JP4407904B2 - 磁気ディスクの製造方法 - Google Patents
磁気ディスクの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4407904B2 JP4407904B2 JP2004030295A JP2004030295A JP4407904B2 JP 4407904 B2 JP4407904 B2 JP 4407904B2 JP 2004030295 A JP2004030295 A JP 2004030295A JP 2004030295 A JP2004030295 A JP 2004030295A JP 4407904 B2 JP4407904 B2 JP 4407904B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic disk
- magnetic
- layer
- protective layer
- hydrofluoroether
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 title claims description 169
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 18
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 74
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 59
- 230000001050 lubricating effect Effects 0.000 claims description 42
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 25
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 18
- 239000010702 perfluoropolyether Substances 0.000 claims description 16
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 12
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 12
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 11
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical group [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 27
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 27
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 22
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 15
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- BGHCVCJVXZWKCC-UHFFFAOYSA-N tetradecane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCC BGHCVCJVXZWKCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 11
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 10
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 10
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 9
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 7
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 7
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 7
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 7
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 7
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 7
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 7
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 6
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 6
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 6
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 238000001678 elastic recoil detection analysis Methods 0.000 description 4
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 4
- JMANVNJQNLATNU-UHFFFAOYSA-N oxalonitrile Chemical compound N#CC#N JMANVNJQNLATNU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 4
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000005354 aluminosilicate glass Substances 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- NZZFYRREKKOMAT-UHFFFAOYSA-N diiodomethane Chemical compound ICI NZZFYRREKKOMAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 3
- 238000005461 lubrication Methods 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N n-pentane Natural products CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- 229910001149 41xx steel Inorganic materials 0.000 description 2
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005411 Van der Waals force Methods 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 2
- 150000001721 carbon Chemical class 0.000 description 2
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 description 2
- DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N decane Chemical compound CCCCCCCCCC DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 2
- SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N dodecane Chemical compound CCCCCCCCCCCC SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- DCAYPVUWAIABOU-UHFFFAOYSA-N hexadecane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCC DCAYPVUWAIABOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 230000002779 inactivation Effects 0.000 description 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 2
- 238000007737 ion beam deposition Methods 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N octane Chemical compound CCCCCCCC TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 229930195734 saturated hydrocarbon Natural products 0.000 description 2
- 238000000194 supercritical-fluid extraction Methods 0.000 description 2
- TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N tetrafluoromethane Chemical compound FC(F)(F)F TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229930195735 unsaturated hydrocarbon Natural products 0.000 description 2
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 2
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical class COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Chemical class OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018979 CoPt Inorganic materials 0.000 description 1
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MQIUGAXCHLFZKX-UHFFFAOYSA-N Di-n-octyl phthalate Chemical class CCCCCCCCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCCCCCCCC MQIUGAXCHLFZKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N Ethane Chemical compound CC OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 208000037048 Prodromal Symptoms Diseases 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 150000001335 aliphatic alkanes Chemical class 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- BJQHLKABXJIVAM-UHFFFAOYSA-N bis(2-ethylhexyl) phthalate Chemical class CCCCC(CC)COC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCC(CC)CCCC BJQHLKABXJIVAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001273 butane Substances 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 230000001364 causal effect Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000003426 chemical strengthening reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 ethylene, propylene, butylene, acetylene Chemical group 0.000 description 1
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 230000005499 meniscus Effects 0.000 description 1
- KWKAKUADMBZCLK-UHFFFAOYSA-N methyl heptene Natural products CCCCCCC=C KWKAKUADMBZCLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IJDNQMDRQITEOD-UHFFFAOYSA-N n-butane Chemical compound CCCC IJDNQMDRQITEOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 1
- 239000012855 volatile organic compound Substances 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/8408—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers protecting the magnetic layer
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/64—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/72—Protective coatings, e.g. anti-static or antifriction
- G11B5/726—Two or more protective coatings
- G11B5/7262—Inorganic protective coating
- G11B5/7264—Inorganic carbon protective coating, e.g. graphite, diamond like carbon or doped carbon
- G11B5/7266—Inorganic carbon protective coating, e.g. graphite, diamond like carbon or doped carbon comprising a lubricant over the inorganic carbon coating
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49636—Process for making bearing or component thereof
- Y10T29/49702—Lubricating
Description
このLUL方式では、従来用いられていたCSS方式のように磁気ディスク面上に磁気記録ヘッドの接触摺動用領域(CSS領域)を設ける必要がないため、CSS方式に比べて記録再生用領域の面積を広く確保でき、磁気記録媒体の記録容量を増やせると云う利点がある。また、LUL方式では、磁気ディスクと磁気記録ヘッドとが接触しないので、CSS方式のように、接触吸着を防止するためのテクスチャを設ける必要がなく磁気ディスク表面を更に平滑化できる。したがって、磁気記録ヘッドの浮上量をCSS方式の場合よりも低下させて、磁気ディスクの記録密度を高めることができると云う利点もある。
このような磁気ディスクとしては例えば特許文献1に開示されているような磁気記録媒体が知られている。
このような問題は、特に、磁気ヘッド浮上量の低下に伴って著しくなってきている。低浮上量(例えば10nm以下のような狭隘な浮上量)で磁気ヘッドが磁気ディスク面上を浮上走行すると、前記磁気ディスク面上に吸着してしまった有機化合物等や潤滑剤を磁気ヘッドがかき集め、磁気ヘッドの表面に移着、堆積しやすくなる。特に、NPABスライダー(負圧スライダー)を備える磁気ヘッドの場合、磁気ヘッド下面(磁気ディスク側の面)に強い負圧が生じるので、あたかも真空掃除機のごとく、磁気ディスク面上に吸着した有機化合物等や潤滑剤をかきあつめて、磁気ヘッド面に移着、堆積してしまい易いといった問題がある。
この移着状況が一定程度を超えるとフライスティクション現象と呼ばれる障害や腐食障害が発生する。フライスティクションとは、磁気記録ヘッドが浮上走行時に、浮上姿勢や浮上量に変調をきたす障害であり、不規則な再生出力変動が頻発する。場合によっては、浮上走行中に磁気記録媒体と接触し、クラッシュを起こして磁気ディスクを破壊してしまう。このフライスティクションは前駆症状なしに突発することが多く、制御の困難な障害の一つである。
従来のCSS方式では、起動、停止時におけるCSS動作により、磁気記録ヘッドに移着した潤滑剤、有機化合物等をクリーニングする作用があったため、これら障害は問題とはなっていなかった。
さらに最近ではHDD(ハードディスクドライブ)等の磁気ディスク装置は飛行機内のように低気圧環境下での使用も多くなり、それに伴い、ヘッドの飛行安定性が問題となってきている。すなわち、磁気ヘッドの浮上量が気圧の変化により10nmからさらに下がり、かつ磁気ヘッドのエアベアリングスライダーの加工精度による浮上量のばらつきも加味されて、フライスティクション問題が頻発するようになってきている。
また、最近のHDD(ハードディスクドライブ)等の磁気ディスク装置は小型化され、デジタルカメラ、音楽再生プレーヤに内蔵されるようになってきており、あらゆる環境(前述のように飛行機内、山頂、高温、低温、高湿、低湿)、あらゆる使い方(据え置き型、携帯型)等の外圧が、磁気ディスク装置内のヘッドの浮上特性(安定飛行性)、磁気ディスク装置内部材からのアウトガスに影響するようになっている。
前記フライスティクション発生の原因としては、磁気ディスク表面の粗さ、潤滑層とヘッドとの相互作用(メニスカス力)、磁気ディスク装置からのアウトガスによるコンタミネーションの影響が考えられる。
具体的には、フライスティクション障害および腐食障害を防止し、また優れたLUL耐久性を得るためには、磁気ディスクの最表面を所定程度に不活性化させることが重要であることを発見した。この際、単に磁気ディスク表面の表面自由エネルギーや臨界表面張力の所望値を特定すればよいというものではなく、これらを構成する各成分を合わせて所定としなければならないことを知見した。
磁気ディスク表面に付着、吸着しうる物質、あるいは潤滑剤は多種多様であるから、単に不活性の程度、あるいは、表面自由エネルギーの所望値といっても、それらの物質、化合物毎に、所望値が異なる訳である。ところが、予め、磁気ディスク表面に付着、吸着し得る個別の物質、化合物を事前に全て想定し、これら物質に対する不活性の程度を全て特定することは事実上不可能である。
本発明者は表面自由エネルギーを、特性に着目して各構成成分に分解し、各々の構成成分の所望値を、本発明の課題解決に好ましい所定値にできれば、いちいち予め個別の物質についての不活性程度の特定を要することなく、課題が解決できることを見出した。
磁気ディスクにおける潤滑層成膜工程では、パーフルオロポリエーテル系潤滑剤をHFC(ハイドロフルオロカーボン)、PFC(パーフルオロカーボン)等のフッ素系溶媒に分散溶解させた溶液を調製し、この溶液中に、保護層まで成膜された磁気ディスクを浸漬し、ディップ法などにより塗布して潤滑層を成膜している。
磁気ディスク用途のパーフルオロポリエーテル系潤滑剤はフッ素を含有する主鎖部分と、この主鎖の末端に官能基として極性基を備える構造になっている。この極性基としては、例えば、水酸基、カルボキシル基、その他の極性基が用いられている。潤滑剤の主鎖部分が柔軟な構造となっているので好適な潤滑性能を示し、また、末端部分の極性基が分子間力等で保護層と密着する作用を示すので、磁気ディスク上に潤滑層(膜)として固定される。通常、末端の官能基として極性基を2〜4個有している。
極性基が潤滑層表面、すなわち磁気ディスク表面に露見しているために、磁気ディスク表面の表面自由エネルギー、臨界表面張力が大きくなってしまい、所望の不活性化が妨げられていると考えられる。したがって、表面に露見している潤滑剤の官能基である極性基を不活性化させる処理を施せば、所望の不活性の程度が得られるのではないかと着目した。
このメカニズムは、HFE(ハイドロフルオロエーテル)の構造に由来すると思われる。すなわち、HFEはCnF2n+1−O−R(R=CnH2n+1)の構造式を持ち、CnF2n+1基とR(R=CnH2n+1)基の間にエーテル結合を有する。潤滑層まで成膜された磁気ディスクの表面にハイドロフルオロエーテルを接触させる処理を施すと、このエーテル結合基が、保護層表面に配向できなかったパーフルオロポリエーテル潤滑剤の末端官能基(極性基)と分子間力又は水素結合力により結合してしまい、実質的に磁気ディスク最表面はCnF2n+1基とR(R=CnH2n+1)基になっていると思われる。このため、露見していた極性基を不活性化できるものと思われる。
すなわち、本発明は、
(1)基板上に磁性層、保護層、潤滑層がこの順で成膜され、さらに潤滑層表面にハイドロフルオロエーテルが成膜された磁気ディスクの製造方法であって、
末端に極性基を有するパーフルオロポリエーテル化合物で潤滑層を成膜した後に、磁気ディスク表面をハイドロフルオロエーテルを含む組成物で接触処理することを特徴とする磁気ディスクの製造方法、
(2)保護層の表面上に潤滑層を成膜後、ハイドロフルオロエーテルを含む組成物で処理を行う前および/または後に、前記ディスクをクリーンルーム内で加熱処理する上記(1)項に記載の磁気ディスクの製造方法、
(3)ハイドロフルオロエーテルが、分子量150〜400である上記(1)または(2)項に記載の磁気ディスクの製造方法、および
(4)保護層がプラズマCVD法で成膜されたアモルファス炭素保護層である上記(1)〜(3)項のいずれか1項に記載の磁気ディスクの製造方法、
を提供するものである。
前記保護層は、特に限定されないが、炭素系保護層とすることが好ましい。構造としては、アモルファス炭素からなる保護層とすることが好ましい。具体的には、アモルファスのダイヤモンドライク炭素保護層とすることができる。このような炭素系保護層とすることにより、好適なLUL耐久性が得られる。
本発明において、この炭素系保護層の膜厚は、1〜5nmであることが好ましい。1nm未満では、耐摩耗性に問題がある。炭素系保護層の膜厚に特に上限を設ける必要はないが、磁気的スペーシング改善を阻害しないよう、実用上、5nm以下とするのが好ましい。
また、炭素系保護層とする場合、組成としては、水素を含有させた水素化炭素保護層とすることが好適である。水素化炭素とすることで、保護性能が高く、また緻密な構造となるので、LUL方式用磁気ディスクとして好適である。この場合、水素の含有量は、HFS(水素前方散乱法)で測定した場合に、炭素系保護層全体に対して3原子%以上で、20原子%未満とするのが好ましい。炭素系保護層に対する水素の含有量が3原子%未満の場合、緻密性が低下する場合があり、また、硬度が低下する場合があるので、LUL起動時の撃力から磁性層を好適に保護できない場合がある。また、水素の含有量が20原子%以上の場合、ポリマー状の炭素成分が増大して、磁性層に対する保護層の付着性能が低下する場合があり、LUL起動時に保護層が剥がれる場合があるので好ましくない。
また、炭素系保護層に窒素を含有させてなる窒化炭素保護層、水素化窒化炭素保護層とすると更に好ましい。窒素を含有させることにより、潤滑剤の末端極性基が保護層側に配向することを著しく促進することができるからである。そのため、本発明と組み合わせることで特に好ましい効果を得ることができる。炭素中における窒素の含有量はXPS(X線光電子分光法)で測定した場合に、炭素に対して4〜12原子%とすることができる。
前記反応性ガスとしては、低級炭化水素を用いることが好ましい。中でも、低級飽和炭化水素、低級不飽和炭化水素、低級環式炭化水素のいずれかを用いることが好ましい。低級飽和炭化水素としては、メタン、エタン、プロパン、ブタン、オクタン等を用いることができる。また、低級不飽和炭化水素としては、エチレン、プロピレン、ブチレン、アセチレン等を用いることができる。また、低級環式炭化水素としては、ベンゼン、トルエン、キシレン、スチレン、ナフタレン、シクロヘキサン等を用いることができる。なお、ここで言う低級とは、1分子当たりの炭素数が1〜10の炭化水素のことである。低級炭化水素を用いることが好ましい理由は、炭素数が増大するに伴い、ガスとして気化させて、成膜装置に供給することが困難となることに加え、プラズマ放電時の分解が困難となるからである。また、炭素数が増大すると、形成した保護層の成分に高分子の炭化水素成分が多く含有されやすくなり、保護層の緻密性と硬度を低下させるため好ましくない。この観点から、炭化水素として、低級炭化水素を用いることが好適である。中でもアセチレンを用いると、緻密かつ、高硬度の炭素系保護層を形成することができるので特に好ましい。
なお、末端基に水酸基を有するパーフルオロポリエーテル化合物としては、1分子中の水酸基の数が2個〜4個のものが好ましい。2個未満では、潤滑層の密着率が低下する場合があるため好ましくなく、4個を超えると、密着率が向上し過ぎる結果、潤滑性能を低下させる場合がある。潤滑層の膜厚は、0.5〜1.5nmの範囲内で適宜調節するとよい。0.5nm未満では潤滑性能が低下する場合があり、1.5nmを超えると、潤滑層密着率が低下する場合がある。
本発明においては、潤滑層を成膜したのちに、HFE(ハイドロフルオロエーテル)で潤滑層表面、すなわち、磁気ディスク表面を処理することが好ましい。具体的には潤滑層まで成膜された磁気ディスクにHFE(ハイドロフルオロエーテル)を接触させる処理を施すことが好ましい。例えば、気相法や浸漬法などで処理することができる。このように処理することで、磁気ディスクの潤滑層表面にHFE(ハイドロフルオロエーテル)が成膜される。
HFE(ハイドロフルオロエーテル)処理に用いるハイドロフルオロエーテル化合物は分子量が150〜400程度の化合物が好ましい。特に、分子量350以下のものを選択することが好適である。具体的には、C4F9−O−CH3及び/またはC4F9−O−C2H5を好ましく用いることができる。また、ハイドロフルオロエーテルの表面張力は0を超え14mN/m以下とすることが好ましい。
本発明において、基板としてはガラス基板を用いることが好ましい。ガラス基板は、平滑かつ高剛性が得られるので、磁気的スペーシング、中でも、磁気ヘッドの浮上量を一層、安定的に低減できるので、本発明にとって特に好ましい。ガラス基板の材料としては、アルミノシリケートガラスが特に好ましい。アルミノシリケートガラスは化学強化により、高い剛性強度を得ることができる。
本発明において、磁気ディスク表面の表面粗さは、Rmaxで4nm以下、Raで0.4nm以下であることが好ましい。Rmaxが4nmを超えると、磁気的スペーシング低減を阻害する場合があるので好ましくない。ここでいう表面粗さとは、日本工業規格(JIS)B0601に定めるものである。
また、本発明において磁気記録層である磁性層としてはCoPt系強磁性層を用いることができる。磁性層は、基板上にスパッタリング法などの成膜方法で成膜することができる。
〈拡張Fowkesの式〉
Fowkesにより1964年に提案された理論。表面張力を分散成分(London力のみ)、極性成分(Debye力や水素結合力を含む)に大きくわけると
γ=γd+γp …(1)
γd:分散成分
γp:極性成分
ここで固体と液体の接着仕事量(WSL:The Work of adhesion between Solid and Liquid)とすると
WSL=WSLd+WSLp …(2)
WSLd:接着仕事量の分散成分
WSL:接着仕事量の極性成分
ここで液体と固体の分散成分についてのみ幾何学平均をとると(2)から
WSLd=(γSd・γLd)0.5 …(3)
この式とDupre−Youngの式から
γL(1+COSθ)=2(γSd・γLd)0.5 …(4)
(4)式よりγSdを算出できる。
なおθは、液体と固体表面との接触角である(以下、同様)。
フォークスは相互作用として分散力だけしか考慮しなかったが、本発明では、永久極性効果や誘起極性効果などの極性に基づく分子間力による界面相互作用力γSp、および水素結合性相互作用力γShを考慮した拡張Fowkes式が用いられる。
WAB=γL(1+COSθ)=2(γSd・γLd)0.5+2(γSp・γLp)0.5+2(γSh・γLh)0.5
COSθ={2(γSd・γLd)0.5+2(γSp・γLp)0.5+2(γSh・γLh)0.5}/γL−1
γLd、γLp、γLhが既知の液体を用いて測定すれば、上記式は連立方程式となり、γSd,γSp、γShを決定することができる。
また、本発明の磁気ディスクIIにおいては、下記で説明するVan−Ossの式により求められる前記磁気ディスク表面の表面自由エネルギーγSが0を超え22mN/m以下であり、かつ前記表面自由エネルギーγSを構成する、γSLWが0を超え17mN/m以下、γS−が0を超え6mN/m以下、γS+が0を超え1mN/m以下である要件を満たすことが、本発明の目的を達成するために必要である。
〈Van−Ossの式〉
酸塩基のインタラクションを考慮しVan Ossが1987年に提案した理論。
γ=γLW+γab …(7)
γLW:Lifshitz−Van der Waals力(London力、Debye and Keesom力含む)
γab:酸塩基のインタラクション
Van Oss は γabを供与成分γ−と受理成分γ+の幾何学平均ととらえ(8)式を導き
γ=γLW+2(γ−・γ+)0.5 …(8)
接着仕事量の式(3)、(4)から
WSLd=(γSd・γLd)0.5 …(3)
この式とDupre−Youngの式から
γL(1+COSθ)=2(γSd・γLd)0.5 …(4)
WAB=γL(1+COSθ)=2(γSLW・γLLW)0.5+2(γS−・γL+)0.5+2(γS+・γL−)0.5 …(9)
この(9)式を変形すると
cosθ={2(γSLW・γLLW)0.5+2(γS−・γL+)0.5+2(γS+・γL−)0.5}/γL−1 …(10)
また、γSは
γS=γSLW+γSA・B=γSLW+2√(γS+・γS−)
[γSA・Bは、酸・塩基相互作用の表面エネルギーで
γSA・B=2√(γS+・γS−)]
となる。
したがって、γL、γLLW、γL+、γL−が既知の液体を用いて測定すれば、γSLW、γS−、γS+、γSを決定することができる。
〈Zismanの式〉
臨界表面張力(γc)を算出する手法として広く用いられている。固体表面にファンデルワールス力のみを持つ液体で既知の表面張力をもつ複数の液体を用い滴下直後の固体表面とのなす角(接触角θ)をそれぞれ実測する。液体の表面張力をx軸にCOSθをy軸にプロットすると右肩下がりの直線が得られる。(Zisman Plot)この直線がY=1(θ=0)となる場合の表面張力を臨界表面張力γcとして算出する。
また、前記の磁気ディスクIおよびIIは、それぞれ前記磁気ディスクIIIの要件を満たすことが好ましい。
このような本発明の磁気ディスクは、LUL方式のHDD用途の磁気ディスクとして好適に用いることができる。
なお、基板1と磁性層3との間には、シード層2aと下地層2bとから成る非磁性金属層2が形成されている。磁気ディスク10において、磁性層3以外は全て非磁性体である。
本発明はまた、基板上に磁性層、保護層、潤滑層がこの順で成膜された磁気ディスクの製造方法であって、前記潤滑層の成膜後に、磁気ディスク表面をハイドロフルオロエーテルを含む組成物で処理することを特徴とする磁気ディスクの製造方法をも提供する。
本発明の磁気ディスクの製造方法においては、前述のように、磁気ディスク表面上に潤滑層を成膜後、ハイドロフルオロエーテルを含む組成物で処理を行う前および/または後に、前記ディスクをクリーンルーム内で加熱処理することが好ましく、また、ハイドロフルオロエーテルとしては、分子量が150〜400であるものが好ましい。さらに、潤滑層としては、末端に極性基を有するパーフルオロポリエーテル化合物で成膜されてなるものが好ましく、保護層としては、プラズマCVD法で成膜されたアモルファス炭素保護層であることが好ましい。
実施例1
図1に示す構成のLUL方式用磁気ディスクを作製した。
まず、アルミノシリケートガラスをディスク状に成形してガラスディスクを得、得られたガラスディスクに、研削、精密研磨、端面研磨、精密洗浄、化学強化を施すことにより、平坦かつ平滑な高剛性の磁気ディスク用ガラス基板を得た。このガラス基板の直径は65mm、内径は20mm、ディスク厚は0.635mmの2.5インチ型磁気ディスク用基板であった。
ここで、得られたガラス基板の表面粗さをAFM(原子間力顕微鏡)で観察したところ、Rmaxが3.96nm、Raが0.36nmの平滑な表面であることを確認した。
次に、静止対向型成膜装置を用いて、ガラス基板1上に、DCマグネトロンスパッタリングで順次、シード層2a、下地層2b、磁性層3の成膜を行なった。すなわち、まずスパッタリングターゲットとして、AlRu(Al:50原子%、Ru:50原子%)合金を用い、ガラス基板上1に、膜厚30nmのAlRu合金からなるシード層2aをスパッタリングで成膜した。ついで、スパッタリングターゲットとしてCrMo(Cr:80原子%、Mo:20原子%)合金を用い、シード層2a上に、膜厚20nmのCrMo合金からなる下地層2bをスパッタリングで成膜した。次いで、スパッタリングターゲットとしてCoCrPtB(Cr:20原子%、Pt:12原子%、B:5原子%、残部Co)合金からなるスパッタリングターゲットを用い、下地層2b上に、膜厚6nmの磁性層3を成膜した。この磁性層3は磁気記録に供される。
成膜された炭素系保護層4を調べたところ、アモルファスのダイヤモンドライク炭素保護層であることを確認した。組成を調べたところ、水素化窒化炭素であった。水素の含有量をHFS(水素前方散乱法)で調べたところ、水素化窒化炭素に対して水素が約15原子%含有されていた。窒素の含有量をXPS(X線光電子分光法)で調べたところ、炭素に対して8原子%含有されていた。
次に、HFE(ハイドロフルオロエーテル)で表面処理した。具体的には、C4F9−O−CH3の構造を有するハイドロフルオロエーテル化合物からなる液体組成物を用いた。このハイドロフルオロエーテルの分子量は250である。また、表面張力は13.6mN/mである。このハイドロフルオロエーテル組成物を潤滑層5の表面に気相法で成膜(処理時間60秒)することにより、ハイドロフルオロエーテルを磁気ディスク表面に接触させた。
次に、磁気ディスク10を110℃にて60分間加熱処理した。この際、加熱処理は日本工業規格(JIS)B9920で定めるクリーン環境の清浄度クラス5の雰囲気で実施した。
以上のようにして磁気ディスク10を製造した。潤滑層5の膜厚は焼成後の膜厚で1.2nmであった。得られた磁気ディスク10の表面粗さをAFMで観察したところ、Rmaxが4nm、Raが0.4nmの平滑な表面であることを確認した。
また、グライドハイトを測定したところ4.5nmであった。磁気ヘッドの浮上量を安定的に10nm以下とする場合、磁気ディスクのグライドハイトは5nm以下であることが望ましい。
(1)表面張力測定
(イ)拡張Fowkesの式
液体として、テトラデカン(表面エネルギー;γLd26.7mN/m、γLp0mN/m、γLh0mN/m、γL26.7mN/m)、ヨウ化メチレン(表面エネルギー;γLd46.8mN/m、γLp4mN/m、γLh0mN/m、γL50.8mN/m)および水(γLd29.1mN/m、γLp1.3mN/m、γLh42.4mN/m、γL72.8mN/m)を用い、上記で得られた磁気ディスクにおける固体表面とのなす角(接触角)を測定した。その結果、テトラデカン60.0°、ヨウ化メチレン86.8°、水93.5°であった。
まず、テトラデカンを用いた場合について、γSdを求めた。
COS(60°)={2(γSd・26.7)0.5+2(γSp・0)0.5+2(γSh・0)0.5}/26.7−1
第2項、第3項が0であることから
これより、γSd=15.02mN/mである。
次にヨウ化メチレンを用いた場合について、γSpを求めた。
COS(86.8°)={2(15.02・46.8)0.5+2(γSp・4)0.5+2(γSh・0)0.5}/50.8−1
第3項が0であることから、γSp=0.023mN/mである。
次に水を用いた場合について、γShを求めた。
COS(93.5°)={2(15.02・29.1)0.5+2(0.023・1.3)0.5+2(γSh・42.4)0.5}/72.8−1
これより、γSh=4.07mN/mである。
したがって、
γS=γSd+γSp+γShより、γS=19.11mN/mである。
(ロ)Van Ossの式
液体として、テトラデカン(表面エネルギー;γL26.7mN/m、γLLW26.7mN/m、γL+0.0mN/m、γL−0.0mN/m)、水(表面エネルギー;γL72.8mN/m、γLLW21.8mN/m、γL+25.5mN/m、γL−25.5mN/m)、エチレングリコール(表面エネルギー;γL48.0mN/m、γLLW29.0mN/m、γL+1.92mN/m、γL−47.0mN/m)を用い、上記で得られた磁気ディスクにおける固体表面の接触角を測定した。その結果、テトラデカン60.0°、水93.5°、エチレングリコール74.5°であった。
まず、テトラデカンを用いた場合について、γSLWを求めた。
cos(60.0°)={2(γSLW・26.7)0.5+2(0・0)0.5+2(0・00.5)/26.7−1であり、γSLW=15.02mN/mである。
同様に水を用いた場合、
cos(93.5°)={2(15.02・21.8)0.5+2(γS−・25.5)0.5+2(γS+・25.5)0.5}/72.8−1
同様にエチレングリコールを用いた場合、
cos(74.5°)={2(15.02・29.0)0.5+2(γS−・1.92)0.5+2(γS+・47.0)0.5}/48−1
上記2式の連立方程式からγS−=5.07mN/m、γS+=0.88mN/mとなり、
またγSは
γS=γSLW+γSA・B=γSLW+2√(γS+・γS−)
したがって、γS=15.02+2(5.07×0.88)0.5=19.25mN/mとなる。
(ハ)Zismanの式
液体として、下記の表面張力を有する無極性(ファンデルワールス)アルカンを用い、上記磁気ディスクにおける固体表面との接触角を求めた。
表面張力(mN/m) 接触角[θ](度)
ペンタン 18.25 37.7
ヘキサン 20.4 40.1
オクタン 21.8 52.8
デカン 23.9 59.6
ドデカン 25.4 66.3
テトラデカン 26.7 66.5
ヘキサデカン 27.6 73.0
接触角のcosθを各液体の表面張力に対してプロットして、直線近似して、近似式y=−0.0546x+1.8173(R2=0.9641、y:cosθ、x:液体の表面張力)を得た。この近似式において、cosθが1となる表面張力を臨界表面張力(γc)とした。このγcは14.96mN/mであった。
なお、接触角は以下の方法により測定した。
磁気ディスク10の表面に上記液体を1μl滴下し、滴下10秒後に接触角を測定した。2回測定を行い、この平均値を接触角とした。
(2)フライスティクション試験
同様の磁気ディスク10を100枚製作し、浮上量が10nmの磁気ヘッドで、これら100の磁気ディスクの全面グライド検査を行った。フライスティクション障害が発生すると、磁気ヘッドに設置されたPZTセンサ(ピエゾ素子)でモニタしているグライド信号が磁気ディスクの全トラックで突然発散するので、オシロスコープによる観察でその発生を判別できる。また、フライスティクションが発生した場合、検査の合格率が激減するので、フライステクションの発生傾向は、検査合格率によって分かる。
なお、フライスティクション試験の合格率(歩留まり)は、高ければ高い程、低コストとなるので望ましいが、90%以上であれば問題とされない。フライスティクション試験通過率が80%の場合、コストの上昇はあるが、許容範囲内である。 フライスティクション試験の結果を表1に示す。
(3)LUL耐久性試験
LUL耐久性試験は、5400rpmで回転する2.5インチ型HDDと、浮上量が10nmの磁気ヘッドを用いて行なった。なお、磁気ヘッドのスライダーはNPAB(負圧型)スライダーを用い、再生素子はGMR型素子を用いた。磁気ディスク10をこのHDDに搭載し、前述の磁気ヘッドによりLUL動作を連続して行なう。HDDが故障することなく耐久したLUL回数を測定することにより、LUL耐久性を評価した。LUL耐久性試験の結果を表1に示す。
比較例1
実施例1における磁気ディスクの作製において、HFE(ハイドロフルオロエーテル)で表面処理しなかったこと以外は、実施例1と同様に実施した。結果を表1に示す。
実施例2〜4
実施例1における磁気ディスクの作製において、HFE(ハイドロフルオロエーテル)による処理時間を表1に示すように変えた以外は、実施例1と同様に実施した。その結果を表1に示す。
2 非磁性金属層
2a シード層
2b 下地層
3 磁性層
4 保護層
5 潤滑層
10 磁気ディスク
Claims (4)
- 基板上に磁性層、保護層、潤滑層がこの順で成膜され、さらに潤滑層表面にハイドロフルオロエーテルが成膜された磁気ディスクの製造方法であって、
末端に極性基を有するパーフルオロポリエーテル化合物で潤滑層を成膜した後に、磁気ディスク表面をハイドロフルオロエーテルを含む組成物で接触処理することを特徴とする磁気ディスクの製造方法。 - 保護層の表面上に潤滑層を成膜後、ハイドロフルオロエーテルを含む組成物で処理を行う前および/または後に、前記ディスクをクリーンルーム内で加熱処理する請求項1に記載の磁気ディスクの製造方法。
- ハイドロフルオロエーテルが、分子量150〜400である請求項1または2に記載の磁気ディスクの製造方法。
- 保護層がプラズマCVD法で成膜されたアモルファス炭素保護層である請求項1〜3のいずれか1項に記載の磁気ディスクの製造方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004030295A JP4407904B2 (ja) | 2004-02-06 | 2004-02-06 | 磁気ディスクの製造方法 |
US11/050,791 US7722968B2 (en) | 2004-02-06 | 2005-02-07 | Magnetic disk and manufacturing method thereof |
US12/758,195 US8709532B2 (en) | 2004-02-06 | 2010-04-12 | Magnetic disk and manufacturing method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004030295A JP4407904B2 (ja) | 2004-02-06 | 2004-02-06 | 磁気ディスクの製造方法 |
Related Child Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009005337A Division JP2009123329A (ja) | 2009-01-14 | 2009-01-14 | 磁気ディスク |
JP2009211610A Division JP5123268B2 (ja) | 2009-09-14 | 2009-09-14 | 磁気ディスクおよび製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005222633A JP2005222633A (ja) | 2005-08-18 |
JP4407904B2 true JP4407904B2 (ja) | 2010-02-03 |
Family
ID=34998136
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004030295A Expired - Fee Related JP4407904B2 (ja) | 2004-02-06 | 2004-02-06 | 磁気ディスクの製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7722968B2 (ja) |
JP (1) | JP4407904B2 (ja) |
Families Citing this family (74)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1622085A1 (en) * | 2004-07-19 | 2006-02-01 | Deutsches Krebsforschungszentrum | Method of producing x-ray computer tomography images from limited data of an image object |
JP4652163B2 (ja) * | 2005-07-20 | 2011-03-16 | 富士通株式会社 | 磁気記録媒体、ヘッドスライダーおよび磁気記録装置 |
JP2007257756A (ja) * | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Hoya Corp | 磁気ディスクの製造方法及び磁気ディスク |
US7782569B2 (en) * | 2007-01-18 | 2010-08-24 | Sae Magnetics (Hk) Ltd. | Magnetic recording head and media comprising aluminum oxynitride underlayer and a diamond-like carbon overcoat |
JP2008217933A (ja) * | 2007-03-06 | 2008-09-18 | Fujitsu Ltd | 磁気転写用情報転写マスタおよび磁気転写方法 |
US8014104B2 (en) * | 2007-03-21 | 2011-09-06 | Sae Magnetics (Hk) Ltd. | Magnetic head/disk with transition metal oxynitride adhesion/corrosion barrier and diamond-like carbon overcoat bilayer |
JP5117895B2 (ja) | 2008-03-17 | 2013-01-16 | ダブリュディ・メディア・シンガポール・プライベートリミテッド | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
JP2009238299A (ja) | 2008-03-26 | 2009-10-15 | Hoya Corp | 垂直磁気記録媒体および垂直磁気記録媒体の製造方法 |
JP5453666B2 (ja) | 2008-03-30 | 2014-03-26 | ダブリュディ・メディア・シンガポール・プライベートリミテッド | 磁気ディスク及びその製造方法 |
WO2010038773A1 (ja) | 2008-09-30 | 2010-04-08 | Hoya株式会社 | 磁気ディスク及びその製造方法 |
WO2010064724A1 (ja) | 2008-12-05 | 2010-06-10 | Hoya株式会社 | 磁気ディスク及びその製造方法 |
WO2010116908A1 (ja) | 2009-03-28 | 2010-10-14 | Hoya株式会社 | 磁気ディスク用潤滑剤化合物及び磁気ディスク |
US8431258B2 (en) | 2009-03-30 | 2013-04-30 | Wd Media (Singapore) Pte. Ltd. | Perpendicular magnetic recording medium and method of manufacturing the same |
US20100300884A1 (en) | 2009-05-26 | 2010-12-02 | Wd Media, Inc. | Electro-deposited passivation coatings for patterned media |
US9330685B1 (en) | 2009-11-06 | 2016-05-03 | WD Media, LLC | Press system for nano-imprinting of recording media with a two step pressing method |
US8496466B1 (en) | 2009-11-06 | 2013-07-30 | WD Media, LLC | Press system with interleaved embossing foil holders for nano-imprinting of recording media |
JP5643516B2 (ja) | 2010-01-08 | 2014-12-17 | ダブリュディ・メディア・シンガポール・プライベートリミテッド | 垂直磁気記録媒体 |
JP5574414B2 (ja) | 2010-03-29 | 2014-08-20 | ダブリュディ・メディア・シンガポール・プライベートリミテッド | 磁気ディスクの評価方法及び磁気ディスクの製造方法 |
JP5645476B2 (ja) | 2010-05-21 | 2014-12-24 | ダブリュディ・メディア・シンガポール・プライベートリミテッド | 垂直磁気ディスク |
JP5634749B2 (ja) | 2010-05-21 | 2014-12-03 | ダブリュディ・メディア・シンガポール・プライベートリミテッド | 垂直磁気ディスク |
JP2011248968A (ja) | 2010-05-28 | 2011-12-08 | Wd Media (Singapore) Pte. Ltd | 垂直磁気ディスク |
JP2011248967A (ja) | 2010-05-28 | 2011-12-08 | Wd Media (Singapore) Pte. Ltd | 垂直磁気ディスクの製造方法 |
JP2011248969A (ja) | 2010-05-28 | 2011-12-08 | Wd Media (Singapore) Pte. Ltd | 垂直磁気ディスク |
JP2012009086A (ja) | 2010-06-22 | 2012-01-12 | Wd Media (Singapore) Pte. Ltd | 垂直磁気記録媒体及びその製造方法 |
US8889275B1 (en) | 2010-08-20 | 2014-11-18 | WD Media, LLC | Single layer small grain size FePT:C film for heat assisted magnetic recording media |
US8743666B1 (en) | 2011-03-08 | 2014-06-03 | Western Digital Technologies, Inc. | Energy assisted magnetic recording medium capable of suppressing high DC readback noise |
US8711499B1 (en) | 2011-03-10 | 2014-04-29 | WD Media, LLC | Methods for measuring media performance associated with adjacent track interference |
US8491800B1 (en) | 2011-03-25 | 2013-07-23 | WD Media, LLC | Manufacturing of hard masks for patterning magnetic media |
US9028985B2 (en) | 2011-03-31 | 2015-05-12 | WD Media, LLC | Recording media with multiple exchange coupled magnetic layers |
US8565050B1 (en) | 2011-12-20 | 2013-10-22 | WD Media, LLC | Heat assisted magnetic recording media having moment keeper layer |
WO2013138472A1 (en) | 2012-03-16 | 2013-09-19 | The Trustees Of The University Of Pennsylvania | Method and material for protecting magnetic information storage media |
US9029308B1 (en) | 2012-03-28 | 2015-05-12 | WD Media, LLC | Low foam media cleaning detergent |
US9269480B1 (en) | 2012-03-30 | 2016-02-23 | WD Media, LLC | Systems and methods for forming magnetic recording media with improved grain columnar growth for energy assisted magnetic recording |
US8941950B2 (en) | 2012-05-23 | 2015-01-27 | WD Media, LLC | Underlayers for heat assisted magnetic recording (HAMR) media |
US8993134B2 (en) | 2012-06-29 | 2015-03-31 | Western Digital Technologies, Inc. | Electrically conductive underlayer to grow FePt granular media with (001) texture on glass substrates |
US9034492B1 (en) | 2013-01-11 | 2015-05-19 | WD Media, LLC | Systems and methods for controlling damping of magnetic media for heat assisted magnetic recording |
US10115428B1 (en) | 2013-02-15 | 2018-10-30 | Wd Media, Inc. | HAMR media structure having an anisotropic thermal barrier layer |
US9153268B1 (en) | 2013-02-19 | 2015-10-06 | WD Media, LLC | Lubricants comprising fluorinated graphene nanoribbons for magnetic recording media structure |
US9183867B1 (en) | 2013-02-21 | 2015-11-10 | WD Media, LLC | Systems and methods for forming implanted capping layers in magnetic media for magnetic recording |
US9196283B1 (en) | 2013-03-13 | 2015-11-24 | Western Digital (Fremont), Llc | Method for providing a magnetic recording transducer using a chemical buffer |
US9190094B2 (en) | 2013-04-04 | 2015-11-17 | Western Digital (Fremont) | Perpendicular recording media with grain isolation initiation layer and exchange breaking layer for signal-to-noise ratio enhancement |
US9093122B1 (en) | 2013-04-05 | 2015-07-28 | WD Media, LLC | Systems and methods for improving accuracy of test measurements involving aggressor tracks written to disks of hard disk drives |
US8947987B1 (en) | 2013-05-03 | 2015-02-03 | WD Media, LLC | Systems and methods for providing capping layers for heat assisted magnetic recording media |
US8867322B1 (en) | 2013-05-07 | 2014-10-21 | WD Media, LLC | Systems and methods for providing thermal barrier bilayers for heat assisted magnetic recording media |
US9296082B1 (en) | 2013-06-11 | 2016-03-29 | WD Media, LLC | Disk buffing apparatus with abrasive tape loading pad having a vibration absorbing layer |
US9406330B1 (en) | 2013-06-19 | 2016-08-02 | WD Media, LLC | Method for HDD disk defect source detection |
US9607646B2 (en) | 2013-07-30 | 2017-03-28 | WD Media, LLC | Hard disk double lubrication layer |
US9389135B2 (en) | 2013-09-26 | 2016-07-12 | WD Media, LLC | Systems and methods for calibrating a load cell of a disk burnishing machine |
US9177585B1 (en) | 2013-10-23 | 2015-11-03 | WD Media, LLC | Magnetic media capable of improving magnetic properties and thermal management for heat-assisted magnetic recording |
US9581510B1 (en) | 2013-12-16 | 2017-02-28 | Western Digital Technologies, Inc. | Sputter chamber pressure gauge with vibration absorber |
US9382496B1 (en) | 2013-12-19 | 2016-07-05 | Western Digital Technologies, Inc. | Lubricants with high thermal stability for heat-assisted magnetic recording |
US9824711B1 (en) | 2014-02-14 | 2017-11-21 | WD Media, LLC | Soft underlayer for heat assisted magnetic recording media |
US9447368B1 (en) | 2014-02-18 | 2016-09-20 | WD Media, LLC | Detergent composition with low foam and high nickel solubility |
US9431045B1 (en) | 2014-04-25 | 2016-08-30 | WD Media, LLC | Magnetic seed layer used with an unbalanced soft underlayer |
US9042053B1 (en) | 2014-06-24 | 2015-05-26 | WD Media, LLC | Thermally stabilized perpendicular magnetic recording medium |
US9159350B1 (en) | 2014-07-02 | 2015-10-13 | WD Media, LLC | High damping cap layer for magnetic recording media |
US10054363B2 (en) | 2014-08-15 | 2018-08-21 | WD Media, LLC | Method and apparatus for cryogenic dynamic cooling |
US9082447B1 (en) | 2014-09-22 | 2015-07-14 | WD Media, LLC | Determining storage media substrate material type |
US9227324B1 (en) | 2014-09-25 | 2016-01-05 | WD Media, LLC | Mandrel for substrate transport system with notch |
US9685184B1 (en) | 2014-09-25 | 2017-06-20 | WD Media, LLC | NiFeX-based seed layer for magnetic recording media |
US8995078B1 (en) | 2014-09-25 | 2015-03-31 | WD Media, LLC | Method of testing a head for contamination |
US9449633B1 (en) | 2014-11-06 | 2016-09-20 | WD Media, LLC | Smooth structures for heat-assisted magnetic recording media |
US9818442B2 (en) | 2014-12-01 | 2017-11-14 | WD Media, LLC | Magnetic media having improved magnetic grain size distribution and intergranular segregation |
US9401300B1 (en) | 2014-12-18 | 2016-07-26 | WD Media, LLC | Media substrate gripper including a plurality of snap-fit fingers |
US9218850B1 (en) | 2014-12-23 | 2015-12-22 | WD Media, LLC | Exchange break layer for heat-assisted magnetic recording media |
US9257134B1 (en) | 2014-12-24 | 2016-02-09 | Western Digital Technologies, Inc. | Allowing fast data zone switches on data storage devices |
US9990940B1 (en) | 2014-12-30 | 2018-06-05 | WD Media, LLC | Seed structure for perpendicular magnetic recording media |
US9280998B1 (en) | 2015-03-30 | 2016-03-08 | WD Media, LLC | Acidic post-sputter wash for magnetic recording media |
US9822441B2 (en) | 2015-03-31 | 2017-11-21 | WD Media, LLC | Iridium underlayer for heat assisted magnetic recording media |
US9275669B1 (en) | 2015-03-31 | 2016-03-01 | WD Media, LLC | TbFeCo in PMR media for SNR improvement |
US11074934B1 (en) | 2015-09-25 | 2021-07-27 | Western Digital Technologies, Inc. | Heat assisted magnetic recording (HAMR) media with Curie temperature reduction layer |
US10236026B1 (en) | 2015-11-06 | 2019-03-19 | WD Media, LLC | Thermal barrier layers and seed layers for control of thermal and structural properties of HAMR media |
US9406329B1 (en) | 2015-11-30 | 2016-08-02 | WD Media, LLC | HAMR media structure with intermediate layer underlying a magnetic recording layer having multiple sublayers |
US10121506B1 (en) | 2015-12-29 | 2018-11-06 | WD Media, LLC | Magnetic-recording medium including a carbon overcoat implanted with nitrogen and hydrogen |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2633230B2 (ja) * | 1985-09-26 | 1997-07-23 | 日本電気株式会社 | 磁気記憶体 |
US5057623A (en) * | 1988-10-14 | 1991-10-15 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Organic fluorine compound |
US6238796B1 (en) * | 1998-02-17 | 2001-05-29 | Seagate Technology Llc | Magnetic recording media |
US6099762A (en) * | 1998-12-21 | 2000-08-08 | Lewis; Paul E. | Method for improving lubricating surfaces on disks |
US6753060B1 (en) * | 2001-05-04 | 2004-06-22 | Seagate Technology Llc | Method for improving performance of thin film recording media and media obtained thereby |
JP4389099B2 (ja) * | 2001-06-27 | 2009-12-24 | 昭和電工株式会社 | 記録媒体の表面処理方法 |
US20030134151A1 (en) * | 2001-09-14 | 2003-07-17 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Magnetic recording medium |
JP2003113389A (ja) | 2001-10-04 | 2003-04-18 | Sony Corp | パーフルオロポリエーテル系化合物を含有する潤滑剤、および該潤滑剤を用いた磁気記録媒体。 |
JP3912497B2 (ja) | 2002-02-25 | 2007-05-09 | Hoya株式会社 | 磁気記録媒体 |
JP3939180B2 (ja) | 2002-03-27 | 2007-07-04 | Hoya株式会社 | 磁気ディスクの製造方法 |
JP2003346317A (ja) * | 2002-05-23 | 2003-12-05 | Fuji Photo Film Co Ltd | 垂直磁気記録媒体 |
JP4041353B2 (ja) * | 2002-06-13 | 2008-01-30 | 株式会社日立グローバルストレージテクノロジーズ | 磁気記録媒体の製造方法 |
US7247605B2 (en) * | 2003-10-24 | 2007-07-24 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Solubility of perfluorinated polyethers in fluorinated solvents |
-
2004
- 2004-02-06 JP JP2004030295A patent/JP4407904B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2005
- 2005-02-07 US US11/050,791 patent/US7722968B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2010
- 2010-04-12 US US12/758,195 patent/US8709532B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20060063040A1 (en) | 2006-03-23 |
US7722968B2 (en) | 2010-05-25 |
JP2005222633A (ja) | 2005-08-18 |
US20100196619A1 (en) | 2010-08-05 |
US8709532B2 (en) | 2014-04-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4407904B2 (ja) | 磁気ディスクの製造方法 | |
JP4078317B2 (ja) | 固体表面の評価方法、磁気ディスクの評価方法、磁気ディスクおよびその製造方法 | |
JP4654339B2 (ja) | 磁気ディスク | |
JP3651681B2 (ja) | 磁気ディスクおよびその製造方法 | |
JP3912497B2 (ja) | 磁気記録媒体 | |
JP5360894B2 (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
JP5123268B2 (ja) | 磁気ディスクおよび製造方法 | |
WO2007116812A1 (ja) | 磁気ディスク及びその製造方法 | |
JP2007265586A (ja) | 磁気ディスク及びその製造方法 | |
JP2010218676A (ja) | 磁気ディスクの製造方法 | |
WO2014041728A1 (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
JP2010049782A (ja) | 薄膜記憶媒体用パーフルオロポリエーテル潤滑薄膜 | |
JP4535251B2 (ja) | 磁気ディスク用潤滑剤の製造方法 | |
JP2009123329A (ja) | 磁気ディスク | |
JP2004246938A (ja) | 磁気ディスクの製造方法 | |
JP5115854B2 (ja) | 磁気ディスクの製造方法 | |
JP2008090919A (ja) | 磁気ディスクの製造方法 | |
JP2009301709A (ja) | 磁気ディスク及びその製造方法 | |
JP3888625B2 (ja) | 磁気ディスクおよびその製造方法 | |
JP2008047284A (ja) | 磁気ディスク | |
JP4150418B2 (ja) | 磁気ディスク及びその製造方法 | |
JP2014002806A (ja) | 磁気記録媒体およびその製造方法 | |
JP4113787B2 (ja) | 磁気ディスク | |
JP2008276912A (ja) | 垂直磁気記録媒体およびその製造方法 | |
JP2006351135A (ja) | 磁気ディスク及び磁気ディスクの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060830 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080520 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20080818 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20080821 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20080916 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20080919 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20081016 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20081021 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081110 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20081202 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090114 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090331 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090403 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20090403 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090513 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20090810 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20090813 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090914 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20091104 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20091104 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4407904 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121120 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121120 Year of fee payment: 3 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121120 Year of fee payment: 3 |
|
R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121120 Year of fee payment: 3 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131120 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |