JP6635225B1 - 磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

【課題】走行安定性に優れており且つ全厚が薄い磁気記録媒体を提供することを目的とする【解決手段】本技術は、磁性層、下地層、ベース層、及びバック層を含み、前記磁性層にサーボパターンが記録されており、当該サーボパターンのサーボ信号の再生波形から得られる、サーボバンドの非直線性を示す統計値σSWが２４ｎｍ以下であり、前記ベース層は、ポリエステルを主たる成分として含み、磁気記録媒体の平均厚みｔＴが５．６μｍ以下であり、前記磁気記録媒体は潤滑剤を含み、且つ前記磁気記録媒体に細孔が形成されており、前記磁気記録媒体の細孔の平均直径は、前記磁気記録媒体から潤滑剤を除去しそして乾燥した状態で測定したときに、６ｎｍ以上１１ｎｍ以下である、テープ状の磁気記録媒体を提供する。【選択図】図１

Description

本技術は、磁気記録媒体に関する。

例えばＩｏＴ、ビッグデータ、及び人工知能などの発展に伴い、収集及び保存されるデータの量が大幅に増加している。大量のデータを記録するための媒体として、しばしば磁気記録媒体が用いられる。

磁気記録媒体に関して、これまでに種々の技術が提案されている。例えば下記特許文献１には、非磁性支持体の少なくとも一主面上に、少なくとも結合剤と磁性粉末とを含有する磁性層を有する磁気記録媒体に関する技術が開示されている。当該磁気記録媒体は、前記磁性層の膜厚が０．１２μｍ以下であり、前記磁性層形成面の表面の二乗平均表面粗さ（Ｒｑ）が４．０ｎｍ以下であり、且つ、前記磁性層形成面の表面プロファイルにおける歪度（Ｓｋ：Skewness）が−１以上＋１以下であることを特徴とする。

特開２００６−６５９５３号公報

磁気記録媒体は、例えば磁気記録カートリッジに収容される。磁気記録カートリッジ１つ当たりの記録容量をさらに増やすために、磁気記録カートリッジに収容される磁気記録媒体（例えば磁気記録テープ）をより薄くして（全厚を低減して）、磁気記録カートリッジ１つ当たりのテープ長を増加させることが考えられる。しかしながら、全厚の薄い磁気記録媒体は走行安定性に劣る場合がある。そこで、本技術は、走行安定性に優れた全厚の薄い磁気記録媒体を提供することを主目的とする。

本技術は、磁性層、下地層、ベース層、及びバック層を備えるテープ状の磁気記録媒体であって、
前記磁性層にサーボパターンが記録されており、当該サーボパターンのサーボ信号の再生波形から得られる、サーボバンドの非直線性を示す統計値σ_SWが２４ｎｍ以下であり、
前記ベース層は、ポリエステルを主たる成分として含み、
磁気記録媒体の平均厚みｔ_Ｔが５．６μｍ以下であり、
前記磁気記録媒体は潤滑剤を含み、且つ
前記磁気記録媒体に細孔が形成されており、当該細孔の平均直径は、前記磁気記録媒体から潤滑剤を除去しそして乾燥した状態で測定したときに、６ｎｍ以上１１ｎｍ以下である、前記磁気記録媒体を提供する。
前記磁気記録媒体は、前記磁気記録媒体の垂直方向における角形比が６５％以上であってよい。
前記磁気記録媒体の磁性層側表面の算術平均粗さＲ_ａが２．５ｎｍ以下であってよい。
前記磁性層の平均厚みｔ_ｍが８０ｎｍ以下でありうる。
本技術の好ましい実施態様に従い、前記磁気記録媒体は、
前記磁気記録媒体の垂直方向における角形比が６５％以上であり、
前記磁気記録媒体の磁性層側表面の算術平均粗さＲ_ａが２．５ｎｍ以下であり、且つ、
前記磁性層の平均厚みｔ_ｍが８０ｎｍ以下でありうる。
前記磁性層が磁性粉を含み、当該磁性粉が六方晶フェライト、ε酸化鉄、又はＣｏ含有スピネルフェライトを含みうる。
前記六方晶フェライトが、Ｂａ及びＳｒのうちの少なくとも１種を含み、且つ、前記ε酸化鉄が、Ａｌ及びＧａのうちの少なくとも１種を含みうる。
本技術の一つの実施態様に従い、前記磁気記録媒体の長手方向に０．４Ｎの張力を加えた状態における前記磁気記録媒体の磁性層側表面と磁気ヘッドとの間の動摩擦係数μ_Ａと、前記磁気記録媒体の長手方向に１．２Ｎの張力を加えた状態における前記磁気記録媒体の磁性層側表面と磁気ヘッドとの間の動摩擦係数μ_Ｂとの摩擦係数比（μ_Ｂ／μ_Ａ）が１．０〜２．０でありうる。
本技術の一つの実施態様に従い、長手方向に０．６Ｎの張力を加えた状態にある前記磁気記録媒体を、磁気ヘッド上を５往復摺動させた場合の５往復目における動摩擦係数μ_Ｃ（５）と、当該磁気ヘッド上を１０００往復させた場合の１０００往復目における動摩擦係数μ_{Ｃ（１０００）}との摩擦係数比（μ_{Ｃ（１０００）}／μ_Ｃ（５））が１．０〜２．０でありうる。
前記潤滑剤は、脂肪酸及び／又は脂肪酸エステルを含みうる。
前記脂肪酸が下記一般式（１）又は（２）で示される化合物を含み、且つ、前記脂肪酸エステルが下記一般式（３）又は（４）で示される化合物を含みうる。
ＣＨ₃（ＣＨ₂）_kＣＯＯＨ ・・・（１）
（但し、前記一般式（１）において、ｋは１４以上２２以下の範囲から選ばれる整数である。）
ＣＨ₃（ＣＨ₂）_nＣＨ＝ＣＨ（ＣＨ₂）_mＣＯＯＨ ・・・（２）
（但し、前記一般式（２）において、ｎとｍとの和は１２以上２０以下の範囲から選ばれる整数である。）
ＣＨ₃（ＣＨ₂）_pＣＯＯ（ＣＨ₂）_qＣＨ₃ ・・・（３）
（但し、前記一般式（３）において、ｐは１４以上２２以下の範囲から選ばれる整数であり、ｑは２以上５以下の範囲から選ばれる整数である。）
ＣＨ₃（ＣＨ₂）_rＣＯＯ−（ＣＨ₂）_sＣＨ（ＣＨ₃）₂・・・（４）
（但し、前記一般式（４）において、ｒは１４以上２２以下の範囲から選ばれる整数であり、ｓは１以上３以下の範囲から選ばれる整数である。）
前記磁気記録媒体は、前記磁気記録媒体の長手方向における保磁力Ｈ_ｃが２０００Ｏｅ以下であってよい。
前記統計値σ_SWは２３ｎｍ以下でありうる。
前記統計値σ_SWは１０ｎｍ以上２３ｎｍ以下でありうる。
前記細孔の平均直径は６ｎｍ以上１０ｎｍ以下でありうる。
前記細孔の平均直径は７ｎｍ以上９ｎｍ以下でありうる。
前記ベース層の平均厚みは４．２μｍ以下でありうる。
前記磁性層が磁性粉を含み、当該磁性粉の平均アスペクト比が１．０以上３．５以下でありうる。
前記磁性層が磁性粉を含み、当該磁性粉の平均粒子サイズが５０ｎｍ以下でありうる。
また、本技術は、前記テープ状の磁気記録媒体がリールに巻き取られた状態で磁気記録カートリッジ内に収容されており、且つ、（当該磁気記録媒体の巻内側のサーボトラック幅）−（当該磁気記録媒体の巻外側のサーボトラック幅）＞０μｍである、磁気記録カートリッジも提供する。

本技術に従う磁気記録媒体の一例の断面の模式図である。 磁気記録媒体に設けられるデータバンド及びサーボバンドの例を示す図である。 サーボバンドにおけるサーボパターンの例を示す図である。 サーボバンドにおけるサーボパターンの例を示す図である。 磁性粒子の構成を示す断面図である。 変形例における磁性粒子の構成を示す断面図である。 磁性面と磁気ヘッドとの間の摩擦係数の測定方法を説明するための図である。 記録再生装置の構成を示す概略図である。 変形例の磁気記録媒体の断面の模式図である。 磁性層のＴＥＭ写真の例である。 統計値σ_SWの測定において用いられるヘッドユニットの模式図である。 本技術の実施例において用いられたサーボトラックライタの模式図である。 本技術の実施例において用いられたサーボ信号書込ヘッドの模式図である。 カートリッジの構成の一例を示す分解斜視図である。 カートリッジメモリの構成の一例を示すブロック図である。 サーボトラック幅のずれ量の測定位置を示す模式図である。 サーボトラック幅のずれ量を測定する方法を示す模式図である。

以下、本技術を実施するための好適な形態について説明する。なお、以下に説明する実施形態は、本技術の代表的な実施形態を示したものであり、本技術の範囲がこれらの実施形態のみに限定されることはない。

本技術について、以下の順序で説明を行う。
１．本技術の説明
２．本技術の実施形態（塗布型の磁気記録媒体の例）
（１）磁気記録媒体の構成
（２）各層の説明
（３）物性及び構造
（４）磁気記録媒体の製造方法
（５）記録再生装置
（６）カートリッジ
（７）効果
（８）変形例
３．実施例

１．本技術の説明

本発明者らは、全厚が薄い種々の磁気記録媒体について検討した。その結果、本発明者らは、特定の構成を有する磁気記録媒体が、全厚が薄いにもかかわらず走行安定性に優れていることを見出した。すなわち、本技術に従う磁気記録媒体は、磁性層、下地層、ベース層、及びバック層を含み、前記磁性層にサーボパターンが記録されており、当該サーボパターンのサーボ信号の再生波形から得られる、サーボバンドの非直線性を示す統計値σ_SWが２４ｎｍ以下であり、前記ベース層は、ポリエステルを主たる成分として含み、磁気記録媒体の平均厚みｔ_Ｔが５．６μｍ以下であり、前記磁気記録媒体は潤滑剤を含み、且つ前記磁気記録媒体に細孔が形成されており、当該細孔の平均直径は、前記磁気記録媒体から潤滑剤を除去しそして乾燥した状態で測定したときに、６ｎｍ以上１１ｎｍ以下である。

前記数値範囲内の平均直径を有する細孔及び前記数値範囲内の標準偏差σ_SWが、走行安定性の向上に貢献する。標準偏差σ_SWが高すぎる場合は、サーボバンドの直線性が低く、サーボ信号の読み取りにおいて支障が生じうる。また、標準偏差σ_SWが上記上限値以下であっても、前記平均直径が前記数値範囲外である場合は、走行安定性が悪化しうる。
また、前記数値範囲内の平均直径を有する細孔は、前記潤滑剤による走行安定性を向上させるために適している。前記数値範囲内の平均直径を有する細孔によって、走行安定性を高めるために適した量の潤滑剤が磁性層側表面に現れるためであると考えられる。

本技術に従う磁気記録媒体の前記統計値σ_SWは２４ｎｍ以下であり、より好ましくは２３ｎｍ以下である。前記統計値σ_SWがこの数値範囲内にあることによって、磁気記録媒体の走行安定性が向上しうる。
また、本技術に従う磁気記録媒体の前記統計値σ_SWは、例えば１０ｎｍ以上であり、好ましくは１３ｎｍ以上であり、より好ましくは１５ｎｍ以上でありうる。

本技術に従う磁気記録媒体は細孔を有し、且つ、当該細孔の平均直径は、前記磁気記録媒体から潤滑剤を除去しそして乾燥した状態で測定したときに、６ｎｍ以上１１ｎｍ以下である。当該平均直径は、好ましくは１０ｎｍ以下、より好ましくは９ｎｍ以下である。当該平均直径は、好ましくは６．５ｎｍ以上、より好ましくは７ｎｍ以上、さらにより好ましくは７．５ｎｍ以上、特に好ましくは８ｎｍ以上である。前記平均直径は、より好ましくは６ｎｍ以上１０ｎｍ以下、より好ましくは６．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下、さらにより好ましくは７ｎｍ以上９ｎｍ以下である。平均細孔直径が上記数値範囲内にあることによって、磁気記録媒体の走行安定性が向上する。平均細孔直径が上記数値範囲外にある場合、磁気記録媒体とドライブとの間の摩擦が磁気記録媒体の走行に伴い徐々に上昇し、走行安定性が悪化しうる。当該細孔は、例えば当該磁気記録媒体の表面に形成されていてよく、より特には磁性層側の表面に形成されていてよい。当該細孔は、例えば磁性層に存在するものであってよい。磁性層に存在する細孔は、磁性層だけに形成されていてよく、又は、磁性層に形成された細孔が他の層に及ぶものであってもよく、例えば下地層に及ぶものであってもよい。

本技術に従う磁気記録媒体の平均厚みｔ_Ｔは、５．６μｍ以下であり、より好ましくは５．３μｍ以下であり、さらにより好ましくは５．２μｍ以下、５．０μｍ以下又は４．６μｍ以下でありうる。本技術に従う磁気記録媒体の全厚はこのように薄いものであるので、例えば１つの磁気記録カートリッジ中に巻き取られるテープ長をより長くすることができ、これにより１つの磁気記録カートリッジ当たりの記録容量を高めることができる。
本技術に従う磁気記録媒体の幅は、例えば５ｍｍ〜３０ｍｍであり、特には７ｍｍ〜２５ｍｍであり、より特には１０ｍｍ〜２０ｍｍ、さらにより特には１１ｍｍ〜１９ｍｍでありうる。本技術に従うテープ状磁気記録媒体の長さは、例えば５００ｍ〜１５００ｍでありうる。例えばＬＴＯ８規格に従うテープ幅は１２．６５ｍｍであり、長さは９６０ｍである。

本技術に従う磁気記録媒体はテープ状であり、例えば長尺状の磁気記録テープでありうる。本技術に従うテープ状磁気記録媒体は、例えば磁気記録カートリッジ内に収容されていてよい。より具体的には、当該磁気記録カートリッジ内のリールに巻き付けられた状態で、当該カートリッジ内に収容されていてよい。

本技術に従う磁気記録媒体は、磁性層、下地層、ベース層、及びバック層を備えている。これら４層は、この順に積層されていてよい。本技術に従う磁気記録媒体は、これらの層に加えて、他の層を含んでいてよい。当該他の層は、磁気記録媒体の種類に応じて適宜選択されてよい。本技術に従う磁気記録媒体は、例えば塗布型の磁気記録媒体でありうる。前記塗布型の磁気記録媒体について、以下２．においてより詳細に説明する。

本技術の好ましい実施態様に従い、前記磁気記録媒体は、垂直方向における角形比が６５％以上であり、前記磁気記録媒体の磁性層側表面の表面粗度Ｒ_ａが２．５ｎｍ以下であり、且つ、前記磁性層の平均厚みｔ_ｍが８０ｎｍ以下でありうる。これにより、薄い磁気記録媒体における記録再生特性が向上する。

本技術の一つの実施態様において、前記磁気記録媒体は、リールに巻き取られた状態で磁気記録カートリッジ内に収容されていてよい。すなわち、本技術は、前記磁気記録媒体を含み且つ当該磁気記録媒体がリールに巻き取られた状態で収容されている磁気記録カートリッジも提供する。この実施態様において、好ましくは、（当該磁気記録媒体の巻内側のサーボトラック幅）−（当該磁気記録媒体の巻外側のサーボトラック幅）＞０μｍである。本明細書内以下において、（当該磁気記録媒体の巻内側のサーボトラック幅）−（当該磁気記録媒体の巻外側のサーボトラック幅）を、「巻内側及び巻外側のサーボトラック幅の差」ともいう。巻内側及び巻外側のサーボトラック幅の差は、好ましくは０．０１μｍ以上、より好ましくは０．０２μｍ以上、さらにより好ましくは０．０５μｍ以上である。巻内側及び巻外側のサーボトラック幅の差は、例えば、０．１０μｍ以上、０．１５μｍ以上、又は０．２０μｍ以上であってもよい。当該差の測定方法及び当該差を算出するために用いられるサーボトラック幅のずれ量の測定方法について、以下２．の（３）において説明する。

巻内側及び巻外側のサーボトラック幅の差が上記数値範囲内にあることは、特には、長尺状の磁気記録媒体の長手方向のテンションを調整することによって当該磁気記録媒体の幅を一定又はほぼ一定に保つことができる記録再生装置において使用される磁気記録媒体にとって好ましい。当該記録再生装置は、例えば磁気記録媒体の幅方向の寸法又は寸法変化を検知し、検知結果に基づき長手方向のテンションを調整する。当該テンション調整によって、磁気記録媒体がリールに巻き取られた際にしわが生じるという、当該テンション調整に特有の現象が生じうる。当該現象は、特に当該テンションが緩められる場合に起こりうる。
巻内側及び巻外側のサーボトラック幅の差が上記数値範囲内にあることによって、カートリッジ内のリールに巻き取られた磁気記録媒体（特には当該磁気記録媒体のうちリールにより近い部分）にしわが発生することを防ぐことができる。当該しわは、例えば巻ずれ又は走行時のトラックずれなどをもたらしうるところ、当該しわに起因するこれらの現象の発生も本技術により防ぐことができる。

上記しわの発生の抑制について、以下でより詳細に説明する。
長尺状の磁気記録媒体の長手方向のテンションを調整することによって当該磁気記録媒体の幅を一定又はほぼ一定に保つことができる記録再生装置は、例えばサーボトラック幅に応じて長手方向のテンションを調整する。当該装置は、例えば、サーボトラック幅が所定の幅より広い場合は長手方向のテンションを高めて、サーボトラック幅を一定に保ち、サーボトラック幅が当該所定の幅より狭い場合は長手方向のテンションを弱めて、サーボトラック幅を一定に保つ。このようにして磁気記録媒体の幅が一定に保たれる。
巻内側及び巻外側のサーボトラック幅の差が負の値であるということは、巻内側のサーボトラック幅が巻外側のサーボトラック幅よりも狭いことを意味する。当該差が負の値である場合、磁気記録媒体のうち、例えば磁気記録カートリッジのリールに接続されている端部（以下「リール接続端部」ともいう）側の半分の領域内にサーボトラック幅が最も狭い部分が存在するなど、リール接続端部に近い領域のサーボトラック幅が、その反対側の端部（以下「外側端部」ともいう）に近い領域のサーボトラック幅よりも狭くなる。そのため、磁気記録カートリッジ内のリールに磁気記録媒体を巻き取る場合に、サーボトラック幅を一定に保つために、リール接続端部に近い領域の巻き取りにおいて適用される長手方向のテンションはより弱く、外側端部に近い領域の巻き取りにおいて適用される長手方向のテンションはより強い。その結果、磁気記録媒体のうち、リール接続端部に近い領域が、外側端部に近い領域よりも弱い張力でリールに巻き取られる。このように磁気記録媒体が巻き取られると、リール接続端部に近い領域においてしわが生じる現象が発生しうる。当該しわは、例えば巻ずれ及び走行時のトラックずれなどを引き起こしうる。当該しわが生じる現象は、巻き取られた状態が短時間継続する場合は起こりにくいが、当該状態が長時間継続する場合に起こりやすい。例えば、磁気記録再生装置内のリールに磁気記録媒体が巻き取られることがあるが、当該装置内のリールに巻き取られた状態は通常は短時間しか継続しないので、当該現象は発生しない。一方で、磁気記録カートリッジ内のリールに巻き取られた状態は、当該カートリッジが長期保存される場合に特に長い時間継続する。そのため、磁気記録カートリッジ内の磁気記録媒体について、当該現象が起こりうる。
巻内側及び巻外側のサーボトラック幅の差が正の値であること（すなわち巻内側のサーボトラック幅が巻外側のサーボトラック幅よりも広いこと）により、リール接続端部に近い領域のサーボトラック幅が、外側端部に近い領域のサーボトラック幅よりも広くなる。そのため、磁気記録カートリッジ内のリールに磁気記録媒体を巻き取る場合に、サーボトラック幅を一定に保つために、リール接続端部に近い領域の巻き取りにおいて適用される長手方向のテンションがより強く、外側端部に近い領域の巻き取りにおいて適用される長手方向のテンションはより弱い。その結果、磁気記録媒体は、リール接続端部に近い領域が、外側端部に近い領域よりも強い張力でリールに巻き取られる。このように磁気記録媒体が巻き取られることで、リール接続端部に近い領域においてしわが寄る現象を防ぐことができる。

巻内側及び巻外側のサーボトラック幅の差は、例えば０．５μｍ以下であってよく、好ましくは０．４μｍ以下、より好ましくは０．３μｍ以下であってよい。巻内側及び巻外側のサーボトラック幅の差が上記上限値以下であることによって、テンション調整により磁気記録媒体の幅を一定に保つことを、より容易に行うことができる。

２．本技術の実施形態（塗布型の磁気記録媒体の例）

（１）磁気記録媒体の構成

まず、図１を参照して、第１の実施形態に係る磁気記録媒体１０の構成について説明する。磁気記録媒体１０は、例えば垂直配向処理を施した磁気記録媒体であって、図１に示すように、長尺状のベース層（基体ともいう）１１と、ベース層１１の一方の主面上に設けられた下地層（非磁性層）１２と、下地層１２上に設けられた磁性層（記録層ともいう）１３と、ベース層１１の他方の主面上に設けられたバック層１４とを備える。本明細書内において、磁気記録媒体１０の両主面のうち、磁性層１３が設けられた側の面を磁性面又は磁性層側表面ともいい、当該磁性面とは反対側の面（バック層１４が設けられた側の面）をバック面ともいう。

磁気記録媒体１０はテープ状であり、記録再生の際には長手方向に走行される。また、磁気記録媒体１０は、好ましくは１００ｎｍ以下、より好ましくは７５ｎｍ以下、更により好ましくは６０ｎｍ以下、特に好ましくは５０ｎｍ以下の最短記録波長で信号を記録可能に構成されていてよく、例えば最短記録波長が上記範囲内にある記録再生装置に用いられうる。この記録再生装置は、記録用ヘッドとしてリング型ヘッドを備えるものであってもよい。記録トラック幅は、例えば２μｍ以下でありうる。

（２）各層の説明

（ベース層）

ベース層１１は、磁気記録媒体１０の支持体として機能しうるものであり、例えば可撓性を有する長尺状の非磁性基体であり、特には非磁性のフィルムでありうる。ベース層１１の厚みは、例えば８μｍ以下、好ましくは７μｍ以下、より好ましくは６μｍ以下、さらにより好ましくは５μｍ以下、特に好ましくは４．２μｍ以下である。ベース層１１の厚みは、例えば２μｍ以上、好ましくは２．２μｍ以上、より好ましくは２．５μｍ以上、さらにより好ましくは２．６μｍ以上でありうる。
ベース層１１の平均厚みは以下のようにして求められる。まず、１／２インチ幅の磁気記録媒体１０を準備し、それを２５０ｍｍの長さに切り出し、サンプルを作製する。続いて、サンプルのベース層１１以外の層（すなわち下地層１２、磁性層１３及びバック層１４）をＭＥＫ（メチルエチルケトン）または希塩酸等の溶剤で除去する。次に、測定装置としてMitutoyo社製レーザーホロゲージ（LGH-110C）を用いて、サンプル（ベース層１１）の厚みを５点以上の位置で測定し、それらの測定値を単純に平均（算術平均）して、ベース層１１の平均厚みを算出する。なお、測定位置は、サンプルから無作為に選ばれるものとする。

ベース層１１は、例えば、ポリエステルを主たる成分として含む。前記ポリエステルは、例えば、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＢＴ（ポリブチレンテレフタレート）、ＰＢＮ（ポリブチレンナフタレート）、ＰＣＴ（ポリシクロヘキシレンジメチレンテレフタレート）、ＰＥＢ（ポリエチレン−ｐ−オキシベンゾエート）、及びポリエチレンビスフェノキシカルボキシレートのうちの１種又は２種以上の混合物であってよい。本明細書内において、「主たる成分」とは、ベース層を構成する成分のうち最も含有割合が高い成分であることを意味する。例えばベース層１１の主たる成分がポリエステルであることは、ベース層１１中のポリエステルの含有割合が例えばベース層１１の質量に対して５０質量％以上、６０質量％以上、７０質量％以上、８０質量％以上、９０質量％以上、９５質量％以上、若しくは９８質量％以上であることを意味してよく、又は、ベース層１１がポリエステルのみから構成されることを意味してもよい。
この実施態様において、ベース層１１は、ポリエステルに加えて、以下で述べるポリエステル以外の樹脂を含んでもよい。
本技術の好ましい実施態様に従い、ベース層１１は、ＰＥＴ又はＰＥＮから形成されてよい。

本技術の他の実施態様において、ベース層１１は、ポリエステル以外の樹脂から形成されていてもよい。ベース層１１を形成する樹脂は、例えばポリオレフィン系樹脂、セルロース誘導体、ビニル系樹脂、及びその他の高分子樹脂のうちの少なくとも１種を含みうる。ベース層１１は、これら樹脂のうちの２種以上を含む場合、それらの２種以上の材料は混合されていてもよいし、共重合されていてもよいし、又は積層されていてもよい。

ポリオレフィン系樹脂は、例えば、ＰＥ（ポリエチレン）及びＰＰ（ポリプロピレン）のうちの少なくとも１種を含む。セルロース誘導体は、例えば、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート、ＣＡＢ（セルロースアセテートブチレート）、及びＣＡＰ（セルロースアセテートプロピオネート）のうちの少なくとも１種を含む。ビニル系樹脂は、例えば、ＰＶＣ（ポリ塩化ビニル）及びＰＶＤＣ（ポリ塩化ビニリデン）のうちの少なくとも１種を含む。

その他の高分子樹脂は、例えば、ＰＥＥＫ（ポリエーテルエーテルケトン）、ＰＡ（ポリアミド、ナイロン）、芳香族ＰＡ（芳香族ポリアミド、アラミド）、ＰＩ（ポリイミド）、芳香族ＰＩ（ 芳香族ポリイミド）、ＰＡＩ（ポリアミドイミド）、芳香族ＰＡＩ（芳香族 ポリアミドイミド）、ＰＢＯ（ポリベンゾオキサゾール、例えばザイロン（登録商標））、ポリエーテル、ＰＥＫ（ポリエーテルケトン）、ポリエーテルエステル、ＰＥＳ（ポリエーテルサルフォン）、ＰＥＩ（ポリエーテルイミド）、ＰＳＦ（ポリスルフォン）、ＰＰＳ（ポリフェニレンスルフィド）、ＰＣ（ポリカーボネート）、ＰＡＲ（ポリアリレート）、及びＰＵ（ポリウレタン）のうちの少なくとも１種を含む。

（磁性層）

磁性層１３は、例えば垂直記録層でありうる。磁性層１３は、磁性粉及び潤滑剤を含みうる。磁性層１３は、磁性粉及び潤滑剤に加えて、例えば結着剤を含んでよく、特には結着剤及び導電性粒子をさらに含んでよい。磁性層１３は、必要に応じて、例えば研磨剤及び防錆剤などの添加剤をさらに含んでいてもよい。

磁性層１３は細孔を有する。すなわち、磁性層１３は、多数の細孔が設けられた表面を有する。好ましくは、磁性層１３のうち、磁気記録媒体１０の記録及び／又は再生において磁気ヘッドと接触する領域に細孔が設けられており、特に好ましくは、当該領域の全体にわたって細孔が設けられていてよい。
当該細孔は、磁性層１３の表面に対して垂直に開口していてよい。当該細孔は、例えば、磁気記録媒体１０のバック層側表面に設けられた多数の突部を押し当てることにより形成されうる。この場合、当該細孔は、当該突部に対応するものでありうる。
なお、図１において当該細孔が符号１３Ａにより示されているが、図１は、本技術のより良い理解のための模式図であり、図１に示される細孔１３Ａの形状は、必ずしも実際の形状を示すものでない。

磁性層１３の平均厚みｔ_ｍは、好ましくは３５ｎｍ≦ｔ_ｍ≦１２０ｎｍであり、より好ましくは３５ｎｍ≦ｔ_ｍ≦１００ｎｍであり、特に好ましくは３５ｎｍ≦ｔ_ｍ≦９０ｎｍでありうる。磁性層１３の平均厚みｔ_ｍが上記数値範囲内にあることが、電磁変換特性の向上に貢献する。
特に好ましくは、前記磁性層の平均厚みｔ_ｍは８０ｎｍ以下である。この数値範囲内の平均厚みを有することが、磁気記録媒体１０の記録再生特性の向上に貢献する。

磁性層１３の平均厚みｔ_ｍは、例えば、以下のようにして求められる。
磁気記録媒体１０をＦＩＢ（Focused Ion Beam）法等により加工して薄片化を行う。ＦＩＢ法を使用する場合には、後述の断面のＴＥＭ像を観察する前処理として、保護膜としてカーボン膜及びタングステン薄膜を形成する。当該カーボン膜は蒸着法により磁気記録媒体１０の磁性層側表面及びバック層側表面に形成され、そして、当該タングステン薄膜は蒸着法又はスパッタリング法により磁性層側表面にさらに形成される。当該薄片化は磁気記録媒体１０の長さ方向（長手方向）に沿って行われる。すなわち、当該薄片化によって、磁気記録媒体１０の長手方向及び厚み方向の両方に平行な断面が形成される。
得られた薄片化サンプルの前記断面を、透過型電子顕微鏡（Transmission Electron Microscope：ＴＥＭ）により、下記の条件で観察し、ＴＥＭ像を得る。なお、装置の種類に応じて、倍率及び加速電圧は適宜調整されてよい。
装置：ＴＥＭ（日立製作所製Ｈ９０００ＮＡＲ）
加速電圧：３００ｋＶ
倍率：１００，０００倍
次に、得られたＴＥＭ像を用い、磁気記録媒体１０の長手方向の少なくとも１０点以上の位置で磁性層１３の厚みを測定する。得られた測定値を単純に平均（算術平均）して得られた平均値を磁性層１３の平均厚みｔ_ｍ［ｎｍ］とする。なお、前記測定が行われる位置は、試験片から無作為に選ばれるものとする。

磁性層１３は、好ましくは垂直配向している磁性層である。本明細書内において、垂直配向とは、磁気記録媒体１０の長手方向（走行方向）に測定した角形比Ｓ１が３５％以下であることをいう。当該角形比Ｓ１の測定方法は、以下で別途説明する。
なお、磁性層１３は、面内配向（長手配向）している磁性層であってもよい。すなわち、磁気記録媒体１０が水平記録型の磁気記録媒体であってもよい。しかしながら、高記録密度化という点で、垂直配向がより好ましい。

（サーボパターン）

磁性層１３には、サーボパターンが記録されている。例えば、図２Ａに示されるとおり、磁性層は、複数のサーボバンドＳＢと複数のデータバンドＤＢとを有していてよい。複数のサーボバンドＳＢは、磁気記録媒体１０の幅方向に等間隔で設けられている。隣り合うサーボバンドＳＢの間には、データバンドＤＢが設けられている。サーボバンドＳＢには、磁気ヘッドのトラッキング制御をするためのサーボ信号が予め書き込まれていてよい。データバンドＤＢには、ユーザデータが記録されうる。

磁性層１３は、例えば少なくとも一つのデータバンドと少なくとも二つのサーボバンドとを有しうる。データバンドの数は例えば２〜１０であり、特には３〜６、より特には４又は５でありうる。サーボバンドの数は、例えば３〜１１であり、特には４〜７であり、より特には５又は６でありうる。これらサーボバンド及びデータバンドは、例えばテープ状の磁気記録媒体（特には長尺状の磁気記録テープ）の長手方向に延びるように、特には略平行となるように配置されていてよい。このようにデータバンド及びサーボバンドを有する磁気記録媒体として、ＬＴＯ（Linear Tape-Open）規格に従う磁気記録テープを挙げることができる。すなわち、本技術に従う磁気記録媒体は、ＬＴＯ規格に従う磁気記録テープであってよい。例えば、本技術に従う磁気記録媒体は、ＬＴＯ８又はそれ以降の規格に従う磁気記録テープであってよい。

磁性層１３の表面全体の面積Ｓに対するサーボバンドＳＢの総面積Ｓ_SBの比率Ｒ_S（＝（Ｓ_SB／Ｓ）×１００）は、高記録容量を確保する観点から、好ましくは４．０％以下、より好ましくは３．０％以下、さらにより好ましくは２．０％以下である。
なお、サーボバンドＳＢのサーボバンド幅Ｗ_SBは、高記録容量を確保する観点から、好ましくは９５μｍ以下、より好ましくは６０μｍ以下、さらにより好ましくは３０μｍ以下である。サーボバンド幅Ｗ_SBは、記録ヘッド製造の観点から、好ましくは１０μｍ以上である。

磁性層１３は、例えば５以上のサーボバンドを有しうる。５以上のサーボトラックを確保するために、磁性層１３の表面の面積Ｓに対するサーボバンドＳＢの総面積Ｓ_SBの割合Ｒ_Sは、好ましくは０．８％以上でありうる。

磁性層１３の表面全体の面積Ｓに対するサーボバンドＳＢの総面積Ｓ_SBの比率Ｒ_Sは、以下のようにして求められる。例えば、磁気記録媒体１０を、フェリコロイド現像液（株式会社シグマハイケミカル製、シグマーカーＱ）を用いて現像し、その後、現像した磁気記録媒体１０を光学顕微鏡で観察し、サーボバンド幅Ｗ_SBおよびサーボバンドＳＢの本数を測定する。次に、以下の式から割合Ｒ_Sを求める。
割合Ｒ_S［％］＝（（（サーボバンド幅Ｗ_SB）×（サーボバンド本数））／（磁気記録媒体１０の幅））×１００

磁性層１３は、図２Ｂに示すように、データバンドＤＢに複数のデータトラックＴｋを形成可能に構成されている。この場合、データトラック幅Ｗ_Tkは、高記録容量を確保する観点から、好ましくは２．０μｍ以下、より好ましくは１．５μｍ以下、さらにより好ましくは１．０μｍ以下である。データトラック幅Ｗ_Tkは、磁性粒子サイズの観点から、好ましくは０．０２μｍ以上である。データトラック幅Ｗ_Tkは以下のようにして求められる。例えば、データが全面に記録された磁性層１３のデータバンド部分のデータ記録パターンを磁気力顕微鏡（Magnetic Force Microscope：ＭＦＭ）を用いて観察し、ＭＦＭ像を得る。ＭＦＭとしてはDigital Instruments社製Dimension3100とその解析ソフトが用いられる。当該ＭＦＭ像の測定領域は１０μｍ×１０μｍとし、当該１０μｍ×１０μｍの測定領域は５１２×５１２（＝２６２，１４４）個の測定点に分割される。場所の異なる３つの１０μｍ×１０μｍ測定領域についてＭＦＭによる測定が行われ、すなわち３つのＭＦＭ像が得られる。得られた３つのＭＦＭ像から、Dimension3100に付属の解析ソフトを用いて、トラック幅を１０ヶ所測定し平均値（単純平均である）をとる。当該平均値が、データトラック幅Ｗ_Tkである。なお、前記ＭＦＭの測定条件は掃引速度：１Ｈｚ、使用チップ：ＭＦＭＲ−２０、リフトハイト：２０ｎｍ、補正：Flatten order 3である。

磁性層１３は、高記録容量を確保する観点から、磁化反転間距離Ｌの最小値が好ましくは４８ｎｍ以下、より好ましくは４４ｎｍ以下、さらにより好ましくは４０ｎｍ以下となるように、データを記録可能に構成されている。磁化反転間距離Ｌの最小値は、磁性粒子サイズによって考慮される。磁化反転間距離Ｌの最小値は以下のようにして求められる。例えば、データが全面に記録された磁性層１３のデータバンド部分のデータ記録パターンを磁気力顕微鏡（Magnetic Force Microscope：ＭＦＭ）を用いて観察し、ＭＦＭ像を得る。ＭＦＭとしてはDigital Instruments社製Dimension3100とその解析ソフトが用いられる。当該ＭＦＭ像の測定領域は２μｍ×２μｍとし、当該２μｍ×２μｍの測定領域は５１２×５１２（＝２６２，１４４）個の測定点に分割される。場所の異なる３つの２μｍ×２μｍ測定領域についてＭＦＭによる測定が行われ、すなわち３つのＭＦＭ像が得られる。得られたＭＦＭ像の記録パターンの二次元の凹凸チャートからビット間距離を５０個測定する。当該ビット間距離の測定は、Dimension3100に付属の解析ソフトを用いて行われる。測定された５０個のビット間距離のおよそ最大公約数となる値を磁化反転間距離Ｌの最小値とする。なお、測定条件は掃引速度：１Ｈｚ、使用チップ：ＭＦＭＲ−２０、リフトハイト：２０ｎｍ、補正：Flatten order 3である。

本技術の磁気記録媒体の磁性層１３に記録されるサーボパターンのより具体的な例を以下で図３及び図４を参照して説明する。図３は、磁気記録媒体１０の磁性層１３に形成されるデータバンド及びサーボバンドの模式図である。図４は、各サーボバンドが有するサーボパターンを示す図である。
図３に示されるとおり、磁性層１３は４つのデータバンドｄ０〜ｄ３を有する。磁性層１３は、各データバンドを２つのサーボバンドで挟むように、合計で５つのサーボバンドＳ０〜Ｓ４を有する。
図４に示されるとおり、各サーボバンドは、所定角度φで傾斜する直線状の５本のサーボパターン（例えばサーボパターンＡ１〜Ａ５）と、この信号と逆方向に同じ角度で傾斜する直線状の５本のサーボパターン（例えばサーボパターンＢ１〜Ｂ５）と、所定角度φで傾斜する直線状の４本のサーボパターン（例えばサーボパターンＣ１〜Ｃ４）と、この信号と逆方向に同じ角度で傾斜する直線状の４本のサーボパターン（例えばサーボパターンＤ１〜Ｄ４）と、からなるフレーム単位（１サーボフレーム）を繰り返し有する。前記所定角度φは、例えば５°〜２５°であり、特には１１°〜２５°でありうる。
サーボバンドＳ０〜Ｓ４それぞれのサーボバンド幅Ｌ１（図３参照）は、例えば１００μｍ以下、特には６０μｍ以下、より特には５０μｍ以下であり、さらには４０μｍ以下であってもよい。サーボバンド幅Ｌ１は、例えば１５μｍ以上、特には２５μｍ以上であってよい。

（磁性粉）

磁性層１３に含まれる磁性粉をなす磁性粒子として、例えば六方晶フェライト、イプシロン型酸化鉄（ε酸化鉄）、Ｃｏ含有スピネルフェライト、ガンマヘマタイト、マグネタイト、二酸化クロム、コバルト被着酸化鉄、及びメタル（金属）などを挙げることができるが、これらに限定されない。前記磁性粉は、これらのうちの１種であってよく、又は、２種以上の組合せであってもよい。好ましくは、前記磁性粉は、六方晶フェライト、ε酸化鉄、又はＣｏ含有スピネルフェライトを含みうる。特に好ましくは、前記磁性粉は、六方晶フェライトである。前記六方晶フェライトは、特に好ましくはＢａ及びＳｒのうちの少なくとも１種を含みうる。前記ε酸化鉄は、特に好ましくはＡｌ及びＧａのうちの少なくとも１種を含みうる。これらの磁性粒子については、例えば磁性層１３の製造方法、テープの規格、及びテープの機能などの要因に基づいて当業者により適宜選択されてよい。

磁性粒子の形状は、磁性粒子の結晶構造に依拠している。例えば、バリウムフェライト（ＢａＦｅ）及びストロンチウムフェライトは六角板状でありうる。ε酸化鉄は球状でありうる。コバルトフェライトは立方状でありうる。メタルは紡錘状でありうる。磁気記録媒体１０の製造工程においてこれらの磁性粒子が配向される。
磁性粉の平均粒子サイズは、好ましくは５０ｎｍ以下、より好ましくは４０ｎｍ以下、さらにより好ましくは３０ｎｍ以下、２５ｎｍ以下、２２ｎｍ以下、２１ｎｍ以下、又は２０ｎｍ以下でありうる。前記平均粒子サイズは、例えば１０ｎｍ以上、好ましくは１２ｎｍ以上でありうる。
磁性粉の平均アスペクト比は、好ましくは１．０以上３．５以下、より好ましくは１．０以上３．１以下、さらにより好ましくは１．０以上２．８以下、特に好ましくは１．１以上２．５以下でありうる。

（磁性粉が六方晶フェライトを含む実施態様）

本技術の好ましい実施態様に従い、磁性粉は六方晶フェライトを含み、より特には六方晶フェライトを含有するナノ粒子（以下「六方晶フェライト粒子」という。）の粉末を含みうる。六方晶フェライト粒子は、例えば、六角板状又はほぼ六角板状を有する。六方晶フェライトは、好ましくはＢａ、Ｓｒ、Ｐｂ、及びＣａのうちの少なくとも１種、より好ましくはＢａ及びＳｒのうちの少なくとも１種を含みうる。六方晶フェライトは、具体的には例えばバリウムフェライト又はストロンチウムフェライトであってもよい。バリウムフェライトは、Ｂａ以外に、Ｓｒ、Ｐｂ、及びＣａのうちの少なくとも１種をさらに含んでいてもよい。ストロンチウムフェライトは、Ｓｒ以外に、Ｂａ、Ｐｂ、及びＣａのうちの少なくとも１種をさらに含んでいてもよい。

より具体的には、六方晶フェライトは、一般式ＭＦｅ_１２Ｏ_１９で表される平均組成を有しうる。ここで、Ｍは、例えばＢａ、Ｓｒ、Ｐｂ、及びＣａのうちの少なくとも１種の金属、好ましくはＢａ及びＳｒのうちの少なくとも１種の金属である。Ｍが、Ｂａと、Ｓｒ、Ｐｂ、及びＣａからなる群より選ばれる１種以上の金属との組み合わせであってもよい。また、Ｍが、Ｓｒと、Ｂａ、Ｐｂ、及びＣａからなる群より選ばれる１種以上の金属との組み合わせであってもよい。上記一般式においてＦｅの一部が他の金属元素で置換されていてもよい。

磁性粉が六方晶フェライト粒子の粉末を含む場合、磁性粉の平均粒子サイズは、好ましくは５０ｎｍ以下、より好ましくは４０ｎｍ以下、さらにより好ましくは３０ｎｍ以下、２５ｎｍ以下、２２ｎｍ以下、２１ｎｍ以下、又は２０ｎｍ以下でありうる。前記平均粒子サイズは、例えば１０ｎｍ以上、好ましくは１２ｎｍ以上、より好ましくは１５ｎｍ以上でありうる。例えば、前記磁性粉の平均粒子サイズは、１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下、１０ｎｍ以上４０ｎｍ以下、１２ｎｍ以上３０ｎｍ以下、１２ｎｍ以上２５ｎｍ以下、又は１５ｎｍ以上２２ｎｍ以下でありうる。磁性粉の平均粒子サイズが上記上限値以下である場合（例えば５０ｎｍ以下、特には３０ｎｍ以下である場合）、高記録密度の磁気記録媒体１０において、良好な電磁変換特性（例えばＣ／Ｎ）を得ることができる。磁性粉の平均粒子サイズが上記下限値以上である場合（例えば１０ｎｍ以上、好ましくは１２ｎｍ以上である場合）、磁性粉の分散性がより向上し、より優れた電磁変換特性（例えばＣ／Ｎ）を得ることができる。

磁性粉が六方晶フェライト粒子の粉末を含む場合、磁性粉の平均アスペクト比は、好ましくは１以上２．５以下、より好ましくは１以上２．１以下、さらにより好ましくは１以上１．８以下でありうる。磁性粉の平均アスペクト比が上記数値範囲内にあることによって、磁性粉の凝集を抑制することができ、さらに、磁性層１３の形成工程において磁性粉を垂直配向させる際に、磁性粉に加わる抵抗を抑制することができる。これは、磁性粉の垂直配向性を向上もたらしうる。

磁性粉が六方晶フェライト粒子の粉末を含む場合、磁性粉の平均粒子サイズおよび平均アスペクト比は以下のようにして求められる。
まず、測定対象となる磁気記録媒体１０をＦＩＢ（Focused Ion Beam）法等により加工して薄片化を行う。ＦＩＢ法を使用する場合には、後述の断面のＴＥＭ像を観察する前処理として、保護膜としてカーボン膜及びタングステン薄膜を形成する。当該カーボン膜は蒸着法により磁気記録媒体１０の磁性層側表面及びバック層側表面に形成され、そして、当該タングステン薄膜は蒸着法又はスパッタリング法により磁性層側表面にさらに形成される。当該薄片化は磁気記録媒体１０の長さ方向（長手方向）に沿って行われる。すなわち、当該薄片化によって、磁気記録媒体１０の長手方向及び厚み方向の両方に平行な断面が形成される。
得られた薄片サンプルの前記断面を、透過電子顕微鏡（日立ハイテクノロジーズ社製H-9500）を用いて、加速電圧：200kV、総合倍率500,000倍で磁性層１３の厚み方向に対して磁性層１３全体が含まれるように断面観察を行い、ＴＥＭ写真を撮影する。
次に、撮影したＴＥＭ写真から、観察面の方向に側面を向けており且つ粒子の厚みが明らかに確認できる粒子を５０個選び出す。例えば、図１０にＴＥＭ写真の例を示す。図１０において、例えばａ及びｄで示される粒子が、その厚みを明らかに確認できるので、選択される。選択された５０個の粒子それぞれの最大板厚ＤＡを測定する。このようにして求めた最大板厚ＤＡを単純に平均（算術平均）して平均最大板厚ＤＡ_ａｖｅを求める。
続いて、各磁性粉の板径ＤＢを測定する。粒子の板径ＤＢを測定するために、撮影したＴＥＭ写真から、粒子の板径が明らかに確認できる粒子を５０個選び出す。例えば、図１０において、例えばｂ及びｃで示される粒子が、その板径を明らかに確認できるので、選択される。選択された５０個の粒子それぞれの板径ＤＢを測定する。このようにして求めた板径ＤＢを単純平均（算術平均）して平均板径ＤＢ_ａｖｅを求める。平均板径ＤＢ_ａｖｅが、平均粒子サイズである。
そして、平均最大板厚ＤＡ_ａｖｅ及び平均板径ＤＢ_ａｖｅから粒子の平均アスペクト比（ＤＢ_ａｖｅ／ＤＡ_ａｖｅ）を求める。

磁性粉が六方晶フェライト粒子の粉末を含む場合、磁性粉の平均粒子体積は、好ましくは５９００ｎｍ³以下、より好ましくは５００ｎｍ³以上３４００ ｎｍ³以下、さらにより好ましくは１０００ｎｍ³以上２５００ｎｍ³以下である。
磁性粉の平均粒子体積が上記上限値以下である場合（例えば５９００ｎｍ³以下である場合）、高記録密度の磁気記録媒体１０において、良好な電磁変換特性（例えばＣ／Ｎ）を得ることができる。磁性粉の平均粒子体積が上記下限値以上である場合（例えば５００ｎｍ³以上である場合）、磁性粉の分散性がより向上し、より優れた電磁変換特性（例えばＣ／Ｎ）を得ることができる。

磁性粉の平均粒子体積は以下のようにして求められる。まず、上記の磁性粉の平均粒子サイズの算出方法に関して述べたとおり、平均最大板厚ＤＡ_ａｖｅおよび平均板径ＤＢ_ａｖｅを求める。次に、以下の式により、磁性粉の平均体積Ｖを求める。

本技術の特に好ましい実施態様に従い、前記磁性粉は、バリウムフェライト磁性粉又はストロンチウムフェライト磁性粉であり、より好ましくはバリウムフェライト磁性粉でありうる。バリウムフェライト磁性粉は、バリウムフェライトを主相とする鉄酸化物の磁性粒子（以下「バリウムフェライト粒子」という。）を含む。バリウムフェライト磁性粉は、例えば高温多湿環境でも抗磁力が落ちないなど、データ記録の信頼性が高い。このような観点から、バリウムフェライト磁性粉は、前記磁性粉として好ましい。

バリウムフェライト磁性粉の平均粒子サイズは、５０ｎｍ以下、より好ましくは１０ｎｍ以上４０ｎｍ以下、さらにより好ましくは１２ｎｍ以上２５ｎｍ以下である。

磁性層１３が磁性粉としてバリウムフェライト磁性粉を含む場合、磁性層１３の平均厚みｔ_ｍ［ｎｍ］が、３５ｎｍ≦ｔ_ｍ≦１００ｎｍであることが好ましく、特に好ましくは８０ｎｍ以下である。
また、磁気記録媒体１０の厚み方向（垂直方向）に測定した保磁力Ｈｃが、好ましくは１６０ｋＡ／ｍ以上２８０ｋＡ／ｍ以下、より好ましくは１６５ｋＡ／ｍ以上２７５ｋＡ／ｍ以下、更により好ましくは１７０ｋＡ／ｍ以上２７０ｋＡ／ｍ以下である。

（磁性粉がε酸化鉄を含む実施態様）

本技術の他の好ましい実施態様に従い、前記磁性粉は、好ましくはε酸化鉄を含むナノ粒子（以下「ε酸化鉄粒子」という。）の粉末を含みうる。ε酸化鉄粒子は微粒子でも高保磁力を得ることができる。ε酸化鉄粒子に含まれるε酸化鉄は、磁気記録媒体１０の厚み方向（垂直方向）に優先的に結晶配向していることが好ましい。

ε酸化鉄粒子は、球状若しくはほぼ球状を有しているか、又は、立方体状若しくはほぼ立方体状を有している。ε酸化鉄粒子が上記のような形状を有しているため、磁性粒子としてε酸化鉄粒子を用いた場合、磁性粒子として六角板状のバリウムフェライト粒子を用いた場合に比べて、媒体の厚み方向における粒子同士の接触面積を低減し、粒子同士の凝集を抑制できる。したがって、磁性粉の分散性を高め、より良好なＳＮＲ（Signal-to-Noise Ratio）を得ることができる。

ε酸化鉄粒子は、コアシェル型構造を有する。具体的には、ε酸化鉄粒子は、図５に示すように、コア部２１と、このコア部２１の周囲に設けられた２層構造のシェル部２２とを備える。２層構造のシェル部２２は、コア部２１上に設けられた第１シェル部２２ａと、第１シェル部２２ａ上に設けられた第２シェル部２２ｂとを備える。

コア部２１は、ε酸化鉄を含む。コア部２１に含まれるε酸化鉄は、ε−Ｆｅ_２Ｏ_３結晶を主相とするものが好ましく、単相のε−Ｆｅ_２Ｏ_３からなるものがより好ましい。

第１シェル部２２ａは、コア部２１の周囲のうちの少なくとも一部を覆っている。具体的には、第１シェル部２２ａは、コア部２１の周囲を部分的に覆っていてもよいし、コア部２１の周囲全体を覆っていてもよい。コア部２１と第１シェル部２２ａの交換結合を十分なものとし、磁気特性を向上する観点からすると、コア部２１の表面全体を覆っていることが好ましい。

第１シェル部２２ａは、いわゆる軟磁性層であり、例えば、α−Ｆｅ、Ｎｉ−Ｆｅ合金又はＦｅ−Ｓｉ−Ａｌ合金などの軟磁性体を含みうる。α−Ｆｅは、コア部２１に含まれるε酸化鉄を還元することにより得られるものであってもよい。

第２シェル部２２ｂは、酸化防止層としての酸化被膜である。第２シェル部２２ｂは、α酸化鉄、酸化アルミニウム、又は酸化ケイ素を含みうる。α酸化鉄は、例えばＦｅ_３Ｏ_４、Ｆｅ_２Ｏ_３、及びＦｅＯのうちの少なくとも１種の酸化鉄を含みうる。第１シェル部２２ａがα−Ｆｅ（軟磁性体）を含む場合には、α酸化鉄は、第１シェル部２２ａに含まれるα−Ｆｅを酸化することにより得られるものであってもよい。

ε酸化鉄粒子が、上述のように第１シェル部２２ａを有することで、熱安定性を確保することができ、これによりコア部２１単体の保磁力Ｈｃを大きな値に保ちつつ且つ／又はε酸化鉄粒子（コアシェル粒子）全体としての保磁力Ｈｃを記録に適した保磁力Ｈｃに調整できる。また、ε酸化鉄粒子が、上述のように第２シェル部２２ｂを有することで、磁気記録媒体１０の製造工程及びその工程前において、ε酸化鉄粒子が空気中に暴露されて、粒子表面に錆びなどが発生することにより、ε酸化鉄粒子の特性が低下することを抑制することができる。したがって、磁気記録媒体１０の特性劣化を抑制することができる。

ε酸化鉄粒子は、図６に示されるとおり、単層構造のシェル部２３を有していてもよい。この場合、シェル部２３は、第１シェル部２２ａと同様の構成を有する。但し、ε酸化鉄粒子の特性劣化を抑制する観点からすると、ε酸化鉄粒子が２層構造のシェル部２２を有していることがより好ましい。

ε酸化鉄粒子は、コアシェル構造に代えて添加剤を含んでいてもよく、又は、コアシェル構造を有すると共に添加剤を含んでいてもよい。これらの場合、ε酸化鉄粒子のＦｅの一部が添加剤で置換される。ε酸化鉄粒子が添加剤を含むことによっても、ε酸化鉄粒子全体の保磁力Ｈｃを記録に適した保磁力Ｈｃに調整できるため、記録容易性を向上することができる。添加剤は、鉄以外の金属元素、好ましくは３価の金属元素、より好ましくはアルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、及びインジウム（Ｉｎ）からなる群より選ばれる１種以上である。
具体的には、添加剤を含むε酸化鉄は、ε−Ｆｅ_２−ｘＭ_ｘＯ_３結晶（ここで、Ｍは鉄以外の金属元素、好ましくは３価の金属元素、より好ましくは、Ａｌ、Ｇａ、及びＩｎからなる群より選ばれる１種以上である。ｘは、例えば０＜ｘ＜１である。）である。

磁性粉の平均粒子サイズ（平均最大粒子サイズ）は、好ましくは２２ｎｍ以下、より好ましくは８ｎｍ以上２２ｎｍ以下、さらにより好ましくは１２ ｎｍ以上２２ｎｍ以下である。磁気記録媒体１０では、記録波長の１／２の サイズの領域が実際の磁化領域となる。このため、磁性粉の平均粒子サイズを最短記録波長の半分以下に設定することで、良好なＳ／Ｎを得ることができる。したがって、磁性粉の平均粒子サイズが２２ｎｍ以下であると、高記録密度の磁気記録媒体１０（例えば４４ｎｍ以下の最短記録波長で信号を記録可能に構成された磁気記録媒体１０）において、良好な電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を得ることができる。一方、磁性粉の平均粒子サイズが８ｎｍ以上であると、磁性粉の分散性がより向上し、より優れた電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を得ることができる。

磁性粉の平均アスペクト比が、好ましくは１．０以上３．５以下、より好ましくは１．０以上３．１以下、さらにより好ましくは１．０以上２．５以下である。磁性粉の平均アスペクト比が１．０以上３．５以下の範囲内であると、磁性粉の凝集を抑制することができると共に、磁性層１３の形成工程において磁性粉を垂直配向させる際に、磁性粉に加わる抵抗を抑制することができる。したがって、磁性粉の垂直配向性を向上することができる。

磁性粉がε酸化鉄粒子を含む場合、磁性粉の平均粒子サイズおよび平均アスペクト比は、以下のようにして求められる。

まず、測定対象となる磁気記録媒体１０をＦＩＢ（Focused Ion Beam）法等により加工して薄片化を行う。ＦＩＢ法を使用する場合には、後述の断面のＴＥＭ像を観察する前処理として、保護膜としてカーボン膜及びタングステン薄膜を形成する。当該カーボン膜は蒸着法により磁気記録媒体１０の磁性層側表面及びバック層側表面に形成され、そして、当該タングステン薄膜は蒸着法又はスパッタリング法により磁性層側表面にさらに形成される。薄片化は磁気記録媒体１０の長さ方向（長手方向）に沿うかたちで行って行われる。すなわち、当該薄片化によって、磁気記録媒体１０の長手方向及び厚み方向の両方に平行な断面が形成される。
得られた薄片サンプルの前記断面を、透過電子顕微鏡（日立ハイテクノロジーズ社製H-9500）を用いて、加速電圧：200kV、総合倍率500,000倍で磁性層１３の厚み方向に対して磁性層１３全体が含まれるように断面観察を行い、ＴＥＭ写真を撮影する。
次に、撮影したＴＥＭ写真から、粒子の形状を明らかに確認することができる５０個の粒子を選び出し、各粒子の長軸長ＤＬと短軸長ＤＳを測定する。ここで、長軸長ＤＬとは、各粒子の輪郭に接するように、あらゆる角度から引いた２本の平行線間の距離のうち最大のもの（いわゆる最大フェレ径）を意味する。一方、短軸長ＤＳとは、粒子の長軸（ＤＬ）と直交する方向における粒子の長さのうち最大のものを意味する。
続いて、測定した５０個の粒子の長軸長ＤＬを単純に平均（算術平均）して平均長軸長ＤＬ_aveを求める。このようにして求めた平均長軸長ＤＬ_aveを磁性粉の平均粒子サイズとする。また、測定した５０個の粒子の短軸長ＤＳを単純に平均（算術平均）して平均短軸長ＤＳ_aveを求める。そして、平均長軸長ＤＬ_aveおよび平均短軸長ＤＳ_aveから粒子の平均アスペクト比（ＤＬ_ave／ＤＳ_ave）を求める。

磁性粉の平均粒子体積は、好ましくは５５００ｎｍ³以下、より好ましくは ２７０ｎｍ³以上５５００ｎｍ³以下、さらにより好ましくは９００ｎｍ³以上５５００ｎｍ³以下である。磁性粉の平均粒子体積が５５００ｎｍ³以下であると、磁性粉の平均粒子サイズを２２ｎｍ以下とする場合と同様の効果が得られる。一方、磁性粉の平均粒子体積が２７０ｎｍ³以上であると、磁性粉の平均粒子サイズを８ｎｍ以上とする場合と同様の効果が得られる。

ε酸化鉄粒子が球状またはほぼ球状を有している場合には、磁性粉の平均粒子体積は以下のようにして求められる。まず、上記の磁性粉の平均粒子サイズの算出方法と同様にして、平均長軸長ＤＬ_aveを求める。次に、以下の式により、磁性粉の平均体積Ｖを求める。
Ｖ＝（π/６）×ＤＬ_ave ³

ε酸化鉄粒子が立方体状の形状を有している場合、磁性粉の平均体積は以下のようにして求められる。
磁気記録媒体１０をＦＩＢ（Focused Ion Beam）法等により加工して薄片化を行う。ＦＩＢ法を使用する場合には、後述の断面のＴＥＭ像を観察する前処理として、保護膜としてカーボン膜及びタングステン薄膜を形成する。当該カーボン膜は蒸着法により磁気記録媒体１０の磁性層側表面及びバック層側表面に形成され、そして、当該タングステン薄膜は蒸着法又はスパッタリング法により磁性層側表面にさらに形成される。当該薄片化は磁気記録媒体１０の長さ方向（長手方向）に沿って行われる。すなわち、当該薄片化によって、磁気記録媒体１０の長手方向及び厚み方向の両方に平行な断面が形成される。
得られた薄片サンプルを透過電子顕微鏡（日立ハイテクノロジーズ社製H-9500）を用いて、加速電圧：200kV、総合倍率500,000倍で磁性層１３の厚み方向に対して磁性層１３全体が含まれるように断面観察を行い、ＴＥＭ写真を得る。なお、装置の種類に応じて、倍率及び加速電圧は適宜調整されてよい。
次に、撮影したＴＥＭ写真から粒子の形状が明らかである５０個の粒子を選び出し、各粒子の辺の長さＤＣを測定する。続いて、測定した５０個の粒子の辺の長さＤＣを単純に平均（算術平均）して平均辺長ＤＣ_aveを求める。次に、平均辺長ＤＣ_aveを用いて以下の式から磁性粉の平均体積Ｖ_ave（粒子体積）を求める。
Ｖ_ave＝ＤＣ_ave ³

（磁性粉がＣｏ含有スピネルフェライトを含む実施態様）

本技術のさらに他の好ましい実施態様に従い、磁性粉は、Ｃｏ含有スピネルフェライトを含有するナノ粒子（以下「コバルトフェライト粒子」ともいう）の粉末を含みうる。すなわち、当該磁性粉は、コバルトフェライト磁性粉でありうる。コバルトフェライト粒子は、一軸結晶異方性を有することが好ましい。コバルトフェライト磁性粒子は、例えば、立方体状又はほぼ立方体状を有している。Ｃｏ含有スピネルフェライトは、Ｃｏ以外にＮｉ、Ｍｎ、Ａｌ、Ｃｕ、及びＺｎからなる群より選ばれる１種以上をさらに含んでいてもよい。

コバルトフェライトは、例えば以下の式（１）で表される平均組成を有する。
Ｃｏ_ｘＭ_ｙＦｅ_２Ｏ_ｚ・・・（１）
（但し、式（１）中、Ｍは、例えば、Ｎｉ、Ｍｎ、Ａｌ、Ｃｕ、及びＺｎからなる群より選ばれる１種以上の金属である。ｘは、０．４≦ｘ≦１．０の範囲内の値である。ｙは、０≦ｙ≦０．３の範囲内の値である。但し、ｘ及びｙは（ｘ＋ｙ）≦１．０の関係を満たす。ｚは３≦ｚ≦４の範囲内の値である。Ｆｅの一部が他の金属元素で置換されていてもよい。）

コバルトフェライト磁性粉の平均粒子サイズは、好ましくは２５ｎｍ以下、より好ましくは２３ｎｍ以下である。コバルトフェライト磁性粉の保磁力Ｈｃは、好ましくは２５００Ｏｅ以上、より好ましくは２６００Ｏｅ以上３５００Ｏｅ以下である。

磁性粉がコバルトフェライト粒子の粉末を含む場合、磁性粉の平均粒子サイズは、好ましくは２５ｎｍ以下、より好ましくは１０ｎｍ以上２３ｎｍ以下である。磁性粉の平均粒子サイズが２５ｎｍ以下であると、高記録密度の磁気記録媒体１０において、良好な電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を得ることができる。一方、磁性粉の平均粒子サイズが１０ｎｍ以上であると、磁性粉の分散性がより向上し、より優れた電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を得ることができる。磁性粉がコバルトフェライト粒子の粉末を含む場合、磁性粉の平均アスペクト比及び平均粒子サイズは、磁性粉がε酸化鉄粒子を含む場合と同じ方法で求められる。

磁性粉の平均粒子体積は、好ましくは１５０００ｎｍ³以下、より好ましくは１０００ｎｍ³以上１２０００ｎｍ³以下である。磁性粉の平均粒子体積が１５０００ｎｍ³以下であると、磁性粉の平均粒子サイズを２５ｎｍ以下とする場合と同様の効果が得られる。一方、磁性粉の平均粒子体積が１０００ｎｍ³以上であると、磁性粉の平均粒子サイズを１０ｎｍ以上とする場合と同様の効果が得られる。なお、磁性粉の平均粒子体積は、ε酸化鉄粒子が立方体状の形状を有している場合の平均粒子体積の算出方法と同じである。

（潤滑剤）

前記磁性層は、潤滑剤を含む。前記潤滑剤は、例えば脂肪酸及び／又は脂肪酸エステルから選ばれる１種又は２以上であってよく、好ましくは脂肪酸及び脂肪酸エステルの両方を含みうる。前記磁性層が潤滑剤を含むことが、特には前記磁性層が脂肪酸及び脂肪酸エステルの両方を含むことが、磁気記録媒体の走行安定性の向上に貢献する。より特には、前記磁性層が潤滑剤を含み且つ細孔を有することによって、良好な走行安定性が達成される。当該走行安定性の向上は、磁気記録媒体の磁性層側表面の動摩擦係数が前記潤滑剤により、磁気記録媒体の走行に適した値へ調整されるためと考えられる。

前記脂肪酸は、好ましくは下記の一般式（１）又は（２）により示される化合物であってよい。例えば、前記脂肪酸として下記の一般式（１）により示される化合物及び一般式（２）により示される化合物の一方が含まれていてよく又は両方が含まれていてもよい。
また、前記脂肪酸エステルは、好ましくは下記一般式（３）又は（４）により示される化合物であってよい。例えば、前記脂肪酸エステルとして下記の一般式（３）により示される化合物及び一般式（４）により示される化合物の一方が含まれていてよく又は両方が含まれていてもよい。
前記潤滑剤が、一般式（１）に示される化合物及び一般式（２）に示される化合物のいずれか一方若しくは両方と、一般式（３）に示される化合物及び一般式（４）に示される化合物のいずれか一方若しくは両方と、を含むことによって、磁気記録媒体を繰り返しの記録又は再生による動摩擦係数の増加を抑制することができる。
ＣＨ₃（ＣＨ₂）_kＣＯＯＨ ・・・（１）
（但し、前記一般式（１）において、ｋは１４以上２２以下の範囲、より好ましくは１４以上１８以下の範囲から選ばれる整数である。）
ＣＨ₃（ＣＨ₂）_nＣＨ＝ＣＨ（ＣＨ₂）_mＣＯＯＨ ・・・（２）
（但し、前記一般式（２）において、ｎとｍとの和は１２以上２０以下の範囲、より好ましくは１４以上１８以下の範囲から選ばれる整数である。）
ＣＨ₃（ＣＨ₂）_pＣＯＯ（ＣＨ₂）_qＣＨ₃ ・・・（３）
（但し、前記一般式（３）において、ｐは１４以上２２以下、より好ましくは１４以上１８以下の範囲から選ばれる整数であり、且つ、ｑは２以上５以下の範囲、より好ましくは２以上４以下の範囲から選ばれる整数である。）
ＣＨ₃（ＣＨ₂）_rＣＯＯ−（ＣＨ₂）_sＣＨ（ＣＨ₃）₂・・・（４）
（但し、前記一般式（４）において、ｒは１４以上２２以下の範囲から選ばれる整数であり、ｓは１以上３以下の範囲から選ばれる整数である。）

（結着剤）

結着剤としては、ポリウレタン系樹脂又は塩化ビニル系樹脂などに架橋反応が行われた構造を有する樹脂が好ましい。しかしながら結着剤はこれらに限定されるものではなく、磁気記録媒体１０に対して要求される物性などに応じて、その他の樹脂を適宜配合してもよい。配合する樹脂としては、通常、塗布型の磁気記録媒体１０において一般的に用いられる樹脂であれば、特に限定されない。

前記結着剤として、例えば、ポリ塩化ビニル、ポリ酢酸ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル−塩化ビニリデン共重合体、塩化ビニル−アクリロニトリル共重合体、アクリル酸エステル−アクリロニトリル共重合体、アクリル酸エステル−塩化ビニル−塩化ビニリデン共重合体、アクリル酸エステル−塩化ビニリデン共重合体、メタクリル酸エステル−塩化ビニリデン共重合体、メタクリル酸エステル−塩化ビニル共重合体、メタクリル酸エステル−エチレン共重合体、ポリ弗化ビニル、塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体、ポリアミド樹脂、ポリビニルブチラール、セルロース誘導体（セルロースアセテートブチレート、セルロースダイアセテート、セルローストリアセテート、セルロースプロピオネート、ニトロセルロース）、スチレンブタジエン共重合体、ポリエステル樹脂、アミノ樹脂、及び合成ゴムから選ばれる１つ又は２つ以上の組み合わせが用いられうる。

また、前記結着剤として、熱硬化性樹脂又は反応型樹脂が用いられてもよい。熱硬化性樹脂又は反応型樹脂の例としては、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、アルキッド樹脂、シリコーン樹脂、ポリアミン樹脂、及び尿素ホルムアルデヒド樹脂などが挙げられる。

また、上述した各結着剤には、磁性粉の分散性を向上させる目的で、−ＳＯ_３Ｍ、−ＯＳＯ_３Ｍ、−ＣＯＯＭ、Ｐ＝Ｏ（ＯＭ）_２などの極性官能基が導入されていてもよい。ここで、式中Ｍは、水素原子、又は、例えばリチウム、カリウム、及びナトリウムなどのアルカリ金属である。

更に、極性官能基としては、−ＮＲ１Ｒ２、−ＮＲ１Ｒ２Ｒ３^＋Ｘ⁻の末端基を有する側鎖型のもの、及び、＞ＮＲ１Ｒ２^＋Ｘ⁻の主鎖型のものが挙げられる。ここで、式中Ｒ１、Ｒ２、及びＲ３は、互いに独立に水素原子又は炭化水素基であり、Ｘ⁻は、例えば弗素、塩素、臭素、若しくはヨウ素などのハロゲン元素イオン、又は、無機若しくは有機イオンである。また、極性官能基としては、−ＯＨ、−ＳＨ、−ＣＮ、及びエポキシ基なども挙げられる。

（添加剤）

磁性層１３は、非磁性補強粒子として、酸化アルミニウム（α、β、又はγアルミナ）、酸化クロム、酸化珪素、ダイヤモンド、ガーネット、エメリー、窒化ホウ素、チタンカーバイト、炭化珪素、炭化チタン、酸化チタン（ルチル型またはアナターゼ型の酸化チタン）などをさらに含有していてもよい。

（下地層）

下地層１２は、非磁性粉及び結着剤を主成分として含む非磁性層である。下地層１２は、さらに潤滑剤を含む。上述の磁性層１３に含まれる結着剤及び潤滑剤に関する説明が、下地層１２に含まれる結着剤及び潤滑剤についても当てはまる。下地層１２は、必要に応じて、導電性粒子、硬化剤、及び防錆剤などのうちの少なくとも１種の添加剤をさらに含んでいてもよい。

下地層１２の平均厚みは、好ましくは０．６μｍ以上２．０μｍ以下、より好ましくは０．８μｍ以上１．４μｍ以下である。なお、下地層１２の平均厚みは、磁性層１３の平均厚みｔ_ｍと同様にして求められる。但し、ＴＥＭ像の倍率は、下地層１２の厚みに応じて適宜調整される。

下地層１２は、細孔を有していてよく、すなわち、下地層１２は、多数の細孔が設けられていてもよい。下地層１２の細孔は、例えば磁性層１３に細孔を形成することに伴い形成されてよく、特には、磁気記録媒体１０のバック層側表面に設けられた多数の突部を磁性層側表面に押し当てることによって形成されうる。すなわち、突部の形に対応する凹部が磁性層側表面に形成されることによって、磁性層１３及び下地層１２に細孔が形成されうる。
また、磁性層形成用塗料の乾燥工程で溶剤が揮発することに伴い細孔が形成されてもよい。また、磁性層１３を形成するために磁性層形成用塗料を下地層１２の表面に塗布した際に磁性層形成用塗料中の溶剤が下層を塗布乾燥させた際に形成された下地層１２の細孔を通り、下地層１２内に浸透しうる。そののち磁性層１３の乾燥工程において下地層１２内に浸透した溶剤が揮発する際に、下地層１２内に浸透した溶剤が下地層１２から磁性層１３の表面へ移動していくことによって細孔が形成されてもよい。このように形成された細孔は、例えば磁性層１３と下地層１２とを連通しているものでありうる。磁性層形成用塗料の固形分若しくは溶剤の種類及び／又は磁性層形成用塗料の乾燥条件を変更することによって、細孔の平均直径を調整することが出来る。
磁性層１３及び下地層１２の両方に細孔が形成されていることによって、走行安定性の向上のために適した量の潤滑剤が、磁性層側表面に現れると考えられる。

（非磁性粉）

下地層１２に含まれる非磁性粉は、例えば、無機粒子及び有機粒子から選ばれる少なくとも１種を含みうる。１種の非磁性粉を単独で用いてもよいし、又は、２種以上の非磁性粉を組み合わせて用いてもよい。無機粒子は、例えば、金属、金属酸化物、金属炭酸塩、金属硫酸塩、金属窒化物、金属炭化物、及び金属硫化物から選ばれる１種又は２種以上の組み合わせを含む。より具体的には、無機粒子は、例えばオキシ水酸化鉄、ヘマタイト、酸化チタン、及びカーボンブラックから選ばれる１種又は２種以上でありうる。非磁性粉の形状としては、例えば、針状、球状、立方体状、及び板状などの各種形状が挙げられるが、これらに特に限定されるものではない。

（バック層）

バック層１４は、結着剤及び非磁性粉を含みうる。バック層１４は、必要に応じて潤滑剤、硬化剤、及び帯電防止剤などの各種添加剤を含んでいてもよい。上述の下地層１２に含まれる結着剤及び非磁性粉について述べた説明が、バック層１４に含まれる結着剤及び非磁性粉についても当てはまる。

バック層１４の平均厚みｔ_ｂは、ｔ_ｂ≦０．６μｍであることが好ましい。バック層１４の平均厚みｔ_ｂが上記範囲内にあることで、磁気記録媒体１０の平均厚みｔ_Ｔをｔ_Ｔ≦５．５μｍにした場合でも、下地層１２及びベース層１１の厚みを厚く保つことが出来、これにより磁気記録媒体１０の記録再生装置内での走行安定性を保つことが出来る。

バック層１４の平均厚みｔ_ｂは以下のようにして求められる。まず、磁気記録媒体１０の平均厚みｔ_Ｔを測定する。平均厚みｔ_Ｔの測定方法は以下「（３）物性及び構造」に記載されているとおりである。続いて、サンプルのバック層１４をＭＥＫ（メチルエチルケトン）または希塩酸等の溶剤で除去する。次に、Mitutoyo社製レーザーホロゲージ（LGH-110C）を用いて、サンプルの厚みを５点以上の位置で測定し、それらの測定値を単純に平均（算術平均）して、平均値ｔ_Ｂ［μｍ］を算出する。その後、以下の式よりバック層１４の平均厚みｔ_ｂ［μｍ］を求める。なお、測定位置は、サンプルから無作為に選ばれるものとする。
ｔ_ｂ［μｍ］＝ｔ_Ｔ［μｍ］−ｔ_Ｂ［μｍ］

バック層１４の２つの面のうち、磁気記録媒体１０のバック層側表面を形成する面は、好ましくは多数の突部が設けられている。磁気記録媒体１０がロール状に巻き取られることによって、当該多数の突部によって、磁性層１３に多数の細孔が形成されうる。

突部は、例えばバック層形成用塗料中に粒子を含めることによって形成されうる。当該粒子は、例えばカーボンブラックなどの無機粒子でありうる。当該粒子の粒径は、磁性層１３に形成されるべき細孔のサイズに応じて適宜選択されうる。

バック層１４に含まれる粒子（特には無機粒子）の平均粒子サイズは、好ましくは１０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下、より好ましくは１５ｎｍ以上１１０ｎｍ以下である。無機粒子の平均粒子サイズは、上記のε酸化鉄磁性粉の平均粒子サイズと同様にして求められる。

（３）物性及び構造

（磁気記録媒体の平均厚みｔ_Ｔ）

磁気記録媒体１０の平均厚みｔ_Ｔは、ｔ_Ｔ≦５．６μｍであり、より好ましくは５．３μｍ以下であり、さらにより好ましくは５．２μｍ以下、５．０μｍ以下、又は４．６μｍ以下でありうる。磁気記録媒体１０の平均厚みｔ_Ｔが上記数値範囲内にあることによって（例えばｔ_Ｔ≦５．６μｍであることによって）、１データカートリッジ内に記録できる記録容量を従来よりも高めることができる。磁気記録媒体１０の平均厚みｔ_Ｔの下限値は特に限定されるものではないが、例えば、３．５μｍ≦ｔ_Ｔである。

磁気記録媒体１０の平均厚みｔ_Ｔは以下のようにして求められる。まず、１／２インチ幅の磁気記録媒体１０を準備し、それを２５０ｍｍの長さに切り出し、サンプルを作製する。次に、測定装置としてMitutoyo社製レーザーホロゲージ（LGH-110C）を用いて、サンプルの厚みを５点以上の位置で測定し、それらの測定値を単純に平均（算術平均）して、平均値ｔ_Ｔ［μｍ］を算出する。なお、測定位置は、サンプルから無作為に選ばれるものとする。

（磁気記録媒体の細孔の平均直径）

磁気記録媒体１０の細孔の平均直径（脱着時最大細孔容積の細孔直径である）は、磁気記録媒体１０から潤滑剤を除去しそして乾燥した状態で測定したときに、６ｎｍ以上１１ｎｍ以下であり、好ましくは６ｎｍ以上１０ｎｍ以下、より好ましくは６．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下、さらにより好ましくは７ｎｍ以上９ｎｍ以下である。

磁気記録媒体１０に形成されている細孔の平均直径（脱着時最大細孔容積の細孔直径である）は、前記磁気記録媒体から潤滑剤を除去しそして乾燥した状態で測定される。前記測定は、具体的には、以下のとおりにして行われる。
まず、面積０．１２６５ｍ²より１割程度大きいサイズの磁気記録媒体１０をヘキサン中（テープが十分に浸漬できる量、例えば、１５０ｍＬ）に２４時間浸したのち、自然乾燥させ、面積０．１２６５ｍ²（例えば、乾燥後のテープの両端５０ｃｍを切り落とし、テープ幅×１０ｍを準備する。）のサイズに切り出すことにより、測定サンプルを作製する。前記ヘキサン中での２４時間の浸漬によって、潤滑剤が磁気記録媒体１０から除去され、そして、前記自然乾燥によって、磁気記録媒体１０が乾燥される。
次に、比表面積・細孔分布測定装置を用いて、ＢＪＨ法により細孔の平均直径が測定される。以下に、測定装置および測定条件を示す。このようにして、細孔の平均直径が測定される。
測定環境：室温
測定装置：Micromeritics社製3FLEX
測定吸着質：Ｎ₂ガス
測定圧力範囲（P/P⁰）：０〜０．９９５
前記測定圧力範囲に関して、圧力は以下の表の通りに変化される。以下の表における圧力値は相対圧P/P⁰である。以下の表において、例えばステップ１において、開始圧０．０００から到達圧０．０１０へ、１０秒当たり０．００１変化するように、圧力が変化される。圧力が到達圧に達したら、次のステップにおける圧力変化が行われる。ステップ２〜１０においても同様である。ただし、各ステップにおいて、圧力が平衡に達していない場合は、装置は圧力が平衡になるのを待ってから次のステップに移行する。

（サーボバンドの非直線性を示す統計値σ_SW）

磁性層１３に記録されているサーボパターンのサーボ信号から得られる前記統計値σ_SWは２４ｎｍ以下、好ましくは２３ｎｍ以下である。前記統計値σ_SWがこの数値範囲内にあることによって、磁気記録媒体の走行安定性が向上しうる。また、前記統計値σ_SWは、例えば１０ｎｍ以上であり、好ましくは１３ｎｍ以上であり、より好ましくは１５ｎｍ以上でありうる。
サーボバンドの非直線性を示す統計値σ_SWは、磁気記録媒体１０の磁性層１３の表面に記録されたサーボパターンを読み取るための磁気ヘッドを備えているテープ走行装置（Tape Transportation (Mountain Engineering II, Inc.)）を用いて測定される。当該磁気ヘッドは、市販入手可能なＬＴＯ８フルハイトドライブに採用されているものであってよい。当該磁気ヘッドは、当該テープ走行装置に固定された状態で用いられる。

当該テープ走行装置を用いて、磁気記録媒体１０を、その磁性層側表面が当該磁気ヘッド表面上を摺動するように、２ｍ／ｓで走行させる。当該磁気ヘッドの表面の読み取り素子を用いて、磁気記録媒体１０のサーボパターンからサーボ信号の再生波形をデジタルオシロスコープを用いて読み出す。すなわち、磁気的なサーボパターンが電気的なサーボ信号に変換される。サーボ信号の再生波形を十分な精度で取得する為に、デジタルオシロスコープのサンプリングレートは1秒間に20,000,000 個以上の速度で行うものとする。

１つのサーボバンドに記録されているサーボパターンを読み取るために、磁気記録媒体１０の長手方向に並べて配置される２つの読み取り素子が用いられる。当該２つの読み取り素子は、ＬＴＯ８フルハイトドライブに採用されている磁気ヘッドユニットに備えられているものである。当該２つの読み取り素子について、図１１を参照しながら以下で説明する。
図１１は、当該磁気ヘッドユニットの模式図である。図１１に示されるヘッドユニット３００は、磁気記録媒体１０の長手方向に沿って並べて配置される３つのヘッド部３００Ａ、３００Ｂ、及び３００Ｃを有する。
ヘッド部３００Ａは、２つのサーボヘッド３２０Ａ１及び３２０Ａ２並びに複数の記録ヘッド３４０を有する。ヘッド部３００Ａ中のエリプシス様の点は、記録ヘッド３４０が並んでいることを意味する。
ヘッド部３００Ｂは、２つのサーボヘッド３２０Ｂ１及び３２０Ｂ２並びに複数の再生ヘッド３５０を有する。ヘッド部３００Ｂ中のエリプシス様の点は、再生ヘッド３５０が並んでいることを意味する。
ヘッド部３００Ｃは、２つのサーボヘッド３２０Ｃ１及び３２０Ｃ２並びに複数の記録ヘッド３４０を有する。ヘッド部３００Ｃ中のエリプシス様の点は、記録ヘッド３４０が並んでいることを意味する。
前記統計値σ_SWを得るために用いられる前記２つの読み取り素子は、ヘッド部３００Ａに含まれるサーボヘッド３２０Ａ１及びヘッド部３００Ｂに含まれるサーボヘッド３２０Ｂ１のみである。他のサーボヘッドは用いられない。
以下で、当該２つの読み取り素子のうち、巻き出し側の読み取り素子（サーボヘッド３２０Ａ１）を読み取り素子ａといい、巻取り側の読み取り素子（サーボヘッド３２０Ｂ１）を読み取り素子ｂともいう。

各読み取り素子によって得られたサーボ信号の再生波形をデジタルオシロスコープ等によって取得する。取得した其々のサーボ信号に基づき、「サーボパターンの中心線と、サーボパターン上の読み取り素子の実通過位置との相対差ｐ」を算出する。具体的には、得られたサーボ信号の再生波形の形状とサーボパターンそのものの形状とを用いて、相対差ｐが算出される。
相対差ｐは、以下の計算式により算出される。
相対差ｐの上記計算式について、図４を参照しながら以下で説明する。
上記計算式中の上記差分（Ｂ_ａ１−Ａ_ａ１）は、ストライプＢ_１が読み取り素子ａによって読み取られた時間とストライプＡ_１が読み取り素子ａによって読み取られた時間との間の差［ｓｅｃ］であり、ストライプＡ_１に起因する信号ピークとストライプＢ_１に起因する信号ピークとの間の間隔及びテープ走行速度（m/s）から求められる。当該２つの信号ピーク間の間隔は、前記得られたサーボ信号の再生波形の形状から求められる。前記差分（Ｂ_ａ１−Ａ_ａ１）は、読み取り素子のサーボパターン上の実際の走行位置（図４におけるactual pass）における、両ストライプが読み取られるタイミングの差に相当する。同様に、他の差分の項も、対応する２つのストライプに起因する信号ピークの間隔とテープ走行速度とから求められる。また、読み取り素子ｂによって得られた信号ピークに基づき、同様に相対差ｐが算出される。
前記サーボパターンそのものの形状から、上記計算式中のアジマス角φが求められる。アジマス角φは、磁気記録媒体１０をフェリコロイド現像液（株式会社シグマハイケミカル製、シグマ―カーQ）で現像し、万能工具顕微鏡（TOPCON TUM-220ES）及びデータ処理装置（TOPCON CA-1B）を用いて求められる。
また、前記サーボパターンそのものの形状から、サーボバンドの中心（図４におけるcenter line）におけるストライプＡ_１とストライプＢ_１との距離（図４及び上記計算式におけるＸ）及びストライプＡ_１とストライプＣ_１との距離（図４及び上記計算式におけるＹ）が求められる。テープ長さ方向の任意の箇所において、５０個のサーボフレームを選択し、各々のサーボフレームにおいてＸ及びＹを求め、５０個のデータを単純平均したものを、上記計算式において用いるＸ及びＹとする。

相対差ｐが、磁気記録媒体１０の長手方向に沿って、連続する１０２４個のサーボサブフレームについてそれぞれ算出される。すなわち、１０２４個の相対差ｐが取得される。例えばサーボサブフレームの間隔が７６μｍである場合は、７６μｍ毎に相対差ｐが取得されうる。
読み取り素子ａにより読み取られたサーボ信号に基づき算出された1024個の相対差ｐを、pa₀、pa₁、・・・、及びpa₁₀₂₃という。読み取り素子ｂにより読み取られたサーボ信号に基づき算出された１０２４個の相対差ｐを、pb₀、pb₁、・・・、及びpb₁₀₂₃という。
当該磁気ヘッドに対する磁気記録媒体１０の幅方向の動きによる影響を除去するために、各位置 n における pa と pb の差を演算し、Δp とする。すなわち、Δp_n= pa_n−pb_n である。ここで、n = 0、１、・・・、及び1023である。
得られたΔp_nに対し、離散FFT (フーリエ変換) を行い、ΔP_n(n = 0…1023)、すなわちΔP(f)(ここで、f =波数 [cycle/m] である)を得る。
ここで、ΔP_nのDC成分 (i.e. n = 0)、換言すればΔP(∞)、を除去する為に、ΔP₀を例えば10^-100など、粗0に近い数値に置換する。
また、ΔP(f)の単位が[nm²/Hz]となる様に前記FFTを行うものとする。
ΔP(f)を得るプロセスを、磁気記録媒体１０の長手方向500m以上に渡って繰り返し、ΔP(f)₁…ΔP(f)_mを得る。
測定ノイズを除去する為、ΔP(f)₁…ΔP(f)_mを周波数軸上で平均化し、ΔP(f)_aveを得る。
この後、上記の変位差の、実際のドライブ中での挙動WIP(f)を見積る為、ΔP(f)_aveに対し、一般的な2次閉ループ応答のフィルターCLF(f) を作用させる。即ち、WIP(f) = |CLF(f)|²*ΔP(f)_aveである。CLF(f) については後述する。
上記WIP(f) を用い、下記式（１）の演算を行う事で、σ_SWを得る。下記演算におけるdfについても後述する。

一般的な2次閉ループ応答CLF(s)は、下式（２）で表すことができる。

双一次Z変換を用いることによって、CLF(z) は下式（３）で表すことができる。

z = e^jωTs、及び、ω= 2πf の関係から、CLF(f)は下式（４）で表すことができる。

以上の式中の各項の意味はそれぞれ以下のとおりである。

（摩擦係数比（μ_Ｂ／μ_Ａ））

磁気記録媒体１０は、好ましくは、磁気記録媒体１０の長手方向に０．４Ｎの張力を加えた状態における前記磁気記録媒体の磁性層側表面と磁気ヘッドとの間の動摩擦係数μ_Ａと、前記磁気記録媒体の長手方向に１．２Ｎの張力を加えた状態における前記磁気記録媒体の磁性層側表面と磁気ヘッドとの間の動摩擦係数μ_Ｂとの摩擦係数比（μ_Ｂ／μ_Ａ）が１．０〜２．０であり、より好ましくは１．０〜１．８であり、さらにより好ましくは１．０〜１．６である。摩擦係数比（μ_Ｂ／μ_Ａ）が上記数値範囲内にあることによって、走行時の張力変動による動摩擦係数の変化を小さくすることができるため、磁気記録媒体１０の走行を安定させることができる。

摩擦係数比（μ_Ｂ／μ_Ａ）を算出するための動摩擦係数μ_Ａ及び動摩擦係数μ_Ｂは以下のとおりにして求められる。
先ず、図７（ａ）に示すように、１／２インチ幅の磁気記録媒体１０を、互いに離間して平行に配置された１インチ径の円柱状の２本のガイドロール７３−１及び７３−２に磁性面が接触するように載せる。２本のガイドロール７３−１及び７３−２は、硬い板状部材７６に固定されており、これにより互いの位置関係が固定されている。
次いで、ＬＴＯ５ドライブに搭載されているヘッドブロック（記録再生用）７４に対し、磁気記録媒体１０を、磁性面が接触するように且つ抱き角θ_１（°）＝５．６°となるように接触させる。ヘッドブロック７４は、ガイドロール７３−１及び７３−２の略中心に配置される。ヘッドブロック７４は、抱き角θ_１を変更することができるように、板状部材７６に移動可能に取り付けられているが、抱き角θ_１（°）が５．６°となったらその位置が板状部材７６に対して固定され、これにより、ガイドロール７３−１及び７３−２とヘッドブロック７４との位置関係も固定される。
磁気記録媒体１０の一端を、ジグ７２を介して可動式ストレインゲージ７１と繋ぐ。磁気記録媒体１０は、図７（ｂ）に示されるとおりにジグ７２に固定される。
磁気記録媒体１０の他端に錘７５を繋ぐ。錘７５によって、０．４Ｎのテンション（Ｔ_０［Ｎ］）が磁気記録媒体１０の長手方向に付与される。
可動式ストレインゲージ７１は、台７７上に固定されている。台７７と板状部材７６の位置関係も固定されており、これにより、ガイドロール７３−１及び７３−２、ヘッドブロック７４、及び可動式ストレインゲージ７１の位置関係が固定されている。
可動式ストレインゲージ７１によって、磁気記録媒体１０が１０ｍｍ／ｓにて可動式ストレインゲージ７１へ向かうように、磁気記録媒体１０をヘッドブロック７４上を６０ｍｍ摺動させる。当該摺動時の可動式ストレインゲージ７１の出力値（電圧）を、事前に取得されている出力値と荷重との直線関係（後述する）に基づき、Ｔ［Ｎ］に変換する。前記６０ｍｍの摺動の摺動開始から摺動停止までの間に、１３回Ｔ［Ｎ］を取得し、最初と最後の計２回を除いた１１個のＴ［Ｎ］を単純平均することによって、Ｔ_ａｖｅ［Ｎ］が得られる。
その後、以下の式より動摩擦係数μ_Ａを求める。
前記直線関係は以下のとおりに得られる。すなわち、可動式ストレインゲージ７１に０．４Ｎの荷重をかけた場合と１．５Ｎの荷重をかけた場合のそれぞれについて、可動式ストレインゲージ７１の出力値（電圧）を得る。得られた２つの出力値と前記２つの荷重とから、出力値と荷重との直線関係が得られる。当該直線関係を用いて、上記のとおり、摺動時の可動式ストレインゲージ７１による出力値（電圧）がＴ［Ｎ］に変換される。

動摩擦係数μ_Ｂは、前記他端に付与されるテンションＴ_０［Ｎ］を１．２Ｎとすること以外は動摩擦係数μ_Ａの測定方法と同じ方法で測定される。
以上のとおりにして測定された動摩擦係数μ_Ａ及び動摩擦係数μ_Ｂから、摩擦係数比（μ_Ｂ／μ_Ａ）が算出される。

（摩擦係数比（μ_{Ｃ（１０００）}／μ_Ｃ（５）））

磁気記録媒体１０は、好ましくは、長手方向に０．６Ｎの張力を加えた状態にある前記磁気記録媒体を、磁気ヘッド上を５往復摺動させた場合の５往復目における動摩擦係数μ_Ｃ（５）と、当該磁気ヘッド上を１０００往復させた場合の１０００往復目における動摩擦係数μ_{Ｃ（１０００）}との摩擦係数比（μ_{Ｃ（１０００）}／μ_Ｃ（５））が１．０〜２．０であり、より好ましくは１．０〜１．８であり、さらにより好ましくは１．０〜１．６である。摩擦係数比（μ_{Ｃ（１０００）}／μ_Ｃ（５））が上記数値範囲内にあることによって、多数回走行による動摩擦係数の変化を小さくすることができるため、磁気記録媒体１０の走行を安定させることができる。

摩擦係数比（μ_{Ｃ（１０００）}／μ_Ｃ（５））を算出するための動摩擦係数μ_Ｃ（５）及び動摩擦係数μ_{Ｃ（１０００）}は以下のとおりにして求められる。
磁気記録媒体１０の前記他端に付与されるテンションＴ_０［Ｎ］を０．６Ｎとすること以外は動摩擦係数μ_Ａの測定方法と同じようにして、磁気記録媒体１０を可動式ストレインゲージ７１と繋ぐ。そして、磁気記録媒体１０を、ヘッドブロック７４に対して１０ｍｍ／ｓにて可動式ストレインゲージへ向かって６０ｍｍ摺動させ（往路）及び可動式ストレインゲージから離れるように６０ｍｍ摺動させる（復路）。この往復動作を１０００回繰り返す。この１０００回の往復動作のうち、５回目の往路の６０ｍｍの摺動の摺動開始から摺動停止までの間に、ストレインゲージの出力値（電圧）を１３回取得し、動摩擦係数μ_Ａに関して述べたとおりに求めた出力値と荷重との直線関係に基づき、Ｔ［Ｎ］に変換する。最初と最後の計２回を除いた１１個を単純平均することによりＴ_ａｖｅ［Ｎ］を求める。以下の式により、動摩擦係数μ_Ｃ（５）を求める。
さらに、動摩擦係数μ_{Ｃ（１０００）}は、1000回目の往路の測定をすること以外は動摩擦係数μ_Ｃ（５）と同様にして求める。
以上のとおりにして測定された動摩擦係数μ_Ｃ（５）及び動摩擦係数μ_{Ｃ（１０００）}から、摩擦係数比μ_{Ｃ（１０００）}／μ_Ｃ（５）が算出される。

（垂直方向に測定した角形比Ｓ２）

磁気記録媒体１０の垂直方向（厚み方向）に測定した角形比Ｓ２が、好ましくは６５％以上、より好ましくは７０％以上、さらにより好ましくは７３％以上、さらにより好ましくは８０％以上である。角形比Ｓ２が６５％以上であると、磁性粉の垂直配向性が十分に高くなるため、より優れたＳＮＲを得ることができる。したがって、より優れた電磁変換特性を得ることができる。また、サーボ信号形状が改善され、よりドライブ側の制御がし易くなる。
本明細書内において、磁気記録媒体が垂直配向しているとは、磁気記録媒体の角形比Ｓ２が上記数値範囲内にあること（例えば６５％以上であること）を意味してもよい。

垂直方向における角形比Ｓ２は以下のようにして求められる。まず、磁気記録媒体１０が両面テープで３枚重ね合わされた後、φ６．３９ｍｍのパンチで打ち抜かれて、測定サンプルが作製される。この際に、磁気記録媒体１０の長手方向（走行方向）が認識できるように、磁性を持たない任意のインクでマーキングを行う。そして、ＶＳＭを用いて磁気記録媒体１０の垂直方向（厚み方向）に対応する測定サンプル（磁気記録媒体１０全体）のＭ−Ｈループが測定される。次に、アセトン又はエタノールなどが用いられて塗膜（下地層１２、磁性層１３及びバック層１４など）が払拭され、ベース層１１のみが残される。そして、得られたベース層１１が両面テープで３枚重ね合わされた後、φ６．３９ｍｍのパンチで打ち抜かれて、バックグラウンド補正用のサンプル（以下、単に「補正用サンプル」）とされる。その後、ＶＳＭを用いてベース層１１の垂直方向（磁気記録媒体１０の垂直方向）に対応する補正用サンプル（ベース層１１）のＭ−Ｈループが測定される。
測定サンプル（磁気記録媒体１０の全体）のＭ−Ｈループ、補正用サンプル（ベース層１１）のＭ−Ｈループの測定においては、東英工業社製の高感度振動試料型磁力計「ＶＳＭ−Ｐ７−１５型」が用いられる。測定条件は、測定モード：フルループ、最大磁界：１５ｋＯｅ、磁界ステップ：４０ｂｉｔ、Time constant of Locking amp：０．３ｓｅｃ、Waiting time：１ｓｅｃ、ＭＨ平均数：２０とされる。
測定サンプル（磁気記録媒体１０の全体）のＭ−Ｈループ及び補正用サンプル（ベース層１１）のＭ−Ｈループが得られた後、測定サンプル（磁気記録媒体１０の全体）のＭ−Ｈループから補正用サンプル（ベース層１１）のＭ−Ｈループが差し引かれることで、バックグラウンド補正が行われ、バックグラウンド補正後のＭ−Ｈループが得られる。このバックグラウンド補正の計算には、「ＶＳＭ−Ｐ７−１５型」に付属されている測定・解析プログラムが用いられる。
得られたバックグラウンド補正後のＭ−Ｈループの飽和磁化Ｍｓ（ｅｍｕ）及び残留磁化Ｍｒ（ｅｍｕ）が以下の式に代入されて、角形比Ｓ２（％）が計算される。なお、上記のＭ−Ｈループの測定はいずれも、２５℃にて行われるものとする。また、Ｍ−Ｈループを磁気記録媒体１０の垂直方向に測定する際の“反磁界補正”は行わないものとする。なお、この計算には、「ＶＳＭ−Ｐ７−１５型」に付属されている測定・解析プログラムが用いられる。
角形比Ｓ２（％）＝（Ｍｒ／Ｍｓ）×１００

（長手方向に測定した角形比Ｓ１）

磁気記録媒体１０の長手方向（走行方向）に測定した角形比Ｓ１が、好ましくは３５％以下、より好ましくは３０％以下、２７％以下、又は２５％以下、更により好ましくは２０％以下である。角形比Ｓ１が３５％以下であると、磁性粉の垂直配向性が十分に高くなるため、より優れたＳＮＲを得ることができる。したがって、より優れた電磁変換特性を得ることができる。また、サーボ信号形状が改善され、ドライブ側の制御がより行い易くなる。
本明細書内において、磁気記録媒体が垂直配向しているとは、磁気記録媒体の角形比Ｓ１が上記数値範囲内にあること（例えば３５％以下であること）を意味しうる。本技術に従う磁気記録媒体は好ましくは垂直配向している。

長手方向における角形比Ｓ１は、Ｍ−Ｈループを磁気記録媒体１０及びベース層１１の長手方向（走行方向）に測定すること以外は角形比Ｓ２と同様にして求められる。

角形比Ｓ１及びＳ２は、例えば磁性層形成用塗料に印加される磁場の強度、磁性層形成用塗料に対する磁場の印加時間、磁性層形成用塗料中における磁性粉の分散状態、又は磁性層形成用塗料中における固形分の濃度を調整することにより所望の値に設定される。具体的には例えば、磁場の強度を強くするほど、角形比Ｓ１が小さくなるのに対して、角形比Ｓ２が大きくなる。また、磁場の印加時間を長くするほど、角形比Ｓ１が小さくなるのに対して、角形比Ｓ２が大きくなる。また、磁性粉の分散状態を向上するほど、角形比Ｓ１が小さくなるのに対して、角形比Ｓ２が大きくなる。また、固形分の濃度を低くするほど、角形比Ｓ１が小さくなるのに対して、角形比Ｓ２が大きくなる。なお、上記の調整方法は単独で使用してもよいし、２以上組み合わせて使用してもよい。

（算術平均粗さＲ_ａ）

磁気記録媒体１０の磁性層側表面（以下「磁性面」ともいう）の算術平均粗さＲ_ａは、好ましくは２．５ｎｍ以下、より好ましくは２．０ｎｍ以下である。Ｒ_ａが２．５ｎｍ以下であると、より優れたＳＮＲを得ることができる。

算術平均粗さＲ_ａは以下のようにして求められる。まず、磁性層１３の表面をＡＦＭにより観察し、４０μｍ×４０μｍのＡＦＭ像を得る。ＡＦＭとしてはDigital Instruments社製 Dimension3100とその解析ソフトを用い、カンチレバーとしてはシリコン単結晶製のものを用い（注１）、タッピング周波数として、200-400Hzのチューニングにて測定を行う。次に、ＡＦＭ像を512×512（＝262,144）個の測定点に分割し、各測定点にて高さＺ（ｉ）（ｉ：測定点番号、ｉ＝１〜262,144）を測定し、測定した各測定点の高さＺ（ｉ）を単純に平均（算術平均）して平均高さ（平均面）Ｚ_ａｖｅ（＝（Ｚ（１）＋Ｚ（２）＋・・・＋Ｚ（262,144））／262,144）を求める。続いて、各測定点での平均中心線からの偏差Ｚ”（ｉ）（＝｜Ｚ（ｉ）−Ｚ_ａｖｅ｜）を求め、算術平均粗さＲ_ａ［ｎｍ］（＝（Ｚ”（１）＋Ｚ”（２）＋・・・＋Ｚ”（262,144））／262,144）を算出する。この際には、画像処理として、Flatten order 2及びplanefit order 3 XYによりフィルタリング処理を行ったものをデータとして用いる。
（注１）Nano World社製 SPMプローブ NCH ノーマルタイプ PointProbe L（カンチレバー長）＝１２５μｍ

（保磁力Ｈｃ）
磁気記録媒体１０の長手方向における保磁力Ｈｃは、好ましくは２０００Ｏｅ以下、より好ましくは１９００Ｏｅ以下、さらにより好ましくは１８００Ｏｅ以下である。長手方向における保磁力Ｈｃが２０００Ｏｅ以下であると、記録ヘッドからの垂直方向の磁界により感度良く磁化が反応するため、良好な記録パターンを形成することができる。

磁気記録媒体１０の長手方向に測定した保磁力Ｈｃは、好ましくは１０００Ｏｅ以上である。長手方向にける保磁力Ｈｃの下限値が１０００Ｏｅ以上であると、記録ヘッドからの漏れ磁束による減磁を抑制することができる。

上記の保磁力Ｈｃは以下のようにして求められる。まず、磁気記録媒体１０が両面テープで３枚重ね合わされた後、φ６．３９ｍｍのパンチで打ち抜かれて、測定サンプルが作製される。この際に、磁気記録媒体１０の長手方向（走行方向）が認識できるように、磁性を持たない任意のインクでマーキングを行う。そして、振動試料型磁力計（Vibrating Sample Magnetometer：ＶＳＭ）を用いて磁気記録媒体１０の長手方向（走行方向）に対応する測定サンプル（磁気記録媒体１０全体）のＭ−Ｈループが測定される。次に、アセトン又はエタノールなどが用いられて塗膜（下地層１２、磁性層１３及びバック層１４など）が払拭され、ベース層１１のみが残される。そして、得られたベース層１１が両面テープで３枚重ね合わされた後、φ６．３９ｍｍのパンチで打ち抜かれて、バックグラウンド補正用のサンプル（以下、単に「補正用サンプル」）が作製される。その後、ＶＳＭを用いてベース層１１の垂直方向（磁気記録媒体１０の垂直方向）に対応する補正用サンプル（ベース層１１）のＭ−Ｈループが測定される。
測定サンプル（磁気記録媒体１０の全体）のＭ−Ｈループ、補正用サンプル（ベース層１１）のＭ−Ｈループの測定においては、東英工業社製の高感度振動試料型磁力計「ＶＳＭ−Ｐ７−１５型」が用いられる。測定条件は、測定モード：フルループ、最大磁界：１５ｋＯｅ、磁界ステップ：４０ｂｉｔ、Time constant of Locking amp：０．３ｓｅｃ、Waiting time：１ｓｅｃ、ＭＨ平均数：２０とされる。
測定サンプル（磁気記録媒体１０の全体）のＭ−Ｈループ及び補正用サンプル（ベース層１１）のＭ−Ｈループが得られた後、測定サンプル（磁気記録媒体１０の全体）のＭ−Ｈループから補正用サンプル（ベース層１１）のＭ−Ｈループが差し引かれることで、バックグラウンド補正が行われ、バックグラウンド補正後のＭ−Ｈループが得られる。このバックグラウンド補正の計算には、「ＶＳＭ−Ｐ７−１５型」に付属されている測定・解析プログラムが用いられる。
得られたバックグラウンド補正後のＭ−Ｈループから保磁力Ｈｃが求められる。なお、この計算には、「ＶＳＭ−Ｐ７−１５型」に付属されている測定・解析プログラムが用いられる。なお、上記のＭ−Ｈループの測定はいずれも、２５℃にて行われるものとする。また、Ｍ−Ｈループを磁気記録媒体１０の長手方向に測定する際の“反磁界補正”は行わないものとする。

（（巻内側のサーボトラック幅）−（巻外側のサーボトラック幅））

磁気記録媒体１０は、例えば、リールに巻き取られた状態で磁気記録カートリッジ内に収容されていてよく、且つ、好ましくは、（当該磁気記録媒体の巻内側のサーボトラック幅）−（当該磁気記録媒体の巻外側のサーボトラック幅）＞０であってよい。
巻内側及び巻外側のサーボトラック幅の差は、０μｍ超であり、好ましくは０．０１μｍ以上、より好ましくは０．０２μｍ以上、さらにより好ましくは０．０５μｍ以上である。巻内側及び巻外側のサーボトラック幅の差は、例えば、０．１０μｍ以上、０．１５μｍ以上、又は０．２０μｍ以上であってもよい。これにより、カートリッジ内のリールに巻き取られた磁気記録媒体にしわが発生することを防ぐことができる。
巻内側及び巻外側のサーボトラック幅の差は、例えば０.５μｍ以下であってよく、好ましくは０．４μｍ以下、より好ましくは０．３μｍ以下であってよい。

巻内側及び巻外側のサーボトラック幅の差を求めるために、磁気記録媒体の巻内側のサーボトラック幅のずれ量Ｔ_ｉｎＷ及び巻外側のサーボトラック幅のずれ量Ｔ_ｏｕｔＷがそれぞれ測定される。当該測定は、温度２３±３℃及び相対湿度５０％±５％の環境下で行われる。これらのずれ量はいずれも、標準サーボトラック幅に対して、サーボトラック幅がどれだけ大きいか又は小さいかを表す。これらのずれ量の測定方法は以下で別途説明する。
本明細書内において、巻内側とは、磁気記録媒体の２つの端部のうち、磁気記録カートリッジ内のリール（磁気記録媒体が巻き取られるリール）に取り付けられる端部（以下「内側端部」ともいう）から５０ｍの位置を起点として、当該位置から、当該内側端部と反対側の端部（以下「外側端部」ともいう）の方向へ１０ｍ進んだ位置までの領域をいう。
本明細書内において、巻外側とは、磁気記録媒体の２つの端部のうち、当該外側端部から５０ｍの位置を起点として、当該位置から当該内側端部の方向へ１０ｍ進んだ位置までの領域をいう。
図１６を参照して巻内側及び巻外側についてより具体的に説明する。図１６は、磁気記録カートリッジ１のリール２に、内側端部Ｅ１が取り付けられている。内側端部Ｅ１から５０ｍ進んだ位置Ａと位置Ａから外側端部Ｅ２へ１０ｍ進んだ位置Ｂとの間の領域が、巻内側である。外側端部Ｅ２から５０ｍだけ内側端部Ｅ１へ進んだ位置Ｃと位置Ｃからさらに内側端部Ｅ１へ１０ｍ進んだ位置Ｄとの間の領域が巻外側である。
巻内側のサーボトラック幅のずれ量Ｔ_ｉｎＷの測定は、磁気記録カートリッジ内に収容されている磁気記録媒体を、磁気記録再生装置へと巻き込むように走行させながら（いわゆる順方向に走行させながら）行われる。当該測定において、磁気記録媒体にかかるテンションは０．５５Ｎであり、且つ、走行速度は３〜６ｍ／ｓである。前記巻内側の１０ｍの領域にわたって測定されるサーボトラック幅のずれ量の平均値が、前記差を求めるための巻内側サーボトラック幅のずれ量Ｔ_ｉｎＷとして用いられる。当該平均値は、単純平均により算出される。
巻外側のサーボトラック幅のずれ量Ｔ_ｏｕｔＷの測定も、巻内側と同様に、順方向に走行させながら行われる。前記巻外側の１０ｍの領域にわたって測定されるサーボトラック幅のずれ量の平均値が、前記差を求めるための巻外側サーボトラック幅のずれ量Ｔ_ｏｕｔＷとして用いられる。当該平均値も、単純平均により算出される。
以上のとおりにして得られた巻内側のサーボトラック幅のずれ量Ｔ_ｉｎＷから、巻外側のサーボトラック幅のずれ量Ｔ_ｏｕｔＷを差し引くことで、差（Ｔ_ｉｎＷ−Ｔ_ｏｕｔＷ）が求められ、当該差が、（巻内側のサーボトラック幅）−（巻外側のサーボトラック幅）である。

（サーボトラック幅のずれ量）

サーボトラック幅のずれ量の測定方法を、図１７を参照しながら説明する。図１７（ａ）は、磁気記録テープの磁性層に形成されるデータバンド及びサーボバンドの模式図である。図１７（ａ）に示されるとおり、前記磁性層は４つのデータバンドｄ０〜ｄ３を有する。前記磁性層は、各データバンドを２つのサーボバンドで挟むように、合計で５つのサーボバンドＳ０〜Ｓ４を有する。図１７（ｂ）に示されるとおり、各サーボバンドは、所定角度θ１で傾斜する５本のサーボ信号Ｓ５ａと、この信号と逆方向に同じ角度で傾斜する５本のサーボ信号Ｓ５ｂと、所定角度θ１で傾斜する４本のサーボ信号Ｓ４ａと、この信号と逆方向に同じ角度で傾斜する４本のサーボ信号Ｓ４ｂと、からなるフレーム単位を繰り返し有する。前記角度θ１は、例えば５°〜２５°であり、特には１１°〜２０°でありうる。

前記測定方法において測定されるサーボトラック幅のずれ量は、図１７（ａ）の上から２つ目のデータバンドｄ１を挟む２つのサーボトラックＳ１及びＳ２の間のサーボトラック幅の、標準サーボトラック幅に対するずれ量である。
ドライブ走行時に、データバンドｄ１を挟む２つのサーボトラックＳ１及びＳ２を再生した場合、デジタルオシロスコープ（Lecroy社 WAVEPRO 960）によってサーボトラックごとに図１７（ｃ）に示されるような波形が得られる。
サーボトラックＳ１の再生により得られた波形からタイミング信号間の時間が得られ、当該時間とテープ走行速度とから、サーボトラックＳ１におけるＡバーストの先頭磁気ストライプとＢバーストの先頭磁気ストライプとの間の距離が算出される。例えば、図１７（ｂ）に示されるとおり、ＡバーストＳ５ａ−１の先頭磁気ストライプ（５つの磁気ストライプのうち最も左の磁気ストライプ）とＢバーストＳ５ｂ−１の先頭磁気ストライプ（５つの磁気ストライプのうち最も左の磁気ストライプ）との間の距離Ｌ１が算出される。
同様に、サーボトラックＳ２の再生により得られた波形からタイミング信号間の時間が得られ、当該時間とテープ走行速度とから、サーボトラックＳ２におけるＡバーストの先頭磁気ストライプとＢバーストの先頭磁気ストライプとの間の距離が算出される。例えば、図１７（ｂ）に示されるとおり、ＡバーストＳ５ａ−２の先頭磁気ストライプとＢバーストＳ５ｂ−２先頭磁気ストライプとの間の距離Ｌ２が算出される。
例えば、磁気記録テープが幅方向に広がった場合、例えばサーボトラックＳ１の再生により得られるタイミング信号間の時間が長くなり、その結果、算出される距離Ｌ１も大きくなりうる。磁気記録テープが幅方向において縮んだ場合は、反対に、算出される距離Ｌ１は小さくなりうる。そのため、距離Ｌ１及び距離Ｌ２とアジマス角を用いることで、サーボトラック幅のずれ量を求めることができる。サーボトラック幅のずれ量は、以下の式から求められる。
（サーボトラック幅のずれ量）＝｛（Ｌ１−Ｌ２）／２｝×ｔａｎ（９０°−θ１）
この式において、Ｌ１及びＬ２は、上記で述べた距離Ｌ１及びＬ２であり、θ１は、上記で述べた傾斜角度θ１であり、アジマス角とも言われる。θ１は、カートリッジより取り出した磁気記録テープをフェリコロイド現像液で現像し、万能工具顕微鏡（TOPCON TUM-220ES）及びデータ処理装置（TOPCON CA-1B）を用いて求められる。
サーボトラック幅のずれ量は、標準サーボトラック幅に対する変化量である。標準サーボトラック幅は、磁気記録再生装置が有するサーボリードヘッド幅と同じ幅であってよく、例えば磁気記録媒体１０が準拠する規格など磁気記録媒体１０の種類に応じて決定されてよい。

なお、サーボトラック幅は、例えば以下のとおりに調整することができる。磁気記録媒体１０に生じたひずみを緩和するために、磁気記録媒体１０の乾燥工程及び／又はカレンダー工程（加温領域）において巻き取り張力を低くすることが行われてもよい。また、裁断後のパンケーキ状態及び／又はカートリッジ状態においてひずみを緩和するために、５５℃以上の温度で長時間保管することが行われてもよい。このようにひずみを緩和することで、サーボトラック幅を調整することができる。

（４）磁気記録媒体の製造方法

次に、上述の構成を有する磁気記録媒体１０の製造方法について説明する。まず、非磁性粉及び結着剤などを溶剤に混練及び／又は分散させることにより、下地層形成用塗料を調製する。次に、磁性粉及び結着剤などを溶剤に混練及び／又は分散させることにより、磁性層形成用塗料を調製する。次に、結着剤及び非磁性粉などを溶剤に混練及び／又は分散させることにより、バック層形成用塗料を調製する。磁性層形成用塗料、下地層形成用塗料、及びバック層形成用塗料の調製には、例えば、以下の溶剤、分散装置、及び混練装置を用いることができる。

上述の塗料調製に用いられる溶剤としては、例えばアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、及びシクロヘキサノンなどのケトン系溶媒；例えばメタノール、エタノール、及びプロパノールなどのアルコール系溶媒；例えば酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸プロピル、乳酸エチル、及びエチレングリコールアセテートなどのエステル系溶媒；ジエチレングリコールジメチルエーテル、２−エトキシエタノール、テトラヒドロフラン、及びジオキサンなどのエーテル系溶媒；ベンゼン、トルエン、及びキシレンなどの芳香族炭化水素系溶媒；並びに、メチレンクロライド、エチレンクロライド、四塩化炭素、クロロホルム、及びクロロベンゼンなどのハロゲン化炭化水素系溶媒などが挙げられる。これらのうちの１つが用いられてもよく、又は、２以上の混合物が用いられてもよい。

上述の塗料調製に用いられる混練装置としては、例えば連続二軸混練機、多段階で希釈可能な連続二軸混練機、ニーダー、加圧ニーダー、及びロールニーダーなどの混練装置を用いることができるが、特にこれらの装置に限定されるものではない。また、上述の塗料調製に用いられる分散装置としては、例えばロールミル、ボールミル、横型サンドミル、縦型サンドミル、スパイクミル、ピンミル、タワーミル、パールミル（例えばアイリッヒ社製「ＤＣＰミル」など）、ホモジナイザー、及び超音波分散機などの分散装置を用いることができるが、特にこれらの装置に限定されるものではない。

次に、下地層形成用塗料をベース層１１の一方の主面に塗布して乾燥させることにより、下地層１２を形成する。続いて、この下地層１２上に磁性層形成用塗料を塗布して乾燥させることにより、磁性層１３を下地層１２上に形成する。なお、乾燥の際に、例えばソレノイドコイルにより、磁性粉をベース層１１の厚み方向に磁場配向させる。また、乾燥の際に、例えばソレノイドコイルにより、磁性粉をベース層１１の長手方向（走行方向）に磁場配向させたのちに、ベース層１１の厚み方向に磁場配向させるようにしてもよい。このような磁場配向処理によって、磁性粉の垂直配向度（すなわち角形比Ｓ１）を向上することができる。磁性層１３の形成後、ベース層１１の他方の主面にバック層形成用塗料を塗布して乾燥させることにより、バック層１４を形成する。これにより、磁気記録媒体１０が得られる。

角形比Ｓ１及びＳ２は、例えば、磁性層形成用塗料の塗膜に印加される磁場の強度の調整、磁性層形成用塗料中における固形分の濃度の調整、又は磁性層形成用塗料の塗膜の乾燥条件（例えば乾燥温度及び乾燥時間など）の調整により、所望の値に設定されうる。塗膜に印加される磁場の強度は、磁性粉の保磁力の２倍以上３倍以下であることが好ましい。角形比Ｓ１をさらに高めるためには（すなわち角形比Ｓ２をさらに低めるためには）、磁性層形成用塗料中における磁性粉の分散状態を向上させることが好ましい。また、角形比Ｓ１をさらに高めるためには、磁性粉を磁場配向させるための配向装置に磁性層形成用塗料が入る前の段階で、磁性粉を磁化させておくことも有効である。なお、上記の角形比Ｓ１及びＳ２の調整方法は単独で使用されてもよいし、２以上組み合わされて使用されてもよい。

その後、得られた磁気記録媒体１０にカレンダー処理を行い、磁性層１３の表面を平滑化する。次に、カレンダー処理が施された磁気記録媒体１０をロール状に巻き取ったのち、この状態で磁気記録媒体１０に加熱処理を行うことにより、バック層１４の表面の多数の突部１４Ａを磁性層１３の表面に転写する。これにより、磁性層１３の表面に細孔（多数の孔部１３Ａ）が形成される。

前記加熱処理の温度は、５５℃以上７５℃以下であることが好ましい。この数値範囲内の温度を前記加熱処理の温度として採用することによって、前記突部の形状が磁性層１３に良好に転写される。前記加熱処理の温度が低すぎる場合（例えば５５℃未満）である場合、突部の形状が十分に転写されないことがある。前記加熱処理の温度が高すぎる場合（例えば７５℃超）である場合、細孔量が多くなりすぎ、磁性層１３の表面の潤滑剤が過多になってしまう虞がある。ここで、前記加熱処理の温度は、磁気記録媒体１０を保持する雰囲気の温度である。

前記加熱処理の時間は、１５時間以上４０時間以下であることが好ましい。前記加熱処理の時間をこの数値範囲内とすることにより、前記突部の形状が磁性層１３に良好に転写される。前記加熱処理の時間が短すぎる場合（例えば１５時間未満である場合）、突部の形状が十分に転写されないことがある。生産性の低下の抑制のために、前記加熱処理の時間は例えば４０時間以下とすることが望ましい。

最後に、磁気記録媒体１０を所定の幅（例えば１／２インチ幅）に裁断する。以上により、目的とする磁気記録媒体１０が得られる。磁気記録媒体１０にはサーボパターンが記録される。サーボパターンの記録は、例えば当技術分野で既知のサーボライタにより行われてよい。

以上の製造方法では、バック層１４の表面に設けられた多数の突部１４Ａを、磁性層１３の表面に転写することにより、磁性層１３の表面に細孔が形成されるが、細孔の形成方法はこれに限定されるものではない。例えば、磁性層形成用塗料に含まれる溶剤の種類の調整及び／又は磁性層形成用塗料の乾燥条件の調整によって、磁性層１３の表面に細孔が形成されてもよい。また、例えば磁性層形成用塗料の溶剤が乾燥する過程において、磁性層形成用塗料に含まれる固形物と溶剤の偏在により細孔が形成されうる。また、磁性層形成用塗料を塗布する過程において、磁性層形成用塗料に含まれる溶剤は、下層を塗布乾燥させた際に形成された下地層１２の細孔を通って下地層１２にも吸収されうる。前記塗布後の乾燥工程で下地層１２から磁性層１３を通って溶剤が移動することによって、磁性層１３と下地層１２とを連通する細孔が形成されうる。

（５）記録再生装置

［記録再生装置の構成］

次に、図８を参照して、上述の構成を有する磁気記録媒体１０の記録及び再生を行う記録再生装置３０の構成の一例について説明する。

記録再生装置３０は、磁気記録媒体１０の長手方向に加わるテンションを調整可能な構成を有している。また、記録再生装置３０は、磁気記録媒体カートリッジ１０Ａを装填可能な構成を有している。ここでは、説明を容易とするために、記録再生装置３０が、１つの磁気記録媒体カートリッジ１０Ａを装填可能な構成を有している場合について説明するが、記録再生装置３０が、複数の磁気記録媒体カートリッジ１０Ａを装填可能な構成を有していてもよい。

記録再生装置３０は、ネットワーク４３を介してサーバ４１及びパーソナルコンピュータ（以下「ＰＣ」という。）４２等の情報処理装置に接続されており、これらの情報処理装置から供給されたデータを磁気記録媒体カートリッジ１０Ａに記録可能に構成されている。記録再生装置３０の最短記録波長は、好ましくは１００ｎｍ以下、より好ましくは７５ｎｍ以下、更により好ましくは６０ｎｍ以下、特に好ましくは５０ｎｍ以下である。

記録再生装置３０は、図８に示すように、スピンドル３１と、記録再生装置側のリール３２と、スピンドル駆動装置３３と、リール駆動装置３４と、複数のガイドローラ３５と、ヘッドユニット３６と、通信インターフェース（以下、Ｉ／Ｆ）３７と、制御装置３８とを備えている。

スピンドル３１は、磁気記録媒体カートリッジ１０Ａを装着可能に構成されている。磁気記録媒体カートリッジ１０Ａは、ＬＴＯ（Linear Tape Open）規格に準拠しており、カートリッジケース１０Ｂに磁気記録媒体１０を巻装した単一のリール１０Ｃを回転可能に収容している。磁気記録媒体１０には、サーボ信号としてハの字状のサーボパターンが予め記録されている。リール３２は、磁気記録媒体カートリッジ１０Ａから引き出された磁気記録媒体１０の先端を固定可能に構成されている。

スピンドル駆動装置３３は、スピンドル３１を回転駆動させる装置である。リール駆動装置３４は、リール３２を回転駆動させる装置である。磁気記録媒体１０に対してデータの記録又は再生を行う際には、スピンドル駆動装置３３とリール駆動装置３４とが、スピンドル３１とリール３２とを回転駆動させることによって、磁気記録媒体１０を走行させる。ガイドローラ３５は、磁気記録媒体１０の走行をガイドするためのローラである。

ヘッドユニット３６は、磁気記録媒体１０にデータ信号を記録するための複数の記録ヘッドと、磁気記録媒体１０に記録されているデータ信号を再生するための複数の再生ヘッドと、磁気記録媒体１０に記録されているサーボ信号を再生するための複数のサーボヘッドとを備える。記録ヘッドとしては例えばリング型ヘッドを用いることができるが、記録ヘッドの種類はこれに限定されるものではない。

通信Ｉ／Ｆ３７は、サーバ４１及びＰＣ４２等の情報処理装置と通信するためのものであり、ネットワーク４３に対して接続される。

制御装置３８は、記録再生装置３０の全体を制御する。例えば、制御装置３８は、サーバ４１及びＰＣ４２等の情報処理装置の要求に応じて、情報処理装置から供給されるデータ信号をヘッドユニット３６により磁気記録媒体１０に記録する。また、制御装置３８は、サーバ４１及びＰＣ４２等の情報処理装置の要求に応じて、ヘッドユニット３６により、磁気記録媒体１０に記録されたデータ信号を再生し、情報処理装置に供給する。

制御装置３８は、記録再生装置３０の全体を制御する。例えば、制御装置３８は、サーバ４１およびＰＣ４２等の情報処理装置の要求に応じて、情報 処理装置から供給される
データ信号をヘッドユニット３６により磁気記録媒 体１０に記録する。また、制御装置
３８は、サーバ４１およびＰＣ４２等の情報処理装置の要求に応じて、ヘッドユニット３６により、磁気記録媒体１ ０に記録されたデータ信号を再生し、情報処理装置に供給する。

［記録再生装置の動作］

次に、上記構成を有する記録再生装置３０の動作について説明する。

まず、磁気記録媒体カートリッジ１０Ａを記録再生装置３０に装着し、磁気記録媒体１０の先端を引き出して、複数のガイドローラ３５及びヘッドユニット３６を介してリール３２まで移送し、磁気記録媒体１０の先端をリール３２に取り付ける。

次に、図示しない操作部を操作すると、スピンドル駆動装置３３とリール駆動装置３４とが制御装置３８の制御により駆動され、リール１０Ｃからリール３２へ向けて磁気記録媒体１０が走行されるように、スピンドル３１とリール３２とが同方向に回転される。これにより、磁気記録媒体１０がリール３２に巻き取られつつ、ヘッドユニット３６によって、磁気記録媒体１０への情報の記録または磁気記録媒体１０に記録された情報の再生が行われる。

また、リール１０Ｃに磁気記録媒体１０を巻き戻す場合は、上記とは逆方向に、スピンドル３１とリール３２とが回転駆動されることにより、磁気記録媒体１０がリール３２からリール１０Ｃに走行される。この巻き戻しの際にも、ヘッドユニット３６による、磁気記録媒体１０への情報の記録または磁気記録媒体１０に記録された情報の再生が行われる。

（６）カートリッジ

［カートリッジの構成］

本技術は、本技術に従う磁気記録媒体を含む磁気記録カートリッジ（テープカートリッジともいう）も提供する。当該磁気記録カートリッジ内において、前記磁気記録媒体は、例えばリールに巻き付けられていてよい。当該磁気記録カートリッジは、例えば 記録再生装置と通信を行う通信部と、記憶部と、前記通信部を介して前記記録再生装置から受信した情報を記憶部に記憶し、かつ、前記記録再生装置の要求に応じて、前記記憶部から情報を読み出し、通信部を介して記録再生装置に送信する制御部と、を備えていてよい。前記情報は、磁気記録媒体の長手方向にかかるテンションを調整するための調整情報を含みうる。

図１３を参照して、上述の構成を有する磁気記録媒体１０を備えるカートリッジ１０Ａの構成の一例について説明する。

図１３は、カートリッジ１０Ａの構成の一例を示す分解斜視図である。カートリッジ１０Ａは、ＬＴＯ（Linear Tape-Open）規格に準拠した磁気記録媒体カートリッジであり、下シェル２１２Ａと上シェル２１２Ｂとで構成されるカートリッジケース１０Ｂの内部に、磁気テープ（テープ状の磁気記録媒体）１０が巻かれたリール１０Ｃと、リール１０Ｃの回転をロックするためのリールロック２１４およびリールスプリング２１５と、リール１０Ｃのロック状態を解除するためのスパイダ２１６と、下シェル２１２Ａと上シェル２１２Ｂに跨ってカートリッジケース１０Ｂに設けられたテープ引出口２１２Ｃを開閉するスライドドア２１７と、スライドドア２１７をテープ引出口２１２Ｃの閉位置に付勢するドアスプリング２１８と、誤消去を防止するためのライトプロテクト２１９と、カートリッジメモリ２１１とを備える。リール１０Ｃは、中心部に開口を有する略円盤状であって、プラスチック等の硬質の材料からなるリールハブ２１３Ａとフランジ２１３Ｂとにより構成される。磁気テープ１０の一端部には、リーダーピン２２０が設けられている。

カートリッジメモリ２１１は、カートリッジ１０Ａの１つの角部の近傍に設けられている。カートリッジ１０Ａが記録再生装置３０にロードされた状態において、カートリッジメモリ２１１は、記録再生装置３０のリーダライタ（図示せず）と対向するようになっている。カートリッジメモリ２１１は、ＬＴＯ規格に準拠した無線通信規格で記録再生装置３０、具体的にはリーダライタ（図示せず）と通信を行う。

［カートリッジメモリの構成］

図１４を参照して、カートリッジメモリ２１１の構成の一例について説明する。

図１４は、カートリッジメモリ２１１の構成の一例を示すブロック図である。カートリッジメモリ２１１は、規定の通信規格でリーダライタ（図示せず）と通信を行うアンテナコイル（通信部）３３１と、アンテナコイル３３１により受信した電波から、誘導起電力を用いて発電、整流して電源を生成する整流・電源回路３３２と、アンテナコイル３３１により受信した電波から、同じく誘導起電力を用いてクロックを生成するクロック回路３３３と、アンテナコイル３３１により受信した電波の検波およびアンテナコイル３３１により送信する信号の変調を行う検波・変調回路３３４と、検波・変調回路３３４から抽出されるデジタル信号から、コマンドおよびデータを判別し、これを処理するための論理回路等で構成されるコントローラ（制御部）３３５と、情報を記憶するメモリ（記憶部）３３６とを備える。また、カートリッジメモリ２１１は、アンテナコイル３３１に対して並列に接続されたキャパシタ３３７を備え、アンテナコイル３３１とキャパシタ３３７により共振回路が構成される。

メモリ３３６は、カートリッジ１０Ａに関連する情報等を記憶する。メモリ３３６は、不揮発性メモリ（Non Volatile Memory：ＮＶＭ）である。メモリ３３６の記憶容量は、好ましくは約３２ＫＢ以上である。例えば、カートリッジ１０Ａが次世代以降のＬＴＯフォーマット規格に準拠したものである場合には、メモリ３３６は、約３２ＫＢの記憶容量を有する。

メモリ３３６は、第１の記憶領域３３６Ａと第２の記憶領域３３６Ｂとを有する。第１の記憶領域３３６Ａは、ＬＴＯ８以前のＬＴＯ規格のカートリッジメモリ（以下「従来のカートリッジメモリ」という。）の記憶領域に対応しており、ＬＴＯ８以前のＬＴＯ規格に準拠した情報を記憶するための領域である。ＬＴＯ８以前のＬＴＯ規格に準拠した情報は、例えば製造情報（例えばカートリッジ１０Ａの固有番号等）、使用履歴（例えばテープ引出回数（Thread Count）等）等である。

第２の記憶領域３３６Ｂは、従来のカートリッジメモリの記憶領域に対する拡張記憶領域に相当する。第２の記憶領域３３６Ｂは、付加情報を記憶するための領域である。ここで、付加情報とは、ＬＴＯ８以前のＬＴＯ規格で規定されていない、カートリッジ１０Ａに関連する情報を意味する。付加情報の例としては、テンション調整情報、管理台帳データ、Index情報、または磁気テープ１０に記憶された動画のサムネイル情報等が挙げられるが、これらのデータに限定されるものではない。テンション調整情報は、磁気テープ１０に対するデータ記録時における、隣接するサーボバンド間の距離（隣接するサーボバンドに記録されたサーボパターン間の距離）を含む。隣接するサーボバンド間の距離は、磁気テープ１０の幅に関連する幅関連情報の一例である。サーボバンド間の距離の詳細については後述する。以下の説明において、第１の記憶領域３３６Ａに記憶される情報を「第１の情報」といい、第２の記憶領域３３６Ｂに記憶される情報を「第２の情報」ということがある。

メモリ３３６は、複数のバンクを有していてもよい。この場合、複数のバンクのうちの一部のバンクにより第１の記憶領域３３６Ａが構成され、残りのバンクにより第２の記憶領域３３６Ｂが構成されてもよい。具体的には、例えば、カートリッジ１０Ａが次世代以降のＬＴＯフォーマットに準拠したものである場合には、メモリ３３６は約１６ＫＢの記憶容量を有する２つのバンクを有し、２つのバンクのうちの一方のバンクにより第１の記憶領域３３６Ａが構成され、他のバンクにより第２の記憶領域３３６Ｂが構成されてもよい。

アンテナコイル３３１は、電磁誘導により誘起電圧を誘起する。コントローラ３３５は、アンテナコイル３３１を介して、規定の通信規格で記録再生装置３０と通信を行う。具体的には、例えば、相互認証、コマンドの送受信またはデータのやり取り等を行う。

コントローラ３３５は、アンテナコイル３３１を介して記録再生装置３０から受信した情報をメモリ３３６に記憶する。コントローラ３３５は、記録再生装置３０の要求に応じて、メモリ３３６から情報を読み出し、アンテナコイル３３１を介して記録再生装置３０に送信する。

（７）効果

本技術に従う磁気記録媒体１０は、磁性層１３、下地層１２、ベース層１１、及び及びバック層１４を含み、磁性層１３にサーボパターンが記録されており、当該サーボパターンのサーボ信号の再生波形から得られる、サーボバンドの非直線性を示す統計値σ_SWが２４ｎｍ以下であり、ベース層１１は、ポリエステルを主たる成分として含み、磁気記録媒体１０の平均厚みｔ_Ｔが５．６μｍ以下であり、磁気記録媒体１０は潤滑剤を含み、且つ磁気記録媒体１０に細孔が形成されており、当該細孔の平均直径は６ｎｍ以上１１ｎｍ以下である。これにより、磁気記録媒体１０は、薄いにもかかわらず、走行安定性に優れている。磁気記録媒体１０の優れた走行安定性は、前記特定の細孔及び前記特定のサーボパターンの組み合わせによりもたらされると考えられる。
磁気記録媒体１０は、好ましくは垂直方向における角形比が６５％以上であり、前記磁気記録媒体の磁性層側表面の算術平均粗さＲ_ａが２．５ｎｍ以下であり、且つ、前記磁性層の平均厚みｔ_ｍが８０ｎｍ以下である。磁性層に関するこれらの構成が、全厚が薄い磁気記録媒体において、特には上記細孔及び上記サーボパターンを有する磁性層を含み且つ全厚が薄い磁気記録媒体において、記録再生特性を向上するために特に適している。

（８）変形例

［変形例１］

磁気記録媒体１０が、図９に示すように、ベース層１１の少なくとも一方の表面に設けられたバリア層１５をさらに備えるようにしてもよい。バリア層１５は、環境に応じたベース層１１の寸法変化を抑える為の層である。例えば、その寸法変化を及ぼす原因の一例としてベース層１１の吸湿性が挙げられ、バリア層１５によりベース層１１への水分の侵入速度を低減できる。バリア層１５は、金属又は金属酸化物を含む。金属としては、例えば、Ａｌ、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｙ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｂａ、Ｐｔ、Ａｕ、及びＴａのうちの少なくとも１種を用いることができる。金属酸化物としては、例えば、Ａｌ_２Ｏ_３、ＣｕＯ、ＣｏＯ、ＳｉＯ_２、Ｃｒ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２、Ｔａ_２Ｏ_５、及びＺｒＯ_２のうちの少なくとも１種を用いることができるし、上記金属の酸化物の何れかを用いることもできる。またダイヤモンド状炭素（Diamond-Like Carbon：ＤＬＣ）又はダイヤモンドなどを用いること
もできる。

バリア層１５の平均厚みは、好ましくは２０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下、より好ましくは５０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下である。バリア層１５の平均厚みは、磁性層１３の平均厚みｔ_ｍと同様にして求められる。但し、ＴＥＭ像の倍率は、バリア層１５の厚みに応じて適宜調整される。

［変形例２］

磁気記録媒体１０は、ライブラリ装置に組み込まれてもよい。すなわち、本技術は、少なくとも一つの磁気記録媒体１０を備えているライブラリ装置も提供する。当該ライブラリ装置は、磁気記録媒体１０の長手方向に加わるテンションを調整可能な構成を有しており、上記で述べた記録再生装置３０を複数備えるものであってもよい。

３．実施例

以下、実施例により本技術を具体的に説明するが、本技術はこれらの実施例のみに限定されるものではない。

以下の実施例及び比較例において、磁気テープの平均厚みｔ_Ｔ、磁性層の表面粗度（磁性層側表面の算術平均粗さ）Ｒ_ａ、角形比Ｓ２、磁性層の平均厚みｔ_ｍ、細孔の平均直径、サーボバンドの非直線性を示す統計値σ_SW、ＳＮＲ、摩擦係数比（μ_Ｂ／μ_Ａ）、及び摩擦係数比（μ_{Ｃ（１０００）}／μ_Ｃ（５））は、「２．本技術の実施形態（塗布型の磁気記録媒体の例）」にて説明した測定方法により求められた値である。

３−１．走行安定性及びＳＮＲの評価

（１）磁気テープの製造
以下に述べるとおり、実施例１〜１６及び比較例１〜３の磁気テープを製造した。下記表２に、これら磁気テープの磁性粉の種類、磁気テープの平均厚みｔ_Ｔ、磁性層の表面粗度（磁性面粗度）Ｒ_ａ、角形比Ｓ２、磁性層の平均厚みｔ_ｍ、細孔の平均直径、及びサーボバンドの非直線性を示す統計値σ_SWがまとめられている。

［実施例１］

（磁性層形成用塗料の調製工程）
磁性層形成用塗料を以下のようにして調製した。まず、下記配合の第１組成物をエクストルーダで混練した。次に、ディスパーを備えた攪拌タンクに、混練した第１組成物と、下記配合の第２組成物を加えて予備混合を行った。続いて、さらにサンドミル混合を行い、フィルター処理を行い、磁性層形成用塗料を調製した。

（第１組成物）
バリウムフェライト（ＢａＦｅ₁₂Ｏ₁₉）粒子の粉末（六角板状、平均粒子体積１９５０ｎｍ³）：１００質量部
塩化ビニル系樹脂のシクロヘキサノン溶液：４２質量部
（当該溶液の組成は、樹脂分３０質量％及びシクロヘキサノン７０質量％である。塩化ビニル系樹脂の詳細は以下のとおりであった：重合度３００、Ｍｎ＝１００００、極性基としてＯＳＯ_３Ｋ＝０．０７ｍｍｏｌ／ｇ、２級ＯＨ＝０．３ｍｍｏｌ／ｇを含有する。）
酸化アルミニウム粉末：５質量部
（α−Ａｌ_２Ｏ_３、平均粒径０．１μｍ）
カーボンブラック：２質量部
（東海カーボン社製、商品名：シーストＴＡ）

（第２組成物）
塩化ビニル系樹脂のシクロヘキサノン溶液：３質量部
（当該溶液の組成は、樹脂分３０質量％及びシクロヘキサノン７０質量％である。）
ｎ−ブチルステアレート：２質量部
メチルエチルケトン：１２１．３質量部
トルエン：１２１．３質量部
シクロヘキサノン：６０．７質量部

最後に、上述のようにして調製した磁性層形成用塗料に、硬化剤としてポリイソシアネート（商品名：コロネートＬ、東ソー株式会社製）：４質量部と、潤滑剤としてステアリン酸：２質量部とを添加した。

（下地層形成用塗料の調製工程）
下地層形成用塗料を以下のようにして調製した。まず、下記配合の第３組成物をエクストルーダで混練した。次に、ディスパーを備えた攪拌タンクに、混練した第３組成物と、下記配合の第４組成物を加えて予備混合を行った。続いて、さらにサンドミル混合を行い、フィルター処理を行い、下地層形成用塗料を調製した。

（第３組成物）
針状酸化鉄粉末：１００質量部
（α−Ｆｅ₂Ｏ₃、平均長軸長０．１５μｍ）
塩化ビニル系樹脂のシクロヘキサノン溶液：６０．６質量部
（当該溶液の組成は、樹脂分３０質量％及びシクロヘキサノン７０質量％である。）
カーボンブラック：１０質量部
（平均粒径２０ｎｍ）

（第４組成物）
ポリウレタン系樹脂ＵＲ８２００（東洋紡績製）：１８．５質量部
ｎ−ブチルステアレート：２質量部
メチルエチルケトン：１０８．２質量部
トルエン：１０８．２質量部
シクロヘキサノン：１８．５質量部

最後に、上述のようにして調製した下地層形成用塗料に、硬化剤としてポリイソシアネート（商品名：コロネートＬ、東ソー株式会社製）：４質量部と、潤滑剤としてステアリン酸：２質量部とを添加した。

（バック層形成用塗料の調製工程）
バック層形成用塗料を以下のようにして調製した。下記原料を、ディスパーを備えた攪拌タンクで混合を行い、フィルター処理を行うことで、バック層形成用塗料を調製した。
小粒径のカーボンブラックの粉末（平均粒径（Ｄ５０）２０ｎｍ）：９０ 質量部
大粒径のカーボンブラックの粉末（平均粒径（Ｄ５０）２７０ｎｍ）：１ ０質量部
ポリエステルポリウレタン：１００質量部
（東ソー株式会社製、商品名：Ｎ−２３０４）
メチルエチルケトン：５００質量部
トルエン：４００質量部
シクロヘキサノン：１００質量部

（塗布工程）
上述のようにして調製した磁性層形成用塗料および下地層形成用塗料を用いて、非磁性支持体である、平均厚み４．１２μｍ、長尺のポレエチレンナフタレートフィルム（以下「ＰＥＮフィルム」という。）の一方の主面上に、乾燥及びカレンダー後の平均厚みが１．０μｍとなるように下地層を以下のようにして形成し、そして、乾燥及びカレンダー後の平均厚みが８０ｎｍとなるように磁性層を以下のようにして形成した。まず、ＰＥＮフィルムの一方の主面上に下地層形成用塗料を塗布し、そして乾燥させることにより、下地層を形成した。次に、下地層上に磁性層形成用塗料を塗布し、そして乾燥させることにより、磁性層を形成した。なお、磁性層形成用塗料の乾燥の際に、ソレノイドコイルにより、磁性粉をフィルムの厚み方向に磁場配向させた。また、磁性層形成用塗料の乾燥条件（乾燥温度及び乾燥時間）を調整し、磁気テープの厚み方向（垂直方向）における角形比Ｓ１及び長手方向における角形比Ｓ２を表２に示す値に設定した。続いて、ＰＥＮフィルムの他方の主面上にバック層形成用塗料を塗布し、そして乾燥させることにより、平均厚み０．４μｍのバック層を形成した。これにより、磁気テープが得られた。

（カレンダー工程、転写工程）
続いて、カレンダー処理を行い、磁性層の表面を平滑化した。次に、得られた磁気テープをロール状に巻き取ったのち、この状態で磁気テープに６０℃、１０時間の加熱処理を行った。そして、内周側に位置している端部が反対に外周側に位置するように、磁気テープをロール状に巻き直したのち、この状態で磁気テープに６０℃、１０時間の加熱処理を再度行った。これにより、バック層の表面の多数の突部が磁性層の表面に転写され、磁性層の表面に多数の孔部が形成された。

（裁断工程）
上述のようにして得られた磁気テープを１／２インチ（１２．６５ｍｍ） 幅に裁断した。これにより、目的とする長尺状の磁気テープ（平均厚み５．６μｍ）が得られた。

（サーボパターンの記録）
当該１／２インチ幅の磁気テープをカートリッジケース内に設けられたリールに巻き付けて、磁気記録カートリッジを得た。当該磁気テープに、サーボトラックライタによってサーボパターンを記録した。当該サーボパターンは、ＬＴＯ−８規格に従うものであった。当該サーボトラックライタは、特開２００６−１２７７３０号公報において同文献の図２６を参照して説明される磁気ヘッドをサーボ信号書込ヘッドとして有する、国際公開第２０１９／０９３４６９号に記載されるサーボライタ（特には同文献の図１を参照して説明されたサーボライタ）であった。以下で、当該サーボトラックライタの概要を図１２及び１３を参照しながら説明する。当該サーボトラックライタの詳細についてはこれら２つの文献を参照されたい。
図１２は、当該サーボトラックライタの模式図であり、国際公開第２０１９／０９３４６９号の図１に対応する。図１２に示されるとおり、サーボトラックライタ１１０は、送出リール１１１と、巻取リール１１２と、キャプスタン１１３Ａ、１１４Ａと、ピンチローラ１１３Ｂ、１１４Ｂと、ガイドローラ１１５Ａ、１１５Ｂと、研磨部１１６と、ダスティング部１１７と、テンション調整部１１８と、サーボ信号書込ヘッド１１９と、サーボ信号読取ヘッド１２０と、プリアンプ１２１と、制御装置１２２と、パルス発生回路１２３と、駆動装置１２４とを備える。このサーボトラックライタ１１０は、長尺の磁気テープＭＴのサーボバンドにサーボ信号を書き込むための装置である。
図１３は、サーボ信号書込ヘッド１１９の模式図であり、特開２００６−１２７７３０号公報の図２６に対応する。図１３のＡに示されるとおり、サーボ信号書込ヘッド１１９は、ヘッドチップ１３２を有し、このヘッドチップ１３２の上面に、リニア型磁気テープ（図示せず）に対する摺動面１３４を有し、この摺動面１３４内に、少なくとも、一部がサーボ信号記録用とされた記録用素子からなる磁気ヘッド部１３５と、周囲が閉じられた有底キャビティ１３６とが形成される。
サーボ信号書込ヘッド１１９の摺動面１３４は、図１３のＢに示されるとおり、少なくとも一部がフラット面とされ、この摺動面１３４に対向配置されるリニア型磁気テープ（図示せず）は、走行時には、磁気ヘッド摺動面１３４のエッジ部によって近傍の空気をかき取られ、更に有底キャビティ１３６において減圧されることにより、摺動面３４とのスペーシングがより小とされる。
サーボトラックライタ１１０に搭載されているキャビティを有するサーボ信号書込ヘッド１１９と同ヘッドに隣接するガイドローラ１１５Ａ及び１１５Ｂの距離を調整し且つサーボ信号書込ヘッド１１９へのテープ侵入角度を調整することによって、サーボパターンを記録する際のサーボ信号書込ヘッド１１９とテープとの間の摩擦を調整し、これにより磁気テープのσ_ｓｗが２３ｎｍへと調整された。

［実施例２］
ＰＥＮフィルムの厚みを変更して磁気記録媒体の平均厚みｔ_Ｔを５．０μｍとしたこと以外は実施例１と同じ方法で、サーボパターンが記録された磁気テープを製造した。

［実施例３］
カレンダー工程の圧力を高くすることによって磁性面の磁性層側表面の算術平均粗さＲ_ａを２．２ｎｍに変更したこと以外は実施例１と同じ方法で、サーボパターンが記録された磁気テープを製造した。

［実施例４］
磁性層形成用塗料に対する磁場の印加時間を調整し磁気テープの厚み方向（垂直方向）における角形比Ｓ２を７０％に設定したこと以外は実施例１と同じ方法で、サーボパターンが記録された磁気テープを製造した。

［実施例５］
磁性層の平均厚みを７０ｎｍに変更したこと以外は実施例１と同じ方法で、サーボパターンが記録された磁気テープを製造した。

［実施例６］
磁性層の平均厚みを５０ｎｍに変更したこと以外は実施例１と同じ方法で、サーボパターンが記録された磁気テープを製造した。

［実施例７］
カレンダー処理後の加熱処理における加熱温度を下げて細孔の平均直径を６ｎｍに変更したこと以外は実施例１と同じ方法で、サーボパターンが記録された磁気テープを製造した。

［実施例８］
カレンダー処理後の加熱処理における加熱温度を上げて細孔の平均直径を１１ｎｍに変更したこと以外は実施例１と同じ方法で、サーボパターンが記録された磁気テープを製造した。

［実施例９］
実施例１において述べたとおりのサーボパターンの記録においてサーボ信号書込ヘッド１１９とテープとの間の摩擦を減らすことによって統計値σ_SWを２０ｎｍに変更したこと以外は実施例１と同じ方法で、サーボパターンが記録された磁気テープを製造した。

［実施例１０］
サーボトラックライタ１１０に搭載されているサーボ信号書込ヘッド１１９と同ヘッドに隣接するガイドローラ１１５Ａ及び１１５Ｂの距離をさらに調整することによってさらに摩擦を減らしたこと以外は実施例９と同じ方法で、サーボパターンが記録された磁気テープを得た。当該磁気テープの統計値σ_SWは１５ｎｍであった。

［実施例１１］
磁性層に含まれる磁性粉をバリウムフェライト粒子の粉末からストロンチウムフェライトの粒子の粉末に変更したこと以外は実施例１と同じ方法で、サーボパターンが記録された磁気テープを得た。

［実施例１２及び１３］
磁性層に含まれる磁性粉をバリウムフェライト粒子の粉末からε酸化鉄ナノ粒子の粉末又はコバルト酸化鉄の粉末に変更したこと以外は実施例１と同じ方法で、サーボパターンが記録された磁気テープを得た。

［実施例１４］
塗膜乾燥工程で乾燥温度を高くすることによって磁性層側表面の算術平均粗さＲ_ａを３．０ｎｍに変更したこと以外は、実施例１と同じ方法で、サーボパターンが記録された磁気テープを得た。

［実施例１５］
磁性層形成用塗料に対する磁場の印加時間を調整し磁気テープの厚み方向（垂直方向）における角形比Ｓ２を６０％に設定したこと以外は実施例１と同じ方法で、サーボパターンが記録された磁気テープを得た。

［実施例１６］
磁性層の平均厚みを９０ｎｍに変更したこと以外は実施例１と同じ方法で、サーボパターンが記録された磁気テープを得た。

［比較例１］
サーボライト時の磁気テープの張力を高くすることによってサーボバンドの非直線性を示す統計値σ_ＳＷを２５ｎｍに変更したこと以外は、実施例１と同じ方法で、サーボパターンが記録された磁気テープを得た。

［比較例２］
カレンダー処理後の加熱処理における加熱温度を下げて細孔の平均直径を５ｎｍに変更したこと以外は実施例１と同じ方法で、サーボパターンが記録された磁気テープを得た。

［比較例３］
カレンダー処理後の加熱処理における加熱温度を上げて細孔の平均直径を１２ｎｍに変更したこと以外は実施例１と同じ方法で、サーボパターンが記録された磁気テープを得た。

（２）評価
上記（１）において製造された実施例１〜１６及び比較例１〜３の磁気テープについて、摩擦係数比（μ_Ｂ／μ_Ａ）及び摩擦係数比（μ_{Ｃ（１０００）}／μ_Ｃ（５））を測定した。これらの測定は、「２．本技術の実施形態（塗布型の磁気記録媒体の例）」にて説明した測定方法により行われた。これら摩擦係数比が高いこと（例えば２．０以上であること）は、磁気テープの走行時における相対差ｐが高くなることをもたらしうる。相対差ｐが高すぎる場合は、走行安定性が悪化し、フェイル状態になることもある。
これら摩擦係数比の測定結果は下記表２に示されている。

さらに、実施例１〜１６及び比較例１〜３の磁気テープについてＳＮＲ及び走行安定性を評価した。評価結果は下記表２に示されている。ＳＮＲ及び走行安定性の評価方法は以下のとおりであった。

（ＳＮＲ）

まず、記録／再生ヘッド及び記録／再生アンプを取り付けた１／２インチテープ走行装置（Mountain Engineering II社製、MTS Transport）を用いて、２５℃環境における磁気テープのＳＮＲ（電磁変換特性）を測定した。記録ヘッドにはギャップ長０．２μｍのリングヘッドを用い、再生ヘッドにはシールド間距離０．１μｍのＧＭＲヘッドを用いた。相対速度は６ｍ／ｓ、記録クロック周波数は１６０ＭＨｚ、記録トラック幅は２．０μｍとした。また、ＳＮＲは、下記の文献に記載の方法に基づき算出した。ＳＮＲについて、実施例１の値を基準として、それよりもＳＮＲが上昇したか又は低下したかという相対的な評価を行った。
Y. Okazaki: ”An Error Rate Emulation System.”, IEEE Trans. Man., 31,pp.3093-3095(1995)

（走行安定性）

磁気テープをＬＴＯカートリッジに組み込む。当該ＬＴＯカートリッジに対して、ＳＣＳＩ及びファイバーチャネルを介してサーバ及びＰＣと接続されたＬＴＯドライブを用いて磁気テープ全面にデータを記録し、再生する、いわゆるフルボリュームテストを実施した。当該フルボリュームテストでは、データの記録状態が逐次監視されており、問題が発生した場合は当該問題に関する情報が記録された。

当該フルボリュームテストにおいて、磁気テープの走行状態が不安定であると、ドライブは自動的に記録を一時停止する、いわゆるストップライトを行う。当該ストップライトが行われると、データの転送レートが落ちる。また、当該フルボリュームテストにおいて、磁気テープの走行状態がさらに不安定になると、ドライブは自動的に記録を完全に停止し、いわゆるフェイル状態になる。
実施例１〜１６及び比較例１〜３の磁気テープそれぞれについて、当該フルボリュームテストを連続で５回繰り返し実施し、「フルボリュームテスト５回目の転送レートの相対値」及び「フェイルの有無」が記録された。フルボリュームテストにおける転送レートの相対値は、評価に使用したドライブの最高性能が発揮された場合の転送レートに対する、フルボリュームテスト１回あたりの平均転送レートの割合である。当該ドライブの最高性能が発揮された場合を１００％とする。例えば、LTO8 ドライブを使用してLTO8 フォーマットで記録を行った場合において、当該LTO8 ドライブが最高性能を発揮した時の転送レ
ートは350 MB/sec である。「フェイルの有無」は、上記のとおりのフェイル状態になったか否かである。
以下表１に示される４段階の評価基準に従い、各磁気テープを評価した。表１に示されるとおり、レベル４が最良の走行安定性を有することを意味し、レベル１が最悪の走行安定性を有することを意味する。例えば、磁気テープの転送レートの相対値が５回目のフルボリュームテスト全てにおいて９５％以上１００％以下であり且つフェイルが無い場合に、当該磁気テープはレベル４であると評価される。レベル４又は３の評価（すなわち、フルボリュームテスト５回目における磁気テープの転送レートが８０％以上であること）が、磁気テープの良好な走行安定性の観点から望ましい。
各磁気テープの走行安定性の評価結果は、表２の「走行安定性のレベル」の列に示されている。

表２に示される結果より、以下のことが分かる。

実施例１〜１６の磁気テープはいずれも、テープ全厚ｔ_Ｔが５．６μｍ以下であるにもかかわらず、走行安定性の評価結果が３又は４であった。よって、本技術に従う磁気記録媒体は、磁気記録媒体の全厚が薄いにもかかわらず、走行安定性に優れていることがわかる。

また、実施例１及び７〜１０の結果と比較例１〜３の結果とを比較すると、統計値σ_ＳＷが２３ｎｍ以下であり且つ細孔の平均直径が６ｎｍ〜１１ｎｍであることによって、走行安定性が向上することが分かる。
例えば、実施例１と比較例１とを比較すると、前者では、統計値σ_ＳＷが２３ｎｍであり、走行安定性の評価結果が３であったのに対し、後者では、統計値σ_ＳＷが２５ｎｍであり、走行安定性の評価結果が２であった。加えて、統計値σ_ＳＷが実施例１の場合よりも低い実施例９及び１０では、走行安定性の評価結果が４であった。これらの結果より、統計値σ_ＳＷを例えば２３ｎｍ以下とすることが、磁気記録媒体の走行安定性の向上に寄与していることが分かる。
例えば、実施例１と比較例２及び３とを比較すると、前者では、細孔の平均直径が８ｎｍであり、走行安定性の評価結果が３であったのに対し、後者ではそれぞれ５ｎｍ及び１２ｎｍであり、走行安定性の評価結果がいずれも２であった。加えて、細孔の平均直径が６ｎｍ及び１１ｎｍである実施例７及び８では、走行安定性の評価結果が３であった。これらの結果より、細孔の平均直径を例えば６ｎｍ〜１１ｎｍとすることが、磁気記録媒体の走行安定性の向上に寄与していることが分かる。

また、実施例１及び３〜６の結果と実施例１４〜１６の結果とを比較すると、磁性面粗度Ｒ_ａが２．５ｎｍ以下であり、角形比Ｓ２が６５％以上であり、且つ、磁性層の厚みが８０ｎｍ以下であることによって、ＳＮＲが改善され、すなわち記録再生特性が向上することが分かる。
例えば実施例１と実施例１４とを比較すると、前者では磁性面粗度Ｒ_ａが２．５ｎｍであり、ＳＮＲが０．０であったのに対し、後者では、磁性面粗度Ｒ_ａが３．０ｎｍであり、ＳＮＲが−０．７であった。加えて、磁性面粗度Ｒ_ａが実施例１の場合よりも低い実施例３では、ＳＮＲが０．３であった。これらの結果より、磁性面粗度Ｒ_ａを例えば２．５ｎｍ以下とすることが、磁気記録媒体の記録再生特性の向上に寄与していることが分かる。
例えば実施例１と実施例１５とを比較すると、前者では角形比が６５％であり、ＳＮＲが０．０であったのに対し、後者では、角形比が６０％であり、ＳＮＲが−０．７であった。加えて、角形比が実施例１の場合よりも高い実施例４では、ＳＮＲが０．０であった。これらの結果より、角形比を例えば６５％以上とすることが、磁気記録媒体の記録再生特性の向上に寄与していることが分かる。
例えば実施例１と実施例１６とを比較すると、前者では磁性層の厚みが８０ｎｍであり、ＳＮＲが０．０であったのに対し、後者では、磁性層の厚みが９０ｎｍであり、ＳＮＲが−０．７であった。加えて、磁性層の厚みが実施例１の場合よりも小さい実施例５及び６では、ＳＮＲが０．０であった。これらの結果より、磁性層の厚みを例えば８０ｎｍ以下とすることが、磁気記録媒体の記録再生特性の向上に寄与していることが分かる。

実施例２の磁気テープは、実施例１よりもテープ全厚ｔ_Ｔが小さいにもかかわらず、実施例１と同程度の走行安定性及び記録再生特性を有する。そのため、磁気テープの全厚を実施例１からさらに薄くしても、本技術の効果が奏されることが分かる。

実施例１１〜１３の磁気テープは、実施例１と磁性粉の種類が異なるが、実施例１と同程度の走行安定性及び記録再生特性を有する。そのため、磁性粉の種類を変更しても、本技術の効果が奏されることが分かる。

実施例１〜１６の磁気テープの摩擦係数比（μ_Ｂ／μ_Ａ）はいずれも１．１〜１．４であり、これら磁気テープは、走行時の張力変動による動摩擦係数の変化が小さく、張力が変動した場合においても走行安定性に優れていることが分かる。
また、実施例１〜１６の磁気テープと比較例２及び３とを対比すると、細孔直径が当該優れた走行安定性に寄与していると考えられる。

実施例１〜１６の磁気テープの摩擦係数比（μ_{Ｃ（１０００）}／μ_Ｃ（５））はいずれも１．１〜１．４であり、これら磁気テープは、多数回走行による動摩擦係数の変化が小さく、多数回走行した場合においても走行安定性に優れていることが分かる。
また、実施例１〜１６の磁気テープと比較例２及び３とを対比すると、細孔直径が当該優れた走行安定性に寄与していると考えられる。

３−２．巻内側及び巻外側のサーボトラック幅の差

［実施例１］
実施例１において得られた磁気記録カートリッジの巻内側及び巻外側のサーボトラック幅の差を測定した。当該差は０．２５μｍであった。

［実施例１７］
サーボパターンを記録するときの張力を変更したこと以外は、実施例１に記載されたとおりに磁気記録カートリッジを得た。当該張力の変更は、サーボパターンを記録開始段階での張力よりも、記録終了段階での張力を高くするというものであった。このようにして得られた磁気記録カートリッジの巻内側及び巻外側のサーボトラック幅の差を測定した。当該差は０．００μｍであった。

実施例１７の磁気記録カートリッジに含まれる磁気テープの平均厚みｔ_Ｔ、磁性層の表面粗度（磁性面粗度）Ｒ_ａ、角形比Ｓ２、磁性層の平均厚みｔ_ｍ、細孔の平均直径、及びサーボバンドの非直線性を示す統計値σ_SW、ＳＮＲの評価結果、摩擦係数比（μ_Ｂ／μ_Ａ）、摩擦係数比（μ_{Ｃ（１０００）}／μ_Ｃ（５））、走行安定性の評価結果はいずれも、実施例１の磁気記録カートリッジに含まれる磁気テープと同じであった。

実施例１及び１７の磁気記録カートリッジについて、巻き状態の評価（しわの有無の評価）を行った。当該評価は、以下のとおりに行われた。

各磁気記録カートリッジ内の磁気記録テープが記録再生装置で往復走行された。そして、往復走行時に上記のハの字の磁気パターン列の２列以上を同時に再生し、それぞれの列の再生波形の形状から、走行時の磁気パターン列の間隔を連続的に計測した。尚、走行時には、この計測された磁気パターン列の間隔情報に基づき、スピンドル駆動装置とリール駆動装置の回転駆動を制御し、磁気パターン列の間隔が規定の幅、またはほぼ規定の幅となるように、磁気テープの長手方向のテンションを自動で調整する様にした。

前記記録再生装置による往復走行は、恒温恒湿槽中で行った。往復走行の速度は５ｍ／ｓｅｃであった。往復走行中の温湿度は、上記の往復走行とは独立に、温度範囲１０℃〜４５℃、相対湿度範囲１０％〜８０％で、予め組まれた環境変化プログラム（例：１０℃１０％→２９℃８０％→１０℃１０％を２回繰り返す。１０℃１０％から２９℃８０％へ２時間で変化させ、且つ、２９℃８０％→１０℃１０％へ２時間で変化させる。）に従って、徐々に且つ繰り返し変化させた。当該往復走行が、「予め組まれた環境変化プログラム」が終了するまで繰り返された。

前記記録再生装置によえる往復走行の終了後、各磁気記録カートリッジ中の磁気記録媒体の巻き状態を側面から目視で観察した。当該観察により、しわの発生による巻き状態の乱れの有無を確認することができる。当該観察において、以下の基準にしたがって巻き状態を判定した。
良好：しわに起因する巻き状態の乱れがない。
不良：しわに起因する巻き状態の乱れがある。

前記観察の結果、実施例１の磁気記録カートリッジの巻き状態は良好であった。一方で、実施例１７の磁気記録カートリッジの巻き状態は不良であった。これらの結果より、巻内側及び巻外側のサーボトラック幅の差が０．００μｍ超、好ましくは０．０１μｍ以上、より好ましくは０．０２μｍ以上、さらにより好ましくは０．０５μｍ以上であることによって、巻き状態が良好になること（カートリッジ内のリールにまかれた場合にしわが発生しないこと）が分かる。

以上、本技術の実施形態及び実施例について具体的に説明したが、本技術は、上述の実施形態及び実施例に限定されるものではなく、本技術の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。

例えば、上述の実施形態及び実施例において挙げた構成、方法、工程、形状、材料、及び数値等はあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異なる構成、方法、工程、形状、材料、及び数値等を用いてもよい。また、化合物等の化学式は代表的なものであって、同じ化合物の一般名称であれば、記載された価数等に限定されない。

また、上述の実施形態及び実施例の構成、方法、工程、形状、材料、及び数値等は、本技術の主旨を逸脱しない限り、互いに組み合わせることが可能である。

また、本明細書において、「〜」を用いて示された数値範囲は、「〜」の前後に記載される数値をそれぞれ最小値及び最大値として含む範囲を示す。本明細書に段階的に記載されている数値範囲において、ある段階の数値範囲の上限値または下限値は、他の段階の数値範囲の上限値または下限値に置き換えてもよい。本明細書に例示する材料は、特に断らない限り、１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。

なお、本技術は、以下のような構成をとることもできる。
〔１〕磁性層、下地層、ベース層、及びバック層を含み、
前記磁性層にサーボパターンが記録されており、当該サーボパターンのサーボ信号の再生波形から得られる、サーボバンドの非直線性を示す統計値σ_SWが２４ｎｍ以下であり、
前記ベース層は、ポリエステルを主たる成分として含み、
磁気記録媒体の平均厚みｔ_Ｔが５．６μｍ以下であり、
前記磁気記録媒体は潤滑剤を含み、且つ
前記磁気記録媒体には細孔が形成されており、当該細孔の平均直径は、前記磁気記録媒体から潤滑剤を除去しそして乾燥した状態で測定したときに、６ｎｍ以上１１ｎｍ以下である、
テープ状の磁気記録媒体。
〔２〕垂直方向における角形比が６５％以上である、〔１〕に記載の磁気記録媒体。
〔３〕前記磁気記録媒体の磁性層側表面の算術平均粗さＲ_ａが２．５ｎｍ以下である、〔１〕又は〔２〕に記載の磁気記録媒体。
〔４〕前記磁性層の平均厚みｔ_ｍが８０ｎｍ以下である、〔１〕〜〔３〕のいずれか一つに記載の磁気記録媒体。
〔５〕垂直方向における角形比が６５％以上であり、
前記磁気記録媒体の磁性層側表面の算術平均粗さＲ_ａが２．５ｎｍ以下であり、且つ、
前記磁性層の平均厚みｔ_ｍが８０ｎｍ以下である、
〔１〕〜〔４〕のいずれか一つに記載の磁気記録媒体。
〔６〕前記磁性層が磁性粉を含み、当該磁性粉が六方晶フェライト、ε酸化鉄、又はＣｏ含有スピネルフェライトを含む、〔１〕〜〔５〕のいずれか一つに記載の磁気記録媒体。〔７〕前記六方晶フェライトが、Ｂａ及びＳｒのうちの少なくとも１種を含み、且つ、前記ε酸化鉄が、Ａｌ及びＧａのうちの少なくとも１種を含む、〔６〕に記載の磁気記録媒体。
〔８〕前記磁気記録媒体の長手方向に０．４Ｎの張力を加えた状態における前記磁気記録媒体の磁性層側表面と磁気ヘッドとの間の動摩擦係数μ_Ａと、前記磁気記録媒体の長手方向に１．２Ｎの張力を加えた状態における前記磁気記録媒体の磁性層側表面と磁気ヘッドとの間の動摩擦係数μ_Ｂとの摩擦係数比（μ_Ｂ／μ_Ａ）が１．０〜２．０である、〔１〕〜〔７〕のいずれか一つに記載の磁気記録媒体。
〔９〕長手方向に０．６Ｎの張力を加えた状態にある前記磁気記録媒体を、磁気ヘッド上を５往復摺動させた場合の５往復目における動摩擦係数μ_Ｃ（５）と、当該磁気ヘッド上を１０００往復させた場合の１０００往復目における動摩擦係数μ_{Ｃ（１０００）}との摩擦係数比（μ_{Ｃ（１０００）}／μ_Ｃ（５））が１．０〜２．０である、〔１〕〜〔８〕のいずれか一つに記載の磁気記録媒体。
〔１０〕前記潤滑剤が、脂肪酸及び／又は脂肪酸エステルを含む、〔１〕〜〔９〕のいずれか一つに記載の磁気記録媒体。
〔１１〕前記脂肪酸が下記一般式（１）又は（２）で示される化合物を含み、且つ、前記脂肪酸エステルが下記一般式（３）又は（４）で示される化合物を含む、〔１０〕に記載の磁気記録媒体。
ＣＨ₃（ＣＨ₂）_kＣＯＯＨ ・・・（１）
（但し、前記一般式（１）において、ｋは１４以上２２以下の範囲から選ばれる整数である。）
ＣＨ₃（ＣＨ₂）_nＣＨ＝ＣＨ（ＣＨ₂）_mＣＯＯＨ ・・・（２）
（但し、前記一般式（２）において、ｎとｍとの和は１２以上２０以下の範囲から選ばれる整数である。）
ＣＨ₃（ＣＨ₂）_pＣＯＯ（ＣＨ₂）_qＣＨ₃ ・・・（３）
（但し、前記一般式（３）において、ｐは１４以上２２以下の範囲から選ばれる整数であり、ｑは２以上５以下の範囲から選ばれる整数である。）
ＣＨ₃（ＣＨ₂）_rＣＯＯ−（ＣＨ₂）_sＣＨ（ＣＨ₃）₂・・・（４）
（但し、前記一般式（４）において、ｒは１４以上２２以下の範囲から選ばれる整数であり、ｓは１以上３以下の範囲から選ばれる整数である。）
〔１２〕長手方向における保磁力Ｈ_ｃが２０００Ｏｅ以下である、〔１〕〜〔１１〕のいずれか一つに記載の磁気記録媒体。
〔１３〕前記統計値σSWが２３ｎｍ以下である、〔１〕〜〔１２〕のいずれか一つに記載の磁気記録媒体。
〔１４〕前記統計値σSWが１０ｎｍ以上２３ｎｍ以下である、〔１〕〜〔１３〕のいずれか一つに記載の磁気記録媒体。
〔１５〕前記細孔の平均直径が６ｎｍ以上１０ｎｍ以下である、〔１〕〜〔１４〕のいずれか一つに記載の磁気記録媒体。
〔１６〕前記細孔の平均直径が７ｎｍ以上９ｎｍ以下である、〔１〕〜〔１５〕のいずれか一つに記載の磁気記録媒体。
〔１７〕前記ベース層の平均厚みが４．２μｍ以下である、〔１〕〜〔１６〕のいずれか一つに記載の磁気記録媒体。
〔１８〕前記磁性層が磁性粉を含み、当該磁性粉の平均アスペクト比が１．０以上３．５以下である、〔１〕〜〔１７〕のいずれか一つに記載の磁気記録媒体。
〔１９〕前記磁性層が磁性粉を含み、当該磁性粉の平均粒子サイズが５０ｎｍ以下である、〔１〕〜〔１８〕のいずれか一つに記載の磁気記録媒体。
〔２０〕
〔１〕〜〔１９〕のいずれか１つに記載のテープ状の磁気記録媒体がリールに巻き取られた状態で磁気記録カートリッジ内に収容されており、且つ、（当該磁気記録媒体の巻内側のサーボトラック幅）−（当該磁気記録媒体の巻外側のサーボトラック幅）＞０μｍである、磁気記録カートリッジ。

１０ 磁気記録媒体
１１ ベース層
１２ 下地層
１３ 磁性層
１４ バック層

Claims (20)

1. 磁性層、下地層、ベース層、及びバック層を備えるテープ状の磁気記録媒体であって、
   前記磁性層にサーボパターンが記録されており、当該サーボパターンのサーボ信号の再生波形から得られる、サーボバンドの非直線性を示す統計値σ_SWが２４ｎｍ以下であり、
   前記ベース層は、ポリエステルを主たる成分として含み、
   前記磁気記録媒体の平均厚みｔ_Ｔが５．６μｍ以下であり、
   前記磁気記録媒体は潤滑剤を含み、且つ
   前記磁気記録媒体に細孔が形成されており、当該細孔の平均直径は、前記磁気記録媒体から潤滑剤を除去しそして乾燥した状態で測定したときに、６ｎｍ以上１１ｎｍ以下である、
   前記磁気記録媒体。
2. 前記磁気記録媒体の垂直方向における角形比が６５％以上である、請求項１に記載の磁気記録媒体。
3. 前記磁気記録媒体の磁性層側表面の算術平均粗さＲ_ａが２．５ｎｍ以下である、請求項１又は２に記載の磁気記録媒体。
4. 前記磁性層の平均厚みｔ_ｍが８０ｎｍ以下である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の磁気記録媒体。
5. 前記磁気記録媒体の垂直方向における角形比が６５％以上であり、
   前記磁気記録媒体の磁性層側表面の算術平均粗さＲ_ａが２．５ｎｍ以下であり、且つ、
   前記磁性層の平均厚みｔ_ｍが８０ｎｍ以下である、
   請求項１〜４のいずれか一項に記載の磁気記録媒体。
6. 前記磁性層が磁性粉を含み、当該磁性粉が六方晶フェライト、ε酸化鉄、又はＣｏ含有スピネルフェライトを含む、請求項１〜５のいずれか一項に記載の磁気記録媒体。
7. 前記六方晶フェライトが、Ｂａ及びＳｒのうちの少なくとも１種を含み、且つ、前記ε酸化鉄が、Ａｌ及びＧａのうちの少なくとも１種を含む、請求項６に記載の磁気記録媒体。
8. 前記磁気記録媒体の長手方向に０．４Ｎの張力を加えた状態における前記磁気記録媒体の磁性層側表面と磁気ヘッドとの間の動摩擦係数μ_Ａと、前記磁気記録媒体の長手方向に１．２Ｎの張力を加えた状態における前記磁気記録媒体の磁性層側表面と磁気ヘッドとの間の動摩擦係数μ_Ｂとの摩擦係数比（μ_Ｂ／μ_Ａ）が１．０〜２．０である、請求項１〜７のいずれか一項に記載の磁気記録媒体。
9. 長手方向に０．６Ｎの張力を加えた状態にある前記磁気記録媒体を、磁気ヘッド上を５往復摺動させた場合の５往復目における動摩擦係数μ_Ｃ（５）と、当該磁気ヘッド上を１０００往復させた場合の１０００往復目における動摩擦係数μ_{Ｃ（１０００）}との摩擦係数比（μ_{Ｃ（１０００）}／μ_Ｃ（５））が１．０〜２．０である、請求項１〜８のいずれか一項に記載の磁気記録媒体。
10. 前記潤滑剤が、脂肪酸及び／又は脂肪酸エステルを含む、請求項１〜９のいずれか一項に記載の磁気記録媒体。
11. 前記脂肪酸が下記一般式（１）又は（２）で示される化合物を含み、且つ、前記脂肪酸エステルが下記一般式（３）又は（４）で示される化合物を含む、請求項１０に記載の磁気記録媒体。
    ＣＨ₃（ＣＨ₂）_kＣＯＯＨ ・・・（１）
    （但し、前記一般式（１）において、ｋは１４以上２２以下の範囲から選ばれる整数である。）
    ＣＨ₃（ＣＨ₂）_nＣＨ＝ＣＨ（ＣＨ₂）_mＣＯＯＨ ・・・（２）
    （但し、前記一般式（２）において、ｎとｍとの和は１２以上２０以下の範囲から選ばれる整数である。）
    ＣＨ₃（ＣＨ₂）_pＣＯＯ（ＣＨ₂）_qＣＨ₃ ・・・（３）
    （但し、前記一般式（３）において、ｐは１４以上２２以下の範囲から選ばれる整数であり、ｑは２以上５以下の範囲から選ばれる整数である。）
    ＣＨ₃（ＣＨ₂）_rＣＯＯ−（ＣＨ₂）_sＣＨ（ＣＨ₃）₂・・・（４）
    （但し、前記一般式（４）において、ｒは１４以上２２以下の範囲から選ばれる整数であり、ｓは１以上３以下の範囲から選ばれる整数である。）
12. 前記磁気記録媒体の長手方向における保磁力Ｈ_ｃが２０００Ｏｅ以下である、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の磁気記録媒体。
13. 前記統計値σ_SWが２３ｎｍ以下である、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の磁気記録媒体。
14. 前記統計値σ_SWが１０ｎｍ以上２３ｎｍ以下である、請求項１〜１３のいずれか一項に記載の磁気記録媒体。
15. 前記細孔の平均直径が６ｎｍ以上１０ｎｍ以下である、請求項１〜１４のいずれか一項に記載の磁気記録媒体。
16. 前記細孔の平均直径が７ｎｍ以上９ｎｍ以下である、請求項１〜１５のいずれか一項に記載の磁気記録媒体。
17. 前記ベース層の平均厚みが４．２μｍ以下である、請求項１〜１６のいずれか一項に記載の磁気記録媒体。
18. 前記磁性層が磁性粉を含み、当該磁性粉の平均アスペクト比が１．０以上３．５以下である、請求項１〜１７のいずれか一項に記載の磁気記録媒体。
19. 前記磁性層が磁性粉を含み、当該磁性粉の平均粒子サイズが５０ｎｍ以下である、請求項１〜１８のいずれか一項に記載の磁気記録媒体。
20. 請求項１〜１９のいずれか一項に記載のテープ状の磁気記録媒体がリールに巻き取られた状態で磁気記録カートリッジ内に収容されており、且つ、（当該磁気記録媒体の巻内側のサーボトラック幅）−（当該磁気記録媒体の巻外側のサーボトラック幅）＞０μｍである、磁気記録カートリッジ。