JP6610824B1 - カートリッジおよびカートリッジメモリ - Google Patents

Abstract

【課題】再生の信頼性低下を抑制することができるカートリッジを提供する。【解決手段】カートリッジは、テープ状の磁気記録媒体と、記録再生装置と通信を行う通信部と、記憶部と、通信部を介して記録再生装置から受信した情報を記憶部に記憶し、かつ、記録再生装置の要求に応じて、記憶部から情報を読み出し、通信部を介して記録再生装置に送信する制御部とを備える。情報は、磁気記録媒体の長手方向にかかるテンションを調整するための調整情報を含む。磁気記録媒体の平均厚みｔTが、ｔT≦５．５［μｍ］であり、磁気記録媒体の長手方向のテンション変化に対する幅方向の寸法変化量Δｗが、６５０［ｐｐｍ／Ｎ］≦Δｗである。【選択図】図１

Description

本開示は、カートリッジおよびカートリッジメモリに関する。

近年、コンピュータ用データストレージとして利用されている磁気テープ（テープ状の磁気記録媒体）では、データの記録密度を向上するために、トラック幅および隣接するトラック間の距離は非常に狭くなっている。このようにトラック幅およびトラック間の距離が狭くなると、温湿度変化等の環境要因に起因するテープ自体の寸法変化量として最大許容される変化量がますます小さくなる。

このため、特許文献１では、環境要因に起因する幅方向の寸法変化を小さく抑え、オフトラックが少ない安定した記録再生特性を確保できる磁気テープ媒体が提案されている。また、特許文献１には、長手方向のテンション変化に対する幅方向の寸法変化量を小さくすることが記載されている。

特開２００５−３３２５１０号公報

近年においては、磁気テープの大容量化の要請から、記録トラックの数が多くなり、記録トラックの幅が狭くなってきている。このため、磁気テープにデータが記録されたのち、何らかの原因で磁気テープの幅がわずかにでも変動してしまうと、記録再生装置が、磁気テープに記録されたデータを正確に再生できずに、エラーが発生してしまう可能性がある。すなわち、再生の信頼性が低下してしまう可能性がある。

本開示の目的は、再生の信頼性低下を抑制することができるカートリッジおよびカートリッジメモリを提供することにある。

上述の課題を解決するために、第１の開示は、
テープ状の磁気記録媒体と、
記録再生装置と通信を行う通信部と、
記憶部と、
通信部を介して記録再生装置から受信した情報を記憶部に記憶し、かつ、記録再生装置の要求に応じて、記憶部から情報を読み出し、通信部を介して記録再生装置に送信する制御部と
を備え、
情報は、磁気記録媒体の長手方向にかかるテンションを調整するための調整情報を含み、
磁気記録媒体の平均厚みｔ_Tが、ｔ_T≦５．５［μｍ］であり、
磁気記録媒体の長手方向のテンション変化に対する磁気記録媒体の幅方向の寸法変化量Δｗが、６５０［ｐｐｍ／Ｎ］≦Δｗであるカートリッジである。

第２の開示は、
テープ状の磁気記録媒体と、
磁気記録媒体の長手方向にかかるテンションを調整するための調整情報を書き込む領域を有する記憶部と
を備え、
磁気記録媒体の平均厚みｔ_Tが、ｔ_T≦５．５［μｍ］であり、
磁気記録媒体の長手方向のテンション変化に対する磁気記録媒体の幅方向の寸法変化量Δｗが、６５０［ｐｐｍ／Ｎ］≦Δｗであるカートリッジである。

本開示の第１の実施形態に係る記録再生システムの構成の一例を示す概略図である。 カートリッジの構成の一例を示す分解斜視図である。 カートリッジメモリの構成の一例を示すブロック図である。 磁気テープの構成の一例を示す断面図である。 図５Ａは、データバンドおよびサーボバンドのレイアウトの概略図である。図５Ｂは、データバンドの拡大図である。 測定装置の構成を示す斜視図である。 データ記録時における記録再生装置の動作の一例について説明するためのフローチャートである。 データ再生時における記録再生装置の動作の一例について説明するためのフローチャートである。 本開示の第２の実施形態に係る記録再生システムの構成の一例を示す概略図である。 データ記録時における記録再生装置の動作の一例について説明するためのフローチャートである。 データ再生時における記録再生装置の動作の一例について説明するためのフローチャートである。

本開示の実施形態について以下の順序で説明する。なお、以下の実施形態の全図においては、同一または対応する部分には同一の符号を付す。
１ 第１の実施形態
２ 第２の実施形態
３ 変形例

＜１ 第１の実施形態＞
［概要］
本発明者らは、磁気テープの長手方向のテンションを調整することで、磁気テープの幅を一定またはほぼ一定に保つことができる記録再生装置における使用に適している磁気テープを検討している。また、上記テンションの調整を、カートリッジメモリに予め記憶されたテンション調整情報を用いて行うことが考えられる。しかしながら、本発明者らの知見によれば、一般的な磁気テープは、上述したように、長手方向のテンション変化に対する幅方向の寸法変化量が小さいため、上記記録再生装置により磁気テープの幅を一定またはほぼ一定に保つことは困難である。

そこで、本発明者らは、上記記録再生装置により磁気テープの幅を一定またはほぼ一定に保つことが可能な磁気テープについて鋭意検討した。その結果、上記の一般的な磁気テープとは反対に、長手方向のテンション変化に対する幅方向の寸法変化量を大きくした磁気テープ、具体的には長手方向のテンション変化に対する幅方向の寸法変化量Δｗを６５０［ｐｐｍ／Ｎ］≦Δｗとした磁気テープを案出するに至った。

［記録再生システムの構成］
図１は、本開示の一実施形態に係る記録再生システム１００の構成の一例を示す概略図である。記録再生システム１００は、磁気テープ記録再生システムであり、カートリッジ１０と、カートリッジ１０をロードおよびアンロード可能に構成された記録再生装置５０とを備える。

［カートリッジの構成］
図２は、カートリッジ１０の構成の一例を示す分解斜視図である。カートリッジ１０は、ＬＴＯ（Linear Tape-Open）規格に準拠した磁気テープカートリッジであり、下シェル１２Ａと上シェル１２Ｂとで構成されるカートリッジケース１２の内部に、磁気テープ（テープ状の磁気記録媒体）ＭＴが巻かれたリール１３と、リール１３の回転をロックするためのリールロック１４およびリールスプリング１５と、リール１３のロック状態を解除するためのスパイダ１６と、下シェル１２Ａと上シェル１２Ｂに跨ってカートリッジケース１２に設けられたテープ引出口１２Ｃを開閉するスライドドア１７と、スライドドア１７をテープ引出口１２Ｃの閉位置に付勢するドアスプリング１８と、誤消去を防止するためのライトプロテクト１９と、カートリッジメモリ１１とを備える。リール１３は、中心部に開口を有する略円盤状であって、プラスチック等の硬質の材料からなるリールハブ１３Ａとフランジ１３Ｂとにより構成される。磁気テープＭＴの一端部には、リーダーピン２２が設けられている。

カートリッジメモリ１１は、カートリッジ１０の１つの角部の近傍に設けられている。カートリッジ１０が記録再生装置５０にロードされた状態において、カートリッジメモリ１１は、記録再生装置５０のリーダライタ５７と対向するようになっている。カートリッジメモリ１１は、ＬＴＯ規格に準拠した無線通信規格で記録再生装置５０、具体的にはリーダライタ５７と通信を行う。

［カートリッジメモリの構成］
図３は、カートリッジメモリ１１の構成の一例を示すブロック図である。カートリッジメモリ１１は、規定の通信規格でリーダライタ５７と通信を行うアンテナコイル（通信部）３１と、アンテナコイル３１により受信した電波から、誘導起電力を用いて発電、整流して電源を生成する整流・電源回路３２と、アンテナコイル３１により受信した電波から、同じく誘導起電力を用いてクロックを生成するクロック回路３３と、アンテナコイル３１により受信した電波の検波およびアンテナコイル３１により送信する信号の変調を行う検波・変調回路３４と、検波・変調回路３４から抽出されるデジタル信号から、コマンドおよびデータを判別し、これを処理するための論理回路等で構成されるコントローラ（制御部）３５と、情報を記憶するメモリ（記憶部）３６とを備える。また、カートリッジメモリ１１は、アンテナコイル３１に対して並列に接続されたキャパシタ３７を備え、アンテナコイル３１とキャパシタ３７により共振回路が構成される。

メモリ３６は、カートリッジ１０に関連する情報等を記憶する。メモリ３６は、不揮発性メモリ（Non Volatile Memory：ＮＶＭ）である。メモリ３６の記憶容量は、好ましくは約３２ＫＢ以上である。

メモリ３６は、第１の記憶領域３６Ａと第２の記憶領域３６Ｂとを有する。第１の記憶領域３６Ａは、ＬＴＯ８以前のＬＴＯ規格のカートリッジメモリ（以下「従来のカートリッジメモリ」という。）の記憶領域に対応しており、ＬＴＯ８以前のＬＴＯ規格に準拠した情報を記憶するための領域である。ＬＴＯ８以前のＬＴＯ規格に準拠した情報は、例えば製造情報（例えばカートリッジ１０の固有番号等）、使用履歴（例えばテープ引出回数（Thread Count）等）等である。

第２の記憶領域３６Ｂは、従来のカートリッジメモリの記憶領域に対する拡張記憶領域に相当する。第２の記憶領域３６Ｂは、付加情報を記憶するための領域である。ここで、付加情報とは、ＬＴＯ８以前のＬＴＯ規格で規定されていない、カートリッジ１０に関連する情報を意味する。付加情報の例としては、テンション調整情報、管理台帳データ、Index情報、または磁気テープＭＴに記憶された動画のサムネイル情報等が挙げられるが、これらのデータに限定されるものではない。テンション調整情報は、磁気テープＭＴに対するデータ記録時における、隣接するサーボバンド間の距離（隣接するサーボバンドに記録されたサーボパターン間の距離）を含む。隣接するサーボバンド間の距離は、磁気テープＭＴの幅に関連する幅関連情報の一例である。サーボバンド間の距離の詳細については後述する。以下の説明において、第１の記憶領域３６Ａに記憶される情報を「第１の情報」といい、第２の記憶領域３６Ｂに記憶される情報を「第２の情報」ということがある。

メモリ３６は、複数のバンクを有していてもよい。この場合、複数のバンクうちの一部のバンクにより第１の記憶領域３６Ａが構成され、残りのバンクにより第２の記憶領域３６Ｂが構成されてもよい。具体的には例えば、メモリ３６は約１６ＫＢの記憶容量を有する２つのバンクを有し、２つのバンクのうちの一方のバンクにより第１の記憶領域３６Ａが構成され、他のバンクにより第２の記憶領域３６Ｂが構成されてもよい。

アンテナコイル３１は、電磁誘導により誘起電圧を誘起する。コントローラ３５は、アンテナコイル３１を介して、規定の通信規格で記録再生装置５０と通信を行う。具体的には例えば、相互認証、コマンドの送受信またはデータのやり取り等を行う。

コントローラ３５は、アンテナコイル３１を介して記録再生装置５０から受信した情報をメモリ３６に記憶する。コントローラ３５は、記録再生装置５０の要求に応じて、メモリ３６から情報を読み出し、アンテナコイル３１を介して記録再生装置５０に送信する。

［磁気テープの構成］
図４は、カートリッジ１０に用いられる磁気テープＭＴの構成の一例を示す断面図である。磁気テープＭＴは、例えば垂直磁気記録方式の磁気テープであって、長尺状の基体４１と、基体４１の一方の主面上に設けられた下地層（非磁性層）４２と、下地層４２上に設けられた記録層（磁性層）４３と、基体４１の他方の主面上に設けられたバック層４４とを備える。なお、下地層４２およびバック層４４は、必要に応じて備えられるものであり、無くてもよい。以下では、磁気テープＭＴの両主面のうち、記録層４３が設けられた側の面を磁性面といい、それとは反対となる、バック層４４が設けられた側の面をバック面ということがある。

磁気テープＭＴは長尺状を有し、記録再生の際には長手方向に走行される。また、磁気テープＭＴは、好ましくは１００ｎｍ以下、より好ましくは７５ｎｍ以下、更により好ましくは６０ｎｍ以下、特に好ましくは５０ｎｍ以下の最短記録波長で信号を記録可能に構成されており、例えば最短記録波長が上記範囲である記録再生装置に用いられる。この記録再生装置は、記録用ヘッドとしてリング型ヘッドを備えるものであってもよい。

（基体）
支持体となる基体４１は、可撓性を有する長尺状の非磁性基体である。基体４１はフィルムであり、基体４１の平均厚みＴ_subは、好ましくは３μｍ以上８μｍ以下、より好ましくは３μｍ以上４．２μｍ以下、さらにより好ましくは３μｍ以上３．８μｍ以下、特に好ましくは３μｍ以上３．４μｍ以下である。

基体４１の平均厚みＴ_subは以下のようにして求められる。まず、１／２インチ幅の磁気テープＭＴを準備し、それを２５０ｍｍの長さに切り出し、サンプルを作製する。続いて、サンプルの基体４１以外の層（すなわち下地層４２、記録層４３およびバック層４４）をＭＥＫ（メチルエチルケトン）または希塩酸等の溶剤で除去する。次に、測定装置としてMitutoyo社製レーザーホロゲージを用いて、サンプル（基体４１）の厚みを５点以上の位置で測定し、それらの測定値を単純に平均（算術平均）して、基体４１の平均厚みＴ_subを算出する。なお、測定位置は、サンプルから無作為に選ばれるものとする。

基体４１は、例えば、ポリエステル類、ポリオレフィン類、セルロース誘導体、ビニル系樹脂、芳香族ポリエーテルケトン（ＰＡＥＫ）類、およびその他の高分子樹脂のうちの少なくとも１種を含む。基体４１が上記材料のうちの２種以上を含む場合、それらの２種以上の材料は混合されていてもよいし、共重合されていてもよいし、積層されていてもよい。

ポリエステル類は、例えば、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＢＴ（ポリブチレンテレフタレート）、ＰＢＮ（ポリブチレンナフタレート）、ＰＣＴ（ポリシクロヘキシレンジメチレンテレフタレート）、ＰＥＢ（ポリエチレン−ｐ−オキシベンゾエート）およびポリエチレンビスフェノキシカルボキシレートのうちの少なくとも１種を含む。

ポリオレフィン類は、例えば、ＰＥ（ポリエチレン）およびＰＰ（ポリプロピレン）のうちの少なくとも１種を含む。セルロース誘導体は、例えば、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート、ＣＡＢ（セルロースアセテートブチレート）およびＣＡＰ（セルロースアセテートプロピオネート）のうちの少なくとも１種を含む。ビニル系樹脂は、例えば、ＰＶＣ（ポリ塩化ビニル）およびＰＶＤＣ（ポリ塩化ビニリデン）のうちの少なくとも１種を含む。芳香族ポリエーテルケトン（ＰＡＥＫ）類は、例えば、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）を含む。

その他の高分子樹脂は、例えば、ＰＡ（ポリアミド、ナイロン）、芳香族ＰＡ（芳香族ポリアミド、アラミド）、ＰＩ（ポリイミド）、芳香族ＰＩ（芳香族ポリイミド）、ＰＡＩ（ポリアミドイミド）、芳香族ＰＡＩ（芳香族ポリアミドイミド）、ＰＢＯ（ポリベンゾオキサゾール、例えばザイロン（登録商標））、ポリエーテル、ＰＥＫ（ポリエーテルケトン）、ポリエーテルエステル、ＰＥＳ（ポリエーテルサルフォン）、ＰＥＩ（ポリエーテルイミド）、ＰＳＦ（ポリスルフォン）、ＰＰＳ（ポリフェニレンスルフィド）、ＰＣ（ポリカーボネート）、ＰＡＲ（ポリアリレート）およびＰＵ（ポリウレタン）のうちの少なくとも１種を含む。

（記録層）
記録層４３は、いわゆる垂直記録層であり、例えば、磁性粉および結着剤を含む。記録層４３が、必要に応じて、潤滑剤、導電性粒子、研磨剤および防錆剤等からなる群より選ばれる１種以上の添加剤をさらに含んでいてもよい。

記録層４３は、多数の孔部が設けられた表面を有し、これらの多数の孔部には、潤滑剤が蓄えられていることが好ましい。これにより、磁気テープＭＴとヘッドの接触による摩擦を低減することができる。多数の孔部は、記録層４３の表面に対して垂直方向に延設されていることが好ましい。記録層４３の表面に対する潤滑剤の供給性を向上することができるからである。なお、多数の孔部の一部が垂直方向に延設されていてもよい。

記録層４３の平均厚みｔ_mが、好ましくは３５［ｎｍ］≦ｔ_m≦９０［ｎｍ］、より好ましくは３５［ｎｍ］≦ｔ_m≦８０［ｎｍ］、さらにより好ましくは３５［ｎｍ］≦ｔ_m≦７０［ｎｍ］、特に好ましくは３５［ｎｍ］≦ｔ_m≦５０［ｎｍ］である。記録層４３の平均厚みｔ_mが３５［ｎｍ］≦ｔ_mであると、再生ヘッドとしてはＭＲ型ヘッドを用いた場合に、出力を確保できるため、電磁変換特性を向上することができる。一方、記録層４３の平均厚みｔ_mがｔ_m≦９０［ｎｍ］であると、記録ヘッドとしてリング型ヘッドを用いた場合に、反磁界の影響を軽減できるため、電磁変換特性を向上することができる。

記録層４３の平均厚みｔ_mは以下のようにして求められる。まず、磁気テープＭＴを、その主面に対して垂直に薄く加工して試料片を作製し、その試料片の断面を透過型電子顕微鏡（Transmission Electron Microscope：ＴＥＭ）により、下記の条件で観察を行う。
装置：ＴＥＭ（日立製作所製Ｈ９０００ＮＡＲ）
加速電圧：３００ｋＶ
倍率：１００，０００倍
次に、得られたＴＥＭ像を用い、磁気テープＭＴの長手方向で少なくとも１０点以上の位置で記録層４３の厚みを測定したのち、それらの測定値を単純に平均（算術平均）して記録層４３の平均厚みｔ_m（ｎｍ）とする。

記録層４３は、図５Ａに示すように、複数のサーボバンドＳＢと複数のデータバンドＤＢとを予め有していることが好ましい。複数のサーボバンドＳＢは、磁気テープＭＴの幅方向に等間隔で設けられている。隣り合うサーボバンドＳＢの間には、データバンドＤＢが設けられている。サーボバンドＳＢには、磁気ヘッドのトラッキング制御をするためのサーボ信号が予め書き込まれている。データバンドＤＢには、記録再生装置５０によりユーザデータが記録される。

記録層４３の表面の面積Ｓに対するサーボバンドＳＢの総面積Ｓ_SBの割合Ｒ_S（＝（Ｓ_SB／Ｓ）×１００）の上限値は、高記録容量を確保する観点から、好ましくは４．０％以下、より好ましくは３．０％以下、さらにより好ましくは２．０％以下である。一方、記録層４３の表面の面積Ｓに対するサーボバンドＳＢの総面積Ｓ_SBの割合Ｒ_Sの下限値は、５以上のサーボトラックを確保する観点から、好ましくは０．８％以上である。

記録層４３の表面の面積Ｓに対するサーボバンドＳＢの総面積Ｓ_SBの割合Ｒ_Sは以下のようにして求められる。まず、記録層４３の表面を磁気力顕微鏡（Magnetic Force Microscope：ＭＦＭ）を用いて観察し、ＭＦＭ像を取得する。続いて、取得されたＭＦＭ像を用いて、サーボバンド幅Ｗ_SBおよびサーボバンドＳＢの本数を測定する。次に、以下の式から割合Ｒ_Sを求める。
割合Ｒ_S［％］＝（（（サーボバンド幅Ｗ_SB）×（サーボバンドＳＢの本数））／（磁気テープＭＴの幅））×１００

サーボバンドＳＢの数の下限値は、好ましくは５以上、より好ましくは５＋４ｎ（但し、ｎは正の整数である。）以上、さらにより好ましくは９＋４ｎ以上である。サーボバンドＳＢの数が５以上であると、磁気テープＭＴの幅方向の寸法変化によるサーボ信号への影響を抑制し、よりオフトラックが少ない安定した記録再生特性を確保できる。サーボバンドＳＢの数の上限値は特に限定されるものではないが、例えば３３以下である。

サーボバンドＳＢの数は以下のようにして確認可能である。まず、記録層４３の表面を磁気力顕微鏡（ＭＦＭ）を用いて観察し、ＭＦＭ像を取得する。次に、ＭＦＭ像を用いてサーボバンドＳＢの数をカウントする。

サーボバンド幅Ｗ_SBの上限値は、高記録容量を確保する観点から、好ましくは９５μｍ以下、より好ましくは６０μｍ以下、さらにより好ましくは３０μｍ以下である。サーボバンド幅Ｗ_SBの下限値は、好ましくは１０μｍ以上である。１０μｍ未満のサーボバンド幅Ｗ_SBのサーボ信号を読み取り可能な記録ヘッドは製造が困難である。

サーボバンド幅Ｗ _SB は以下のようにして求められる。まず、記録層４３の表面を磁気力顕微鏡（ＭＦＭ）を用いて観察し、ＭＦＭ像を取得する。次に、ＭＦＭ像を用いてサーボバンド幅Ｗ _SB を測定する。

記録層４３は、図５Ｂに示すように、データバンドＤＢに複数のデータトラックＴｋを形成可能に構成されている。記録層４３に形成可能なデータトラックＴｋの総数は、高記録容量を確保する観点から、６０００以上であることが好ましい。データトラック幅Ｗの上限値は、トラック記録密度を向上し、高記録容量を確保する観点から、好ましくは３．０μｍ以下、より好ましくは１．６μｍ以下、さらにより好ましくは０．９５μｍ以下、特に好ましくは０．５１μｍ以下である。データトラック幅Ｗの下限値は、磁性粒子サイズを考慮すると、好ましくは０．０２μｍ以上である。

記録層４３は、磁化反転間距離の最小値Ｌとデータトラック幅Ｗが好ましくはＷ／Ｌ≦２００、より好ましくはＷ／Ｌ≦６０、さらにより好ましくはＷ／Ｌ≦４５、特に好ましくはＷ／Ｌ≦３０となるように、データを記録可能に構成されている。磁化反転間距離の最小値Ｌが一定値であり、磁化反転間距離の最小値Ｌとトラック幅ＷがＷ／Ｌ＞２００であると（すなわちトラック幅Ｗが大きいと）、トラック記録密度が上がらないため、記録容量を十分に確保できなくなる虞がある。また、トラック幅Ｗが一定値であり、磁化反転間距離の最小値Ｌとトラック幅ＷがＷ／Ｌ＞２００であると（すなわち磁化反転間距離の最小値Ｌが小さいと）、ビット長さが小さくなり、線記録密度が上がるが、スペーシングロスの影響により、ＳＮＲが著しく悪化してしまう虞がある。したがって、記録容量を確保しながら、ＳＮＲの悪化を抑えるためには、上記のようにＷ／ＬがＷ／Ｌ≦６０の範囲にあることが好ましい。但し、Ｗ／Ｌは上記範囲に限定されるものではなく、Ｗ／Ｌ≦２３またはＷ／Ｌ≦１３であってもよい。Ｗ／Ｌの下限値は特に限定されるものではないが、例えば１≦Ｗ／Ｌである。

記録層４３は、高記録容量を確保する観点から、磁化反転間距離の最小値Ｌが好ましくは５０ｎｍ以下、より好ましくは４８ｎｍ以下、さらにより好ましくは４４ｎｍ以下、特に好ましくは４０ｎｍ以下となるように、データを記録可能に構成されている。磁化反転間距離の最小値Ｌの下限値は、磁性粒子サイズを考慮すると、好ましくは２０ｎｍ以上である。

（磁性粉）
磁性粉は、ε酸化鉄を含有するナノ粒子（以下「ε酸化鉄粒子」という。）の粉末を含む。ε酸化鉄粒子は、微粒子でも高保磁力を得ることができる硬磁性粒子である。ε酸化鉄粒子に含まれるε酸化鉄は、磁気テープＭＴの厚み方向（垂直方向）に優先的に結晶配向していることが好ましい。

ε酸化鉄粒子は、球状もしくはほぼ球状を有しているか、または立方体状もしくはほぼ立方体状を有している。ε酸化鉄粒子が上記のような形状を有しているため、磁性粒子としてε酸化鉄粒子を用いた場合、磁性粒子として六角板状のバリウムフェライト粒子を用いた場合に比べて、磁気テープＭＴの厚み方向における粒子同士の接触面積を低減し、粒子同士の凝集を抑制することができる。したがって、磁性粉の分散性を高め、より良好なＳＮＲ（Signal-to-Noise Ratio）を得ることができる。

ε酸化鉄粒子は、コアシェル型構造を有する。具体的には、ε酸化鉄粒子は、コア部と、このコア部の周囲に設けられた２層構造のシェル部とを備える。２層構造のシェル部は、コア部上に設けられた第１シェル部と、第１シェル部上に設けられた第２シェル部とを備える。

コア部は、ε酸化鉄を含む。コア部に含まれるε酸化鉄は、ε−Ｆｅ₂Ｏ₃結晶を主相とするものが好ましく、単相のε−Ｆｅ₂Ｏ₃からなるものがより好ましい。

第１シェル部は、コア部の周囲のうちの少なくとも一部を覆っている。具体的には、第１シェル部は、コア部の周囲を部分的に覆っていてもよいし、コア部の周囲全体を覆っていてもよい。コア部と第１シェル部の交換結合を十分なものとし、磁気特性を向上する観点からすると、コア部の表面全体を覆っていることが好ましい。

第１シェル部は、いわゆる軟磁性層であり、例えば、α−Ｆｅ、Ｎｉ−Ｆｅ合金またはＦｅ−Ｓｉ−Ａｌ合金等の軟磁性体を含む。α−Ｆｅは、コア部に含まれるε酸化鉄を還元することにより得られるものであってもよい。

第２シェル部は、酸化防止層としての酸化被膜である。第２シェル部は、α酸化鉄、酸化アルミニウムまたは酸化ケイ素を含む。α酸化鉄は、例えばＦｅ₃Ｏ₄、Ｆｅ₂Ｏ₃およびＦｅＯのうちの少なくとも１種の酸化鉄を含む。第１シェル部がα−Ｆｅ（軟磁性体）を含む場合には、α酸化鉄は、第１シェル部に含まれるα−Ｆｅを酸化することにより得られるものであってもよい。

ε酸化鉄粒子が、上述のように第１シェル部を有することで、熱安定性を確保するためにコア部単体の保磁力Ｈｃを大きな値に保ちつつ、ε酸化鉄粒子（コアシェル粒子）全体としての保磁力Ｈｃを記録に適した保磁力Ｈｃに調整できる。また、ε酸化鉄粒子が、上述のように第２シェル部を有することで、磁気テープＭＴの製造工程およびその工程前において、ε酸化鉄粒子が空気中に暴露されて、粒子表面に錆び等が発生することにより、ε酸化鉄粒子の特性が低下することを抑制することができる。したがって、磁気テープＭＴの特性劣化を抑制することができる。

磁性粉の平均粒子サイズ（平均最大粒子サイズ）は、例えば２２．５ｎｍ以下である。磁性粉の平均粒子サイズ（平均最大粒子サイズ）は、好ましくは２２ｎｍ以下、より好ましくは８ｎｍ以上２２ｎｍ以下、さらにより好ましくは１２ｎｍ以上２２ｎｍ以下、特に好ましくは１２ｎｍ以上１５ｎｍ以下、最も好ましくは１２ｎｍ以上１４ｎｍ以下である。磁気テープＭＴでは、記録波長の１／２のサイズの領域が実際の磁化領域となる。このため、磁性粉の平均粒子サイズを最短記録波長の半分以下に設定することで、良好な電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を得ることができる。したがって、磁性粉の平均粒子サイズが２２ｎｍ以下であると、高記録密度の磁気テープＭＴ（例えば４４ｎｍ以下の最短記録波長で信号を記録可能に構成された磁気テープＭＴ）において、良好な電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を得ることができる。一方、磁性粉の平均粒子サイズが８ｎｍ以上であると、磁性粉の分散性がより向上し、より優れた電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を得ることができる。

磁性粉の平均アスペクト比が、好ましくは１．０以上３．０以下、より好ましくは１．０以上２．５以下、さらにより好ましくは１．０以上２．１以下、特に好ましくは１．０以上１．８以下である。磁性粉の平均アスペクト比が１．０以上３．０以下の範囲内であると、磁性粉の凝集を抑制することができる。また、記録層４３の形成工程において磁性粉を垂直配向させる際に、磁性粉に加わる抵抗を抑制することができる。したがって、磁性粉の垂直配向性を向上することができる。

上記の磁性粉の平均粒子サイズおよび平均アスペクト比は、以下のようにして求められる。まず、測定対象となる磁気テープＭＴをＦＩＢ（Focused Ion Beam）法等により加工して薄片を作製し、ＴＥＭにより薄片の断面観察を行う。次に、撮影したＴＥＭ写真から５０個のε酸化鉄粒子を無作為に選び出し、各ε酸化鉄粒子の長軸長ＤＬと短軸長ＤＳを測定する。ここで、長軸長ＤＬとは、ε酸化鉄粒子の輪郭に接するように、あらゆる角度から引いた２本の平行線間の距離のうち最大のもの（いわゆる最大フェレ径）を意味する。一方、短軸長ＤＳとは、ε酸化鉄粒子の長軸と直交する方向におけるε酸化鉄粒子の長さのうち最大のものを意味する。

続いて、測定した５０個のε酸化鉄粒子の長軸長ＤＬを単純に平均（算術平均）して平均長軸長ＤＬaveを求める。このようにして求めた平均長軸長ＤＬaveを磁性粉の平均粒子サイズとする。また、測定した５０個のε酸化鉄粒子の短軸長ＤＳを単純に平均（算術平均）して平均短軸長ＤＳaveを求める。そして、平均長軸長ＤＬaveおよび平均短軸長ＤＳaveからε酸化鉄粒子の平均アスペクト比（ＤＬave／ＤＳave）を求める。

磁性粉の平均粒子体積は、好ましくは５６００ｎｍ³以下、より好ましくは２５０ｎｍ³以上５６００ｎｍ³以下、さらにより好ましくは９００ｎｍ³以上５６００ｎｍ³以下、特に好ましくは９００ｎｍ³以上１８００ｎｍ³以下、最も好ましくは９００ｎｍ³以上１５００ｎｍ³以下である。一般的に磁気テープＭＴのノイズは粒子個数の平方根に反比例（すなわち粒子体積の平方根に比例）するため、粒子体積をより小さくすることで、良好な電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を得ることができる。したがって、磁性粉の平均粒子体積が５６００ｎｍ³以下であると、磁性粉の平均粒子サイズを２２ｎｍ以下とする場合と同様の効果に、良好な電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を得ることができる。一方、磁性粉の平均粒子体積が２５０ｎｍ³以上であると、磁性粉の平均粒子サイズを８ｎｍ以上とする場合と同様の効果が得られる。

ε酸化鉄粒子が球状またはほぼ球状を有している場合には、磁性粉の平均粒子体積は以下のようにして求められる。まず、上記の磁性粉の平均粒子サイズの算出方法と同様にして、平均長軸長ＤＬaveを求める。次に、以下の式により、磁性粉の平均粒子体積Ｖを求める。
Ｖ＝（π/６）×ＤＬave³

ε酸化鉄粒子が立方体状またはほぼ立方体状を有している場合には、磁性粉の平均粒子体積は以下のようにして求められる。まず、測定対象となる磁気テープＭＴをＦＩＢ法等により加工して薄片を作製し、ＴＥＭにより薄片の断面観察を行う。続いて、撮影したＴＥＭ写真から、ＴＥＭ断面と平行な面を有する５０個のε酸化鉄粒子を無作為に選び出し、各ε酸化鉄粒子の一辺の長さＬを測定する。次に、測定した５０個のε酸化鉄粒子の一辺の長さＬを単純に平均（算術平均）して平均の辺の長さＬaveを求める。
Ｖ＝Ｌave³

（結着剤）
結着剤としては、ポリウレタン系樹脂、塩化ビニル系樹脂等に架橋反応を付与した構造の樹脂が好ましい。しかしながら結着剤はこれらに限定されるものではなく、磁気テープＭＴに対して要求される物性等に応じて、その他の樹脂を適宜配合してもよい。配合する樹脂としては、通常、塗布型の磁気テープＭＴにおいて一般的に用いられる樹脂であれば、特に限定されない。

例えば、ポリ塩化ビニル、ポリ酢酸ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル−塩化ビニリデン共重合体、塩化ビニル−アクリロニトリル共重合体、アクリル酸エステル−アクリロニトリル共重合体、アクリル酸エステル−塩化ビニル−塩化ビニリデン共重合体、塩化ビニル−アクリロニトリル共重合体、アクリル酸エステル−アクリロニトリル共重合体、アクリル酸エステル−塩化ビニリデン共重合体、メタクリル酸エステル−塩化ビニリデン共重合体、メタクリル酸エステル−塩化ビニル共重合体、メタクリル酸エステル−エチレン共重合体、ポリ弗化ビニル、塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体、ポリアミド樹脂、ポリビニルブチラール、セルロース誘導体（セルロースアセテートブチレート、セルロースダイアセテート、セルローストリアセテート、セルロースプロピオネート、ニトロセルロース）、スチレンブタジエン共重合体、ポリエステル樹脂、アミノ樹脂、合成ゴム等が挙げられる。

また、熱硬化性樹脂、または反応型樹脂の例としては、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、アルキッド樹脂、シリコーン樹脂、ポリアミン樹脂、尿素ホルムアルデヒド樹脂等が挙げられる。

また、上述した各結着剤には、磁性粉の分散性を向上させる目的で、−ＳＯ₃Ｍ、−ＯＳＯ₃Ｍ、−ＣＯＯＭ、Ｐ＝Ｏ（ＯＭ）₂等の極性官能基が導入されていてもよい。ここで、式中Ｍは、水素原子、あるいはリチウム、カリウム、ナトリウム等のアルカリ金属である。

更に、極性官能基としては、−ＮＲ１Ｒ２、−ＮＲ１Ｒ２Ｒ３⁺Ｘ^-の末端基を有する側鎖型のもの、＞ＮＲ１Ｒ２⁺Ｘ^-の主鎖型のものが挙げられる。ここで、式中Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３は、水素原子、または炭化水素基であり、Ｘ^-は弗素、塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲン元素イオン、または無機もしくは有機イオンである。また、極性官能基としては、−ＯＨ、−ＳＨ、−ＣＮ、エポキシ基等も挙げられる。

（添加剤）
記録層４３は、非磁性補強粒子として、酸化アルミニウム（α、βまたはγアルミナ）、酸化クロム、酸化珪素、ダイヤモンド、ガーネット、エメリー、窒化ホウ素、チタンカーバイト、炭化珪素、炭化チタン、酸化チタン（ルチル型またはアナターゼ型の酸化チタン）等をさらに含有していてもよい。

（下地層）
下地層４２は、いわゆる非磁性層であり、例えば、非磁性粉および結着剤を含む。下地層４２が、必要に応じて、導電性粒子、潤滑剤、硬化剤および防錆剤等からなる群より選ばれる１種以上の添加剤をさらに含んでいてもよい。

下地層４２の平均厚みｔ_uは、好ましくは０．６μｍ以上２．０μｍ以下、より好ましくは０．８μｍ以上１．４μｍ以下である。なお、下地層４２の平均厚みｔ_uは、記録層４３の平均厚みｔ_mと同様にして求められる。但し、ＴＥＭ像の倍率は、下地層４２の厚みに応じて適宜調整される。

（非磁性粉）
非磁性粉は、無機物質でも有機物質でもよい。また、非磁性粉は、カーボンブラック等でもよい。無機物質としては、例えば、金属、金属酸化物、金属炭酸塩、金属硫酸塩、金属窒化物、金属炭化物、金属硫化物等が挙げられる。非磁性粉の形状としては、例えば、針状、球状、立方体状、板状等の各種形状が挙げられるが、これに限定されるものではない。

（結着剤）
結着剤は、上述の記録層４３と同様である。

（バック層）
バック層４４は、結着剤および非磁性粉を含む。バック層４４が、必要に応じて潤滑剤、硬化剤および帯電防止剤等の各種添加剤を含んでいてもよい。結着剤および非磁性粉は、上述の下地層４２と同様である。

無機粒子の平均粒子サイズは、好ましくは１０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下、より好ましくは１５ｎｍ以上１１０ｎｍ以下である。無機粒子の平均粒子サイズは、上記の磁性粉の平均粒子サイズＤと同様にして求められる。

バック層４４の平均厚みｔ_bは、ｔ_b≦０．６［μｍ］であることが好ましい。バック層４４の平均厚みｔ_bが上記範囲であることで、磁気テープＭＴの平均厚みｔ_Tをｔ_T≦５．５［μｍ］にした場合でも、下地層４２や基体４１の厚みを厚く保つことができ、これにより磁気テープＭＴの記録再生装置内での走行安定性を保つことができる。

バック層４４の平均厚みｔ_bは以下のようにして求められる。まず、１／２インチ幅の磁気テープＭＴを準備し、それを２５０ｍｍの長さに切り出し、サンプルを作製する。次に、測定装置としてMitutoyo社製レーザーホロゲージを用いて、サンプルの異なる場所の厚みを５点以上測定し、それらの測定値を単純に平均（算術平均）して、平均厚みｔ_T［μｍ］を算出する。続いて、サンプルのバック層４４をＭＥＫ（メチルエチルケトン）等の溶剤や希塩酸等で除去したのち、再び上記のレーザーホロゲージを用いてサンプルの異なる場所の厚みを５点以上測定し、それらの測定値を単純に平均（算術平均）して平均厚みｔ_B［μｍ］を算出する。その後、以下の式よりバック層４４の平均厚みｔ_b（μｍ）を求める。
ｔ_b［μｍ］＝ｔ_T［μｍ］−ｔ_B［μｍ］

（磁気テープの平均厚みｔ_T）
磁気テープＭＴの平均厚みｔ_Tが、ｔ_T≦５．５［μｍ］、好ましくはｔ_T≦５．２［μｍ］、より好ましくはｔ_T≦５．０［μｍ］、さらにより好ましくはｔ_T≦４．６［μｍ］、特に好ましくはｔ_T≦４．４［μｍ］である。磁気テープＭＴの平均厚みｔ_Tがｔ_T≦５．５［μｍ］であると、１データカートリッジ内に記録できる記録容量を従来よりも高めることができる。磁気テープＭＴの平均厚みｔ_Tの下限値は特に限定されるものではないが、例えば、３．５［μｍ］≦ｔ_Tである。

磁気テープＭＴの平均厚みｔ_Tは、バック層４４の平均厚みｔ_bにおける平均厚みｔ_Tと同様にして求められる。

（寸法変化量Δｗ）
磁気テープＭＴの長手方向のテンション変化に対する磁気テープＭＴの幅方向の寸法変化量Δｗ［ｐｐｍ／Ｎ］は、６５０ｐｐｍ／Ｎ≦Δｗであり、好ましくは６７０ｐｐｍ／Ｎ≦Δｗであり、より好ましくは６８０ｐｐｍ／Ｎ≦Δｗであり、さらにより好ましくは７００ｐｐｍ／Ｎ≦Δｗであり、特に好ましくは７５０ｐｐｍ／Ｎ≦Δｗであり、最も好ましくは８００ｐｐｍ／Ｎ≦Δｗである。寸法変化量ΔｗがΔｗ＜６５０ｐｐｍ／Ｎであると、記録再生装置５０による磁気テープＭＴの長手方向のテンションの調整では、磁気テープＭＴの幅の変化を抑制することが困難となる虞がある。寸法変化量Δｗの上限値は特に限定されるものではないが、例えばΔｗ≦１７０００００ｐｐｍ／Ｎ、好ましくはΔｗ≦２００００ｐｐｍ／Ｎ、より好ましくはΔｗ≦８０００ｐｐｍ／Ｎ、さらにより好ましくはΔｗ≦５０００ｐｐｍ／Ｎ、Δｗ≦４０００ｐｐｍ／Ｎ、Δｗ≦３０００ｐｐｍ／Ｎ、またはΔｗ≦２０００ｐｐｍ／Ｎでありうる。

寸法変化量Δｗは、基体４１の選択により所望の値に設定することが可能である。例えば、寸法変化量Δｗは、基体４１の厚みおよび基体４１の材料の少なくとも一方を選択することにより所望の値に設定されうる。また、寸法変化量Δｗは、例えば基体４１の幅方向および長手方向の延伸強度を調整することによって、所望の値に設定されてもよい。例えば、基体４１の幅方向により強く延伸することによって、寸法変化量Δｗはより低下し、反対に、基体４１の長手方向における延伸を強めることによって、寸法変化量Δｗは上昇する。

寸法変化量Δｗは以下のようにして求められる。まず、１／２インチ幅の磁気テープＭＴを準備し、それを２５０ｍｍの長さに切り出し、サンプル１０Ｓを作製する。次に、サンプル１０Ｓの長手方向に０．２Ｎ、０．６Ｎ、１．０Ｎの順で荷重をかけ、０．２Ｎ、０．６Ｎ、および１．０Ｎの荷重におけるサンプル１０Ｓの幅を測定する。続いて、以下の式より寸法変化量Δｗを求める。なお、０．６Ｎの荷重をかけた場合の測定は、測定において異常が生じていないかを確認するため（特にはこれら３つの測定結果が直線的になっていることを確認するため）に行われるものであり、その測定結果は以下の式において用いられない。

（但し、式中、Ｄ（０．２Ｎ）およびＤ（１．０Ｎ）はそれぞれ、サンプル１０Ｓの長手方向に０．２Ｎおよび１．０Ｎの荷重をかけたときのサンプル１０Ｓの幅を示す。）

各荷重をかけたときのサンプル１０Ｓの幅は以下のようにして測定される。まず、測定装置としてキーエンス社製のデジタル寸法測定器ＬＳ−７０００を組み込んだ、図６に示す測定装置を準備し、この測定装置にサンプル１０Ｓをセットする。具体的には、長尺状のサンプル（磁気テープＭＴ）１０Ｓの一端を固定部２３１により固定する。次に、図６に示されるとおり、サンプル１０Ｓを、５本の略円柱状且つ棒状の支持部材２３２₁〜２３２₅に乗せる。サンプル１０Ｓは、そのバック面が５本の支持部材２３２₁〜２３２₅に接するように、これら支持部材２３２₁〜２３２₅に乗せられる。５本の支持部材２３２₁〜２３２₅（特にその表面）はいずれもステンレス鋼ＳＵＳ３０４から形成されており、その表面粗さＲｚ（最大高さ）は０．１５μｍ〜０．３μｍである。

５本の棒状の支持部材２３２₁〜２３２₅の配置を、図６を参照しながら説明する。図６に示されるとおり、サンプル１０Ｓは、５本の支持部材２３２₁〜２３２₅に乗せられている。５本の支持部材２３２₁〜２３２₅について、以下では、固定部２３１に最も近いほうから「第１支持部材２３２₁」、「第２支持部材２３２₂」、「第３支持部材２３２₃」（スリット２３２Ａを有する）、「第４支持部材２３２₄」、および「第５支持部材２３２₅」（重り２３３に最も近い）という。これら５本の第１〜第５支持部材２３２₁〜２３２₅の直径はいずれも、７ｍｍである。第１支持部材２３２₁と第２支持部材２３２₂との距離ｄ１（特にはこれら支持部材の中心軸の間の距離）は２０ｍｍである。第２支持部材２３２₂と第３支持部材２３２₃との距離ｄ２は３０ｍｍである。第３支持部材２３２₃と第４支持部材２３２₄との距離ｄ３は３０ｍｍである。第４支持部材２３２₄と第５支持部材２３２₅との距離ｄ４は２０ｍｍである。

また、サンプル１０Ｓのうち第２支持部材２３２₂、第３支持部材２３２₃、および第４支持部材２３２₄の間に乗っている部分が、重力方向に対して略垂直な平面を形成するように、これら３つの支持部材２３２₂〜２３２₄は配置されている。また、サンプル１０Ｓが、第１支持部材２３２₁と第２支持部材２３２₂との間では、上記略垂直の平面に対してθ１＝３０°の角度を形成するように、第１支持部材２３２₁および第２支持部材２３２₂は配置されている。さらに、サンプル１０Ｓが、第４支持部材２３２₄と第５支持部材２３２₅との間では、上記の略垂直な平面に対してθ２＝３０°の角度を形成するように、第４支持部材２３２₄および第５支持部材２３２₅は配置されている。また、５本の第１〜第５支持部材２３２₁〜２３２₅のうち、第３支持部材２３２₃は回転しないように固定されているが、その他の４本の第１、第２、第４、第５支持部材２３２₁、２３２₂、２３２₄、２３２₅は全て回転可能である。

サンプル１０Ｓは、支持部材２３２₁〜２３２₅上でサンプル１０Ｓの幅方向に移動しないように保持される。なお、支持部材２３２₁〜２３２₅のうち、発光器２３４および受光器２３５の間に位置し、かつ、固定部２３１と荷重をかける部分とのほぼ中心に位置する支持部材２３２₃にはスリット２３２Ａが設けられている。スリット２３２Ａを介して発光器２３４から受光器２３５に光Ｌが照射されるようになっている。スリット２３２Ａのスリット幅は１ｍｍであり、光Ｌは、スリット２３２Ａの枠に遮られることなく、当該スリット２３２Ａを通り抜けられる。

続いて、温度２５℃相対湿度５０％の一定環境下に制御されたチャンバー内に測定装置を収容したのち、サンプル１０Ｓの他端に、０．２Ｎの荷重をかけるための重り２３３を取り付け、サンプル１０Ｓを上記環境内に２時間置く。２時間置いた後に、サンプル１０Ｓの幅を測定する。次に、０．２Ｎの荷重をかけるための重りを、０．６Ｎの荷重をかけるための重りに変更し、当該変更の５分後にサンプル１０Ｓの幅を測定する。最後に、１．０Ｎの荷重をかけるための重りに変更し、当該変更の５分後にサンプル１０Ｓの幅を測定する。

以上のとおり、重り２３３の重さを調整することによりサンプル１０Ｓの長手方向に加わる荷重を変化させることができる。各荷重が加えられた状態で、発光器２３４から受光器２３５に向けて光Ｌを照射し、長手方向に荷重が加えられたサンプル１０Ｓの幅を測定する。当該幅の測定は、サンプル１０Ｓがカールしていない状態で行われる。発光器２３４および受光器２３５は、デジタル寸法測定器ＬＳ−７０００に備えられているものである。

（温度膨張係数α）
磁気テープＭＴの温度膨張係数αは、６［ｐｐｍ／℃］≦α≦８［ｐｐｍ／℃］であることが好ましい。温度膨張係数αが上記範囲であると、記録再生装置による磁気テープＭＴの長手方向のテンションの調整により、磁気テープＭＴの幅の変化を更に抑制することができる。

温度膨張係数αは以下のようにして求められる。まず、寸法変化量Δｗの測定方法と同様にしてサンプル１０Ｓを作製し、寸法変化量Δｗの測定方法と同様の測定装置にサンプル１０Ｓをセットしたのち、測定装置を温度２９℃相対湿度２４％の一定環境に制御されたチャンバー内に収容する。次に、サンプル１０Ｓの長手方向に０．２Ｎの荷重をかけ、上記環境にサンプル１０Ｓを馴染ませる。その後、相対湿度２４％を保持したまま、４５℃、２９℃、１０℃の順で温度を変え、４５℃、１０℃におけるサンプル１０Ｓの幅を測定し、以下の式より温度膨張係数αを求める。なお、温度２９℃におけるサンプル１０Ｓの幅の測定は、測定において異常が生じていないかを確認するため（特にはこれら３つの測定結果が直線的になっていることを確認するため）に行われるものであり、その測定結果は以下の式において用いられない。

（但し、式中、Ｄ（４５℃）、Ｄ（１０℃）はそれぞれ、温度４５℃、１０℃におけるサンプル１０Ｓの幅を示す。）

（湿度膨張係数β）
磁気テープＭＴの湿度膨張係数βは、β≦５［ｐｐｍ／％ＲＨ］であることが好ましい。湿度膨張係数βが上記範囲であると、記録再生装置による磁気テープＭＴの長手方向のテンションの調整により、磁気テープＭＴの幅の変化を更に抑制することができる。

湿度膨張係数βは以下のようにして求められる。まず、寸法変化量Δｗの測定方法と同様にしてサンプル１０Ｓを作製し、寸法変化量Δｗの測定方法と同様の測定装置にサンプル１０Ｓをセットしたのち、測定装置を温度２９℃相対湿度２４％の一定環境に制御されたチャンバー内に収容する。次に、サンプル１０Ｓの長手方向に０．２Ｎの荷重をかけ、上記環境にサンプル１０Ｓを馴染ませる。その後、温度２９℃を保持したまま、８０％、２４％、１０％の順で相対湿度を変え、８０％、１０％におけるサンプル１０Ｓの幅を測定し、以下の式より湿度膨張係数βを求める。なお、湿度２４％におけるサンプル１０Ｓの幅の測定は、測定において異常が生じていないかを確認するため（特にはこれら３つの測定結果が直線的になっていることを確認するため）に行われるものであり、その測定結果は以下の式において用いられない。

（但し、式中、Ｄ（８０％）、Ｄ（１０％）はそれぞれ、湿度８０％、１０％におけるサンプル１０Ｓの幅を示す。）

（ポアソン比ρ）
磁気テープＭＴのポアソン比ρは、０．３≦ρであることが好ましい。ポアソン比ρが上記範囲であると、記録再生装置による磁気テープＭＴの長手方向のテンションの調整により、磁気テープＭＴの幅の変化を更に抑制することができる。

ポアソン比ρは以下のようにして求められる。まず、１／２インチ幅の磁気テープＭＴを準備し、それを１５０ｍｍの長さに切り出しサンプルを作製したのち、そのサンプルの中央部に６ｍｍ×６ｍｍのサイズのマークを付与する。次に、チャック間の距離が１００ｍｍとなるようにサンプルの長手方向の両端部をチャックし、初期荷重２Ｎをかけ、その際のサンプルの長手方向のマークの長さを初期長とし、サンプルの幅方向のマークの幅を初期幅とする。続いて、引張速度０．５ｍｍ／ｍｉｎで、インストロンタイプの万能引張試験装置にて引張り、キーエンス製イメージセンサーにて、サンプルの長手方向のマークの長さ、およびサンプルの幅方向のマークの幅それぞれの寸法変化量を測定する。その後、以下の式よりポアソン比ρを求める。

（長手方向の弾性限界値σ_MD）
磁気テープＭＴの長手方向の弾性限界値σ_MDが、０．８［Ｎ］≦σ_MDであることが好ましい。弾性限界値σ_MDが上記範囲であると、記録再生装置による磁気テープＭＴの長手方向のテンションの調整により、磁気テープＭＴの幅の変化を更に抑制することができる。また、ドライブ側の制御がし易くなる。磁気テープＭＴの長手方向の弾性限界値σ_MDの上限値は特に限定されるものではないが、例えばσ_MD≦５.０［Ｎ］である。弾性限界値σ_MDが、弾性限界測定を行う際の引張速度Ｖに依らないことが好ましい。弾性限界値σ_MDが上記引張速度Ｖに依らないことで、記録再生装置における磁気テープＭＴの走行速度や、記録再生装置のテンション調整速度とその応答性に影響を受けること無く、効果的に磁気テープＭＴの幅の変化を抑制できるからである。弾性限界値σ_MDは、例えば、下地層４２、記録層４３およびバック層４４の硬化条件の選択、基体４１の材質の選択により所望の値に設定される。例えば、下地層形成用塗料、記録層形成用塗料およびバック層形成用塗料の硬化時間を長くするほど、あるいは硬化温度を上げるほど、これらの各塗料に含まれるバインダと硬化剤の反応が促進する。これにより、弾性的な特徴が向上し、弾性限界値σ_MDが向上する。

弾性限界値σ_MDは以下のようにして求められる。まず、１／２インチ幅の磁気テープＭＴを準備し、それを１５０ｍｍの長さに切り出しサンプルを作製し、チャック間距離λ₀がλ₀＝１００ｍｍとなるように、万能引張試験装置にサンプルの長手方向の両端をチャックする。次に、引張速度０．５ｍｍ／ｍｉｎでサンプルを引張り、チャック間距離λ（ｍｍ）に対する荷重σ（Ｎ）を連続的に計測する。続いて、得られたλ（ｍｍ）、σ（Ｎ）のデータを用い、Δλ（％）とσ（Ｎ）の関係をグラフ化する。但し、Δλ（％）は以下の式により与えられる。
Δλ（％）＝（（λ−λ０）／λ０）×１００
次に、上記のグラフ中、σ≧０．２Ｎの領域で、グラフが直線となる領域を算出し、その最大荷重σを弾性限界値σ_MD（Ｎ）とする。

（層間摩擦係数μ）
磁性面とバック面の層間摩擦係数μが、０．２０≦μ≦０．８０であることが好ましい。層間摩擦係数μが上記範囲であると、磁気テープＭＴをリール（例えば図２のリール１３）に巻いたときに、巻ズレが発生することを抑制できる。より具体的には、層間摩擦係数μがμ＜０．２０であると、カートリッジリールに既に巻かれている磁気テープＭＴのうち最外周に位置する部分の磁性面と、その外側に新たに巻こうとしている磁気テープＭＴのバック面との間の層間摩擦が極端に低い状態となり、新たに巻こうとしている磁気テープＭＴが、既に巻かれている磁気テープＭＴのうち最外周に位置する部分の磁性面からズレやすくなる。したがって、磁気テープＭＴの巻ズレが発生する。一方、層間摩擦係数μが０．８０＜μであると、ドライブ側リールの最外周から正に巻き出されようとしている磁気テープＭＴのバック面と、その直下に位置する、未だドライブリールに巻かれたままの磁気テープＭＴの磁性面との間の層間摩擦が極端に高い状態となり、上記バック面と上記磁性面とが貼り付いた状態となる。したがって、カートリッジリールへと向かう磁気テープＭＴの動作が不安定となり、これにより磁気テープＭＴの巻ズレが発生する。

層間摩擦係数μは以下のようにして求められる。まず、１インチ径の円柱に、１／２インチ幅の磁気テープＭＴをバック面を表にして巻き付け、磁気テープＭＴを固定する。次に、この円柱に対し、１／２インチ幅の磁気テープＭＴを今度は磁性面が接触する様に抱き角θ（°）＝１８０°＋１°〜１８０°−１０°で接触させ、磁気テープＭＴの一端を可動式ストレインゲージと繋ぎ、他方端にテンションＴ０＝０．６（Ｎ）を付与する。可動式ストレインゲージを０．５ｍｍ／ｓにて８往復させた際の各往路でのストレインゲージの読みＴ１（Ｎ）〜Ｔ８（Ｎ）を測定し、Ｔ４〜Ｔ８の平均値をＴ_ave（Ｎ）とする。その後、以下の式より層間摩擦係数μを求める。

（バック面の表面粗度Ｒ_b）
バック面の表面粗度（バック層４４の表面粗度）Ｒ_bが、Ｒ_b≦６．０［ｎｍ］であることが好ましい。バック面の表面粗度Ｒ_bが上記範囲であると、電磁変換特性を向上することができる。

バック面の表面粗度Ｒ_bは以下のようにして求められる。まず、１／２インチ幅の磁気テープＭＴを準備し、そのバック面を上にしてスライドガラスに貼り付け、試料片とする。次に、その試料片のバック面を下記の光干渉を用いた非接触粗度計により、面粗度を測定する。
装置：光干渉を用いた非接触粗度計
（株式会社菱化システム製 非接触表面・層断面形状計測システム VertScan R5500GL-M100-AC）
対物レンズ：２０倍（約２３７μｍ×１７８μｍ視野）
分解能：６４０points×４８０points
測定モード：ｐｈａｓｅ
波長フィルター：５２０ｎｍ
面補正：２次多項式近似面にて補正
上述のようにして、長手方向で少なくとも５点以上の位置にて面粗度を測定したのち、各位置で得られた表面プロファイルから自動計算されたそれぞれの算術平均粗さＳａ（ｎｍ）の平均値をバック面の表面粗度Ｒ_b（ｎｍ）とする。

（保磁力Ｈｃ）
磁気テープＭＴの厚み方向（垂直方向）に測定した保磁力Ｈｃが、好ましくは２２０ｋＡ／ｍ以上３１０ｋＡ／ｍ以下、より好ましくは２３０ｋＡ／ｍ以上３００ｋＡ／ｍ以下、更により好ましくは２４０ｋＡ／ｍ以上２９０ｋＡ／ｍ以下である。保磁力Ｈｃが２２０ｋＡ／ｍ以上であると、保磁力Ｈｃが十分な大きさとなるため、記録ヘッドからの漏れ磁界により、隣接するトラックに記録された磁化信号が劣化することを抑制できる。したがって、より優れたＳＮＲを得ることができる。一方、保磁力Ｈｃが３１０ｋＡ／ｍ以下であると、記録ヘッドによる飽和記録が容易になるため、より優れたＳＮＲを得ることができる。

上記の保磁力Ｈｃは以下のようにして求められる。まず、長尺状の磁気テープＭＴから測定サンプルを切り出し、振動試料型磁力計（Vibrating Sample Magnetometer：ＶＳＭ）を用いて測定サンプルの厚み方向（磁気テープＭＴの厚み方向）に測定サンプル全体のＭ−Ｈループを測定する。次に、アセトンまたはエタノール等を用いて塗膜（下地層４２、記録層４３等）を払拭し、基体４１のみを残してバックグラウンド補正用とし、ＶＳＭを用いて基体４１の厚み方向（磁気テープＭＴの厚み方向）に基体４１のＭ−Ｈループを測定する。その後、測定サンプル全体のＭ−Ｈループから基体４１のＭ−Ｈループを引き算して、バックグラウンド補正後のＭ−Ｈループを得る。得られたＭ−Ｈループから保磁力Ｈｃを求める。なお、上記のＭ−Ｈループの測定はいずれも、２５℃にて行われるものとする。また、Ｍ−Ｈループを磁気テープＭＴの厚み方向（垂直方向）に測定する際の“反磁界補正”は行わないものとする。また、使用するＶＳＭの感度に合わせて、測定するサンプルを複数枚重ねてＭ−Ｈループを測定してもよい。

（保磁力Ｈｃ（５０）と保磁力Ｈｃ（２５）との比率Ｒ）
５０℃にて磁気テープＭＴの厚み方向（垂直方向）に測定した保磁力Ｈｃ（５０）と２５℃にて磁気テープＭＴの厚み方向に測定した保磁力Ｈｃ（２５）との比率Ｒ（＝（Ｈｃ（５０）／Ｈｃ（２５））×１００）が、好ましくは９５％以上、より好ましくは９６％以上、更により好ましくは９７％以上、特に好ましくは９８％以上である。上記比率Ｒが９５％以上であると、保磁力Ｈｃの温度依存性が小さくなり、高温環境下におけるＳＮＲの劣化を抑制することができる。

上記の保磁力Ｈｃ（２５）は、上記の保磁力Ｈｃの測定方法と同様にして求められる。また、上記の保磁力Ｈｃ（５０）は、測定サンプルおよび基体４１のＭ−Ｈループの測定をいずれも５０℃にて行うこと以外は上記の保磁力Ｈｃの測定方法と同様にして求められる。

（走行方向に測定した角形比Ｓ１）
磁気テープＭＴの走行方向に測定した角形比Ｓ１が、好ましくは３５％以下、より好ましくは３０％以下、さらにより好ましくは２５％以下、特に好ましくは２０％以下、最も好ましくは１５％以下である。角形比Ｓ１が３５％以下であると、磁性粉の垂直配向性が十分に高くなるため、より優れたＳＮＲを得ることができる。したがって、より優れた電磁変換特性を得ることができる。また、サーボ信号形状が改善され、よりドライブ側の制御がし易くなる。

上記の角形比Ｓ１は以下のようにして求められる。まず、長尺状の磁気テープＭＴから測定サンプルを切り出し、ＶＳＭを用いて磁気テープＭＴの走行方向（長手方向）に対応する測定サンプル全体のＭ−Ｈループを測定する。次に、アセトンまたはエタノール等を用いて塗膜（下地層４２、記録層４３等）を払拭し、基体４１のみを残して、バックグラウンド補正用とし、ＶＳＭを用いて基体４１の走行方向（磁気テープＭＴの走行方向）に対応する基体４１のＭ−Ｈループを測定する。その後、測定サンプル全体のＭ−Ｈループから基体４１のＭ−Ｈループを引き算して、バックグラウンド補正後のＭ−Ｈループを得る。得られたＭ−Ｈループの飽和磁化Ｍｓ（ｅｍｕ）および残留磁化Ｍｒ（ｅｍｕ）を以下の式に代入して、角形比Ｓ１（％）を計算する。なお、上記のＭ−Ｈループの測定はいずれも、２５℃にて行われるものとする。また、使用するＶＳＭの感度に合わせて、測定するサンプルを複数枚重ねてＭ−Ｈループを測定してもよい。
角形比Ｓ１（％）＝（Ｍｒ／Ｍｓ）×１００

（垂直方向に測定した角形比Ｓ２）
磁気テープＭＴの垂直方向（厚み方向）に測定した角形比Ｓ２が、好ましくは６５％以上、より好ましくは７０％以上、さらにより好ましくは７５％以上、特に好ましくは８０％以上、最も好ましくは８５％以上である。角形比Ｓ２が６５％以上であると、磁性粉の垂直配向性が十分に高くなるため、より優れたＳＮＲを得ることができる。したがって、より優れた電磁変換特性を得ることができる。また、サーボ信号形状が改善され、よりドライブ側の制御がし易くなる。

角形比Ｓ２は、Ｍ−Ｈループを磁気テープＭＴおよび基体４１の垂直方向（厚み方向）に測定すること以外は角形比Ｓ１と同様にして求められる。なお、角形比Ｓ２の測定においては、Ｍ−Ｈループを磁気テープＭＴの垂直方向に測定する際の“反磁界補正”は行わないものとする。

角形比Ｓ１、Ｓ２は、例えば、記録層形成用塗料に印加される磁場の強度、記録層形成用塗料に対する磁場の印加時間、記録層形成用塗料中における磁性粉の分散状態、または記録層形成用塗料中における固形分の濃度等を調整することにより所望の値に設定される。具体的には例えば、磁場の強度を強くするほど、角形比Ｓ１が小さくなるのに対して、角形比Ｓ２が大きくなる。また、磁場の印加時間を長くするほど、角形比Ｓ１が小さくなるのに対して、角形比Ｓ２が大きくなる。また、磁性粉の分散状態を向上するほど、角形比Ｓ１が小さくなるのに対して、角形比Ｓ２が大きくなる。また、固形分の濃度を低くするほど、角形比Ｓ１が小さくなるのに対して、角形比Ｓ２が大きくなる。なお、上記の調整方法は単独で使用してもよいし、２以上組み合わせて使用してもよい。

（Ｈｃ２／Ｈｃ１）
垂直方向における保磁力Ｈｃ１と、長手方向における保磁力Ｈｃ２の比Ｈｃ２／Ｈｃ１が、Ｈｃ２／Ｈｃ１≦０．８、好ましくはＨｃ２／Ｈｃ１≦０．７５、より好ましくはＨｃ２／Ｈｃ１≦０．７、さらにより好ましくはＨｃ２／Ｈｃ１≦０．６５、特に好ましくはＨｃ２／Ｈｃ１≦０．６の関係を満たす。保磁力Ｈｃ１、Ｈｃ２がＨｃ２／Ｈｃ１≦０．８の関係を満たすことで、磁性粉の垂直配向度を高めることができる。したがって、磁化遷移幅を低減し、かつ信号再生時に高出力の信号を得ることができるので、電磁変換特性（例えばＣ／Ｎ）を向上することができる。なお、上述したように、Ｈｃ２が小さいと、記録ヘッドからの垂直方向の磁界により感度良く磁化が反応するため、良好な記録パターンを形成することができる。

比Ｈｃ２／Ｈｃ１がＨｃ２／Ｈｃ１≦０．８である場合、記録層４３の平均厚みが９０ｎｍ以下であることが特に有効である。記録層４３の平均厚みが９０ｎｍを超えると、記録ヘッドとしてリング型ヘッドを用いた場合に、記録層４３の下部領域（下地層４２側の領域）が長手方向に磁化されてしまい、記録層４３を厚み方向に均一に磁化することができなくなる虞がある。したがって、比Ｈｃ２／Ｈｃ１をＨｃ２／Ｈｃ１≦０．８としても（すなわち、磁性粉の垂直配向度を高めても）、電磁変換特性（例えばＣ／Ｎ）を向上することができなくなる虞がある。

Ｈｃ２／Ｈｃ１の下限値は特に限定されるものではないが、例えば０．５≦Ｈｃ２／Ｈｃ１である。なお、Ｈｃ２／Ｈｃ１は磁性粉の垂直配向度を表しており、Ｈｃ２／Ｈｃ１が小さいほど磁性粉の垂直配向度が高くなる。

（ＳＦＤ）
磁気テープＭＴのＳＦＤ（Switching Field Distribution）曲線において、メインピーク高さＸと磁場ゼロ付近のサブピークの高さＹとのピーク比Ｘ／Ｙが、好ましくは３．０以上、より好ましくは５．０以上、更により好ましくは７．０以上、特に好ましくは１０．０以上、最も好ましくは２０．０以上である。ピーク比Ｘ／Ｙが３．０以上であると、実際の記録に寄与するε酸化鉄粒子の他にε酸化鉄特有の低保磁力成分（例えば軟磁性粒子や超常磁性粒子等）が磁性粉中に多く含まれることを抑制できる。したがって、記録ヘッドからの漏れ磁界により、隣接するトラックに記録された磁化信号が劣化することを抑制できるので、より優れたＳＮＲを得ることができる。ピーク比Ｘ／Ｙの上限値は特に限定されるものではないが、例えば１００以下である。

上記のピーク比Ｘ／Ｙは、以下のようにして求められる。まず、上記の保磁力Ｈｃの測定方法と同様にして、バックグラウンド補正後のＭ−Ｈループを得る。次に、得られたＭ−ＨループからＳＦＤカーブを算出する。ＳＦＤカーブの算出には測定機に付属のプログラムを用いてもよいし、その他のプログラムを用いてもよい。算出したＳＦＤカーブがＹ軸（ｄＭ／ｄＨ）を横切る点の絶対値を「Ｙ」とし、Ｍ−Ｈループで言うところの保磁力Ｈｃ近傍に見られるメインピークの高さを「Ｘ」として、ピーク比Ｘ／Ｙを算出する。なお、Ｍ−Ｈループの測定は、上記の保磁力Ｈｃの測定方法と同様に２５℃にて行われるものとする。また、Ｍ−Ｈループを磁気テープＭＴの厚み方向（垂直方向）に測定する際の“反磁界補正”は行わないものとする。また、使用するＶＳＭの感度に合わせて、測定するサンプルを複数枚重ねてＭ−Ｈループを測定してもよい。

（活性化体積Ｖ_act）
活性化体積Ｖ_actが、好ましくは８０００ｎｍ³以下、より好ましくは６０００ｎｍ³以下、更により好ましくは５０００ｎｍ³以下、特に好ましくは４０００ｎｍ³以下、最も好ましくは３０００ｎｍ³以下である。活性化体積Ｖ_actが８０００ｎｍ³以下であると、磁性粉の分散状態が良好になるため、ビット反転領域を急峻にすることができ、記録ヘッドからの漏れ磁界により、隣接するトラックに記録された磁化信号が劣化することを抑制できる。したがって、より優れたＳＮＲが得られなくなる虞がある。

上記の活性化体積Ｖ_actは、Ｓｔｒｅｅｔ＆Ｗｏｏｌｌｅｙにより導出された下記の式により求められる。
Ｖ_act（ｎｍ³）＝ｋ_B×Ｔ×Χ_irr／（μ₀×Ｍｓ×Ｓ）
（但し、ｋ_B：ボルツマン定数（１．３８×１０^-23Ｊ／Ｋ）、Ｔ：温度（Ｋ）、Χ_irr：非可逆磁化率、μ₀：真空の透磁率、Ｓ：磁気粘性係数、Ｍｓ：飽和磁化（ｅｍｕ／ｃｍ³））

上記式に代入される非可逆磁化率Χ_irr、飽和磁化Ｍｓおよび磁気粘性係数Ｓは、ＶＳＭを用いて以下のようにして求められる。なお、ＶＳＭによる測定方向は、磁気テープＭＴの厚み方向（垂直方向）とする。また、ＶＳＭによる測定は、長尺状の磁気テープＭＴから切り出された測定サンプルに対して２５℃にて行われるものとする。また、Ｍ−Ｈループを磁気テープＭＴの厚み方向（垂直方向）に測定する際の“反磁界補正”は行わないものとする。また、使用するＶＳＭの感度に合わせて、測定するサンプルを複数枚重ねてＭ−Ｈループを測定してもよい。

（非可逆磁化率Χ_irr）
非可逆磁化率Χ_irrは、残留磁化曲線（ＤＣＤ曲線）の傾きにおいて、残留保磁力Ｈｒ付近における傾きと定義される。まず、磁気テープＭＴ全体に−１１９３ｋＡ／ｍ（１５ｋＯｅ）の磁界を印加し、磁界をゼロに戻し残留磁化状態とする。その後、反対方向に約１５．９ｋＡ／ｍ（２００Ｏｅ）の磁界を印加し再びゼロに戻し残留磁化量を測定する。その後も同様に、先ほどの印加磁界よりもさらに１５．９ｋＡ／ｍ大きい磁界を印加しゼロに戻す測定を繰り返し行い、印加磁界に対して残留磁化量をプロットしＤＣＤ曲線を測定する。得られたＤＣＤ曲線から、磁化量ゼロとなる点を残留保磁力Ｈｒとし、さらにＤＣＤ曲線を微分し、各磁界におけるＤＣＤ曲線の傾きを求める。このＤＣＤ曲線の傾きにおいて、残留保磁力Ｈｒ付近の傾きがΧ_irrとなる。

（飽和磁化Ｍｓ）
まず、磁気テープＭＴの厚み方向に磁気テープＭＴ（測定サンプル）全体のＭ−Ｈループを測定する。次に、アセトンおよびエタノール等を用いて塗膜（下地層４２、記録層４３等）を払拭し、基体４１のみを残して、バックグラウンド補正用として、基体４１のＭ−Ｈループを同様に厚み方向に測定する。その後、磁気テープＭＴ全体のＭ−Ｈループから基体４１のＭ−Ｈループを引き算して、バックグラウンド補正後のＭ−Ｈループを得る。得られたＭ−Ｈループの飽和磁化Ｍｓ（ｅｍｕ）の値と、測定サンプル中の記録層４３の体積（ｃｍ³）から、Ｍｓ（ｅｍｕ／ｃｍ³）を算出する。なお、記録層４３の体積は測定サンプルの面積に記録層４３の平均厚みを乗ずることにより求められる。また、使用するＶＳＭの感度に合わせて、測定するサンプルを複数枚重ねてＭ−Ｈループを測定してもよい。記録層４３の体積の算出に必要な記録層４３の平均厚みの算出方法については後述する。

（磁気粘性係数Ｓ）
まず、磁気テープＭＴ（測定サンプル）全体に−１１９３ｋＡ／ｍ（１５ｋＯｅ）の磁界を印加し、磁界をゼロに戻し残留磁化状態とする。その後、反対方向に、ＤＣＤ曲線より得られた残留保磁力Ｈｒの値と同等の磁界を印加する。磁界を印加した状態で１０００秒間、磁化量を一定の時間間隔で継続的に測定する。このようにして得られた、時間ｔと磁化量Ｍ（ｔ）の関係を以下の式に照らし合わせて、磁気粘性係数Ｓを算出する。
Ｍ（ｔ）＝Ｍ０＋Ｓ×ｌｎ（ｔ）
（但し、Ｍ（ｔ）：時間ｔの磁化量、Ｍ０：初期の磁化量、Ｓ：磁気粘性係数、ｌｎ（ｔ）：時間の自然対数）

（ＢＥＴ比表面積）
潤滑剤を除去した状態における磁気テープＭＴの全体のＢＥＴ比表面積の下限値は、３．５ｍ²／ｍｇ以上、好ましくは４ｍ²／ｍｇ以上、より好ましくは４．５ｍ²／ｍｇ以上、さらにより好ましくは５ｍ²／ｍｇ以上である。ＢＥＴ比表面積の下限値が３．５ｍ²／ｍｇ以上であると、繰り返し記録または再生を行った後にも（すなわち磁気ヘッドを磁気テープＭＴの表面に接触させて繰り返し走行を行った後にも）、記録層４３の表面と磁気ヘッドの間に対する潤滑剤の供給量の低下を抑制することができる。したがって、動摩擦係数の増加を抑制することができる。

潤滑剤を除去した状態における磁気テープＭＴの全体のＢＥＴ比表面積の上限値は、好ましくは７ｍ²／ｍｇ以下、より好ましくは６ｍ²／ｍｇ以下、さらにより好ましくは５．５ｍ²／ｍｇ以下である。ＢＥＴ比表面積の上限値が７ｍ²／ｍｇ以下であると、多数回走行後にも潤滑剤を枯渇することなく十分に供給できる。したがって、動摩擦係数の増加を抑制することができる。

ＢＪＨ法により求められる磁気テープＭＴの全体の平均細孔直径は、６ｎｍ以上１１ｎｍ以下、好ましくは７ｎｍ以上１０ｎｍ以下、より好ましくは７．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下である。平均細孔直径が６ｎｍ以上１１ｎｍ以下であると、上述した動摩擦係数の増加を抑制する効果をさらに向上することができる。

ＢＥＴ比表面積および細孔分布（細孔容積、脱着時最大細孔容積の細孔直径）は以下のようにして求められる。まず、磁気テープＭＴをヘキサンで２４時間洗浄したのち、面積０．１２６５ｍ²のサイズに切り出すことにより、測定サンプルを作製する。次に、比表面積・細孔分布測定装置を用いて、ＢＥＴ比表面積を求める。また、ＢＪＨ法により細孔分布（細孔容積、脱着時最大細孔容積の細孔直径）を求める。以下に、測定装置および測定条件を示す。
測定装置：Micromeritics社製 3FLEX
測定吸着質：Ｎ₂ガス
測定圧力範囲（ｐ／ｐ０）：０〜０．９９５

（算術平均粗さＲａ）
磁性面の算術平均粗さＲａは、好ましくは２．５ｎｍ以下、より好ましくは２．０ｎｍ以下である。Ｒａが２．５ｎｍ以下であると、より優れたＳＮＲを得ることができる。

上記の算術平均粗さＲａは以下のようにして求められる。まず、ＡＦＭ（Atomic Force Microscope）（ブルカー製、Dimension Icon）を用いて記録層４３が設けられている側の表面を観察して、断面プロファイルを取得する。次に、取得した断面プロファイルから、ＪＩＳ Ｂ０６０１：２００１に準拠して算術平均粗さＲａを求める。

［磁気テープの製造方法］
次に、上述の構成を有する磁気テープＭＴの製造方法の一例について説明する。まず、非磁性粉および結着剤等を溶剤に混練、分散させることにより、下地層形成用塗料を調製する。次に、磁性粉および結着剤等を溶剤に混練、分散させることにより、記録層形成用塗料を調製する。記録層形成用塗料および下地層形成用塗料の調製には、例えば、以下の溶剤、分散装置および混練装置を用いることができる。

上述の塗料調製に用いられる溶剤としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、メタノール、エタノール、プロパノール等のアルコール系溶媒、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸プロピル、乳酸エチル、エチレングリコールアセテート等のエステル系溶媒、ジエチレングリコールジメチルエーテル、２−エトキシエタノール、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系溶媒、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、メチレンクロライド、エチレンクロライド、四塩化炭素、クロロホルム、クロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素系溶媒等が挙げられる。これらは単独で用いてもよく、適宜混合して用いてもよい。

上述の塗料調製に用いられる混練装置としては、例えば、連続二軸混練機、多段階で希釈可能な連続二軸混練機、ニーダー、加圧ニーダー、ロールニーダー等の混練装置を用いることができるが、特にこれらの装置に限定されるものではない。また、上述の塗料調製に用いられる分散装置としては、例えば、ロールミル、ボールミル、横型サンドミル、縦型サンドミル、スパイクミル、ピンミル、タワーミル、パールミル（例えばアイリッヒ社製「ＤＣＰミル」等）、ホモジナイザー、超音波分散機等の分散装置を用いることができるが、特にこれらの装置に限定されるものではない。

次に、下地層形成用塗料を基体４１の一方の主面に塗布して乾燥させることにより、下地層４２を形成する。続いて、この下地層４２上に記録層形成用塗料を塗布して乾燥させることにより、記録層４３を下地層４２上に形成する。なお、乾燥の際に、例えばソレノイドコイルにより、磁性粉を基体４１の厚み方向に磁場配向させる。また、乾燥の際に、例えばソレノイドコイルにより、磁性粉を基体４１の走行方向（長手方向）に磁場配向させたのちに、基体４１の厚み方向に磁場配向させるようにしてもよい。記録層４３の形成後、基体４１の他方の主面にバック層４４を形成する。これにより、磁気テープＭＴが得られる。

その後、得られた磁気テープＭＴを大径コアに巻き直し、硬化処理を行う。最後に、磁気テープＭＴに対してカレンダー処理を行った後、所定の幅（例えば１／２インチ幅）に裁断する。以上により、目的とする細長い長尺状の磁気テープＭＴが得られる。

［記録再生装置の構成］
記録再生装置５０は、上述の構成を有する磁気テープＭＴの記録および再生を行う。記録再生装置５０は、磁気テープＭＴの長手方向に加わるテンションを調整可能な構成を有している。また、記録再生装置５０は、カートリッジ１０を装填可能な構成を有している。ここでは、説明を容易とするために、記録再生装置５０が、１つのカートリッジ１０を装填可能な構成を有している場合について説明するが、記録再生装置５０が、複数のカートリッジ１０を装填可能な構成を有していてもよい。

記録再生装置５０は、ネットワーク７０を介してサーバ７１およびパーソナルコンピュータ（以下「ＰＣ」という。）７２等の情報処理装置に接続されており、これらの情報処理装置から供給されたデータをカートリッジ１０に記録可能に構成されている。また、これらの情報処理装置からの要求に応じて、カートリッジ１０からデータを再生し、これらの情報処理装置に供給可能に構成されている。記録再生装置５０の最短記録波長は、好ましくは１００ｎｍ以下、より好ましくは７５ｎｍ以下、更により好ましくは６０ｎｍ以下、特に好ましくは５０ｎｍ以下である。

記録再生装置５０は、図１に示すように、スピンドル５１と、記録再生装置５０側のリール５２と、スピンドル駆動装置５３と、リール駆動装置５４と、複数のガイドローラ５５と、ヘッドユニット５６と、通信部としてのリーダライタ５７と、通信インターフェース（以下、Ｉ／Ｆ）５８と、制御装置５９とを備えている。

スピンドル５１は、カートリッジ１０を装着可能に構成されている。磁気テープＭＴには、サーボ信号としてハの字状のサーボパターンが予め記録されている。リール５２は、テープローディング機構（図示せず）を介してカートリッジ１０から引き出された磁気テープＭＴの先端（リーダーピン２２）を固定可能に構成される。

スピンドル駆動装置５３は、制御装置５９からの命令に応じて、スピンドル５１を回転させる。リール駆動装置５４は、制御装置５９からの命令に応じて、リール５２を回転させる。複数のガイドローラ５５は、カートリッジ１０とリール５２との間に形成されるテープパスがヘッドユニット５６に対して所定の相対位置関係となるように磁気テープＭＴの走行をガイドする。

磁気テープＭＴに対してデータの記録が行われる際、または磁気テープＭＴからデータの再生が行われる際には、スピンドル駆動装置５３およびリール駆動装置５４により、スピンドル５１およびリール５２が回転駆動され、磁気テープＭＴが走行する。磁気テープＭＴの走行方向は、順方向（カートリッジ１０側からリール５２側に流れる方向）および逆方向（リール５２側からカートリッジ１０側へ流れる方向）での往復が可能とされている。

本実施形態では、スピンドル駆動装置５３によるスピンドル５１の回転の制御、およびリール駆動装置５４によるリール５２の回転の制御により、データ記録時またはデータ再生時における磁気テープＭＴの長手方向のテンションが調整可能とされる。なお、磁気テープＭＴのテンション調整は、スピンドル５１およびリール５２の回転の制御に代えて、またはこの制御に加えて、ガイドローラ５５の移動の制御により行われてもよい。

リーダライタ５７は、制御装置５９からの命令に応じて、カートリッジメモリ１１に対して第１の情報および第２の情報を書き込むことが可能に構成されている。また、リーダライタ５７は、制御装置５９からの命令に応じて、カートリッジメモリ１１から第１の情報および第２の情報を読み出すことが可能に構成されている。リーダライタ５７とカートリッジメモリ１１との間の通信方式としては、例えば、ＩＳＯ１４４４３方式が採用される。第２の情報は、テンション調整情報を含む。テンション調整情報は、データ記録時情報の一例である。

制御装置５９は、例えば、制御部、記憶部、通信部等を含む。制御部は、例えば、ＣＰＵ（Central Processing Unit）等により構成されており、記憶部に記憶されたプログラムに従い、記録再生装置５０の各部を制御する。例えば、制御装置５９は、サーバ７１およびＰＣ７２等の情報処理装置の要求に応じて、情報処理装置から供給されるデータ信号をヘッドユニット５６により磁気テープＭＴに記録する。また、制御装置５９は、サーバ７１およびＰＣ７２等の情報処理装置の要求に応じて、ヘッドユニット５６により、磁気テープＭＴに記録されたデータ信号を再生し、情報処理装置に供給する。

記憶部は、各種のデータや各種のプログラムが記録される不揮発性のメモリと、制御部の作業領域として用いられる揮発性のメモリとを含む。上記各種のプログラムは、光ディスク等の可搬性の記録媒体または半導体メモリ等の可搬性の記憶装置から読み取られてもよいし、ネットワーク上のサーバ装置からダウンロードされてもよい。

制御装置５９は、磁気テープＭＴに対するデータの記録時または磁気テープＭＴからデータの再生時に、ヘッドユニット５６により、隣接する２本のサーボバンドＳＢに記録されたサーボ信号を読み取る。制御装置５９は、２本のサーボバンドＳＢから読み取られるサーボ信号を用いて、ヘッドユニット５６がサーボパターンを追従するように、ヘッドユニット５６の位置を制御する。

制御装置５９は、磁気テープＭＴに対するデータの記録時に、隣接する２本のサーボバンドＳＢから読み取られるサーボ信号の再生波形から、隣接する２本のサーボバンドＳＢ間の距離（磁気テープＭＴの幅方向における距離）ｄ１を求める。そして、求めた距離をリーダライタ５７によりメモリ３６に書き込む。

制御装置５９は、磁気テープＭＴからのデータの再生時に、隣接する２本のサーボバンドＳＢから読み取られるサーボ信号の再生波形から、隣接する２本のサーボバンドＳＢ間の距離（磁気テープＭＴの幅方向における距離）ｄ２を求める。それと共に、制御装置５９は、リーダライタ５７によりメモリ３６から、磁気テープＭＴに対するデータの記録時に求めた、隣接する２本のサーボバンドＳＢ間の距離ｄ１を読み出す。制御装置５９は、磁気テープＭＴに対するデータの記録時に求めたサーボバンドＳＢ間の距離ｄ１と、磁気テープＭＴからのデータの再生時に求めたサーボバンドＳＢ間の距離ｄ２との差分Δｄが規定の範囲内になるように、スピンドル駆動装置５３およびリール駆動装置５４の回転を制御し、磁気テープＭＴの長手方向にかかるテンションを調整する。このテンション調整の制御は、例えばフィードバック制御により行われる。

ヘッドユニット５６は、制御装置５９からの指令に応じて、磁気テープＭＴに対してデータを記録することが可能に構成されている。また、ヘッドユニット５６は、制御装置５９からの指令に応じて、磁気テープＭＴに記録されたデータを再生することが可能に構成されている。ヘッドユニット５６は、例えば、２つのサーボリードヘッドおよび複数のデータライト／リードヘッド等を有している。

サーボリードヘッドは、磁気テープＭＴに記録されたサーボ信号から発生する磁界をＭＲ素子（ＭＲ：Magneto Resistive）等により読み取ることで、サーボ信号を再生可能に構成されている。２つのサーボリードヘッドの幅方向の間隔は、隣接する２本のサーボバンドＳＢ間の距離と略同じとされている。

データライト／リードヘッドは、２つのサーボリードヘッドに挟み込まれる位置に、一方のサーボリードヘッドから他方のサーボリードヘッドに向かう方向に沿って等間隔に配置されている。データライト／リードヘッドは、磁気ギャップから発生する磁界によって、磁気テープＭＴに対してデータを記録することが可能に構成されている。また、データライト／リードヘッドは、磁気テープＭＴに記録されたデータから発生する磁界をＭＲ素子等により読み取ることで、データを再生可能に構成されている。

通信Ｉ／Ｆ５８は、サーバ７１およびＰＣ７２等の情報処理装置と通信するためのものであり、ネットワーク７０に対して接続される。

［データ記録時における記録再生装置の動作］
以下、図７を参照して、データ記録時における記録再生装置５０の動作の一例について説明する。

まず、制御装置５９は、記録再生装置５０にカートリッジ１０をローディングする（ステップＳ１１）。次に、制御装置５９は、スピンドル５１およびリール５２の回転を制御し、磁気テープＭＴの長手方向に規定のテンションをかけながら磁気テープＭＴを走行させる。そして、制御装置５９は、ヘッドユニット５６のサーボリードヘッドによりサーボ信号を読み取ると共に、ヘッドユニット５６のデータライト／リードヘッドにより磁気テープＭＴに対してデータを記録する（ステップＳ１２）。

このとき、ヘッドユニット５６は、ヘッドユニット５６の２つのサーボリードヘッドにより隣接する２本のサーボバンドＳＢをトレースしながら、ヘッドユニット５６のデータライト／リードヘッドによりデータバンドＤＢに対してデータを記録する。

次に、制御装置５９は、ヘッドユニット５６のサーボリードヘッドにより読み取られたサーボ信号の再生波形から、データ記録時における、隣接する２本のサーボバンドＳＢ間の距離ｄ１を求める（ステップＳ１３）。次に、制御装置５９は、リーダライタ５７により、データ記録時のサーボバンドＳＢ間の距離ｄ１をカートリッジメモリ１１に書き込む（ステップＳ１４）。制御装置５９は、サーボバンドＳＢ間の距離ｄ１を連続的に計測し、カートリッジメモリ１１に書き込んでもよいし、サーボバンドＳＢ間の距離ｄ１を一定間隔で計測し、カートリッジメモリ１１に書き込んでもよい。サーボバンドＳＢ間の距離ｄ１を一定間隔で計測し、カートリッジメモリ１１に書き込む場合には、メモリ３６に書き込まれる情報量を低減することができる。

［データ再生時における記録再生装置の動作］
以下、図８を参照して、データ再生時における記録再生装置５０の動作の一例について説明する。

まず、制御装置５９は、記録再生装置５０にカートリッジ１０をローディングする（ステップＳ２１）。次に、制御装置５９は、リーダライタ５７によりカートリッジメモリ１１から記録時のサーボバンドＳＢ間の距離ｄ１を読み出す（ステップＳ２２）。

次に、制御装置５９は、スピンドル５１およびリール５２の回転を制御し、磁気テープＭＴの長手方向に規定のテンションをかけながら磁気テープＭＴを走行させる。そして、制御装置５９は、ヘッドユニット５６のサーボリードヘッドによりサーボ信号を読み取ると共に、ヘッドユニット５６のデータライト／リードヘッドにより磁気テープＭＴからデータを再生する（ステップＳ２３）。

次に、制御装置５９は、ヘッドユニット５６のサーボリードヘッドにより読み取られたサーボ信号の再生波形から、データ再生時における、隣接する２本のサーボバンドＳＢ間の距離ｄ２を算出する（ステップＳ２４）。

次に、制御装置５９は、ステップＳ２２において読み出したサーボバンドＳＢ間の距離ｄ１と、ステップＳ２４において算出したサーボバンドＳＢ間の距離ｄ２との差分Δｄが規定値以内であるか否かを判断する（ステップＳ２５）。

ステップＳ２５にて差分Δｄが規定値以内であると判断された場合には、制御装置５９は、規定のテンションが維持されるように、スピンドル５１およびリール５２の回転を制御する（ステップＳ２６）。

一方、ステップＳ２５にて差分Δｄが規定値以内でないと判断された場合には、制御装置５９は、差分Δｄが小さくなるように、スピンドル５１およびリール５２の回転の制御し、走行する磁気テープＭＴにかかるテンションを調整し、処理をステップＳ２４に戻す（ステップＳ２７）。

［効果］
以上説明したように、第１の実施形態では、磁気テープＭＴの平均厚みｔ_Tが、ｔ_T≦５．５［μｍ］であり、かつ、磁気テープＭＴの長手方向のテンション変化に対する磁気テープＭＴの幅方向の寸法変化量Δｗが６５０［ｐｐｍ／Ｎ］≦Δｗである。また、カートリッジメモリ１１のメモリ（記憶部）３６は、データ記録時の磁気テープＭＴの幅に関連する幅関連情報を書き込む領域（第２の記憶領域３６Ｂ）を有する。これにより、磁気テープＭＴの幅が何らかの理由（例えば温湿度変化等）で変動したような場合でも、上記幅関連情報をデータ再生時に利用して、記録再生装置５０により磁気テープＭＴの長手方向のテンションを調整することで、磁気テープＭＴの幅の変化を抑制することができる。したがって、磁気テープＭＴの幅が何らかの理由で変動したような場合でも、再生の信頼性低下を抑制することができる。

＜２ 第２の実施形態＞
［記録再生装置の構成］
図９は、本開示の第２の実施形態に係る記録再生システム１００Ａの構成の一例を示す概略図である。記録再生システム１００Ａは、カートリッジ１０と、記録再生装置５０Ａとを備える。

記録再生装置５０は、温度計６０と、湿度計６１とをさらに備える。温度計６０は、磁気テープＭＴ（カートリッジ１０）の周囲の温度を測定し、制御装置５９へ出力する。また、湿度計４０は、磁気テープＭＴ（カートリッジ１０）の周囲の湿度を測定し、制御装置５９へ出力する。

制御装置５９は、磁気テープＭＴに対するデータの記録時に、温度計３９および湿度計４０により、磁気テープＭＴ（カートリッジ１０）の周囲の温度Ｔｍ１および湿度Ｈ１を測定し、リーダライタ５７を介してカートリッジメモリ１１に書き込む。温度Ｔｍ１および湿度Ｈ１は、磁気テープＭＴの周囲の環境情報の一例である。

制御装置５９は、磁気テープＭＴに対するデータの記録時に、スピンドル５１およびリール５２の駆動データに基づいて、磁気テープＭＴの長手方向にかけられていたテンションＴｎ１を求め、リーダライタ５７を介してカートリッジメモリ１１に書き込む。

制御装置５９は、磁気テープＭＴに対するデータの記録時に、隣接する２本のサーボバンドＳＢから読み取られるサーボ信号の再生波形から、隣接する２本のサーボバンドＳＢ間の距離ｄ１を求める。そして、この距離ｄ１に基づいて、データ記録時の磁気テープＭＴの幅Ｗ１を算出し、リーダライタ５７によりメモリ３６に書き込む。

制御装置５９は、磁気テープＭＴからのデータの再生時に、温度計３９および湿度計４０により、磁気テープＭＴ（カートリッジ１０）の周囲の温度Ｔｍ２および湿度Ｈ２を測定する。

制御装置５９は、磁気テープＭＴからのデータの再生時に、スピンドル５１およびリール５２の駆動データに基づいて、磁気テープＭＴの長手方向にかけられていたテンションＴｎ２を求める。

制御装置５９は、磁気テープＭＴからのデータの再生時に、隣接する２本のサーボバンドＳＢから読み取られるサーボ信号の再生波形から、隣接する２本のサーボバンドＳＢ間の距離ｄ２を求める。そして、この距離ｄ２に基づいて、データ再生時の磁気テープＭＴの幅Ｗ２を算出する。

制御装置５９は、磁気テープＭＴからのデータの再生時に、リーダライタ５７を介してカートリッジメモリ１１から、データ記録時に書き込んだ温度Ｔｍ１、湿度Ｈ１、テンションＴｎ１および幅Ｗ１を読み出す。そして、制御装置５９は、データの記録時における温度Ｔｍ１、湿度Ｈ１、テンションＴｎ１および幅Ｗ１と、データの再生時における温度Ｔｍ２、湿度Ｈ２、テンションＴｎ２および幅Ｗ２を用いて、データ再生時における磁気テープＭＴの幅Ｗ２がデータ記録時における磁気テープの幅Ｗ１に等しくまたはほぼ等しくなるように、磁気テープＭＴにかけるテンションを制御する。

カートリッジメモリ１１のコントローラ３５は、アンテナコイル３１を介して記録再生装置５０Ａから受信した温度Ｔｍ１、湿度Ｈ１、テンションＴｎ１および幅Ｗ１をメモリ３６の第２の記憶領域３６Ｂに記憶する。カートリッジメモリ１１のコントローラ３５は、記録再生装置５０Ａからの要求に応じて、メモリ３６から温度Ｔｍ１、湿度Ｈ１、テンションＴｎ１および幅Ｗ１を読み出し、アンテナコイル３１を介して記録再生装置５０Ａに送信する。

［データ記録時における記録再生装置の動作］
以下、図１０を参照して、データ記録時における記録再生装置５０Ａの動作の一例について説明する。

まず、制御装置５９は、記録再生装置５０にカートリッジ１０をローディングする（ステップＳ１０１）。次に、制御装置５９は、スピンドル５１およびリール５２の回転を制御し、磁気テープＭＴの長手方向に規定のテンションをかけながら磁気テープＭＴを走行させる。そして、制御装置５９は、ヘッドユニット５６により磁気テープＭＴに対してデータを記録する（ステップＳ１０２）。

次に、制御装置５９は、温度計３９および湿度計４０から、データ記録時における磁気テープＭＴの周囲の温度Ｔｍ１および湿度Ｈ１（環境情報）を取得する（ステップＳ１０３）。

次に、制御装置５９は、データ記録時におけるスピンドル５１およびリール５２の駆動データに基づいて、データ記録時において磁気テープＭＴの長手方向にかけられていたテンションＴｎ１を算出する（ステップＳ１０４）。

次に、制御装置５９は、ヘッドユニット５６のサーボリードヘッドにより読み取られたサーボ信号の再生波形から、隣接する２本のサーボバンドＳＢの距離ｄ１を求める。次に、制御装置５９は、この距離ｄ１に基づいて、データ記録時の磁気テープＭＴの幅Ｗ１を算出する（ステップＳ１０５）。

次に、制御装置５９は、リーダライタ５７により、温度Ｔｍ１、湿度Ｈ１、テンションＴｎ１および磁気テープＭＴの幅Ｗ１をデータ記録時情報としてカートリッジメモリ１１に書き込む（ステップＳ１０６）。

［データ再生時における記録再生装置の動作］
以下、図１１を参照して、データ再生時における記録再生装置５０Ａの動作の一例について説明する。

まず、制御装置５９は、記録再生装置５０にカートリッジ１０をローディングする（ステップＳ１１１）。次に、制御装置５９は、カートリッジメモリ１１に書き込まれたデータ記録時情報（温度Ｔｍ１、湿度Ｈ１、テンションＴｎ１および磁気テープＭＴの幅Ｗ１）を、リーダライタ５７によりカートリッジメモリ１１から読み出して取得する（ステップＳ１１２）。次に、制御装置５９は、温度計３９および湿度計４０により、データ再生時における現在の磁気テープＭＴの周囲の温度Ｔｍ２の情報および湿度Ｈ２の情報を取得する（ステップＳ１１３）。

次に、制御装置５９は、データ記録時における温度Ｔｍ１と、データ再生時における温度Ｔｍ２との温度差ＴｍＤ（ＴｍＤ＝Ｔｍ２−Ｔｍ１）を算出する（ステップＳ１１４）。また、制御装置５９は、データ記録時における湿度Ｈ１と、データ再生時における湿度Ｈ２との湿度差ＨＤ（ＨＤ＝Ｈ２−Ｈ１）を算出する（ステップＳ１１５）。

次に、制御装置５９は、温度差ＴｍＤに係数αを乗算し（ＴｍＤ×α）、湿度差ＨＤに係数βを乗算する（ＨＤ×β）（ステップＳ１１６）。係数αは、温度差１℃当たり、磁気テープＭＴのテンションをデータ記録時のテンションＴｎ１と比べてどの程度変更すればよいかを示す値である。係数βは、湿度差１％あたり、磁気テープＭＴのテンションをデータ記録時のテンションＴｎ１と比べてどの程度変更すればよいかを示す値である。

次に、制御装置５９は、データ記録時におけるテンションＴｎ１に対して、ＴｍＤ×αの値と、ＨＤ×βの値とを加算することで、データ再生時（現在）において、磁気テープＭＴの長手方向にかけるべきテンションＴｎ２を算出する（ステップＳ１１７）。
Ｔｎ２＝Ｔｎ１＋ＴｍＤ×α＋ＨＤ×β

データ再生時における磁気テープＭＴのテンションＴｎ２を決定した後、制御装置５９は、スピンドル５１およびリール５２の回転を制御し、そのテンションＴｎ２で磁気テープＭＴが走行するように磁気テープＭＴの走行を制御する。そして、制御装置５９は、ヘッドユニット５６のサーボリードヘッドによりサーボバンドＳＢのサーボ信号を読み取りながら、ヘッドユニット５６のデータライト／リードヘッドにより、データトラックＴｋに記録されたデータの再生を行う。

このとき、磁気テープＭＴのテンションの調整により、磁気テープＭＴの幅がデータ記録時の幅に合わせられているので、ヘッドユニット５６のデータライト／リードヘッドは、データトラックＴｋに対して正確に位置合わせすることができる。これにより、何らかの原因（例えば、温度、湿度の変動）で、磁気テープＭＴの幅が変動したような場合でも、磁気テープＭＴに記録されたデータを正確に再生することができる。

なお、データ再生時（現在）において、磁気テープＭＴにかけるべきテンションＴｎ２の値は、データ再生時の温度の方がデータ記録時の温度よりも高ければ高くなる。このため、温度が高くなり、データ記録時よりも磁気テープＭＴの幅が広くなってしまった場合には、磁気テープＭＴの幅を狭めてデータ再生時と同じ幅を再現することができる。

逆に、データ再生時（現在）において、磁気テープＭＴにかけるべきテンションＴｎ２の値は、データ再生時の温度の方がデータ記録時の温度よりも低ければ低くなる。このため、温度が低くなり、データ記録時よりも磁気テープＭＴの幅が狭くなってしまった場合には、磁気テープＭＴの幅を広げてデータ再生時と同じ幅を再現することができる。

また、データ再生時（現在）において、磁気テープＭＴにかけるべきテンションＴｎ２の値は、データ再生時の湿度の方がデータ記録時の湿度よりも高ければ高くなる。このため、湿度が高くなり、データ記録時よりも磁気テープＭＴの幅が広くなってしまった場合には、磁気テープＭＴの幅を狭めてデータ再生時と同じ幅を再現することができる。

逆に、データ再生時（現在）において、磁気テープＭＴにかけるべきテンションＴｎ２の値は、データ再生時の湿度の方がデータ記録時の湿度よりも低ければ低くなる。このため、湿度が低くなり、データ記録時よりも磁気テープＭＴの幅が狭くなってしまった場合には、磁気テープＭＴの幅を広げてデータ再生時と同じ幅を再現することができる。

ここで、データ再生時において、磁気テープＭＴにかけるべきテンションＴｎ２を求めるために、データ記録時の温度Ｔｍ１、湿度Ｈ１、磁気テープＭＴのテンションＴｎ１に加えて（あるいは、テンションＴｎ１に代えて）、更に、データ記録時における磁気テープＭＴの幅Ｗ１の情報が用いられてもよい。

この場合も、同様に、制御装置５９は、温度差ＴｍＤ（ＴｍＤ＝Ｔｍ２−Ｔｍ１）と、湿度差ＨＤ（ＨＤ＝Ｈ２−Ｈ１）とを算出する。そして、制御装置５９は、温度差ＴｍＤに係数γを乗算し（ＴｍＤ×γ）、湿度差ＨＤに係数δを乗算する（ＨＤ×δ）（ステップＳ１１８）。

ここで、係数γは、温度差１℃当たり磁気テープＭＴの幅がどの程度変動するかを示す値（温度に基づく単位長さ（幅方向）当たりの膨張率を示す値）である。また、係数δは、湿度差１％あたり、磁気テープＭＴの幅がどの程度変動するかを示す値（湿度に基づく単位長さ（幅方向）当たりの膨張率を示す値）である。

次に、制御装置５９は、以下の式により、データ記録時における過去の磁気テープＭＴの幅Ｗ１に基づいて、データ再生時における現在の磁気テープＭＴの幅Ｗ２を予測する。
Ｗ２＝Ｗ１（１＋ＴｍＤ×γ＋ＨＤ２×δ）

次に、制御装置５９は、データ再生時における現在の磁気テープＭＴの幅Ｗ２と、データ記録時における過去の磁気テープＭＴの幅Ｗ１との差ＷＤを算出する（ＷＤ＝Ｗ２−Ｗ１＝Ｗ１（ＴｍＤ×γ＋ＨＤ２×δ））。

そして、制御装置５９は、幅の差ＷＤに係数εを乗算した値を、データ記録時における磁気テープＭＴのテンションＴｎ１に加算して、データ再生時における磁気テープＭＴのテンションＴｎ２を算出する
Ｔｎ２＝Ｔｎ１＋ＷＤ×ε

ここで、係数εは、磁気テープＭＴの幅を単位距離分変化させるために必要な磁気テープＭＴの長手方向でのテンションを表す値である。

データ再生時における磁気テープＭＴのテンションＴｎ２を決定した後、制御装置５９は、スピンドル５１およびリール５２の回転を制御し、そのテンションＴｎ２で磁気テープＭＴが走行するように磁気テープＭＴの走行を制御する。そして、制御装置５９は、ヘッドユニット５６のサーボリードヘッドによりサーボバンドＳＢのサーボ信号を読み取りながら、ヘッドユニット５６のデータライト／リードヘッドにより、データトラックＴｋに記録されたデータの再生を行う。

このような方法でテンションＴｎ２が決定された場合においても、何らかの原因（例えば、温度、湿度の変動）で、磁気テープＭＴの幅が変動したような場合に、磁気テープＭＴに記録されたデータを正確に再生することができる。

［効果］
以上説明したように、第２の実施形態では、磁気テープＭＴのデータ記録時情報がカートリッジメモリ１１に記憶されているので、この情報をデータ再生時に利用することで、磁気テープＭＴの幅を適切に調整することができる。したがって、磁気テープＭＴの幅が何らかの理由で変動したような場合でも、磁気テープＭＴに記録されたデータを正確に再生することができる。

また、本実施形態では、データ記録時情報として、データ記録時における磁気テープＭＴの周囲の温度Ｔｍ１および湿度Ｈ１（環境情報）が書き込まれる。したがって、温度および湿度の変動による、磁気テープＭＴの幅およびデータトラックＴｋの幅の変動に適切に対応することができる。

＜３ 変形例＞
（変形例１）
上述の実施形態では、ε酸化鉄粒子が２層構造のシェル部を有している場合について説明したが、ε酸化鉄粒子が単層構造のシェル部を有していてもよい。この場合、シェル部は、第１シェル部と同様の構成を有する。但し、ε酸化鉄粒子の特性劣化を抑制する観点からすると、上述の実施形態におけるように、ε酸化鉄粒子が２層構造のシェル部を有していることが好ましい。

（変形例２）
上述の実施形態では、ε酸化鉄粒子がコアシェル構造を有している場合について説明したが、ε酸化鉄粒子が、コアシェル構造に代えて添加剤を含んでいてもよいし、コアシェル構造を有すると共に添加剤を含んでいてもよい。この場合、ε酸化鉄粒子のＦｅの一部が添加剤で置換される。ε酸化鉄粒子が添加剤を含むことによっても、ε酸化鉄粒子全体としての保磁力Ｈｃを記録に適した保磁力Ｈｃに調整できるため、記録容易性を向上することができる。添加剤は、鉄以外の金属元素、好ましくは３価の金属元素、より好ましくはＡｌ、ＧａおよびＩｎのうちの少なくとも１種、さらにより好ましくはＡｌおよびＧａのうちの少なくとも１種である。

具体的には、添加剤を含むε酸化鉄は、ε−Ｆｅ_2-xＭ_xＯ₃結晶（但し、Ｍは鉄以外の金属元素、好ましくは３価の金属元素、より好ましくはＡｌ、ＧａおよびＩｎのうちの少なくとも１種、さらにより好ましくはＡｌおよびＧａのうちの少なくとも１種である。ｘは、例えば０＜ｘ＜１である。）である。

（変形例３）
上述の実施形態では、磁性粉がε酸化鉄粒子の粉末を含む場合について説明したが、磁性粉が、ε酸化鉄粒子の粉末に代えて、六方晶フェライトを含有するナノ粒子（以下「六方晶フェライト粒子」という。）の粉末を含むようにしてもよい。六方晶フェライト粒子は、例えば、六角板状またはほぼ六角板状を有する。六方晶フェライトは、好ましくはＢａ、Ｓｒ、ＰｂおよびＣａのうちの少なくとも１種、より好ましくはＢａおよびＳｒのうちの少なくとも１種を含む。六方晶フェライトは、具体的には例えばバリウムフェライトまたはストロンチウムフェライトであってもよい。バリウムフェライトは、Ｂａ以外にＳｒ、ＰｂおよびＣａのうちの少なくとも１種をさらに含んでいてもよい。ストロンチウムフェライトは、Ｓｒ以外にＢａ、ＰｂおよびＣａのうちの少なくとも１種をさらに含んでいてもよい。

より具体的には、六方晶フェライトは、一般式ＭＦｅ₁₂Ｏ₁₉で表される平均組成を有する。但し、Ｍは、例えばＢａ、Ｓｒ、ＰｂおよびＣａのうちの少なくとも１種の金属、好ましくはＢａおよびＳｒのうちの少なくとも１種の金属である。Ｍが、Ｂａと、Ｓｒ、ＰｂおよびＣａからなる群より選ばれる１種以上の金属との組み合わせであってもよい。また、Ｍが、Ｓｒと、Ｂａ、ＰｂおよびＣａからなる群より選ばれる１種以上の金属との組み合わせであってもよい。上記一般式においてＦｅの一部が他の金属元素で置換されていてもよい。

磁性粉が六方晶フェライト粒子の粉末を含む場合、磁性粉の平均粒子サイズは、好ましくは３０ｎｍ以下、より好ましくは１２ｎｍ以上２５ｎｍ以下、さらにより好ましくは１５ｎｍ以上２２ｎｍ以下である。磁性粉の平均粒子サイズが３０ｎｍ以下であると、高記録密度の磁気テープＭＴにおいて、良好な電磁変換特性（例えばＣ／Ｎ）を得ることができる。一方、磁性粉の平均粒子サイズが１２ｎｍ以上であると、磁性粉の分散性がより向上し、より優れた電磁変換特性（例えばＣ／Ｎ）を得ることができる。磁性粉が六方晶フェライト粒子の粉末を含む場合、磁性粉の平均アスペクト比は上述の一実施形態と同様である。

なお、磁性粉の平均粒子サイズおよび平均アスペクト比は以下のようにして求められる。まず、測定対象となる磁気テープＭＴをＦＩＢ法等により加工して薄片を作製し、ＴＥＭにより薄片の断面観察を行う。次に、撮影したＴＥＭ写真から、水平方向に対して７５度以上の角度で配向した磁性粉を５０個無作為に選び出し、各磁性粉の最大板厚ＤＡを測定する。続いて、測定した５０個の磁性粉の最大板厚ＤＡを単純に平均（算術平均）して平均最大板厚ＤＡaveを求める。

次に、磁気テープＭＴの記録層４３の表面をＴＥＭにより観察を行う。次に、撮影したＴＥＭ写真から５０個の磁性粉を無作為に選び出し、各磁性粉の最大板径ＤＢを測定する。ここで、最大板径ＤＢとは、磁性粉の輪郭に接するように、あらゆる角度から引いた２本の平行線間の距離のうち最大のもの（いわゆる最大フェレ径）を意味する。続いて、測定した５０個の磁性粉の最大板径ＤＢを単純に平均（算術平均）して平均最大板径ＤＢaveを求める。このようにして求めた平均最大板径ＤＢaveを磁性粉の平均粒子サイズとする。次に、平均最大板厚ＤＡaveおよび平均最大板径ＤＢaveから磁性粉の平均アスペクト比（ＤＢave／ＤＡave）を求める。

磁性粉が六方晶フェライト粒子の粉末を含む場合、磁性粉の平均粒子体積は、好ましくは５９００ｎｍ³以下、より好ましくは５００ｎｍ³以上３４００ｎｍ³以下、さらにより好ましくは１０００ｎｍ³以上２５００ｎｍ³以下である。磁性粉の平均粒子体積が５９００ｎｍ³以下であると、磁性粉の平均粒子サイズを３０ｎｍ以下とする場合と同様の効果が得られる。一方、磁性粉の平均粒子体積が５００ｎｍ³以上であると、磁性粉の平均粒子サイズを１２ｎｍ以上とする場合と同様の効果が得られる。

なお、磁性粉の平均粒子体積は以下のようにして求められる。まず、上記の磁性粉の平均粒子サイズの算出方法と同様にして、平均最大板厚ＤＡaveおよび平均最大板径ＤＢaveを求める。次に、以下の式により、磁性粉の平均粒子体積Ｖを求める。
Ｖ＝３√３/８×ＤＡave×ＤＢave²

（変形例４）
上述の実施形態では、磁性粉がε酸化鉄粒子の粉末を含む場合について説明したが、磁性粉が、ε酸化鉄粒子の粉末に代えて、Ｃｏ含有スピネルフェライトを含有するナノ粒子（以下「コバルトフェライト粒子」という。）の粉末を含むようにしてもよい。コバルトフェライト粒子は、一軸異方性を有することが好ましい。コバルトフェライト粒子は、例えば、立方体状またはほぼ立方体状を有している。Ｃｏ含有スピネルフェライトが、Ｃｏ以外にＮｉ、Ｍｎ、Ａｌ、ＣｕおよびＺｎのうちの少なくとも１種をさらに含んでいてもよい。

Ｃｏ含有スピネルフェライトは、例えば以下の式（１）で表される平均組成を有する。
Ｃｏ_xＭ_yＦｅ₂Ｏ_Z ・・・（１）
（但し、式（１）中、Ｍは、例えば、Ｎｉ、Ｍｎ、Ａｌ、ＣｕおよびＺｎのうちの少なくとも１種の金属である。ｘは、０．４≦ｘ≦１．０の範囲内の値である。ｙは、０≦ｙ≦０．３の範囲内の値である。但し、ｘ、ｙは（ｘ＋ｙ）≦１．０の関係を満たす。ｚは３≦ｚ≦４の範囲内の値である。Ｆｅの一部が他の金属元素で置換されていてもよい。）

磁性粉がコバルトフェライト粒子の粉末を含む場合、磁性粉の平均粒子サイズは、好ましくは２５ｎｍ以下、より好ましくは８ｎｍ以上２３ｎｍ以下である。磁性粉の平均粒子サイズが２５ｎｍ以下であると、高記録密度の磁気テープＭＴにおいて、良好な電磁変換特性（例えばＣ／Ｎ）を得ることができる。一方、磁性粉の平均粒子サイズが８ｎｍ以上であると、磁性粉の分散性がより向上し、より優れた電磁変換特性（例えばＣ／Ｎ）を得ることができる。磁性粉がコバルトフェライト粒子の粉末を含む場合、磁性粉の平均アスペクト比は上述の一実施形態と同様である。また、磁性粉の平均粒子サイズおよび平均アスペクト比の算出方法も上述の一実施形態と同様にして求められる。

磁性粉の平均粒子体積は、好ましくは１５０００ｎｍ³以下、より好ましくは５００ｎｍ³以上１２０００ｎｍ³以下である。磁性粉の平均粒子体積が１５０００ｎｍ³以下であると、磁性粉の平均粒子サイズを２５ｎｍ以下とする場合と同様の効果が得られる。一方、磁性粉の平均粒子体積が５００ｎｍ³以上であると、磁性粉の平均粒子サイズを８ｎｍ以上とする場合と同様の効果が得られる。なお、磁性粉の平均粒子体積の算出方法は、上述の一実施形態における磁性粉の平均粒子体積の算出方法（ε酸化鉄粒子が立方体状またはほぼ立方体状を有している場合の平均粒子体積の算出方法）と同様である。

（変形例５）
磁気テープＭＴをライブラリ装置に用いるようにしてもよい。この場合、ライブラリ装置は、磁気テープＭＴの長手方向に加わるテンションを調整可能な構成を有しており、第１の実施形態における記録再生装置５０を複数備えるものであってもよい。

（変形例６）
磁気テープＭＴをサーボライタに用いてもよい。すなわち、サーボライタが、サーボ信号の記録時等に磁気テープＭＴの長手方向のテンションを調整することで、磁気テープＭＴの幅を一定またはほぼ一定に保つようにしてもよい。この場合、サーボライタが、磁気テープＭＴの幅を検出する検出装置を備え、この検出装置の検出結果に基づき、磁気テープＭＴの長手方向のテンションを調整するようにしてもよい。

（変形例７）
磁気テープＭＴは、垂直記録型の磁気記録媒体に限定されるものであなく、水平記録型の磁気記録媒体であってもよい。この場合、磁性粉としてはメタル磁性粉等の針状磁性粉を用いてもよい。

（変形例８）
上述の第１の実施形態では、データ記録時における磁気テープＭＴに関連する幅関連情報として、サーボバンドＳＢ間の距離を用いる場合について説明したが、磁気テープＭＴの幅を用いるようにしてもよい。

この場合、制御装置５９は、データ記録時に、サーボバンドＳＢ間の距離ｄ１から磁気テープＭＴの幅Ｗ１を算出し、この幅Ｗ１をリーダライタ５７によりカートリッジメモリ１１に書き込む。

制御装置５９は、データ再生時に、データ記録時の磁気テープＭＴの幅Ｗ１をカートリッジメモリ１１から読み出すと共に、データ再生時のサーボバンドＳＢ間の距離ｄ２からデータ再生時の磁気テープＭＴの幅Ｗ２を算出する。そして、制御装置５９は、データ記録時の磁気テープＭＴの幅Ｗ１と、データ再生時の磁気テープＭＴの幅Ｗ２との差分ΔＷを算出し、差分ΔＷが規定値以内であるか否かを判断する。

差分ΔＷが規定値以内である場合には、制御装置５９は、規定のテンションが維持されるように、スピンドル５１およびリール５２の回転駆動を制御する。一方、差分ΔＷが規定値以内でない場合には、差分ΔＷが規定値以内に収まるように、スピンドル５１およびリール５２の回転駆動の制御し、走行する磁気テープＭＴにかかるテンションを調整する。

（変形例９）
上述の第２の実施形態では、データ記録時情報として、温度Ｔｍ１、Ｔｍ２、湿度Ｈ１、Ｈ２、テンションＴｎ１、Ｔｎ２、幅Ｗ１、Ｗ２の全てが用いられる場合について説明したが、データ記録時情報は、温度Ｔｍ１、Ｔｍ２、湿度Ｈ１、Ｈ２、テンションＴｎ１、Ｔｎ２、および幅Ｗ１、Ｗ２のうちいずれか１つであってもよいし、任意の２つ、３つの組合せであってもよい。

カートリッジメモリ１１に対して、データ記録時の情報（温度Ｔｍ１、湿度Ｈ１、テンションＴｎ１、幅Ｗ１）だけでなく、データ再生時の情報（温度Ｔｍ２、湿度Ｈ２、テンションＴｎ２、幅Ｗ２）が記憶されてもよい。例えば、このデータ再生時の情報は、データが再生された後、さらに別の機会に磁気テープＭＴ内のデータが再生されるときに使用される。

（変形例１０）
上述の第１、第２の実施形態では、磁気テープＭＴが、下地層および記録層等が塗布工程（ウエットプロセス）により作製された塗布型の磁気テープである場合について説明したが、下地層および記録層等がスパッタリング等の真空薄膜の作製技術（ドライプロセス）により作製される薄膜型の磁気テープであってもよい。薄膜型の磁気テープの場合、記録層の平均厚みｔ_mは、好ましくは９［ｎｍ］≦ｔ_m≦９０［ｎｍ］、より好ましくは９［ｎｍ］≦ｔ_m≦２０［ｎｍ］、更により好ましくは９［ｎｍ］≦ｔ_m≦１５［ｎｍ］である。記録層４３の平均厚みｔ_mが９［ｎｍ］≦ｔ_m≦９０［ｎｍ］であると、電磁変換特性を向上することができる。

以下、実施例により本開示を具体的に説明するが、本開示はこれらの実施例のみに限定されるものではない。

以下の実施例および比較例において、基体の平均厚みＴ_sub、磁気テープの平均厚みｔ_T、磁気テープの長手方向のテンション変化に対する磁気テープの幅方向の寸法変化量Δｗ、磁気テープの温度膨張係数α、磁気テープの湿度膨張係数β、磁気テープのポアソン比ρ、磁気テープの長手方向の弾性限界値σ_MD、弾性限界測定を行う際の引張速度Ｖ、記録層の平均厚みｔ_m、角形比Ｓ２、バック層の平均厚みｔ_b、バック層の表面粗度Ｒ_b、および磁性面とバック面の層間摩擦係数μは、第１の実施形態にて説明した測定方法により求められた値である。但し、後述するように、実施例１１では、長手方向の弾性限界値σ_MDを測定する際の引張速度Ｖを、第１の実施形態とは異なる値とした。

［実施例１］
（記録層形成用塗料の調製工程）
記録層形成用塗料を以下のようにして調製した。まず、下記配合の第１組成物をエクストルーダで混練した。次に、ディスパーを備えた攪拌タンクに、混練した第１組成物と、下記配合の第２組成物を加えて予備混合を行った。続いて、さらにサンドミル混合を行い、フィルター処理を行い、記録層形成用塗料を調製した。

（第１組成物）
ε酸化鉄ナノ粒子（ε−Ｆｅ₂Ｏ₃結晶粒子）の粉末：１００質量部
塩化ビニル系樹脂（シクロヘキサノン溶液３０質量％）：１０質量部
（重合度３００、Ｍｎ＝１００００、極性基としてＯＳＯ₃Ｋ＝０．０７ｍｍｏｌ／ｇ、２級ＯＨ＝０．３ｍｍｏｌ／ｇを含有する。）
酸化アルミニウム粉末：５質量部
（α−Ａｌ₂Ｏ₃、平均粒径０．２μｍ）
カーボンブラック：２質量部
（東海カーボン社製、商品名：シーストＴＡ）

（第２組成物）
塩化ビニル系樹脂：１．１質量部
（樹脂溶液：樹脂分３０質量％、シクロヘキサノン７０質量％）
ｎ−ブチルステアレート：２質量部
メチルエチルケトン：１２１．３質量部
トルエン：１２１．３質量部
シクロヘキサノン：６０．７質量部

最後に、上述のようにして調製した記録層形成用塗料に、硬化剤として、ポリイソシアネート（商品名：コロネートＬ、日本ポリウレタン社製）：４質量部と、ミリスチン酸：２質量部とを添加した。

（下地層形成用塗料の調製工程）
下地層形成用塗料を以下のようにして調製した。まず、下記配合の第３組成物をエクストルーダで混練した。次に、ディスパーを備えた攪拌タンクに、混練した第３組成物と、下記配合の第４組成物を加えて予備混合を行った。続いて、さらにサンドミル混合を行い、フィルター処理を行い、下地層形成用塗料を調製した。

（第３組成物）
針状酸化鉄粉末：１００質量部
（α−Ｆｅ₂Ｏ₃、平均長軸長０．１５μｍ）
塩化ビニル系樹脂：５５．６質量部
（樹脂溶液：樹脂分３０質量％、シクロヘキサノン７０質量％）
カーボンブラック：１０質量部
（平均粒径２０ｎｍ）

（第４組成物）
ポリウレタン系樹脂ＵＲ８２００（東洋紡績製）：１８．５質量部
ｎ−ブチルステアレート：２質量部
メチルエチルケトン：１０８．２質量部
トルエン：１０８．２質量部
シクロヘキサノン：１８．５質量部

最後に、上述のようにして調製した下地層形成用塗料に、硬化剤として、ポリイソシアネート（商品名：コロネートＬ、日本ポリウレタン社製）：４質量部と、ミリスチン酸：２質量部とを添加した。

（バック層形成用塗料の調製工程）
バック層形成用塗料を以下のようにして調製した。下記原料を、ディスパーを備えた攪拌タンクで混合を行い、フィルター処理を行うことで、バック層形成用塗料を調製した。
カーボンブラック（旭社製、商品名：＃８０）：１００質量部
ポリエステルポリウレタン：１００質量部
（日本ポリウレタン社製、商品名：Ｎ−２３０４）
メチルエチルケトン：５００質量部
トルエン：４００質量部
シクロヘキサノン：１００質量部

（成膜工程）
上述のようにして作製した塗料を用いて、基体（非磁性支持体）である平均厚みＴ_sub：３．８μｍ、長尺のポレエチレンナフタレートフィルム（以下「ＰＥＮフィルム」という。）上に平均厚みｔ_u：１．０μｍの下地層、および平均厚みｔ_m：９０ｎｍの記録層を以下のようにして形成した。まず、フィルム上に、下地層形成用塗料を塗布、乾燥させることにより、フィルム上に下地層を形成した。次に、下地層上に、記録層形成用塗料を塗布し、乾燥させることにより、下地層上に記録層を形成した。なお、記録層形成用塗料の乾燥の際に、ソレノイドコイルにより、磁性粉をフィルムの厚み方向に磁場配向させた。また、記録層形成用塗料に対する磁場の印加時間を調整し、磁気テープの厚み方向（垂直方向）における角形比Ｓ２を６５％に設定した。

続いて、下地層、および記録層が形成されたフィルムに対して、平均厚みｔ_b：０．６μｍのバック層を塗布し乾燥させた。そして、下地層、記録層、およびバック層が形成されたフィルムに対して硬化処理を行った。続いて、カレンダー処理を行い、記録層表面を平滑化した。この際、磁性面とバック面の層間摩擦係数μが０．５となるように、カレンダー処理の条件（温度）を調整した後、再硬化処理を施し、平均厚みｔ_T：５．５μｍの磁気テープが得られた。

（裁断の工程）
上述のようにして得られた磁気テープを１／２インチ（１２．６５ｍｍ）幅に裁断した。これにより、表１、２に示す特性を有する、目的とする長尺状の磁気テープが得られた。

（サーボパターン記録の工程）
上述のようにして得られた磁気テープに対して、ハの字の磁気パターン（サーボパターン）の列を長手方向に平行に２列以上記録した。

（カートリッジの作製工程）
まず、カートリッジとして、テンション調整情報を書き込む領域をカートリッジメモリに有し、上記領域に対するテンション調整情報の書き込み、および上記領域からのテンション調整情報の読み出しを行うことが可能なものを準備した。次に、このカートリッジに、磁気パターンの列を記録した磁気テープを巻き取った。その後、カートリッジを記録再生装置にローディングし、規定のデータを記録すると共に、上記のハの字の磁気パターン列の２列以上を同時に再生し、もしくはデータ記録を行わずに、上記のハの字の磁気パターン列の２列以上の再生のみを行い、それぞれの列の再生波形の形状から、データ記録時の磁気パターン列の間隔ｄ１を一定間隔（１ｍの間隔毎）で計測し、その位置と間隔をカートリッジメモリに書き込んだ。これにより、目的とするカートリッジが得られた。

［実施例２］
寸法変化量Δｗが７５０［ｐｐｍ／Ｎ］となるように、実施例１よりもＰＥＮフィルムの厚みを薄くした。これ以外のことは実施例１と同様にしてカートリッジを得た。

［実施例３］
寸法変化量Δｗが８００［ｐｐｍ／Ｎ］となるように、実施例１よりもＰＥＮフィルムの厚みを薄くし、更にバック層および下地層の平均厚みを薄くした。これ以外のことは実施例１と同様にしてカートリッジを得た。

［実施例４］
寸法変化量Δｗが８００［ｐｐｍ／Ｎ］となるように、実施例１よりもＰＥＮフィルムの厚みを薄くし、更にバック層および下地層の平均厚みを薄くした。更に下地層、記録層、およびバック層が形成されたフィルムの硬化処理条件を調整した。これ以外のことは実施例１と同様にしてカートリッジを得た。

［実施例５］
温度膨張係数αが８［ｐｐｍ／℃］となるように、下地層形成用塗料の組成を変更したこと以外は実施例４と同様にしてカートリッジを得た。

［実施例６］
湿度膨張係数βが３［ｐｐｍ／％ＲＨ］となるように、ＰＥＮフィルムの両表面に薄いバリア層を形成したこと以外は実施例４と同様にしてカートリッジを得た。

［実施例７］
ポアソン比ρが０．３１となるように、バック層形成用塗料の組成を変更したこと以外は実施例４と同様にしてカートリッジを得た。

［実施例８］
ポアソン比ρが０．３５となるように、バック層形成用塗料の組成を変更したこと以外は実施例４と同様にしてカートリッジを得た。

［実施例９］
長手方向の弾性限界値σ_MDが０．８０［Ｎ］となるように、下地層、記録層、およびバック層が形成されたフィルムの硬化条件を調整したこと以外は実施例７と同様にしてカートリッジを得た。

［実施例１０］
長手方向の弾性限界値σ_MDが３．５０［Ｎ］となるように、下地層、記録層、およびバック層が形成されたフィルムの硬化条件、並びに再硬化条件を調整したこと以外は実施例７と同様にしてカートリッジを得た。

［実施例１１］
実施例９と同様にして磁気テープを得た。そして、得られた磁気テープの弾性限界値σ_MDを、長手方向の弾性限界値σ_MDを測定する際の引張速度Ｖを５ｍｍ／ｍｉｎに変更して測定した。その結果、長手方向の弾性限界値σ_MDは、上記引張速度Ｖが０．５ｍｍ／ｍｉｎの長手方向の弾性限界値σ_MD（実施例９）に対して変化はなく０．８０［Ｎ］であった。

［実施例１２］
記録層の平均厚みｔ_mが４０ｎｍとなるように、記録層形成用塗料の塗布厚を変更したこと以外は実施例７と同様にしてカートリッジを得た。

［実施例１３］
（ＳＵＬの成膜工程）
まず、以下の成膜条件にて、非磁性支持体としての長尺の高分子フィルムの表面上に、平均厚み１０ｎｍのＣｏＺｒＮｂ層（ＳＵＬ）を成膜した。なお、高分子フィルムとしては、ＰＥＮフィルムを用いた。
成膜方式：ＤＣマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット：ＣｏＺｒＮｂターゲット
ガス種：Ａｒ
ガス圧：０．１Ｐａ

（第１のシード層の成膜工程）
次に、以下の成膜条件にて、ＣｏＺｒＮｂ層上に平均厚み５ｎｍのＴｉＣｒ層（第１のシード層）を成膜した。
スパッタリング方式：ＤＣマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット：ＴｉＣｒターゲット
到達真空度：５×１０^-5Ｐａ
ガス種：Ａｒ
ガス圧：０．５Ｐａ

（第２のシード層の成膜工程）
次に、以下の成膜条件にて、ＴｉＣｒ層上に平均厚み１０ｎｍのＮｉＷ層（第２のシード層）を成膜した。
スパッタリング方式：ＤＣマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット：ＮｉＷターゲット
到達真空度：５×１０^-5Ｐａ
ガス種：Ａｒ
ガス圧：０．５Ｐａ

（第１の下地層の成膜工程）
次に、以下の成膜条件にて、ＮｉＷ層上に平均厚み１０ｎｍのＲｕ層（第１の下地層）を成膜した。
スパッタリング方式：ＤＣマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット：Ｒｕターゲット
ガス種：Ａｒ
ガス圧：０．５Ｐａ

（第２の下地層の成膜工程）
次に、以下の成膜条件にて、Ｒｕ層上に平均厚み２０ｎｍのＲｕ層（第２の下地層）を成膜した。
スパッタリング方式：ＤＣマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット：Ｒｕターゲット
ガス種：Ａｒ
ガス圧：１．５Ｐａ

（記録層の成膜工程）
次に、以下の成膜条件にて、Ｒｕ層上に平均厚みｔ_m：９ｎｍの（ＣｏＣｒＰｔ）−（ＳｉＯ₂）層（記録層）を成膜した。
成膜方式：ＤＣマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット：（ＣｏＣｒＰｔ）−（ＳｉＯ₂）ターゲット
ガス種：Ａｒ
ガス圧：１．５Ｐａ

（保護層の成膜工程）
次に、以下の成膜条件にて、記録層上に平均厚み５ｎｍのカーボン層（保護層）を成膜した。
成膜方式：ＤＣマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット：カーボンターゲット
ガス種：Ａｒ
ガス圧：１．０Ｐａ

（潤滑層の成膜工程）
次に、潤滑剤を保護層上に塗布し、潤滑層を成膜した。

（バック層の成膜工程）
次に、記録層とは反対側の面に、バック層形成用塗料を塗布し乾燥することにより、平均厚みｔ_b：０．３μｍのバック層を形成した。これにより、平均厚みｔ_T：４．０μｍの磁気テープが得られた。

（裁断の工程）
上述のようにして得られた磁気テープを１／２インチ（１２．６５ｍｍ）幅に裁断した。これにより、表１、２に示す特性を有する、目的とする長尺状の磁気テープが得られた。

上述のようにして得られた磁気テープを用いる以外は実施例１と同様にして、サーボパターンの記録およびカートリッジの作製を行い、カートリッジを得た。

［実施例１４］
バック層の平均厚みｔ_bが０．３μｍとなるように、バック層形成用塗料の塗布厚を変更したこと以外は実施例７と同様にしてカートリッジを得た。

［実施例１５］
バック層の表面粗度Ｒ_bが３［ｎｍ］となるように、バック層形成用塗料の組成（無機フィラー（カーボンブラック）の添加量）を変更したこと以外は実施例７と同様にしてカートリッジを得た。

［実施例１６］
磁性面とバック面の層間摩擦係数μが０．２となるように、カレンダー処理の条件（温度）を調整したこと以外は実施例７と同様にしてカートリッジを得た。

［実施例１７］
磁性面とバック面の層間摩擦係数μが０．８となるように、カレンダー処理の条件（温度）を調整したこと以外は実施例７と同様にしてカートリッジを得た。

［実施例１８］
記録層の平均厚みｔ_mが１１０ｎｍとなるように、記録層形成用塗料の塗布厚を変更したこと以外は実施例７と同様にしてカートリッジを得た。

［実施例１９］
バック層の表面粗度Ｒ_bが７［ｎｍ］となるように、バック層形成用塗料の組成（無機フィラー（カーボンブラック）の添加量）を変更したこと以外は実施例７と同様にしてカートリッジを得た。

［実施例２０］
磁性面とバック面の層間摩擦係数μが０．１８となるように、カレンダー処理の条件（温度）を調整したこと以外は実施例７と同様にしてカートリッジを得た。

［実施例２１］
磁性面とバック面の層間摩擦係数μが０．８２となるように、カレンダー処理の条件（温度）を調整したこと以外は実施例７と同様にしてカートリッジを得た。

［実施例２２］
磁性層形成用塗料に対する磁場の印加時間を調整し、磁気テープの厚み方向（垂直方向）における角形比Ｓ２を７３％に設定したこと以外は実施例７と同様にしてカートリッジを得た。

［実施例２３］
磁性層形成用塗料に対する磁場の印加時間を調整し、磁気テープの厚み方向（垂直方向）における角形比Ｓ２を８０％に設定したこと以外は実施例７と同様にしてカートリッジを得た。

［実施例２４］
長手方向の弾性限界値σ_MDが５．００［Ｎ］となるように、下地層、記録層、およびバック層が形成されたフィルムの硬化条件、並びに再硬化条件を調整したこと以外は実施例１０と同様にしてカートリッジを得た。

［実施例２５］
ε酸化鉄ナノ粒子に代えてバリウムフェライト（ＢａＦｅ₁₂Ｏ₁₉）ナノ粒子を用いたこと以外は実施例７と同様にしてカートリッジを得た。

［実施例２６］
寸法変化量Δｗが６７０［ｐｐｍ／Ｎ］となるように、幅方向の延伸強度が実施例７のＰＥＮフィルムよりも高いＰＥＮフィルムを用いた。これ以外のことは実施例２５と同様にしてカートリッジを得た。

［実施例２７］
寸法変化量Δｗが６５０［ｐｐｍ／Ｎ］となるように、幅方向の延伸強度が実施例１のＰＥＮフィルムよりも高いＰＥＮフィルムを用いた。これ以外のことは実施例１と同様にしてカートリッジを得た。

［比較例１］
寸法変化量Δｗが６３０［ｐｐｍ／Ｎ］となるように、幅方向の延伸強度が実施例２６のＰＥＮフィルムよりも高い、平均厚みＴ_subが４．０μｍのＰＥＮフィルムを用いた。これ以外のことは実施例１と同様にしてカートリッジを得た。

［比較例２］
寸法変化量Δｗが５００［ｐｐｍ／Ｎ］となるように、幅方向の延伸強度が実施例２６のＰＥＮフィルムよりも高い、平均厚みＴ_subが５．０μｍのＰＥＮフィルムを用いた。また、バック層の平均厚みｔ_bを０．４μｍとした。これ以外のことは実施例１と同様にしてカートリッジを得た。

［参考例１〜２６、比較例３〜５］
まず、実施例１〜２７、比較例１、２と同様にして、磁気テープを得たのち、磁気テープに対してハの字の磁気パターンの列を記録した。続いて、カートリッジとして、テンション調整情報の書き込み、およびテンション調整情報の読み出しを行うことができないものを準備した。次に、このカートリッジに、磁気パターンの列を記録した磁気テープを巻き取った。その後、カートリッジを記録再生装置にローディングし、規定のデータを記録した。これにより、目的とするカートリッジが得られた。

（テープ幅の変化量の判定（１））
まず、実施例１〜２７、比較例１、２のカートリッジを記録再生装置にローディングし、磁気テープの長手方向にかかるテンションを調整しながら、磁気テープを再生し、往復走行させた。この際、記録再生装置により、テンションの調整を以下のようにして行った。すなわち、ハの字の磁気パターン列の２列以上をデータと共に再生し、それぞれの列の再生波形の形状から、データ再生時の磁気パターン列の間隔ｄ２を連続的（サーボの位置情報があるポイント毎（具体的には約６ｍｍ毎））に計測すると共に、カートリッジメモリからデータ記録時の磁気パターン列の間隔ｄ１を読み出した。そして、データ再生時の磁気パターン列の間隔ｄ２が、データ記録時の磁気パターン列の間隔ｄ１に近づくように、スピンドル駆動装置とリール駆動装置の回転駆動を制御し、磁気テープの長手方向のテンションを自動で調整した。この磁気パターン列の間隔の１往復分全ての計測値を「計測された磁気パターン列の間隔ｄ２」とし、これと「予め走行した際の既知の磁気パターン列の間隔ｄ１」の差分の最大値を「テープ幅の変化」とした。

また、記録再生装置による往復走行は、恒温恒湿槽中で行った。往復走行の速度は５ｍ／ｓｅｃであった。往復走行中の温湿度は、上記の往復走行とは独立に、温度範囲１０℃〜４５℃、相対湿度範囲１０％〜８０％で、予め組まれた環境変化プログラム（１０℃１０％→２９℃８０％→１０℃１０％を２回繰り返す。１０℃１０％から２９℃８０％へ２時間で変化させ、且つ、２９℃８０％→１０℃１０％へ２時間で変化させる。）に従って、徐々に且つ繰り返し変化させた。

この評価を、「予め組まれた環境変化プログラム」が終了するまで繰り返した。評価終了後、各往復時に得られた「テープ幅の変化」それぞれの絶対値全てを用いて平均値（単純平均）を計算し、その値をそのテープの「実効的なテープ幅の変化量」とした。この「実効的なテープ幅の変化量」の理想からの乖離（小さい程望ましい）に従った判定を各カートリッジに対して行い、８段階の判定値をそれぞれ付与した。なお、評価“８”が最も望ましい判定結果を示し、評価“１”が最も望ましくない判定結果を示すものとした。上記８段階のいずれかの評価を有する磁気テープは、テープ走行時に以下の状態が観察される。
８：何も異常が発生しない
７：走行時に、軽度のエラーレートの上昇がみられる
６：走行時に、重度のエラーレートの上昇がみられる
５：走行時に、サーボ信号が読めず軽度（１〜２回）の再読み込みがかかる
４：走行時に、サーボ信号が読めず中度（１０回以内）の再読み込みがかかる
３：走行時に、サーボ信号が読めず重度（１０回超）の再読み込みがかかる
２：サーボが読めず、システムエラーで時々停止する
１：サーボが読めず、システムエラーで即時に停止する

（テープ幅の変化量の判定（２））
参考例１〜２６、比較例１〜３のカートリッジを記録再生装置にローディングし、磁気テープの長手方向にかかるテンションを調整しながら、磁気テープを再生し、往復走行させた。この際、記録再生装置により、テンションの調整を以下のようにして行った。すなわち、ハの字の磁気パターン列の２列以上をデータと共に再生し、それぞれの列の再生波形の形状から、データ再生時の磁気パターン列の間隔ｄ２を連続的に計測した。そして、データ再生時の磁気パターン列の間隔ｄ２が規定の間隔ｄ３に近づくように、スピンドル駆動装置とリール駆動装置の回転駆動を制御し、磁気テープの長手方向のテンションを自動で調整した。これ以外のことはテープ幅の変化量の判定（１）と同様にして、「実効的なテープ幅の変化量」の理想からの乖離に従った判定を各カートリッジに対して行い、８段階の判定値をそれぞれ付与した。なお、規定の間隔ｄ３は、磁気テープの長手方向のテンションを調整するときに基準となる既知の磁気パターン列の間隔であり、記録再生装置の制御装置に予め記憶されている。

（電磁変換特性の評価）
まず、ループテスター（Microphysics社製）を用いて、実施例１〜２７、比較例１、２のカートリッジに用いた磁気テープの再生信号を取得した。以下に、再生信号の取得条件について示す。
head : GMR head
speed : 2m/s
signal : 単一記録周波数（１０ＭＨｚ）
記録電流：最適記録電流

次に、再生信号をスペクトラムアナライザ（spectrum analyzer）によりスパン（SPAN）0〜20MHz（resolution band width = 100kHz, VBW = 30kHz）で取り込んだ。次に、取り込んだスペクトルのピークを信号量Ｓとすると共に、ピークを除いたfloor noise を積算して雑音量Ｎとし、信号量Ｓと雑音量Ｎの比Ｓ／ＮをＳＮＲ（Signal-to-Noise Ratio）として求めた。次に、求めたＳＮＲを、リファレンスメディアとしての比較例１のＳＮＲを基準とした相対値（ｄＢ）に変換した。次に、上述のようにして得られたＳＮＲ（ｄＢ）を用いて、電磁変換特性の良否を以下のようにして判定した。
良好：磁気テープのＳＮＲが評価基準サンプル（比較例１）のＳＮＲ（＝０（ｄＢ））と同等、もしくはこのＳＮＲ（＝０（ｄＢ））を超える。
不良：磁気テープのＳＮＲが評価基準サンプル（比較例１）のＳＮＲ（＝０（ｄＢ））未満である。

（巻ズレの評価）
まず、上記の“テープ幅の変化量の判定（１）”後のカートリッジサンプルを準備した。次に、カートリッジサンプルからテープが巻かれたリールを取り出し、巻かれたテープの端面を目視にて観察した。なお、リールにはフランジがあり、少なくとも１つのフランジは透明または半透明であり、内部のテープ巻き状態をフランジ越しに観察することができる。

観察の結果、テープの端面が平坦でなく、段差やテープの飛び出しがある場合、テープの巻ズレがあるものとした。また、これらの段差やテープの飛び出しが複数個観察される程、「巻ズレ」は悪いものとした。上記の判定をサンプル毎に行った。各サンプルの巻ズレ状態を、リファレンスメディアとしての比較例１の巻ズレ状態と比較し、良否を以下のようにして判定した。
良好：サンプルの巻ズレ状態が、基準サンプル（比較例１）の巻ズレ状態と同等もしくは少ない場合
不良：サンプルの巻ズレが、基準サンプル（比較例１）の巻ズレより多い場合

表１、２は、実施例１〜２７、比較例１、２のカートリッジの構成および評価結果を示す。

表３は、参考例１〜２６、比較例３〜５のカートリッジの評価結果を示す。

なお、表１、２中の各記号は、以下の測定値を意味する。
Ｔ_sub：基体の平均厚み
ｔ_T：磁気テープの厚み
Δｗ：磁気テープの長手方向のテンション変化に対する磁気テープの幅方向の寸法変化量
α：磁気テープの温度膨張係数
β：磁気テープの湿度膨張係数
ρ：磁気テープのポアソン比
σ_MD：磁気テープの長手方向の弾性限界値
Ｖ：弾性限界測定を行う際の引張速度
ｔ_m：記録層の平均厚み
Ｒ２：磁気テープの厚み方向（垂直方向）における角形比
ｔ_u：下地層の平均厚み
ｔ_b：バック層の平均厚み
Ｒ_b：バック層の表面粗度
μ：磁性面とバック面の層間摩擦係数

表１〜４から以下のことがわかる。
実施例１〜３、２６、２７、比較例１、２等の評価結果の比較から、磁気テープの寸法変化量Δｗを６５０［ｐｐｍ／Ｎ］≦Δｗとし、かつ、データ記録時にカートリッジメモリに記憶されたテンション調整情報を用いて、磁気テープの長手方向にかかるテンションを調整することで、「実効的なテープ幅の変化量」の理想からの乖離を抑制することができることがわかる。

実施例１〜３、２６、２７、比較例１、２、および参考例１〜３、参考例２６、比較例３〜５等の評価結果の比較から以下のことがわかる。すなわち、データ記録時にカートリッジメモリに記憶されたテンション調整情報を用いて、磁気テープの長手方向にかかるテンションを調整することで、「実効的なテープ幅の変化量」の理想からの乖離を抑制するために要求される寸法変化量Δｗの下限値を６７０［ｐｐｍ／Ｎ］から６５０［ｐｐｍ／Ｎ］≦Δｗに引き下げることができる。

実施例１〜３、２６、２７、比較例１、２等の評価結果の比較から、「実効的なテープ幅の変化量」の理想からの乖離を抑制する観点からすると、寸法変化量Δｗが、好ましくは６７０［ｐｐｍ／Ｎ］≦Δｗであり、より好ましくは６８０［ｐｐｍ／Ｎ］≦Δｗであり、さらにより好ましくは７００［ｐｐｍ／Ｎ］≦Δｗであり、特に好ましくは７５０［ｐｐｍ／Ｎ］≦Δｗであり、最も好ましくは８００［ｐｐｍ／Ｎ］≦Δｗであることがわかる。

参考例３〜５等の評価結果の比較から、「実効的なテープ幅の変化量」の理想からの乖離を抑制する観点からすると、温度膨張係数αが６［ｐｐｍ／℃］≦α≦８［ｐｐｍ／℃］であることが好ましいことがわかる。
参考例３、４、６等の評価結果の比較から、「実効的なテープ幅の変化量」の理想からの乖離を抑制する観点からすると、湿度膨張係数βがβ≦５［ｐｐｍ／％ＲＨ］であることが好ましいことがわかる。

参考例６〜８等の評価結果の比較から、「実効的なテープ幅の変化量」の理想からの乖離を抑制する観点からすると、ポアソン比ρが０．３≦ρであることが好ましいことがわかる。
参考例７、９、１０、２４等の評価結果の比較から、「実効的なテープ幅の変化量」の理想からの乖離を抑制する観点からすると、長手方向の弾性限界値σ_MDが、０．８［Ｎ］≦σ_MDであることが好ましいことがわかる。
実施例９、１１等の弾性限界値σ_MDが、弾性限界測定を行う際の引張速度Ｖに寄らないことがわかる。

なお、実施例１〜２７では、温度膨張係数α、湿度膨張係数β、ポアソン比ρおよび長手方向の弾性限界値σ_MDの値によらず、「テープ幅の変化量の判定（１）」の結果が「８」になっている。これは、テープ幅の変化量の判定を８段階で評価しているためである。より詳細な評価（例えば１０段階の評価）を行った場合には、実施例１〜２７においても、参考例１〜２６と同様の温度膨張係数α、湿度膨張係数β、ポアソン比ρおよび長手方向の弾性限界値σ_MDの数値範囲において、「実効的なテープ幅の変化量」の理想からの乖離をより抑制することができる評価結果が得られると推測される。

実施例９、１２、１８等の評価結果の比較から、電磁変換特性の向上の観点からすると、記録層の平均厚みｔ_mが、ｔ_m≦９０［ｎｍ］であることが好ましいことがわかる。

実施例７、１５、１９等の評価結果の比較から、電磁変換特性の向上の観点からすると、バック層の表面粗度 Ｒ_bが、Ｒ_b≦６．０［ｎｍ］であることが好ましいことがわかる。

実施例７、１６、１７、２１等の評価結果の比較から、巻ズレを抑制する観点からすると、磁性面とバック面の層間摩擦係数μが０．２０≦μ≦０．８０であることが好ましいことがわかる。

実施例７、２２、２３等の評価結果の比較から、電磁変換特性の向上の観点からすると、垂直方向における磁気テープの角形比Ｓ２が８０％以上であることが好ましいことがわかる。

実施例７、２５、２６等の評価結果の比較から、磁性粒子としてバリウムフェライトナノ粒子を用いた場合にも、寸法変化量Δｗ、温度膨張係数αおよび湿度膨張係数β等の各パラメータを調整することで、磁性粒子としてε酸化鉄ナノ粒子を用いた場合と同様の評価結果が得られることがわかる。

以上、本開示の実施形態および変形例について具体的に説明したが、本開示は、上述の実施形態および実施例に限定されるものではなく、本開示の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。

例えば、上述の実施形態および変形例において挙げた構成、方法、工程、形状、材料および数値等はあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異なる構成、方法、工程、形状、材料および数値等を用いてもよい。また、化合物等の化学式は代表的なものであって、同じ化合物の一般名称であれば、記載された価数等に限定されない。

また、上述の実施形態および変形例の構成、方法、工程、形状、材料および数値等は、本開示の主旨を逸脱しない限り、互いに組み合わせることが可能である。

また、本明細書に段階的に記載されている数値範囲において、ある段階の数値範囲の上限値または下限値は、他の段階の数値範囲の上限値または下限値に置き換えてもよい。本明細書に例示する材料は、特に断らない限り、１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。

また、本開示は以下の構成を採用することもできる。
（１）
テープ状の磁気記録媒体と、
記録再生装置と通信を行う通信部と、
記憶部と、
前記通信部を介して前記記録再生装置から受信した情報を前記記憶部に記憶し、かつ、前記記録再生装置の要求に応じて、前記記憶部から前記情報を読み出し、前記通信部を介して前記記録再生装置に送信する制御部と
を備え、
前記情報は、前記磁気記録媒体の長手方向にかかるテンションを調整するための調整情報を含み、
前記磁気記録媒体の平均厚みｔ_Tが、ｔ_T≦５．５［μｍ］であり、
前記磁気記録媒体の長手方向のテンション変化に対する幅方向の寸法変化量Δｗが、６５０［ｐｐｍ／Ｎ］≦Δｗであるカートリッジ。
（２）
前記寸法変化量Δｗが、７００［ｐｐｍ／Ｎ］≦Δｗである（１）に記載のカートリッジ。
（３）
前記寸法変化量Δｗが、７５０［ｐｐｍ／Ｎ］≦Δｗである（１）に記載のカートリッジ。
（４）
前記寸法変化量Δｗが、８００［ｐｐｍ／Ｎ］≦Δｗである（１）に記載のカートリッジ。
（５）
前記調整情報は、前記磁気記録媒体に対するデータ記録時に取得される（１）から（４）のいずれかに記載のカートリッジ。
（６）
前記調整情報は、前記磁気記録媒体の幅に関連する幅関連情報を含む（５）に記載のカートリッジ。
（７）
前記幅関連情報は、隣接するサーボトラック間の距離情報、または前記磁気記録媒体の幅情報である（６）に記載のカートリッジ。
（８）
前記調整情報は、前記磁気記録媒体の周囲の環境情報を含む（５）から（７）のいずれかに記載のカートリッジ。
（９）
前記環境情報は、前記磁気記録媒体の周囲の温度情報を含む（８）に記載のカートリッジ。
（１０）
前記環境情報は、前記磁気記録媒体の周囲の湿度情報を含む（８）または（９）に記載のカートリッジ。
（１１）
前記調整情報は、前記磁気記録媒体のテンション情報を含む（５）から（１０）のいずれかに記載のカートリッジ。
（１２）
前記記憶部は、
磁気テープ規格に準拠した第１の情報を記憶するための第１の記憶領域と、
前記第１の情報以外の第２の情報を記憶するための第２の記憶領域と
を有し、
前記第２の情報は、前記調整情報を含む（１）から（１１）のいずれかに記載のカートリッジ。
（１３）
前記磁気記録媒体の温度膨張係数αが、６［ｐｐｍ／℃］≦α≦８［ｐｐｍ／℃］である（１）から（１２）のいずれかに記載のカートリッジ。
（１４）
前記磁気記録媒体の湿度膨張係数βが、β≦５［ｐｐｍ／％ＲＨ］である（１）から（１３）のいずれかに記載のカートリッジ。
（１５）
前記磁気記録媒体のポアソン比ρが、０．３≦ρである（１）から（１４）のいずれかに記載のカートリッジ。
（１６）
前記磁気記録媒体の長手方向の弾性限界値σ_MDが、０．８［Ｎ］≦σ_MDである（１）から（１５）のいずれかに記載のカートリッジ。
（１７）
前記磁気記録媒体が、６０００以上のデータトラックを形成可能に構成されている（１）から（１６）のいずれかに記載のカートリッジ。
（１８）
ＬＴＯ９以降の規格に準拠している（１）から（１７）のいずれかに記載のカートリッジ。
（１９）
前記磁気記録媒体は、記録層を備え、
前記記録層の平均厚みｔ_mが、９［ｎｍ］≦ｔ_m≦９０［ｎｍ］である（１）から（１８）のいずれかに記載のカートリッジ。
（２０）
前記記録層の平均厚みｔ_mが、３５［ｎｍ］≦ｔ_m≦９０［ｎｍ］である（１９）に記載のカートリッジ。
（２１）
バック層を備え、
前記バック層の平均厚みｔ_bが、ｔ_b≦０．６［μｍ］である（１）から（２０）のいずれかに記載のカートリッジ。
（２２）
バック層を備え、
前記バック層の表面粗度Ｒ_bが、Ｒ_b≦６．０［ｎｍ］である（１）から（２１）のいずれかに記載のカートリッジ。
（２３）
磁性面と該磁性面とは反対側となるバック面とを有し、
前記磁性面と前記バック面の層間摩擦係数μが、０．２０≦μ≦０．８０である（１）から（２２）のいずれかに記載のカートリッジ。
（２４）
前記磁気記録媒体は、磁性粉を含む記録層を備え、
前記磁性粉は、ε酸化鉄、六方晶フェライトまたはＣｏ含有スピネルフェライトを含む（１）から（２３）のいずれかに記載のカートリッジ。
（２５）
前記磁気記録媒体の垂直方向における角形比が、６５％以上である（１）から（２４）のいずれかに記載のカートリッジ。
（２６）
前記磁気記録媒体の垂直方向における角形比が、７０％以上である（１）から（２５）のいずれかに記載のカートリッジ。
（２７）
前記磁気記録媒体の垂直方向における保磁力Ｈｃ１と、前記磁気記録媒体の長手方向における保磁力Ｈｃ２とが、Ｈｃ２／Ｈｃ１≦０．８の関係を満たす（１）から（２６）のいずれかに記載のカートリッジ。
（２８）
前記磁気記録媒体は、潤滑剤を含む磁性層を備え、
前記磁性層は、多数の孔部が設けられた表面を有し、
前記潤滑剤を除去した状態における前記磁気記録媒体の全体のＢＥＴ比表面積は、３．５ｍ²／ｍｇ以上である（１）から（２７）のいずれかに記載のカートリッジ。
（２９）
テープ状の磁気記録媒体と、
前記磁気記録媒体の長手方向にかかるテンションを調整するための調整情報を書き込む領域を有する記憶部と
を備え、
前記磁気記録媒体の平均厚みｔ_Tが、ｔ_T≦５．５［μｍ］であり、
前記磁気記録媒体の長手方向のテンション変化に対する幅方向の寸法変化量Δｗが、６５０［ｐｐｍ／Ｎ］≦Δｗであるカートリッジ。
（３０）
テープ状の磁気記録媒体に用いられるカートリッジメモリであって、
記録再生装置と通信を行う通信部と、
記憶部と、
前記通信部を介して前記記録再生装置から受信した情報を前記記憶部に記憶し、かつ、前記記録再生装置の要求に応じて、前記記憶部から前記情報を読み出し、前記通信部を介して前記記録再生装置に送信する制御部と
を備え、
前記情報は、前記磁気記録媒体の長手方向にかかるテンションを調整するための調整情報を含むカートリッジメモリ。
（３１）
テープ状の磁気記録媒体に用いられるカートリッジメモリであって、
前記磁気記録媒体の長手方向にかかるテンションを調整するための調整情報を書き込む領域を有する記憶部を備えるカートリッジメモリ。

１０ カートリッジ
１１ カートリッジメモリ
３１ アンテナコイル
３２ 整流・電源回路
３３ クロック回路
３４ 検波・変調回路
３５ コントローラ
３６ メモリ
３６Ａ 第１の記憶領域
３６Ｂ 第２の記憶領域
４１ 基体
４２ 下地層
４３ 記録層
４４ バック層
５０、５０Ａ 記録再生装置
５１ スピンドル
５２ リール
５３ スピンドル駆動装置
５４ リール駆動装置
５５ ガイドローラ
５６ ヘッドユニット
５７ リーダライタ
５８ 通信インターフェース
５９ 制御装置
６０ 温度計
６１ 湿度計
１００、１００Ａ 記録再生システム
ＭＴ 磁気テープ

Claims (27)

1. テープ状の磁気記録媒体と、
   記録再生装置と通信を行う通信部と、
   記憶部と、
   前記通信部を介して前記記録再生装置から受信した情報を前記記憶部に記憶し、かつ、前記記録再生装置の要求に応じて、前記記憶部から前記情報を読み出し、前記通信部を介して前記記録再生装置に送信する制御部と
   を備え、
   前記情報は、前記磁気記録媒体の長手方向にかかるテンションを調整するための調整情報を含み、
   前記磁気記録媒体の平均厚みｔ_Tが、ｔ_T≦５．５［μｍ］であり、
   前記磁気記録媒体の長手方向のテンション変化に対する前記磁気記録媒体の幅方向の寸法変化量Δｗが、６５０［ｐｐｍ／Ｎ］≦Δｗであるカートリッジ。
2. 前記寸法変化量Δｗが、７００［ｐｐｍ／Ｎ］≦Δｗである請求項１に記載のカートリッジ。
3. 前記寸法変化量Δｗが、７５０［ｐｐｍ／Ｎ］≦Δｗである請求項１または２に記載のカートリッジ。
4. 前記寸法変化量Δｗが、８００［ｐｐｍ／Ｎ］≦Δｗである請求項１から３のいずれかに記載のカートリッジ。
5. 前記調整情報は、前記磁気記録媒体に対するデータ記録時に取得される請求項１から４のいずれかに記載のカートリッジ。
6. 前記調整情報は、前記磁気記録媒体の幅に関連する幅関連情報を含む請求項１から５のいずれかに記載のカートリッジ。
7. 前記幅関連情報は、隣接するサーボバンド間の距離情報、または前記磁気記録媒体の幅情報である請求項６に記載のカートリッジ。
8. 前記調整情報は、前記磁気記録媒体の周囲の環境情報を含む請求項１から７のいずれかに記載のカートリッジ。
9. 前記環境情報は、前記磁気記録媒体の周囲の温度情報を含む請求項８に記載のカートリッジ。
10. 前記環境情報は、前記磁気記録媒体の周囲の湿度情報を含む請求項８または９に記載のカートリッジ。
11. 前記調整情報は、前記磁気記録媒体のテンション情報を含む請求項１から５のいずれかに記載のカートリッジ。
12. 前記記憶部は、
    磁気テープ規格に準拠した第１の情報を記憶するための第１の記憶領域と、
    前記第１の情報以外の第２の情報を記憶するための第２の記憶領域と
    を有し、
    前記第２の情報は、前記調整情報を含む請求項１から１１のいずれかに記載のカートリッジ。
13. 前記磁気記録媒体の温度膨張係数αが、６［ｐｐｍ／℃］≦α≦８［ｐｐｍ／℃］である請求項１から１２のいずれかに記載のカートリッジ。
14. 前記磁気記録媒体の湿度膨張係数βが、β≦５［ｐｐｍ／％ＲＨ］である請求項１から１３のいずれかに記載のカートリッジ。
15. 前記磁気記録媒体のポアソン比ρが、０．３≦ρである請求項１から１４のいずれかに記載のカートリッジ。
16. 前記磁気記録媒体の長手方向の弾性限界値σ_MDが、０．８［Ｎ］≦σ_MDである請求項１から１５のいずれかに記載のカートリッジ。
17. 前記磁気記録媒体が、６０００以上のデータトラックを形成可能に構成されている請求項１から１６のいずれかに記載のカートリッジ。
18. 前記磁気記録媒体は、記録層を備え、
    前記記録層の平均厚みｔ_mが、９［ｎｍ］≦ｔ_m≦９０［ｎｍ］である請求項１から１７のいずれかに記載のカートリッジ。
19. 前記記録層の平均厚みｔ_mが、３５［ｎｍ］≦ｔ_m≦９０［ｎｍ］である請求項１８に記載のカートリッジ。
20. バック層を備え、
    前記バック層の平均厚みｔ_bが、ｔ_b≦０．６［μｍ］である請求項１から１９のいずれかに記載のカートリッジ。
21. バック層を備え、
    前記バック層の表面粗度Ｒ_bが、Ｒ_b≦６．０［ｎｍ］である請求項１から１９のいずれかに記載のカートリッジ。
22. 磁性面と該磁性面とは反対側となるバック面とを有し、
    前記磁性面と前記バック面の層間摩擦係数μが、０．２０≦μ≦０．８０である請求項１から２１のいずれかに記載のカートリッジ。
23. 前記磁気記録媒体は、磁性粉を含む記録層を備え、
    前記磁性粉は、ε酸化鉄、六方晶フェライトまたはＣｏ含有スピネルフェライトを含む請求項１から２２のいずれかに記載のカートリッジ。
24. 前記磁気記録媒体の垂直方向における角形比が、６５％以上である請求項１から２３のいずれかに記載のカートリッジ。
25. 前記磁気記録媒体の垂直方向における角形比が、７０％以上である請求項１から２４のいずれかに記載のカートリッジ。
26. 前記磁気記録媒体の垂直方向における保磁力Ｈｃ１と、前記磁気記録媒体の長手方向における保磁力Ｈｃ２とが、Ｈｃ２／Ｈｃ１≦０．８の関係を満たす請求項１から２５のいずれかに記載のカートリッジ。
27. テープ状の磁気記録媒体と、
    前記磁気記録媒体の長手方向にかかるテンションを調整するための調整情報を書き込む領域を有する記憶部と
    を備え、
    前記磁気記録媒体の平均厚みｔ_Tが、ｔ_T≦５．５［μｍ］であり、
    前記磁気記録媒体の長手方向のテンション変化に対する前記磁気記録媒体の幅方向の寸法変化量Δｗが、６５０［ｐｐｍ／Ｎ］≦Δｗであるカートリッジ。

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