なお、電子線回折法では、TiCrシード層が結晶状態であれば電子線回折像としてドットが得られ、TiCrシード層が多結晶状態であれば電子線回折像としてリングが得られ、そして、TiCrシード層がアモルファス状態であれば電子線回折像としてハローが得られる。
高分子フィルムのヤング率に関わらず、下地層の厚みの増加に従って、耐クラック荷重が低下する傾向がある。具体的には、下地層の厚みが5.0nm以上50.0nm以下の範囲内では、下地層の厚みの増加に従って、耐クラック荷重が緩やかに低下する傾向がある。一方、下地層の厚みが50.0nm以上55.5nm以下の範囲内では、下地層の厚みの増加に従って、耐クラック荷重が著しく低下する傾向がある。特に、この大きな低下の傾向は、ヤング率が最も大きい高分子フィルム(ヤング率:16000N/mm2)を用いた磁気テープほど顕著である。
ヤング率が最も小さい高分子フィルム(ヤング率:6250N/mm2)を用いた磁気テープでは、下地層の厚さが50nmを超えると、耐クラック荷重が200[g/12.75mm]未満となる傾向がある。なお、耐クラック荷重が200[g/12.75mm]未満であると、上述したように、データカートリッジの作製段階で、もしくはデータカートリッジの使用段階でクラックが発生し易くなる。
したがって、非磁性基体としてヤング率6250N/mm2以上の高分子フィルムを用いて、耐クラック荷重を200[g/12.75mm]以上とするためには、下地層の厚みを50nm以下とすることが好ましい。
ヤング率16000N/mm2の高分子フィルムを用いた場合には、ヤング率6250N/mm2、6680N/mm2の高分子フィルムを用いた場合に比して、下地層が同一厚さの条件において耐クラック荷重が高くなる。しかし、ヤング率16000N/mm2の高分子フィルムは高価であるために、この高分子フィルムを基体として用いると、製造コストの上昇を招くことになる。
したがって、製造コストの低廉化の観点からすると、非磁性基体としてヤング率が約6250N/mm2または約6680N/mm2である高分子フィルムを用いることが好ましい。なお、製造コストの低廉化の観点から使用可能な高分子フィルムは、上記高分子フィルムに限定されるわけではなく、ヤング率が6250N/mm2以上7000N/mm2以下の範囲内のフィルムであれば、製造コストの低廉化の観点から使用可能である。
高分子フィルムのヤング率に関わらず、下地層の厚みの増加に従って、垂直方向の抗磁力Hcが増加する傾向がある。具体的には、下地層の厚みが5.0nm以上50.0nm以下の範囲内では、下地層の厚みの増加に従って、抗磁力Hcが著しく増加する傾向がある。一方、下地層の厚みが50.0nm以上55.5nm以下の範囲内では、下地層の厚みの増加に従って、抗磁力Hcが緩やかに増加する傾向がある。
高分子フィルム(ヤング率:6680N/mm2)を用いた磁気テープでは、下地層の厚みが5.0nm未満であると、抗磁力Hcが著しく低下して750Oe未満となる傾向がある。このように抗磁力Hcが著しく低下すると、書き込んだ記録信号を保持できなくなり、記録メディアとして成立しなくなる。
上記評価結果を総合すると、基体としてヤング率6250N/mm2以上のものを用いる場合には、下地層の厚さが5.0nm以上50.0nm以下の範囲内であることが好ましい。
上述の実施例1−1〜1−4、比較例1−1、実施例2−1〜2−4、比較例2−1、実施例3−1〜3−5では、Ru下地層の垂直配向性を調べた結果、(10−10)、(10−11)のピークが観察されず、六方細密充填(hcp)構造のc軸が垂直配向していることを示す(0002)のみのピークが観察された。これより、アモルファス状態のTiCrシード層を非磁性基体とRu下地層との間に設けた場合には、Ru下地層の垂直配向が大きく改善されることがわかった。
比較例3では、Ru下地層の垂直配向性を調べた結果、垂直配向を示す六方細密充填(hcp)構造の(0002)のピークは低く、それ以外に(10−10)、(10−11)のピークも観察された。これより、アモルファス状態のTiCrシード層を非磁性基体とRu下地層との間に設けない場合には、Ru下地層では結晶配向がランダムとなり、十分な垂直配向が得られないことがわかった。
比較例4では、Ru下地層の垂直配向性を調べた結果、垂直配向を示す六方細密充填(hcp)構造の(0002)のピークの以外に、(10−10)、(10−11)のピークが比較例3と同様に観察された。これにより、結晶状態のTiCrシード層を非磁性基体とRu下地層との間に設けた場合には、十分な垂直配向が得られないことがわかった。
(1)
可撓性を有する基体と、
アモルファス状を有するシード層と、
Ruを含む下地層と、
グラニュラ構造を有する記録層と
を含み、
上記シード層は、上記基体と上記下地層との間に設けられ、
上記下地層の厚さは、5nm以上50nm以下の範囲内である磁気記録媒体。
(2)
上記シード層は、TiおよびCrを含む合金を含んでいる(1)に記載の磁気記録媒体。
(3)
上記シード層により上記基体の表面の凹凸が緩和されている(1)または(2)に記載の磁気記録媒体。
(4)
上記基体のヤング率が、6250N/mm2以上16000N/mm2以下の範囲内である(1)から(3)のいずれかに記載の磁気記録媒体。
(5)
上記基体のヤング率が、6250N/mm2以上7000N/mm2以下の範囲内である(1)から(3)のいずれかに記載の磁気記録媒体。
(6)
上記基体の厚みが、10.0μm以下である(1)から(5)のいずれかに記載の磁気記録媒体。
(7)
耐クラック荷重が、200[g/12.75mm]以上500[g/12.75mm]以下の範囲内である(1)から(6)のいずれかに記載の磁気記録媒体。
(8)
上記記録層は、Co、PtおよびCrを含む粒子が酸化物で分離されたグラニュラ構造を有する(1)から(7)のいずれかに記載の磁気記録媒体。
(9)
上記記録層は、以下の式(1)に示す平均組成を有している(8)に記載の磁気記録媒体。
(CoxPtyCr100-x-y)100-z−(SiO2)z ・・・(1)
(但し、式(1)中において、x、y、zはそれぞれ、69≦x≦72、12≦y≦16、9≦z≦12の範囲内の値である。)
12 シード層
13 下地層
14 磁気記録層
15 保護膜
16 トップコート層
21 成膜室
22 ドラム
23a、23b、23c カソード
24 供給リール
25 巻き取りリール
Claims (12)
- 可撓性を有する長尺状の基体と、
TiおよびCrを含む合金を含む、アモルファス状を有するシード層と、
Ruを含む下地層と、
グラニュラ構造を有する記録層と
を含み、
上記シード層は、上記基体と上記下地層との間に設けられ、
上記下地層の厚さは、5nm以上50nm以下の範囲内である磁気記録媒体。 - 上記シード層は、上記基体に隣接して設けられている請求項1に記載の磁気記録媒体。
- 上記シード層により上記基体の表面の凹凸が緩和されている請求項1または2に記載の磁気記録媒体。
- 上記基体のヤング率が、6250N/mm2以上16000N/mm2以下の範囲内である請求項1から3のいずれかに記載の磁気記録媒体。
- 上記基体のヤング率が、6250N/mm2以上7000N/mm2以下の範囲内である請求項1から3のいずれかに記載の磁気記録媒体。
- 上記基体の厚みが、10.0μm以下である請求項1から5のいずれかに記載の磁気記録媒体。
- 耐クラック荷重が、200[g/12.75mm]以上500[g/12.75mm]以下の範囲内である請求項1から6のいずれかに記載の磁気記録媒体。
- 上記記録層は、Co、PtおよびCrを含む粒子が酸化物で分離されたグラニュラ構造を有する請求項1から7のいずれかに記載の磁気記録媒体。
- 上記記録層は、以下の式(1)に示す平均組成を有している請求項8に記載の磁気記録媒体。
(CoxPtyCr100-x-y)100-z−(SiO2)z ・・・(1)
(但し、式(1)中において、x、y、zはそれぞれ、69≦x≦72、12≦y≦16、9≦z≦12の範囲内の値である。) - 上記シード層に含まれるTiおよびCrの総量に対するTiの割合は、30原子%以上である請求項1に記載の磁気記録媒体。
- 上記シード層は、酸素をさらに含んでいる請求項1に記載の磁気記録媒体。
- 上記シード層に含まれるTi、CrおよびOの総量に対するOの割合は、15原子%以下であり、
上記シード層に含まれるTiおよびCrの総量に対するTiの割合は、30原子%以上である請求項11に記載の磁気記録媒体。
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