JP4652163B2 - 磁気記録媒体、ヘッドスライダーおよび磁気記録装置 - Google Patents
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Description
−CF3・・・・・(1)
−CF2−・・・・・・・・・(2)
−CF2CF2−・・・・・・(3)
前記保護層がアモルファスカーボン膜よりなり、その構成元素として、炭素以外に、窒素、酸素、水素およびフッ素からなる群から選ばれた少なくとも一つの元素が含まれていること、前記アモルファスカーボン膜が化学的気相成長法またはフィルタードカソーディックアーク法によって成膜されたものであること、前記樹脂膜が熱処理と活性エネルギー線照射処理との少なくともいずれか一方により、前記保護層と化学結合したものであること、前記活性エネルギー線が、紫外線、キセノンエキシマ光および電子線のいずれかであること、前記樹脂膜の膜厚が2nm以下であること、前記磁気記録媒体保護層上にさらに磁気記録媒体潤滑層を有すること、が好ましい。
−CF2−・・・・・・・・・(2)
−CF2CF2−・・・・・・(3)
この例として、たとえば、式(4)で示されるパーフルオロポリエーテルを上げることができる。
(ただし、p,qは任意の整数であり、CF2CF2OとCF2Oとは互いにランダムに配列される。)
本発明に係る耐食性向上のメカニズムは、撥水性樹脂が保護層の微小欠陥部に含浸し、そこにとどまって、腐食を引き起こす分子の侵入を防ぐというものである。従って、本発明に係る樹脂について、上記撥水能力と共に、保護層の微小欠陥部位に含浸する能力も必要である。
FTIIRにより、C−F結合の伸縮振動(1290-1cm付近)の吸光度を求め、それより膜厚を求めた。
表面自由エネルギーは接触角を測定することにより、以下の関係より求めた。
また、液体が固体表面に付着することにより安定化するエネルギーである接着仕事WSLはDupreの式(2)に従う。
以上の2式からYoung- Dupreの式(3)が導出され、接着仕事は液体の表面自由エネルギーと接触角から求められることになる。
この接着仕事に対して表面自由エネルギーの各成分の幾何平均則を適用すると、(4)式が成り立つ。
ここでd、hは分散成分、水素結合成分を意味する。
フッ酸と塩酸等とからなる混酸に対象物を浸漬し、室温で20分間保持した後、超純水で洗浄し、表面を顕微鏡で観察した。
サンプルを、室温で、三井・デュポン・フロロケミカル社製バートレルXF(ハイドロフルオロアルカン、C5H2F10)中に1時間浸漬し、取り出し、蒸留水で洗浄し、室温で風乾した後、FT−IRで樹脂膜の残存を確認し、樹脂膜が残存している場合は、上記膜厚測定法で膜厚を求めた。
基板上にスパッタ法で成膜されたコバルト合金の磁性層上に、CVD法により、2.8nmの厚さを持つ、炭素以外には主として水素を含むアモルファスカーボン保護層を設けた。
基板上にスパッタ法で成膜されたコバルト合金の磁性層上に、実施例1と同様にして、CVD法により、2.8nmの厚さを持つアモルファスカーボン保護層を設けた。樹脂膜は採用しなかった。
基板上にスパッタ法で成膜されたコバルト合金の磁性層上に、実施例1と同様にして、CVD法により、2.8nmの厚さを持つアモルファスカーボン保護層を設けた。ついで、浸漬法によりパーフルオロポリエーテルとして、ソルベイソレクシス社のFOMBLIN Zを膜厚2nmで塗布し、その後、三井・デュポン・フロロケミカル社製バートレルXFで表面を洗浄し、保護層上における残存樹脂膜を評価した。
基板上にスパッタ法で成膜されたコバルト合金の磁性層上に、実施例1と同様にして、CVD法により、3.9nmの厚さを持つアモルファスカーボン保護層を設けた。樹脂膜は採用しなかった。
基板上に磁性層、磁気記録媒体保護層を順次積層した磁気記録媒体において、下記(1)〜(3)の全ての条件を満たす磁気記録媒体。
前記磁気記録媒体保護層が、アモルファスカーボン膜、SiO2膜および窒化ケイ素膜のいずれかである、付記1に記載の磁気記録媒体。
前記樹脂膜がフッ素系樹脂からなるものである、付記1または2に記載の磁気記録媒体。
前記フッ素樹脂がパーフルオロポリエーテルである、付記3に記載の磁気記録媒体。
前記フッ素樹脂が、式(1)の構造単位と式(2)の構造単位と式(3)の構造単位とが互いに酸素を介して結合してなるフッ素化ポリエーテルである、付記3に記載の磁気記録媒体。
−CF2−・・・・・・・・・(2)
−CF2CF2−・・・・・・(3)
(付記6)
前記磁気記録媒体保護層がアモルファスカーボン膜よりなり、その構成元素として、炭素以外に、窒素、酸素、水素およびフッ素からなる群から選ばれた少なくとも一つの元素が含まれている、付記1〜5のいずれかに磁気記録媒体。
前記アモルファスカーボン膜が化学的気相成長法またはフィルタードカソーディックアーク法によって成膜されたものである、付記6に記載の磁気記録媒体。
前記樹脂膜が熱処理と活性エネルギー線照射処理との少なくともいずれか一方により、前記磁気記録媒体保護層と化学結合したものである、付記1〜7のいずれかに記載の磁気記録媒体。
前記活性エネルギー線が、紫外線、キセノンエキシマ光および電子線のいずれかである、付記8に記載の磁気記録媒体。
前記樹脂膜の膜厚が2nm以下である、付記1〜9のいずれかに記載の磁気記録媒体。
前記磁気記録媒体保護層上にさらに磁気記録媒体潤滑層を有する、付記1〜10のいずれかに記載の磁気記録媒体。
記録変換素子とヘッドスライダー保護層とを備えたヘッドスライダーにおいて、下記(1)〜(3)の全ての条件を満たすヘッドスライダー。
前記ヘッドスライダー保護層が、アモルファスカーボン膜、SiO2膜および窒化ケイ素膜のいずれかである、付記12に記載のヘッドスライダー。
前記樹脂膜がフッ素系樹脂からなるものである、付記12または13に記載のヘッドスライダー。
前記フッ素樹脂がパーフルオロポリエーテルである、付記14に記載のヘッドスライダー。
前記フッ素樹脂が、式(1)の構造単位と式(2)の構造単位と式(3)の構造単位とが互いに酸素を介して結合してなるフッ素化ポリエーテルである、付記14に記載のヘッドスライダー。
−CF2−・・・・・・・・・(2)
−CF2CF2−・・・・・・(3)
(付記17)
前記ヘッドスライダー保護層がアモルファスカーボン膜よりなり、その構成元素として、炭素以外に、窒素、酸素、水素およびフッ素からなる群から選ばれた少なくとも一つの元素が含まれている、付記12〜16のいずれかにヘッドスライダー。
前記アモルファスカーボン膜が化学的気相成長法またはフィルタードカソーディックアーク法によって成膜されたものである、付記17に記載のヘッドスライダー。
前記樹脂膜が熱処理と活性エネルギー線照射処理との少なくともいずれか一方により、前記ヘッドスライダー保護層と化学結合したものである、付記12〜18のいずれかに記載のヘッドスライダー。
前記活性エネルギー線が、紫外線、キセノンエキシマ光および電子線のいずれかである、付記19に記載のヘッドスライダー。
前記樹脂膜の膜厚が2nm以下である、付記12〜20のいずれかに記載のヘッドスライダー。
前記ヘッドスライダー保護層上にさらにヘッドスライダー潤滑層を有する、付記12〜21のいずれかに記載のヘッドスライダー。
付記1〜11のいずれかに記載の磁気記録媒体と付記12〜22のいずれかに記載のヘッドスライダーとの内の少なくともいずれか一方を備えた磁気記録装置。
2 ヘッドスライダー
3 回転制御機構
4 ヘッドの位置決め機構
5 記録再生信号の処理回路
6 サスペンジョン
7 ジンバル
8 ヘッド
9 ヘッド保護層
10 ヘッド潤滑層
11 磁気記録媒体
12 基板
13 Cr下地層
14 磁性層
15 媒体保護層
16 媒体潤滑層
31 カソード
32 アノード
33 フィルタコイル
34 ラスタコイル
35 基板
36 DLC層
37 イオンガン
Claims (5)
- 基板上に磁性層を形成する工程と、
前記磁性層上にアモルファスカーボン膜からなる磁気記録媒体保護層を成膜する工程と、
前記磁気記録媒体保護層上に樹脂膜を形成する工程と、
前記樹脂膜を前記磁気記録媒体保護層に実質的に化学結合させる工程と、
を含み、
前記アモルファスカーボン膜は、その構成元素として、炭素以外に、窒素、酸素、水素およびフッ素からなる群から選ばれた少なくとも一つの元素が含まれており、フィルタードカソーディックアーク法によって成膜されたものであり、
前記成膜後の、前記アモルファスカーボン膜の膜厚が3nm以下であり、前記樹脂膜の表面張力が40mN/m以下で、かつ、前記磁気記録媒体保護層の臨界表面張力より小さく、膜厚が2nm以下である、
ことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 - 前記樹脂膜がフッ素系樹脂からなるものであることを特徴とする請求項1に記載の磁気記録媒体の製造方法。
- ヘッドスライダー本体上にアモルファスカーボン膜からなるヘッドスライダー保護層を成膜する工程と、
前記ヘッドスライダー保護層上に樹脂膜を形成する工程と、
前記樹脂膜を前記ヘッドスライダー保護層に実質的に化学結合させる工程と、
を含み、
前記アモルファスカーボン膜は、その構成元素として、炭素以外に、窒素、酸素、水素およびフッ素からなる群から選ばれた少なくとも一つの元素が含まれており、フィルタードカソーディックアーク法によって成膜されたものであり、
前記成膜後の、前記アモルファスカーボン膜の膜厚が3nm以下であり、前記樹脂膜の表面張力が40mN/m以下で、かつ、前記ヘッドスライダー保護層の臨界表面張力より小さく、膜厚が2nm以下である、
ことを特徴とするヘッドスライダーの製造方法。 - 前記樹脂膜がフッ素系樹脂からなるものであることを特徴とする請求項3に記載のヘッドスライダーの製造方法。
- 請求項1または2に記載の磁気記録媒体の製造方法と請求項3または4に記載のヘッドスライダーの製造方法との内の少なくともいずれか一方を含む磁気記録装置の製造方法。
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