DE112016005258T5

DE112016005258T5 - Magnetaufzeichnungsmedium

Info

Publication number: DE112016005258T5
Application number: DE112016005258.8T
Authority: DE
Inventors: Junichi Tachibana; Tetsuo Endo; Tomoe Ozaki; Takashi Aizawa
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 2015-11-17
Filing date: 2016-11-16
Publication date: 2018-08-16
Also published as: CN108352170B; WO2017085931A1; CN108352170A; JPWO2017085931A1; JP6825573B2; US20190080712A1; US10789979B2

Abstract

Dieses Magnetaufzeichnungsmedium ist mit Folgendem versehen: einem flexiblen langgestreckten Substrat; einer ersten Schicht, die auf dem Substrat bereitgestellt ist, Cr, Ni und Fe enthält und eine kubisch-flächenzentrierte Gitterstruktur aufweist, die eine (111)-Ebene aufweist, die vorzugsweise so orientiert ist, dass sie zu der Oberfläche des Substrats parallel ist; eine zweite Schicht, die auf der ersten Schicht bereitgestellt ist, Co und O enthält, ein Verhältnis der durchschnittlichen Atomkonzentration des O zu der durchschnittlichen Atomkonzentration des Co von 1 oder mehr aufweist und eine Säulenstruktur mit einem durchschnittlichen Teilchendurchmesser von 3 nm oder mehr und 13 nm oder weniger aufweist; eine dritte Schicht, die auf der zweiten Schicht bereitgestellt ist und Ru enthält; und eine vertikale Aufzeichnungsschicht, die auf der dritten Schicht vorgesehen ist.

Description

TECHNISCHES GEBIET
Die vorliegende Technik bezieht sich auf ein Magnetaufzeichnungsmedium. Genauer bezieht sich die vorliegende Technik auf ein Magnetaufzeichnungsmedium, das mit einer senkrechten Aufzeichnungsschicht versehen ist.
TECHNISCHER HINTERGRUND
In den letzten Jahren hat es aufgrund der Entwicklung der Informationsgesellschaft (IT-Gesellschaft) der Digitalisierung in Bibliotheken, Archiven und dergleichen und der langfristigen Speicherung von Geschäftsdokumenten einen zunehmenden Bedarf an zunehmender Kapazität eines Magnetaufzeichnungsmediums für die Datenspeicherung gegeben. Um auf einen derartigen Bedarf zu reagieren, ist ein Magnetaufzeichnungsmedium, das mit einer senkrechten Aufzeichnungsschicht versehen ist, vorgeschlagen worden.
Im Patentdokument 1 ist z. B. als das oben beschriebene Magnetaufzeichnungsmedium ein Magnetaufzeichnungsmedium offenbart worden, in dem wenigstens eine amorphe Schicht, eine Saatschicht, eine Basisschicht, eine Magnetschicht und eine Schutzschicht sequentiell auf einem nichtmagnetischen Träger ausgebildet sind.
LISTE DER ENTGEGENHALTUNGEN
PATENTDOKUMENT
Patentdokument 1: japanische Offenlegungsschrift Nr. 2005-196885
ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
DIE DURCH DIE ERFINDUNG ZU LÖSENDEN PROBLEME
Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Technik, ein Magnetaufzeichnungsmedium bereitzustellen, das einen hohen Rauschabstand (SNR) aufweist.
DIE LÖSUNGEN FÜR DIE PROBLEME
Um das obige Problem zu lösen, ist die vorliegende Technik ein Magnetaufzeichnungsmedium, das Folgendes enthält: ein langgestrecktes Substrat, das Flexibilität aufweist; eine erste Schicht, die auf dem Substrat bereitgestellt ist, Cr, Ni und Fe enthält und eine kubisch-flächenzentrierte Gitterstruktur mit einer (111) -Ebene, die vorzugsweise so orientiert ist, dass sie zu einer Oberfläche des Substrats parallel ist, aufweist; eine zweite Schicht, die auf der ersten Schicht bereitgestellt ist, Co und O enthält, ein Verhältnis einer durchschnittlichen Atomkonzentration des O zu einer durchschnittlichen Atomkonzentration des Co von 1 oder mehr aufweist und eine Säulenstruktur mit einem durchschnittlichen Teilchendurchmesser von 3 nm oder mehr und 13 nm oder weniger aufweist; eine dritte Schicht, die auf der zweiten Schicht bereitgestellt ist und Ru enthält; und eine senkrechte Aufzeichnungsschicht, die auf der dritten Schicht bereitgestellt ist.
DIE WIRKUNGEN DER ERFINDUNG
Wie oben beschrieben worden ist, kann gemäß der vorliegenden Technik ein Magnetaufzeichnungsmedium, das einen hohen SNR aufweist, bereitgestellt werden.
Figurenliste

1 ist eine Schnittansicht, die ein Beispiel eines Aufbaus eines Magnetaufzeichnungsmediums gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Technik schematisch zeigt.
2 ist eine schematische Ansicht, die ein Beispiel einer Konfiguration einer Sputter-Vorrichtung schematisch zeigt, die zum Herstellen des Magnetaufzeichnungsmediums gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Technik verwendet wird.
3A ist eine Schnittansicht, die ein Beispiel eines Aufbaus des Magnetaufzeichnungsmediums gemäß dem Modifikationsbeispiel 1 einer Ausführungsform der vorliegenden Technik schematisch zeigt. 3B ist eine Schnittansicht, die ein Beispiel eines Aufbaus des Magnetaufzeichnungsmediums gemäß dem Modifikationsbeispiel 2 einer Ausführungsform der vorliegenden Technik schematisch zeigt. 3C ist eine Schnittansicht, die ein Beispiel eines Aufbaus des Magnetaufzeichnungsmediums gemäß dem Modifikationsbeispiel 3 einer Ausführungsform der vorliegenden Technik schematisch zeigt.

DIE ART ZUM AUSFÜHREN DER ERFINDUNG
Die Ausführungsformen der vorliegenden Technik werden in der folgenden Reihenfolge bezüglich der Zeichnungen beschrieben. Es wird angegeben, dass in allen Zeichnungen der folgenden Ausführungsformen völlig gleiche oder entsprechende Teile durch die gleichen Bezugszeichen bezeichnet sind.

Die Ausführungsformen der vorliegenden Technik werden in der folgenden Reihenfolge beschrieben.

1	Der Aufbau des Magnetaufzeichnungsmediums
2	Die Konfiguration der Sputter-Vorrichtung
3	Das Verfahren zum Herstellen des Magnetaufzeichnungsmediums
4	Die Wirkungen
5	Modifikationsbeispiele

[Der Aufbau des Magnetaufzeichnungsmediums]
Ein Magnetaufzeichnungsmedium 10 gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Technik ist ein sogenanntes langgestrecktes einschichtiges senkrechtes Magnetaufzeichnungsmedium, wobei, wie in 1 gezeigt ist, das Magnetaufzeichnungsmedium 10 mit einem Substrat 11, einer Saatschicht (einer ersten Schicht) 12, die auf einer Hauptfläche auf einer Seite (die im Folgenden außerdem als die „Oberfläche“ bezeichnet wird) des Substrats 11 angeordnet ist, einer Basisschicht (einer zweiten Schicht) 13, die auf der Saatschicht 12 angeordnet ist, einer Zwischenschicht (einer dritten Schicht) 14, die auf der Basisschicht 13 angeordnet ist, und einer Aufzeichnungsschicht 15, die auf der Zwischenschicht 14 angeordnet ist, bereitgestellt ist. Das Magnetaufzeichnungsmedium 10 kann ferner nach Bedarf mit einer Schutzschicht 16, die auf der Aufzeichnungsschicht 15 angeordnet ist, einer Schmiermittelschicht 17, die auf der Schutzschicht 16 angeordnet ist, und einer hinteren Überzugschicht 18, die auf einer Hauptfläche auf der anderen Seite (die im Folgenden außerdem als eine „Rückseite“ bezeichnet wird) des Substrats 11 angeordnet ist, bereitgestellt sein.
Es wird angegeben, dass in der vorliegenden Beschreibung ein Magnetaufzeichnungsmedium, das keine weichmagnetische Unterschicht (die im Folgenden als „SUL“ bezeichnet wird) aufweist, als ein „einschichtiges senkrechtes Magnetaufzeichnungsmedium“ bezeichnet wird, während ein Magnetaufzeichnungsmedium, das eine SUL aufweist, als ein „zweischichtiges senkrechtes Magnetaufzeichnungsmedium“ bezeichnet wird.
Das Magnetaufzeichnungsmedium 10 gemäß einer Ausführungsform ist für die Verwendung als ein Speichermedium zur Datenarchivierung geeignet, von dem erwartet wird, dass es in der Zukunft immer mehr verlangt wird. Bei dem Magnetaufzeichnungsmedium 10 kann z. B. eine Oberflächenaufzeichnungsdichte von 10-mal oder mehr des gegenwärtigen Magnetaufzeichnungsmediums des beschichteten Typs für die Speicherung, d. h., eine Oberflächenaufzeichnungsdichte von 50 Gb/in² verwirklicht sein. In einem Fall, in dem eine Datenkassette mit einem allgemeinen linearen Aufzeichnungssystem unter Verwendung eines Magnetaufzeichnungsmediums 10, das eine derartige Oberflächenaufzeichnungsdichte aufweist, ausgebildet ist, kann eine Aufzeichnung mit großer Kapazität von 50 TB oder mehr pro Spule einer Datenkassette verwirklicht sein. Das Magnetaufzeichnungsmedium 10 ist für die Verwendung in einer Aufzeichnungs- und Wiedergabevorrichtung geeignet, die einen Aufzeichnungskopf des Ringtyps und einen Wiedergabekopf des riesenmagnetoresistiven Typs verwendet.
(Das Substrat)
Das als ein Träger dienende Substrat 11 ist ein langgestrecktes nichtmagnetisches Substrat, das Flexibilität aufweist. Das nichtmagnetische Substrat ist ein Film, wobei die Dicke des Films z . B. 3 µm oder mehr und 8 µm oder weniger beträgt. Als das Material für das Substrat 11 kann z. B. ein elastisches Polymerharzmaterial verwendet werden, das für ein allgemeines Magnetaufzeichnungsmedium verwendet wird. Spezifische Beispiele des Polymermaterials, wie es oben beschrieben worden ist, enthalten Polyester, Polyolefine, ein Zellulosederivat, ein vinylbasiertes Harz, Polyimide, Polyamide und Polycarbonat.
(Die Saatschicht)
Die Saatschicht 12 enthält Cr, Ni und Fe und weist eine kubisch-flächenzentrierte (fcc) Gitterstruktur mit einer (111) -Ebene auf, die vorzugsweise so orientiert ist, dass sie zu einer Oberfläche des Substrats 11 parallel ist. Hier bedeutet der Ausdruck „vorzugsweise orientiert“ einen Zustand, in dem eine Beugungsspitzenintensität von einer (111)-Ebene einer kubisch-flächenzentrierten Gitterstruktur in einer θ-2θ-Abtastung eines Röntgenbeugungsverf ahrens größer als die Beugungsspitzen von den anderen Kristall ebenen ist, oder einen Zustand, in dem nur die Beugungsspitzenintensität von einer (111) -Ebene einer kubisch-flächenzentrierten Gitterstruktur in einer θ-2θ-Abtastung eines Röntgenbeugungsverfahrens beobachtet wird.
Vom Standpunkt des Verbesserns des SNR ist das Verhältnis der Röntgenbeugungsintensität der Saatschicht 12 vorzugsweise 60 cps/nm oder mehr, bevorzugter 70 cps/nm oder mehr und weiterhin bevorzugt 80 cps/nm oder mehr. Hier ist das Verhältnis der Röntgenbeugungsintensität der Saatschicht 12 ein Wert (I/D (cps/nm)), der durch das Teilen der Röntgenbeugungsintensität I (cps) der Saatschicht 12 durch die Dicke D (nm) der Saatschicht 12 erhalten wird.
Die in der Saatschicht 12 enthaltenen Cr, Ni und Fe weisen vorzugsweise eine durchschnittliche Zusammensetzung auf, die durch die folgende Formel (A) dargestellt ist. Cr_X (Ni_YFe_100-Y) _100-X (A) (wobei X im Bereich von 10 ≤ X ≤ 45 liegt und Y im Bereich von 60 ≤ Y ≤ 90 liegt.)
Falls sich X außerhalb des obigen Bereichs befindet, nimmt die (111)-Orientierung der kubisch-flächenzentrierten Gitterstruktur des Cr, Ni und Fe ab, wobei die Tendenz besteht, dass der SNR verschlechtert ist. Falls sich ähnlich Y außerhalb des obigen Bereichs befindet, nimmt die (111)-Orientierung der kubisch-flächenzentrierten Gitterstruktur des Cr, Ni und Fe ab, wobei die Tendenz besteht, dass der SNR verschlechtert ist.
Die Dicke der Saatschicht 12 beträgt vorzugsweise 5 nm oder mehr und 40 nm oder weniger. Falls sich die Dicke der Saatschicht 12 außerhalb des obigen Bereichs befindet, nimmt die (111)-Orientierung der kubisch-flächenzentrierten Gitterstruktur des Cr, Ni und Fe ab, wobei die Tendenz besteht, dass der SNR verschlechtert ist.
(Die Basisschicht)
Die Basisschicht 13 enthält Co und O, die eine kubisch-flächenzentrierte Gitterstruktur aufweisen, und weist eine Säulenstruktur (eine säulenförmige Kristallstruktur) auf. In der Basisschicht 13, die Co und O enthält, wird eine Wirkung (eine Funktion) erhalten, die im Wesentlichen zu der der Zwischenschicht 14, die Ru enthält, ähnlich ist. Das Konzentrationsverhältnis der durchschnittlichen Atomkonzentration des O zu der durchschnittlichen Atomkonzentration des Co ((durchschnittliche Atomkonzentration des O) / (durchschnittliche Atomkonzentration des Co)) beträgt 1 oder mehr. Falls das Konzentrationsverhältnis kleiner als 1 ist, ist die Wirkung des Bereitstellens der Basisschicht 13 verschlechtert, wobei die Tendenz besteht, dass der SNR verringert ist. Ferner kann die Basisschicht 13 eine Schicht mit einer Säulenstruktur (einer säulenförmigen Kristallstruktur) sein, die Ni und O enthält, die eine kubisch-flächenzentrierte Gitterstruktur aufweisen.
Vom Standpunkt des Verbesserns des SNR ist die Säulenstruktur vorzugsweise geneigt. Die Richtung der Neigung ist vorzugsweise die Längsrichtung des langgestreckten Magnetaufzeichnungsmediums 10. Der Grund, aus dem die Längsrichtung bevorzugt ist, wie oben beschrieben worden ist, ist wie folgt. Das Magnetaufzeichnungsmedium 10 gemäß der vorliegenden Ausführungsform ist ein sogenanntes Magnetaufzeichnungsmedium für die lineare Aufzeichnung, wobei die Aufzeichnungsspur zu der Längsrichtung des Magnetaufzeichnungsmediums 10 parallel ist. Ferner ist das Magnetaufzeichnungsmedium 10 gemäß der vorliegenden Ausführungsform außerdem ein sogenanntes senkrechtes Magnetaufzeichnungsmedium, wobei vom Standpunkt der Aufzeichnungseigenschaften die Kristallorientierungsachse der Aufzeichnungsschicht 15 vorzugsweise in der senkrechten Richtung verläuft, wobei es jedoch aufgrund des Einflusses der Neigung der Säulenstruktur der Basisschicht 13 einen Fall geben kann, in dem die Neigung der Kristallorientierungsachse der Aufzeichnungsschicht 15 auftritt. In dem Magnetaufzeichnungsmedium 10 für die lineare Aufzeichnung kann in Hinblick auf die Beziehung mit dem Kopfmagnetfeld während des Aufzeichnens der Einfluss auf die Aufzeichnungseigenschaften aufgrund der Neigung der Kristallorientierungsachse in dem Aufbau, in dem die Kristallorientierungsachse der Aufzeichnungsschicht 15 in der Längsrichtung des Magnetaufzeichnungsmediums 10 geneigt ist, im Vergleich zu dem Aufbau, in dem die Kristallorientierungsachse der Aufzeichnungsschicht 15 in der Breitenrichtung des Magnetaufzeichnungsmediums 10 geneigt ist, mehr verringert werden. Um die Kristallorientierungsachse der Aufzeichnungsschicht 15 in der Längsrichtung des Magnetaufzeichnungsmediums 10 zu neigen, verläuft die Neigungsrichtung der Säulenstruktur der Basisschicht 13 vorzugsweise in der Längsrichtung des Magnetaufzeichnungsmediums 10, wie oben beschrieben worden ist.
Der Neigungswinkel der Säulenstruktur ist vorzugsweise größer als 0° und 60° oder kleiner. Falls sich der Neigungswinkel in dem Bereich von größer als 0° und 60° oder kleiner befindet, wird die Form der Spitze der in der Basisschicht 13 enthaltenen Säule beträchtlich geändert, wobei sie im Wesentlichen eine Dreieckform wird, wobei dadurch die Wirkung der granularen Struktur vergrößert wird, das Rauschen verringert wird und die Tendenz besteht, dass der SNR verbessert ist. Falls andererseits der Neigungswinkel 60° übersteigt, ist die Form der Spitze der in der Basisschicht 13 enthaltenen Säule weniger geändert, wobei sie kaum eine Dreiecksform wird, wobei deshalb die Tendenz besteht, dass die Wirkung des geringen Rauschens verringert ist.
Der durchschnittliche Teilchendurchmesser der Säulenstruktur beträgt 3 nm oder mehr und 13 nm oder weniger. Falls der durchschnittliche Teilchendurchmesser kleiner als 3 nm ist, wird der durchschnittliche Teilchendurchmesser der in der Aufzeichnungsschicht 15 enthaltenen Säulenstruktur klein, wobei deshalb die Tendenz besteht, dass die Fähigkeit, die Aufzeichnung beizubehalten, bei dem gegenwärtigen Magnetmaterial beachtlich verringert ist. Falls andererseits der durchschnittliche Teilchendurchmesser 13 nm übersteigt, ist das Rauschen vergrößert, wobei die Tendenz besteht, dass der SNR verringert ist.
Die Dicke der Basisschicht 13 beträgt vorzugsweise 10 nm oder mehr und 150 nm oder weniger. Falls die Dicke der Basisschicht 13 kleiner als 10 nm ist, besteht die Tendenz, dass die (111)-Orientierung der kubisch-flächenzentrierten Gitterstruktur der Basisschicht 13 verringert ist. Falls andererseits die Dicke der Basisschicht 13 150 nm übersteigt, wird der Teilchendurchmesser der Säule groß, wobei das Rauschen vergrößert ist, wobei deshalb die Tendenz besteht, dass der SNR verringert ist.
(Die Zwischenschicht)
Die Zwischenschicht 14 weist vorzugsweise eine Kristallstruktur auf, die zu der der Aufzeichnungsschicht 15 ähnlich ist. In einem Fall, in dem die Aufzeichnungsschicht 15 eine Co-basierte Legierung enthält, enthält die Zwischenschicht 14 ein Material, das eine hexagonal dichteste Packungsstruktur (hdp) aufweist, die zu der der Co-basierten Legierung ähnlich ist, wobei die c-Achse der Struktur vorzugsweise in der Richtung senkrecht zu der Schichtoberfläche (d. h., der Dickenrichtung) orientiert ist. Dies ist so, weil die Orientierung der Aufzeichnungsschicht 15 verbessert werden kann, wobei die Anpassung der Gitterkonstanten zwischen der Zwischenschicht 14 und der Aufzeichnungsschicht 15 vergleichsweise günstig gemacht werden kann. Als das Material, das eine hexagonal dichteste Packungsstruktur aufweist, wird ein Ru enthaltendes Material vorzugsweise verwendet, wobei spezifisch Ru allein oder eine Ru-Legierung bevorzugt ist. Als die Ru-Legierung kann z. B. ein Ru-Legierungs-Oxid, wie z. B. Ru-SiO₂, Ru-TiO₂, oder Ru-ZrO₂ erwähnt werden.
Die Dicke der Zwischenschicht 14 kann dünner als die der Zwischenschicht in einem allgemeinen Magnetaufzeichnungsmedium sein und kann z. B. 1 nm oder mehr und 5 nm oder weniger betragen. Weil die Saatschicht 12 und die Basisschicht 13, die die oben beschriebenen Konfigurationen aufweisen, jeweils unter der Zwischenschicht 14 bereitgestellt sind, kann ein günstiger SNR erhalten werden, selbst wenn die Dicke der Zwischenschicht 14 dünn ist, wie oben beschrieben worden ist.
(Die Aufzeichnungsschicht)
Die Aufzeichnungsschicht 15 ist eine sogenannte senkrechte Magnetaufzeichnungsschicht und ist vom Standpunkt des Erhöhens der Aufzeichnungsdichte vorzugsweise eine granulare Magnetschicht, die eine Co-basierte Legierung enthält. Diese granulare Magnetschicht ist aus ferromagnetischen Kristallkörnern, die eine Co-basierte Legierung enthalten, und nichtmagnetischen Korngrenzen (einem nichtmagnetischen Material), die die ferromagnetischen Kristallkörner umgeben, ausgebildet. Spezifischer ist diese granulare Magnetschicht aus Säulen (säulenförmigen Kristallen), die eine Co-basierte Legierung enthalten, und nichtmagnetischen Korngrenzen (z. B. einem Oxid, wie z. B. SiO₂) , die die Säulen umgeben, um jede der Säulen magnetisch zu trennen, ausgebildet. Mit dieser Struktur kann die Aufzeichnungsschicht 15, die eine Struktur aufweist, in der jede der Säulen magnetisch getrennt ist, gebildet werden.
Die Co-basierte Legierung weist eine hexagonal dichteste Packungsstruktur (hdp) auf, wobei die c-Achse in der Richtung senkrecht zu der Schichtoberfläche (der Dickenrichtung) orientiert ist. Als die Co-basierte Legierung wird vorzugsweise eine CoCrPt-basierte Legierung, die wenigstens Co, Cr und Pt enthält, verwendet. Die CoCrPt-basierte Legierung ist nicht besonders eingeschränkt, wobei die CoCrPt-Legierung ferner ein zusätzliches Element enthalten kann. Als das zusätzliche Element können z. B. ein oder mehrere Arten von Elementen, die aus der Gruppe ausgewählt sind, die Ni, Ta und dergleichen umfasst, erwähnt werden.
Die nichtmagnetischen Korngrenzen, die die ferromagnetischen Kristallkörner umgeben, enthalten ein nichtmagnetisches Metallmaterial .Hier enthält ein Metall ein Halbmetall. Als das nichtmagnetische Metallmaterial kann z . B. wenigstens eines von einem Metalloxid und einem Metallnitrid verwendet werden, wobei vom Standpunkt des stabileren Aufrechterhaltens der granularen Struktur ein Metalloxid vorzugsweise verwendet wird. Als das Metalloxid kann ein Metalloxid, das wenigstens ein oder mehrere Arten von Elementen enthält, die aus der Gruppe ausgewählt sind, die Si, Cr, Co, Al, Ti, Ta, Zr, Ce, Y, Hf und dergleichen umfasst, erwähnt werden. Ein Metalloxid, das wenigstens ein Si-Oxid (d. h., SiO₂) enthält, ist bevorzugt. Als das spezifische Beispiel können SiO₂, Cr₂O₃, CoO, Al₂O₃, TiO₂, Ta₂O₅, ZrO₂, HfO₂ oder dergleichen erwähnt werden. Als das Metallnitrid kann ein Metallnitrid, das wenigstens eine oder mehrere Arten von Elementen enthält, die aus der Gruppe ausgewählt sind, die Si, Cr, Co, Al, Ti, Ta, Zr, Ce, Y, Hf und dergleichen umfasst, erwähnt werden. Als das spezifische Beispiel können SiN, TiN, AlN oder dergleichen erwähnt werden.
Es ist bevorzugt, dass die in den ferromagnetischen Kristallkörnern enthaltene CoCrPt-basierte Legierung und das in den nichtmagnetischen Korngrenzen enthaltene Si-Oxid eine durchschnittliche Zusammensetzung aufweisen, die in der folgenden Formel (B) gezeigt ist. Dies ist so, weil der Einfluss des Entmagnetisierungsfeldes unterdrückt ist und ferner die Sättigungsmagnetisierung (Ms), bei der eine ausreichende Wiedergabeausgabe sichergestellt sein kann, verwirklicht werden kann, wobei im Ergebnis eine weitere Verbesserung der Aufzeichnungs- und Wiedergabeeigenschaften verwirklicht werden kann. (Co_xPt_yCr_100-x-y) _100-z- (SiO₂)_z (B) (wobei in der Formel (B), x, y und z jeweils Werte in den Bereichen 69 ≤ X ≤ 75, 10 ≤ y ≤ 16 und 9 ≤ Z ≤ 12 sind.)
Zusätzlich kann die obige Zusammensetzung wie folgt bestimmt werden. Während der Ionendünnung von der Seite der Schutzschicht 16 des Magnetaufzeichnungsmediums 10 wird eine Analyse (eine Tiefenprofilmessung) in der Tiefenrichtung der Aufzeichnungsschicht 15 durch eine Auger-Elektronenspektroskopie (die im Folgenden als „AES“ bezeichnet wird) ausgeführt, wobei die durchschnittliche Zusammensetzung (das durchschnittliche Atomverhältnis) des Co, Pt, Cr, Si und O in der Dickenrichtung bestimmt wird.
(Die Schutzschicht)
Die Schutzschicht 16 enthält z. B. ein Kohlenstoffmaterial oder ein Siliciumdioxid (SiO2) , wobei vom Standpunkt der Schichtfestigkeit der Schutzschicht 16 die Schutzschicht 16 vorzugsweise ein Kohlenstoffmaterial enthält. Beispiele des Kohlenstoffmaterials enthalten Graphit, diamantähnlichen Kohlenstoff (DLC) und Diamant.
(Die Schmiermittelschicht)
Die Schmiermittelschicht 17 enthält wenigstens eine Art eines Schmiermittels . Die Schmiermittelschicht 17 kann ferner bei Bedarf verschiedene Arten additiver Agenzien, wie z. B. ein Rostschutzmittel, enthalten. Das Schmiermittel weist wenigstens zwei Carboxylgruppen und eine Esterbindung auf und enthält wenigstens eine Art der carbonsäurebasierten Verbindung, die durch die folgende allgemeine Formel (1) dargestellt ist. Das Schmiermittel kann ferner ein anderes Schmiermittel als die Art der durch die folgende allgemeine Formel (1) dargestellten carbonsäurebasierten Verbindung enthalten.
Allgemeine Formel (1):
(wobei Rf eine unsubstituierte oder substituierte oder gesättigte oder ungesättigte, Fluor enthaltende Kohlenwasserstoffgruppe oder Kohlenwasserstoffgruppe ist, Es eine Esterbindung ist und R nicht vorhanden sein kann oder eine unsubstituierte oder substituierte oder gesättigte oder ungesättigte Kohlenwasserstoffgruppe ist.)
Die obige carbonsäurebasierte Verbindung ist vorzugsweise eine, die durch die folgende allgemeine Formel (2) oder (3) dargestellt ist.
Allgemeine Formel (2):
(wobei Rf eine unsubstituierte oder substituierte oder gesättigte oder ungesättigte, Fluor enthaltende Kohlenwasserstoffgruppe oder Kohlenwasserstoffgruppe ist.)
Allgemeine Formel (3):

(wobei Rf eine unsubstituierte oder substituierte oder gesättigte oder ungesättigte, Fluor enthaltende Kohlenwasserstoffgruppe oder Kohlenwasserstoffgruppe ist.)
Das Schmiermittel enthält vorzugsweise eine oder beide der durch die obigen allgemeinen Formeln (2) und (3) dargestellten Carbonsäureverbindungen.
Falls ein Schmiermittel, das eine durch die allgemeine Formel (1) dargestellte carbonsäurebasierte Verbindung enthält, auf die Aufzeichnungsschicht 15, die Schutzschicht 16 oder dergleichen aufgetragen wird, wird eine Schmierwirkung durch die Kohäsionskraft zwischen den Rfs der Fluor enthaltenden Kohlenwasserstoffgruppe oder Kohlenwasserstoffgruppe, die eine hydrophobe Gruppe ist, entwickelt. In einem Fall, in dem die Rf-Gruppe eine Fluor enthaltende Kohlenwasserstoffgruppe ist, beträgt die Gesamtzahl der Kohlenstoffatome 6 bis 50, wobei ferner die Gesamtzahl der Kohlenstoffatome in der fluorierten Kohlenwasserstoffgruppe vorzugsweise 4 bis 20 beträgt. Die Rf-Gruppe kann gesättigt oder ungesättigt, eine lineare oder eine verzweigte Kette oder zyklisch sein und ist besonders bevorzugt eine gesättigte lineare Kette.
In einem Fall, in dem die Rf-Gruppe eine Kohlenwasserstoffgruppe ist, ist eine durch die folgende allgemeine Formel (4) dargestellte Gruppe erwünscht. Allgemeine Formel (4):
(wobei in der allgemeinen Formel (4) 1 eine aus dem Bereich von 8 bis 30 ausgewählte ganze Zahl und erwünschter eine aus dem Bereich von 12 bis 20 ausgewählte ganze Zahl ist.)
Zusätzlich ist in einem Fall, in dem die Rf-Gruppe eine Fluor enthaltende Kohlenwasserstoffgruppe ist, eine durch die folgende allgemeine Formel (5) dargestellte Gruppe erwünscht. Allgemeine Formel (5):
(wobei in der allgemeinen Formel (5) sowohl m als auch n eine aus dem folgenden Bereich ausgewählte ganze Zahl sind: m = 2 bis 20 und n = 3 bis 18 und erwünschter m = 4 bis 13 und n = 3 bis 10.)
Die fluorierte Kohlenwasserstoffgruppe kann an einer Stelle konzentriert sein, wie oben beschrieben worden ist, kann wie in der folgenden allgemeinen Formel (6) verteilt sein oder kann nicht nur -CF₃ oder -CF₂-, sondern außerdem -CHF₂, -CHF- oder dergleichen sein. Allgemeine Formel (6):
(wobei in der allgemeinen Formel (6) n1 + n2 = n, m1 + m2 = m gilt. )
Der Grund, aus dem die Anzahl der Kohlenstoffatome in den allgemeinen Formeln (4), (5) und (6) begrenzt ist, wie oben beschrieben worden ist, ist, weil, falls die Anzahl der Kohlenstoffatome (1 oder die Summe aus m und n), die die Alkylgruppe oder die Fluor enthaltende Alkylgruppe bilden, die obige untere Grenze oder mehr ist, die Länge eine geeignete Länge wird und die Kohäsionskraft zwischen den hydrophoben Gruppen effektiv ausgeübt wird, eine günstige Schmierwirkung entwickelt wird und die Reibungs-/Abriebbeständigkeit verbessert wird; und ferner, weil, falls die Anzahl der Kohlenstoffatome die obige obere Grenze oder weniger ist, die Löslichkeit des Schmiermittels, das die obige carbonsäurebasierte Verbindung enthält, in einem Lösungsmittel günstig aufrechterhalten wird.
Falls insbesondere die Rf-Gruppe ein Fluoratom enthält, gibt es eine Wirkung auf die Verringerung des Reibungskoeffizienten, weiter auf die Verbesserung der Lauffähigkeit und dergleichen. Es ist jedoch günstig, dass eine Kohlenwasserstoffgruppe zwischen der Fluor enthaltenden Kohlenwasserstoffgruppe und der Esterbindung bereitgestellt ist, um die Fluor enthaltende Kohlenwasserstoffgruppe und die Esterbindung zu trennen, wobei die Stabilität der Esterbindung sichergestellt wird, um eine Hydrolyse zu verhindern.
Ferner kann die Rf-Gruppe außerdem eine Gruppe sein, die eine Fluoralkylether-Gruppe oder eine Perfluorpolyether-Gruppe aufweist.
Die R-Gruppe kann nicht vorhanden sein, wobei aber, falls die R-Gruppe vorhanden ist, es günstig ist, dass die R-Gruppe eine Kohlenwasserstoffkette ist, die eine relativ kleine Anzahl von Kohlenstoffatomen aufweist.
Zusätzlich enthält die Rf-Gruppe oder die R-Gruppe ein Element, wie z. B. Stickstoff, Sauerstoff, Schwefel, Phosphor oder ein Halogen als ein konstituierendes Element, wobei sie ferner eine Hydroxylgruppe, eine Carboxylgruppe, eine Carbonylgruppe, eine Aminogruppe, eine Esterbindung oder dergleichen zusätzlich zu den oben beschriebenen funktionalen Gruppen aufweisen kann.
Spezifisch ist die durch die allgemeine Formel (1) dargestellte carbonsäurebasierte Verbindung vorzugsweise wenigstens eine Art einer im Folgenden gezeigten Verbindung. Das heißt, das Schmiermittel enthält vorzugsweise wenigstens eine Art der im Folgenden gezeigten Verbindungen. CF₃ (CF₂) ₇ (CH₂) ₁₀COOCH (COOH) CH₂COOH CF₃ (CF₂) ₃ (CH₂) ₁₀COOCH (COOH) CH₂COOH C₁₇H₃₅COOCH (COOH) CH₂COOH CF₃ (CF₂) ₇ (CH₂) ₂OCOCH₂CH (C₁₈H₃₇) COOCH (COOH) CH₂COOH CF₃ (CF₂) ₇COOCH (COOH) CH₂COOH CHF₂ (CF₂) ₇COOCH (COOH) CH₂COOH CF₃ (CF₂) ₇ (CH₂) ₂OCOCH₂CH (COOH) CH₂COOH CF₃ (CF₂) ₇ (CH₂) ₆OCOCH₂CH (COOH) CH₂COOH CF₃ (CF₂) ₇ (CH₂) ₁₁OCOCH₂CH (COOH) CH₂COOH CF₃ (CF₂) ₃ (CH₂) ₆OCOCH₂CH (COOH) CH₂COOH C₁₈H₃₇OCOCH₂CH (COOH) CH₂COOH CF₃ (CF₂) ₇ (CH₂) ₄COOCH (COOH) CH₂COOH CF₃ (CF₂) ₃ (CH₂) ₄COOCH (COOH) CH₂COOH CF₃ (CF₂) ₃ (CH₂) ₇COOCH (COOH) CH₂COOH CF₃ (CF₂) ₉ (CH₂) ₁₀COOCH (COOH) CH₂COOH CF₃ (CF₂) ₇ (CH₂) ₁₂COOCH (COOH) CH₂COOH CF₃ (CF₂) ₅ (CH₂) ₁₀COOCH (COOH) CH₂COOH CF₃ (CF₂) ₇CH (C₉H₁₉) CH₂CH=CH (CH₂) ₇COOCH (COOH) CH₂COOH CF₃ (CF₂) ₇CH (C₆H₁₃) (CH₂) ₇COOCH (COOH) CH₂COOH CH₃ (CH₂) ₃ (CH₂CH₂CH (CH₂CH₂ (CF₂) ₉CF₃) ) ₂ (CH₂) ₇COOCH (COOH) CH₂COOH
Die durch die allgemeine Formel (1) dargestellte carbonsäurebasierte Verbindung ist in einem nicht auf Fluor basierenden Lösungsmittel löslich, das eine kleine Belastung für die Umgebung ergibt, und weist einen Vorteil auf, das unter Verwendung eines Universallösungsmittels, wie z. B. eines kohlenwasserstoffbasierten Lösungsmittels, eines ketonbasierten Lösungsmittels, eines alkoholbasierten Lösungsmittels oder eines esterbasierten Lösungsmittels ein Prozess, wie z. B. Beschichten, Tauchen oder Sprühen ausgeführt werden kann. Spezifisch kann ein Lösungsmittel, wiez. B. Hexan, Heptan, Oktan, Dekan, Dodekan, Benzen, Toluen, Xylen, Cyclohexan, Methylethylketon, Methylisobutylketon, Methanol, Ethanol, Isopropanol, Diethylether, Tetrahydrofuran, Dioxan oder Cyclohexanon, erwähnt werden.
In einem Fall, in dem die Schutzschicht 16 ein Kohlenstoffmaterial enthält, sind, falls die obige carbonsäurebasierte Verbindung als ein Schmiermittel auf die Schutzschicht 16 aufgetragen ist, zwei Carboxylgruppen, die die polaren Gruppenteile des Schmiermittelmoleküls sind, und wenigstens eine Esterbindungsgruppe an der Schutzschicht 16 adsorbiert, wobei eine Schmiermittelschicht 17, die insbesondere eine günstige Beständigkeit aufweist, durch die Kohäsionskraft zwischen den hydrophoben Gruppen ausgebildet sein kann.
Wie oben beschrieben worden ist, ist in dieser Hinsicht das Schmiermittel nicht nur als die Schmiermittelschicht 17 auf einer Oberfläche des Magnetaufzeichnungsmediums 10 gehalten, sondern kann außerdem in einer Schicht, wie z. B. einer Aufzeichnungsschicht 15 und einer Schutzschicht 16, der Schicht, die das Magnetaufzeichnungsmedium 10 bildet, enthalten und gehalten sein.
(Die hintere Überzugschicht)
Die hintere Überzugschicht 18 enthält z. B. ein Bindemittel, anorganische Partikel und ein Schmiermittel. Die hintere Überzugschicht 18 kann außerdem verschiedene Arten von additiven Agenzien, wie z. B. ein Härtungsmittel und ein antistatisches Mittel, bei Bedarf enthalten.
[Die Konfiguration der Sputter-Vorrichtung]
Im Folgenden wird bezüglich 2 ein Beispiel der Konfiguration einer Sputter-Vorrichtung 20, die zum Herstellen des Magnetaufzeichnungsmediums 10 gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Technik verwendet wird, beschrieben. Diese Sputter-Vorrichtung 20 ist eine Sputter-Vorrichtung des kontinuierlichen Aufnahmetyps, die zum Bilden einer Saatschicht 12, einer Basisschicht 13, einer Zwischenschicht 14 und einer Aufzeichnungsschicht 15 verwendet wird, und ist, wie in 2 gezeigt ist, mit einer Filmbildungskammer 21, einer Trommel 22, die ein Metallbecher (ein sich drehender Körper) ist, den Kathoden 23a bis 23d, einer Zufuhrspule 24, einer Aufnahmespule 25 und mehreren Führungsrollen 27a bis 27c und 28a bis 28c bereitgestellt. Die Sputter-Vorrichtung 20 ist z. B. eine Vorrichtung, die ein Gleichstrom-Magnetron-Sputter-System (DC-Magnetron-Sputter-System) verwendet, wobei jedoch das hier verwendete Sputter-System nicht auf das DC-Magnetron-Sputter-System eingeschränkt ist.
Die Filmbildungskammer 21 ist über eine Auslassöffnung 26 mit einer (nicht gezeigten) Vakuumpumpe verbunden, wobei die Atmosphäre in der Filmbildungskammer 21 durch die Vakuumpumpe auf einen vorgegebenen Grad des Vakuums gesetzt wird. Innerhalb der Filmbildungskammer 21 sind eine Trommel 22, die eine drehbare Konfiguration aufweist, eine Zufuhrspule 24 und eine Aufnahmespule 25 angeordnet. Innerhalb der Filmbildungskammer 21 sind mehrere Führungsrollen 27a bis 27c zum Führen des Transports des Substrats 11 zwischen der Zufuhrspule 24 und der Trommel 22 bereitgestellt, wobei ferner mehrere Führungsrollen 28a bis 28c zum Führen des Transports des Substrats 11 zwischen der Trommel 22 und der Aufnahmespule 25 bereitgestellt sind. Während des Sputterns wird das von der Zufuhrspule 24 gezogene Substrat 11 über die Führungsrollen 27a bis 27c, die Trommel 22 und die Führungsrollen 28a bis 28c durch die Aufnahmespule 25 aufgenommen. Die Trommel 22 weist eine Zylinderformauf, wobei das langgestreckte Substrat 11 entlang der zylinderförmigen Umfangsfläche der Trommel 22 transportiert wird. In der Trommel 22 ist ein (nicht gezeigter) Kühlmechanismus bereitgestellt und wird eine Kühlung ausgeführt, um z. B. etwa -20 °C während des Sputterns zu erreichen. Innerhalb der Filmbildungskammer 21 sind mehrere Kathoden 23a bis 23d angeordnet, so dass sie der Umfangsfläche der Trommel 22 gegenüberliegen. Für diese Kathoden 23a bis 23d sind jeweils Ziele festgelegt. Spezifisch werden die Ziele zum Bilden einer Saatschicht 12, einer Basisschicht 13, einer Zwischenschicht 14 und einer Aufzeichnungsschicht 15 jeweils für die Kathoden 23a bis 23d festgelegt. Durch diese Kathoden 23a bis 23d werden mehrere Arten von Schichten, d. h., eine Saatschicht 12, eine Basisschicht 13, eine Zwischenschicht 14 und eine Aufzeichnungsschicht 15, gleichzeitig gebildet.
In der Sputter-Vorrichtung 20, die die oben beschriebene Konfiguration aufweist, können eine Saatschicht 12, eine Basisschicht 13, eine Zwischenschicht 14 und eine Aufzeichnungsschicht 15 durch ein Rolle-zu-Rolle-Verfahren kontinuierlich gebildet werden.
[Das Verfahren zum Herstellen des Magnetaufzeichnungsmediums]
Das Magnetaufzeichnungsmedium 10 gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Technik kann z. B. wie folgt hergestellt werden.
Zuerst werden unter Verwendung einer Sputter-Vorrichtung 20, wie in 2 gezeigt ist, eine Saatschicht 12, eine Basisschicht 13, eine Zwischenschicht 14 und eine Aufzeichnungsschicht 15 auf einer Oberfläche eines Substrats 11 gebildet. Spezifisch werden die Schichten wie folgt gebildet. Zuerst wird die Filmbildungskammer 21 evakuiert, bis der Druck des Inneren einen vorgegebenen Druck erreicht. Danach werden die für die Kathoden 23a bis 23d festgelegten Ziele gesputtert, während ein Prozessgas, wie z. B. ein Ar-Gas, in die Filmbildungskammer 21 eingeleitet wird. In dieser Weise werden eine Saatschicht 12, eine Basisschicht 13, eine Zwischenschicht 14 und eine Aufzeichnungsschicht 15 auf einer Oberfläche eines laufenden Substrats 11 sequentiell gebildet.
Die Atmosphäre in der Filmbildungskammer 21 während des Sputterns ist z. B. aufetwa 1 × 10^-5 Pa bis 5 × 10^-5 Pa gesetzt. Die Dicke und die Eigenschaften (z. B. die Magneteigenschaften) einer Saatschicht 12, einer Basisschicht 13, einer Zwischenschicht 14 und einer Aufzeichnungsschicht 15 können durch das Einstellen der Bandliniengeschwindigkeit, mit der ein Substrat 11 aufgenommen wird, den Druck eines Prozessgases, wie z. B. des Ar-Gases, das während des Sputterns eingeleitet wird, (den Sputter-Gasdruck), die Eingangsleistung oder dergleichen gesteuert werden.
Als Nächstes wird eine Schutzschicht 16 auf der Aufzeichnungsschicht 15 gebildet. Als das Verfahren zum Bilden der Schutzschicht 16 kann z. B. ein Verfahren der chemischen Gasphasenabscheidung (CVD) oder ein Verfahren der physikalischen Gasphasenabscheidung (PVD) verwendet werden.
Als Nächstes werden ein Bindemittel, anorganische Teilchen, ein Schmiermittel und dergleichen geknetet und in einem Lösungsmittel dispergiert, um ein Beschichtungsmaterial zum Bilden einer hinteren Überzugschicht vorzubereiten. Anschließend wird das Beschichtungsmaterial zum Bilden einer hinteren Überzugschicht auf einer Rückseite des Substrats 11 aufgetragen und getrocknet, um auf der Rückseite des Substrats 11 eine hintere Überzugschicht 18 zu bilden.
Als Nächstes wird z. B. ein Schmiermittel auf die Schutzschicht 16 aufgetragen, um eine Schmiermittelschicht 17 zu bilden. Als ein Verfahren zum Auftragen des Schmiermittels können z. B. verschiedene Arten der Verfahren zum Auftragen, wie z. B. Gravurstreichverfahren und Tauchbeschichtung, verwendet werden. Anschließend wird das Magnetaufzeichnungsmedium 10 bei Bedarf ausgeschnitten, so dass es eine vorgegebene Breite aufweist. Im Ergebnis wird das in 1 gezeigte Magnet auf zeichnungsmedium 10 erhalten.
[Die Wirkungen]
Das Magnetaufzeichnungsmedium 10 gemäß einer Ausführungsform, wie es oben beschrieben worden ist, ist mit einer Saatschicht 12 und einer Basisschicht 13 zwischen einem Substrat 11 und einer Zwischenschicht 14 bereitgestellt. Die Saatschicht 12 enthält Cr, Ni und Fe und weist eine kubisch-flächenzentrierte Gitterstruktur mit einer (111) -Ebene, die vorzugsweise so orientiert ist, dass sie zu einer Oberfläche des Substrats 11 parallel ist, auf. Die Basisschicht 13 enthält Co und O und weist ein Verhältnis der durchschnittlichen Atomkonzentration des O zu der durchschnittlichen Atomkonzentration des Co von 1 oder mehr auf und weist eine Säulenstruktur auf, die einen durchschnittlichen Teilchendurchmesser von 3 nm oder mehr und 13 nm oder weniger aufweist. In dieser Weise wird die Dicke der Zwischenschicht 14 verringert, wobei eine Aufzeichnungsschicht 15, die eine günstige Kristallorientierung aufweist und ferner eine hohe Koerzitivkraft aufweist, verwirklicht werden kann, indem so wenig wie möglich Ru, das ein teures Material ist, verwendet wird. Deshalb kann ein Magnetaufzeichnungsmedium 10, das einen hohen SNR aufweist, bereitgestellt werden.
Das in der Zwischenschicht 14 enthaltene Ru weist die gleiche hexagonal am dichtesten gepackte Gitterstruktur wie die des Co auf, das eine Hauptkomponente der Aufzeichnungsschicht 15 ist. Aus diesem Grund hat das Ru eine Wirkung des Erreichens sowohl der Verbesserung der Kristallorientierung als auch der Förderung der Granularität in der Aufzeichnungsschicht 15. Um die Kristallorientierung des in der Zwischenschicht 14 enthaltenen Ru weiter zu verbessern, sind eine Basisschicht 13 und eine Saatschicht 12 zusätzlich unter der Zwischenschicht 14 bereitgestellt. In dem Magnetaufzeichnungsmedium 10 gemäß einer Ausführungsform ist eine Wirkung (eine Funktion), die im Wesentlichen zu der der Zwischenschicht 14, die Ru enthält, ähnlich ist, mit der Basisschicht 13, die preiswertes CoO, das eine kubisch flächenzentrierte Gitterstruktur aufweist, enthält, verwirklicht. Aus diesem Grund kann die Dicke der Zwischenschicht 14 dünn gemacht werden. Um die Kristallorientierung der Basisschicht 13 weiter zu verbessern, ist eine Saatschicht 12, die Cr, Ni und Fe enthält, bereitgestellt.
[Modifikationsbeispiele]
(Das Modifikationsbeispiel 1)
Wie in 3A gezeigt ist, kann das Magnetaufzeichnungsmedium 10 mit einer Zwischenschicht 31, die eine Zweischichtstruktur aufweist, auf einer Basisschicht 13 bereitgestellt werden. Die Zwischenschicht 31 ist mit einer ersten Zwischenschicht 31a, die auf der Basisschicht 13 angeordnet ist, und einer zweiten Zwischenschicht 31b, die auf der ersten Zwischenschicht 31a angeordnet ist, bereitgestellt. Die erste Zwischenschicht 31a enthält z. B. NiW, NiWZr, NiWAl oder Ta. Die zweite Zwischenschicht 31b ist zu der Zwischenschicht 14 in einer Ausführungsform ähnlich, wie oben beschrieben worden ist.
(Das Modifikationsbeispiel 2)
Das Magnetaufzeichnungsmedium 10 ist ein sogenanntes zweischichtiges senkrechtes Magnetaufzeichnungsmedium und kann ferner mit einer SUL 32 bereitgestellt sein, die eine einzelne Schicht zwischen einem Substrat 11 und einer Saatschicht 12 ist, wie in 3B gezeigt ist. Das Magnetaufzeichnungsmedium 10 ist für die Verwendung in einer Aufzeichnungs- und Wiedergabevorrichtung unter Verwendung eines Aufzeichnungskopfes des Einzelpoltyps (SPT) und eines Wiedergabekopfs des tunnelmagnetoresistiven (TMR) Typs geeignet.
Die Dicke der SUL 13 beträgt vorzugsweise 40 nm oder mehr, bevorzugter 40 nm oder mehr und 140 nm oder weniger. Die SUL 13 enthält ein weichmagnetisches Material in einem amorphen Zustand. Als das weichmagnetische Material kann z . B. ein Co-basiertes Material, ein Fe-basiertes Material oder dergleichen verwendet werden. Als das Co-basierte Material kann z. B. CoZrNB, CoZrTa, CoZrTaNb oder dergleichen erwähnt werden. Als das Fe-basierteMaterial kann z. B. FeCoB, FeCoZr, FeCoTa oder dergleichen erwähnt werden.
In dem Magnetaufzeichnungsmedium 10 gemäß dem Modifikationsbeispiel 2 kann durch das Bereitstellen einer SUL 19 unter einer Aufzeichnungsschicht 15, die eine senkrechte Magnetschicht ist, die Magnetfeldstärke von einem Aufzeichnungskopf vergrößert werden. Entsprechend kann das Magnetaufzeichnungsmedium 10, das für eine Aufzeichnung mit hoher Dichte geeignet ist, verwirklicht werden.
(Das modifizierte Beispiel 3)
Wie in 3C gezeigt ist, kann das Magnetaufzeichnungsmedium 10 mit einer antiparallel gekoppelten SUL (die im Folgenden außerdem als eine „APC-SUL“ bezeichnet wird) 33 zwischen einem Substrat 11 und einer Saatschicht 12 bereitgestellt werden.
Die APC-SUL 33 weist eine Struktur auf, in der zwei weichmagnetische Schichten 33a und 33c mit einer dünnen Zwischenschicht 33b dazwischen laminiert sind und unter Verwendung der Austauschkopplung positiv mit der Zwischenschicht 33b dazwischen gekoppelt sind, so dass die Magnetisierungsrichtungen antiparallel gemacht sind. Die weichmagnetischen Schichten 33a und 33c weisen vorzugsweise im Wesentlichen die zueinander gleiche Dicke auf. Die Gesamtdicke der weichmagnetischen Schichten 33a und 33c beträgt vorzugsweise 40 nm oder mehr, bevorzugter 40 nm oder mehr und 140 nm oder weniger. Falls die Gesamtdicke 40 nm oder mehr ist, können günstigere Aufzeichnungs- und Wiedergabeeigenschaften erhalten werden. Falls andererseits die Gesamtdicke 140 nm oder weniger ist, kann vermiedenwerden, dass die Schichtbildungszeit der APC-SUL 33 verlängert ist und eine Abnahme der Produktivität verursacht wird. Die weichmagnetischen Schichten 33a und 33c weisen vorzugsweise das zueinander gleiche Material auf, wobei als das Material ein Material, das zu dem der SUL 32 in dem Modifikationsbeispiel 2 ähnlich ist, verwendet werden kann. Die Dicke der Zwischenschicht 33b beträgt z. B. 0,8 nm oder mehr und 1,4 nm oder weniger, bevorzugt 0,9 nm oder mehr und 1,3 nm oder weniger und bevorzugter etwa 1,1 nm. Durch das Auswählen der Dicke der Zwischenschicht 33b innerhalb des Bereichs von 0,9 nm oder mehr und 1,3 nm oder weniger können günstigere Aufzeichnungs- und Wiedergabeeigenschaften erhalten werden. Als ein Material für die Zwischenschicht 33b können V, Cr, Mo, Cu, Ru, Rh und Re erwähnt werden, wobei insbesondere ein Material, das Ru enthält, bevorzugt ist.
In dem Magnetaufzeichnungsmedium 10 gemäß dem Modifikationsbeispiel 3 sind, weil eine APC-SUL 33 verwendet wird, eine weichmagnetische Schicht 33a, die ein oberer Schichtabschnitt ist, und eine weichmagnetische Schicht 33c, die ein unterer Schichtabschnitt ist, antiparallel austauschgekoppelt, wobei der Magnetisierungsbetrag der oberen und der unteren Schicht in einem Restmagnetisierungszustand insgesamt null wird. Im Ergebnis kann die Erzeugung von spitzenartigem Rauschen, das in einem Fall erzeugt wird, in dem sich die magnetische Domäne in der APC-SUL 33 bewegt, unterdrückt werden. Entsprechend können die Aufzeichnungs- und Wiedergabeeigenschaften weiter verbessert werden.
(Das Modifikationsbeispiel 4)
In einer Ausführungsform, wie oben beschrieben worden ist, ist ein Fall, in dem eine Saatschicht 12, eine Basisschicht 13, eine Zwischenschicht 14 und eine Aufzeichnungsschicht 15 durch ein Sputter-Verfahren gebildet werden, beschrieben worden, wobei jedoch wenigstens eine dieser Schichten, z. B. die Basisschicht 13, durch ein Aufdampfverfahren gebildet werden kann. Zusätzlich können eine Zwischenschicht 31, eine SUL 32 und eine APC-SUL 33 in den oben beschriebenen Modifikationsbeispielen 1 bis 3 durch ein Sputter-Verfahren oder durch ein Aufdampfverfahren gebildet werden.
Beispiele
Im Folgenden wird die vorliegende Technik über Beispiele spezifisch beschrieben, wobei jedoch die vorliegende Technik nicht nur auf diese Beispiele eingeschränkt ist.
In den vorliegenden Beispielen wurde die Dicke jeder einer Saatschicht, einer Basisschicht, einer Zwischenschicht, einer Aufzeichnungsschicht und einer Schutzschicht wie folgt gefordert. Zuerst wurde ein Magnetband in der Richtung des Schichtquerschnitts dünn verarbeitet, um ein Probenstück vorzubereiten. Als Nächstes wurde das Probenstück mit einem Transmissions-Elektronenmikroskop (das im Folgenden als ein „TEM“ bezeichnet wird) beobachtet, wobei die Dicke jeder der Schichten aus dem TEM-Bild gemessen wurde.
Zusätzlich wurde in den vorliegenden Beispielen die Zusammensetzung einer Saatschicht wie folgt gefordert. Zuerst wurde das Magnetband dem Ionendünnen unterworfen, wobei das ionengedünnte Magnetband in der Tiefenrichtung der Saatschicht durch AES (eine Tiefenprofilmessung) analysiert wurde. Als Nächstes wurde die durchschnittliche Zusammensetzung (das durchschnittliche Atomverhältnis) des Cr, Ni und Fe in der Dickenrichtung aus dem erhaltenen Tiefenprofil bestimmt.
(Das Beispiel 1)
(Der Bildungsschritt der Saatschicht)
Zuerst wurde eine Saatschicht, die Cr_X (Nΐ_YFe_100-Y _100-X enthält (wobei X = 40 und Y = 81 gilt), unter den folgenden Schichtbildungsbedingungen auf einer Oberfläche eines langen Polymerfilms als ein nichtmagnetisches Substrat gebildet, so dass sie eine Dicke von 10 nm aufweist.

Schichtbildungssystem: DC-Magnetron-Sputter-System
Ziel: CrNiFe-Ziel
Gastyp: Ar
Gasdruck: 0,25 Pa
Eingangsleistung: 1,75 W/mm²

(Der Bildungsschritt der Basisschicht)
Als Nächstes wurde eine CoO enthaltende Basisschicht unter den folgenden Schichtbildungsbedingungen auf der Saatschicht gebildet, so dass sie eine Dicke von 50 nm aufweist.

Schichtbildungssystem: HF-Magnetron-Sputter-System
Ziel: CoO-Ziel
Gastyp: Ar
Gasdruck: 1 Pa
Eingangsleistung: 0,75 W/mm²
Maske: keine

(Der Bildungsschritt der Zwischenschicht)
Als Nächstes wurde eine Ru enthaltende Zwischenschicht unter den folgenden Schichtbildungsbedingungen auf der Basisschicht gebildet, so dass sie eine Dicke von 2 nm aufweist.

Schichtbildungssystem: DC-Magnetron-Sputter-System
Ziel: Ru-Ziel
Gastyp: Ar
Gasdruck: 0,5 Pa

(Der Bildungsschritt der Aufzeichnungsschicht)
Als Nächstes wurde eine Magnetaufzeichnungsschicht, die (CoCrPt)-(SiO₂) enthält, unter den folgenden Schichtbildungsbedingungen auf der Zwischenschicht gebildet, so dass sie eine Dicke von 14 nm aufweist.

Schichtbildungssystem: DC-Magnetron-Sputter-System
Ziel: (CoCrPt)- (SiO₂) -Ziel
Gastyp: Ar
Gasdruck: 1,5 Pa

(Der Bildungsschritt der Schutzschicht)
Als Nächstes wurde eine Kohlenstoff enthaltende Schutzschicht unter den folgenden Schichtbildungsbedingungen auf der Aufzeichnungsschicht gebildet, so dass sie eine Dicke von 5 nm aufweist.

Schichtbildungssystem: DC-Magnetron-Sputter-System
Ziel: Kohlenstoffziel
Gastyp: Ar
Gasdruck: 1,0 Pa

(Der Bildungsschritt der Schmiermittelschicht)
Als Nächstes wird ein Schmiermittel auf die Schutzschicht aufgetragen, um eine Schmiermittelschicht zu bilden.
(Der Bildungsschritt der hinteren Überzugschicht)
Als Nächstes wurde ein Beschichtungsmaterial zum Bilden einer hinteren Überzugschicht auf einer Rückseite des Polymerfilms aufgetragen und getrocknet, um eine hintere Überzugschicht zu bilden. Im Ergebnis wurde das vorgesehene Magnetband erhalten.
(Die Beispiele 2 und 3)
Mit Ausnahme, dass die Dicken der Saatschichten im Bildungsschritt einer Saatschicht auf 5 nmbzw. 40 nm geändert wurden, wurde ein Magnetband in einer ähnlichen Weise wie im Beispiel 1 erhalten.
(Die Beispiele 4, 5 und 6)
Mit Ausnahme, dass die Zusammensetzungen der Saatschichten im Bildungsschritt einer Saatschicht zu Cr_X (Ni_YFe_100-Y) _100-X (wobei X = 40 und Y = 60, 70 bzw. 90 gilt) geändert wurden, wurde ein Magnetband in einer ähnlichen Weise wie im Beispiel 1 erhalten.
(Die Beispiele 7 und 8)
Mit Ausnahme, dass die Zusammensetzungen der Saatschichten im Bildungsschritt einer Saatschicht zu Cr_X (Ni_YFe_100-Y) _100-X (wobei X = 10 bzw. 45 und Y = 81 gilt) geändert wurden, wurde ein Magnetband in einer ähnlichen Weise wie im Beispiel 1 erhalten.
(Das Beispiel 9)
In dem Bildungsschritt einer Basisschicht wurde eine CoO enthaltende Basisschicht unter den folgenden Schichtbildungsbedingungen auf der Saatschicht gebildet, so dass sie eine Dicke von 50 nm aufweist.

Schichtbildungssystem: Aufdampfsystem
Einfallswinkel: 90° (vorausgesetzt, dass der Einfallswinkel ein Einfallswinkel eines Aufdampfmaterials unter Verwendung der Oberfläche des Polymerfilms als ein Bezug (0°) ist)
Sauerstoffeinleitungsmenge: 1000 sccm

(Die Beispiele 10 und 11)
Mit Ausnahme, dass die Dicken der Basisschichten im Bildungsschritt einer Basisschicht auf 100 nm bzw. 150 nm geändert wurden, wurde ein Magnetband in einer ähnlichen Weise wie im Beispiel 1 erhalten.
(Das Beispiel 12)
Mit Ausnahme, dass die Eingangsleistung im Bildungsschritt einer Basisschicht auf 1,25 W/mm² geändert wurde, wurde ein Magnetband in einer ähnlichen Weise wie im Beispiel 1 erhalten.
(Die Beispiele 13 und 14)
Mit Ausnahme, dass die Einfallswinkel im Bildungsschritt einer Basisschicht auf 60° bzw. 70° geändert wurden, wurde ein Magnetband in einer ähnlichen Weise wie im Beispiel 9 erhalten.
(Die Beispiele 15 und 16)
Mit Ausnahme, das im Bildungsschritt einer Basisschicht eine Maske verwendet wurde und die Maskenwinkel auf 60° bzw. 70° gesetzt waren, wurde ein Magnetband in einer ähnlichen Weise wie im Beispiel 1 erhalten. Ferner wurden durch das Einstellen der Maskenwinkel auf 60° bzw. 70° die Winkel, in denen die gesputterten Atome auf die Oberfläche des Polymerfilms einfallen, auf etwa 60° bzw. 70° gesetzt. Es wird angegeben, dass der Einfallswinkel ein Winkel unter Verwendung der Oberfläche des Polymerfilms als ein Bezug (0°) ist.
(Das Beispiel 17)
Mit Ausnahme, dass der folgende Bildungsschritt einer Zwischenschicht ferner zwischen dem Bildungsschritt einer Zwischenschicht und dem Bildungsschritt einer Magnetaufzeichnungsschicht bereitgestellt war, wurde ein Magnetband in einer ähnlichen Weise wie im Beispiel 1 erhalten.
(Der Bildungsschritt der Zwischenschicht)
Eine NiW enthaltende Zwischenschicht wurde unter den folgenden Schichtbildungsbedingungen auf der Basisschicht gebildet, so dass sie eine Dicke von 10 nm aufweist.

Schichtbildungssystem: DC-Magnetron-Sputter-System
Ziel: NiW-Ziel
Gastyp: Ar
Gasdruck: 0,5 Pa

(Das Beispiel 18)
Mit Ausnahme, dass der folgende Bildungsschritt einer SUL mit einer Einschichtstruktur ferner vor dem Bildungsschritt einer Saatschicht bereitgestellt war, wurde ein Magnetband in einer ähnlichen Weise wie im Beispiel 1 erhalten.
(Der Bildungsschritt der SUL mit einer Einschichtstruktur)
Eine CoZrNb enthaltende SUL mit einer Einschichtstruktur wurde unter den folgenden Schichtbildungsbedingungen auf einer Oberfläche eines langen Polymerfilms gebildet, so dass sie eine Dicke von 20 nm aufweist.

Schichtbildungssystem: DC-Magnetron-Sputter-System
Ziel: CoZrNb-Ziel
Gastyp: Ar
Gasdruck: 0,1 Pa

(Das Beispiel 19)
Mit Ausnahme, dass der folgende Bildungsschritt einer APC-SUL anstelle des Bildungsschritts einer SUL mit einer Einschichtstruktur bereitgestellt war, wurde ein Magnetband in einer ähnlichen Weise wie im Beispiel 18 erhalten.
(Der Bildungsschritt der APC-SUL)
Zuerst wurde eine CoZrNb enthaltende erste weichmagnetische Schicht unter den folgenden Schichtbildungsbedingungen auf einer Oberfläche eines langen Polymerfilms gebildet, so dass sie eine Dicke von 50 nm aufweist.

Als Nächstes wurde eine Ru enthaltende Zwischenschicht unter den folgenden Schichtbildungsbedingungen auf der ersten weichmagnetischen Schicht gebildet, so dass sie eine Dicke von 1,0 nm aufweist.

Schichtbildungssystem: DC-Magnetron-Sputter-System
Ziel: Ru-Ziel
Gastyp: Ar
Gasdruck: 0,3 Pa

Als Nächstes wurde eine CoZrNb enthaltende zweite weichmagnetische Schicht unter den folgenden Schichtbildungsbedingungen auf der Zwischenschicht gebildet, so dass sie eine Dicke von 50 nm aufweist.

(Die Vergleichsbeispiele 1, 2, 3 und 4)
Mit Ausnahme, dass die Dicken der Saatschichten im Bildungsschritt einer Saatschicht auf 2 nm, 4 nm, 45 nm bzw. 50 nm geändert wurden, wurde ein Magnetband in einer ähnlichen Weise wie im Beispiel 1 erhalten.
(Das Vergleichsbeispiel 5)
Mit Ausnahme, dass im Bildungsschritt einer Saatschicht der Gasdruck auf 1 Pa geändert wurde, wurde ein Magnetband in einer ähnlichen Weise wie im Beispiel 1 erhalten.
(Die Vergleichsbeispiele 6 und 7)
Mit Ausnahme, dass im Bildungsschritt einer Saatschicht die Zusammensetzungen der Saatschichten zu Crx (Nΐ_YFe_100-Y _100-X (X = 5 bzw. 50 und Y = 81) geändert wurden, wurde ein Magnetband in einer ähnlichen Weise wie im Beispiel 1 erhalten.
(Die Vergleichsbeispiele 8 und 9)
Mit Ausnahme, dass im Bildungsschritt einer Saatschicht die Zusammensetzungen der Saatschichten zu Crx (Nΐ_YFe_100-Y _100-X (X = 40 und Y = 55 bzw. 95) geändert wurden, wurde ein Magnetband in einer ähnlichen Weise wie im Beispiel 1 erhalten.
(Die Vergleichsbeispiele 10, 11 und 12)
Mit Ausnahme, dass die Sauerstoffeinleitungsmengen im Bildungsschritt einer Basisschicht zu 500 sccm, 700 sccmbzw. 900 sccm geändert wurden, wurde ein Magnetband in einer ähnlichen Weise wie im Beispiel 9 erhalten.
(Das Vergleichsbeispiel 13)
Mit Ausnahme, dass die Dicke der Basisschicht im Bildungsschritt einer Basisschicht auf 160 nm geändert wurde, wurde ein Magnetband in einer ähnlichen Weise wie im Beispiel 1 erhalten.
(Das Vergleichsbeispiel 14)
Mit Ausnahme, dass der Gasdruck im Bildungsschritt einer Basisschicht auf 0,5 Pa geändert wurde, wurde ein Magnetband in einer ähnlichen Weise wie im Beispiel 1 erhalten.
(Das Vergleichsbeispiel 15)
Mit Ausnahme, dass die Eingangsleistung im Bildungsschritt einer Basisschicht auf 1,5 W/mm² geändert wurde, wurde ein Magnetband in einer ähnlichen Weise wie im Beispiel 1 erhalten.
(Die Charakterisierung)
Für die in den Beispielen 1 bis 19 und den Vergleichsbeispielen 1 bis 15 erhaltenen Magnetbänder, wie oben beschrieben worden ist, wurden die folgenden Auswertungen ausgeführt.
(Das Atomkonzentrationsverhältnis des O zum Co)
Zuerst wurde das Magnetband der Ionendünnung unterworfen, wobei das ionengedünnte Magnetband in der Tiefenrichtung einer Basisschicht durch AES analysiert wurde, wobei die durchschnittliche Atomkonzentration (in (Atom-) %) sowohl der Co- als auch der O-Atome in der Tiefenrichtung bestimmt wurde. Als Nächstes wurde ein Konzentrationsverhältnis der durchschnittlichen Atomkonzentration des O-Atoms zu der durchschnittlichen Atomkonzentration des Co-Atoms (durchschnittliche Atomkonzentration des Co-Atoms)/(durchschnittliche Atomkonzentration des O-Atoms)) bestimmt.
(Der durchschnittliche Teilchendurchmesser)
Zuerst wurde das Magnetband der Ionendünnung unterworfen, um den Teil von der Oberfläche bis zu der Zwischenschicht zu entfernen, wobei das Magnetband ferner der Ionendünnung unterworfen wurde, um den Teil von der Rückseite bis zur Saatschicht zu entfernen. Anschließend wurde der Teil der verbleibenden Schichten durch ein TEM beobachtet, wurden 100 Teilchen zufällig aus dem TEM-Bild ausgewählt und wurde die Fläche S jedes Teilchens erhalten. Als Nächstes wurde unter der Annahme, dass die Querschnittsform des Teilchens kreisförmig ist, der Teilchendurchmesser R jedes Teilchen aus der folgenden Gleichung bestimmt. $R = 2 \times {(S/ π)}^{1 / 2}$
Anschließend wurden die bestimmten Teilchendurchmesser der 100 Teilchen einfach gemittelt (das arithmetische Mittel), um den durchschnittlichen Teilchendurchmesser der Säule zu bestimmen.
(Der Neigungswinkel der Säule)
Zuerst wurde das Magnetband in der Richtung des Schichtquerschnitts dünn bearbeitet, um ein Probenstück vorzubereiten. Als Nächstes wurde das Probenstück durch ein TEM beobachtet, wobei der Neigungswinkel der Säule in der Basisschicht aus dem TEM-Bild gemessen wurde. Hier ist der Neigungswinkel ein unter Verwendung der Oberfläche (der Grenzfläche) auf der Seite der Saatschicht der Basisschicht als ein Bezug (0°) gemessener Winkel.
(Das Röntgenbeugungs-Intensitätsverhältnis)
Zuerst wurden die (θ-2θ) -Eigenschaften innerhalb der Schichtneigungsfläche des Magnetbandes gemessen. Im Ergebnis wurde eine Spitze bei 2θ beobachtet: 44° (Ni fcc (111-Ebene) ) , wobei festgestellt wurde, dass die (111)-Ebene der kubisch-flächenzentrierten Gitterstruktur (fcc-Struktur) des Ni vorzugsweise so orientiert war, dass sie zu der Oberfläche des Polymerfilms parallel ist. Als Nächstes wurde ein Wert (I/D), der durch das Teilen der Spitzenintensität I bei 2θ: 44° (Ni fcc (111-Ebene)) durch die Dicke D der Saatschicht erhalten wurde, als das Röntgenbeugungs-Intensitätsverhältnis bestimmt. Es wird angegeben, dass, wie oben beschrieben worden ist, die Dicke der Saatschicht durch das Beobachten des vorbereiteten Probenstücks durch ein TEM bestimmt wurde.

Die Messbedingungen der Röntgenbeugungsintensität sind in der Tabelle 1 gezeigt. [Tabelle 1]

	Tohoku Ryokka
	Rigaku RINT 2000
Röntgenquelle	Cu Kα (Kα1 und Kα2)
Röhrenspannung	40 kV
Röhrenstrom	40 mA
Abtastachse	2 θ/θ
Messverfahren	kontinuierlich
Zähleinheit	cps
Anfangswinkel	35°
Endwinkel	47°
Abtastbreite	0, 02°
Abtastgeschwindigkeit	2°/min
Divergenzspalt	1/6°
vertikale Grenze des Divergenzspalts	10 mm
Streuspalt	8 mm
Lichtempfangsspalt	13 mm
Versatzwinkel	0°
hkl	000
BG-Bedingungen	tiefer Winkel	35°
	Zählzeit	180 Sekunden
	hoher Winkel	47°
	Zählzeit	180 Sekunden
feste Steuerposition	fest 0°
Detektor	Hochgeschwindigkeitsdetektor mit hoher Empfindlichkeit

Es wird angegeben, dass als die Datenverarbeitung-Software die Such-Software für feste Spitzen und die XRD-Analyseverarbeitungs-Software JADE verwendet wurden.
(Die Magneteigenschaften)
Für das Magnetband wurden die senkrechte Koerzitivkraft Hc und das senkrechte Rechteckigkeitsverhältnis Rs unter Verwendung eines Magnetometers mit vibrierender Probe (VSM) gemessen.
(Die Aufzeichnungs- und Wiedergabeeigenschaften)
[In einem Fall eines Magnetbandes, das keine SUL aufweist]
Die Aufzeichnungs- und Wiedergabeeigenschaften wurden wie folgt ausgewertet. Zuerst wurde eine Messung mit einem sogenannten Schlepptester, bei dem unter Verwendung eines Aufzeichnungskopfs des Ringtyps und eines Wiedergabekopfs des riesenmagnetoresisitiven Typs (GMR-Typs) das Aufzeichnen und Wiedergeben durch das reziproke Vibrieren der Köpfe mit einem Piezotisch ausgeführt werden, ausgeführt. Hier war die Breite der Lesespur des Wiedergabekopfs auf 120 nm gesetzt. Als Nächstes wurde die Aufzeichnungswellenlänge auf 250 Kiloflussänderungen pro Zoll (kFCI) gesetzt und wurde der SNR durch das Berechnen mit einem Verhältnis der Null-zu-Spitze-Spannung der wiedergegebenen Signalform zu der aus einem Wert, der durch das Integrieren der Rauschspektren in einem Bandbereich von 0 kFCI bis 500 kFCI erhalten wird, bestimmten Spannung bestimmt.
Im Allgemeinen wird gesagt, dass der minimale SNR, der erforderlich ist, um ein Aufzeichnungs- und Wiedergabesystem aufzubauen, in einem Fall des Wertes, der durch das Messverfahren erhalten wird, (ein sogenannter Breitband-SNR) , das für die Auswertung der Aufzeichnungs- und Wiedergabeeigenschaften verwendet wird, wie oben beschrieben worden ist, etwa 17 dB beträgt. Zusätzlich ist es inAnbetracht der Ausgangsverringerung, die durch das Gleiten eines Magnetbandes und eines Magnetkopfes verursacht wird, oder der Verschlechterung der Eigenschaften bei der praktischen Verwendung, z. B. der Deformation eines Magnetbandes, erwünscht, einen SNR-Spielraumfestzulegen. In Anbetracht des Spielraums wird in Betracht gezogen, dass der SNR vorzugsweise 20 dB oder mehr beträgt.
[In einem Fall eines Magnetbandes, das eine SUL aufweist]
Die Aufzeichnungs- und Wiedergabeeigenschaften wurden wie folgt ausgewertet. Zuerst wurde eine Messung mit einem sogenannten Schlepptester, bei dem unter Verwendung eines Aufzeichnungskopfs des Einpoltyps und eines Wiedergabekopfs des tunnelmagnetoresistiven Typs (TMR-Typs) das Aufzeichnen und Wiedergeben durch das reziproke Vibrieren der Köpfe mit einem Piezotisch ausgeführt werden, ausgeführt. In einem Aufzeichnungsbereich mit hoher Aufzeichnungsdichte, die 100 Gb/in² übersteigt, ist es hauptsächlich aufgrund des Problems des Aufzeichnens selbst mit einem senkrechten Magnetaufzeichnungsmedium schwierig, ausreichende Aufzeichnungs-und Wiedergabeeigenschaften zu verwirklichen, wobei eine Kombination aus einem Kopf des Einpoltyps (SPT), der in der senkrechten Richtung ein steiles Magnetfeld erzeugen kann, und einem zweischichtigen senkrechten Aufzeichnungsmedium, das eine weichmagnetische Trägerschicht (SUL) aufweist, erforderlich ist. Zusätzlich wird in Betracht gezogen, dass ein Wiedergabekopf des tunnelmagnetoresistiven Typs (TMR-Typs), der im Vergleich zu jenen eines riesenmagnetoresistiven Kopfs ein größeres Magnetoresistenz-Änderungsverhältnis und eine höhere Wiedergabeempfindlichkeit aufweist, außerdem erforderlich ist. Aus diesem Grund wurde hier die Auswertung durch einen SPT-Aufzeichnungskopf und einen TMR-Wiedergabekopf ausgeführt. Hier war die Breite der Lesespur des Wiedergabekopfes auf 75 nm gesetzt. Als Nächstes wurde die Aufzeichnungswellenlänge auf 300 Kiloflussänderungen pro Zoll (kFCI) gesetzt und wurde der SNR durch das Berechnen mit einem Verhältnis der Null-zu-Spitze-Spannung der wiedergegebenen Signalform zu der aus einem Wert, der durch das Integrieren der Rauschspektren in einem Bandbereich von 0 kFCI bis 600 kFCI erhalten wird, bestimmten Spannung bestimmt.
Im Allgemeinen wird gesagt, dass der minimale SNR, der erforderlich ist, um ein Aufzeichnungs- und Wiedergabesystem aufzubauen, in einem Fall des Wertes, der durch das Messverfahren erhalten wird, (ein sogenannter Breitband-SNR) , das für die Auswertung der Aufzeichnungs- und Wiedergabeeigenschaften verwendet wird, wie oben beschrieben worden ist, etwa 17 dBbeträgt. Zusätzlich ist es inAnbetracht der Ausgangsverringerung, die durch das Gleiten eines Magnetbandes und eines Magnetkopfes verursacht wird, oder der Verschlechterung der Eigenschaften bei der praktischen Verwendung, z. B. der Deformation eines Magnetbandes, erwünscht, einen SNR-Spielraum festzulegen. In Anbetracht des Spielraums wird in Betracht gezogen, dass der SNR vorzugsweise 20 dB oder mehr beträgt.
Ferner beträgt bei dem Magnetband in den vorliegenden Beispielen die lineare Auf zeichnungsdichte 600 k-Bitspro Zoll (BPI) , wobei unter der Annahme, dass der Spurenabstand zweimal die Spurbreite eines Wiedergabekopfs ist, und in Anbetracht dessen, dass die Spurdichte 169 k-Spurenpro Zoll (TPI) beträgt, eine Oberflächenaufzeichnungsdichte von $600 kBPI \times 169 kTPI = {101 Gb/in}^{2}$
verwirklicht werden kann.

Die Tabelle 2A zeigt den Aufbau der Magnetbänder der Beispiele 1 bis 19. [Tabelle 2A]

	Magnetschicht		Zwischenschicht				Basisschicht
	Material	Dicke (nm)	obere Schicht		untere Schicht		Sputter-Bedingungen				Aufdampfbedingungen
	Material	Dicke (nm)	Material	Dicke (nm)	Material	Dicke (nm)	Dicke (nm)	Sputter-Gasdruck (Pa)	Leistung (W/mm²)	Maskenwinkel (°)	Dicke (nm)	Einfallswinkel (°)	Sauerstoffeinleitungsmenge (sccm)
Beispiel 1	CoPtCr-SiO₂	14	Ru	2	-	-	50	1	0,75	keiner	-	-	-
Beispiel 2	CoPtCr-SiO₂	14	Ru	2	-	-	50	1	0,75	keiner	-	-	-
Beispiel 3	CoPtCr-SiO₂	14	Ru	2	-	-	50	1	0,75	keiner	-	-	-
Beispiel 4	CoPtCr-SiO₂	14	Ru	2	-	-	50	1	0,75	keiner	-	-	-
Beispiel 5	CoPtCr-SiO₂	14	Ru	2	-	-	50	1	0,75	keiner	-	-	-
Beispiel 6	CoPtCr-SiO₂	14	Ru	2	-	-	50	1	0,75	keiner	-	-	-
Beispiel 7	CoPtCr-SiO₂	15	Ru	2	-	-	50	1	0,75	keiner	-	-	-
Beispiel 8	CoPtCr-SiO₂	14	Ru	2	-	-	50	1	0,75	keiner	-	-	-
Beispiel 9	CoPtCr-SiO₂	14	Ru	2	-	-	-	-	-	-	50	90	1000
Beispiel 10	CoPtCr-SiO₂	14	Ru	2	-	-	150	1	0,75	keiner	-	-	-
Beispiel 11	CoPtCr-SiO₂	14	Ru	2	-	-	100	1	0,75	keiner	-	-	-
Beispiel 12	CoPtCr-SiO₂	14	Ru	2	-	-	50	1	1,25	keiner	-	-	-
Beispiel 13	CoPtCr-SiO₂	14	Ru	2	-	-	-	-	-	-	50	70	1000
Beispiel 14	CoPtCr-SiO₂	14	Ru	2	-	-	-	-	-	-	50	60	1000
Beispiel 15	CoPtCr-SiO₂	14	Ru	2	-	-	50	1	0,75	70	-	-	-
Beispiel 16	CoPtCr-SiO₂	14	Ru	2	-	-	50	1	0,75	60	-	-	-
Beispiel 17	CoPtCr-SiO₂	14	Ru	2	NiW	10	50	1	0,75	keiner	-	-	-
Beispiel 18	CoPtCr-SiO₂	14	Ru	2	-	-	50	1	0,75	keiner	-	-	-
Beispiel 19	CoPtCr-SiO₂	14	Ru	2	-	-	50	1	0,75	keiner	-	-	-

Die Tabelle 2B zeigt den Aufbau der Magnetbänder der Beispiele 1 bis 19. [Tabelle 2B]

	Saatschicht					weichmagnetische Unterschicht
	Zusammensetzung Cr_X (Ni_YFe_100-Y) _100-X		Sputter-Bedingungen			Material	Schichtstruktur	SUL-Dicke (obere Schicht) (nm)	Zwischenschichtdicke (nm)	SUL-Dicke (untere Schicht) (nm)
	X	Y	Dicke (nm)	Sputter-Gasdruck (Pa)	Leistung (W/mm²)	Material	Schichtstruktur	SUL-Dicke (obere Schicht) (nm)	Zwischenschichtdicke (nm)	SUL-Dicke (untere Schicht) (nm)
Beispiel 1	40	81	10	0,25	1,75	-	-	-	-	-
Beispiel 2	40	81	5	0,25	1,75	-	-	-	-	-
Beispiel 3	40	81	40	0,25	1,75	-	-	-	-	-
Beispiel 4	40	60	10	0,25	1,75	-	-	-	-	-
Beispiel 5	40	70	10	0,25	1,75	-	-	-	-	-
Beispiel 6	40	90	10	0,25	1,75	-	-	-	-	-
Beispiel 7	45	81	10	0,25	1,75	-	-	-	-	-
Beispiel 8	10	81	10	0,25	1,75	-	-	-	-	-
Beispiel 9	40	81	10	0,25	1,75	-	-	-	-	-
Beispiel 10	40	81	10	0,25	1,75	-	-	-	-	-
Beispiel 11	40	81	10	0,25	1,75	-	-	-	-	-
Beispiel 12	40	81	10	0,25	1,75	-	-	-	-	-
Beispiel 13	40	81	10	0,25	1,75	-	-	-	-	-
Beispiel 14	40	81	10	0,25	1,75	-	-	-	-	-
Beispiel 15	40	81	10	0,25	1,75	-	-	-	-	-
Beispiel 16	40	81	10	0,25	1,75	-	-	-	-	-
Beispiel 17	40	81	10	0,25	1,75	-	-	-	-	-
Beispiel 18	40	81	10	0,25	1,75	CoZrNb	Einzelschicht	20	-	-
Beispiel 19	40	81	10	0,25	1,75	CoZrNb	Dreifachschicht	50	1, 0	50

Die Tabelle 2C zeigt den Aufbau der Magnetbänder der Beispiele 1 bis 19. [Tabelle 2C]

	Basisschicht			Saatschicht	Magneteigenschaften		Bestimmungsindex
	Konzentrationsverhältnis des O zu Co (Oxidationsgrad)	durchschnittlicher Teilchendurchmesser der Säule (nm)	Säulenneigung (°)	Röntgenbeugungs-Intensitätsverhältnis (cps/nm)	senkrechte Richtung		SNR (dB)
	Konzentrationsverhältnis des O zu Co (Oxidationsgrad)	durchschnittlicher Teilchendurchmesser der Säule (nm)	Säulenneigung (°)	Röntgenbeugungs-Intensitätsverhältnis (cps/nm)	Hc (Oe)	Rs (%)	SNR (dB)
Beispiel 1	1,25	10	90	100	2800	75	18
Beispiel 2	1,25	10	90	60	2600	65	17
Beispiel 3	1,25	10	90	60	2700	70	17,5
Beispiel 4	1,25	10	90	60	2600	65	17
Beispiel 5	1,25	10	90	80	2700	70	17,5
Beispiel 6	1,25	10	90	60	2600	65	17
Beispiel 7	1,25	10	90	80	2600	70	18
Beispiel 8	1,25	10	90	60	2600	65	17
Beispiel 9	1	10	90	100	2700	70	18
Beispiel 10	1,25	13	90	100	2600	85	17
Beispiel 11	1,25	12	90	100	2700	83	17,5
Beispiel 12	1,2	13	90	100	2700	80	17
Beispiel 13	1,1	8	70	100	3000	78	18
Beispiel 14	1,2	6	60	100	3200	85	19
Beispiel 15	1,25	8	70	100	3000	78	18
Beispiel 16	1,25	6	60	100	3200	85	19
Beispiel 17	1,25	10	90	100	2800	85	19
Beispiel 18	1,25	10	90	100	2800	70	20
Beispiel 19	1,25	10	90	100	2800	73	22

Die Tabelle 3A zeigt den Aufbau der Magnetbänder der Vergleichsbeispiele 1 bis 15. [Tabelle 3A]

	Magnetschicht		Zwischenschicht				Basisschicht
	Material	Dicke (nm)	obere Schicht		untere Schicht		Sputter-Bedingungen				Aufdampfbedingungen
	Material	Dicke (nm)	Material	Dicke (nm)	Material	Dicke (nm)	Dicke (nm)	Sputter-Gasdruck (Pa)	Leistung (W/mm²)	Maskenwinkel (°)	Dicke (nm)	Einfallswinkel (°)	Sauerstoffeinleitungsmenge (sccm)
Vergleichsbeispiel 1	CoPtCr-SiO₂	14	Ru	2	-	-	50	1	0,75	keiner	-	-	-
Vergleichsbeispiel 2	CoPtCr- SiO₂	14	Ru	2	-	-	50	1	0,75	keiner	-	-	-
Vergleichsbeispiel 3	CoPtCr- SiO₂	14	Ru	2	-	-	50	1	0,75	keiner	-	-	-
Vergleichsbeispiel 4	CoPtCr- SiO₂	14	Ru	2	-	-	50	1	0,75	keiner	-	-	-
Vergleichsbeispiel 5	CoPtCr- SiO₂	14	Ru	2	-	-	50	1	0,75	keiner	-	-	-
Vergleichsbeispiel 6	CoPtCr-SiO₂	14	Ru	2	-	-	50	1	0,75	keiner	-	-	-
Vergleichsbeispiel 7	CoPtCr-SiO₂	14	Ru	2	-	-	50	1	0,75	keiner	-	-	-
Vergleichsbeispiel 8	CoPtCr-SiO₂	14	Ru	2	-	-	50	1	0,75	keiner	-	-	-
Vergleichsbeispiel 9	CoPtCr-SiO₂	14	Ru	2	-	-	50	1	0,75	keiner	-	-	-
Vergleichsbeispiel 10	CoPtCr-SiO₂	14	Ru	2	-	-	-	-	-	-	50	90	500
Vergleichsbeispiel 11	CoPtCr-SiO₂	14	Ru	2	-	-	-	-	-	-	50	90	700
Vergleichsbeispiel 12	CoPtCr- SiO₂	14	Ru	2	-	-	-	-	-	-	50	90	900
Vergleichsbeispiel 13	CoPtCr- SiO₂	14	Ru	2	-	-	160	1	0,75	keiner	-	-	-
Vergleichsbeispiel 14	CoPtCr-SiO₂	14	Ru	2	-	-	50	0,5	0,75	keiner	-	-	-
Vergleichsbeispiel 15	CoPtCr- SiO₂	14	Ru	2	-	-	50	1	1,5	keiner	-	-	-

Die Tabelle 3B zeigt den Aufbau der Magnetbänder der Vergleichsbeispiele 1 bis 15. [Tabelle 3B]

	Saatschicht					weichmagnetische Unterschicht
	Zusammensetzung Cr_X (Ni_YFe_100-Y) 100-X		Sputter-Bedingungen			Material	Schichtstruktur	SUL-Dicke (obere Schicht) (nm)	Zwischenschichtdicke (nm)	SUL-Dicke (untere Schicht) (nm)
	X	Y	Dicke (nm)	Sputter-Gasdruck (Pa)	Leistung (W/mm²)	Material	Schichtstruktur	SUL-Dicke (obere Schicht) (nm)	Zwischenschichtdicke (nm)	SUL-Dicke (untere Schicht) (nm)
Vergleichsbeispiel 1	40	81	2	0,25	1,75	-	-	-	-	-
Vergleichsbeispiel 2	40	81	4	0,25	1,75	-	-	-	-	-
Vergleichsbeispiel 3	40	81	45	0,25	1,75	-	-	-	-	-
Vergleichsbeispiel 4	40	81	50	0,25	1,75	-	-	-	-	-
Vergleichsbeispiel 5	40	81	10	1	1,75	-	-	-	-	-
Vergleichsbeispiel 6	50	81	10	0,25	1,75	-	-	-	-	-
Vergleichsbeispiel 7	5	81	10	0,25	1,75	-	-	-	-	-
Vergleichsbeispiel 8	40	55	10	0,25	1,75	-	-	-	-	-
Vergleichsbeispiel 9	40	95	10	0,25	1,75	-	-	-	-	-
Vergleichsbeispiel 10	40	81	10	0,25	1,75	-	-	-	-	-
Vergleichsbeispiel 11	40	81	10	0,25	1,75	-	-	-	-	-
Vergleichsbeispiel 12	40	81	10	0,25	1,75	-	-	-	-	-
Vergleichsbeispiel 13	40	81	10	0,25	1,75	-	-	-	-	-
Vergleichsbeispiel 14	40	81	10	0,25	1,75	-	-	-	-	-
Vergleichsbeispiel 15	40	81	10	0,25	1,75	-	-	-	-	-

Die Tabelle 3C zeigt den Aufbau der Magnetbänder der Vergleichsbeispiele 1 bis 15. [Tabelle 3C]

	Basisschicht			Saatschicht	Magneteigenschaften		Bestimmungsindex
	Konzentrationsverhältnis des O zu Co (Oxidationsgrad)	durchschnittlicher Teilchendurchmesser der Säule (nm)	Säulenneigung (°)	Röntgenbeugungs-Intensitätsverhältnis (cps/nm)	senkrechte Richtung		SNR (dB)
	Konzentrationsverhältnis des O zu Co (Oxidationsgrad)	durchschnittlicher Teilchendurchmesser der Säule (nm)	Säulenneigung (°)	Röntgenbeugungs-Intensitätsverhältnis (cps/nm)	Hc (Oe)	Rs (%)	SNR (dB)
Vergleichsbeispiel 1	1,25	12	90	10	2000	50	11
Vergleichsbeispiel 2	1,25	12	90	50	2400	55	15
Vergleichsbeispiel 3	1,25	12	90	55	2600	55	16
Vergleichsbeispiel 4	1,25	12	90	50	2400	55	15
Vergleichsbeispiel 5	1,25	13	90	50	2400	55	15
Vergleichsbeispiel 6	1,25	13	90	50	2400	55	15
Vergleichsbeispiel 7	1,25	12	90	40	2300	50	14
Vergleichsbeispiel 8	1,25	12	90	50	2400	60	15,5
Vergleichsbeispiel 9	1,25	12	90	50	2600	55	16
Vergleichsbeispiel 10	0,75	10	90	100	2200	50	11
Vergleichsbeispiel 11	0,85	10	90	100	2400	60	12
Vergleichsbeispiel 12	0,9	10	90	100	2600	60	14
Vergleichsbeispiel 13	1,25	15	90	70	2500	75	12
Vergleichsbeispiel 14	1,2	16	90	80	2600	60	14
Vergleichsbeispiel 15	1,2	14	90	90	2650	60	16

Aus den oben beschriebenen Auswertungsergebnissen kann das Folgende erkannt werden.
In den Beispielen 1 bis 19 (1) enthält die Saatschicht Cr, Ni und Fe, ist die (111)-Ebene der kubisch-flächenzentrierten Struktur vorzugsweise so orientiert, dass sie zu einer Oberfläche eines Polymerfilms als das Substrat parallel ist, und beträgt das Röntgenbeugungs-Intensitätsverhältnis 60 cps/nm oder mehr. Zusätzlich (2) enthält die Basisschicht Co und O, beträgt das Verhältnis der durchschnittlichen Atomkonzentration des O zu der durchschnittlichen Atomkonzentration des Co 1 oder mehr und wird eine Säulenstruktur mit einem durchschnittlichen Teilchendurchmesser von 3 nm oder mehr und 13 nm oder weniger besessen. Aus diesem Grund können sowohl eine günstige senkrechte Koerzitivkraft Hc als auch ein günstiges senkrechtes Rechteckigkeitsverhältnis Rs erhalten werden, wobei folglich ein günstiger SNR erhalten wird.
In den Vergleichsbeispielen 1 bis 9 (1) ist das Röntgenbeugungs-Intensitätsverhältniskleinerals 60 cps/nm. Aus diesem Grund können sowohl eine günstige senkrechte Koerzitivkraft Hc als auch ein günstiges senkrechtes Rechteckigkeitsverhältnis Rc nicht erreicht werden, wobei folglich kein günstiger SNR erhalten wird.
In den Vergleichsbeispielen 10 bis 12 (2) ist das Verhältnis der durchschnittlichen Atomkonzentration des O zu der durchschnittlichen Atomkonzentration des Co kleiner als 1. Aus diesem Grund können sowohl eine günstige senkrechte Koerzitivkraft Hc als auch ein günstiges senkrechtes Rechteckigkeitsverhältnis Rc nicht erreicht werden, wobei folglich kein günstiger SNR erhalten wird.
In den Vergleichsbeispielen 10 bis 12 (2) befindet sich der durchschnittliche Teilchendurchmesser der Säulenstruktur außerhalb des Bereichs von 3 nm odermehr und 13 nm oder weniger . Aus diesem Grund können sowohl eine günstige senkrechte Koerzitivkraft Hc als auch ein günstiges senkrechtes Rechteckigkeitsverhältnis Rc nicht erreicht werden, wobei folglich kein günstiger SNR erhalten wird.
Die Ausführungsformen und deren Modifikationsbeispiele und die Beispiele der vorliegenden Technik sind oben spezifisch beschrieben worden, wobei aber die vorliegende Technik nicht auf die oben beschriebenen Ausführungsformen und deren Modifikationsbeispiele und die Beispiele eingeschränkt sind, wobei verschiedene Modifikationen auf der Grundlage der technischen Idee der vorliegenden Technik akzeptiert werden können.
Die Konfigurationen, Verfahren, Prozesse, Formen, Materialien, Zahlenwerte und dergleichen, die in den oben beschriebenen Ausführungsformen und deren Modifikationsbeispielen und in den Beispielen erwähnt worden sind, sind z. B. lediglich Beispiele, wobei andere Konfigurationen, Verfahren, Prozesse, Formen, Materialien, Zahlenwerte und dergleichen nach Bedarf verwendet werden können.
Zusätzlich können die Konfigurationen, Verfahren, Prozesse, Formen, Materialien, Zahlenwerte und dergleichen in den oben beschriebenen Ausführungsformen und deren Modifikationsbeispielen und in den Beispielen miteinander kombiniert werden, solange wie sie nicht vom Wesentlichen der vorliegenden Technik abweichen.
Ferner kann die vorliegende Technik die folgenden Konfigurationen anwenden.

(1) Ein Magnetaufzeichnungsmedium, das Folgendes enthält:
- ein langgestrecktes Substrat, das Flexibilität aufweist;
- eine erste Schicht, die auf dem Substrat bereitgestellt ist, Cr, Ni und Fe enthält und eine kubisch-flächenzentrierte Gitterstruktur mit einer (111)-Ebene, die vorzugsweise so orientiert ist, dass sie zu einer Oberfläche des Substrats parallel ist, aufweist;
- eine zweite Schicht, die auf der ersten Schicht bereitgestellt ist, Co und O enthält, ein Verhältnis einer durchschnittlichen Atomkonzentration des O zu einer durchschnittlichen Atomkonzentration des Co von 1 oder mehr aufweist und eine Säulenstruktur mit einem durchschnittlichen Teilchendurchmesser von 3 nm oder mehr und 13 nm oder weniger aufweist;
- eine dritte Schicht, die auf der zweiten Schicht bereitgestellt ist und Ru enthält; und
- eine senkrechte Aufzeichnungsschicht, die auf der dritten Schicht bereitgestellt ist.
(2) Das Magnetaufzeichnungsmedium gemäß (1), wobei das Magnetaufzeichnungsmedium ein Röntgenbeugungs-Intensitätsverhältnis von 60 cps/nm oder mehr in der ersten Schicht aufweist.
(3) Das Magnetaufzeichnungsmedium gemäß (1) oder (2), wobei die in der ersten Schicht enthaltenen Cr, Ni und Fe eine durchschnittliche Zusammensetzung aufweisen, die durch die folgende Formel (A) dargestellt ist: Cr_X (Ni_YFe_100-Y) _100-X (A) (wobei sich X in einem Bereich von 10 ≤ X ≤ 45 befindet und sich Y in einem Bereich von 60 ≤ Y ≤ 90 befindet).
(4) Das Magnetaufzeichnungsmedium gemäß einem von (1) bis (3), wobei die erste Schicht eine Dicke von 5 nm oder mehr und 40 nm oder weniger aufweist.
(5) Das Magnetaufzeichnungsmedium gemäß einem von (1) bis (4), wobei die zweite Schicht eine Dicke von 10 nm oder mehr und 150 nm oder weniger aufweist.
(6) Das Magnetaufzeichnungsmedium gemäß einem von (1) bis (5), wobei die Säulenstruktur einen Neigungswinkel von 60° oder mehr und 90° oder weniger aufweist.
(7) Das Magnetaufzeichnungsmedium gemäß einem von (1) bis (6), das ferner Folgendes enthält eine weichmagnetische Schicht, die zwischen dem Substrat und der ersten Schicht bereitgestellt ist.
(8) Das Magnetaufzeichnungsmedium gemäß (7), wobei die weichmagnetische Schicht mit einer ersten weichmagnetischen Schicht, einer Zwischenschicht und einer zweiten weichmagnetischen Schicht bereitgestellt ist.
(9) Das Magnetaufzeichnungsmedium gemäß einem von (1) bis (8), wobei die senkrechte Aufzeichnungsschicht eine granulare Struktur aufweist und die Co, Pt und Cr enthaltenden Teilchen durch ein Oxid in der granularen Struktur getrennt sind.
(10) Das Magnetaufzeichnungsmedium gemäß einem von (1) bis (9), das ferner Folgendes enthält eine Schmiermittelschicht, die wenigstens eine Art einer carbonsäurebasierten Verbindung enthält, die durch die folgende allgemeine Formel (1) dargestellt ist, Allgemeine Formel (1):
(wobei Rf eine unsubstituierte oder substituierte oder gesättigte oder ungesättigte, Fluor enthaltende Kohlenwasserstoffgruppe oder Kohlenwasserstoffgruppe ist, Es eine Esterbindung ist und R nicht vorhanden sein kann oder eine unsubstituierte oder substituierte oder gesättigte oder ungesättigte Kohlenwasserstoffgruppe ist).
(11) Das Magnetaufzeichnungsmedium gemäß einem von (1) bis (9), das ferner Folgendes enthält eine Schmiermittelschicht, die eine oder beide der Carbonsäureverbindungen enthält, die durch die folgenden allgemeinen Formeln (2) und (3) dargestellt sind, Allgemeine Formel (2):

(wobei Rf eine unsubstituierte oder substituierte oder gesättigte oder ungesättigte, Fluor enthaltende Kohlenwasserstoffgruppe oder Kohlenwasserstoffgruppe ist) , und Allgemeine Formel (3):
(wobei Rf eine unsubstituierte oder substituierte oder gesättigte oder ungesättigte, Fluor enthaltende Kohlenwasserstoffgruppe oder Kohlenwasserstoffgruppe ist).
(12) Das Magnetaufzeichnungsmedium gemäß (11), wobei Rf ein gesättigter oder ungesättigter Fluor enthaltender Kohlenwasserstoff ist, der insgesamt 6 bis 50 Kohlenstoffatome aufweist und insgesamt 4 bis 20 Kohlenstoffatome der fluorierten Kohlenwasserstoffgruppen aufweist.

Bezugszeichenliste

10: Magnetaufzeichnungsmedium
11: Substrat
12: Saatschicht
13: Basisschicht
14, 31: Zwischenschicht
15: Aufzeichnungsschicht
16: Schutzschicht
17: Schmiermittelschicht
18: hintere Überzugschicht
20: Sputter-Vorrichtung
21: Filmbildungskammer
22: Trommel
23a, 23b, 23c: Kathode
24: Zufuhrspule
25: Aufnahmespule
31a: erste Zwischenschicht
31b: zweite Zwischenschicht
32: SUL
33: APC-SUL
33a, 33c: weichmagnetische Schicht
33b: Zwischenschicht

ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur

JP 2005196885 [0004]

Claims

Magnetaufzeichnungsmedium, das Folgendes umfasst: ein langgestrecktes Substrat, das Flexibilität aufweist; eine erste Schicht, die auf dem Substrat bereitgestellt ist, Cr, Ni und Fe enthält und eine kubisch-flächenzentrierte Gitterstruktur mit einer (111)-Ebene, die vorzugsweise so orientiert ist, dass sie zu einer Oberfläche des Substrats parallel ist, aufweist; eine zweite Schicht, die auf der ersten Schicht bereitgestellt ist, Co und O enthält, ein Verhältnis einer durchschnittlichen Atomkonzentration des O zu einer durchschnittlichen Atomkonzentration des Co von 1 oder mehr aufweist und eine Säulenstruktur mit einem durchschnittlichen Teilchendurchmesser von 3 nm oder mehr und 13 nm oder weniger aufweist; eine dritte Schicht, die auf der zweiten Schicht bereitgestellt ist und Ru enthält; und eine senkrechte Aufzeichnungsschicht, die auf der dritten Schicht bereitgestellt ist.
Magnetaufzeichnungsmedium nach Anspruch 1, wobei das Magnetaufzeichnungsmedium ein Röntgenbeugungs-Intensitätsverhältnis von 60 cps/nm oder mehr in der ersten Schicht aufweist.
Magnetaufzeichnungsmedium nach Anspruch 1, wobei die in der ersten Schicht enthaltenen Cr, Ni und Fe eine durchschnittliche Zusammensetzung aufweisen, die durch die folgende Formel (A) dargestellt ist: Cr_X (Ni_YFe_100-Y) _100-X (A) (wobei sich X in einem Bereich von 10 ≤ X ≤ 45 befindet und sich Y in einem Bereich von 60 ≤ Y ≤ 90 befindet).
Magnetaufzeichnungsmedium nach Anspruch 1, wobei die erste Schicht eine Dicke von 5 nm oder mehr und 40 nm oder weniger aufweist.
Magnetaufzeichnungsmedium nach Anspruch 1, wobei die zweite Schicht eine Dicke von 10 nm oder mehr und 150 nm oder weniger aufweist.
Magnetaufzeichnungsmedium nach Anspruch 1, wobei die Säulenstruktur einen Neigungswinkel von 60° oder weniger aufweist.
Magnetaufzeichnungsmedium nach Anspruch 1, das ferner Folgendes umfasst: eine weichmagnetische Schicht, die zwischen dem Substrat und der ersten Schicht bereitgestellt ist.
Magnetaufzeichnungsmedium nach Anspruch 7, wobei die weichmagnetische Schicht mit einer ersten weichmagnetischen Schicht, einer Zwischenschicht und einer zweiten weichmagnetischen Schicht bereitgestellt ist.
Magnetaufzeichnungsmedium nach Anspruch 1, wobei die senkrechte Aufzeichnungsschicht eine granulare Struktur aufweist und die Co, Pt und Cr enthaltenden Teilchen durch ein Oxid in der granularen Struktur getrennt sind.
Magnetaufzeichnungsmedium nach Anspruch 1, das ferner Folgendes umfasst: eine Schmiermittelschicht, die wenigstens eine Art einer carbonsäurebasierten Verbindung enthält, die durch die folgende allgemeine Formel (1) dargestellt ist, Allgemeine Formel (1):
(wobei Rf eine unsubstituierte oder substituierte oder gesättigte oder ungesättigte, Fluor enthaltende Kohlenwasserstoffgruppe oder Kohlenwasserstoffgruppe ist, Es eine Esterbindung ist und R nicht vorhanden sein kann oder eine unsubstituierte oder substituierte oder gesättigte oder ungesättigte Kohlenwasserstoffgruppe ist).
Magnetaufzeichnungsmedium nach Anspruch 1, das ferner Folgendes umfasst: eine Schmiermittelschicht, die eine oder beide der Carbonsäureverbindungen enthält, die durch die folgenden allgemeinen Formeln (2) und (3) dargestellt sind, Allgemeine Formel (2):
(wobei Rf eine unsubstituierte oder substituierte oder gesättigte oder ungesättigte, Fluor enthaltende Kohlenwasserstoffgruppe oder Kohlenwasserstoffgruppe ist) , und Allgemeine Formel (3):
(wobei Rf eine unsubstituierte oder substituierte oder gesättigte oder ungesättigte, Fluor enthaltende Kohlenwasserstoffgruppe oder Kohlenwasserstoffgruppe ist) .
Magnetaufzeichnungsmedium nach Anspruch 11, wobei Rf ein gesättigter oder ungesättigter Fluor enthaltender Kohlenwasserstoff ist, der insgesamt 6 bis 50 Kohlenstoffatome aufweist und insgesamt 4 bis 20 Kohlenstoffatome der fluorierten Kohlenwasserstoffgruppen aufweist.