JP6825573B2 - 磁気記録媒体 - Google Patents
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- G11B5/725—Protective coatings, e.g. anti-static or antifriction containing a lubricant, e.g. organic compounds
- G11B5/7253—Fluorocarbon lubricant
Description
本技術は、磁気記録媒体に関する。詳しくは、垂直記録層を備える磁気記録媒体に関する。
近年、ＩＴ（情報技術）社会の発展、図書館および公文書館などの電子化、ならびにビジネス文書の長期保管により、データストレージ用磁気記録媒体の大容量化の要求が高まっている。このような要求に応えるべく、垂直記録層を備える磁気記録媒体が提案されている。
例えば特許文献１には、上述の磁気記録媒体として、非磁性支持体上に、少なくとも、アモルファス層、シード層、下地層、磁性層および保護層が順次形成されたものが開示されている。
本技術の目的は、高いＳＮＲを有する磁気記録媒体を提供することにある。
上述の課題を解決するために、本技術は、可とう性を有する長尺状の基体と、基体上に設けられ、Ｃｒ、ＮｉおよびＦｅを含み、面心立方格子構造を有し、該面心立方構造の（１１１）面が基体表面に平行になるように優先配向している第１層と、第１層上に設けられ、ＣｏおよびＯを含み、Ｃｏの平均原子濃度に対するＯの平均原子濃度の比が１以上であり、平均粒径が３ｎｍ以上１３ｎｍ以下であるカラム構造を有する第２層と、第２層上に設けられ、Ｒｕを含む第３層と、第３層上に設けられた垂直記録層とを備える磁気記録媒体である。
以上説明したように、本技術によれば、高いＳＮＲを有する磁気記録媒体を提供できる。
本技術の実施形態について図面を参照しながら以下の順序で説明する。なお、以下の実施形態の全図においては、同一または対応する部分には同一の符号を付す。
本技術の実施形態について以下の順序で説明する。
１ 磁気記録媒体の構成
２ スパッタ装置の構成
３ 磁気記録媒体の製造方法
４ 効果
５ 変形例
本技術の実施形態について以下の順序で説明する。
１ 磁気記録媒体の構成
２ スパッタ装置の構成
３ 磁気記録媒体の製造方法
４ 効果
５ 変形例
［１ 磁気記録媒体の構成］
本技術の一実施形態に係る磁気記録媒体１０は、いわゆる長尺状の単層垂直磁気記録媒体であり、図１に示すように、基体１１と、基体１１の一方の主面（以下「表面」という。）上に設けられたシード層（第１層）１２と、シード層１２上に設けられた下地層（第２層）１３と、下地層１３上に設けられた中間層（第３層）１４と、中間層１４上に設けられた記録層１５とを備える。この磁気記録媒体１０が、必要に応じて、記録層１５上に設けられた保護層１６と、保護層１６上に設けられた潤滑層１７と、基体１１の他方の主面（以下「裏面」という。）上に設けられたバックコート層１８とをさらに備えるようにしてもよい。
本技術の一実施形態に係る磁気記録媒体１０は、いわゆる長尺状の単層垂直磁気記録媒体であり、図１に示すように、基体１１と、基体１１の一方の主面（以下「表面」という。）上に設けられたシード層（第１層）１２と、シード層１２上に設けられた下地層（第２層）１３と、下地層１３上に設けられた中間層（第３層）１４と、中間層１４上に設けられた記録層１５とを備える。この磁気記録媒体１０が、必要に応じて、記録層１５上に設けられた保護層１６と、保護層１６上に設けられた潤滑層１７と、基体１１の他方の主面（以下「裏面」という。）上に設けられたバックコート層１８とをさらに備えるようにしてもよい。
なお、本明細書では、軟磁性裏打ち層（Soft magnetic underlayer、以下「ＳＵＬ」という。）を持たない磁気記録媒体を「単層垂直磁気記録媒体」といい、ＳＵＬを持つ磁気記録媒体を「二層垂直磁気記録媒体」という。
一実施形態に係る磁気記録媒体１０は、今後ますます需要が高まることが期待されるデータアーカイブ用ストレージメディアとして用いて好適なものである。この磁気記録媒体１０は、例えば、現在のストレージ用塗布型磁気記録媒体の１０倍以上の面記録密度、すなわち５０Ｇｂ／ｉｎ2の面記録密度を実現することが可能である。このような面記録密度を有する磁気記録媒体１０を用いて、一般のリニア記録方式のデータカートリッジを構成した場合には、データカートリッジ１巻当たり５０ＴＢ以上の大容量記録が可能になる。この磁気記録媒体１０は、リング型の記録ヘッドと巨大磁気抵抗効果（Giant Magnetoresistive：ＧＭＲ）型の再生ヘッドを用いる記録再生装置に用いて好適なものである。
（基体）
支持体となる基体１１は、可撓性を有する長尺状の非磁性基体である。非磁性基体はフィルムであり、フィルムの厚さは、例えば３μｍ以上８μｍ以下である。基体１１の材料としては、例えば、一般的な磁気記録媒体に用いられる可撓性の高分子樹脂材料を用いることができる。このような高分子材料の具体例としては、ポリエステル類、ポリオレフィン類、セルロース誘導体、ビニル系樹脂、ポリイミド類、ポリアミド類またはポリカーボネートなどが挙げられる。
支持体となる基体１１は、可撓性を有する長尺状の非磁性基体である。非磁性基体はフィルムであり、フィルムの厚さは、例えば３μｍ以上８μｍ以下である。基体１１の材料としては、例えば、一般的な磁気記録媒体に用いられる可撓性の高分子樹脂材料を用いることができる。このような高分子材料の具体例としては、ポリエステル類、ポリオレフィン類、セルロース誘導体、ビニル系樹脂、ポリイミド類、ポリアミド類またはポリカーボネートなどが挙げられる。
（シード層）
シード層１２は、Ｃｒ、ＮｉおよびＦｅを含み、面心立方格子（ｆｃｃ）構造を有し、この面心立方構造の（１１１）面が基体１１の表面に平行になるように優先配向している。ここで、優先配向とは、Ｘ線回折法のθ−２θスキャンにおいて面心立方格子構造の（１１１）面からの回折ピーク強度が他の結晶面からの回折ピークより大きい状態、またはＸ線回折法のθ−２θスキャンにおいて面心立方格子構造の（１１１）面からの回折ピーク強度のみが観察される状態を意味する。
シード層１２は、Ｃｒ、ＮｉおよびＦｅを含み、面心立方格子（ｆｃｃ）構造を有し、この面心立方構造の（１１１）面が基体１１の表面に平行になるように優先配向している。ここで、優先配向とは、Ｘ線回折法のθ−２θスキャンにおいて面心立方格子構造の（１１１）面からの回折ピーク強度が他の結晶面からの回折ピークより大きい状態、またはＸ線回折法のθ−２θスキャンにおいて面心立方格子構造の（１１１）面からの回折ピーク強度のみが観察される状態を意味する。
シード層１２のＸ線回折の強度比率は、ＳＮＲの向上の観点から、好ましくは６０ｃｐｓ／ｎｍ以上、より好ましくは７０ｃｐｓ／ｎｍ以上、さらにより好ましくは８０ｃｐｓ／ｎｍ以上である。ここで、シード層１２のＸ線回折の強度比率は、シード層１２のＸ線回折の強度Ｉ（ｃｐｓ）をシード層１２の厚さＤ（ｎｍ）で除算して求められる値（Ｉ／Ｄ（ｃｐｓ／ｎｍ））である。
シード層１２に含まれるＣｒ、ＮｉおよびＦｅは、以下の式（Ａ）で表される平均組成を有することが好ましい。
ＣｒX（ＮｉYＦｅ100-Y）100-X ・・・（Ａ）
（但し、Ｘは１０≦Ｘ≦４５、Ｙは６０≦Ｙ≦９０の範囲内である。）
Ｘが上記範囲から外れると、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｆｅの面心立方格子構造の（１１１）配向が低下し、ＳＮＲの悪化する傾向がある。同様にＹが上記範囲から外れると、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｆｅの面心立方格子構造の（１１１）配向が低下し、ＳＮＲの悪化する傾向がある。
ＣｒX（ＮｉYＦｅ100-Y）100-X ・・・（Ａ）
（但し、Ｘは１０≦Ｘ≦４５、Ｙは６０≦Ｙ≦９０の範囲内である。）
Ｘが上記範囲から外れると、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｆｅの面心立方格子構造の（１１１）配向が低下し、ＳＮＲの悪化する傾向がある。同様にＹが上記範囲から外れると、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｆｅの面心立方格子構造の（１１１）配向が低下し、ＳＮＲの悪化する傾向がある。
シード層１２の厚さは、５ｎｍ以上４０ｎｍ以下であることが好ましい。シード層１２の厚さがこの範囲から外れると、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｆｅの面心立方格子構造の（１１１）配向が低下し、ＳＮＲの悪化する傾向がある。
（下地層）
下地層１３は、面心立方格子構造を有するＣｏおよびＯを含み、カラム（柱状結晶）構造を有している。ＣｏおよびＯを含む下地層１３では、Ｒｕを含む中間層１４とほぼ同様の効果（機能）が得られる。Ｃｏの平均原子濃度に対するＯの平均原子濃度の濃度比（（Ｏの平均原子濃度）／（Ｃｏの平均原子濃度））が１以上である。濃度比が１未満であると、下地層１３を設ける効果が低下し、ＳＮＲが低下する傾向がある。また、下地層１３は、面心立方格子構造を有するＮｉおよびＯを含むカラム（柱状結晶）構造の層でもよい。
下地層１３は、面心立方格子構造を有するＣｏおよびＯを含み、カラム（柱状結晶）構造を有している。ＣｏおよびＯを含む下地層１３では、Ｒｕを含む中間層１４とほぼ同様の効果（機能）が得られる。Ｃｏの平均原子濃度に対するＯの平均原子濃度の濃度比（（Ｏの平均原子濃度）／（Ｃｏの平均原子濃度））が１以上である。濃度比が１未満であると、下地層１３を設ける効果が低下し、ＳＮＲが低下する傾向がある。また、下地層１３は、面心立方格子構造を有するＮｉおよびＯを含むカラム（柱状結晶）構造の層でもよい。
カラム構造は、ＳＮＲ向上の観点から、傾斜していることが好ましい。その傾斜の方向は、長尺状の磁気記録媒体１０の長手方向であることが好ましい。このように長手方向が好ましいのは、以下の理由による。本実施形態に係る磁気記録媒体１０は、いわゆるリニア記録用の磁気記録媒体であり、記録トラックは磁気記録媒体１０の長手方向に平行となる。また、本実施形態に係る磁気記録媒体１０は、いわゆる垂直磁気記録媒体でもあり、記録特性の観点からすると、記録層１５の結晶配向軸が垂直方向であることが好ましいが、下地層１３のカラム構造の傾きの影響で、記録層１５の結晶配向軸に傾きが生じる場合がある。リニア記録用である磁気記録媒体１０においては、記録時のヘッド磁界との関係上、磁気記録媒体１０の長手方向に記録層１５の結晶配向軸が傾いている構成が、磁気記録媒体１０の幅方向に記録層１５の結晶配向軸が傾いている構成に比べて、結晶配向軸の傾きによる記録特性への影響を低減できる。磁気記録媒体１０の長手方向に記録層１５の結晶配向軸を傾かせるためには、上記のように下地層１３のカラム構造の傾斜方向を磁気記録媒体１０の長手方向とすることが好ましい。
カラム構造の傾斜角は、好ましくは０°より大きく６０°以下であることが好ましい。傾斜角が０°より大きく６０°以下の範囲では、下地層１３に含まれるカラムの先端形状の変化が大きくほぼ三角山状になるため、グラニュラ構造の効果が高まり、低ノイズ化し、ＳＮＲが向上する傾向がある。一方、傾斜角が６０°を超えると、下地層１３に含まれるカラムの先端形状の変化が小さくほぼ三角山状とはなりにくいため、低ノイズ効果が薄れる傾向がある。
カラム構造の平均粒径は、３ｎｍ以上１３ｎｍ以下である。平均粒径が３ｎｍ未満であると、記録層１５に含まれるカラム構造の平均粒径が小さくなるため、現在の磁性材料では記録を保持する能力が著しく低下する傾向がある。一方、平均粒径が１３ｎｍを超えると、ノイズが増大し、ＳＮＲが低下する傾向がある。
下地層１３の厚さは、１０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下であることが好ましい。下地層１３の厚さが１０ｎｍ未満であると、下地層１３の面心立方格子構造の（１１１）配向が低下する傾向がある。一方、下地層１３の厚さが１５０ｎｍを超えると、カラムの粒径が大きくなりノイズが増大するため、ＳＮＲが低下する傾向がある。
（中間層）
中間層１４は、記録層１５と同様の結晶構造を有していることが好ましい。記録層１５がＣｏ系合金を含んでいる場合には、中間層１４は、Ｃｏ系合金と同様の六方細密充填（ｈｃｐ）構造を有する材料を含み、その構造のｃ軸が膜面に対して垂直方向（すなわち膜厚方向）に配向していることが好ましい。記録層１５の配向性を高め、かつ、中間層１４と記録層１５との格子定数のマッチングを比較的良好にできるからである。六方細密充填構造を有する材料としては、Ｒｕを含む材料を用いることが好ましく、具体的にはＲｕ単体またはＲｕ合金が好ましい。Ｒｕ合金としては、例えば、Ｒｕ−ＳｉＯ2、Ｒｕ−ＴｉＯ2またはＲｕ−ＺｒＯ2などのＲｕ合金酸化物が挙げられる。
中間層１４は、記録層１５と同様の結晶構造を有していることが好ましい。記録層１５がＣｏ系合金を含んでいる場合には、中間層１４は、Ｃｏ系合金と同様の六方細密充填（ｈｃｐ）構造を有する材料を含み、その構造のｃ軸が膜面に対して垂直方向（すなわち膜厚方向）に配向していることが好ましい。記録層１５の配向性を高め、かつ、中間層１４と記録層１５との格子定数のマッチングを比較的良好にできるからである。六方細密充填構造を有する材料としては、Ｒｕを含む材料を用いることが好ましく、具体的にはＲｕ単体またはＲｕ合金が好ましい。Ｒｕ合金としては、例えば、Ｒｕ−ＳｉＯ2、Ｒｕ−ＴｉＯ2またはＲｕ−ＺｒＯ2などのＲｕ合金酸化物が挙げられる。
中間層１４の厚さは、一般的な磁気記録媒体における中間層よりも薄くてもよく、例えば、１ｎｍ以上５ｎｍ以下とすることが可能である。中間層１４の下に上述の構成を有するシード層１２および下地層１３を設けているので、中間層１４の厚さが上述のように薄くても良好なＳＮＲが得られる。
（記録層）
記録層１５は、いわゆる垂直磁気記録層であり、記録密度を向上する観点から、Ｃｏ系合金を含むグラニュラ磁性層であることが好ましい。このグラニュラ磁性層は、Ｃｏ系合金を含む強磁性結晶粒子と、この強磁性結晶粒子を取り巻く非磁性粒界（非磁性体）とから構成されている。より具体的には、このグラニュラ磁性層は、Ｃｏ系合金を含むカラム（柱状結晶）と、このカラムを取り囲み、それぞれのカラムを磁気的に分離する非磁性粒界（例えばＳｉＯ2などの酸化物）とから構成されている。この構造では、それぞれのカラムが磁気的に分離した構造を有する記録層１５を構成することができる。
記録層１５は、いわゆる垂直磁気記録層であり、記録密度を向上する観点から、Ｃｏ系合金を含むグラニュラ磁性層であることが好ましい。このグラニュラ磁性層は、Ｃｏ系合金を含む強磁性結晶粒子と、この強磁性結晶粒子を取り巻く非磁性粒界（非磁性体）とから構成されている。より具体的には、このグラニュラ磁性層は、Ｃｏ系合金を含むカラム（柱状結晶）と、このカラムを取り囲み、それぞれのカラムを磁気的に分離する非磁性粒界（例えばＳｉＯ2などの酸化物）とから構成されている。この構造では、それぞれのカラムが磁気的に分離した構造を有する記録層１５を構成することができる。
Ｃｏ系合金は、六方細密充填（ｈｃｐ）構造を有し、そのｃ軸が膜面に対して垂直方向（膜厚方向）に配向している。Ｃｏ系合金としては、少なくともＣｏ、ＣｒおよびＰｔを含有するＣｏＣｒＰｔ系合金を用いることが好ましい。ＣｏＣｒＰｔ系合金は、特に限定されるものではなく、ＣｏＣｒＰｔ合金がさらに添加元素を含んでいてもよい。添加元素としては、例えば、ＮｉおよびＴａなどからなる群より選ばれる１種以上の元素が挙げられる。
強磁性結晶粒子を取り巻く非磁性粒界は、非磁性金属材料を含んでいる。ここで、金属には半金属を含むものとする。非磁性金属材料としては、例えば、金属酸化物および金属窒化物のうちの少なくとも一方を用いることができ、グラニュラ構造をより安定に維持する観点からすると、金属酸化物を用いることが好ましい。金属酸化物としては、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｃｅ、ＹおよびＨｆなどからなる群より選ばれる少なくとも１種以上の元素を含む金属酸化物が挙げられ、少なくともＳｉ酸化物（すなわちＳｉＯ2）を含んでいる金属酸化物が好ましい。その具体例としては、ＳｉＯ2、Ｃｒ2Ｏ3、ＣｏＯ、Ａｌ2Ｏ3、ＴｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5、ＺｒＯ2またはＨｆＯ2などが挙げられる。金属窒化物としては、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｃｅ、ＹおよびＨｆなどからなる群より選ばれる少なくとも１種以上の元素を含む金属窒化物が挙げられる。その具体例としては、ＳｉＮ、ＴｉＮまたはＡｌＮなどが挙げられる。
強磁性結晶粒子に含まれるＣｏＣｒＰｔ系合金と、非磁性粒界に含まれるＳｉ酸化物とが、以下の式（Ｂ）に示す平均組成を有していることが好ましい。反磁界の影響を抑え、かつ、十分な再生出力を確保できる飽和磁化量Ｍｓを実現でき、これにより、記録再生特性の更なる向上を実現できるからである。
（ＣｏxＰｔyＣｒ100-x-y）100-z−（ＳｉＯ2）z ・・・（Ｂ）
（但し、式（Ｂ）中において、ｘ、ｙ、ｚはそれぞれ、６９≦Ｘ≦７５、１０≦ｙ≦１６、９≦Ｚ≦１２の範囲内の値である。）
（ＣｏxＰｔyＣｒ100-x-y）100-z−（ＳｉＯ2）z ・・・（Ｂ）
（但し、式（Ｂ）中において、ｘ、ｙ、ｚはそれぞれ、６９≦Ｘ≦７５、１０≦ｙ≦１６、９≦Ｚ≦１２の範囲内の値である。）
なお、上記組成は次のようにして求めることができる。磁気記録媒体１０の保護層１６側からイオンミリングしながら、オージェ電子分光法（Auger Electron Spectroscopy、以下「ＡＥＳ」という。）による記録層１５の深さ方向分析（デプスプロファイル測定）を行い、膜厚方向におけるＣｏ、Ｐｔ、Ｃｒ、ＳｉおよびＯの平均組成（平均原子数比率）を求める。
（保護層）
保護層１６は、例えば、炭素材料または二酸化ケイ素（ＳｉＯ2）を含み、保護層１６の膜強度の観点からすると、炭素材料を含んでいることが好ましい。炭素材料としては、例えば、グラファイト、ダイヤモンド状炭素（Diamond-Like Carbon：ＤＬＣ）またはダイヤモンドなどが挙げられる。
保護層１６は、例えば、炭素材料または二酸化ケイ素（ＳｉＯ2）を含み、保護層１６の膜強度の観点からすると、炭素材料を含んでいることが好ましい。炭素材料としては、例えば、グラファイト、ダイヤモンド状炭素（Diamond-Like Carbon：ＤＬＣ）またはダイヤモンドなどが挙げられる。
（潤滑層）
潤滑層１７は、少なくとも１種の潤滑剤を含んでいる。潤滑層１７は、必要に応じて各種添加剤、例えば防錆剤をさらに含んでいてもよい。潤滑剤は、少なくとも２つのカルボキシル基と１つのエステル結合とを有し、下記の一般式（１）で表されるカルボン酸系化合物の少なくとも１種を含んでいる。潤滑剤は、下記の一般式（１）で表されるカルボン酸系化合物以外の種類の潤滑剤をさらに含んでいてもよい。
一般式（１）：
（式中、Ｒｆは非置換若しくは置換の、また、飽和若しくは不飽和の、含フッ素炭化水素基或いは炭化水素基、Ｅｓはエステル結合、Ｒは、なくてもよいが、非置換若しくは置換の、また、飽和若しくは不飽和の炭化水素基である。）
潤滑層１７は、少なくとも１種の潤滑剤を含んでいる。潤滑層１７は、必要に応じて各種添加剤、例えば防錆剤をさらに含んでいてもよい。潤滑剤は、少なくとも２つのカルボキシル基と１つのエステル結合とを有し、下記の一般式（１）で表されるカルボン酸系化合物の少なくとも１種を含んでいる。潤滑剤は、下記の一般式（１）で表されるカルボン酸系化合物以外の種類の潤滑剤をさらに含んでいてもよい。
一般式（１）：
上記カルボン酸系化合物は、下記の一般式（２）または（３）で表されるものが好ましい。
一般式（２）：
（式中、Ｒｆは、非置換若しくは置換の、また、飽和若しくは不飽和の、含フッ素炭化水素基或いは炭化水素基である。）
一般式（３）：
（式中、Ｒｆは、非置換若しくは置換の、また、飽和若しくは不飽和の、含フッ素炭化水素基或いは炭化水素基である。）
一般式（２）：
一般式（３）：
潤滑剤は、上記の一般式（２）および（３）で表されるカルボン酸系化合物の一方または両方を含んでいることが好ましい。
一般式（１）で示されるカルボン酸系化合物を含む潤滑剤を記録層１５または保護層１６などに塗布すると、疎水性基である含フッ素炭化水素基又は炭化水素基Ｒｆ間の凝集力により潤滑作用が発現する。Ｒｆ基が含フッ素炭化水素基である場合には、総炭素数が６〜５０であり、且つフッ化炭化水素基の総炭素数が４〜２０であるのが好ましい。Ｒｆ基は、飽和又は不飽和、直鎖又は分岐鎖又は環状であってよいが、とくに飽和で直鎖であるのが好ましい。
例えば、Ｒｆ基が炭化水素基である場合には、下記一般式（４）で表される基であることが望ましい。
一般式（４）：
（但し、一般式（４）において、ｌは、８〜３０、より望ましくは１２〜２０の範囲から選ばれる整数である。）
一般式（４）：
また、Ｒｆ基が含フッ素炭化水素基である場合には、下記一般式（５）で表される基であることが望ましい。
一般式（５）：
（但し、一般式（５）において、ｍとｎは、それぞれ次の範囲から選ばれる整数で、ｍ＝２〜２０、ｎ＝３〜１８、より望ましくは、ｍ＝４〜１３、ｎ＝３〜１０である。）
一般式（５）：
フッ化炭化水素基は、上記のように１箇所に集中していても、また下記一般式（６）のように分散していてもよく、−ＣＦ3や−ＣＦ2−ばかりでなく−ＣＨＦ2や−ＣＨＦ−等であってもよい。
一般式（６）：
（但し、一般式（６）において、ｎ１＋ｎ２＝ｎ、ｍ１＋ｍ２＝ｍである。）
一般式（６）：
一般式（４）、（５）および（６）において炭素数を上記のように限定したのは、アルキル基または含フッ素アルキル基を構成する炭素数（ｌ、又は、ｍとｎの和）が上記下限以上であると、その長さが適度の長さとなり、疎水性基間の凝集力が有効に発揮され、良好な潤滑作用が発現し、摩擦・摩耗耐久性が向上するからである。また、その炭素数が上記上限以下であると、上記カルボン酸系化合物からなる潤滑剤の、溶媒に対する溶解性が良好に保たれるからである。
特に、Ｒｆ基は、フッ素原子を含有すると、摩擦係数の低減、さらには走行性の改善等に効果がある。但し、含フッ素炭化水素基とエステル結合との間に炭化水素基を設け、含フッ素炭化水素基とエステル結合との間を隔てて、エステル結合の安定性を確保して加水分解を防ぐのがよい。
また、Ｒｆ基がフルオロアルキルエーテル基、又はパーフルオロポリエーテル基を有するものであるのもよい。
Ｒ基は、なくてもよいが、ある場合には、比較的炭素数の少ない炭化水素鎖であるのがよい。
また、Ｒｆ基又はＲ基は、構成元素として窒素、酸素、硫黄、リン、ハロゲンなどの元素を含み、既述した官能基に加えて、ヒドロキシル基、カルボキシル基、カルボニル基、アミノ基、及びエステル結合等を更に有していてもよい。
一般式（１）で示されるカルボン酸系化合物は、具体的には以下に示す化合物の少なくとも１種であることが好ましい。すなわち、潤滑剤は、以下に示す化合物を少なくとも１種含んでいることが好ましい。
CF3(CF2)7(CH2)10COOCH(COOH)CH2COOH
CF3(CF2)3(CH2)10COOCH(COOH)CH2COOH
C17H35COOCH(COOH)CH2COOH
CF3(CF2)7(CH2)2OCOCH2CH(C18H37)COOCH(COOH)CH2COOH
CF3(CF2)7COOCH(COOH)CH2COOH
CHF2(CF2)7COOCH(COOH)CH2COOH
CF3(CF2)7(CH2)2OCOCH2CH(COOH)CH2COOH
CF3(CF2)7(CH2)6OCOCH2CH(COOH)CH2COOH
CF3(CF2)7(CH2)11OCOCH2CH(COOH)CH2COOH
CF3(CF2)3(CH2)6OCOCH2CH(COOH)CH2COOH
C18H37OCOCH2CH(COOH)CH2COOH
CF3(CF2)7(CH2)4COOCH(COOH)CH2COOH
CF3(CF2)3(CH2)4COOCH(COOH)CH2COOH
CF3(CF2)3(CH2)7COOCH(COOH)CH2COOH
CF3(CF2)9(CH2)10COOCH(COOH)CH2COOH
CF3(CF2)7(CH2)12COOCH(COOH)CH2COOH
CF3(CF2)5(CH2)10COOCH(COOH)CH2COOH
CF3(CF2)7CH(C9H19)CH2CH=CH(CH2)7COOCH(COOH)CH2COOH
CF3(CF2)7CH(C6H13)(CH2)7COOCH(COOH)CH2COOH
CH3(CH2)3(CH2CH2CH(CH2CH2(CF2)9CF3))2(CH2)7COOCH(COOH)CH2COOH
CF3(CF2)7(CH2)10COOCH(COOH)CH2COOH
CF3(CF2)3(CH2)10COOCH(COOH)CH2COOH
C17H35COOCH(COOH)CH2COOH
CF3(CF2)7(CH2)2OCOCH2CH(C18H37)COOCH(COOH)CH2COOH
CF3(CF2)7COOCH(COOH)CH2COOH
CHF2(CF2)7COOCH(COOH)CH2COOH
CF3(CF2)7(CH2)2OCOCH2CH(COOH)CH2COOH
CF3(CF2)7(CH2)6OCOCH2CH(COOH)CH2COOH
CF3(CF2)7(CH2)11OCOCH2CH(COOH)CH2COOH
CF3(CF2)3(CH2)6OCOCH2CH(COOH)CH2COOH
C18H37OCOCH2CH(COOH)CH2COOH
CF3(CF2)7(CH2)4COOCH(COOH)CH2COOH
CF3(CF2)3(CH2)4COOCH(COOH)CH2COOH
CF3(CF2)3(CH2)7COOCH(COOH)CH2COOH
CF3(CF2)9(CH2)10COOCH(COOH)CH2COOH
CF3(CF2)7(CH2)12COOCH(COOH)CH2COOH
CF3(CF2)5(CH2)10COOCH(COOH)CH2COOH
CF3(CF2)7CH(C9H19)CH2CH=CH(CH2)7COOCH(COOH)CH2COOH
CF3(CF2)7CH(C6H13)(CH2)7COOCH(COOH)CH2COOH
CH3(CH2)3(CH2CH2CH(CH2CH2(CF2)9CF3))2(CH2)7COOCH(COOH)CH2COOH
一般式（１）で示されるカルボン酸系化合物は、環境への負荷の小さい非フッ素系溶剤に可溶であり、炭化水素系溶剤、ケトン系溶剤、アルコール系溶剤、エステル系溶剤などの汎用溶剤を用いて、塗布、浸漬、噴霧などの操作を行えるという利点を備えている。具体的には、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、デカン、ドデカン、ベンゼン、トルエン、キシレン、シクロヘキサン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、メタノール、エタノール、イソプロパノール、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、シクロヘキサノンなどの溶媒を挙げることができる。
保護層１６が炭素材料を含む場合には、潤滑剤として上記カルボン酸系化合物を保護層１６上に塗布すると、保護層１６上に潤滑剤分子の極性基部である２つのカルボキシル基と少なくとも１つのエステル結合基が吸着され、疎水性基間の凝集力により特に耐久性の良好な潤滑層１７を形成することができる。
なお、潤滑剤は、上述のように磁気記録媒体１０の表面に潤滑層１７として保持されるのみならず、磁気記録媒体１０を構成する記録層１５および保護層１６などの層に含まれ、保有されていてもよい。
（バックコート層）
バックコート層１８は、例えば、結着剤、無機粒子および潤滑剤を含んでいる。バックコート層１８が、必要に応じて硬化剤および帯電防止剤などの各種添加剤を含んでいてもよい。
バックコート層１８は、例えば、結着剤、無機粒子および潤滑剤を含んでいる。バックコート層１８が、必要に応じて硬化剤および帯電防止剤などの各種添加剤を含んでいてもよい。
［２ スパッタ装置の構成］
以下、図２を参照して、本技術の一実施形態に係る磁気記録媒体１０の製造に用いられるスパッタ装置２０の構成の一例について説明する。このスパッタ装置２０は、シード層１２、下地層１３、中間層１４および記録層１５の成膜に用いられる連続巻取式スパッタ装置であり、図２に示すように、成膜室２１と、金属キャン（回転体）であるドラム２２と、カソード２３ａ〜２３ｄと、供給リール２４と、巻き取りリール２５と、複数のガイドロール２７ａ〜２７ｃ、２８ａ〜２８ｃとを備える。スパッタ装置２０は、例えばＤＣ（直流）マグネトロンスパッタリング方式の装置であるが、スパッタリング方式はこの方式に限定されるものではない。
以下、図２を参照して、本技術の一実施形態に係る磁気記録媒体１０の製造に用いられるスパッタ装置２０の構成の一例について説明する。このスパッタ装置２０は、シード層１２、下地層１３、中間層１４および記録層１５の成膜に用いられる連続巻取式スパッタ装置であり、図２に示すように、成膜室２１と、金属キャン（回転体）であるドラム２２と、カソード２３ａ〜２３ｄと、供給リール２４と、巻き取りリール２５と、複数のガイドロール２７ａ〜２７ｃ、２８ａ〜２８ｃとを備える。スパッタ装置２０は、例えばＤＣ（直流）マグネトロンスパッタリング方式の装置であるが、スパッタリング方式はこの方式に限定されるものではない。
成膜室２１は、排気口２６を介して図示しない真空ポンプに接続され、この真空ポンプにより成膜室２１内の雰囲気が所定の真空度に設定される。成膜室２１の内部には、回転可能な構成を有するドラム２２、供給リール２４および巻き取りリール２５が配置されている。成膜室２１の内部には、供給リール２４とドラム２２との間における基体１１の搬送をガイドするための複数のガイドロール２７ａ〜２７ｃが設けられていると共に、ドラム２２と巻き取りリール２５との間における基体１１の搬送をガイドするための複数のガイドロール２８ａ〜２８ｃが設けられている。スパッタ時には、供給リール２４から巻き出された基体１１が、ガイドロール２７ａ〜２７ｃ、ドラム２２およびガイドロール２８ａ〜２８ｃを介して巻き取りリール２５に巻き取られる。ドラム２２は円柱状の形状を有し、長尺状の基体１１はドラム２２の円柱面状の周面に沿わせて搬送される。ドラム２２には、図示しない冷却機構が設けられており、スパッタ時には、例えば−２０℃程度に冷却される。成膜室２１の内部には、ドラム２２の周面に対向して複数のカソード２３ａ〜２３ｄが配置されている。これらのカソード２３ａ〜２３ｄにはそれぞれターゲットがセットされている。具体的には、カソード２３ａ、２３ｂ、２３ｃ、２３ｄにはそれぞれ、シード層１２、下地層１３、中間層１４、記録層１５を成膜するためのターゲットがセットされている。これらのカソード２３ａ〜２３ｄにより複数の種類の膜、すなわちシード層１２、下地層１３、中間層１４および記録層１５が同時に成膜される。
上述の構成を有するスパッタ装置２０では、シード層１２、下地層１３、中間層１４および記録層１５をRoll to Roll法により連続成膜することができる。
［３ 磁気記録媒体の製造方法］
本技術の一実施形態に係る磁気記録媒体１０は、例えば、以下のようにして製造することができる。
本技術の一実施形態に係る磁気記録媒体１０は、例えば、以下のようにして製造することができる。
まず、図２に示したスパッタ装置２０を用いて、シード層１２、下地層１３、中間層１４および記録層１５を基体１１の表面上に成膜する。具体的には以下のようにして成膜する。まず、成膜室２１を所定の圧力になるまで真空引きする。その後、成膜室２１内にＡｒガスなどのプロセスガスを導入しながら、カソード２３ａ〜２３ｄにセットされたターゲットをスパッタする。これにより、シード層１２、下地層１３、中間層１４および記録層１５が、走行する基体１１の表面に順次成膜される。
スパッタ時の成膜室２１の雰囲気は、例えば、１×１０-5Ｐａ〜５×１０-5Ｐａ程度に設定される。シード層１２、下地層１３、中間層１４および記録層１５の膜厚および特性（例えば磁気特性）は、基体１１を巻き取るテープライン速度、スパッタ時に導入するＡｒガスなどのプロセスガスの圧力（スパッタガス圧）、および投入電力などを調整することにより制御可能である。
次に、記録層１５上に保護層１６を成膜する。保護層１６の成膜方法としては、例えば化学気相成長（Chemical Vapor Deposition：ＣＶＤ）法または物理蒸着（physical vapor deposition：ＰＶＤ）法を用いることができる。
次に、結着剤、無機粒子および潤滑剤などを溶剤に混練、分散させることにより、バックコート層成膜用の塗料を調製する。次に、基体１１の裏面上にバックコート層成膜用の塗料を塗布して乾燥させることにより、バックコート層１８を基体１１の裏面上に成膜する。
次に、例えば潤滑剤を保護層１６上に塗布し、潤滑層１７を成膜する。潤滑剤の塗布方法としては、例えば、グラビアコーティング、ディップコーティングなどの各種塗布方法を用いることができる。次に、必要に応じて、磁気記録媒体１０を所定の幅に裁断する。以上により、図１に示した磁気記録媒体１０が得られる。
［４ 効果］
上述の一実施形態に係る磁気記録媒体１０は、基体１１と中間層１４との間にシード層１２および下地層１３を備えている。シード層１２は、Ｃｒ、ＮｉおよびＦｅを含み、面心立方格子構造を有し、この面心立方構造の（１１１）面が基体１１の表面に平行になるように優先配向している。下地層１３は、ＣｏおよびＯを含み、Ｃｏの平均原子濃度に対するＯの平均原子濃度の比が１以上であり、平均粒径が３ｎｍ以上１３ｎｍ以下であるカラム構造を有する。これにより、中間層１４の厚さを薄くして高価な材料であるＲｕをできるだけ使用せずに、良好な結晶配向を有し、かつ高い抗磁力を有する記録層１５を実現できる。したがって、高いＳＮＲを有する磁気記録媒体１０を提供できる。
上述の一実施形態に係る磁気記録媒体１０は、基体１１と中間層１４との間にシード層１２および下地層１３を備えている。シード層１２は、Ｃｒ、ＮｉおよびＦｅを含み、面心立方格子構造を有し、この面心立方構造の（１１１）面が基体１１の表面に平行になるように優先配向している。下地層１３は、ＣｏおよびＯを含み、Ｃｏの平均原子濃度に対するＯの平均原子濃度の比が１以上であり、平均粒径が３ｎｍ以上１３ｎｍ以下であるカラム構造を有する。これにより、中間層１４の厚さを薄くして高価な材料であるＲｕをできるだけ使用せずに、良好な結晶配向を有し、かつ高い抗磁力を有する記録層１５を実現できる。したがって、高いＳＮＲを有する磁気記録媒体１０を提供できる。
中間層１４に含まれるＲｕは、記録層１５の主成分であるＣｏと同じ六方稠密格子構造を有する。このため、Ｒｕには、記録層１５の結晶配向性向上とグラニュラ性促進とを両立させる効果がある。また、中間層１４に含まれるＲｕの結晶配向を更に向上させるために、中間層１４の下に下地層１３およびシード層１２を設けている。一実施形態に係る磁気記録媒体１０においては、Ｒｕを含む中間層１４とほぼ同様の効果（機能）を、面心立方格子構造を有する安価なＣｏＯを含む下地層１３で実現している。このため、中間層１４の厚さを薄くできる。また、下地層１３の結晶配向を高めるために、Ｃｒ、ＮｉおよびＦｅを含むシード層１２を設けている。
［５ 変形例］
（変形例１）
磁気記録媒体１０は、図３Ａに示すように、下地層１３上に２層構造を有する中間層３１を備えるようにしてもよい。中間層３１は、下地層１３上に設けられた第１中間層３１ａと、第１中間層３１ａ上に設けられた第２中間層３１ｂとを備える。第１中間層３１ａは、例えばＮｉＷ、ＮｉＷＺｒ、ＮｉＷＡｌまたはＴａを含んでいる。第２中間層３１ｂは、上述の一実施形態における中間層１４と同様である。
（変形例１）
磁気記録媒体１０は、図３Ａに示すように、下地層１３上に２層構造を有する中間層３１を備えるようにしてもよい。中間層３１は、下地層１３上に設けられた第１中間層３１ａと、第１中間層３１ａ上に設けられた第２中間層３１ｂとを備える。第１中間層３１ａは、例えばＮｉＷ、ＮｉＷＺｒ、ＮｉＷＡｌまたはＴａを含んでいる。第２中間層３１ｂは、上述の一実施形態における中間層１４と同様である。
（変形例２）
磁気記録媒体１０は、いわゆる二層垂直磁気記録媒体であり、図３Ｂに示すように、基体１１とシード層１２との間に単層のＳＵＬ３２をさらに備えるようにしてもよい。この磁気記録媒体１０は、単磁極型（Single Pole Type：ＳＰＴ）の記録ヘッドとトンネル磁気抵抗効果（Tunnel Magnetoresistive：ＴＭＲ）型の再生ヘッドを用いる記録再生装置に用いて好適なものである。
磁気記録媒体１０は、いわゆる二層垂直磁気記録媒体であり、図３Ｂに示すように、基体１１とシード層１２との間に単層のＳＵＬ３２をさらに備えるようにしてもよい。この磁気記録媒体１０は、単磁極型（Single Pole Type：ＳＰＴ）の記録ヘッドとトンネル磁気抵抗効果（Tunnel Magnetoresistive：ＴＭＲ）型の再生ヘッドを用いる記録再生装置に用いて好適なものである。
ＳＵＬ１３の膜厚は、好ましくは４０ｎｍ以上、より好ましくは４０ｎｍ以上１４０ｎｍ以下である。ＳＵＬ１３は、アモルファス状態の軟磁性材料を含んでいる。軟磁性材料としては、例えば、Ｃｏ系材料またはＦｅ系材料などを用いることができる。Ｃｏ系材料としては、例えば、ＣｏＺｒＮｂ、ＣｏＺｒＴａ、ＣｏＺｒＴａＮｂなどが挙げられる。Ｆｅ系材料としては、例えば、ＦｅＣｏＢ、ＦｅＣｏＺｒ、ＦｅＣｏＴａなどが挙げられる。
変形例２に係る磁気記録媒体１０では、垂直磁性層である記録層１５の下にＳＵＬ１９を設けることで、記録ヘッドからの磁界強度を高めることができる。したがって、高密度記録に適した磁気記録媒体１０を実現できる。
（変形例３）
磁気記録媒体１０は、図３Ｃに示すように、基体１１とシード層１２との間にAntiparallel Coupled ＳＵＬ（以下「ＡＰＣ−ＳＵＬ」という。）３３を備えるようにしてもよい。
磁気記録媒体１０は、図３Ｃに示すように、基体１１とシード層１２との間にAntiparallel Coupled ＳＵＬ（以下「ＡＰＣ−ＳＵＬ」という。）３３を備えるようにしてもよい。
ＡＰＣ−ＳＵＬ３３は、薄い中間層３３ｂを介して２つの軟磁性層３３ａ、３３ｃを積層し、中間層３３ｂを介した交換結合を利用して積極的に磁化を反平行に結合させた構造を有している。軟磁性層３３ａ、３３ｃの膜厚は略同一であることが好ましい。軟磁性層３３ａ、３３ｃのトータルの膜厚は、好ましくは４０ｎｍ以上、より好ましくは４０ｎｍ以上１４０ｎｍ以下である。トータルの膜厚が４０ｎｍ以上であると、より良好な記録再生特性を得ることができる。一方、トータルの膜厚が１４０ｎｍ以下であると、ＡＰＣ−ＳＵＬ３３の成膜時間が長くなり、生産性の低下を招くことを回避できる。軟磁性層３３ａ、３３ｃの材料は同一の材料であることが好ましく、その材料としては変形例２におけるＳＵＬ３２と同様の材料を用いることができる。中間層３３ｂの膜厚は、例えば０．８ｎｍ以上１．４ｎｍ以下、好ましくは０．９ｎｍ以上１．３ｎｍ以下、より好ましくは１．１ｎｍ程度である。中間層３３ｂの膜厚を０．９ｎｍ以上１．３ｎｍ以下の範囲内に選択することで、より良好な記録再生特性を得ることができる。中間層３３ｂの材料としては、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｒｕ、Ｒｈ、およびＲｅが挙げられ、特に、Ｒｕを含んでいることが好ましい。
変形例３に係る磁気記録媒体１０では、ＡＰＣ−ＳＵＬ３３を用いているので、上層部である軟磁性層３３ａと下層部である軟磁性層３３ｃとが反平行に交換結合し、残留磁化状態で上下層トータルの磁化量はゼロなる。これにより、ＡＰＣ−ＳＵＬ３３中の磁区が動いた場合に発生する、スパイク状のノイズの発生を抑えることができる。したがって、記録再生特性を更に向上することができる。
（変形例４）
上述の一実施形態では、シード層１２、下地層１３、中間層１４および記録層１５をスパッタリング法により形成する場合について説明したが、それらの層の少なくとも１層、例えば下地層１３を蒸着法により形成するようにしてもよい。また、上述の変形例１〜３における中間層３１、ＳＵＬ３２およびＡＰＣ−ＳＵＬ３３をスパッタリング法により形成するようにしてもよいし、蒸着法により形成するようにしてもよい。
上述の一実施形態では、シード層１２、下地層１３、中間層１４および記録層１５をスパッタリング法により形成する場合について説明したが、それらの層の少なくとも１層、例えば下地層１３を蒸着法により形成するようにしてもよい。また、上述の変形例１〜３における中間層３１、ＳＵＬ３２およびＡＰＣ−ＳＵＬ３３をスパッタリング法により形成するようにしてもよいし、蒸着法により形成するようにしてもよい。
以下、実施例により本技術を具体的に説明するが、本技術はこれらの実施例のみに限定されるものではない。
本実施例において、シード層、下地層、中間層、記録層および保護層の各層の厚さは、以下のようにして求められたものである。まず、磁気テープをその膜断面方向に薄く加工して試料片を作製した。次に、その試料片を透過型電子顕微鏡（Transmission Electron Microscope、以下「ＴＥＭ」という。）により観察し、そのＴＥＭ像から各層の厚さを測定した。
また、本実施例において、シード層の組成は、以下のようにして求められたものである。まず、磁気テープをイオンミリングして、ＡＥＳによるシード層の深さ方向分析（デプスプロファイル測定）を行った。次に、得られたデプスプロファイルから、膜厚方向におけるＣｒ、ＮｉおよびＦｅの平均組成（平均原子数比率）を求めた。
（実施例１）
（シード層の成膜工程）
まず、以下の成膜条件にて、非磁性基体としての長尺の高分子フィルムの表面上に、ＣｒX（ＮｉYＦｅ100-Y）100-X（但し、Ｘ＝４０、Ｙ＝８１）からなるシード層を１０ｎｍ成膜した。
成膜方式：ＤＣマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット：ＣｒＮｉＦｅターゲット
ガス種：Ａｒ
ガス圧：０．２５Ｐａ
投入電力：１．７５Ｗ／ｍｍ2
（シード層の成膜工程）
まず、以下の成膜条件にて、非磁性基体としての長尺の高分子フィルムの表面上に、ＣｒX（ＮｉYＦｅ100-Y）100-X（但し、Ｘ＝４０、Ｙ＝８１）からなるシード層を１０ｎｍ成膜した。
成膜方式：ＤＣマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット：ＣｒＮｉＦｅターゲット
ガス種：Ａｒ
ガス圧：０．２５Ｐａ
投入電力：１．７５Ｗ／ｍｍ2
（下地層の成膜工程）
次に、以下の成膜条件にて、シード層上にＣｏＯからなる下地層を５０ｎｍ成膜した。
成膜方式：ＲＦマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット：ＣｏＯターゲット
ガス種：Ａｒ
ガス圧：１Ｐａ
投入電力：０．７５Ｗ／ｍｍ2
マスク：なし
次に、以下の成膜条件にて、シード層上にＣｏＯからなる下地層を５０ｎｍ成膜した。
成膜方式：ＲＦマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット：ＣｏＯターゲット
ガス種：Ａｒ
ガス圧：１Ｐａ
投入電力：０．７５Ｗ／ｍｍ2
マスク：なし
（中間層の成膜工程）
次に、以下の成膜条件にて、下地層上にＲｕからなる中間層を２ｎｍ成膜した。
成膜方式：ＤＣマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット：Ｒｕターゲット
ガス種：Ａｒ
ガス圧：０．５Ｐａ
次に、以下の成膜条件にて、下地層上にＲｕからなる中間層を２ｎｍ成膜した。
成膜方式：ＤＣマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット：Ｒｕターゲット
ガス種：Ａｒ
ガス圧：０．５Ｐａ
（記録層の成膜工程）
次に、以下の成膜条件にて、中間層上に（ＣｏＣｒＰｔ）−（ＳｉＯ2）からなる磁気記録層を１４ｎｍ成膜した。
成膜方式：ＤＣマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット：（ＣｏＣｒＰｔ）−（ＳｉＯ2）ターゲット
ガス種：Ａｒ
ガス圧：１．５Ｐａ
次に、以下の成膜条件にて、中間層上に（ＣｏＣｒＰｔ）−（ＳｉＯ2）からなる磁気記録層を１４ｎｍ成膜した。
成膜方式：ＤＣマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット：（ＣｏＣｒＰｔ）−（ＳｉＯ2）ターゲット
ガス種：Ａｒ
ガス圧：１．５Ｐａ
（保護層の成膜工程）
次に、以下の成膜条件にて、記録層上にカーボンからなる保護層を５ｎｍ成膜した。
成膜方式：ＤＣマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット：カーボンターゲット
ガス種：Ａｒ
ガス圧：１．０Ｐａ
次に、以下の成膜条件にて、記録層上にカーボンからなる保護層を５ｎｍ成膜した。
成膜方式：ＤＣマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット：カーボンターゲット
ガス種：Ａｒ
ガス圧：１．０Ｐａ
（潤滑層の成膜工程）
次に、潤滑剤を保護層上に塗布し、潤滑層を成膜した。
次に、潤滑剤を保護層上に塗布し、潤滑層を成膜した。
（バックコート層の成膜工程）
次に、高分子フィルムの裏面上にバックコート層成膜用の塗料を塗布、乾燥することにより、バックコート層を形成した。以上により、目的とする磁気テープが得られた。
次に、高分子フィルムの裏面上にバックコート層成膜用の塗料を塗布、乾燥することにより、バックコート層を形成した。以上により、目的とする磁気テープが得られた。
（実施例２、３）
シード層の成膜工程において、シード層の膜厚を５ｎｍ、４０ｎｍに変更する以外は実施例１と同様にして磁気テープを得た。
シード層の成膜工程において、シード層の膜厚を５ｎｍ、４０ｎｍに変更する以外は実施例１と同様にして磁気テープを得た。
（実施例４、５、６）
シード層の成膜工程において、シード層の組成をＣｒX（ＮｉYＦｅ100-Y）100-X（但し、Ｘ＝４０、Ｙ＝６０、７０、９０）に変更する以外は実施例１と同様にして磁気テープを得た。
シード層の成膜工程において、シード層の組成をＣｒX（ＮｉYＦｅ100-Y）100-X（但し、Ｘ＝４０、Ｙ＝６０、７０、９０）に変更する以外は実施例１と同様にして磁気テープを得た。
（実施例７、８）
シード層の成膜工程において、シード層の組成をＣｒX（ＮｉYＦｅ100-Y）100-X（但し、Ｘ＝１０、４５、Ｙ＝８１）に変更する以外は実施例１と同様にして磁気テープを得た。
シード層の成膜工程において、シード層の組成をＣｒX（ＮｉYＦｅ100-Y）100-X（但し、Ｘ＝１０、４５、Ｙ＝８１）に変更する以外は実施例１と同様にして磁気テープを得た。
（実施例９）
下地層の成膜工程において、以下の成膜条件にて、シード層上にＣｏＯからなる下地層を５０ｎｍ成膜した。
成膜方式：蒸着方式
入射角：９０°（但し、入射角は、高分子フィルム表面を基準（０°）とした蒸着材料の入射角である。）
酸素導入量：１０００ｓｃｃｍ
下地層の成膜工程において、以下の成膜条件にて、シード層上にＣｏＯからなる下地層を５０ｎｍ成膜した。
成膜方式：蒸着方式
入射角：９０°（但し、入射角は、高分子フィルム表面を基準（０°）とした蒸着材料の入射角である。）
酸素導入量：１０００ｓｃｃｍ
（実施例１０、１１）
下地層の成膜工程において、下地層の膜厚を１００ｎｍ、１５０ｎｍに変更する以外は実施例１と同様にして磁気テープを得た。
下地層の成膜工程において、下地層の膜厚を１００ｎｍ、１５０ｎｍに変更する以外は実施例１と同様にして磁気テープを得た。
（実施例１２）
下地層の成膜工程において、投入電力を１．２５Ｗ／ｍｍ2に変更する以外は実施例１と同様にして磁気テープを得た。
下地層の成膜工程において、投入電力を１．２５Ｗ／ｍｍ2に変更する以外は実施例１と同様にして磁気テープを得た。
（実施例１３、１４）
下地層の成膜工程において、成膜条件の入射角を６０°、７０°に変更する以外は実施例９と同様にして磁気テープを得た。
下地層の成膜工程において、成膜条件の入射角を６０°、７０°に変更する以外は実施例９と同様にして磁気テープを得た。
（実施例１５、１６）
下地層の成膜工程において、マスクを用いると共に、そのマスク角度を６０°、７０°とする以外は実施例１と同様にして磁気テープを得た。なお、マスク角度を６０°、７０°に調整することによって、スパッタされた原子が高分子フィルム表面に入射する角度が約６０°、７０°に設定された。なお、入射角は、高分子フィルム表面を基準（０°）とした角度である。
下地層の成膜工程において、マスクを用いると共に、そのマスク角度を６０°、７０°とする以外は実施例１と同様にして磁気テープを得た。なお、マスク角度を６０°、７０°に調整することによって、スパッタされた原子が高分子フィルム表面に入射する角度が約６０°、７０°に設定された。なお、入射角は、高分子フィルム表面を基準（０°）とした角度である。
（実施例１７）
中間層の成膜工程と磁気記録層の成膜工程との間に、以下の中間層の成膜工程をさらに備える以外は実施例１と同様にして磁気テープを得た。
中間層の成膜工程と磁気記録層の成膜工程との間に、以下の中間層の成膜工程をさらに備える以外は実施例１と同様にして磁気テープを得た。
（中間層の成膜工程）
以下の成膜条件にて、下地層上にＮｉＷからなる中間層を１０ｎｍ成膜した。
成膜方式：ＤＣマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット：ＮｉＷターゲット
ガス種：Ａｒ
ガス圧：０．５Ｐａ
以下の成膜条件にて、下地層上にＮｉＷからなる中間層を１０ｎｍ成膜した。
成膜方式：ＤＣマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット：ＮｉＷターゲット
ガス種：Ａｒ
ガス圧：０．５Ｐａ
（実施例１８）
シード層の成膜工程前において、以下の単層構造のＳＵＬの成膜工程をさらに備える以外は、実施例１と同様にして磁気テープを得た。
シード層の成膜工程前において、以下の単層構造のＳＵＬの成膜工程をさらに備える以外は、実施例１と同様にして磁気テープを得た。
（単層構造のＳＵＬの成膜工程）
以下の成膜条件にて、長尺の高分子フィルムの表面上にＣｏＺｒＮｂからなる単層構造のＳＵＬを２０ｎｍ成膜した。
成膜方式：ＤＣマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット：ＣｏＺｒＮｂターゲット
ガス種：Ａｒ
ガス圧：０．１Ｐａ
以下の成膜条件にて、長尺の高分子フィルムの表面上にＣｏＺｒＮｂからなる単層構造のＳＵＬを２０ｎｍ成膜した。
成膜方式：ＤＣマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット：ＣｏＺｒＮｂターゲット
ガス種：Ａｒ
ガス圧：０．１Ｐａ
（実施例１９）
単層構造のＳＵＬの成膜工程に代えて、以下のＡＰＣ−ＳＵＬの成膜工程を備える以外は、実施例１８と同様にして磁気テープを得た。
単層構造のＳＵＬの成膜工程に代えて、以下のＡＰＣ−ＳＵＬの成膜工程を備える以外は、実施例１８と同様にして磁気テープを得た。
（ＡＰＣ−ＳＵＬの成膜工程）
まず、以下の成膜条件にて、長尺の高分子フィルムの表面上にＣｏＺｒＮｂからなる第１軟磁性層を５０ｎｍ成膜した。
成膜方式：ＤＣマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット：ＣｏＺｒＮｂターゲット
ガス種：Ａｒ
ガス圧：０．１Ｐａ
まず、以下の成膜条件にて、長尺の高分子フィルムの表面上にＣｏＺｒＮｂからなる第１軟磁性層を５０ｎｍ成膜した。
成膜方式：ＤＣマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット：ＣｏＺｒＮｂターゲット
ガス種：Ａｒ
ガス圧：０．１Ｐａ
次に、以下の成膜条件にて、第１軟磁性層上にＲｕからなる中間層を１．０ｎｍ成膜した。
成膜方式：ＤＣマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット：Ｒｕターゲット
ガス種：Ａｒ
ガス圧：０．３Ｐａ
成膜方式：ＤＣマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット：Ｒｕターゲット
ガス種：Ａｒ
ガス圧：０．３Ｐａ
次に、以下の成膜条件にて、中間層上にＣｏＺｒＮｂからなる第２軟磁性層を５０ｎｍ成膜した。
成膜方式：ＤＣマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット：ＣｏＺｒＮｂターゲット
ガス種：Ａｒ
ガス圧：０．１Ｐａ
成膜方式：ＤＣマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット：ＣｏＺｒＮｂターゲット
ガス種：Ａｒ
ガス圧：０．１Ｐａ
（比較例１、２、３、４）
シード層の成膜工程において、シード層の膜厚を２ｎｍ、４ｎｍ、４５ｎｍ、５０ｎｍに変更する以外は実施例１と同様にして磁気テープを得た。
シード層の成膜工程において、シード層の膜厚を２ｎｍ、４ｎｍ、４５ｎｍ、５０ｎｍに変更する以外は実施例１と同様にして磁気テープを得た。
（比較例５）
シード層の成膜工程において、ガス圧を１Ｐａに変更する以外は実施例１と同様にして磁気テープを得た。
シード層の成膜工程において、ガス圧を１Ｐａに変更する以外は実施例１と同様にして磁気テープを得た。
（比較例６、７）
シード層の成膜工程において、シード層の組成をＣｒX（ＮｉYＦｅ100-Y）100-X（Ｘ＝５、５０、Ｙ＝８１）に変更する以外は実施例１と同様にして磁気テープを得た。
シード層の成膜工程において、シード層の組成をＣｒX（ＮｉYＦｅ100-Y）100-X（Ｘ＝５、５０、Ｙ＝８１）に変更する以外は実施例１と同様にして磁気テープを得た。
（比較例８、９）
シード層の成膜工程において、シード層の組成をＣｒX（ＮｉYＦｅ100-Y）100-X（Ｘ＝４０、Ｙ＝５５、９５）に変更する以外は実施例１と同様にして磁気テープを得た。
シード層の成膜工程において、シード層の組成をＣｒX（ＮｉYＦｅ100-Y）100-X（Ｘ＝４０、Ｙ＝５５、９５）に変更する以外は実施例１と同様にして磁気テープを得た。
（比較例１０、１１、１２）
下地層の成膜工程において、酸素導入量を５００ｓｃｃｍ、７００ｓｃｃｍ、９００ｓｃｃｍに変更する以外は実施例９と同様にして磁気テープを得た。
下地層の成膜工程において、酸素導入量を５００ｓｃｃｍ、７００ｓｃｃｍ、９００ｓｃｃｍに変更する以外は実施例９と同様にして磁気テープを得た。
（比較例１３）
下地層の成膜工程において、下地層の膜厚を１６０ｎｍに変更する以外は実施例１と同様にして磁気テープを得た。
下地層の成膜工程において、下地層の膜厚を１６０ｎｍに変更する以外は実施例１と同様にして磁気テープを得た。
（比較例１４）
下地層の成膜工程において、ガス圧を０．５Ｐａに変更する以外は実施例１と同様にして磁気テープを得た。
下地層の成膜工程において、ガス圧を０．５Ｐａに変更する以外は実施例１と同様にして磁気テープを得た。
（比較例１５）
下地層の成膜工程において、投入電力を１．５Ｗ／ｍｍ2に変更する以外は実施例１と同様にして磁気テープを得た。
下地層の成膜工程において、投入電力を１．５Ｗ／ｍｍ2に変更する以外は実施例１と同様にして磁気テープを得た。
（特性評価）
上述のようにして得られた実施例１〜１９、比較例１〜１５の磁気テープについて、以下の評価を行った。
上述のようにして得られた実施例１〜１９、比較例１〜１５の磁気テープについて、以下の評価を行った。
（Ｏ、Ｃｏ原子濃度比）
まず、磁気テープをイオンミリングして、ＡＥＳにより下地層の深さ方向分析を行うことにより、深さ方向におけるＣｏ、Ｏ原子それぞれの平均原子濃度（at（atomic）％）を求めた。次に、Ｏ原子の平均原子濃度に対するＣｏ原子の平均原子濃度の濃度比（（Ｃｏ原子の平均原子濃度）／（Ｏ原子の平均原子濃度））を求めた。
まず、磁気テープをイオンミリングして、ＡＥＳにより下地層の深さ方向分析を行うことにより、深さ方向におけるＣｏ、Ｏ原子それぞれの平均原子濃度（at（atomic）％）を求めた。次に、Ｏ原子の平均原子濃度に対するＣｏ原子の平均原子濃度の濃度比（（Ｃｏ原子の平均原子濃度）／（Ｏ原子の平均原子濃度））を求めた。
（平均粒径）
まず、磁気テープの表面から中間層までをイオンミリングにより除去するとともに、磁気テープの裏面側よりシード層までをイオンミリングにより除去した。次に、残った膜片をＴＥＭにより観察し、そのＴＥＭ像から無作為に粒子を１００個選び出し、各粒子の面積Ｓを求めた。次に、粒子の断面形状が円形であると仮定して、以下の式から各粒子の粒径（直径）Ｒを求めた。
Ｒ＝２×（Ｓ／π）1/2
次に、求めた１００個の粒子の粒径を単純に平均（算術平均）してカラムの平均粒径を求めた。
まず、磁気テープの表面から中間層までをイオンミリングにより除去するとともに、磁気テープの裏面側よりシード層までをイオンミリングにより除去した。次に、残った膜片をＴＥＭにより観察し、そのＴＥＭ像から無作為に粒子を１００個選び出し、各粒子の面積Ｓを求めた。次に、粒子の断面形状が円形であると仮定して、以下の式から各粒子の粒径（直径）Ｒを求めた。
Ｒ＝２×（Ｓ／π）1/2
次に、求めた１００個の粒子の粒径を単純に平均（算術平均）してカラムの平均粒径を求めた。
（カラムの傾斜角）
まず、磁気テープをその膜断面方向に薄く加工して試料片を作製した。次に、その試料片をＴＥＭ観察し、そのＴＥＭ像から下地層のカラムの傾斜角を測定した。ここで、傾斜角は、下地層のシード層側の表面（界面）を基準（０°）として測定された角度である。
まず、磁気テープをその膜断面方向に薄く加工して試料片を作製した。次に、その試料片をＴＥＭ観察し、そのＴＥＭ像から下地層のカラムの傾斜角を測定した。ここで、傾斜角は、下地層のシード層側の表面（界面）を基準（０°）として測定された角度である。
（Ｘ線回折強度比率）
まず、磁気テープの膜法面内にて（θ−２θ）特性を測定した。その結果、２θ：４４°（Ｎｉ ｆｃｃ（１１１面））にピークが観察され、Ｎｉの面心立方格子（ｆｃｃ）構造の（１１１）面が高分子フィルム表面に平行になるように優先配向していることがわかった。次に、２θ：４４°（Ｎｉ ｆｃｃ（１１１面））のピーク強度Ｉをシード層の厚さＤで除算した値（Ｉ／Ｄ）をＸ線回折強度比率として求めた。なお、シード層の厚さは、上述したように、作製した試料片をＴＥＭ観察することにより求めたものである。
まず、磁気テープの膜法面内にて（θ−２θ）特性を測定した。その結果、２θ：４４°（Ｎｉ ｆｃｃ（１１１面））にピークが観察され、Ｎｉの面心立方格子（ｆｃｃ）構造の（１１１）面が高分子フィルム表面に平行になるように優先配向していることがわかった。次に、２θ：４４°（Ｎｉ ｆｃｃ（１１１面））のピーク強度Ｉをシード層の厚さＤで除算した値（Ｉ／Ｄ）をＸ線回折強度比率として求めた。なお、シード層の厚さは、上述したように、作製した試料片をＴＥＭ観察することにより求めたものである。
表１に、Ｘ線回折強度の測定条件を示す。
なお、データ処理ソフトとしては、付属のピークサーチソフトとＸＲＤ解析処理ソフトＪＡＤＥを使用した。
（磁気特性）
磁気テープの垂直保磁力Ｈｃおよび垂直角型比Ｒｓを振動試料磁力計（Vibrating Sample Magnetometer：ＶＳＭ）を用いて測定した。
磁気テープの垂直保磁力Ｈｃおよび垂直角型比Ｒｓを振動試料磁力計（Vibrating Sample Magnetometer：ＶＳＭ）を用いて測定した。
（記録再生特性）
［ＳＵＬを持たない磁気テープの場合］
以下のようにして記録再生特性を評価した。まず、リング型の記録ヘッドと巨大磁気抵抗効果（Giant Magnetoresistive：ＧＭＲ）型の再生ヘッドを用い、ピエゾステージによりこのヘッドを往復振動させることにより記録再生を行う、所謂、ドラッグテスタにて測定を行った。ここで、再生ヘッドのリードトラック幅は１２０ｎｍとした。次に、記録波長を２５０ｋＦＣＩ（kilo Flux Changes per Inch）とし、ＳＮＲを、再生波形のゼロ・トゥ・ピーク電圧と、ノイズスペクトラムを０ｋＦＣＩ〜５００ｋＦＣＩの帯域で積分した値から求めた電圧との比により計算して求めた。
［ＳＵＬを持たない磁気テープの場合］
以下のようにして記録再生特性を評価した。まず、リング型の記録ヘッドと巨大磁気抵抗効果（Giant Magnetoresistive：ＧＭＲ）型の再生ヘッドを用い、ピエゾステージによりこのヘッドを往復振動させることにより記録再生を行う、所謂、ドラッグテスタにて測定を行った。ここで、再生ヘッドのリードトラック幅は１２０ｎｍとした。次に、記録波長を２５０ｋＦＣＩ（kilo Flux Changes per Inch）とし、ＳＮＲを、再生波形のゼロ・トゥ・ピーク電圧と、ノイズスペクトラムを０ｋＦＣＩ〜５００ｋＦＣＩの帯域で積分した値から求めた電圧との比により計算して求めた。
一般に、記録再生システムを成立させるのに最低必要となるＳＮＲは、上記記録再生特性の評価に用いた測定方法（所謂 Broadband SNR）で得られる値の場合１７ｄＢ程度といわれている。更に、磁気テープと磁気ヘッドの摺動にて発生する出力低下や、磁気テープの変形などの実用上の特性低下を考慮した場合、更にＳＮＲマージンを設定することが望ましい。このマージンを考慮すると、ＳＮＲは２０ｄＢ以上であることが好ましいと考えられる。
［ＳＵＬを持つ磁気テープの場合］
以下のようにして記録再生特性を評価した。まず、Single Pole型の記録ヘッドとトンネル磁気抵抗効果（Tunnel Magnetoresistive：ＴＭＲ）型の再生ヘッドを用い、ピエゾステージによりこのヘッドを往復振動させることにより記録再生を行う、所謂、ドラッグテスタにて測定を行った。１００Ｇｂ／ｉｎ2を超える高記録密度記録領域では、垂直磁気記録媒体であっても主に記録の問題で、十分な記録再生特性を実現することが難しく、垂直方向に急峻な磁界を発生できる単磁極（Single Pole Type：ＳＰＴ）ヘッドと軟磁性裏打ち層（ＳＵＬ）を有する２層垂直記録媒体の組み合わせが必要である。また、巨大磁気抵抗ヘッドに比べて磁気抵抗変化率が大きく再生感度の高いトンネル磁気抵抗効果（Tunnel Magnetoresistive：ＴＭＲ）型の再生ヘッドも必要と思われる。そのような理由から、ここでは、ＳＰＴ記録ヘッドとＴＭＲ再生ヘッドによる評価を実施した。ここで、再生ヘッドのリードトラック幅は７５ｎｍとした。次に、記録波長を３００ｋＦＣＩ（kilo Flux Changes per Inch）とし、ＳＮＲを、再生波形のゼロ・トゥ・ピーク電圧と、ノイズスペクトラムを０ｋＦＣＩ〜６００ｋＦＣＩの帯域で積分した値から求めた電圧との比により計算して求めた。
以下のようにして記録再生特性を評価した。まず、Single Pole型の記録ヘッドとトンネル磁気抵抗効果（Tunnel Magnetoresistive：ＴＭＲ）型の再生ヘッドを用い、ピエゾステージによりこのヘッドを往復振動させることにより記録再生を行う、所謂、ドラッグテスタにて測定を行った。１００Ｇｂ／ｉｎ2を超える高記録密度記録領域では、垂直磁気記録媒体であっても主に記録の問題で、十分な記録再生特性を実現することが難しく、垂直方向に急峻な磁界を発生できる単磁極（Single Pole Type：ＳＰＴ）ヘッドと軟磁性裏打ち層（ＳＵＬ）を有する２層垂直記録媒体の組み合わせが必要である。また、巨大磁気抵抗ヘッドに比べて磁気抵抗変化率が大きく再生感度の高いトンネル磁気抵抗効果（Tunnel Magnetoresistive：ＴＭＲ）型の再生ヘッドも必要と思われる。そのような理由から、ここでは、ＳＰＴ記録ヘッドとＴＭＲ再生ヘッドによる評価を実施した。ここで、再生ヘッドのリードトラック幅は７５ｎｍとした。次に、記録波長を３００ｋＦＣＩ（kilo Flux Changes per Inch）とし、ＳＮＲを、再生波形のゼロ・トゥ・ピーク電圧と、ノイズスペクトラムを０ｋＦＣＩ〜６００ｋＦＣＩの帯域で積分した値から求めた電圧との比により計算して求めた。
一般に、記録再生システムを成立させるのに最低必要となるＳＮＲは、上記記録再生特性の評価に用いた測定方法（所謂 Broadband SNR）で得られる値の場合１７ｄＢ程度といわれている。更に、磁気テープと磁気ヘッドの摺動にて発生する出力低下や、磁気テープの変形などの実用上の特性低下を考慮した場合、更にＳＮＲマージンを設定することが望ましい。このマージンを考慮すると、ＳＮＲは２０ｄＢ以上であることが好ましいと考えられる。
なお、本実施例の磁気テープでは、線記録密度が６００ｋＢＰＩ（Bit Per Inch）であり、トラックピットを再生ヘッドのトラック幅の２倍として、トラック密度が１６９ｋＴＰＩ（Tracks Per Inch）であると考えると、６００ｋＢＰＩ×１６９ｋＴＰＩ＝１０１Ｇｂ／ｉｎ2の面記録密度を実現できることになる。
表２Ａに、実施例１〜１９の磁気テープの構成を示す。
表２Ｂに、実施例１〜１９の磁気テープの構成を示す。
表２Ｃに、実施例１〜１９の磁気テープの評価結果を示す。
表３Ａに、比較例１〜１５の磁気テープの構成を示す。
表３Ｂに、比較例１〜１５の磁気テープの構成を示す。
表３Ｃに、比較例１〜１５の磁気テープの評価結果を示す。
上記評価結果から以下のことがわかる。
実施例１〜１９では、（１）シード層がＣｒ、ＮｉおよびＦｅを含み、面心立方構造の（１１１）面が基体としての高分子フィルムの表面に平行になるように優先配向し、Ｘ線回折の強度比率は、６０ｃｐｓ／ｎｍ以上である。また、（２）下地層がＣｏおよびＯを含み、Ｃｏの平均原子濃度に対するＯの平均原子濃度の比が１以上であり、平均粒径が３ｎｍ以上１３ｎｍ以下であるカラム構造を有する。このため、良好な垂直保磁力Ｈｃおよび垂直角型比Ｒｓが両立され、良好なＳＮＲが得られている。
比較例１〜９では、（１）Ｘ線回折の強度比率が６０ｃｐｓ／ｎｍ未満である。このため、良好な垂直保磁力Ｈｃおよび垂直角型比Ｒｓが両立されず、良好なＳＮＲが得られていない。
比較例１０〜１２では、（２）Ｃｏの平均原子濃度に対するＯの平均原子濃度の比が１未満である。このため、良好な垂直保磁力Ｈｃおよび垂直角型比Ｒｓが両立されず、良好なＳＮＲが得られていない。
比較例１０〜１２では、（２）カラム構造の平均粒径が３ｎｍ以上１３ｎｍ以下から外れている。このため、良好な垂直保磁力Ｈｃおよび垂直角型比Ｒｓが両立されず、良好なＳＮＲが得られていない。
実施例１〜１９では、（１）シード層がＣｒ、ＮｉおよびＦｅを含み、面心立方構造の（１１１）面が基体としての高分子フィルムの表面に平行になるように優先配向し、Ｘ線回折の強度比率は、６０ｃｐｓ／ｎｍ以上である。また、（２）下地層がＣｏおよびＯを含み、Ｃｏの平均原子濃度に対するＯの平均原子濃度の比が１以上であり、平均粒径が３ｎｍ以上１３ｎｍ以下であるカラム構造を有する。このため、良好な垂直保磁力Ｈｃおよび垂直角型比Ｒｓが両立され、良好なＳＮＲが得られている。
比較例１〜９では、（１）Ｘ線回折の強度比率が６０ｃｐｓ／ｎｍ未満である。このため、良好な垂直保磁力Ｈｃおよび垂直角型比Ｒｓが両立されず、良好なＳＮＲが得られていない。
比較例１０〜１２では、（２）Ｃｏの平均原子濃度に対するＯの平均原子濃度の比が１未満である。このため、良好な垂直保磁力Ｈｃおよび垂直角型比Ｒｓが両立されず、良好なＳＮＲが得られていない。
比較例１０〜１２では、（２）カラム構造の平均粒径が３ｎｍ以上１３ｎｍ以下から外れている。このため、良好な垂直保磁力Ｈｃおよび垂直角型比Ｒｓが両立されず、良好なＳＮＲが得られていない。
以上、本技術の実施形態およびその変形例、ならびに実施例について具体的に説明したが、本技術は、上述の実施形態およびその変形例、ならびに実施例に限定されるものではなく、本技術の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。
例えば、上述の実施形態およびその変形例、ならびに実施例において挙げた構成、方法、工程、形状、材料および数値などはあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異なる構成、方法、工程、形状、材料および数値などを用いてもよい。
また、上述の実施形態およびその変形例、ならびに実施例の構成、方法、工程、形状、材料および数値などは、本技術の主旨を逸脱しない限り、互いに組み合わせることが可能である。
また、本技術は以下の構成を採用することもできる。
（１）
可とう性を有する長尺状の基体と、
前記基体上に設けられ、Ｃｒ、ＮｉおよびＦｅを含み、面心立方格子構造を有し、該面心立方構造の（１１１）面が前記基体表面に平行になるように優先配向している第１層と、
前記第１層上に設けられ、ＣｏおよびＯを含み、Ｃｏの平均原子濃度に対するＯの平均原子濃度の比が１以上であり、平均粒径が３ｎｍ以上１３ｎｍ以下であるカラム構造を有する第２層と、
前記第２層上に設けられ、Ｒｕを含む第３層と、
前記第３層上に設けられた垂直記録層と
を備える磁気記録媒体。
（２）
前記第１層におけるＸ線回折の強度比率は、６０ｃｐｓ／ｎｍ以上である（１）に記載の磁気記録媒体。
（３）
前記第１層に含まれるＣｒ、ＮｉおよびＦｅは、以下の式（Ａ）で表される平均組成を有する（１）または（２）に記載の磁気記録媒体。
ＣｒX（ＮｉYＦｅ100-Y）100-X ・・・（Ａ）
（但し、Ｘは１０≦Ｘ≦４５、Ｙは６０≦Ｙ≦９０の範囲内である。）
（４）
前記第１層の厚さは、５ｎｍ以上４０ｎｍ以下である（１）から（３）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（５）
前記第２層の厚さは、１０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下である（１）から（４）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（６）
前記カラム構造の傾斜角は、６０°以上９０°以下である（１）から（５）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（７）
前記基体と前記第１層との間に設けられた軟磁性層をさらに備える（１）から（６）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（８）
前記軟磁性層は、第１軟磁性層と、中間層と、第２軟磁性層とを備える（７）に記載の磁気記録媒体。
（９）
前記垂直記録層は、Ｃｏ、ＰｔおよびＣｒを含む粒子が酸化物で分離されたグラニュラ構造を有する（１）から（８）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（１０）
下記の一般式（１）で表されるカルボン酸系化合物の少なくとも１種を含む潤滑層をさらに備える（１）から（９）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
一般式（１）：
（式中、Ｒｆは非置換若しくは置換の、また、飽和若しくは不飽和の、含フッ素炭化水素基或いは炭化水素基、Ｅｓはエステル結合、Ｒは、なくてもよいが、非置換若しくは置換の、また、飽和若しくは不飽和の炭化水素基である。）
（１１）
下記の一般式（２）および（３）で表されるカルボン酸系化合物の一方または両方を含む潤滑層をさらに備える（１）から（９）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
一般式（２）：
（式中、Ｒｆは、非置換若しくは置換の、また、飽和若しくは不飽和の、含フッ素炭化水素基或いは炭化水素基である。）
一般式（３）：
（式中、Ｒｆは、非置換若しくは置換の、また、飽和若しくは不飽和の、含フッ素炭化水素基或いは炭化水素基である。）
（１２）
Ｒｆは、総炭素数が６〜５０であり、且つフッ化炭化水素基の総炭素数が４〜２０である、飽和若しくは不飽和の含フッ素炭化水素である（１１）に記載の磁気記録媒体。
（１）
可とう性を有する長尺状の基体と、
前記基体上に設けられ、Ｃｒ、ＮｉおよびＦｅを含み、面心立方格子構造を有し、該面心立方構造の（１１１）面が前記基体表面に平行になるように優先配向している第１層と、
前記第１層上に設けられ、ＣｏおよびＯを含み、Ｃｏの平均原子濃度に対するＯの平均原子濃度の比が１以上であり、平均粒径が３ｎｍ以上１３ｎｍ以下であるカラム構造を有する第２層と、
前記第２層上に設けられ、Ｒｕを含む第３層と、
前記第３層上に設けられた垂直記録層と
を備える磁気記録媒体。
（２）
前記第１層におけるＸ線回折の強度比率は、６０ｃｐｓ／ｎｍ以上である（１）に記載の磁気記録媒体。
（３）
前記第１層に含まれるＣｒ、ＮｉおよびＦｅは、以下の式（Ａ）で表される平均組成を有する（１）または（２）に記載の磁気記録媒体。
ＣｒX（ＮｉYＦｅ100-Y）100-X ・・・（Ａ）
（但し、Ｘは１０≦Ｘ≦４５、Ｙは６０≦Ｙ≦９０の範囲内である。）
（４）
前記第１層の厚さは、５ｎｍ以上４０ｎｍ以下である（１）から（３）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（５）
前記第２層の厚さは、１０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下である（１）から（４）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（６）
前記カラム構造の傾斜角は、６０°以上９０°以下である（１）から（５）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（７）
前記基体と前記第１層との間に設けられた軟磁性層をさらに備える（１）から（６）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（８）
前記軟磁性層は、第１軟磁性層と、中間層と、第２軟磁性層とを備える（７）に記載の磁気記録媒体。
（９）
前記垂直記録層は、Ｃｏ、ＰｔおよびＣｒを含む粒子が酸化物で分離されたグラニュラ構造を有する（１）から（８）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（１０）
下記の一般式（１）で表されるカルボン酸系化合物の少なくとも１種を含む潤滑層をさらに備える（１）から（９）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
一般式（１）：
（１１）
下記の一般式（２）および（３）で表されるカルボン酸系化合物の一方または両方を含む潤滑層をさらに備える（１）から（９）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
一般式（２）：
一般式（３）：
（１２）
Ｒｆは、総炭素数が６〜５０であり、且つフッ化炭化水素基の総炭素数が４〜２０である、飽和若しくは不飽和の含フッ素炭化水素である（１１）に記載の磁気記録媒体。
１０ 磁気記録媒体
１１ 基体
１２ シード層
１３ 下地層
１４、３１ 中間層
１５ 記録層
１６ 保護層
１７ 潤滑層
１８ バックコート層
２０ スパッタ装置
２１ 成膜室
２２ ドラム
２３ａ、２３ｂ、２３ｃ カソード
２４ 供給リール
２５ 巻き取りリール
３１ａ 第１中間層
３１ｂ 第２中間層
３２ ＳＵＬ
３３ ＡＰＣ−ＳＵＬ
３３ａ、３３ｃ 軟磁性層
３３ｂ 中間層
１１ 基体
１２ シード層
１３ 下地層
１４、３１ 中間層
１５ 記録層
１６ 保護層
１７ 潤滑層
１８ バックコート層
２０ スパッタ装置
２１ 成膜室
２２ ドラム
２３ａ、２３ｂ、２３ｃ カソード
２４ 供給リール
２５ 巻き取りリール
３１ａ 第１中間層
３１ｂ 第２中間層
３２ ＳＵＬ
３３ ＡＰＣ−ＳＵＬ
３３ａ、３３ｃ 軟磁性層
３３ｂ 中間層
Claims (12)
- 可とう性を有する長尺状の基体と、
前記基体上に設けられ、Ｃｒ、ＮｉおよびＦｅを含み、面心立方格子構造を有し、該面心立方構造の（１１１）面が前記基体表面に平行になるように優先配向している第１層と、
前記第１層上に設けられ、ＣｏおよびＯを含み、Ｃｏの平均原子濃度に対するＯの平均原子濃度の比が１以上であり、平均粒径が３ｎｍ以上１３ｎｍ以下であるカラム構造を有する第２層と、
前記第２層上に設けられ、Ｒｕを含む第３層と、
前記第３層上に設けられた垂直記録層と
を備える磁気記録媒体。 - 前記第１層におけるＸ線回折の強度比率は、６０ｃｐｓ／ｎｍ以上である請求項１に記載の磁気記録媒体。
- 前記第１層に含まれるＣｒ、ＮｉおよびＦｅは、以下の式（Ａ）で表される平均組成を有する請求項１または２に記載の磁気記録媒体。
ＣｒX（ＮｉYＦｅ100-Y）100-X ・・・（Ａ）
（但し、Ｘは１０≦Ｘ≦４５、Ｙは６０≦Ｙ≦９０の範囲内である。） - 前記第１層の厚さは、５ｎｍ以上４０ｎｍ以下である請求項１から３のいずれかに記載の磁気記録媒体。
- 前記第２層の厚さは、１０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下である請求項１から４のいずれかに記載の磁気記録媒体。
- 前記カラム構造の傾斜角は、６０°以下である請求項１から５のいずれかに記載の磁気記録媒体。
- 前記基体と前記第１層との間に設けられた軟磁性層をさらに備える請求項１から６のいずれかに記載の磁気記録媒体。
- 前記軟磁性層は、第１軟磁性層と、中間層と、第２軟磁性層とを備える請求項７に記載の磁気記録媒体。
- 前記垂直記録層は、Ｃｏ、ＰｔおよびＣｒを含む粒子が酸化物で分離されたグラニュラ構造を有する請求項１から８のいずれかに記載の磁気記録媒体。
- 下記の一般式（１）で表されるカルボン酸系化合物の少なくとも１種を含む潤滑層をさらに備える請求項１から９のいずれかに記載の磁気記録媒体。
一般式（１）：
- 下記の一般式（２）および（３）で表されるカルボン酸系化合物の一方または両方を含む潤滑層をさらに備える請求項１から９のいずれかに記載の磁気記録媒体。
一般式（２）：
一般式（３）：
- Ｒｆは、総炭素数が６〜５０であり、且つフッ化炭化水素基の総炭素数が４〜２０である、飽和若しくは不飽和の含フッ素炭化水素基である請求項１１に記載の磁気記録媒体。
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