WO2010064724A1 - 磁気ディスク及びその製造方法 - Google Patents
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- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 title claims abstract description 340
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract description 14
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 68
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 67
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 66
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 35
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 34
- 239000006249 magnetic particle Substances 0.000 claims description 31
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 11
- 229910019222 CoCrPt Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 9
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 claims description 7
- 229910018979 CoPt Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 claims description 6
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 claims description 4
- 230000003993 interaction Effects 0.000 abstract description 11
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 550
- 239000010408 film Substances 0.000 description 53
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 38
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 35
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 30
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 30
- 239000000463 material Substances 0.000 description 27
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 23
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 23
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 22
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 18
- VZSRBBMJRBPUNF-UHFFFAOYSA-N 2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)-N-[3-oxo-3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propyl]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C(=O)NCCC(N1CC2=C(CC1)NN=N2)=O VZSRBBMJRBPUNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 15
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 15
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 15
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 13
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 11
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 11
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 11
- 230000006870 function Effects 0.000 description 11
- 229910020599 Co 3 O 4 Inorganic materials 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 10
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 10
- 230000001050 lubricating effect Effects 0.000 description 10
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 7
- 239000010702 perfluoropolyether Substances 0.000 description 7
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 7
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- JAWMENYCRQKKJY-UHFFFAOYSA-N [3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-ylmethyl)-1-oxa-2,8-diazaspiro[4.5]dec-2-en-8-yl]-[2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidin-5-yl]methanone Chemical compound N1N=NC=2CN(CCC=21)CC1=NOC2(C1)CCN(CC2)C(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F JAWMENYCRQKKJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 6
- AFCARXCZXQIEQB-UHFFFAOYSA-N N-[3-oxo-3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propyl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C(CCNC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)N1CC2=C(CC1)NN=N2 AFCARXCZXQIEQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 5
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 5
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N palladium Substances [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 5
- 206010021143 Hypoxia Diseases 0.000 description 4
- 239000005354 aluminosilicate glass Substances 0.000 description 4
- 239000005345 chemically strengthened glass Substances 0.000 description 4
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 4
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 4
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 4
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 4
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000531 Co alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- -1 CoTaZr Inorganic materials 0.000 description 3
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000740 bleeding effect Effects 0.000 description 3
- 238000003426 chemical strengthening reaction Methods 0.000 description 3
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 description 3
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 3
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 3
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 3
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052845 zircon Inorganic materials 0.000 description 3
- GFQYVLUOOAAOGM-UHFFFAOYSA-N zirconium(iv) silicate Chemical compound [Zr+4].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] GFQYVLUOOAAOGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YIWGJFPJRAEKMK-UHFFFAOYSA-N 1-(2H-benzotriazol-5-yl)-3-methyl-8-[2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carbonyl]-1,3,8-triazaspiro[4.5]decane-2,4-dione Chemical compound CN1C(=O)N(c2ccc3n[nH]nc3c2)C2(CCN(CC2)C(=O)c2cnc(NCc3cccc(OC(F)(F)F)c3)nc2)C1=O YIWGJFPJRAEKMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YLZOPXRUQYQQID-UHFFFAOYSA-N 3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)-1-[4-[2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]propan-1-one Chemical compound N1N=NC=2CN(CCC=21)CCC(=O)N1CCN(CC1)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F YLZOPXRUQYQQID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MKYBYDHXWVHEJW-UHFFFAOYSA-N N-[1-oxo-1-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propan-2-yl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C(C(C)NC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)N1CC2=C(CC1)NN=N2 MKYBYDHXWVHEJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NIPNSKYNPDTRPC-UHFFFAOYSA-N N-[2-oxo-2-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethyl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C(CNC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)N1CC2=C(CC1)NN=N2 NIPNSKYNPDTRPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VCUFZILGIRCDQQ-KRWDZBQOSA-N N-[[(5S)-2-oxo-3-(2-oxo-3H-1,3-benzoxazol-6-yl)-1,3-oxazolidin-5-yl]methyl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C1O[C@H](CN1C1=CC2=C(NC(O2)=O)C=C1)CNC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F VCUFZILGIRCDQQ-KRWDZBQOSA-N 0.000 description 2
- 241000849798 Nita Species 0.000 description 2
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 230000005316 antiferromagnetic exchange Effects 0.000 description 2
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N chromium nickel Chemical compound [Cr].[Ni] VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 2
- JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N diboron trioxide Chemical compound O=BOB=O JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 2
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- SFMJNHNUOVADRW-UHFFFAOYSA-N n-[5-[9-[4-(methanesulfonamido)phenyl]-2-oxobenzo[h][1,6]naphthyridin-1-yl]-2-methylphenyl]prop-2-enamide Chemical compound C1=C(NC(=O)C=C)C(C)=CC=C1N1C(=O)C=CC2=C1C1=CC(C=3C=CC(NS(C)(=O)=O)=CC=3)=CC=C1N=C2 SFMJNHNUOVADRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 2
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 2
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000006017 silicate glass-ceramic Substances 0.000 description 2
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 2
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910020598 Co Fe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002519 Co-Fe Inorganic materials 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000640 Fe alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003271 Ni-Fe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000929 Ru alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000323 aluminium silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005407 aluminoborosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 230000005290 antiferromagnetic effect Effects 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000005292 diamagnetic effect Effects 0.000 description 1
- QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N dichromium trioxide Chemical compound O=[Cr]O[Cr]=O QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 238000007885 magnetic separation Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 1
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 1
- SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N osmium atom Chemical compound [Os] SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/851—Coating a support with a magnetic layer by sputtering
-
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Abstract
２５０Ｇビット／平方インチ以上の記憶容量であってもノイズの少ない、グラニュラ磁気記録層を含む磁気ディスク及びその製造方法を提供すること。本発明の磁気ディスクは、ディスク基体（１０）上に直接又は中間層を介して形成され、グラニュラ柱状粒子間に非磁性領域を有してなるグラニュラ磁気記録層（２０）と、前記グラニュラ磁気記録層（２０）上に形成され、前記グラニュラ柱状粒子間で交換相互作用させる補助記録層（２２）と、を具備し、前記補助記録層（２２）は、０．１モル～３モルの酸素を含有することを特徴とする。
Description
本発明は、垂直磁気記録方式のハードディスクドライブ（ＨＤＤ）などに搭載される炭素系保護層を有する磁気ディスク及びその製造方法に関する。
磁気記録方式のＨＤＤなどに搭載される磁気ディスクに要求される特性は、記録された信号のＳＮ比が良いこと、熱安定性が良いこと、記録し易いこと、などが挙げられる。この中で、ＳＮ比を向上させるためには、磁気記録層を構成する磁性粒子の粒径を小さくする必要がある。しかしながら、磁性粒子を小さくすると、信号が熱的に不安定となる。信号を熱的に安定させるためには、垂直磁気異方性エネルギー（Ｋｕ）を大きくする必要があるが、あまり垂直磁気異方性エネルギーを大きくすると、磁気ヘッドで情報を記録することができなくなる。
このような問題を解決するために、例えば、グラニュラ柱状粒子とグラニュラ柱状粒子間の非磁性領域とからなるグラニュラ磁気記録層と、このグラニュラ磁気記録層上に形成され、グラニュラ柱状粒子間で交換結合させる補助記録層と、を有するＣＧＣ（Continuous Granular Coupled）媒体が開発されている。ＣＧＣ媒体においては、補助記録層とグラニュラ磁気記録層との間の交換相互作用と、補助記録層を介してのグラニュラ柱状粒子間の交換相互作用を調整することにより、静磁気特性（ＳＮ比）、記録特性、熱安定性を制御することができる。
記憶容量が２５０Ｇビット／平方インチ未満の従来の垂直磁気記録方式の磁気ディスクにおいてはグラニュラ磁気記録層のみの場合よりも補助記録層を設けた方がノイズの低減を図ることができるが、記憶容量が２５０Ｇビット／平方インチ以上に高くなると、補助記録層が連続した膜であるが故に、補助記録層の磁性粒間の交換相互作用が強くノイズ発生の原因となる。
本発明の一態様はかかる点に鑑みてなされたものであり、２５０Ｇビット／平方インチ以上の記憶容量であってもノイズの少ない、グラニュラ磁気記録層を含む磁気ディスク及びその製造方法を提供することを目的の一とする。
本発明の磁気ディスクの一態様は、ディスク基体上に直接又は中間層を介して形成され、グラニュラ柱状粒子間に非磁性領域を有してなるグラニュラ磁気記録層と、前記グラニュラ磁気記録層上に形成され、前記グラニュラ柱状粒子間で交換結合させる補助記録層と、を具備し、前記補助記録層は、０．１モル％～３モル％の酸素を含有することを特徴とする。
この構成によれば、０．１モル％～３モル％の酸素を含有する補助記録層を磁気記録層上に設けているので、補助記録層の磁性粒間の粒界の均一性を高めることが可能となり、その結果、磁気的な連続性についても均一性が高まるために、記憶容量が２５０Ｇビット／平方インチ以上であるグラニュラ構造を有する磁気記録層を備えた磁気ディスクにおいても、ノイズの低減を図ることができる。
本発明の磁気ディスクの一態様においては、前記酸素は、酸化物の状態で前記補助記録層に含まれることが好ましい。この場合においては、前記酸化物は、前記グラニュラ磁気記録層の前記非磁性領域上に偏析していることが好ましい。
本発明の磁気ディスクの一態様においては、前記グラニュラ磁気記録層が酸素を含有しており、前記補助記録層に含有している酸素の量が前記グラニュラ磁気記録層に含有している酸素の量よりも少ないことが好ましい。
本発明の磁気ディスクの一態様においては、前記グラニュラ磁気記録層に含有されている酸素が、複数の種類の酸化物が混合していることが好ましい。
本発明の磁気ディスクの一態様においては、前記グラニュラ磁気記録層と前記補助記録層との間に非磁性の分断層を設けることが好ましい。
本発明の磁気ディスクの一態様においては、前記グラニュラ磁気記録層が複数の層で設けられることが好ましい。
本発明の磁気ディスクの一態様においては、記憶容量が２５０Ｇビット／平方インチ以上であることが好ましい。
本発明の磁気ディスクの別の態様は、ディスク基体上に少なくとも、柱状に連続して成長したＣｏＣｒＰｔからなる磁性粒子の間に非磁性の粒界部を形成したグラニュラ構造を有してなる磁気記録層と、磁気記録層上に形成された補助記録層と、を具備し、補助記録層は、ディスク基体主表面の面内方向に磁気的にほぼ連続した磁性層である非グラニュラ補助記録層と、非グラニュラ補助記録層の下に設けられ、非グラニュラ補助記録層に比較して保磁力が高く、グラニュラ構造を有するグラニュラ補助記録層を含むことを特徴とする。
この構成によれば、保磁力の高いグラニュラ補助記録層が、非グラニュラ補助記録層のピン層として作用する。したがって、通常、補助記録層を厚くすれば書きにじみが増えるところ、厚い補助記録層を設けてもトラック幅を狭小化（書きにじみ減少）することができ、ＳＮＲが向上する。このように、トラック幅とＳＮＲとの両立が図れる。
本発明の磁気ディスクの別の態様においては、グラニュラ補助記録層は、磁気記録層に比較してＣｒのａｔ％が小さくＣｏＰｔのａｔ％が大きいとよい。かかる組成によれば、磁気記録層よりグラニュラ補助記録層の保磁力のほうが高くなり、非グラニュラ補助記録層のピン層として理想的に作用するからである。
本発明の磁気ディスクの別の態様においては、磁気記録層のＣｒ濃度（Ａ）とグラニュラ補助記録層のＣｒ濃度（Ｂ）の差（Ａ－Ｂ）が１ａｔ％以上であり、４ａｔ％以下であるとよい。磁気記録層に比較してＣｒのａｔ％を小さくしＣｏＰｔのａｔ％を大きくして保磁力を高めたものである。換言すると、金属層において、Ｃｒ濃度（Ｂ）の差（Ａ－Ｂ）が１ａｔ％以上であり、４ａｔ％以下であるとよい。
本発明の磁気ディスクの別の態様においては、グラニュラ補助記録層は、非グラニュラ補助記録層に比較して膜厚が薄いとよい。非グラニュラ補助記録層の厚みを薄くすると、記録自体が不能となってしまうので、その厚みは維持してＯＷ特性を保持しながら、非グラニュラ補助記録層のピン層として作用するグラニュラ補助記録層によって、書きにじみもしないようにするためである。上記のグラニュラ補助記録層の膜厚は０．５ｎｍ～５．０ｎｍ、非グラニュラ補助記録層の膜厚は４．０～８．０ｎｍとするとよい。
本発明の磁気ディスクの製造方法は、ディスク基体上に少なくともグラニュラ磁気記録層を形成する磁気記録層形成工程と、前記磁気記録層上に補助記録層を形成する補助記録層形成工程と、を具備する磁気ディスクの製造方法であって、前記補助記録層形成工程において、０．１モル％～３モル％の酸素を含有する補助記録層を形成することを特徴とする。
本発明の磁気ディスクの製造方法においては、前記補助記録層形成工程において、酸化物を含むスパッタリングターゲットを用いてスパッタリングにより前記補助記録層を形成することが好ましい。
本発明の磁気ディスクの製造方法においては、前記補助記録層形成工程において、０．５％～３％の分圧で酸素を混入させた反応性スパッタリングにより前記補助記録層を形成することが好ましい。
本発明の磁気ディスクの製造方法においては、前記グラニュラ磁気記録層と前記補助記録層との間に非磁性の分断層を設けて、前記グラニュラ磁気記録層と前記補助記録層との間の強磁性結合の強さを調節できるようにすることが好ましい。
本発明の磁気ディスクの製造方法においては、前記グラニュラ磁気記録層を複数の層で形成することが好ましい。
本発明の磁気ディスクは、ディスク基体上に直接又は中間層を介して形成され、グラニュラ柱状粒子間に非磁性領域を有してなるグラニュラ磁気記録層と、前記グラニュラ磁気記録層上に形成され、前記グラニュラ柱状粒子間で交換結合させる補助記録層と、を具備し、前記補助記録層は、０．１モル％～３モル％の酸素を含有するので、２５０Ｇビット／平方インチ以上の記憶容量であってもノイズの少ない、グラニュラ磁気記録層を含む磁気ディスクである。
また、本発明によれば、補助記録層の膜厚を保ち、ＯＷ特性を良好な状態に保持しつつ、トラック幅を狭小化してＳＮＲを向上させるという、トラック幅とＳＮＲとの両立を図ることで、高記録密度化の達成が可能な垂直磁気記録媒体を提供することができる。
以下に添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。かかる実施形態に示す寸法、材料、その他具体的な数値などは、発明の理解を容易とするための例示に過ぎず、特に断る場合を除き、本発明を限定するものではない。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能、構成を有する要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略し、また本発明に直接関係のない要素は図示を省略する。
（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態１に係る磁気ディスクの概略構成を示す図である。図１に示す垂直磁気記録方式の媒体（垂直磁気記録媒体）１００は、ディスク基体１０、密着層１２、軟磁性層１４、配向制御層１６、下地層１８、磁気記録層２０、補助記録層２２、媒体保護層２４、潤滑層２６を順次積層することにより構成されている。
図１は、本発明の実施の形態１に係る磁気ディスクの概略構成を示す図である。図１に示す垂直磁気記録方式の媒体（垂直磁気記録媒体）１００は、ディスク基体１０、密着層１２、軟磁性層１４、配向制御層１６、下地層１８、磁気記録層２０、補助記録層２２、媒体保護層２４、潤滑層２６を順次積層することにより構成されている。
ディスク基体（磁気ディスク用基板）１０としては、例えば、ガラス基板、アルミニウム基板、シリコン基板、プラスチック基板などを用いることができる。基板１として、表面が平滑な化学強化ガラス基板を用いる場合には、例えば、素材加工工程及び第１ラッピング工程；端部形状工程（穴部を形成するコアリング工程、端部（外周端部及び／又は内周端部）に面取り面を形成するチャンファリング工程（面取り面形成工程））；端面研磨工程（外周端部及び内周端部）；第２ラッピング工程；主表面研磨工程（第１及び第２研磨工程）；化学強化工程などの工程を含む製造工程により製造することができる。
密着層１２は、ディスク基体１０と軟磁性層１４との間の密着性を向上させることができる。これにより、軟磁性層１４の剥離を防止することができる。密着層１２の材料としては、例えばＣｒＴｉ合金を用いることができる。
軟磁性層１４は、磁気ヘッドの主磁極から発生する磁界を経由させる層である。軟磁性層１４を構成する材料としては、例えばＣｏＦｅＴａＺｒ合金などが挙げられる。なお、軟磁性層１４として、第１軟磁性層と第２軟磁性層の間に非磁性のスペーサ層を介在させた構成とし、ＡＦＣ（Antiferro-magnetic exchange coupling：反強磁性交換結合）を備えるようにしても良い。これにより、軟磁性層１４の磁化方向を高い精度で磁路（磁気回路）に沿って整列させることができ、磁化方向の垂直成分が極めて少なくなるため、軟磁性層１４から生じるノイズを低減することができる。この場合、スペーサ層の材料としては、Ｒｕ（ルテニウム）などを用いることができる。
配向制御層１６は、軟磁性層１４を保護する作用と、下地層１８の結晶粒の配向の整列を促進する作用を備える。配向制御層の材質としては、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂから選択することができる。さらにこれらの金属を主成分とし、Ｔｉ、Ｖ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗのいずれか１つ以上の添加元素を含む合金としてもよい。例えばＮｉＷ、ＮｉＣｒ、ＮｉＴａ合金、ＣｕＷ合金、ＣｕＣｒ合金を好適に選択することができる。また、複数層として形成してもよい。
下地層１８はｈｃｐ構造であって、磁気記録層２０のｈｃｐ構造の結晶をグラニュラ構造（グラニュラ柱状粒子間に非磁性領域を有する構造）として成長させることができる。したがって、下地層１８の結晶配向性が高いほど、磁気記録層２０の配向性を向上させることができる。なお、さらに分離性を付与するために、成膜時のＡｒ圧力が低圧の下層と高圧の上層に分けて形成するとよい。下地層の材質としては、Ｒｕの他に、Ｒｅ、Ｐｔ、ＲｕＣｒ合金、ＲｕＣｏ合金などから選択することができる。Ｒｕはｈｃｐ構造をとり、Ｃｏを主成分とする磁気記録層を良好に配向させることができる。また、酸化物を添加してもよい。
磁気記録層２０は、ディスク基体１０上に直接又は中間層を介して形成される。磁気記録層２０においては、複数の種類の酸化物（以下、「複合酸化物」という）を含有させることにより、非磁性の粒界に複合酸化物を偏析させている。すなわち、磁気記録層２０における、非磁性物質であるＣｒ及び複合酸化物（非磁性領域２０ａ）は、磁性物質であるＣｏの周囲に偏析して粒界を形成し、磁性粒（磁性グレイン）２０ｂが柱状のグラニュラ構造となる（グラニュラ磁気記録層）。
ここで、グラニュラ磁気記録層を構成する材料としては、ＣｏＣｒＰｔ－ＳｉＯ２（ｈｃｐ結晶構造）や、ＣｏＣｒＰｔ－ＴｉＯ２（ｈｃｐ結晶構造）などを挙げることができる。また、磁気記録層２０の厚さは、５ｎｍ～１５ｎｍであることが好ましい。
また、磁気記録層２０は、複数の薄膜を積層させて形成してもよい。例えば、上述した材料を、複数回に分けて成膜することにより、複数の層（積層膜）で形成することができる。これにより、磁性粒子が成膜されるにつれて肥大化することを抑制し、下層から上層までの粒径を均一にすることができる。なお、積層する膜は同一の材料を用いてもよいし、異なる材料を用いてもよい。
補助記録層２２は、グラニュラ磁性層の上方に形成され、グラニュラ磁性層のグラニュラ柱状粒子同士を交換結合させる役割を持つ。補助記録層２２としては、高い垂直磁気異方性を持ち、かつ高い飽和磁化Ｍｓを示す、ディスク基体の面内方向に磁気的な連続性を有する薄膜（連続層）が好適である。補助記録層２２は、逆磁区核形成磁界Ｈｎ、耐熱揺らぎ特性の改善、オーバーライト特性の改善を目的とする。補助記録層２２の材料としては、ＣｏＣｒＰｔＢ－ＣｕＯ、ＣｏＣｒＰｔＢ－ＣｏＯ、ＣｏＣｒＰｔＢ－Ｃｏ３Ｏ４、ＣｏＣｒＰｔＢ－Ｃｒ２Ｏ３、ＣｏＣｒＰｔＢ－ＳｉＯ２、ＣｏＣｒＰｔＢ－ＴｉＯ２、さらに、前述のＣｏＣｒＰｔＢの他に、ＣｏＰｔ、ＣｏＣｒＰｔ、ＣｏＣｒＰｔＴａ、ＣｏＣｒＰｔＣｕ、ＣｏＣｒＰｔＢＣｕなどの合金に各種酸化物を添加したものなどを挙げることができる。また、前記合金をスパッタリングする際に酸素を適切な分圧で添加して反応性スパッタリングによって形成することもできる。
また、補助記録層２２は、０．１モル％～３モル％の酸素を含有する。補助記録層２２に含有している酸素の量は、グラニュラ磁気記録層２０に含有している酸素の量よりも少ないことが好ましい。このように設定することにより、補助記録層２２において磁気的に分離させず補助記録層としての効果（グラニュラ柱状粒子間で交換結合させる効果）を維持することができる。なお、「酸素」の量は、酸素分子（Ｏ２）換算にて算出した値である。例えば、２モル％のＣｕＯであれば、酸素分子換算で１モルである。また、２モル％のＳｉＯ２であれば、２モルである。
補助記録層２２において、酸素は、図２に示すように酸化物の状態で偏析するか、あるいは、他の原子と結合して化合物として偏析する。この偏析物２２ａは、磁気記録層２０の非磁性領域２０ａ上に偏析する。酸化物を含むスパッタリングターゲットを用いてスパッタリングにより補助記録層２２を形成すると、酸化物の状態で偏析し、０．５％～３％の分圧で酸素を混入させた反応性スパッタリングにより補助記録層２２を形成すると、ＣｏやＣｒなどの原子と結合して化合物として偏析する。また、補助記録層２２の厚さは、５ｎｍ～１０ｎｍであることが好ましい。また、補助記録層２２を、複数の膜として形成してもよい。
このように補助記録層２２に０．１モル％～３モル％の酸素を積極的に含有させることにより、補助記録層の堆積過程において生じる構造的な不均一性を減少させることができ、その不均一性に起因する補助記録層要因のノイズを減少させることができる。さらに、補助記録層の特性が改善した結果、磁気記録層２０のグラニュラ柱状粒子同士の交換結合の制御性も向上する。これにより、磁気記録層２０から補助記録層２２に渡る全般的なノイズの低減が可能となる。この効果は、記憶容量が２５０Ｇビット／平方インチ以上である場合に特に顕著となる。
媒体保護層２４は、真空を保ったままカーボンをＣＶＤ法により成膜して形成した。媒体保護層２４は、磁気ヘッドの衝撃から垂直磁気記録層を保護するための保護層である。一般にＣＶＤ法によって成膜されたカーボンはスパッタリング法によって成膜したものと比べて膜硬度が向上するので、磁気ヘッドからの衝撃に対してより有効に垂直磁気記録層を保護することができる。また、媒体保護層２４の厚さは、２ｎｍ～５ｎｍであることが好ましい。
潤滑層２６は、ＰＦＰＥ（パーフロロポリエーテル）をディップコート法により成膜した。ここでは、潤滑層２６の膜厚は約１ｎｍである。
図１に示す垂直磁気記録媒体１００において、磁気記録層２０と補助記録層２２の間に非磁性の層である分断層を設けてもよい。分断層を設けることにより、磁気記録層２０と補助記録層２２の間の強磁性交換結合の強さを調節することが可能となる。その結果、磁気記録層２０に存在する柱状磁性粒子間の磁気的結合の強さも調節可能となり、媒体特性をさらに高めることができる。分断層としては、例えば、ルテニウム（Ｒｕ）や、ＲｕにＣｒやＣｏ、酸素や酸化物などを添加した、Ｒｕ合金やＲｕ化合物の薄膜で形成することができる。
上記構成の磁気ディスクの製造においては、まず、アモルファスのアルミノシリケートガラスをダイレクトプレスで円盤状に成型し、ガラスディスクを作製する。このガラスディスクに研削、研磨、化学強化を順次施し、化学強化ガラスディスクからなる平滑な非磁性のディスク基体１０を得る。
得られたディスク基体１０上に、真空引きを行った成膜装置を用いて、Ａｒ雰囲気中でＤＣマグネトロンスパッタリング法にて、密着層１２から補助記録層２２まで順次成膜を行い、媒体保護層２４はＣＶＤ法により成膜する。この後、潤滑層２６をディップコート法により形成する。
補助記録層２２の成膜においては、０．１モル％～３モル％の酸素を含有させる。例えば、酸化物を含むスパッタリングターゲットを用いてスパッタリングにより補助記録層２２を形成する、あるいは、０．５％～３％の分圧で酸素を混入させた反応性スパッタリングにより補助記録層２２を形成する。
このように、本発明の磁気ディスクは、０．１モル％～３モル％の酸素を含有する補助記録層を磁気記録層上に設けているので、補助記録層の磁性粒間の粒界の均一性を高めることが可能となり、その結果、磁気的な連続性についても均一性が高まるために、記憶容量が２５０Ｇビット／平方インチ以上であるグラニュラ構造を有する磁気記録層を備えた磁気ディスクにおいても、ノイズの低減を図ることができる。
（実施の形態２）
実施の形態２では、上記実施の形態１と異なる磁気ディスクの構成について説明する。
実施の形態２では、上記実施の形態１と異なる磁気ディスクの構成について説明する。
一般的に、磁気ディスクの高記録密度化のために重要な要素としては、上記の保磁力Ｈｃや逆磁区核形成磁界Ｈｎなどの静磁気特性の向上と、オーバーライト特性（ＯＷ特性）やＳＮＲ（Signal Noise Ratio）、トラック幅の狭小化などの電磁変換特性の向上がある。なかでもＯＷ特性を向上させるために、磁気記録層の上方または下方に補助記録層を設ける場合がある。補助記録層は基体主表面の面内方向に磁気的にほぼ連続した磁性層であり、磁気記録層に対して磁気的相互作用を及ぼして、逆磁区核形成磁界Ｈｎを向上させることにより、ＯＷ特性を向上させている。
しかし補助記録層を設けると、ＯＷ特性の向上と引き換えに、いわゆる「書きにじみ」が生じ、トラック幅が増大する。また書きにじみは隣接する記録ビットやトラックに対して影響を及ぼし、隣接するトラックの信号品質を劣化させる。すなわち、補助記録層は、保磁力Ｈｃを下げてＳＮＲを向上させ、線記録密度の向上による面記録密度の向上を本来目的としているが、このように、補助記録層の存在による隣接トラックへの影響がトラック密度を低下させ、面記録密度の低下の原因となってしまう。一方、補助記録層の膜厚を薄くして、書きにじみを回避しようとすると、こんどは記録自体が困難になり（ＯＷ特性悪化）、ノイズの増加を引き起こす。
これらのことから補助記録層は適切な膜厚に成膜する必要がある。しかし、補助記録層の挙動は膜厚に対して非常に敏感であり、わずかでも理想値からずれると、書きにじみが増大したり、ＯＷ特性が悪化したりしてしまう。すなわち、補助記録層において書きにじみとＯＷ特性はトレードオフの関係にあり、かつ安定して所望のバランスを得ることは難しい。
本実施の形態２では、補助記録層の膜厚を保ち、ＯＷ特性を良好な状態に保持しつつ、トラック幅を狭小化してＳＮＲを向上させるという、トラック幅とＳＮＲとの両立を図ることで、高記録密度化の達成が可能な磁気ディスクを提供することを目的とする。
上記課題を解決するために発明者は鋭意検討し、補助記録層を２層構造とし、磁気記録層に近い側の１層をグラニュラ構造を有する層とし、これを、遠い側の１層に対するピン層（磁化方向固定層）として作用させることを着想した。以下に、図面を参照して説明する。
［垂直磁気記録媒体］
図３は、本実施形態２にかかる垂直磁気記録媒体１５０の構成を説明する図である。図３に示す垂直磁気記録媒体１５０は、ディスク基体１１０、付着層（密着層）１１２、第１軟磁性層１１４ａ、スペーサ層１１４ｂ、第２軟磁性層１１４ｃ、前下地層１１６（非磁性層）、第１下地層１１８ａ、第２下地層１１８ｂ、非磁性グラニュラ層１２０、下記録層１２２ａ、介在層１２２ｂ、第１主記録層１２２ｃ、第２主記録層１２２ｄ、分断層１２４、グラニュラ補助記録層１２６ａ、非グラニュラ補助記録層１２６ｂ、媒体保護層１２８、潤滑層１３０で構成されている。なお第１軟磁性層１１４ａ、スペーサ層１１４ｂ、第２軟磁性層１１４ｃはあわせて軟磁性層１１４を構成する。第１下地層１１８ａと第２下地層１１８ｂはあわせて下地層１１８を構成する。下記録層１２２ａと介在層１２２ｂ、第１主記録層１２２ｃ、第２主記録層１２２ｄはあわせて磁気記録層１２２を構成する。グラニュラ補助記録層１２６ａ、非グラニュラ補助記録層１２６ｂはあわせて補助記録層１２６を形成する。
図３は、本実施形態２にかかる垂直磁気記録媒体１５０の構成を説明する図である。図３に示す垂直磁気記録媒体１５０は、ディスク基体１１０、付着層（密着層）１１２、第１軟磁性層１１４ａ、スペーサ層１１４ｂ、第２軟磁性層１１４ｃ、前下地層１１６（非磁性層）、第１下地層１１８ａ、第２下地層１１８ｂ、非磁性グラニュラ層１２０、下記録層１２２ａ、介在層１２２ｂ、第１主記録層１２２ｃ、第２主記録層１２２ｄ、分断層１２４、グラニュラ補助記録層１２６ａ、非グラニュラ補助記録層１２６ｂ、媒体保護層１２８、潤滑層１３０で構成されている。なお第１軟磁性層１１４ａ、スペーサ層１１４ｂ、第２軟磁性層１１４ｃはあわせて軟磁性層１１４を構成する。第１下地層１１８ａと第２下地層１１８ｂはあわせて下地層１１８を構成する。下記録層１２２ａと介在層１２２ｂ、第１主記録層１２２ｃ、第２主記録層１２２ｄはあわせて磁気記録層１２２を構成する。グラニュラ補助記録層１２６ａ、非グラニュラ補助記録層１２６ｂはあわせて補助記録層１２６を形成する。
ディスク基体１１０は、アモルファスのアルミノシリケートガラスをダイレクトプレスで円板状に成型したガラスディスクを用いることができる。なおガラスディスクの種類、サイズ、厚さ等は特に制限されない。ガラスディスクの材質としては、例えば、アルミノシリケートガラス、ソーダライムガラス、ソーダアルミノケイ酸ガラス、アルミノボロシリケートガラス、ボロシリケートガラス、石英ガラス、チェーンシリケートガラス、又は、結晶化ガラス等のガラスセラミックなどが挙げられる。このガラスディスクに研削、研磨、化学強化を順次施し、化学強化ガラスディスクからなる平滑な非磁性のディスク基体１１０を得ることができる。
ディスク基体１１０上に、ＤＣマグネトロンスパッタリング法にて付着層１１２から補助記録層１２６まで順次成膜を行い、媒体保護層１２８はＣＶＤ法により成膜することができる。この後、潤滑層１３０をディップコート法により形成することができる。なお、生産性が高いという点で、インライン型成膜方法を用いることも好ましい。以下、各層の構成について説明する。
付着層１１２はディスク基体１１０に接して形成され、この上に成膜される軟磁性層１１４とディスク基体１１０との剥離強度を高める機能と、軟磁性層１１４上に成膜される各層の結晶グレインを微細化及び均一化させる機能を備えている。付着層１１２は、ディスク基体１１０がアモルファスガラスからなる場合、そのアモルファスガラス表面に対応させる為にアモルファス（非晶質）の合金膜とすることが好ましい。
付着層１１２としては、例えばＣｒＴｉ系非晶質層、ＣｏＷ系非晶質層、ＣｒＷ系非晶質層、ＣｒＴａ系非晶質層、ＣｒＮｂ系非晶質層から選択することができる。付着層１１２は単一材料からなる単層でも良いが、複数層を積層して形成してもよい。例えばＣｒＴｉ層の上にＣｏＷ層またはＣｒＷ層を形成してもよい。またこれらの付着層１１２は、二酸化炭素、一酸化炭素、窒素、又は酸素を含む材料によってスパッタを行うか、もしくは表面層をこれらのガスで暴露したものであることが好ましい。
軟磁性層１１４は、垂直磁気記録方式において記録層に垂直方向に磁束を通過させるために、記録時に一時的に磁路を形成する層である。軟磁性層１１４は第１軟磁性層１１４ａと第２軟磁性層１１４ｃの間に非磁性のスペーサ層１１４ｂを介在させることによって、ＡＦＣ（AntiFerro magnetic exchange Coupling）を備えるように構成することができる。これにより軟磁性層１１４の磁化方向を高い精度で磁路（磁気回路）に沿って整列させることができ、磁化方向の垂直成分が極めて少なくなるため、軟磁性層１１４から生じるノイズを低減することができる。第１軟磁性層１１４ａ、第２軟磁性層１１４ｃの組成としては、ＣｏＴａＺｒなどのコバルト系合金、ＣｏＣｒＦｅＢ、ＣｏＦｅＴａＺｒなどのＣｏ－Ｆｅ系合金、［Ｎｉ－Ｆｅ／Ｓｎ］ｎ多層構造のようなＮｉ－Ｆｅ系合金などを用いることができる。
前下地層（配向制御層）１１６は、非磁性層すなわち非磁性の合金層であり、軟磁性層１１４を防護する作用と、下地層１１８の結晶粒の配向の整列を促進する作用を備える。前下地層１１６の材質としては、具体的には、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｎｂから選択することができる。さらにこれらの金属を主成分とし、Ｔｉ、Ｖ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗのいずれか１つ以上の添加元素を含む合金としてもよい。例えば、ＮｉＷ、ＮｉＣｒ、ＮｉＴａ合金、ＣｕＷ合金、ＣｕＣｒ合金を好適に選択することができる。また、複数層として形成してもよい。
これにより、軟磁性層１１４上に成膜される複数の層における各境界面の粗さが改善され、これらの層の結晶配向性を向上することが可能となる。したがって、ＳＮＲの向上および高記録密度化の達成を図ることができる。
下地層１１８はｈｃｐ構造であって、磁気記録層１２２のＣｏのｈｃｐ構造の結晶をグラニュラ構造として成長させる作用を有している。したがって、下地層１１８の結晶配向性が高いほど、すなわち下地層１１８の結晶の（０００１）面がディスク基体１１０の主表面と平行になっているほど、磁気記録層１２２の配向性を向上させることができる。なお、さらに分離性を付与するために、成膜時のＡｒ圧力が低圧の下層と高圧の上層に分けて形成するとよい。下地層１１８の材質としてはＲｕが代表的であるが、その他に、Ｒｅ、Ｐｔ、ＲｕＣｒ、ＲｕＣｏから選択することができる。Ｒｕはｈｃｐ構造をとり、また結晶の原子間隔がＣｏと近いため、Ｃｏを主成分とする磁気記録層１２２を良好に配向させることができる。また、酸化物を添加してもよい。
下地層１１８をＲｕとした場合において、スパッタ時のガス圧を変更することによりＲｕからなる２層構造とすることができる。具体的には、下層側の第１下地層１１８ａを形成する際にはＡｒのガス圧を所定圧力、すなわち低圧にし、上層側の第２下地層１１８ｂを形成する際には、下層側の第１下地層１１８ａを形成するときよりもＡｒのガス圧を高くする、すなわち高圧にする。これにより、第１下地層１１８ａによる磁気記録層１２２の結晶配向性の向上、および第２下地層１１８ｂによる磁気記録層１２２の磁性粒子の粒径の微細化が可能となる。
また、ガス圧を高くするとスパッタリングされるプラズマイオンの平均自由行程が短くなるため、成膜速度が遅くなり、皮膜が粗になるため、Ｒｕの結晶粒子の分離微細化を促進することができ、Ｃｏの結晶粒子の微細化も可能となる。
さらに、下地層１１８のＲｕに酸素を微少量含有させてもよい。これによりさらにＲｕの結晶粒子の分離微細化を促進することができ、磁気記録層１２２のさらなる孤立化と微細化を図ることができる。したがって、本実施形態２では、２層で構成される下地層１１８のうち、磁気記録層の直下に成膜される第２下地層に酸素を含ませる。すなわち第２下地層をＲｕＯにより構成する。これにより、上記の利点を最も効果的に得ることができる。なお酸素はリアクティブスパッタによって含有させてもよいが、スパッタリング成膜する際に酸素を含有するターゲットを用いることが好ましい。
非磁性グラニュラ層１２０はグラニュラ構造を有する非磁性の層である。下地層１１８のｈｃｐ結晶構造の上に非磁性グラニュラ層１２０を形成し、この上に下記録層１２２ａ（すなわち磁気記録層１２２全体）のグラニュラ層を成長させることにより、磁性のグラニュラ層を初期成長の段階（立ち上がり）から分離させる作用を有している。これにより、磁気記録層１２２の磁性粒子の孤立化を促進することができる。非磁性グラニュラ層１２０の組成は、Ｃｏ系合金からなる非磁性の結晶粒子の間に、非磁性物質を偏析させて粒界を形成することにより、グラニュラ構造とすることができる。
本実施形態２においては、かかる非磁性グラニュラ層１２０にＣｏＣｒ－ＳｉＯ２を用いる。これにより、Ｃｏ系合金（非磁性の結晶粒子）の間にＳｉＯ２（非磁性物質）が偏析して粒界を形成し、非磁性グラニュラ層１２０がグラニュラ構造となる。なお、ＣｏＣｒ－ＳｉＯ２は一例であり、これに限定するものではない。他には、ＣｏＣｒＲｕ－ＳｉＯ２を好適に用いることができ、さらにＲｕに代えてＲｈ（ロジウム）、Ｐｄ（パラジウム）、Ａｇ（銀）、Ｏｓ（オスミウム）、Ｉｒ（イリジウム）、Ａｕ（金）も利用することができる。また非磁性物質とは、磁性粒子（磁性グレイン）間の交換相互作用が抑制、または、遮断されるように、磁性粒子の周囲に粒界部（粒界領域）を形成しうる物質であって、コバルト（Ｃｏ）と固溶しない非磁性物質であればよい。例えば酸化珪素（ＳｉＯｘ）、クロム（Ｃｒ）、酸化クロム（Ｃｒ２Ｏ３）、酸化チタン（ＴｉＯ２）、酸化ジルコン（ＺｒＯ２）、酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）を例示できる。
なお本実施形態２では、下地層１１８（第２下地層１１８ｂ）の上に非磁性グラニュラ層１２０を設けているが、これに限定されるものではなく、非磁性グラニュラ層１２０を設けずに垂直磁気記録媒体１００を構成することも可能である。
磁気記録層１２２は、Ｃｏ系合金、Ｆｅ系合金、Ｎｉ系合金から選択される硬磁性体の磁性粒子の周囲に非磁性物質を偏析させて粒界を形成した柱状のグラニュラ構造を有している（グラニュラ磁気記録層）。この磁性粒子は、非磁性グラニュラ層１２０を設けることにより、そのグラニュラ構造から継続してエピタキシャル成長することができる。磁気記録層１２２は、本実施形態２では下記録層１２２ａ、介在層１２２ｂ、第１主記録層１２２ｃ、第２主記録層１２２ｄから構成されている。これにより、下記録層１２２ａの結晶粒子（磁性粒子）から継続して第１主記録層１２２ｃ、第２主記録層１２２ｄの小さな結晶粒子が成長し、主記録層の微細化を図ることができ、ＳＮＲの向上が可能となる。
本実施形態２では、下記録層１２２ａにＣｏＣｒＰｔ－Ｃｒ２Ｏ５－ＳｉＯ２を用いる。ＣｏＣｒＰｔ－Ｃｒ２Ｏ５－ＳｉＯ２は、ＣｏＣｒＰｔからなる磁性粒子（グレイン）の周囲に、非磁性物質であるＣｒ２Ｏ５、ＳｉＯ２（酸化物）が偏析して粒界を形成し、磁性粒子が柱状に成長したグラニュラ構造を形成する。この磁性粒子は、非磁性グラニュラ層１２０のグラニュラ構造から継続してエピタキシャル成長した。
介在層１２２ｂは非磁性の薄膜であって、下記録層１２２ａと第１主記録層１２２ｃの間に介在させることにより、これらの間の磁気的な連続性は分断される。このとき介在層１２２ｂの膜厚を所定の膜厚（０．２～０．９ｎｍ）とすることにより、下記録層１２２ａと第１主記録層１２２ｃとの間には反強磁性交換結合（ＡＦＣ）が発生すると考えられる。これにより介在層１２２ｂの上下の層の間では磁化が引き合い、相互に磁化方向を固定するように作用するため、磁化軸の揺らぎが低減し、ノイズを低減することができる。
介在層１２２ｂは、Ｒｕ又はＲｕ化合物で構成されるとよい。Ｒｕは磁性粒子を構成するＣｏと原子間隔が近いため、磁気記録層１２２の間に介在させてもＣｏの結晶粒子のエピタキシャル成長を阻害しにくいからである。また介在層１２２ｂが極めて薄いことによっても、エピタキシャル成長を阻害しにくいものとなっている。
ここで下記録層１２２ａは、介在層１２２ｂがなければ第１主記録層１２２ｃおよび第２主記録層１２２ｄと連続した磁石であったところ、介在層１２２ｂによって分断されるために個別の短い磁石となる。そして、さらに下記録層１２２ａの膜厚を薄くすることにより、グラニュラ磁性粒子の縦横比が短くなることから（垂直磁気記録媒体においては、膜厚方向が磁化容易軸の縦方向にあたる）、磁石の内部に発生する反磁界が強くなる。このため下記録層１２２ａは硬磁性であるにもかかわらず、外部に出す磁気モーメントが小さくなり、磁気ヘッドによって拾われにくくなる。すなわち、下記録層１２２ａの膜厚を調節することによって、磁気ヘッドまで磁束が到達しにくく、かつ第１主記録層１２２ｃに対しては磁気的相互作用を有する程度に磁気モーメント（磁石の強さ）を設定することにより、高い保磁力を発揮しながらもノイズの少ない磁気記録層とすることができる。
本実施形態２において第１主記録層１２２ｃはＣｏＣｒＰｔ－ＳｉＯ２－ＴｉＯ２を用いる。これにより、第１主記録層１２２ｃにおいても、ＣｏＣｒＰｔからなる磁性粒（グレイン）の周囲に非磁性物質であるＳｉＯ２、ＴｉＯ２（複合酸化物）が偏析して粒界を形成し、磁性粒が柱状に成長したグラニュラ構造を形成した。
また本実施形態２において第２主記録層１２２ｄは第１主記録層１２２ｃと連続しているが、組成および膜厚が異なっている。第２主記録層１２２ｄはＣｏＣｒＰｔ－ＳｉＯ２－ＴｉＯ２－Ｃｏ３Ｏ４を用いる。これにより、第２主記録層１２２ｄにおいても、ＣｏＣｒＰｔからなる磁性粒（グレイン）の周囲に非磁性物質であるＳｉＯ２、ＴｉＯ２、Ｃｏ３Ｏ４（複合酸化物）が偏析して粒界を形成し、磁性粒が柱状に成長したグラニュラ構造を形成した。
上記のように、本実施形態２では第２主記録層１２２ｄが第１主記録層１２２ｃよりも多くの酸化物を含む構成としている。これにより、第１主記録層１２２ｃから第２主記録層１２２ｄにかけて、結晶粒子の分離を段階的に促進することができる。
また上記のように、第２主記録層１２２ｄにＣｏ酸化物を含有させている。ＳｉＯ２やＴｉＯ２を酸化物として混入すると、酸素欠損が生じる事実があり、ＳｉイオンやＴｉイオンが磁性粒子に混入して結晶配向性が乱れ、保持力Ｈｃが低下してしまう。そこでＣｏ酸化物を含有させることにより、この酸素欠損を補うための酸素担持体として機能させることができる。Ｃｏ酸化物としてはＣｏ３Ｏ４を例示するが、ＣｏＯでもよい。
Ｃｏ酸化物はＳｉＯ２やＴｉＯ２よりもギブスの自由化エネルギーΔＧが大きく、Ｃｏイオンと酸素イオンが分離しやすい。したがってＣｏ酸化物から優先的に酸素が分離し、ＳｉＯ２やＴｉＯ２において生じた酸素欠損を補って、ＳｉやＴｉのイオンを酸化物として完成させ、粒界に析出させることができる。これにより、ＳｉやＴｉなどの異物が磁性粒子に混入することを防止し、その混入によって磁性粒子の結晶性を乱すことを防止することができる。このとき余剰となったＣｏイオンは磁性粒子に混入すると考えられるが、そもそも磁性粒子がＣｏ合金であるために、磁気特性を損なうことはない。したがって磁性粒子の結晶性および結晶配向性が向上し、保持力Ｈｃを増大させることが可能となる。また、飽和磁化Ｍｓが向上することから、オーバーライト特性も向上するという利点を有している。
ただし、磁気記録層にＣｏ酸化物を混入すると、ＳＮＲが低下するという問題がある。そこで、上記のようにＣｏ酸化物を混入しない第１主記録層１２２ｃを設けることにより、第１主記録層１２２ｃで高いＳＮＲを確保しつつ、第２主記録層１２２ｄで高い保持力Ｈｃおよびオーバーライト特性を得ることが可能となる。なお第１主記録層１２２ｃの膜厚よりも第２主記録層１２２ｄの膜厚が厚いことが好ましく、好適な一例として第１主記録層１２２ｃを４ｎｍ、第２主記録層１２２ｄを６ｎｍとすることができる。
なお、上記に示した下記録層１２２ａおよび第１主記録層１２２ｃ、第２主記録層１２２ｄに用いた物質は一例であり、これに限定するものではない。粒界を形成するための非磁性物質としては、例えば酸化珪素（ＳｉＯｘ）、クロム（Ｃｒ）、酸化クロム（ＣｒｘＯｙ）、酸化チタン（ＴｉＯ２）、酸化ジルコン（ＺｒＯ２）、酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）、酸化鉄（Ｆｅ２Ｏ３）、酸化ボロン（Ｂ２Ｏ３）等の酸化物を例示できる。また、ＢＮ等の窒化物、Ｂ４Ｃ３等の炭化物も好適に用いることができる。
さらに本実施形態２では、下記録層１２２ａおよび第１主記録層１２２ｃにおいて２種類、第２主記録層１２２ｄにおいて３種類の非磁性物質（酸化物）を用いているが、これに限定するものではない。例えば、下記録層１２２ａから第２主記録層１２２ｄのいずれかまたはすべてにおいて、１種類の非磁性物質を用いてもよいし、２種類以上の非磁性物質を複合して用いることも可能である。このとき含有する非磁性物質の種類には限定がないが、本実施形態２の如く特にＳｉＯ２およびＴｉＯ２を含むことが好ましい。したがって、本実施形態２とは異なり、下記録層１２２ａから第２主記録層１２２ｄが１層のみで構成される場合（介在層１２２ｂを設けない場合）、かかる磁気記録層はＣｏＣｒＰｔ－ＳｉＯ２－ＴｉＯ２からなることが好ましい。
分断層１２４は、磁気記録層１２２（第２主記録層１２２ｄ）と補助記録層１２６との間に設けられた非磁性の層である。この分断層を設けることで磁気記録層と補助記録層の間の強磁性交換結合の強さを調整することが可能となる。分断層の膜厚は、０．１～１．０ｎｍの範囲内とするとよい。
また本実施形態２において分断層１２４は、Ｒｕ、Ｒｕ化合物、Ｒｕと酸素、またはＲｕと酸化物を含む薄膜によって構成することができる。これによっても、補助記録層１２６に起因するノイズを低減させることができる。分断層１２４を成膜する際に、分断層１２４に含有される酸素が磁気記録層１２２の酸化物の上に偏析し、磁性粒子の上にＲｕが偏析することにより、磁気記録層１２２のＣｏの結晶構造を補助記録層１２６のＣｏまで継承させられるためと考えられる。
分断層１２４のＲｕに含有させる酸化物としては様々なものが考えられるが、特にＷ、Ｔｉ、Ｒｕの合金や酸化物を用いることにより、電磁変換特性（ＳＮＲ）を向上させることができる。例えば分断層１２４は、ＲｕＣｒ、ＲｕＣｏ、ＲｕＯ、ＲｕＷＯ３、ＲｕＴｉＯ２、さらにはＲｕＣｒやＲｕＣｏなどに酸化物を含ませたものであってもよい。中でも、ＲｕＣｒ、ＲｕＣｏ、ＷＯ３は高い効果を得ることができる。
ＲｕＷＯ３については、Ｒｕに含有させた酸素がスパッタ中に解離され、解離された酸素が、酸素添加の効果も示すためと考えられる。つまり、ＷＯ３を使うことにより、酸素添加の効果と酸化物添加の効果を併せ持つことができるので、好適である。また、本実施形態２においては、分断層の上下の層に酸化物が含まれるため、積層した際の材料的な親和性が高いことも一因と推察される。酸化物の他の例としては、酸化珪素（ＳｉＯｘ）、クロム（Ｃｒ）、酸化クロム（ＣｒｘＯｙ）、酸化チタン（ＴｉＯ２）、酸化ジルコン（ＺｒＯ２）、酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）、酸化鉄（Ｆｅ２Ｏ３）、酸化ボロン（Ｂ２Ｏ３）等の酸化物を例示できる。また、ＢＮ等の窒化物、Ｂ４Ｃ３等の炭化物も好適に用いることができる。なお、ＲｕＣｒやＲｕＣｏについては、ＣｒやＣｏが上下の層に含まれるために親和性が高くなり良好な特性を示すと考えられる。
本実施形態２では、補助記録層１２６は、グラニュラ補助記録層１２６ａと非グラニュラ補助記録層１２６ｂとの２層で構成されている。まず非グラニュラ補助記録層１２６ｂについて説明する。非グラニュラ補助記録層１２６ｂは基体主表面の面内方向に磁気的にほぼ連続した磁性層である。非グラニュラ補助記録層１２６ｂは磁気記録層１２２に対して磁気的相互作用を有するように、隣接または近接している必要がある。非グラニュラ補助記録層１２６ｂの材質としては、例えばＣｏＣｒＰｔ、ＣｏＣｒＰｔＢ、またはこれらに微少量の酸化物を含有させて構成することができる。非グラニュラ補助記録層１２６ｂは逆磁区核形成磁界Ｈｎの調整、保磁力Ｈｃの調整を行い、これにより耐熱揺らぎ特性、ＯＷ特性、およびＳＮＲの改善を図ることを目的としている。この目的を達成するために、非グラニュラ補助記録層１２６ｂは垂直磁気異方性Ｋｕおよび飽和磁化Ｍｓが高いことが望ましい。
なお、「磁気的に連続している」とは磁性が連続していることを意味している。「ほぼ連続している」とは、非グラニュラ補助記録層１２６ｂ全体で観察すれば一つの磁石ではなく、結晶粒子の粒界などによって磁性が不連続となっていてもよいことを意味している。粒界は結晶の不連続のみではなく、Ｃｒが偏析していてもよく、さらに微少量の酸化物を含有させて偏析させても良い。ただし非グラニュラ補助記録層１２６ｂに酸化物を含有する粒界を形成した場合であっても、磁気記録層１２２の粒界よりも面積が小さい（酸化物の含有量が少ない）ことが好ましい。非グラニュラ補助記録層１２６ｂの機能と作用については必ずしも明確ではないが、磁気記録層１２２のグラニュラ磁性粒子と磁気的相互作用を有する（交換結合を行う）ことによってＨｎおよびＨｃを調整することができ、耐熱揺らぎ特性およびＳＮＲを向上させていると考えられる。またグラニュラ磁性粒子と接続する結晶粒子（磁気的相互作用を有する結晶粒子）がグラニュラ磁性粒子の断面よりも広面積となるため磁気ヘッドから多くの磁束を受けて磁化反転しやすくなり、全体のＯＷ特性を向上させるものと考えられる。
図４は、主記録層から補助記録層までの層構造を説明する図である。本実施形態２では、非グラニュラ補助記録層１２６ｂの下に、非グラニュラ補助記録層１２６ｂに比較して保磁力が高く、グラニュラ構造を有するグラニュラ補助記録層１２６ａが設けられている。図４において斜線部分はグラニュラ磁性粒子である。グラニュラ補助記録層１２６ａは第２主記録層１２２ｄとの間を分断層１２４によって磁気的に分断されていて、第２主記録層１２２ｄとは別に磁化方向が反転しうる。そして非グラニュラ補助記録層１２６ｂに対して磁気的相互作用を及ぼし、補助記録層１２６の磁化方向を反転しにくくさせるように作用する。なお、分断層１２４は極めて薄く成膜されていることから（約０．７ｎｍ）、グラニュラ補助記録層１２６ａは第２主記録層１２２ｄのグラニュラ構造を継承して結晶成長する。
上記の構成によれば、保磁力の高いグラニュラ補助記録層１２６ａが、非グラニュラ補助記録層１２６ｂのピン層として作用する。したがって、通常、補助記録層１２６を厚くすれば書きにじみが増えるところ、厚い補助記録層１２６を設けてもトラック幅を狭小化（書きにじみ減少）することができ、ＳＮＲが向上する。このように、トラック幅とＳＮＲとの両立が図れる。
上記のグラニュラ補助記録層１２６ａは、第１主記録層１２２ｃおよび第２主記録層１２２ｄに比較してＣｒのａｔ％が小さくＣｏＰｔのａｔ％が大きい。かかる組成によれば、第１主記録層１２２ｃおよび第２主記録層１２２ｄよりグラニュラ補助記録層１２６ａ保磁力のほうがが高くなり、非グラニュラ補助記録層１２６ｂのピン層として理想的に作用するからである。
本実施形態２では、磁気記録層１２２のＣｒ濃度（Ａ）とグラニュラ補助記録層１２６ａのＣｒ濃度（Ｂ）の差（Ａ－Ｂ）が１ａｔ％以上であり、４ａｔ％以下である。第１主記録層１２２ｃおよび第２主記録層１２２ｄに比較してＣｒのａｔ％を小さくしＣｏＰｔのａｔ％を大きくして、保磁力を高めたものである。
本実施形態２では、グラニュラ補助記録層１２６ａは、非グラニュラ補助記録層１２６ｂに比較して膜厚が薄い。非グラニュラ補助記録層１２６ｂの厚みを薄くすると、記録自体が不能となってしまうので、その厚みは維持してＯＷ特性を保持しながら、非グラニュラ補助記録層１２６ｂのピン層として作用するグラニュラ補助記録層１２６ａによって、書きにじみもしないようにするためである。本実施形態２では、グラニュラ補助記録層の膜厚は０．５ｎｍ～５．０ｎｍ、非グラニュラ補助記録層の膜厚は４．０～８．０ｎｍとするとよい。
媒体保護層１２８は、真空を保ったままカーボンをＣＶＤ法により成膜して形成することができる。媒体保護層１２８は、磁気ヘッドの衝撃から垂直磁気記録媒体１００を防護するための層である。一般にＣＶＤ法によって成膜されたカーボンはスパッタ法によって成膜したものと比べて膜硬度が向上するので、磁気ヘッドからの衝撃に対してより有効に垂直磁気記録媒体１００を防護することができる。
潤滑層１３０は、ＰＦＰＥ（パーフロロポリエーテル）をディップコート法により成膜することができる。ＰＦＰＥは長い鎖状の分子構造を有し、媒体保護層１２８表面のＮ原子と高い親和性をもって結合する。この潤滑層１３０の作用により、垂直磁気記録媒体１００の表面に磁気ヘッドが接触しても、媒体保護層１２８の損傷や欠損を防止することができる。
以下に、本発明の効果を明確にするために行った実施例について説明する。なお、以下の実施例では、実施例１が上記実施の形態１の内容に対応し、実施例２が上記実施の形態２の内容に対応している。
（実施例１－１）
非磁性の基板として表面が平滑なアルミノシリケート系アモルファス化学強化ガラス基板を用い、これを洗浄した後、ＤＣマグネトロンスパッタ装置内に導入し、厚さ１０ｎｍのＣｒ－５０Ｔｉ薄膜（密着層１２）、厚さ２４ｎｍの９２（４０Ｆｅ－６０Ｃｏ）－３Ｔａ－５Ｚｒ薄膜（第１軟磁性層）、厚さ０．５ｎｍのＲｕ薄膜（スペーサ層）、厚さ２４ｎｍの９２（４０Ｆｅ－６０Ｃｏ）－３Ｔａ－５Ｚｒ薄膜（第２軟磁性層１４）、厚さ５ｎｍの９５Ｎｉ－５Ｗ薄膜（配向制御層１６）、厚さ２０ｎｍのＲｕ薄膜（下地層１８）、厚さ１２ｎｍの９０（Ｃｏ－１４Ｃｒ－１６Ｐｔ）－１０（ＳｉＯ２）薄膜（磁気記録層２０）、厚さ７ｎｍの酸素含有Ｃｏ－２０Ｃｒ－１９Ｐｔ－３Ｂ薄膜（補助記録層２２）を成膜し、次いで、厚さ５ｎｍのカーボンからなる媒体保護層２４を成膜した。なお、保護層以外の各金属膜のスパッタリング時のＡｒの圧力については、下地層１８は前半の１０ｎｍは０．６Ｐａ、後半の１０ｎｍは５．０Ｐａ、磁気記録層２０は４．０Ｐａ、それ以外は０．６Ｐａとした。この後、ＤＣマグネトロンスパッタ装置から取り出し、洗浄後ディップ法により潤滑剤（ＰＦＰＥ）を塗布し、ベークして厚さ１ｎｍの潤滑層２６を形成した。このようにして実施例１－１の記憶容量２５０Ｇビット／平方インチ用の磁気ディスクを作製した。なお、補助記録層２２の成膜においては、処理ガス（Ａｒガス）に３％の分圧で酸素ガスを混入させて反応性スパッタリングにより成膜し、酸素含有量が３モル％であることを確認した。
非磁性の基板として表面が平滑なアルミノシリケート系アモルファス化学強化ガラス基板を用い、これを洗浄した後、ＤＣマグネトロンスパッタ装置内に導入し、厚さ１０ｎｍのＣｒ－５０Ｔｉ薄膜（密着層１２）、厚さ２４ｎｍの９２（４０Ｆｅ－６０Ｃｏ）－３Ｔａ－５Ｚｒ薄膜（第１軟磁性層）、厚さ０．５ｎｍのＲｕ薄膜（スペーサ層）、厚さ２４ｎｍの９２（４０Ｆｅ－６０Ｃｏ）－３Ｔａ－５Ｚｒ薄膜（第２軟磁性層１４）、厚さ５ｎｍの９５Ｎｉ－５Ｗ薄膜（配向制御層１６）、厚さ２０ｎｍのＲｕ薄膜（下地層１８）、厚さ１２ｎｍの９０（Ｃｏ－１４Ｃｒ－１６Ｐｔ）－１０（ＳｉＯ２）薄膜（磁気記録層２０）、厚さ７ｎｍの酸素含有Ｃｏ－２０Ｃｒ－１９Ｐｔ－３Ｂ薄膜（補助記録層２２）を成膜し、次いで、厚さ５ｎｍのカーボンからなる媒体保護層２４を成膜した。なお、保護層以外の各金属膜のスパッタリング時のＡｒの圧力については、下地層１８は前半の１０ｎｍは０．６Ｐａ、後半の１０ｎｍは５．０Ｐａ、磁気記録層２０は４．０Ｐａ、それ以外は０．６Ｐａとした。この後、ＤＣマグネトロンスパッタ装置から取り出し、洗浄後ディップ法により潤滑剤（ＰＦＰＥ）を塗布し、ベークして厚さ１ｎｍの潤滑層２６を形成した。このようにして実施例１－１の記憶容量２５０Ｇビット／平方インチ用の磁気ディスクを作製した。なお、補助記録層２２の成膜においては、処理ガス（Ａｒガス）に３％の分圧で酸素ガスを混入させて反応性スパッタリングにより成膜し、酸素含有量が３モル％であることを確認した。
（実施例１－２）
厚さ７ｎｍの酸素含有Ｃｏ－２０Ｃｒ－１９Ｐｔ－３Ｂ薄膜の代わりに、９８（Ｃｏ－２０Ｃｒ－１９Ｐｔ－３Ｂ）－２（ＣｕＯ）のターゲットを用いてスパッタリングにより厚さ７ｎｍの補助記録層２２を形成すること以外は実施例１－１と同様にして実施例１－２の磁気ディスクを作製した。
厚さ７ｎｍの酸素含有Ｃｏ－２０Ｃｒ－１９Ｐｔ－３Ｂ薄膜の代わりに、９８（Ｃｏ－２０Ｃｒ－１９Ｐｔ－３Ｂ）－２（ＣｕＯ）のターゲットを用いてスパッタリングにより厚さ７ｎｍの補助記録層２２を形成すること以外は実施例１－１と同様にして実施例１－２の磁気ディスクを作製した。
（実施例１－３）
厚さ７ｎｍの酸素含有Ｃｏ－２０Ｃｒ－１９Ｐｔ－３Ｂ薄膜の代わりに、９８（Ｃｏ－２０Ｃｒ－１９Ｐｔ－３Ｂ）－２（ＣｏＯ）のターゲットを用いてスパッタリングにより厚さ７ｎｍの補助記録層２２を形成すること以外は実施例１－１と同様にして実施例１－３の磁気ディスクを作製した。
厚さ７ｎｍの酸素含有Ｃｏ－２０Ｃｒ－１９Ｐｔ－３Ｂ薄膜の代わりに、９８（Ｃｏ－２０Ｃｒ－１９Ｐｔ－３Ｂ）－２（ＣｏＯ）のターゲットを用いてスパッタリングにより厚さ７ｎｍの補助記録層２２を形成すること以外は実施例１－１と同様にして実施例１－３の磁気ディスクを作製した。
（実施例１－４）
厚さ７ｎｍの酸素含有Ｃｏ－２０Ｃｒ－１９Ｐｔ－３Ｂ薄膜の代わりに、９８（Ｃｏ－２０Ｃｒ－１９Ｐｔ－３Ｂ）－２（ＳｉＯ２）のターゲットを用いてスパッタリングにより厚さ７ｎｍの補助記録層２２を形成すること以外は実施例１－１と同様にして実施例１－４の磁気ディスクを作製した。
厚さ７ｎｍの酸素含有Ｃｏ－２０Ｃｒ－１９Ｐｔ－３Ｂ薄膜の代わりに、９８（Ｃｏ－２０Ｃｒ－１９Ｐｔ－３Ｂ）－２（ＳｉＯ２）のターゲットを用いてスパッタリングにより厚さ７ｎｍの補助記録層２２を形成すること以外は実施例１－１と同様にして実施例１－４の磁気ディスクを作製した。
（実施例１－５）
厚さ７ｎｍの酸素含有Ｃｏ－２０Ｃｒ－１９Ｐｔ－３Ｂ薄膜の代わりに、９８（Ｃｏ－２０Ｃｒ－１９Ｐｔ－３Ｂ）－２（ＴｉＯ２）のターゲットを用いてスパッタリングにより厚さ７ｎｍの補助記録層２２を形成すること以外は実施例１－１と同様にして実施例１－５の磁気ディスクを作製した。
厚さ７ｎｍの酸素含有Ｃｏ－２０Ｃｒ－１９Ｐｔ－３Ｂ薄膜の代わりに、９８（Ｃｏ－２０Ｃｒ－１９Ｐｔ－３Ｂ）－２（ＴｉＯ２）のターゲットを用いてスパッタリングにより厚さ７ｎｍの補助記録層２２を形成すること以外は実施例１－１と同様にして実施例１－５の磁気ディスクを作製した。
（実施例１－６）
厚さ７ｎｍの酸素含有Ｃｏ－２０Ｃｒ－１９Ｐｔ－３Ｂ薄膜の代わりに、９４（Ｃｏ－２０Ｃｒ－１９Ｐｔ－３Ｂ）－６（ＣｕＯ）のターゲットを用いてスパッタリングにより厚さ７ｎｍの補助記録層２２を形成すること以外は実施例１－１と同様にして実施例１－６の磁気ディスクを作製した。
厚さ７ｎｍの酸素含有Ｃｏ－２０Ｃｒ－１９Ｐｔ－３Ｂ薄膜の代わりに、９４（Ｃｏ－２０Ｃｒ－１９Ｐｔ－３Ｂ）－６（ＣｕＯ）のターゲットを用いてスパッタリングにより厚さ７ｎｍの補助記録層２２を形成すること以外は実施例１－１と同様にして実施例１－６の磁気ディスクを作製した。
（比較例１－１）
厚さ７ｎｍの酸素含有Ｃｏ－２０Ｃｒ－１９Ｐｔ－３Ｂ薄膜の代わりに、厚さ７ｎｍのＣｏ－２０Ｃｒ－１９Ｐｔ－３Ｂ薄膜の補助記録層２２を形成すること以外は実施例１－１と同様にして比較例１－１の磁気ディスクを作製した。
厚さ７ｎｍの酸素含有Ｃｏ－２０Ｃｒ－１９Ｐｔ－３Ｂ薄膜の代わりに、厚さ７ｎｍのＣｏ－２０Ｃｒ－１９Ｐｔ－３Ｂ薄膜の補助記録層２２を形成すること以外は実施例１－１と同様にして比較例１－１の磁気ディスクを作製した。
（比較例１－２）
厚さ７ｎｍの酸素含有Ｃｏ－２０Ｃｒ－１９Ｐｔ－３Ｂ薄膜の代わりに、厚さ７ｎｍの９２（Ｃｏ－２０Ｃｒ－１９Ｐｔ－３Ｂ）－８（ＣｕＯ）薄膜の補助記録層２２を形成すること以外は実施例１－１と同様にして比較例１－２の磁気ディスクを作製した。
厚さ７ｎｍの酸素含有Ｃｏ－２０Ｃｒ－１９Ｐｔ－３Ｂ薄膜の代わりに、厚さ７ｎｍの９２（Ｃｏ－２０Ｃｒ－１９Ｐｔ－３Ｂ）－８（ＣｕＯ）薄膜の補助記録層２２を形成すること以外は実施例１－１と同様にして比較例１－２の磁気ディスクを作製した。
この実施例１－１～実施例１－６及び比較例１－１～比較例１－２の磁気ディスクについて、トラック幅（磁気的実効幅（ＭＷＷ））及びビットエラーレート（桁）を調べた。その結果を下記表１に示す。なお、ビットエラーレートは、スピンスタンドを用いて１３００ｋＦＣＩ（オーバーライト特性）において、１０７個の既知のランダムデータを記録しておき、読み込みエラー個数を調べ、下記式（１）により求めた。また、磁気的実効幅は、スピンスタンドを用いてトラックプロファイルから算出した。
ｂＥＲ＝ｌｏｇ（エラー個数／データ数） 式（１）
ｂＥＲ＝ｌｏｇ（エラー個数／データ数） 式（１）
表１から分かるように、実施例１－１～実施例１－６の磁気ディスクは、ビットエラーレートが相対的に小さかった。これは、補助記録層に０．１モル％～３モル％の酸素が含有されているので、補助記録層の堆積過程において生じる構造的な不均一性を減少させることができ、その不均一性に起因する補助記録層要因のノイズが低減されたものと考えられる。一方、比較例１－１の磁気ディスクは、ビットエラーレートが相対的に大きかった。これは、補助記録層に酸素が含有されてないので、磁性粒間に存在する粒界部が不安定となり膜の均一性が悪化してしまうため、ノイズが大きかったものと考えられる。また、比較例１－２の磁気ディスクも、実施例１－１～実施例１－６の磁気ディスクと比較してビットエラーレートが相対的に大きかった。これは、補助記録層において、３モル％より多く（４モル％）の酸素が含有されたために、磁気ディスク面内方向における磁気的な連続性が過度に失われてしまい、オーバーライト特性が悪化したためと考えられる。なお、トラック幅については、いずれの実施例も比較例の値プラスマイナス２ｎｍの範囲であり、測定誤差を考えると同等とみなすことができる。
次に、磁気記録層が複数の酸化物を有するように形成した場合について説明する。
（実施例１－７）
厚さ１２ｎｍの９０（Ｃｏ－１４Ｃｒ－１６Ｐｔ）－１０（ＳｉＯ２）薄膜の代わりに、９０（Ｃｏ－１４Ｃｒ－１６Ｐｔ）－５（ＳｉＯ２）－５（ＴｉＯ２）のターゲットを用いてスパッタリングにより厚さ１２ｎｍの磁気記録層２０を形成し、厚さ７ｎｍの酸素含有Ｃｏ－２０Ｃｒ－１９Ｐｔ－３Ｂ薄膜の代わりに、９８（Ｃｏ－２０Ｃｒ－１９Ｐｔ－３Ｂ）－２（ＣｕＯ）のターゲットを用いてスパッタリングにより厚さ７ｎｍの補助記録層２２を形成すること以外は実施例１－１と同様にして実施例１－７の磁気ディスクを作製した。
（実施例１－７）
厚さ１２ｎｍの９０（Ｃｏ－１４Ｃｒ－１６Ｐｔ）－１０（ＳｉＯ２）薄膜の代わりに、９０（Ｃｏ－１４Ｃｒ－１６Ｐｔ）－５（ＳｉＯ２）－５（ＴｉＯ２）のターゲットを用いてスパッタリングにより厚さ１２ｎｍの磁気記録層２０を形成し、厚さ７ｎｍの酸素含有Ｃｏ－２０Ｃｒ－１９Ｐｔ－３Ｂ薄膜の代わりに、９８（Ｃｏ－２０Ｃｒ－１９Ｐｔ－３Ｂ）－２（ＣｕＯ）のターゲットを用いてスパッタリングにより厚さ７ｎｍの補助記録層２２を形成すること以外は実施例１－１と同様にして実施例１－７の磁気ディスクを作製した。
（実施例１－８）
厚さ１２ｎｍの９０（Ｃｏ－１４Ｃｒ－１６Ｐｔ）－１０（ＳｉＯ２）薄膜の代わりに、８９（Ｃｏ－１４Ｃｒ－１６Ｐｔ）－５（ＳｉＯ２）－５（ＴｉＯ２）－１（Ｃｏ３Ｏ４）のターゲットを用いてスパッタリングにより厚さ１２ｎｍの磁気記録層２０を形成し、厚さ７ｎｍの酸素含有Ｃｏ－２０Ｃｒ－１９Ｐｔ－３Ｂ薄膜の代わりに、９８（Ｃｏ－２０Ｃｒ－１９Ｐｔ－３Ｂ）－２（ＣｕＯ）のターゲットを用いてスパッタリングにより厚さ７ｎｍの補助記録層２２を形成すること以外は実施例１－１と同様にして実施例１－８の磁気ディスクを作製した。
厚さ１２ｎｍの９０（Ｃｏ－１４Ｃｒ－１６Ｐｔ）－１０（ＳｉＯ２）薄膜の代わりに、８９（Ｃｏ－１４Ｃｒ－１６Ｐｔ）－５（ＳｉＯ２）－５（ＴｉＯ２）－１（Ｃｏ３Ｏ４）のターゲットを用いてスパッタリングにより厚さ１２ｎｍの磁気記録層２０を形成し、厚さ７ｎｍの酸素含有Ｃｏ－２０Ｃｒ－１９Ｐｔ－３Ｂ薄膜の代わりに、９８（Ｃｏ－２０Ｃｒ－１９Ｐｔ－３Ｂ）－２（ＣｕＯ）のターゲットを用いてスパッタリングにより厚さ７ｎｍの補助記録層２２を形成すること以外は実施例１－１と同様にして実施例１－８の磁気ディスクを作製した。
（実施例１－９）
厚さ１２ｎｍの９０（Ｃｏ－１４Ｃｒ－１６Ｐｔ）－１０（ＳｉＯ２）薄膜の代わりに、９０（Ｃｏ－１４Ｃｒ－１６Ｐｔ）－５（ＳｉＯ２）－５（ＴｉＯ２）のターゲットを用いてスパッタリングにより厚さ１２ｎｍの磁気記録層２０を形成し、厚さ７ｎｍの酸素含有Ｃｏ－２０Ｃｒ－１９Ｐｔ－３Ｂ薄膜の代わりに、９８（Ｃｏ－２０Ｃｒ－１９Ｐｔ－３Ｂ）－２（ＣｏＯ）のターゲットを用いてスパッタリングにより厚さ７ｎｍの補助記録層２２を形成すること以外は実施例１－１と同様にして実施例１－９の磁気ディスクを作製した。
厚さ１２ｎｍの９０（Ｃｏ－１４Ｃｒ－１６Ｐｔ）－１０（ＳｉＯ２）薄膜の代わりに、９０（Ｃｏ－１４Ｃｒ－１６Ｐｔ）－５（ＳｉＯ２）－５（ＴｉＯ２）のターゲットを用いてスパッタリングにより厚さ１２ｎｍの磁気記録層２０を形成し、厚さ７ｎｍの酸素含有Ｃｏ－２０Ｃｒ－１９Ｐｔ－３Ｂ薄膜の代わりに、９８（Ｃｏ－２０Ｃｒ－１９Ｐｔ－３Ｂ）－２（ＣｏＯ）のターゲットを用いてスパッタリングにより厚さ７ｎｍの補助記録層２２を形成すること以外は実施例１－１と同様にして実施例１－９の磁気ディスクを作製した。
（実施例１－１０）
厚さ１２ｎｍの９０（Ｃｏ－１４Ｃｒ－１６Ｐｔ）－１０（ＳｉＯ２）薄膜の代わりに、８９（Ｃｏ－１４Ｃｒ－１６Ｐｔ）－５（ＳｉＯ２）－５（ＴｉＯ２）－１（Ｃｏ３Ｏ４）のターゲットを用いてスパッタリングにより厚さ１２ｎｍの磁気記録層２０を形成し、厚さ７ｎｍの酸素含有Ｃｏ－２０Ｃｒ－１９Ｐｔ－３Ｂ薄膜の代わりに、９８（Ｃｏ－２０Ｃｒ－１９Ｐｔ－３Ｂ）－２（ＣｏＯ）のターゲットを用いてスパッタリングにより厚さ７ｎｍの補助記録層２２を形成すること以外は実施例１－１と同様にして実施例１－１０の磁気ディスクを作製した。
厚さ１２ｎｍの９０（Ｃｏ－１４Ｃｒ－１６Ｐｔ）－１０（ＳｉＯ２）薄膜の代わりに、８９（Ｃｏ－１４Ｃｒ－１６Ｐｔ）－５（ＳｉＯ２）－５（ＴｉＯ２）－１（Ｃｏ３Ｏ４）のターゲットを用いてスパッタリングにより厚さ１２ｎｍの磁気記録層２０を形成し、厚さ７ｎｍの酸素含有Ｃｏ－２０Ｃｒ－１９Ｐｔ－３Ｂ薄膜の代わりに、９８（Ｃｏ－２０Ｃｒ－１９Ｐｔ－３Ｂ）－２（ＣｏＯ）のターゲットを用いてスパッタリングにより厚さ７ｎｍの補助記録層２２を形成すること以外は実施例１－１と同様にして実施例１－１０の磁気ディスクを作製した。
（実施例１－１１）
厚さ１２ｎｍの９０（Ｃｏ－１４Ｃｒ－１６Ｐｔ）－１０（ＳｉＯ２）薄膜の代わりに、９０（Ｃｏ－１４Ｃｒ－１６Ｐｔ）－１０（ＴｉＯ２）のターゲットを用いてスパッタリングにより厚さ１２ｎｍの磁気記録層２０を形成し、厚さ７ｎｍの酸素含有Ｃｏ－２０Ｃｒ－１９Ｐｔ－３Ｂ薄膜の代わりに、９８（Ｃｏ－２０Ｃｒ－１９Ｐｔ－３Ｂ）－２（ＣｕＯ）のターゲットを用いてスパッタリングにより厚さ７ｎｍの補助記録層２２を形成すること以外は実施例１－１と同様にして実施例１－１１の磁気ディスクを作製した。
厚さ１２ｎｍの９０（Ｃｏ－１４Ｃｒ－１６Ｐｔ）－１０（ＳｉＯ２）薄膜の代わりに、９０（Ｃｏ－１４Ｃｒ－１６Ｐｔ）－１０（ＴｉＯ２）のターゲットを用いてスパッタリングにより厚さ１２ｎｍの磁気記録層２０を形成し、厚さ７ｎｍの酸素含有Ｃｏ－２０Ｃｒ－１９Ｐｔ－３Ｂ薄膜の代わりに、９８（Ｃｏ－２０Ｃｒ－１９Ｐｔ－３Ｂ）－２（ＣｕＯ）のターゲットを用いてスパッタリングにより厚さ７ｎｍの補助記録層２２を形成すること以外は実施例１－１と同様にして実施例１－１１の磁気ディスクを作製した。
この実施例１－７～実施例１－１１の磁気ディスクについて、磁気的実効幅（ＭＷＷ）及びビットエラーレート（桁）を調べた。その結果を下記表２に示す。なお、ビットエラーレートは、スピンスタンドを用いて１３００ｋＦＣＩ（オーバーライト特性）において、１０７個の既知のランダムデータを記録しておき、読み込みエラー個数を調べ、上記式（１）により求めた。また、磁気的実効幅は、スピンスタンドを用いてトラックプロファイルから算出した。
表２から磁気記録層が複数の酸化物を有している方が、特性が向上することが確認できた。これは、スパッタリングにより成膜される９０（Ｃｏ－１４Ｃｒ－１６Ｐｔ）－１０（ＳｉＯ２）等のグラニュラ構造の磁性層は酸素欠損が生じ、Ｓｉが磁性粒子（ＣＣＰ）内部に入り込んで磁気異方性エネルギーを落としてしまっているが、酸化物を混合することにより酸素欠損を補うことができるためである。また、実施例１－８が最も特性が良いが、これは、Ｃｏ酸化物はギブスエネルギーが大きいため（酸化物として不安定であるため）ＣｏとＯが分離しやすく、分離したＣｏが磁性層内部に入り、ＯがＳｉやＴｉの酸素欠損を補っているためと考えられる。なお、ここでは、Ｃｏ３Ｏ４を用いる場合を示したが、ＣｏＯを用いてもよい。
次に、磁気記録層と補助記録層の間に分断層を形成した場合について説明する。
（実施例１－１２）
磁気記録層と補助記録層の間に、分断層を形成すること以外は、実施例１－８と同様にして実施例１－１２の磁気ディスクを作製した。分断層は、Ａｒ圧０．６ＰａにてスパッタリングによりＲｕからなる厚さ０．３ｎｍの薄膜で形成した。
磁気記録層と補助記録層の間に、分断層を形成すること以外は、実施例１－８と同様にして実施例１－１２の磁気ディスクを作製した。分断層は、Ａｒ圧０．６ＰａにてスパッタリングによりＲｕからなる厚さ０．３ｎｍの薄膜で形成した。
（実施例１－１３）
磁気記録層と補助記録層の間に、分断層を形成すること以外は、実施例１－８と同様にして実施例１－１３の磁気ディスクを作製した。分断層は、Ａｒ圧０．６ＰａにてスパッタリングによりＲｕ－１０（ＷＯ３）からなる厚さ０．５ｎｍの薄膜で形成した。
磁気記録層と補助記録層の間に、分断層を形成すること以外は、実施例１－８と同様にして実施例１－１３の磁気ディスクを作製した。分断層は、Ａｒ圧０．６ＰａにてスパッタリングによりＲｕ－１０（ＷＯ３）からなる厚さ０．５ｎｍの薄膜で形成した。
（実施例１－１４）
磁気記録層と補助記録層の間に、分断層を形成すること以外は、実施例１－８と同様にして実施例１－１４の磁気ディスクを作製した。分断層は、Ａｒ圧０．６ＰａにてスパッタリングによりＲｕ－５０Ｃｏからなる厚さ０．４ｎｍの薄膜で形成した。
磁気記録層と補助記録層の間に、分断層を形成すること以外は、実施例１－８と同様にして実施例１－１４の磁気ディスクを作製した。分断層は、Ａｒ圧０．６ＰａにてスパッタリングによりＲｕ－５０Ｃｏからなる厚さ０．４ｎｍの薄膜で形成した。
実施例１－１２～実施例１－１４の磁気ディスクについて、磁気的実効幅（ＭＷＷ）及びビットエラーレート（桁）を調べた。その結果を下記表３に示す。
表３から磁気記録層と補助記録層の間に分断層を設けることにより、特性が向上することが確認できた。
次に、磁気記録層を複数の層で形成した場合について説明する。
（実施例１－１５）
磁気記録層を積層構造（３層積層）とすること以外は、実施例１－１２と同様にして実施例１－１５の磁気ディスクを作製した。磁気記録層の積層構造は、８９（Ｃｏ－１４Ｃｒ－１６Ｐｔ）－５（ＳｉＯ２）－５（ＴｉＯ２）－１（Ｃｏ３Ｏ４）のターゲットを用いて、スパッタリングによりトータルの厚さが１２ｎｍとなるように３回に分けて成膜を行った。
磁気記録層を積層構造（３層積層）とすること以外は、実施例１－１２と同様にして実施例１－１５の磁気ディスクを作製した。磁気記録層の積層構造は、８９（Ｃｏ－１４Ｃｒ－１６Ｐｔ）－５（ＳｉＯ２）－５（ＴｉＯ２）－１（Ｃｏ３Ｏ４）のターゲットを用いて、スパッタリングによりトータルの厚さが１２ｎｍとなるように３回に分けて成膜を行った。
（実施例１－１６）
磁気記録層を積層構造（２層積層）とすること以外は、実施例１－１２と同様にして実施例１－１６の磁気ディスクを作製した。磁気記録層の積層構造は、８９（Ｃｏ－１４Ｃｒ－１６Ｐｔ）－５（ＳｉＯ２）－５（ＴｉＯ２）－１（Ｃｏ３Ｏ４）のターゲットを用いて、スパッタリングによりトータルの厚さが１２ｎｍとなるように２回に分けて成膜を行った。２回の成膜は異なるチャンバーを用いて行うか、もしくは、所定の膜厚を成膜した後に一度チャンバーから取り出した後に再度チャンバーに入れて成膜すればよい。
磁気記録層を積層構造（２層積層）とすること以外は、実施例１－１２と同様にして実施例１－１６の磁気ディスクを作製した。磁気記録層の積層構造は、８９（Ｃｏ－１４Ｃｒ－１６Ｐｔ）－５（ＳｉＯ２）－５（ＴｉＯ２）－１（Ｃｏ３Ｏ４）のターゲットを用いて、スパッタリングによりトータルの厚さが１２ｎｍとなるように２回に分けて成膜を行った。２回の成膜は異なるチャンバーを用いて行うか、もしくは、所定の膜厚を成膜した後に一度チャンバーから取り出した後に再度チャンバーに入れて成膜すればよい。
実施例１－１５及び実施例１－１６の磁気ディスクについて、磁気的実効幅（ＭＷＷ）及びビットエラーレート（桁）を調べた。その結果を下記表４に示す。
表４から磁気記録層を積層構造で設けることにより、特性が向上することが確認できた。これは、磁性層を１回の成膜で形成すると磁性粒子が徐々に肥大化するが（図６参照）、回数を分けて成膜して積層構造とすることにより、磁性粒子の肥大化を抑制し、下層から上層までの粒径を均一にできた結果、磁気記録層２０の磁性粒子間の磁気的結合が深さ方向で均一になり、補助記録層に酸素を添加したことによる分離効果と相まって、図２に示したような理想的な構造の媒体に近づいたためと考えられる。
ディスク基体１１０上に、真空引きを行った成膜装置を用いて、ＤＣマグネトロンスパッタリング法にてＡｒ雰囲気中で、付着層１１２から補助記録層１２６まで順次成膜を行った。なお、スパッタリング成膜時の圧力は、特に断りのない場合は０．６Ｐａで成膜した。付着層１１２は、Ｃｒ－５０Ｔｉのターゲットを用いて１０ｎｍ形成した。軟磁性層１１４は、第１軟磁性層１１４ａ、第２軟磁性層１１４ｃは９２（Ｃｏ－４０Ｆｅ）－３Ｔａ－５Ｚｒのターゲットを用いてそれぞれ２０ｎｍ成膜し、スペーサ層１１４ｂはＲｕのターゲットを用いて０．７ｎｍ成膜した。前下地層１１６はＮｉ－５Ｗのターゲットを用いて５ｎｍ成膜した。第１下地層１１８ａは０．６ＰａでＲｕのターゲットを用いて１０ｎｍ成膜した。第２下地層１１８ｂは、Ｒｕのターゲットを用いて５．０Ｐａで１０ｎｍ成膜した。非磁性グラニュラ層１２０は、８８（Ｃｏ－４０Ｃｒ）－１２（ＳｉＯ２）のターゲットを用いて４Ｐａにて１ｎｍ成膜した。下記録層１２２ａは、（Ｃｏ－１２Ｃｒ－１６Ｐｔ）－２．５（Ｃｒ２Ｏ５）－２．５（ＳｉＯ２）のターゲットを用いて４Ｐａにて２．０ｎｍ形成した。介在層１２２ｂはＲｕのターゲットを用いて０．４ｎｍ形成した。第１主記録層１２２ｃは、９０（Ｃｏ－１２Ｃｒ－１６Ｐｔ）－５（ＳｉＯ２）－５（ＴｉＯ２）のターゲットを用いて４Ｐａにて４ｎｍ形成した。第２主記録層１２２ｄは、９０（Ｃｏ－１２Ｃｒ－１６Ｐｔ）－４．５（ＳｉＯ２）－４．５（ＴｉＯ２）－１（Ｃｏ３Ｏ４）のターゲットを用いて４Ｐａにて６ｎｍ形成した。分断層１２４はＲｕ－１０（ＷＯ３）のターゲットを用いて０．５ｎｍ形成した。グラニュラ補助記録層１２６ａは、９０（Ｃｏ－Ｃｒ－Ｐｔ）－５（ＳｉＯ２）－５（ＴｉＯ２）のターゲットを用いて４Ｐａにて所定の膜厚を成膜した。Ｃｏ－Ｃｒ－Ｐｔの詳細組成及び膜厚は後述する値とした。非グラニュラ補助記録層１２６ｂはＣｏ－１８Ｃｒ－１５Ｐｔ－５Ｂのターゲットを用いて６．４ｎｍ形成した。媒体保護層１２８はＣＶＤ法によりＣ２Ｈ４を用いて成膜し、潤滑層１３０はディップコート法によりＰＦＰＥを用いて形成した。
図５は、グラニュラ補助記録層１２６ａの膜厚を様々に変化させた実施例２－１～実施例２－９と、比較例２－１～比較例２－２との、トラック幅およびＳＮＲを比較する図であり、図５（ａ）がデータ、図５（ｂ）がそれをプロットしたグラフである。
本実施例および比較例では、主記録層の金属相のＣｏ：Ｃｒ：Ｐｔのａｔ％比は、いずれも７２Ｃｏ－１２Ｃｒ－１６Ｐｔとした上で、グラニュラ補助記録層１２６ａのＣｏＣｒＰｔ金属相の組成と膜厚を変化させた。なお、主記録層とグラニュラ補助記録層の酸化物のモル数は同じである。
実施例２－１～実施例２－３（グラフの「◆」）では、グラニュラ補助記録層１２６ａのＣｏ：Ｃｒ：Ｐｔのａｔ％比を７３Ｃｏ－１１Ｃｒ－１６Ｐｔとし、それぞれ膜厚を１．４ｎｍ、２．６ｎｍ、３．６ｎｍとした。また、実施例２－４～実施例２－５（グラフの「■」）では、７６Ｃｏ－８Ｃｒ－１６Ｐｔとし、それぞれ膜厚を０．７ｎｍ、１．４ｎｍとした。また、実施例２－６～実施例２－７（グラフの「▲」）では、７７Ｃｏ－７Ｃｒ－１６Ｐｔとし、それぞれ膜厚を０．７ｎｍ、１．４ｎｍとした。また、実施例２－８～実施例２－９（グラフの「●」）では、７２Ｃｏ－１２Ｃｒ－１６Ｐｔとし、それぞれ膜厚を１．４ｎｍ、２．５ｎｍとした。
また、比較例２－１～比較例２－２（グラフの「○」）では、グラニュラ補助記録層１２６ａを形成しなかった。グラニュラ補助記録層１２６ａのように、酸化物を含有する層では、酸化物量の他に、主相であるＣｏＣｒＰｔの組成により保磁力Ｈｃが変化する。特に反磁性であるＣｒ含有量を上げると、Ｃｏの磁性がキャンセルされ、保磁力Ｈｃが低下する。
また、図５（ａ）に示すように、実施例２－１～実施例２－９のグラニュラ補助記録層１２６ａは、非グラニュラ補助記録層１２６ｂに比較して膜厚が薄かった。
図５（ｂ）に示すように、グラニュラ補助記録層の各材料において膜厚を厚くすると、トラック幅は広がり、ＳＮＲが高くなる傾向を示す。これはグラニュラ補助記録層の膜厚依存においては、トラック幅とＳＮＲがトレードオフとなるため、高記録密度化が達成できないことを示唆している。一方、グラニュラ補助記録層の有り無しという観点では、比較例２－１～比較例２－２に対して実施例２－１～実施例２－９のほうが前記トレードオフを考慮しても特性が向上していることが分かり、トラック幅とＳＮＲとの両立が図られていることが分かる。
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施例について説明したが、本発明は上記実施形態１、２及び実施例１、２に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば、請求の範囲に記載された範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
本発明は、垂直磁気記録方式のＨＤＤなどに搭載される磁気ディスクに適用することができる。
本出願は、２００８年１２月５日出願の特願２００８－３１１１２０号及び２００９年３月３１日出願の特願２００９－０８７７６２号に基づく。この内容はすべてここに含めておく。
Claims (17)
- ディスク基体上に直接又は中間層を介して形成され、グラニュラ柱状粒子間に非磁性領域を有してなるグラニュラ磁気記録層と、前記グラニュラ磁気記録層上に形成され、前記グラニュラ柱状粒子間で交換結合させる補助記録層と、を具備し、前記補助記録層は、０．１モル％～３モル％の酸素を含有することを特徴とする磁気ディスク。
- 前記酸素は、酸化物の状態で前記補助記録層に含まれることを特徴とする請求項１記載の磁気ディスク。
- 前記酸化物は、前記グラニュラ磁気記録層の前記非磁性領域上に偏析していることを特徴とする請求項２記載の磁気ディスク。
- 前記グラニュラ磁気記録層が酸素を含有しており、前記補助記録層に含有している酸素の量が前記グラニュラ磁気記録層に含有している酸素の量よりも少ないことを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載の磁気ディスク。
- 前記グラニュラ磁気記録層に含有されている酸素は、複数の種類の酸化物が混合していることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれかに記載の磁気ディスク。
- 前記グラニュラ磁気記録層と前記補助記録層との間に非磁性の分断層を設けることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれかに記載の磁気ディスク。
- 前記グラニュラ磁気記録層が複数の層で設けられたことを特徴とする請求項１から請求項６のいずれかに記載の磁気ディスク。
- ディスク基体上に少なくとも、柱状に連続して成長したＣｏＣｒＰｔからなる磁性粒子の間に非磁性の粒界部を形成したグラニュラ構造を有してなる磁気記録層と、前記磁気記録層上に形成された補助記録層と、を具備し、前記補助記録層は、前記ディスク基体主表面の面内方向に磁気的にほぼ連続した磁性層である非グラニュラ補助記録層と、前記非グラニュラ補助記録層の下に設けられ、前記非グラニュラ補助記録層に比較して保磁力が高く、グラニュラ構造を有するグラニュラ補助記録層と、を含むことを特徴とする磁気ディスク。
- 前記グラニュラ補助記録層は、前記磁気記録層に比較してＣｒのａｔ％が小さくＣｏＰｔのａｔ％が大きいことを特徴とする請求項８記載の磁気ディスク。
- 前記磁気記録層のＣｒ濃度（Ａ）と前記グラニュラ補助記録層のＣｒ濃度（Ｂ）の差（Ａ－Ｂ）が１ａｔ％以上であり、４ａｔ％以下であることを特徴とする請求項９記載の磁気ディスク。
- 前記グラニュラ補助記録層は、前記非グラニュラ補助記録層に比較して膜厚が薄いことを特徴とする請求項８または請求項９に記載の磁気ディスク。
- 記憶容量が２５０Ｇビット／平方インチ以上であることを特徴とする請求項１から請求項１１のいずれかに記載の磁気ディスク。
- ディスク基体上に少なくともグラニュラ磁気記録層を形成する磁気記録層形成工程と、前記磁気記録層上に補助記録層を形成する補助記録層形成工程と、を具備する磁気ディスクの製造方法であって、前記補助記録層形成工程において、０．１モル％～３モル％の酸素を含有する補助記録層を形成することを特徴とする磁気ディスクの製造方法。
- 前記補助記録層形成工程において、酸化物を含むスパッタリングターゲットを用いてスパッタリングにより前記補助記録層を形成することを特徴とする請求項１３記載の磁気ディスクの製造方法。
- 前記補助記録層形成工程において、０．５％～３％の分圧で酸素を混入させた反応性スパッタリングにより前記補助記録層を形成することを特徴とする請求項１３記載の磁気ディスクの製造方法。
- 前記グラニュラ磁気記録層と前記補助記録層との間に非磁性の分断層を設けることを特徴とする請求項１３記載の磁気ディスクの製造方法。
- 前記グラニュラ磁気記録層を複数の層で形成することを特徴とする請求項１６記載の磁気ディスク製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US13/133,124 US8877359B2 (en) | 2008-12-05 | 2009-12-07 | Magnetic disk and method for manufacturing same |
| US14/514,303 US20150027877A1 (en) | 2008-12-05 | 2014-10-14 | Magnetic disk and method for manufacturing same |
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2008-311120 | 2008-12-05 | ||
| JP2008311120 | 2008-12-05 | ||
| JP2009087762 | 2009-03-31 | ||
| JP2009-087762 | 2009-03-31 |
Related Child Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| US13/133,124 A-371-Of-International US8877359B2 (en) | 2008-12-05 | 2009-12-07 | Magnetic disk and method for manufacturing same |
| US14/514,303 Continuation US20150027877A1 (en) | 2008-12-05 | 2014-10-14 | Magnetic disk and method for manufacturing same |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| WO2010064724A1 true WO2010064724A1 (ja) | 2010-06-10 |
Family
ID=42233369
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PCT/JP2009/070499 WO2010064724A1 (ja) | 2008-12-05 | 2009-12-07 | 磁気ディスク及びその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US8877359B2 (ja) |
| WO (1) | WO2010064724A1 (ja) |
Families Citing this family (80)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5117895B2 (ja) | 2008-03-17 | 2013-01-16 | ダブリュディ・メディア・シンガポール・プライベートリミテッド | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
| JP2009238299A (ja) | 2008-03-26 | 2009-10-15 | Hoya Corp | 垂直磁気記録媒体および垂直磁気記録媒体の製造方法 |
| JP5453666B2 (ja) | 2008-03-30 | 2014-03-26 | ダブリュディ・メディア・シンガポール・プライベートリミテッド | 磁気ディスク及びその製造方法 |
| WO2010038773A1 (ja) | 2008-09-30 | 2010-04-08 | Hoya株式会社 | 磁気ディスク及びその製造方法 |
| WO2010064724A1 (ja) | 2008-12-05 | 2010-06-10 | Hoya株式会社 | 磁気ディスク及びその製造方法 |
| WO2010116908A1 (ja) | 2009-03-28 | 2010-10-14 | Hoya株式会社 | 磁気ディスク用潤滑剤化合物及び磁気ディスク |
| US8431258B2 (en) | 2009-03-30 | 2013-04-30 | Wd Media (Singapore) Pte. Ltd. | Perpendicular magnetic recording medium and method of manufacturing the same |
| US20100300884A1 (en) | 2009-05-26 | 2010-12-02 | Wd Media, Inc. | Electro-deposited passivation coatings for patterned media |
| US8496466B1 (en) | 2009-11-06 | 2013-07-30 | WD Media, LLC | Press system with interleaved embossing foil holders for nano-imprinting of recording media |
| US9330685B1 (en) | 2009-11-06 | 2016-05-03 | WD Media, LLC | Press system for nano-imprinting of recording media with a two step pressing method |
| JP5643516B2 (ja) | 2010-01-08 | 2014-12-17 | ダブリュディ・メディア・シンガポール・プライベートリミテッド | 垂直磁気記録媒体 |
| JP5574414B2 (ja) | 2010-03-29 | 2014-08-20 | ダブリュディ・メディア・シンガポール・プライベートリミテッド | 磁気ディスクの評価方法及び磁気ディスクの製造方法 |
| JP5634749B2 (ja) | 2010-05-21 | 2014-12-03 | ダブリュディ・メディア・シンガポール・プライベートリミテッド | 垂直磁気ディスク |
| JP5645476B2 (ja) | 2010-05-21 | 2014-12-24 | ダブリュディ・メディア・シンガポール・プライベートリミテッド | 垂直磁気ディスク |
| JP2011248967A (ja) | 2010-05-28 | 2011-12-08 | Wd Media (Singapore) Pte. Ltd | 垂直磁気ディスクの製造方法 |
| JP2011248968A (ja) | 2010-05-28 | 2011-12-08 | Wd Media (Singapore) Pte. Ltd | 垂直磁気ディスク |
| JP2011248969A (ja) | 2010-05-28 | 2011-12-08 | Wd Media (Singapore) Pte. Ltd | 垂直磁気ディスク |
| JP2012009086A (ja) | 2010-06-22 | 2012-01-12 | Wd Media (Singapore) Pte. Ltd | 垂直磁気記録媒体及びその製造方法 |
| US8889275B1 (en) | 2010-08-20 | 2014-11-18 | WD Media, LLC | Single layer small grain size FePT:C film for heat assisted magnetic recording media |
| US8565735B2 (en) * | 2010-10-29 | 2013-10-22 | Jeffrey L. Wohlwend | System and method for supporting mobile unit connectivity to venue specific servers |
| US9093101B2 (en) * | 2011-02-28 | 2015-07-28 | Seagate Technology Llc | Stack including a magnetic zero layer |
| US8743666B1 (en) | 2011-03-08 | 2014-06-03 | Western Digital Technologies, Inc. | Energy assisted magnetic recording medium capable of suppressing high DC readback noise |
| US8711499B1 (en) | 2011-03-10 | 2014-04-29 | WD Media, LLC | Methods for measuring media performance associated with adjacent track interference |
| US8491800B1 (en) | 2011-03-25 | 2013-07-23 | WD Media, LLC | Manufacturing of hard masks for patterning magnetic media |
| US9028985B2 (en) | 2011-03-31 | 2015-05-12 | WD Media, LLC | Recording media with multiple exchange coupled magnetic layers |
| US8565050B1 (en) | 2011-12-20 | 2013-10-22 | WD Media, LLC | Heat assisted magnetic recording media having moment keeper layer |
| US9029308B1 (en) | 2012-03-28 | 2015-05-12 | WD Media, LLC | Low foam media cleaning detergent |
| US9269480B1 (en) | 2012-03-30 | 2016-02-23 | WD Media, LLC | Systems and methods for forming magnetic recording media with improved grain columnar growth for energy assisted magnetic recording |
| US8941950B2 (en) | 2012-05-23 | 2015-01-27 | WD Media, LLC | Underlayers for heat assisted magnetic recording (HAMR) media |
| US8993134B2 (en) | 2012-06-29 | 2015-03-31 | Western Digital Technologies, Inc. | Electrically conductive underlayer to grow FePt granular media with (001) texture on glass substrates |
| JP6182833B2 (ja) * | 2012-07-26 | 2017-08-23 | 富士電機株式会社 | 垂直磁気記録媒体 |
| US9034492B1 (en) | 2013-01-11 | 2015-05-19 | WD Media, LLC | Systems and methods for controlling damping of magnetic media for heat assisted magnetic recording |
| JP6265529B2 (ja) * | 2013-01-23 | 2018-01-24 | 昭和電工株式会社 | 磁気記録媒体の製造方法、磁気記録媒体及び磁気記録再生装置 |
| US10115428B1 (en) | 2013-02-15 | 2018-10-30 | Wd Media, Inc. | HAMR media structure having an anisotropic thermal barrier layer |
| US9153268B1 (en) | 2013-02-19 | 2015-10-06 | WD Media, LLC | Lubricants comprising fluorinated graphene nanoribbons for magnetic recording media structure |
| US9183867B1 (en) | 2013-02-21 | 2015-11-10 | WD Media, LLC | Systems and methods for forming implanted capping layers in magnetic media for magnetic recording |
| US9196283B1 (en) | 2013-03-13 | 2015-11-24 | Western Digital (Fremont), Llc | Method for providing a magnetic recording transducer using a chemical buffer |
| US8787130B1 (en) * | 2013-03-15 | 2014-07-22 | WD Media, LLC | Systems and methods for providing heat assisted magnetic recording media configured to couple energy from a near field transducer |
| US9190094B2 (en) | 2013-04-04 | 2015-11-17 | Western Digital (Fremont) | Perpendicular recording media with grain isolation initiation layer and exchange breaking layer for signal-to-noise ratio enhancement |
| US9093122B1 (en) | 2013-04-05 | 2015-07-28 | WD Media, LLC | Systems and methods for improving accuracy of test measurements involving aggressor tracks written to disks of hard disk drives |
| JP6186859B2 (ja) * | 2013-05-01 | 2017-08-30 | ソニー株式会社 | 磁気記録媒体 |
| US8947987B1 (en) | 2013-05-03 | 2015-02-03 | WD Media, LLC | Systems and methods for providing capping layers for heat assisted magnetic recording media |
| US8867322B1 (en) | 2013-05-07 | 2014-10-21 | WD Media, LLC | Systems and methods for providing thermal barrier bilayers for heat assisted magnetic recording media |
| US9245549B2 (en) | 2013-05-13 | 2016-01-26 | HGST Netherlands B.V. | Thermally stable low random telegraph noise sensor |
| JP6307879B2 (ja) * | 2013-05-17 | 2018-04-11 | ソニー株式会社 | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
| US9296082B1 (en) | 2013-06-11 | 2016-03-29 | WD Media, LLC | Disk buffing apparatus with abrasive tape loading pad having a vibration absorbing layer |
| US9406330B1 (en) | 2013-06-19 | 2016-08-02 | WD Media, LLC | Method for HDD disk defect source detection |
| US9607646B2 (en) | 2013-07-30 | 2017-03-28 | WD Media, LLC | Hard disk double lubrication layer |
| US9389135B2 (en) | 2013-09-26 | 2016-07-12 | WD Media, LLC | Systems and methods for calibrating a load cell of a disk burnishing machine |
| US9177585B1 (en) | 2013-10-23 | 2015-11-03 | WD Media, LLC | Magnetic media capable of improving magnetic properties and thermal management for heat-assisted magnetic recording |
| US9581510B1 (en) | 2013-12-16 | 2017-02-28 | Western Digital Technologies, Inc. | Sputter chamber pressure gauge with vibration absorber |
| US9382496B1 (en) | 2013-12-19 | 2016-07-05 | Western Digital Technologies, Inc. | Lubricants with high thermal stability for heat-assisted magnetic recording |
| US9564164B2 (en) | 2013-12-20 | 2017-02-07 | Seagate Technology Llc | Exchange decoupled data storage medium |
| US9824711B1 (en) | 2014-02-14 | 2017-11-21 | WD Media, LLC | Soft underlayer for heat assisted magnetic recording media |
| US9447368B1 (en) | 2014-02-18 | 2016-09-20 | WD Media, LLC | Detergent composition with low foam and high nickel solubility |
| US9431045B1 (en) | 2014-04-25 | 2016-08-30 | WD Media, LLC | Magnetic seed layer used with an unbalanced soft underlayer |
| US9042053B1 (en) | 2014-06-24 | 2015-05-26 | WD Media, LLC | Thermally stabilized perpendicular magnetic recording medium |
| US9159350B1 (en) | 2014-07-02 | 2015-10-13 | WD Media, LLC | High damping cap layer for magnetic recording media |
| US10054363B2 (en) | 2014-08-15 | 2018-08-21 | WD Media, LLC | Method and apparatus for cryogenic dynamic cooling |
| US9082447B1 (en) | 2014-09-22 | 2015-07-14 | WD Media, LLC | Determining storage media substrate material type |
| US9685184B1 (en) | 2014-09-25 | 2017-06-20 | WD Media, LLC | NiFeX-based seed layer for magnetic recording media |
| US9227324B1 (en) | 2014-09-25 | 2016-01-05 | WD Media, LLC | Mandrel for substrate transport system with notch |
| US8995078B1 (en) | 2014-09-25 | 2015-03-31 | WD Media, LLC | Method of testing a head for contamination |
| US9449633B1 (en) | 2014-11-06 | 2016-09-20 | WD Media, LLC | Smooth structures for heat-assisted magnetic recording media |
| US9818442B2 (en) | 2014-12-01 | 2017-11-14 | WD Media, LLC | Magnetic media having improved magnetic grain size distribution and intergranular segregation |
| US9401300B1 (en) | 2014-12-18 | 2016-07-26 | WD Media, LLC | Media substrate gripper including a plurality of snap-fit fingers |
| US9218850B1 (en) | 2014-12-23 | 2015-12-22 | WD Media, LLC | Exchange break layer for heat-assisted magnetic recording media |
| US9257134B1 (en) | 2014-12-24 | 2016-02-09 | Western Digital Technologies, Inc. | Allowing fast data zone switches on data storage devices |
| US9990940B1 (en) | 2014-12-30 | 2018-06-05 | WD Media, LLC | Seed structure for perpendicular magnetic recording media |
| US9280998B1 (en) | 2015-03-30 | 2016-03-08 | WD Media, LLC | Acidic post-sputter wash for magnetic recording media |
| US9275669B1 (en) | 2015-03-31 | 2016-03-01 | WD Media, LLC | TbFeCo in PMR media for SNR improvement |
| US9822441B2 (en) | 2015-03-31 | 2017-11-21 | WD Media, LLC | Iridium underlayer for heat assisted magnetic recording media |
| US11074934B1 (en) | 2015-09-25 | 2021-07-27 | Western Digital Technologies, Inc. | Heat assisted magnetic recording (HAMR) media with Curie temperature reduction layer |
| US10236026B1 (en) | 2015-11-06 | 2019-03-19 | WD Media, LLC | Thermal barrier layers and seed layers for control of thermal and structural properties of HAMR media |
| US9406329B1 (en) | 2015-11-30 | 2016-08-02 | WD Media, LLC | HAMR media structure with intermediate layer underlying a magnetic recording layer having multiple sublayers |
| US10121506B1 (en) | 2015-12-29 | 2018-11-06 | WD Media, LLC | Magnetic-recording medium including a carbon overcoat implanted with nitrogen and hydrogen |
| US9990951B2 (en) * | 2016-02-23 | 2018-06-05 | Seagate Technology Llc | Perpendicular magnetic recording with multiple antiferromagnetically coupled layers |
| WO2017221573A1 (ja) * | 2016-06-23 | 2017-12-28 | 富士電機株式会社 | 磁気記録媒体 |
| JP7011477B2 (ja) * | 2017-03-07 | 2022-01-26 | 昭和電工株式会社 | アシスト磁気記録媒体及び磁気記憶装置 |
| US10950267B1 (en) * | 2020-02-28 | 2021-03-16 | Western Digital Technologies, Inc. | HAMR media to assist optically transparent build-up on NFT to improve reliability |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004259423A (ja) * | 2003-02-07 | 2004-09-16 | Hitachi Maxell Ltd | 磁気記録媒体及びその製造方法並びに磁気記録装置 |
| JP2004310910A (ja) * | 2003-04-07 | 2004-11-04 | Showa Denko Kk | 磁気記録媒体、その製造方法および磁気記録再生装置 |
| JP2007087575A (ja) * | 2005-09-22 | 2007-04-05 | Seagate Technology Llc | 磁気記録媒体におけるチューニング交換結合 |
| JP2008287829A (ja) * | 2007-05-21 | 2008-11-27 | Toshiba Corp | 垂直磁気記録媒体 |
| JP2008293573A (ja) * | 2007-05-23 | 2008-12-04 | Toshiba Corp | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
| WO2009031630A1 (ja) * | 2007-09-06 | 2009-03-12 | Showa Denko K.K. | 垂直磁気記録媒体および磁気記録再生装置 |
| JP2009059402A (ja) * | 2007-08-30 | 2009-03-19 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands Bv | 垂直磁気記録媒体及びそれを用いた磁気記録再生装置 |
Family Cites Families (280)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2874298B2 (ja) | 1990-07-24 | 1999-03-24 | 日本板硝子株式会社 | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
| US6287429B1 (en) | 1992-10-26 | 2001-09-11 | Hoya Corporation | Magnetic recording medium having an improved magnetic characteristic |
| US5487931A (en) * | 1993-12-02 | 1996-01-30 | Annacone; William R. | Rigid disc substrate comprising a central hard core substrate with a hard, thermally and mechanically matched overlying smoothing layer and method for making the same |
| US6099981A (en) | 1993-12-28 | 2000-08-08 | Hoya Corporation | Magnetic recording medium having a lubricant film coated on optimum conditions and method of evaluating the lubricant film |
| JPH0850715A (ja) | 1994-01-28 | 1996-02-20 | Komag Inc | 低ノイズ，高い保磁力および優れた方形度を有する磁気記録媒体および磁気記録媒体形成方法 |
| US6156404A (en) | 1996-10-18 | 2000-12-05 | Komag, Inc. | Method of making high performance, low noise isotropic magnetic media including a chromium underlayer |
| US5480695A (en) * | 1994-08-10 | 1996-01-02 | Tenhover; Michael A. | Ceramic substrates and magnetic data storage components prepared therefrom |
| US5855746A (en) | 1996-02-28 | 1999-01-05 | Western Digital Corporation | Buffered nitrogenated carbon overcoat for data recording disks and method for manufacturing the same |
| US6309765B1 (en) | 1996-03-25 | 2001-10-30 | Asahi Komag Co., Ltd. | Magnetic recording medium and process for its production |
| US6103404A (en) | 1996-06-03 | 2000-08-15 | Komag, Inc. | Laser textured magnetic disk comprising NiNb |
| US6117499A (en) | 1997-04-09 | 2000-09-12 | Komag, Inc. | Micro-texture media made by polishing of a selectively irradiated surface |
| US6068891A (en) | 1997-08-15 | 2000-05-30 | Komag, Inc. | Method for laser texturing a glass ceramic substrate and the resulting substrate |
| US6200441B1 (en) | 1997-08-27 | 2001-03-13 | Western Digital Corporation | Multiple station vacuum deposition apparatus for texturing a substrate using a scanning beam |
| US6149696A (en) | 1997-11-06 | 2000-11-21 | Komag, Inc. | Colloidal silica slurry for NiP plated disk polishing |
| JP3099790B2 (ja) | 1997-11-17 | 2000-10-16 | 日本電気株式会社 | 垂直磁気記録媒体 |
| US6150015A (en) | 1997-12-04 | 2000-11-21 | Komag, Incorporated | Ultra-thin nucleation layer for magnetic thin film media and the method for manufacturing the same |
| US6387483B1 (en) | 1997-12-18 | 2002-05-14 | Nec Corporation | Perpendicular magnetic recording medium and manufacturing process therefor |
| US5972461A (en) * | 1998-01-06 | 1999-10-26 | Imation Corp. | Rewritable optical data storage disk having enhanced flatness |
| JP3087715B2 (ja) | 1998-02-19 | 2000-09-11 | 日本電気株式会社 | 磁気ディスク装置 |
| US6261681B1 (en) | 1998-03-20 | 2001-07-17 | Asahi Komag Co., Ltd. | Magnetic recording medium |
| US6381090B1 (en) | 1998-05-21 | 2002-04-30 | Komag, Incorporated | Hard disk drive head-media system having reduced stiction and low fly height |
| US6683754B2 (en) | 1998-05-21 | 2004-01-27 | Komag, Inc. | Hard disk drive head-media system having reduced stiction and low fly height |
| US6159076A (en) | 1998-05-28 | 2000-12-12 | Komag, Inc. | Slurry comprising a ligand or chelating agent for polishing a surface |
| US6210819B1 (en) | 1998-07-24 | 2001-04-03 | Hmt Technology Corporation | Magnetic recording media having a CrTi underlayer deposited under a substrate bias |
| JP3090128B2 (ja) | 1998-08-28 | 2000-09-18 | 日本電気株式会社 | 垂直磁気記録媒体 |
| US6571806B2 (en) | 1998-09-04 | 2003-06-03 | Komag, Inc. | Method for drying a substrate |
| US6216709B1 (en) | 1998-09-04 | 2001-04-17 | Komag, Inc. | Method for drying a substrate |
| US6146737A (en) | 1998-09-18 | 2000-11-14 | Hmt Technology Corporation | Magnetic recording medium having a nitrogen-containing barrier layer |
| US6408677B1 (en) | 1998-09-30 | 2002-06-25 | Komag Corporation | Calibration disk having discrete bands of composite roughness |
| US6164118A (en) | 1998-09-30 | 2000-12-26 | Komag Incorporated | Calibration disk having discrete bands of calibration bumps |
| US6303217B1 (en) | 1998-10-02 | 2001-10-16 | Hmt Technology, Corporation | Longitudinal recording medium with a dual underlayer |
| US6146755A (en) * | 1998-10-15 | 2000-11-14 | International Business Machines Corporation | High density magnetic recording medium utilizing selective growth of ferromagnetic material |
| US6358636B1 (en) | 1998-11-05 | 2002-03-19 | Hmt Technology Corporation | Thin overlayer for magnetic recording disk |
| US6274063B1 (en) | 1998-11-06 | 2001-08-14 | Hmt Technology Corporation | Metal polishing composition |
| US6063248A (en) | 1998-11-12 | 2000-05-16 | Hmt Technology Corporation | Process chamber isolation system in a deposition apparatus |
| US6145849A (en) | 1998-11-18 | 2000-11-14 | Komag, Incorporated | Disk processing chuck |
| US6299947B1 (en) | 1999-01-20 | 2001-10-09 | Komag, Inc. | Method of forming a magnetic hard disk with elliptical shaped laser bumps |
| US6143375A (en) | 1999-01-28 | 2000-11-07 | Komag, Incorporated | Method for preparing a substrate for a magnetic disk |
| US6362452B1 (en) | 1999-02-04 | 2002-03-26 | Komag, Inc. | Patterned laser zone texture |
| US6403919B1 (en) | 1999-03-01 | 2002-06-11 | Komag, Incorporated | Disk marking system |
| SG87096A1 (en) | 1999-03-31 | 2002-03-19 | Hoya Corp | Magnetic recording medium, and thermal stability measuring method and apparatus of magnetic recording medium |
| US6086730A (en) | 1999-04-22 | 2000-07-11 | Komag, Incorporated | Method of sputtering a carbon protective film on a magnetic disk with high sp3 content |
| US6248395B1 (en) | 1999-05-24 | 2001-06-19 | Komag, Inc. | Mechanical texturing of glass and glass-ceramic substrates |
| US6395349B1 (en) | 1999-05-25 | 2002-05-28 | Komag, Inc. | Method of marking disks |
| US6548821B1 (en) | 1999-06-21 | 2003-04-15 | Komag, Inc. | Method and apparatus for inspecting substrates |
| US6566674B1 (en) | 1999-06-21 | 2003-05-20 | Komag, Inc. | Method and apparatus for inspecting substrates |
| US6221119B1 (en) | 1999-07-14 | 2001-04-24 | Komag, Inc. | Slurry composition for polishing a glass ceramic substrate |
| US6363599B1 (en) | 1999-08-04 | 2002-04-02 | Komag, Inc. | Method for manufacturing a magnetic disk including a glass substrate |
| US6429984B1 (en) | 1999-08-06 | 2002-08-06 | Komag, Inc | Circuit and method for refreshing data recorded at a density sufficiently high to undergo thermal degradation |
| US6206765B1 (en) | 1999-08-16 | 2001-03-27 | Komag, Incorporated | Non-rotational dresser for grinding stones |
| US6290573B1 (en) | 1999-08-23 | 2001-09-18 | Komag, Incorporated | Tape burnish with monitoring device |
| US6664503B1 (en) | 1999-09-07 | 2003-12-16 | Asahi Glass Company, Ltd. | Method for manufacturing a magnetic disk |
| US6795274B1 (en) | 1999-09-07 | 2004-09-21 | Asahi Glass Company, Ltd. | Method for manufacturing a substantially circular substrate by utilizing scribing |
| US6391213B1 (en) | 1999-09-07 | 2002-05-21 | Komag, Inc. | Texturing of a landing zone on glass-based substrates by a chemical etching process |
| US20020060883A1 (en) | 1999-09-21 | 2002-05-23 | Shoji Suzuki | Hard disk drive with load/unload capability |
| US6482330B1 (en) | 1999-10-01 | 2002-11-19 | Komag, Inc. | Method for manufacturing a data storage card |
| US6283838B1 (en) | 1999-10-19 | 2001-09-04 | Komag Incorporated | Burnishing tape handling apparatus and method |
| US6381092B1 (en) | 2000-01-10 | 2002-04-30 | Komag, Inc. | Spacer rings to compensate for disk warpage |
| US6468670B1 (en) * | 2000-01-19 | 2002-10-22 | International Business Machines Corporation | Magnetic recording disk with composite perpendicular recording layer |
| US6482505B1 (en) | 2000-05-11 | 2002-11-19 | Komag, Inc. | Multi-layer texture layer |
| US6565719B1 (en) | 2000-06-27 | 2003-05-20 | Komag, Inc. | Magnetic disk comprising a first carbon overcoat having a high SP3 content and a second carbon overcoat having a low SP3 content |
| JP2002056522A (ja) | 2000-08-14 | 2002-02-22 | Hoya Corp | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
| US6730420B1 (en) | 2000-10-31 | 2004-05-04 | Komag, Inc. | Magnetic thin film recording media having extremely low noise and high thermal stability |
| US6528124B1 (en) | 2000-12-01 | 2003-03-04 | Komag, Inc. | Disk carrier |
| US7019924B2 (en) | 2001-02-16 | 2006-03-28 | Komag, Incorporated | Patterned medium and recording head |
| SG108859A1 (en) | 2001-07-03 | 2005-02-28 | Hoya Corp | Magnetic recording medium |
| US7099112B1 (en) | 2001-07-25 | 2006-08-29 | Komag, Inc. | Balance ring |
| US6778353B1 (en) | 2001-07-25 | 2004-08-17 | Komag, Inc. | Balance ring |
| SG108888A1 (en) | 2001-12-14 | 2005-02-28 | Hoya Corp | Magnetic recording medium |
| US6899959B2 (en) | 2002-02-12 | 2005-05-31 | Komag, Inc. | Magnetic media with improved exchange coupling |
| JP3912497B2 (ja) | 2002-02-25 | 2007-05-09 | Ｈｏｙａ株式会社 | 磁気記録媒体 |
| US6857937B2 (en) | 2002-05-30 | 2005-02-22 | Komag, Inc. | Lapping a head while powered up to eliminate expansion of the head due to heating |
| US7119990B2 (en) | 2002-05-30 | 2006-10-10 | Komag, Inc. | Storage device including a center tapped write transducer |
| CA2436249C (en) | 2002-08-02 | 2010-03-09 | Communications Systems, Inc. | Wall mounted dsl adapter jack with latches for attachment |
| SG130014A1 (en) | 2002-09-03 | 2007-03-20 | Hoya Corp | Magnetic recording disk and process for manufacturing thereof |
| SG118199A1 (en) * | 2002-09-04 | 2006-01-27 | Fuji Electric Co Ltd | Perpendicular magnetic recording medium and a method for manufacturing same |
| US6939120B1 (en) | 2002-09-12 | 2005-09-06 | Komag, Inc. | Disk alignment apparatus and method for patterned media production |
| US20040132301A1 (en) | 2002-09-12 | 2004-07-08 | Harper Bruce M. | Indirect fluid pressure imprinting |
| US6972135B2 (en) | 2002-11-18 | 2005-12-06 | Komag, Inc. | Texturing of magnetic disk substrates |
| US20050036223A1 (en) | 2002-11-27 | 2005-02-17 | Wachenschwanz David E. | Magnetic discrete track recording disk |
| US7147790B2 (en) | 2002-11-27 | 2006-12-12 | Komag, Inc. | Perpendicular magnetic discrete track recording disk |
| JP3651681B2 (ja) | 2003-01-29 | 2005-05-25 | Ｈｏｙａ株式会社 | 磁気ディスクおよびその製造方法 |
| JP2004247010A (ja) | 2003-02-17 | 2004-09-02 | Hoya Corp | 磁気ディスク |
| DE102004010336A1 (de) | 2003-03-05 | 2004-09-16 | Komag, Inc., San Jose | Magnetische Aufzeichnungsplatte mit Übergangszone |
| US7016154B2 (en) | 2003-03-05 | 2006-03-21 | Komag, Inc. | Magnetic recording disk having a safe zone |
| DE10311830A1 (de) * | 2003-03-14 | 2004-09-23 | Ensinger Kunststofftechnologie Gbr | Abstandhalterprofil für Isolierglasscheiben |
| JP2004319058A (ja) | 2003-03-31 | 2004-11-11 | Hoya Corp | 磁気ディスクの製造方法及び磁気ディスク |
| US20040202865A1 (en) | 2003-04-08 | 2004-10-14 | Andrew Homola | Release coating for stamper |
| US20040202793A1 (en) | 2003-04-08 | 2004-10-14 | Harper Bruce M. | Dip-spin coater |
| US20040209123A1 (en) | 2003-04-17 | 2004-10-21 | Bajorek Christopher H. | Method of fabricating a discrete track recording disk using a bilayer resist for metal lift-off |
| US6893748B2 (en) | 2003-05-20 | 2005-05-17 | Komag, Inc. | Soft magnetic film for perpendicular recording disk |
| US7166319B2 (en) | 2003-05-28 | 2007-01-23 | Hoya Corporation | Magnetic disk and method of producing the same |
| US7006323B1 (en) | 2003-07-18 | 2006-02-28 | Komag, Inc. | Magnetic head for proximity recording |
| JP4169663B2 (ja) | 2003-07-25 | 2008-10-22 | Ｈｏｙａ株式会社 | 垂直磁気記録媒体 |
| JP4213001B2 (ja) | 2003-09-25 | 2009-01-21 | 株式会社東芝 | 垂直磁気記録媒体、及び磁気記録再生装置 |
| JP4247535B2 (ja) | 2003-11-11 | 2009-04-02 | Ｈｏｙａ株式会社 | ロードアンロード方式用磁気ディスク、ロードアンロード方式用磁気ディスクの製造方法及びロードアンロード方式用磁気ディスクの評価方法 |
| US6967798B2 (en) | 2003-12-19 | 2005-11-22 | Komag, Inc. | Magnetic recording disk having DTR patterned CSS zone |
| US7632087B2 (en) | 2003-12-19 | 2009-12-15 | Wd Media, Inc. | Composite stamper for imprint lithography |
| US20050151283A1 (en) | 2004-01-08 | 2005-07-14 | Bajorek Christopher H. | Method and apparatus for making a stamper for patterning CDs and DVDs |
| US20050151300A1 (en) | 2004-01-13 | 2005-07-14 | Harper Bruce M. | Workpiece isothermal imprinting |
| US20050150862A1 (en) | 2004-01-13 | 2005-07-14 | Harper Bruce M. | Workpiece alignment assembly |
| US20050151282A1 (en) | 2004-01-13 | 2005-07-14 | Harper Bruce M. | Workpiece handler and alignment assembly |
| CN1910267B (zh) | 2004-01-14 | 2011-01-12 | Hoya株式会社 | 磁盘用润滑剂及其制造方法、磁盘及其制造方法 |
| US7329114B2 (en) | 2004-01-20 | 2008-02-12 | Komag, Inc. | Isothermal imprint embossing system |
| US7686606B2 (en) | 2004-01-20 | 2010-03-30 | Wd Media, Inc. | Imprint embossing alignment system |
| US20050155554A1 (en) | 2004-01-20 | 2005-07-21 | Saito Toshiyuki M. | Imprint embossing system |
| US7179549B2 (en) | 2004-01-21 | 2007-02-20 | Komag, Inc. | Magnetic recording medium having novel underlayer structure |
| JP4078317B2 (ja) | 2004-02-06 | 2008-04-23 | Ｈｏｙａ株式会社 | 固体表面の評価方法、磁気ディスクの評価方法、磁気ディスクおよびその製造方法 |
| JP4407904B2 (ja) | 2004-02-06 | 2010-02-03 | Ｈｏｙａ株式会社 | 磁気ディスクの製造方法 |
| US7004827B1 (en) | 2004-02-12 | 2006-02-28 | Komag, Inc. | Method and apparatus for polishing a workpiece |
| US7229266B2 (en) | 2004-03-23 | 2007-06-12 | Komag, Inc. | Press die alignment |
| JP2005302109A (ja) * | 2004-04-09 | 2005-10-27 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 多層膜垂直磁気記録媒体の製造方法 |
| US7498062B2 (en) | 2004-05-26 | 2009-03-03 | Wd Media, Inc. | Method and apparatus for applying a voltage to a substrate during plating |
| CN100589187C (zh) | 2004-06-30 | 2010-02-10 | Hoya株式会社 | 垂直磁记录盘以及其制造方法 |
| US7320584B1 (en) | 2004-07-07 | 2008-01-22 | Komag, Inc. | Die set having sealed compliant member |
| US7684152B2 (en) | 2004-09-24 | 2010-03-23 | Wd Media, Inc. | Method of mitigating eccentricity in a disk drive with DTR media |
| JP4375617B2 (ja) | 2004-09-27 | 2009-12-02 | Ｈｏｙａ株式会社 | 磁気ディスク用潤滑剤の製造方法、磁気ディスク用潤滑剤、磁気ディスクおよび磁気ディスクの製造方法 |
| JP4044546B2 (ja) | 2004-09-29 | 2008-02-06 | Ｈｏｙａ株式会社 | 磁気ディスク及びその製造方法 |
| US7301726B1 (en) | 2004-11-04 | 2007-11-27 | Komag, Inc. | Banded LZT CSS zone |
| US20060147758A1 (en) | 2005-01-06 | 2006-07-06 | Hong-Sik Jung | Perpendicular magnetic recording medium with magnetically resetable single domain soft magnetic underlayer |
| US7184139B2 (en) | 2005-01-13 | 2007-02-27 | Komag, Inc. | Test head for optically inspecting workpieces |
| US7302148B2 (en) | 2005-01-13 | 2007-11-27 | Komag, Inc. | Test head for optically inspecting workpieces |
| US7375362B2 (en) | 2005-01-13 | 2008-05-20 | Wd Media, Inc. | Method and apparatus for reducing or eliminating stray light in an optical test head |
| US7292329B2 (en) | 2005-01-13 | 2007-11-06 | Komag, Inc. | Test head for optically inspecting workpieces comprising a lens for elongating a laser spot on the workpieces |
| US7305119B2 (en) | 2005-01-13 | 2007-12-04 | Komag, Inc. | Test head for optically inspecting workpieces |
| US7239970B2 (en) | 2005-01-13 | 2007-07-03 | Komag, Inc. | Robotic system for optically inspecting workpieces |
| US7425719B2 (en) | 2005-01-13 | 2008-09-16 | Wd Media, Inc. | Method and apparatus for selectively providing data from a test head to a processor |
| US20060181697A1 (en) | 2005-01-13 | 2006-08-17 | Komag, Inc. | Circularly polarized light for optically inspecting workpieces |
| US7161753B2 (en) | 2005-01-28 | 2007-01-09 | Komag, Inc. | Modulation of sidewalls of servo sectors of a magnetic disk and the resultant disk |
| US8110298B1 (en) * | 2005-03-04 | 2012-02-07 | Seagate Technology Llc | Media for high density perpendicular magnetic recording |
| US20060207890A1 (en) | 2005-03-15 | 2006-09-21 | Norbert Staud | Electrochemical etching |
| US7569490B2 (en) | 2005-03-15 | 2009-08-04 | Wd Media, Inc. | Electrochemical etching |
| JP2006268972A (ja) | 2005-03-24 | 2006-10-05 | Hoya Corp | 垂直磁気記録ディスク及びその製造方法 |
| US7281920B2 (en) | 2005-03-28 | 2007-10-16 | Komag, Inc. | Die set utilizing compliant gasket |
| US7955723B2 (en) | 2005-03-31 | 2011-06-07 | WD Media (Singapore) Pte.Ltd. | Magnetic recording medium substrate and perpendicular magnetic recording medium |
| JP2006309922A (ja) | 2005-03-31 | 2006-11-09 | Fujitsu Ltd | 磁気記録媒体及び磁気記録装置 |
| US7910159B2 (en) | 2005-06-03 | 2011-03-22 | Wd Media, Inc. | Radial magnetic field reset system for producing single domain soft magnetic underlayer on perpendicular magnetic recording medium |
| JP4928751B2 (ja) | 2005-07-14 | 2012-05-09 | ダブリュディ・メディア・シンガポール・プライベートリミテッド | 垂直磁気記録媒体 |
| JP4410747B2 (ja) | 2005-09-30 | 2010-02-03 | Ｈｏｙａ株式会社 | 磁気記録ディスク用潤滑剤の成分比測定方法および磁気記録ディスクの製造方法 |
| JP2007095234A (ja) | 2005-09-30 | 2007-04-12 | Hoya Corp | 磁気記録ディスクおよびその製造方法 |
| US7993497B2 (en) | 2005-11-21 | 2011-08-09 | Wd Media (Singapore) Pte. Ltd. | Magnetic disk and magnetic disk manufacturing method |
| JP4654339B2 (ja) | 2006-01-23 | 2011-03-16 | ダブリュディ・メディア・シンガポール・プライベートリミテッド | 磁気ディスク |
| US7314404B2 (en) | 2006-02-13 | 2008-01-01 | Komag, Inc. | Burnishing head |
| JP2007257756A (ja) | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Hoya Corp | 磁気ディスクの製造方法及び磁気ディスク |
| JPWO2007116812A1 (ja) | 2006-03-29 | 2009-08-20 | Hoya株式会社 | 磁気ディスク及びその製造方法 |
| JPWO2007116813A1 (ja) | 2006-03-30 | 2009-08-20 | Hoya株式会社 | 垂直磁気記録ディスクの製造方法及び垂直磁気記録ディスク |
| JP2007265586A (ja) | 2006-03-30 | 2007-10-11 | Hoya Corp | 磁気ディスク及びその製造方法 |
| JPWO2007114402A1 (ja) | 2006-03-31 | 2009-08-20 | Hoya株式会社 | 垂直磁気記録ディスク及びその製造方法 |
| WO2007114401A1 (ja) | 2006-03-31 | 2007-10-11 | Hoya Corporation | 垂直磁気記録ディスク及びその製造方法 |
| US20090191331A1 (en) | 2006-03-31 | 2009-07-30 | Hoya Corporation | Perpendicular magnetic recording medium manufacturing method |
| US7582368B2 (en) * | 2006-09-14 | 2009-09-01 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Perpendicular magnetic recording medium with an exchange-spring recording structure and a lateral coupling layer for increasing intergranular exchange coupling |
| JP2008084432A (ja) | 2006-09-27 | 2008-04-10 | Hoya Corp | 磁気記録媒体、及び磁気記録媒体の製造方法 |
| JP4993677B2 (ja) | 2006-09-27 | 2012-08-08 | ダブリュディ・メディア・シンガポール・プライベートリミテッド | 磁気記録媒体の製造方法 |
| JP5452928B2 (ja) | 2006-09-27 | 2014-03-26 | ダブリュディ・メディア・シンガポール・プライベートリミテッド | 磁気記録媒体の製造方法、及び積層体の製造方法 |
| US8178480B2 (en) | 2006-09-29 | 2012-05-15 | Wd Media (Singapore) Pte. Ltd. | Lubricant for magnetic disk, process for producing the same, and magnetic disk |
| JPWO2008038664A1 (ja) | 2006-09-29 | 2010-01-28 | Hoya株式会社 | 磁気記録媒体 |
| US8076013B2 (en) | 2007-02-13 | 2011-12-13 | Wd Media (Singapore) Pte. Ltd. | Magnetic recording medium, magnetic recording medium manufacturing method, and magnetic disk |
| JP5261373B2 (ja) | 2007-03-28 | 2013-08-14 | ダブリュディ・メディア・シンガポール・プライベートリミテッド | 磁気記録媒体、及び磁気記録媒体の製造方法 |
| WO2008123445A1 (ja) | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Hoya Corporation | 垂直磁気記録媒体およびその製造方法 |
| JP2008276917A (ja) | 2007-03-30 | 2008-11-13 | Hoya Corp | 垂直磁気記録媒体、垂直磁気記録媒体の製造方法、カーボン保護層の密度測定方法、およびカーボン保護層の耐食性評価方法 |
| JP2008276915A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-11-13 | Hoya Corp | 磁気記録媒体 |
| WO2008149812A1 (ja) * | 2007-05-30 | 2008-12-11 | Hoya Corporation | 垂直磁気記録媒体および垂直磁気記録媒体の製造方法 |
| WO2008149813A1 (ja) | 2007-05-31 | 2008-12-11 | Hoya Corporation | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
| JP5183134B2 (ja) | 2007-09-21 | 2013-04-17 | ダブリュディ・メディア・シンガポール・プライベートリミテッド | 磁気ディスク及び磁気ディスクの製造方法 |
| US20090080110A1 (en) * | 2007-09-24 | 2009-03-26 | Andreas Berger | Perpendicular recording magnetic media with imbalanced magnetic moment multilayer cap structure |
| US8795857B2 (en) | 2007-09-28 | 2014-08-05 | Wd Media (Singapore) Pte. Ltd. | Perpendicular magnetic recording medium and manufacturing method of the same |
| US8551627B2 (en) | 2007-09-28 | 2013-10-08 | Wd Media (Singapore) Pte. Ltd. | Magnetic disk and method of manufacturing the same |
| US8057926B2 (en) | 2007-09-28 | 2011-11-15 | WD Media(Singapore) Pte. Ltd. | Perpendicular magnetic recording medium |
| US8603649B2 (en) | 2007-10-07 | 2013-12-10 | Wd Media (Singapore) Pte. Ltd. | Perpendicular magnetic recording medium |
| US9159351B2 (en) | 2007-10-15 | 2015-10-13 | Wd Media (Singapore) Pte. Ltd | Perpendicular magnetic recording medium and method of manufacturing the same |
| JP5179833B2 (ja) * | 2007-10-30 | 2013-04-10 | 昭和電工株式会社 | 垂直磁気記録媒体、その製造方法及び磁気記憶装置 |
| US7944643B1 (en) | 2007-12-05 | 2011-05-17 | Wd Media, Inc. | Patterns for pre-formatted information on magnetic hard disk media |
| US7755861B1 (en) | 2007-12-06 | 2010-07-13 | Western Digital (Fremont), Llc | Method and system for providing a magnetic recording media |
| US8597723B1 (en) | 2008-03-14 | 2013-12-03 | WD Media, LLC | Perpendicular magnetic recording medium with single domain exchange-coupled soft magnetic underlayer and device incorporating same |
| JP5117895B2 (ja) | 2008-03-17 | 2013-01-16 | ダブリュディ・メディア・シンガポール・プライベートリミテッド | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
| WO2009116412A1 (ja) | 2008-03-17 | 2009-09-24 | Hoya株式会社 | 磁気記録媒体及び磁気記録媒体の製造方法 |
| JP2009238298A (ja) | 2008-03-26 | 2009-10-15 | Hoya Corp | 垂直磁気記録媒体および垂直磁気記録媒体の製造方法 |
| JP2009238299A (ja) | 2008-03-26 | 2009-10-15 | Hoya Corp | 垂直磁気記録媒体および垂直磁気記録媒体の製造方法 |
| JP2009245478A (ja) | 2008-03-28 | 2009-10-22 | Hoya Corp | 垂直磁気記録媒体の製造方法および垂直磁気記録媒体 |
| JP2009245490A (ja) | 2008-03-29 | 2009-10-22 | Hoya Corp | 垂直磁気記録媒体の製造方法および垂直磁気記録媒体 |
| JP5134413B2 (ja) | 2008-03-30 | 2013-01-30 | ダブリュディ・メディア・シンガポール・プライベートリミテッド | 磁気ディスク及びその製造方法 |
| US9245568B2 (en) | 2008-03-30 | 2016-01-26 | Wd Media (Singapore) Pte. Ltd. | Magnetic disk and method of manufacturing the same |
| JP2011034603A (ja) | 2008-03-31 | 2011-02-17 | Hoya Corp | 垂直磁気記録媒体 |
| US7944165B1 (en) | 2008-05-02 | 2011-05-17 | Wd Media, Inc. | Inspection system with dual encoders |
| US8394243B1 (en) | 2008-07-24 | 2013-03-12 | Wd Media, Inc. | Sputtered cobalt oxide for perpendicular magnetic recording medium with low media noise |
| US8871368B2 (en) | 2008-09-16 | 2014-10-28 | Wd Media (Singapore) Pte. Ltd. | Perpendicular magnetic recording medium and process for manufacture thereof |
| US9064518B2 (en) | 2008-09-16 | 2015-06-23 | Wd Media (Singapore) Pte. Ltd. | Perpendicular magnetic recording medium |
| US7924519B2 (en) | 2008-09-29 | 2011-04-12 | Wd Media, Inc. | Eccentricity determination for a disk |
| US8488276B1 (en) | 2008-09-30 | 2013-07-16 | WD Media, LLC | Perpendicular magnetic recording medium with grain isolation magnetic anistropy layer |
| WO2010038773A1 (ja) | 2008-09-30 | 2010-04-08 | Hoya株式会社 | 磁気ディスク及びその製造方法 |
| WO2010064724A1 (ja) | 2008-12-05 | 2010-06-10 | Hoya株式会社 | 磁気ディスク及びその製造方法 |
| US8795790B2 (en) | 2008-12-09 | 2014-08-05 | Wd Media (Singapore) Pte. Ltd. | Magnetic recording medium and magnetic recording medium manufacturing method |
| US8202636B2 (en) * | 2008-12-23 | 2012-06-19 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Magnetic recording capping layer with multiple layers for controlling anisotropy for perpendicular recording media |
| US8002901B1 (en) | 2009-01-15 | 2011-08-23 | Wd Media, Inc. | Temperature dependent pull speeds for drying of a wet cleaned workpiece |
| US8562748B1 (en) | 2009-01-30 | 2013-10-22 | WD Media, LLC | Multiple cleaning processes in a single tank |
| US8137517B1 (en) | 2009-02-10 | 2012-03-20 | Wd Media, Inc. | Dual position DC magnetron assembly |
| US8163093B1 (en) | 2009-02-11 | 2012-04-24 | Wd Media, Inc. | Cleaning operations with dwell time |
| JP2012069173A (ja) | 2009-02-19 | 2012-04-05 | Hoya Corp | 磁気記録媒体 |
| US8846137B2 (en) | 2009-02-19 | 2014-09-30 | Wd Media (Singapore) Pte. Ltd. | Method of manufacturing a magnetic disk |
| JP5638814B2 (ja) | 2009-02-23 | 2014-12-10 | ダブリュディ・メディア・シンガポール・プライベートリミテッド | 片面垂直磁気記録媒体 |
| US8171949B1 (en) | 2009-03-06 | 2012-05-08 | Wd Media, Inc. | Fluid flow management |
| JP2010250929A (ja) | 2009-03-27 | 2010-11-04 | Wd Media Singapore Pte Ltd | 磁気ディスク用潤滑剤化合物、磁気ディスク及びその製造方法 |
| WO2010116908A1 (ja) | 2009-03-28 | 2010-10-14 | Hoya株式会社 | 磁気ディスク用潤滑剤化合物及び磁気ディスク |
| US8431258B2 (en) | 2009-03-30 | 2013-04-30 | Wd Media (Singapore) Pte. Ltd. | Perpendicular magnetic recording medium and method of manufacturing the same |
| JP5583997B2 (ja) | 2009-03-30 | 2014-09-03 | ダブリュディ・メディア・シンガポール・プライベートリミテッド | 垂直磁気記録媒体 |
| JP5646865B2 (ja) | 2009-03-31 | 2014-12-24 | ダブリュディ・メディア・シンガポール・プライベートリミテッド | 垂直磁気記録媒体および垂直磁気記録媒体の製造方法 |
| JP5645443B2 (ja) | 2009-03-31 | 2014-12-24 | ダブリュディ・メディア・シンガポール・プライベートリミテッド | 垂直磁気記録媒体 |
| JP5360892B2 (ja) | 2009-05-24 | 2013-12-04 | ダブリュディ・メディア・シンガポール・プライベートリミテッド | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
| US20100300884A1 (en) | 2009-05-26 | 2010-12-02 | Wd Media, Inc. | Electro-deposited passivation coatings for patterned media |
| US8404056B1 (en) | 2009-05-27 | 2013-03-26 | WD Media, LLC | Process control for a sonication cleaning tank |
| US8101054B2 (en) | 2009-05-28 | 2012-01-24 | Wd Media, Inc. | Magnetic particle trapper for a disk sputtering system |
| JP5360894B2 (ja) | 2009-06-30 | 2013-12-04 | ダブリュディ・メディア・シンガポール・プライベートリミテッド | 磁気記録媒体の製造方法 |
| JP2011018426A (ja) | 2009-07-10 | 2011-01-27 | Wd Media Singapore Pte Ltd | 垂直磁気記録媒体の評価方法及び垂直磁気記録媒体の製造方法 |
| JP2011021165A (ja) | 2009-07-21 | 2011-02-03 | Wd Media Singapore Pte Ltd | 磁気ディスク用潤滑剤及び磁気ディスク |
| US8247095B2 (en) | 2009-08-21 | 2012-08-21 | Western Digital Technologies, Inc. | Energy assisted discrete track media with heat sink |
| US8492009B1 (en) | 2009-08-25 | 2013-07-23 | Wd Media, Inc. | Electrochemical etching of magnetic recording layer |
| US7998912B2 (en) | 2009-09-14 | 2011-08-16 | Wd Media, Inc. | Composite lubricant for hard disk media |
| US8206789B2 (en) | 2009-11-03 | 2012-06-26 | Wd Media, Inc. | Glass substrates and methods of annealing the same |
| US8496466B1 (en) | 2009-11-06 | 2013-07-30 | WD Media, LLC | Press system with interleaved embossing foil holders for nano-imprinting of recording media |
| US8402638B1 (en) | 2009-11-06 | 2013-03-26 | Wd Media, Inc. | Press system with embossing foil free to expand for nano-imprinting of recording media |
| US8173282B1 (en) | 2009-12-11 | 2012-05-08 | Wd Media, Inc. | Perpendicular magnetic recording medium with an ordering temperature reducing layer |
| US8406918B2 (en) | 2009-12-21 | 2013-03-26 | WD Media, LLC | Master teaching jig |
| JP5643508B2 (ja) | 2009-12-28 | 2014-12-17 | ダブリュディ・メディア・シンガポール・プライベートリミテッド | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
| US8399809B1 (en) | 2010-01-05 | 2013-03-19 | Wd Media, Inc. | Load chamber with heater for a disk sputtering system |
| JP5643516B2 (ja) | 2010-01-08 | 2014-12-17 | ダブリュディ・メディア・シンガポール・プライベートリミテッド | 垂直磁気記録媒体 |
| JP5617112B2 (ja) | 2010-01-14 | 2014-11-05 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 垂直磁気記録媒体及びその製造方法 |
| US8596287B1 (en) | 2010-03-01 | 2013-12-03 | WD Media, LLC | Cross flow tank |
| US8218260B2 (en) | 2010-03-05 | 2012-07-10 | Wd Media, Inc. | Processing disks on a spin stand |
| US8125723B1 (en) | 2010-03-05 | 2012-02-28 | Wd Media, Inc. | Predictive characterization of adjacent track erasure in recording media |
| US8331056B2 (en) | 2010-03-05 | 2012-12-11 | Wd Media, Inc. | Spin stand comprising a dual disk clamp |
| US8125724B1 (en) | 2010-03-11 | 2012-02-28 | Wd Media, Inc. | Predictive characterization of adjacent track erasure in recording media |
| US8608147B1 (en) | 2010-03-19 | 2013-12-17 | WD Media, LLC | Workpiece carrier |
| JP5574414B2 (ja) | 2010-03-29 | 2014-08-20 | ダブリュディ・メディア・シンガポール・プライベートリミテッド | 磁気ディスクの評価方法及び磁気ディスクの製造方法 |
| JP5485770B2 (ja) | 2010-03-31 | 2014-05-07 | ダブリュディ・メディア・シンガポール・プライベートリミテッド | 磁気ディスク装置 |
| JP2011216141A (ja) | 2010-03-31 | 2011-10-27 | Wd Media Singapore Pte Ltd | 垂直磁気ディスクの製造方法 |
| JP5646199B2 (ja) | 2010-03-31 | 2014-12-24 | ダブリュディ・メディア・シンガポール・プライベートリミテッド | 垂直磁気ディスク |
| JP5916985B2 (ja) | 2010-03-31 | 2016-05-11 | ダブリュディ・メディア・シンガポール・プライベートリミテッド | 熱アシスト記録用磁気ディスクへの磁気記録方法 |
| US8524052B1 (en) | 2010-04-02 | 2013-09-03 | WD Media, LLC | Cooling shower plate for disk manufacture |
| US8397751B1 (en) | 2010-04-15 | 2013-03-19 | Wd Media, Inc. | Vortex reducer |
| JP5638281B2 (ja) | 2010-04-30 | 2014-12-10 | ダブリュディ・メディア・シンガポール・プライベートリミテッド | 垂直磁気ディスク |
| US8591709B1 (en) | 2010-05-18 | 2013-11-26 | WD Media, LLC | Sputter deposition shield assembly to reduce cathode shorting |
| JP5645476B2 (ja) | 2010-05-21 | 2014-12-24 | ダブリュディ・メディア・シンガポール・プライベートリミテッド | 垂直磁気ディスク |
| JP5634749B2 (ja) | 2010-05-21 | 2014-12-03 | ダブリュディ・メディア・シンガポール・プライベートリミテッド | 垂直磁気ディスク |
| JP2011248966A (ja) | 2010-05-28 | 2011-12-08 | Wd Media (Singapore) Pte. Ltd | 垂直磁気記録媒体 |
| JP2011248967A (ja) | 2010-05-28 | 2011-12-08 | Wd Media (Singapore) Pte. Ltd | 垂直磁気ディスクの製造方法 |
| JP2011248968A (ja) | 2010-05-28 | 2011-12-08 | Wd Media (Singapore) Pte. Ltd | 垂直磁気ディスク |
| JP2011248969A (ja) | 2010-05-28 | 2011-12-08 | Wd Media (Singapore) Pte. Ltd | 垂直磁気ディスク |
| JP2011253597A (ja) | 2010-06-03 | 2011-12-15 | Wd Media (Singapore) Pte. Ltd | 垂直磁気記録媒体及びその製造方法 |
| US8298609B1 (en) | 2010-06-14 | 2012-10-30 | Wd Media, Inc. | Method and system for interrogating the thickness of a carbon layer |
| JP2012003805A (ja) | 2010-06-16 | 2012-01-05 | Wd Media (Singapore) Pte. Ltd | 垂直磁気記録媒体及び磁気ディスク装置 |
| JP2012009086A (ja) | 2010-06-22 | 2012-01-12 | Wd Media (Singapore) Pte. Ltd | 垂直磁気記録媒体及びその製造方法 |
| JP5835874B2 (ja) | 2010-06-22 | 2015-12-24 | ダブリュディ・メディア・シンガポール・プライベートリミテッド | 磁気ディスクの製造方法 |
| JP5807944B2 (ja) | 2010-06-22 | 2015-11-10 | ダブリュディ・メディア・シンガポール・プライベートリミテッド | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
| JP5743438B2 (ja) | 2010-06-22 | 2015-07-01 | ダブリュディ・メディア・シンガポール・プライベートリミテッド | 磁気ディスク用潤滑剤、磁気ディスク及びその製造方法 |
| US8584687B1 (en) | 2010-06-25 | 2013-11-19 | WD Media, LLC | Sonication cleaning system |
| US8551253B2 (en) | 2010-06-29 | 2013-10-08 | WD Media, LLC | Post polish disk cleaning process |
| US8354618B1 (en) | 2010-06-30 | 2013-01-15 | Wd Media, Inc. | Load chamber with dual heaters |
| US8517657B2 (en) | 2010-06-30 | 2013-08-27 | WD Media, LLC | Corner chamber with heater |
| US8404369B2 (en) | 2010-08-03 | 2013-03-26 | WD Media, LLC | Electroless coated disks for high temperature applications and methods of making the same |
| US8530065B1 (en) | 2010-08-10 | 2013-09-10 | WD Media, LLC | Composite magnetic recording medium |
| US8316668B1 (en) | 2010-09-23 | 2012-11-27 | Wd Media, Inc. | Composite magnetic recording medium |
| US8517364B1 (en) | 2010-10-07 | 2013-08-27 | WD Media, LLC | Disk holder with replaceable inserts to retain springs |
| US8668953B1 (en) | 2010-12-28 | 2014-03-11 | WD Media, LLC | Annealing process for electroless coated disks for high temperature applications |
| US8570844B1 (en) | 2011-02-01 | 2013-10-29 | Western Digital (Fremont), Llc | Absorption enhanced media for energy assisted magnetic recording |
| US8491800B1 (en) | 2011-03-25 | 2013-07-23 | WD Media, LLC | Manufacturing of hard masks for patterning magnetic media |
| US9028985B2 (en) | 2011-03-31 | 2015-05-12 | WD Media, LLC | Recording media with multiple exchange coupled magnetic layers |
| US20120251842A1 (en) | 2011-03-31 | 2012-10-04 | Wd Media, Inc. | Low roughness heatsink design for heat assisted magnetic recording media |
| US8609263B1 (en) | 2011-05-20 | 2013-12-17 | WD Media, LLC | Systems and methods for forming magnetic media with an underlayer |
| US8619381B2 (en) | 2011-05-25 | 2013-12-31 | WD Media, LLC | System and method for improving head positioning |
| US8834962B2 (en) | 2011-06-03 | 2014-09-16 | WD Media, LLC | Methods for improving the strength of glass substrates |
| US8658292B1 (en) | 2011-06-10 | 2014-02-25 | Western Digital Technologies, Inc. | Systems and methods for controlling damping of magnetic media for assisted magnetic recording |
| US8758912B2 (en) | 2011-09-16 | 2014-06-24 | WD Media, LLC | Interlayers for magnetic recording media |
| US8685214B1 (en) | 2011-09-30 | 2014-04-01 | WD Media, LLC | Magnetic shunting pads for optimizing target erosion in sputtering processes |
| US8556566B1 (en) | 2011-09-30 | 2013-10-15 | WD Media, LLC | Disk stacking method and apparatus |
| US8565050B1 (en) | 2011-12-20 | 2013-10-22 | WD Media, LLC | Heat assisted magnetic recording media having moment keeper layer |
| US8696404B2 (en) | 2011-12-21 | 2014-04-15 | WD Media, LLC | Systems for recycling slurry materials during polishing processes |
| US8605555B1 (en) | 2012-04-19 | 2013-12-10 | WD Media, LLC | Recording media with multiple bi-layers of heatsink layer and amorphous layer for energy assisted magnetic recording system and methods for fabricating the same |
| US8674327B1 (en) | 2012-05-10 | 2014-03-18 | WD Media, LLC | Systems and methods for uniformly implanting materials on substrates using directed magnetic fields |
| US8941950B2 (en) | 2012-05-23 | 2015-01-27 | WD Media, LLC | Underlayers for heat assisted magnetic recording (HAMR) media |
| US20140050843A1 (en) | 2012-08-17 | 2014-02-20 | Wd Media, Inc. | Dual single sided sputter chambers with sustaining heater |
-
2009
- 2009-12-07 WO PCT/JP2009/070499 patent/WO2010064724A1/ja active Application Filing
- 2009-12-07 US US13/133,124 patent/US8877359B2/en active Active
-
2014
- 2014-10-14 US US14/514,303 patent/US20150027877A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004259423A (ja) * | 2003-02-07 | 2004-09-16 | Hitachi Maxell Ltd | 磁気記録媒体及びその製造方法並びに磁気記録装置 |
| JP2004310910A (ja) * | 2003-04-07 | 2004-11-04 | Showa Denko Kk | 磁気記録媒体、その製造方法および磁気記録再生装置 |
| JP2007087575A (ja) * | 2005-09-22 | 2007-04-05 | Seagate Technology Llc | 磁気記録媒体におけるチューニング交換結合 |
| JP2008287829A (ja) * | 2007-05-21 | 2008-11-27 | Toshiba Corp | 垂直磁気記録媒体 |
| JP2008293573A (ja) * | 2007-05-23 | 2008-12-04 | Toshiba Corp | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
| JP2009059402A (ja) * | 2007-08-30 | 2009-03-19 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands Bv | 垂直磁気記録媒体及びそれを用いた磁気記録再生装置 |
| WO2009031630A1 (ja) * | 2007-09-06 | 2009-03-12 | Showa Denko K.K. | 垂直磁気記録媒体および磁気記録再生装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20110311841A1 (en) | 2011-12-22 |
| US20150027877A1 (en) | 2015-01-29 |
| US8877359B2 (en) | 2014-11-04 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| 121 | Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application |
Ref document number: 09830488 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |
|
| NENP | Non-entry into the national phase |
Ref country code: DE |
|
| WWE | Wipo information: entry into national phase |
Ref document number: 13133124 Country of ref document: US |
|
| 122 | Ep: pct application non-entry in european phase |
Ref document number: 09830488 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |