JP7388172B2 - 磁気記録媒体 - Google Patents
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Description
磁性層、下地層、ベース層、及びバック層を含み、
前記磁気記録媒体の磁性層側の表面のクルトーシスが3.0以上であり、
前記磁気記録媒体のバック層側の表面のクルトーシスが2.0以上であり、
前記磁気記録媒体の磁性層側の表面の算術平均粗さRaが2.5nm以下であり、
前記磁気記録媒体の長手方向における角形比が35%以下であり、
前記ベース層は、ポリエステルを主たる成分として含み、
磁気記録媒体の平均厚みtTが5.6μm以下であり、
前記磁気記録媒体は潤滑剤を含み、当該潤滑剤が、脂肪酸及び脂肪酸エステルを含有し、ヘキサンによって抽出される当該脂肪酸及び当該脂肪酸エステルの質量比が、脂肪酸/脂肪酸エステル≦0.6であり、且つ、
前記磁気記録媒体は細孔を有し、当該細孔の平均直径が、前記磁気記録媒体から潤滑剤を除去しそして乾燥した状態で測定したときに、6nm以上11nm以下である、
前記磁気記録媒体を提供する。
前記記録媒体は、当該記磁気記録媒体の垂直方向における角形比が65%以上であってよい。
前記磁性層の平均厚みtmが80nm以下であってよい。
前記磁性層が磁性粉を含み、当該磁性粉が六方晶フェライト、ε酸化鉄、又はCo含有スピネルフェライトを含みうる。
前記六方晶フェライトが、Ba及びSrのうちの少なくとも1種を含み、且つ、前記ε酸化鉄が、Al及びGaのうちの少なくとも1種を含みうる。
本技術の一つの実施態様に従い、長手方向に0.6Nの張力を加えた状態にある前記磁気記録媒体を、磁気ヘッド上を5往復摺動させた場合の5往復目における動摩擦係数μC(5)と、当該磁気ヘッド上を1000往復させた場合の1000往復目における動摩擦係数μC(1000)との摩擦係数比(μC(1000)/μC(5))が1.0~1.8でありうる。
前記脂肪酸が下記一般式(1)又は(2)で示される化合物を含み、且つ、前記脂肪酸エステルが下記一般式(3)又は(4)で示される化合物を含みうる。
CH3(CH2)kCOOH ・・・(1)
(但し、前記一般式(1)において、kは14以上22以下の範囲から選ばれる整数である。)
CH3(CH2)nCH=CH(CH2)mCOOH ・・・(2)
(但し、前記一般式(2)において、nとmとの和は12以上20以下の範囲から選ばれる整数である。)
CH3(CH2)pCOO(CH2)qCH3 ・・・(3)
(但し、前記一般式(3)において、pは14以上22以下の範囲から選ばれる整数であり、qは2以上5以下の範囲から選ばれる整数である。)
CH3(CH2)rCOO-(CH2)sCH(CH3)2・・・(4)
(但し、前記一般式(4)において、rは14以上22以下の範囲から選ばれる整数であり、sは1以上3以下の範囲から選ばれる整数である。)
前記磁気記録媒体は、当該磁気記録媒体の長手方向における保磁力Hcが2000Oe以下であってよい。
前記磁性層は5以上のサーボバンドを有しうる。
前記磁気記録媒体の磁性層側表面の面積に対する前記サーボバンドの総面積の割合が4.0%以下でありうる。
前記サーボバンドの幅は95μm以下でありうる。
前記磁性層は複数のデータトラックを形成可能に構成されており、前記データトラックの幅が2.0μm以下であってよい。
前記磁性層は、磁化反転間距離Lの最小値が48nm以下となるようにデータを記録可能に構成されていてよい。
前記ベース層の平均厚みが4.2μm以下でありうる。
前記磁性層が磁性粉を含み、当該磁性粉の平均アスペクト比が1.0以上3.5以下でありうる。
前記磁性層が磁性粉を含み、当該磁性粉の平均粒子サイズが50nm以下でありうる。
前記細孔の平均直径は6nm以上10nm以下でありうる。
前記細孔の平均直径は7nm以上9nm以下でありうる。
前記磁性層側の表面のクルトーシスは3.5以上でありうる。
前記バック層側の表面のクルトーシスは2.3以上でありうる。
また、本技術は、前記テープ状の磁気記録媒体と、
記録再生装置と通信を行う通信部と、
記憶部と、
通信部を介して記録再生装置から受信した情報を記憶部に記憶し、かつ、記録再生装置の要求に応じて、記憶部から情報を読み出し、通信部を介して記録再生装置に送信する制御部と、を備え、
前記情報は、磁気記録媒体の長手方向にかかるテンションを調整するための調整情報を含む
テープカートリッジも提供する。
1.本技術の説明
2.本技術の実施形態(塗布型の磁気記録媒体の例)
(1)磁気記録媒体の構成
(2)各層の説明
(3)物性及び構造
(4)磁気記録媒体の製造方法
(5)記録再生装置
(6)カートリッジ
(7)効果
(8)変形例
3.実施例
また、本技術に従う磁気記録媒体の前記潤滑剤における、ヘキサンによって抽出される脂肪酸及び当該脂肪酸エステルの質量比は、例えば脂肪酸/脂肪酸エステル≧0.3でありうる。前記質量比が小さすぎる場合、磁気記録媒体の走行方向が切り換わる時に張り付きが発生する場合がある。
また、本技術に従う磁気記録媒体の前記磁性層側の表面のクルトーシスSkuは、例えば4.0以下でありうる。前記磁性層側の表面のクルトーシスが大きすぎる場合、磁性層に含まれる磁性粉の粉落ちが発生しやすくなる場合がある。
また、本技術に従う磁気記録媒体の前記バック層側の表面のクルトーシスSkuは、例えば3.5以下でありうる。前記バック層側の表面のクルトーシスが大きすぎる場合、磁性層側表面に転写された形状が、電磁変換特性の劣化をもたらしうる。
本技術に従う磁気記録媒体の幅は、例えば5mm~30mmであり、特には7mm~25mmであり、より特には10mm~20mm、さらにより特には11mm~19mmでありうる。本技術に従うテープ状磁気記録媒体の長さは、例えば500m~1500mでありうる。例えばLTO8規格に従うテープ幅は12.65mmであり、長さは960mである。
この実施態様において、ベース層11は、ポリエステルに加えて、以下で述べるポリエステル以外の樹脂を含んでもよい。
本技術の好ましい実施態様に従い、ベース層11は、PET又はPENから形成されてよい。
当該細孔は、磁性層13の表面に対して垂直に開口していてよい。当該細孔は、例えば、磁気記録媒体10のバック層側表面に設けられた多数の突部を押し当てることにより形成されうる。この場合、当該細孔は、当該突部に対応するものでありうる。
なお、図1において当該細孔が符号13Aにより示されているが、図1は、本技術のより良い理解のための模式図であり、図1に示される細孔13Aの形状は、必ずしも実際の形状を示すものでない。
特に好ましくは、前記磁性層の平均厚みtmは80nm以下である。この数値範囲内の平均厚みを有することが、磁気記録媒体10の記録再生特性の向上に貢献する。
磁気記録媒体10をFIB(Focused Ion Beam)法等により加工して薄片化を行う。FIB法を使用する場合には、後述の断面のTEM像を観察する前処理として、保護膜としてカーボン膜及びタングステン薄膜を形成する。当該カーボン膜は蒸着法により磁気記録媒体10の磁性層側表面及びバック層側表面に形成され、そして、当該タングステン薄膜は蒸着法又はスパッタリング法により磁性層側表面にさらに形成される。当該薄片化は磁気記録媒体10の長さ方向(長手方向)に沿って行われる。すなわち、当該薄片化によって、磁気記録媒体10の長手方向及び厚み方向の両方に平行な断面が形成される。
得られた薄片化サンプルの前記断面を、透過型電子顕微鏡(Transmission Electron Microscope:TEM)により、下記の条件で観察し、TEM像を得る。なお、装置の種類に応じて、倍率及び加速電圧は適宜調整されてよい。
装置:TEM(日立製作所製H9000NAR)
加速電圧:300kV
倍率:100,000倍
次に、得られたTEM像を用い、磁気記録媒体10の長手方向の少なくとも10点以上の位置で磁性層13の厚みを測定する。得られた測定値を単純に平均(算術平均)して得られた平均値を磁性層13の平均厚みtm[nm]とする。なお、前記測定が行われる位置は、試験片から無作為に選ばれるものとする。
なお、磁性層13は、面内配向(長手配向)している磁性層であってもよい。すなわち、磁気記録媒体10が水平記録型の磁気記録媒体であってもよい。しかしながら、高記録密度化という点で、垂直配向がより好ましい。
なお、サーボバンドSBのサーボバンド幅WSBは、高記録容量を確保する観点から、好ましくは95μm以下、より好ましくは60μm以下、さらにより好ましくは30μm以下である。サーボバンド幅WSBは、記録ヘッド製造の観点から、好ましくは10μm以上である。
磁性層13は、例えば5以上のサーボバンドを有しうる。5以上のサーボトラックを確保するために、磁性層13の表面の面積Sに対するサーボバンドSBの総面積SSBの割合RSは、好ましくは0.8%以上でありうる。
割合RS[%]=(((サーボバンド幅WSB)×(サーボバンド本数))/(磁気記録媒体10の幅))×100
図3に示されるとおり、磁性層13は4つのデータバンドd0~d3を有する。磁性層13は、各データバンドを2つのサーボバンドで挟むように、合計で5つのサーボバンドS0~S4を有する。
図4に示されるとおり、各サーボバンドは、所定角度φで傾斜する直線状の5本のサーボパターン(例えばサーボパターンA1~A5)と、この信号と逆方向に同じ角度で傾斜する直線状の5本のサーボパターン(例えばサーボパターンB1~B5)と、所定角度φで傾斜する直線状の4本のサーボパターン(例えばサーボパターンC1~C4)と、この信号と逆方向に同じ角度で傾斜する直線状の4本のサーボパターン(例えばサーボパターンD1~D4)と、からなるフレーム単位(1サーボフレーム)を繰り返し有する。前記所定角度φは、例えば5°~25°であり、特には11°~25°でありうる。
サーボバンドS0~S4それぞれのサーボバンド幅L1(図3参照)は、例えば100μm以下、特には60μm以下、より特には50μm以下であり、さらには40μm以下であってよい。サーボバンド幅L1は、例えば15μm以上、特には25μm以上であってよい。
磁性粉の平均粒子サイズは、好ましくは50nm以下、より好ましくは40nm以下、さらにより好ましくは30nm以下、25nm以下、22nm以下、21nm以下、又は20nm以下でありうる。前記平均粒子サイズは、例えば10nm以上、好ましくは12nm以上でありうる。
磁性粉の平均アスペクト比は、好ましくは1.0以上3.5以下、より好ましくは1.0以上3.1以下、さらにより好ましくは1.0以上2.8以下、特に好ましくは1.1以上2.5以下でありうる。
まず、測定対象となる磁気記録媒体10をFIB(Focused Ion Beam)法等により加工して薄片化を行う。FIB法を使用する場合には、後述の断面のTEM像を観察する前処理として、保護膜としてカーボン膜及びタングステン薄膜を形成する。当該カーボン膜は蒸着法により磁気記録媒体10の磁性層側表面及びバック層側表面に形成され、そして、当該タングステン薄膜は蒸着法又はスパッタリング法により磁性層側表面にさらに形成される。当該薄片化は磁気記録媒体10の長さ方向(長手方向)に沿って行われる。すなわち、当該薄片化によって、磁気記録媒体10の長手方向及び厚み方向の両方に平行な断面が形成される。
得られた薄片サンプルの前記断面を、透過電子顕微鏡(日立ハイテクノロジーズ社製H-9500)を用いて、加速電圧:200kV、総合倍率500,000倍で磁性層13の厚み方向に対して磁性層13全体が含まれるように断面観察を行い、TEM写真を撮影する。
次に、撮影したTEM写真から、観察面の方向に側面を向けており且つ粒子の厚みが明らかに確認できる粒子を50個選び出す。例えば、図10にTEM写真の例を示す。図10において、例えばa及びdで示される粒子が、その厚みを明らかに確認できるので、選択される。選択された50個の粒子それぞれの最大板厚DAを測定する。このようにして求めた最大板厚DAを単純に平均(算術平均)して平均最大板厚DAaveを求める。
続いて、各磁性粉の板径DBを測定する。粒子の板径DBを測定するために、撮影したTEM写真から、粒子の板径が明らかに確認できる粒子を50個選び出す。例えば、図10において、例えばb及びcで示される粒子が、その板径を明らかに確認できるので、選択される。選択された50個の粒子それぞれの板径DBを測定する。このようにして求めた板径DBを単純平均(算術平均)して平均板径DBaveを求める。平均板径DBaveが、平均粒子サイズである。
そして、平均最大板厚DAave及び平均板径DBaveから粒子の平均アスペクト比(DBave/DAave)を求める。
磁性粉の平均粒子体積が上記上限値以下である場合(例えば5900nm3以下である場合)、高記録密度の磁気記録媒体10において、良好な電磁変換特性(例えばSNR)を得ることができる。磁性粉の平均粒子体積が上記下限値以上である場合(例えば500nm3以上である場合)、磁性粉の分散性がより向上し、より優れた電磁変換特性(例えばSNR)を得ることができる。
また、磁気記録媒体10の厚み方向(垂直方向)に測定した保磁力Hcが、好ましくは160kA/m以上280kA/m以下、より好ましくは165kA/m以上275kA/m以下、更により好ましくは170kA/m以上270kA/m以下である。
具体的には、添加剤を含むε酸化鉄は、ε-Fe2-xMxO3結晶(ここで、Mは鉄以外の金属元素、好ましくは3価の金属元素、より好ましくは、Al、Ga、及びInからなる群より選ばれる1種以上である。xは、例えば0<x<1である。)である。
まず、測定対象となる磁気記録媒体10をFIB(Focused Ion Beam)法等により加工して薄片化を行う。FIB法を使用する場合には、後述の断面のTEM像を観察する前処理として、保護膜としてカーボン膜及びタングステン薄膜を形成する。当該カーボン膜は蒸着法により磁気記録媒体10の磁性層側表面及びバック層側表面に形成され、そして、当該タングステン薄膜は蒸着法又はスパッタリング法により磁性層側表面にさらに形成される。薄片化は磁気記録媒体10の長さ方向(長手方向)に沿うかたちで行って行われる。すなわち、当該薄片化によって、磁気記録媒体10の長手方向及び厚み方向の両方に平行な断面が形成される。
得られた薄片サンプルの前記断面を、透過電子顕微鏡(日立ハイテクノロジーズ社製 H-9500)を用いて、加速電圧:200kV、総合倍率500,000倍で磁性層13の厚み方向に対して磁性層13全体が含まれるように断面観察を行い、TEM写真を撮影する。
次に、撮影したTEM写真から、粒子の形状を明らかに確認することができる50個の粒子を選び出し、各粒子の長軸長DLと短軸長DSを測定する。ここで、長軸長DLとは、各粒子の輪郭に接するように、あらゆる角度から引いた2本の平行線間の距離のうち最大のもの(いわゆる最大フェレ径)を意味する。一方、短軸長DSとは、粒子の長軸(DL)と直交する方向における粒子の長さのうち最大のものを意味する。
続いて、測定した50個の粒子の長軸長DLを単純に平均(算術平均)して平均長軸長DLaveを求める。このようにして求めた平均長軸長DLaveを磁性粉の平均粒子サイズとする。また、測定した50個の粒子の短軸長DSを単純に平均(算術平均)して平均短軸長DSaveを求める。そして、平均長軸長DLaveおよび平均短軸長DSaveから粒子の平均アスペクト比(DLave/DSave)を求める。
V=(π/6)×DLave 3
磁気記録媒体10をFIB(Focused Ion Beam)法等により加工して薄片化を行う。FIB法を使用する場合には、後述の断面のTEM像を観察する前処理として、保護膜としてカーボン膜及びタングステン薄膜を形成する。当該カーボン膜は蒸着法により磁気記録媒体10の磁性層側表面及びバック層側表面に形成され、そして、当該タングステン薄膜は蒸着法又はスパッタリング法により磁性層側表面にさらに形成される。当該薄片化は磁気記録媒体10の長さ方向(長手方向)に沿って行われる。すなわち、当該薄片化によって、磁気記録媒体10の長手方向及び厚み方向の両方に平行な断面が形成される。
得られた薄片サンプルを透過電子顕微鏡(日立ハイテクノロジーズ社製H-9500)を用いて、加速電圧:200kV、総合倍率500,000倍で磁性層13の厚み方向に対して磁性層13全体が含まれるように断面観察を行い、TEM写真を得る。なお、装置の種類に応じて、倍率及び加速電圧は適宜調整されてよい。
次に、撮影したTEM写真から粒子の形状が明らかである50個の粒子を選び出し、各粒子の辺の長さDCを測定する。続いて、測定した50個の粒子の辺の長さDCを単純に平均(算術平均)して平均辺長DCaveを求める。次に、平均辺長DCaveを用いて以下の式から磁性粉の平均体積Vave(粒子体積)を求める。
Vave=DCave 3
CoxMyFe2Oz・・・(1)
(但し、式(1)中、Mは、例えば、Ni、Mn、Al、Cu、及びZnからなる群より選ばれる1種以上の金属である。xは、0.4≦x≦1.0の範囲内の値である。yは、0≦y≦0.3の範囲内の値である。但し、x及びyは(x+y)≦1.0の関係を満たす。zは3≦z≦4の範囲内の値である。Feの一部が他の金属元素で置換されていてもよい。)
また、前記潤滑剤における脂肪酸及び脂肪酸エステルの質量比は、例えば脂肪酸/脂肪酸エステル≧0.3でありうる。前記質量比が小さすぎる場合、磁気記録媒体の折り返し時に張り付きが発生する場合がある。
まず、測定する磁気記録媒体に使用している潤滑剤と同じ脂肪酸と脂肪酸エステルの検量線の作成および検量線用試料の作成について説明する。脂肪酸をおよそ1mg、2mg、及び3mgとり、これら3つの脂肪酸サンプルそれぞれの実質量を天秤にて測る。当該3つの脂肪酸サンプルそれぞれを、アセトニトリル/水=100/3(質量比)の溶媒100mLに溶かし、3種類の検量線用試料を作成する。同様に、脂肪酸エステルをおよそ5mg、10mg、及び15mg取り、これら3つの脂肪酸エステルサンプルそれぞれの実質量を天秤にて測る。当該3つの脂肪酸エステルサンプルを、アセトニトリル/水=100/3(質量比)の溶媒100mLにそれぞれ溶かし、3種類の検量線用試料を作成する。クロマトグラフィーを用いて各検量線用試料の脂肪酸又は脂肪酸エステルのピーク高さを求め、各検量線用試料の脂肪酸又は脂肪酸エステルの実質量と当該ピーク高さとに基づいて検量線を作成する。
次に、測定対象となる12.65mm幅の磁気記録媒体を10m準備し、120mLのヘキサン溶液に浸し、5分間攪拌して潤滑剤を抽出し、メスシリンダーにて潤滑剤が抽出されたヘキサン溶液を100mL測りとり、その後エバポレータでヘキサンを蒸発させる(ドラフト内で揮発させてもよい)。次に、抽出された潤滑剤をアセトニトリル/水=100/3(質量比)の溶媒5mLに溶かし、クロマトグラフィーを用いて脂肪酸と脂肪酸エステルのピーク高さを求める。当該ピーク高さと先に準備した検量線とから、脂肪酸及び脂肪酸エステルの質量を求め、脂肪酸と脂肪酸エステルの質量比を計算する。
以下に、クロマトグラフィーの測定条件を示す。
クロマトグラフィーの種類:逆相クロマトグラフィー
検出器:Shodex RI-101(Shodex社製RI検出器)
使用カラム:Intersil ODS-2(GL Science) ODS 2.5μm 4.6×150mm(W)
解析ソフト:SIC-480 II XP(システムインスツルメンツ社製クロマトデータ解析ソフト)
キャリア:アセトニトリル/水=100/3(質量比)
また、前記脂肪酸エステルは、好ましくは下記一般式(3)又は(4)により示される化合物であってよい。例えば、前記脂肪酸エステルとして下記の一般式(3)により示される化合物及び一般式(4)により示される化合物の一方が含まれていてよく又は両方が含まれていてもよい。
前記潤滑剤が、一般式(1)に示される化合物及び一般式(2)に示される化合物のいずれか一方若しくは両方と、一般式(3)に示される化合物及び一般式(4)に示される化合物のいずれか一方若しくは両方と、を含むことによって、磁気記録媒体を繰り返しの記録又は再生による動摩擦係数の増加を抑制することができる。
CH3(CH2)kCOOH ・・・(1)
(但し、前記一般式(1)において、kは14以上22以下の範囲、より好ましくは14以上18以下の範囲から選ばれる整数である。)
CH3(CH2)nCH=CH(CH2)mCOOH ・・・(2)
(但し、前記一般式(2)において、nとmとの和は12以上20以下の範囲、より好ましくは14以上18以下の範囲から選ばれる整数である。)CH3(CH2)pCOO(CH2)qCH3 ・・・(3)
(但し、前記一般式(3)において、pは14以上22以下、より好ましくは14以上18以下の範囲から選ばれる整数であり、且つ、qは2以上5以下の範囲、より好ましくは2以上4以下の範囲から選ばれる整数である。)
CH3(CH2)rCOO-(CH2)sCH(CH3)2・・・(4)
(但し、前記一般式(4)において、rは14以上22以下の範囲から選ばれる整数であり、sは1以上3以下の範囲から選ばれる整数である。)
また、磁性層形成用塗料の乾燥工程で溶剤が揮発することに伴い細孔が形成されてもよい。また、磁性層13を形成するために磁性層形成用塗料を下地層12の表面に塗布した際に磁性層形成用塗料中の溶剤が下層を塗布乾燥させた際に形成された下地層12の細孔を通り、下地層12内に浸透しうる。そののち磁性層13の乾燥工程において下地層12内に浸透した溶剤が揮発する際に、下地層12内に浸透した溶剤が下地層12から磁性層13の表面へ移動していくことによって細孔が形成されてもよい。このように形成された細孔は、例えば磁性層13と下地層12とを連通しているものでありうる。磁性層形成用塗料の固形分若しくは溶剤の種類及び/又は磁性層形成用塗料の乾燥条件を変更することによって、細孔の平均直径を調整することが出来る。
磁性層13及び下地層12の両方に細孔が形成されていることによって、良好な走行安定性のために特に適した量の潤滑剤が磁性層側表面に現れ、繰り返しの記録又は再生による動摩擦係数の増加をさらに抑制することができる。
tb[μm]=tT[μm]-tB[μm]
また、磁気記録媒体10の細孔容積は、好ましくは0.016cm3/g以上であり、より好ましくは0.02cm3/g以上である。細孔容積が上記数値範囲内にあることによって、繰り返し記録又は再生を行った後の動摩擦係数の増加を抑制する効果をさらに向上することができる。磁気記録媒体10の細孔容積は、例えば0.05cm3/g以下であり、好ましくは0.04cm3/g以下であり、より好ましくは0.03cm3/g以下でありうる。
まず、面積0.1265m2より1割程度大きいサイズの磁気記録媒体10をヘキサン中(テープが十分に浸漬できる量、例えば、150mL)に24時間浸したのち、自然乾燥させ、面積0.1265m2(例えば、乾燥後のテープの両端50cmを切り落とし、テープ幅×10mを準備する。)のサイズに切り出すことにより、測定サンプルを作製する。前記ヘキサン中での24時間の浸漬によって、潤滑剤が磁気記録媒体10から除去され、そして、前記自然乾燥によって、磁気記録媒体10が乾燥される。
次に、比表面積・細孔分布測定装置を用いて、BJH法により細孔分布(細孔容積及び平均細孔直径)が測定される。以下に、測定装置および測定条件を示す。このようにして、細孔容積及び細孔の平均直径が測定される。
測定環境:室温
測定装置:Micromeritics社製3FLEX
測定吸着質:N2ガス
測定圧力範囲(P/P0):0~0.995
前記測定圧力範囲に関して、圧力は以下の表の通りに変化される。以下の表における圧力値は相対圧P/P0である。以下の表において、例えばステップ1において、開始圧0.000から到達圧0.010へ、10秒当たり0.001変化するように、圧力が変化される。圧力が到達圧に達したら、次のステップにおける圧力変化が行われる。ステップ2~10においても同様である。ただし、各ステップにおいて、圧力が平衡に達していない場合は、装置は圧力が平衡になるのを待ってから次のステップに移行する。
また、本技術に従う磁気記録媒体の前記磁性層側の表面のクルトーシスSkuは、例えば4.0以下でありうる。前記磁性層側の表面のクルトーシスが大きすぎる場合、磁性層に含まれる磁性粉の粉落ちが悪化する場合がある。前記磁性層側の表面のクルトーシスは、例えば、磁性粉の平均粒子サイズと形状によって調整されうる。
装置:光干渉を用いた非接触粗度計
(株式会社菱化システム製 非接触表面・層断面形状計測システム VertScan R5500GL-M100-AC)
対物レンズ:50倍
CCD:1/3レンズ
測定領域:640×480ピクセル(視野:約95μm×71μm)
測定モード:phase
波長フィルター:520nm
ノイズ除去フィルター スムージング3x3
面補正:2次多項式近似面にて補正
測定ソフトウエア:VS-Measure Version5.5.2
解析ソフトウエア:VS-viewer Version5.5.5
ここで、式中の各記号の意味はそれぞれ以下のとおりである。
A:サンプル数
x:サンプルの横方向
y:サンプルの縦方向
z:高さ
また、本技術に従う磁気記録媒体の前記バック層側の表面のクルトーシスSkuは、例えば3.5以下でありうる。前記バック層側の表面のクルトーシスが大きすぎる場合、転写により電磁変換特性が劣化する場合がある。前記バック層側の表面のクルトーシスは、例えば、バック層14を形成した後にカレンダー処理の圧力と温度を調整することによって調整されうる。例えば、前記カレンダー処理の圧力と温度をそれぞれ高くすることで、前記バック層側の表面のクルトーシスが小さくなりうる。
まず、図7(a)に示すように、1/2インチ幅の磁気記録媒体10を、互いに離間して平行に配置された1インチ径の円柱状の2本のガイドロール73-1及び73-2に磁性面が接触するように載せる。2本のガイドロール73-1及び73-2は、硬い板状部材76に固定されており、互いの位置関係が固定されている。
次いで、LTO5ドライブに搭載されているヘッドブロック(記録再生用)74に対し、磁気記録媒体10を、磁性面が接触するように且つ抱き角θ1(°)=5.6°となるように接触させる。ヘッドブロック74は、抱き角θ1を変更することができるように、板状部材76に移動可能に取り付けられているが、抱き角θ1(°)が5.6°となったらその位置が板状部材76に対して固定され、これにより、ガイドロール73-1及び73-2とヘッドブロック74との位置関係も固定される。
磁気記録媒体10の一端を、ジグ72を介して可動式ストレインゲージ71と繋ぐ。磁気記録媒体10は、図7(b)に示されるとおりにジグ72に固定される。
磁気記録媒体10の他端に錘75を繋ぐ。錘75によって、0.6Nのテンション(T0[N])が磁気記録媒体10の長手方向に付与される。
可動式ストレインゲージ71は、台77上に固定されている。台77と板状部材76の位置関係も固定されており、これにより、ガイドロール73-1及び73-2、ヘッドブロック74、及び可動式ストレインゲージ71の位置関係が固定されている。
可動式ストレインゲージ71によって、磁気記録媒体10が10mm/sにて可動式ストレインゲージ71へ向かうように、磁気記録媒体10をヘッドブロック74上を60mm摺動させ(往路)及び可動式ストレインゲージから離れるように60mm摺動させる(復路)。この往復動作を1000回繰り返す。この1000回の往復動作のうち、5回目の往路の60mmの摺動の摺動開始から摺動停止までの間に、ストレインゲージの出力値(電圧)を13回取得し、出力値と荷重との直線関係(後述する)に基づき、T[N]に変換する。最初と最後の計2回を除いた11個を単純平均することによりTave[N]を求める。以下の式により、動摩擦係数μC(5)を求める。
前記直線関係を得るために、可動式ストレインゲージ71に0.4Nの荷重をかけた場合と1.5Nの荷重をかけた場合のそれぞれについて、可動式ストレインゲージ71の出力値(電圧)を得る。得られた2つの出力値と前記2つの荷重とから、出力値と荷重との直線関係が得られる。当該直線関係を用いて、上記のとおり、摺動時の可動式ストレインゲージ71による出力値(電圧)がT[N]に変換される。
さらに、動摩擦係数μc(1000)は、1000回目の往路の測定をすること以外は上記動摩擦係数μc(5)と同様にして求める。
以上のとおりにして測定された動摩擦係数μC(5)及び動摩擦係数μC(1000)から、摩擦係数比μC(1000)/μC(5)が算出される。
本明細書内において、磁気記録媒体が垂直配向しているとは、磁気記録媒体の角形比S2が上記数値範囲内にあること(例えば65%以上であること)を意味してもよい。
測定サンプル(磁気記録媒体10の全体)のM-Hループ、補正用サンプル(ベース層11)のM-Hループの測定においては、東英工業社製の高感度振動試料型磁力計「VSM-P7-15型」が用いられる。測定条件は、測定モード:フルループ、最大磁界:15kOe、磁界ステップ:40bit、Time constant of Locking amp:0.3sec、Waiting time:1sec、MH平均数:20とされる。
測定サンプル(磁気記録媒体10の全体)のM-Hループ及び補正用サンプル(ベース層11)のM-Hループが得られた後、測定サンプル(磁気記録媒体10の全体)のM-Hループから補正用サンプル(ベース層11)のM-Hループが差し引かれることで、バックグラウンド補正が行われ、バックグラウンド補正後のM-Hループが得られる。このバックグラウンド補正の計算には、「VSM-P7-15型」に付属されている測定・解析プログラムが用いられる。
得られたバックグラウンド補正後のM-Hループの飽和磁化Ms(emu)及び残留磁化Mr(emu)が以下の式に代入されて、角形比S2(%)が計算される。なお、上記のM-Hループの測定はいずれも、25℃にて行われるものとする。また、M-Hループを磁気記録媒体10の垂直方向に測定する際の“反磁界補正”は行わないものとする。なお、この計算には、「VSM-P7-15型」に付属されている測定・解析プログラムが用いられる。
角形比S2(%)=(Mr/Ms)×100
本明細書内において、磁気記録媒体が垂直配向しているとは、磁気記録媒体の角形比S1が上記数値範囲内にあること(例えば35%以下であること)を意味しうる。本技術に従う磁気記録媒体は好ましくは垂直配向している。
(注1)Nano World社製 SPMプローブ NCH ノーマルタイプ PointProbe L(カンチレバー長)=125μm
磁気記録媒体10の長手方向における保磁力Hcは、好ましくは2000Oe以下、より好ましくは1900Oe以下、さらにより好ましくは1800Oe以下である。長手方向における保磁力Hcが2000Oe以下であると、記録ヘッドからの垂直方向の磁界により感度良く磁化が反応するため、良好な記録パターンを形成することができる。
測定サンプル(磁気記録媒体10の全体)のM-Hループ、補正用サンプル(ベース層11)のM-Hループの測定においては、東英工業社製の高感度振動試料型磁力計「VSM-P7-15型」が用いられる。測定条件は、測定モード:フルループ、最大磁界:15kOe、磁界ステップ:40bit、Time constant of Locking amp:0.3sec、Waiting time:1sec、MH平均数:20とされる。
測定サンプル(磁気記録媒体10の全体)のM-Hループ及び補正用サンプル(ベース層11)のM-Hループが得られた後、測定サンプル(磁気記録媒体10の全体)のM-Hループから補正用サンプル(ベース層11)のM-Hループが差し引かれることで、バックグラウンド補正が行われ、バックグラウンド補正後のM-Hループが得られる。このバックグラウンド補正の計算には、「VSM-P7-15型」に付属されている測定・解析プログラムが用いられる。
得られたバックグラウンド補正後のM-Hループから保磁力Hcが求められる。なお、この計算には、「VSM-P7-15型」に付属されている測定・解析プログラムが用いられる。なお、上記のM-Hループの測定はいずれも、25℃にて行われるものとする。また、M-Hループを磁気記録媒体10の長手方向に測定する際の“反磁界補正”は行わないものとする。
以下に述べるとおり、実施例1~12及び比較例1~6の磁気テープを製造した。下記表1に製造条件を示す。また、下記表2に、これら磁気テープの垂直方向の角形比S2、長手方向の角形比S1、磁性層の平均厚みtm、下地層の平均厚み、磁性粉の種類、潤滑剤の脂肪酸及び脂肪酸エステルの質量比、細孔の平均直径を示す。
磁性層形成用塗料を以下のようにして調製した。まず、下記配合の第1組成物をエクストルーダで混練した。次に、ディスパーを備えた攪拌タンクに、混練した第1組成物と、下記配合の第2組成物を加えて予備混合を行った。続いて、さらにサンドミル混合を行い、フィルター処理を行い、磁性層形成用塗料を調製した。
バリウムフェライト(BaFe12O19)粒子の粉末(六角板状、平均アスペクト比2.8、平均粒子体積1950nm3):100質量部
塩化ビニル系樹脂のシクロヘキサノン溶液42質量部
(当該溶液の組成は、樹脂分30質量%及びシクロヘキサノン70質量%である。塩化ビニル系樹脂の詳細は以下のとおりであった:重合度300、Mn=10000、極性基としてOSO3K=0.07mmol/g、2級OH=0.3mmol/gを含有する。)
酸化アルミニウム粉末:5質量部
(α-Al2O3、平均粒径0.1μm)
カーボンブラック:2質量部
(東海カーボン社製、商品名:シーストTA)
塩化ビニル系樹脂のシクロヘキサノン溶液:3質量部
(当該溶液の組成は、樹脂分30質量%及びシクロヘキサノン70質量%である。)
n-ブチルステアレート:2質量部
メチルエチルケトン:121.3質量部
トルエン:121.3質量部
シクロヘキサノン:60.7質量部
なお、上記n-ブチルステアレートは潤滑剤として添加した。
下地層形成用塗料を以下のようにして調製した。まず、下記配合の第3組成物をエクストルーダで混練した。次に、ディスパーを備えた攪拌タンクに、混練した第3組成物と、下記配合の第4組成物を加えて予備混合を行った。続いて、さらにサンドミル混合を行い、フィルター処理を行い、下地層形成用塗料を調製した。
針状酸化鉄粉末:100質量部
(α-Fe2O3、平均長軸長0.15μm)
塩化ビニル系樹脂のシクロヘキサノン溶液:44.4質量部
(当該溶液の組成は、樹脂分30質量%及びシクロヘキサノン70質量%である。)
カーボンブラック:10質量部
(平均粒径20nm)
ポリウレタン系樹脂UR8200(東洋紡績製):18.5質量部
n-ブチルステアレート:2質量部
メチルエチルケトン:108.2質量部
トルエン:108.2質量部
シクロヘキサノン:18.5質量部
なお、上記n-ブチルステアレートは潤滑剤として添加した。
バック層形成用塗料を以下のようにして調製した。下記原料を、ディスパーを備えた攪拌タンクで混合を行い、フィルター処理を行うことで、バック層形成用塗料を調製した。小粒径のカーボンブラックの粉末(平均粒径(D50)20nm):90質量部
大粒径のカーボンブラックの粉末(平均粒径(D50)270nm):10質量部
ポリエステルポリウレタン:100質量部
(東ソー株式会社製、商品名:N-2304)
メチルエチルケトン:500質量部
トルエン:400質量部
シクロヘキサノン:100質量部
上述のようにして調製した磁性層形成用塗料および下地層形成用塗料を用いて、非磁性支持体である、平均厚み4.12μm、長尺のポリエチレンナフタレートフィルム(以下「PENフィルム」という。)の一方の主面上に、乾燥及びカレンダー後の平均厚みが0.8μmとなるように下地層を以下のようにして形成し、そして乾燥及びカレンダー後の平均厚みが80nmとなるように磁性層を以下のようにして形成した。まず、PENフィルムの一方の主面上に下地層形成用塗料を塗布し、そして乾燥させることにより、下地層を形成した。次に、下地層上に磁性層形成用塗料を塗布し、そして乾燥させることにより、磁性層を形成した。なお、磁性層形成用塗料の乾燥の際に、ソレノイドコイルにより、磁性粉をフィルムの厚み方向に磁場配向させた。また、磁性層形成用塗料の乾燥条件(乾燥温度及び乾燥時間)を調整し、磁気テープの厚み方向(垂直方向)における角形比S2及び長手方向における角形比S1を表2に示す値に設定した。続いて、PENフィルムの他方の主面上にバック層形成用塗料を塗布し、そして乾燥させることにより、平均厚み0.4μmのバック層を形成した。これにより、磁気テープが得られた。
続いて、カレンダー処理を行い、磁性層の表面を平滑化した。次に、得られた磁気テープをロール状に巻き取ったのち、この状態で磁気テープに60℃、10時間の加熱処理を行った。そして、内周側に位置している端部が反対に外周側に位置するように、磁気テープをロール状に巻き直したのち、この状態で磁気テープに60℃、10時間の加熱処理を再度行った。これにより、バック層の表面の多数の突部が磁性層の表面に転写され、磁性層の表面に多数の孔部が形成された。
上述のようにして得られた磁気テープを1/2インチ(12.65mm)幅に裁断した。これにより、目的とする長尺状の磁気テープ(平均厚み5.4μm)が得られた。
磁性層形成用塗料の乾燥条件(乾燥温度及び乾燥時間)を調整して、磁気テープの厚み方向(垂直方向)における角形比S2を66%に設定し、長手方向における角形比S1を30%に設定したこと以外は実施例1と同じ方法で磁気テープを製造した。
磁性層形成用塗料の乾燥条件(乾燥温度及び乾燥時間)を調整して、磁気テープの厚み方向(垂直方向)における角形比S2を71%に設定し、長手方向における角形比S1を29%に設定したこと以外は実施例1と同じ方法で磁気テープを製造した。
磁性層形成用塗料の乾燥条件(乾燥温度及び乾燥時間)を調整して、磁気テープの厚み方向(垂直方向)における角形比S2を70%に設定し、長手方向における角形比S1を25%に設定したこと以外は実施例1と同じ方法で磁気テープを製造した。
カレンダー処理後の加熱処理における加熱温度を上げて細孔の平均直径を6nmに変更したこと以外は実施例2と同じ方法で磁気テープを製造した。
下地層の平均厚みを0.6μmに変更し、転写工程における加熱温度を上げたこと以外は実施例2と同じ方法で磁気テープを製造した。当該磁気テープの平均厚みtTは5.2μmであった。
磁性層に含まれる磁性粉をバリウムフェライト粒子の粉末からストロンチウムフェライト粒子の粉末に変更したこと以外は実施例2と同じ方法で磁気テープを製造した。
磁性層に含まれる磁性粉をバリウムフェライト粒子の粉末からε酸化鉄ナノ粒子の粉末に変更したこと以外は実施例2と同じ方法で磁気テープを製造した。
磁性層に含まれる磁性粉をバリウムフェライト粒子の粉末からコバルト酸化鉄ナノ粒子の粉末に変更したこと以外は実施例1と同じ方法で磁気テープを製造した。当該磁気テープの平均厚みtTは5.2μmであった。
下地層の平均厚みを1μmに変更し、バック層形成用塗料に含まれる小粒径のカーボンブラックの粉末(平均粒径(D50)20nm)の含有量を80質量部とし、大粒径のカーボンブラックの粉末(平均粒径(D50)270nm)の含有量を20質量部としたこと以外は実施例2と同じ方法で磁気テープを得た。下地層の平均厚みを上記のとおり変更したことにより、当該磁気テープの細孔容積は0.023cm3/gとなった。また、当該磁気テープの平均厚みtTは5.6μmであった。
カレンダー処理後の加熱処理における圧力を下げ、磁性層の細孔の平均直径を10nmに変更したこと以外は実施例6と同じ方法で磁気テープを得た。当該磁気テープの平均厚みtTは5.2μmであった。
カレンダー処理後の加熱処理における圧力を下げ、バック層形成用塗料に含まれる小粒径のカーボンブラックの粉末(平均粒径(D50)20nm)の含有量を80質量部とし、大粒径のカーボンブラックの粉末(平均粒径(D50)270nm)の含有量を20質量部としたこと以外は実施例2と同じ方法で磁気テープを得た。
バック層形成用塗料に含まれる小粒径のカーボンブラックの粉末(平均粒径(D50)50nm)の含有量を70質量部とし、大粒径のカーボンブラックの粉末(平均粒径(D50)270nm)の含有量を30質量部とし、転写工程における加熱温度を上げ、磁性層形成用塗料の乾燥時間を長くし、カレンダー処理後の加熱処理における圧力を下げ、長手方向の角型比S1を31%とし、細孔の平均直径を12nmに変更したこと以外は、実施例2と同じ方法で磁気テープを得た。
バック層形成用塗料に含まれる小粒径のカーボンブラックの粉末(平均粒径(D50)20nm)の含有量を100質量部とし、磁性層形成用塗料の乾燥温度を低くし、カレンダー処理後の加熱処理における加熱時間を長くして長手方向の角型比S1を31%とし、細孔の平均直径を5nmに変更したこと以外は実施例2と同じ方法で磁気テープを得た。バック層形成用塗料の組成と、カレンダー処理における条件を上記のとおり変更したことにより、当該磁気テープの細孔容積は0.015cm3/gとなった。
磁性層形成用塗料の乾燥温度を比較例2よりもさらに低くし、乾燥時間を長くしたこと以外は実施例1と同じ方法で磁気テープを得た。
転写工程における加熱温度を下げ、磁性層形成用塗料の乾燥時間を長くし、カレンダー処理後の加熱処理における加熱温度を比較例2よりもさらに高くしたこと以外は実施例1と同じ方法で磁気テープを得た。
カレンダー処理後の加熱処理における加熱温度を比較例2よりもさらに高くし、加熱処理における圧力を高くしたこと以外は比較例3と同じ方法で磁気テープを得た。
潤滑剤における脂肪酸エステルの含有量を少なくしたこと以外は実施例1と同じ方法で磁気テープを得た。
上記(1)において製造された実施例1~12及び比較例1~6の磁気テープについて、摩擦係数比(μC(1000)/μC(5))を測定した。摩擦係数比(μC(1000)/μC(5))測定は、「2.本技術の実施形態(塗布型の磁気記録媒体の例)」にて説明した測定方法により行われた。測定結果は下記表2に示されている。
まず、記録/再生ヘッド及び記録/再生アンプを取り付けた1/2インチテープ走行装置(Mountain Engineering II社製、MTS Transport)を用いて、25℃環境における磁気テープのSNR(電磁変換特性)を測定した。記録ヘッドにはギャップ長0.2μmのリングヘッドを用い、再生ヘッドにはシールド間距離0.1μmのGMRヘッドを用いた。相対速度は6m/s、記録クロック周波数は160MHz、記録トラック幅は2.0μmとした。また、SNRは、下記の文献に記載の方法に基づき算出した。SNRについて、実施例1の値を基準として、それよりもSNRが上昇したか又は低下したかという相対的な評価を行った。
Y. Okazaki: ”An Error Rate Emulation System.”, IEEE Trans. Man., 31,pp.3093-3095(1995)
〔1〕
磁性層、下地層、ベース層、及びバック層を含み、
前記磁性層側の表面のクルトーシスが3.0以上であり、
前記バック層側の表面のクルトーシスが2.0以上であり、
前記磁性層側の表面の算術平均粗さRaが2.5nm以下であり、
前記ベース層は、ポリエステルを主たる成分として含み、
磁気記録媒体の平均厚みtTが5.6μm以下であり、
前記磁気記録媒体は潤滑剤を含み、当該潤滑剤が、脂肪酸及び脂肪酸エステルを含有し、ヘキサンによって抽出される当該脂肪酸及び当該脂肪酸エステルの質量比が、脂肪酸/脂肪酸エステル≦0.6であり、且つ、
前記磁気記録媒体は細孔を有し、当該細孔の平均直径が、前記磁気記録媒体から潤滑剤を除去しそして乾燥した状態で測定したときに、6nm以上11nm以下である、
テープ状の磁気記録媒体。
〔2〕
垂直方向における角形比が65%以上である、〔1〕に記載の磁気記録媒体。
〔3〕
前記磁性層の平均厚みtmが80nm以下である、〔1〕又は〔2〕に記載の磁気記録媒体。
〔4〕
前記磁性層が磁性粉を含み、当該磁性粉が六方晶フェライト、ε酸化鉄、又はCo含有スピネルフェライトを含む、〔1〕~〔3〕のいずれか1つに記載の磁気記録媒体。
〔5〕
前記六方晶フェライトが、Ba及びSrのうちの少なくとも1種を含み、且つ、前記ε酸化鉄が、Al及びGaのうちの少なくとも1種を含む、〔4〕に記載の磁気記録媒体。
〔6〕
長手方向に0.6Nの張力を加えた状態にある前記磁気記録媒体を、磁気ヘッド上を5往復摺動させた場合の5往復目における動摩擦係数μC(5)と、当該磁気ヘッド上を1000往復させた場合の1000往復目における動摩擦係数μC(1000)との摩擦係数比(μC(1000)/μC(5))が1.0~1.8である、〔1〕~〔5〕のいずれか1つに記載の磁気記録媒体。
〔7〕
前記脂肪酸が下記一般式(1)又は(2)で示される化合物を含み、且つ、前記脂肪酸エステルが下記一般式(3)又は(4)で示される化合物を含む、〔1〕~〔6〕のいずれか1つに記載の磁気記録媒体。
CH3(CH2)kCOOH ・・・(1)
(但し、前記一般式(1)において、kは14以上22以下の範囲から選ばれる整数である。)
CH3(CH2)nCH=CH(CH2)mCOOH ・・・(2)
(但し、前記一般式(2)において、nとmとの和は12以上20以下の範囲から選ばれる整数である。)
CH3(CH2)pCOO(CH2)qCH3 ・・・(3)
(但し、前記一般式(3)において、pは14以上22以下の範囲から選ばれる整数であり、qは2以上5以下の範囲から選ばれる整数である。)
CH3(CH2)rCOO-(CH2)sCH(CH3)2・・・(4)
(但し、前記一般式(4)において、rは14以上22以下の範囲から選ばれる整数であり、sは1以上3以下の範囲から選ばれる整数である。)
〔8〕
長手方向における保磁力Hcが2000Oe以下である、〔1〕~〔7〕のいずれか1つに記載の磁気記録媒体。
〔9〕
前記磁性層が5以上のサーボバンドを有する、〔1〕~〔8〕のいずれか1つに記載の磁気記録媒体。
〔10〕
前記磁気記録媒体の磁性層側表面の面積に対する前記サーボバンドの総面積の割合が4.0%以下である、〔9〕に記載の磁気記録媒体。
〔11〕
前記サーボバンドの幅が95μm以下である、〔9〕又は〔10〕に記載の磁気記録媒体。
〔12〕
前記磁性層は複数のデータトラックを形成可能に構成されており、前記データトラックの幅が2.0μm以下である、〔1〕~〔11〕のいずれか1つに記載の磁気記録媒体。
〔13〕
前記磁性層は、磁化反転間距離Lの最小値が48nm以下となるようにデータを記録可能に構成されている、〔1〕~〔12〕のいずれか1つに記載の磁気記録媒体。
〔14〕
前記ベース層の平均厚みが4.2μm以下である、〔1〕~〔13〕のいずれか1つに記載の磁気記録媒体。
〔15〕
前記磁性層が磁性粉を含み、当該磁性粉の平均アスペクト比が1.0以上3.5以下である、〔1〕~〔14〕のいずれか1つに記載の磁気記録媒体。
〔16〕
前記磁性層が磁性粉を含み、当該磁性粉の平均粒子サイズが50nm以下である、〔1〕~〔15〕のいずれか1つに記載の磁気記録媒体。
〔17〕
前記細孔の平均直径が6nm以上10nm以下である、〔1〕~〔16〕のいずれか1つに記載の磁気記録媒体。
〔18〕
前記細孔の平均直径が7nm以上9nm以下である、〔1〕~〔17〕のいずれか1つに記載の磁気記録媒体。
〔19〕
前記磁性層側の表面のクルトーシスが3.5以上である、〔1〕~〔18〕のいずれか1つに記載の磁気記録媒体。
〔20〕
前記バック層側の表面のクルトーシスが2.3以上である、〔1〕~〔19〕のいずれか1つに記載の磁気記録媒体。
〔21〕
〔1〕~〔20〕のいずれか1つに記載のテープ状の磁気記録媒体と、
記録再生装置と通信を行う通信部と、
記憶部と、
通信部を介して記録再生装置から受信した情報を記憶部に記憶し、かつ、記録再生装置の要求に応じて、記憶部から情報を読み出し、通信部を介して記録再生装置に送信する制御部と、を備え、
前記情報は、磁気記録媒体の長手方向にかかるテンションを調整するための調整情報を含む
テープカートリッジ。
11 ベース層
12 下地層
13 磁性層
14 バック層
Claims (21)
- テープ状の磁気記録媒体であって、
磁性層、下地層、ベース層、及びバック層を含み、
前記磁気記録媒体の磁性層側の表面のクルトーシスが3.0以上であり、
前記磁気記録媒体のバック層側の表面のクルトーシスが2.0以上であり、
前記磁気記録媒体の磁性層側の表面の算術平均粗さRaが2.5nm以下であり、
前記磁気記録媒体の長手方向における角形比が35%以下であり、
前記ベース層は、ポリエステルを主たる成分として含み、
磁気記録媒体の平均厚みtTが5.6μm以下であり、
前記磁気記録媒体は潤滑剤を含み、当該潤滑剤が、脂肪酸及び脂肪酸エステルを含有し、ヘキサンによって抽出される当該脂肪酸及び当該脂肪酸エステルの質量比が、脂肪酸/脂肪酸エステル≦0.6であり、且つ、
前記磁気記録媒体は細孔を有し、当該細孔の平均直径が、前記磁気記録媒体から潤滑剤を除去しそして乾燥した状態で測定したときに、6nm以上11nm以下である、
前記磁気記録媒体。 - 前記磁気記録媒体の垂直方向における角形比が65%以上である、請求項1に記載の磁気記録媒体。
- 前記磁性層の平均厚みtmが80nm以下である、請求項1に記載の磁気記録媒体。
- 前記磁性層が磁性粉を含み、当該磁性粉が六方晶フェライト、ε酸化鉄、又はCo含有スピネルフェライトを含む、請求項1に記載の磁気記録媒体。
- 前記六方晶フェライトが、Ba及びSrのうちの少なくとも1種を含み、且つ、前記ε酸化鉄が、Al及びGaのうちの少なくとも1種を含む、請求項4に記載の磁気記録媒体。
- 長手方向に0.6Nの張力を加えた状態にある前記磁気記録媒体を、磁気ヘッド上を5往復摺動させた場合の5往復目における動摩擦係数μC(5)と、当該磁気ヘッド上を1000往復させた場合の1000往復目における動摩擦係数μC(1000)との摩擦係数比(μC(1000)/μC(5))が1.0以上1.8以下である、請求項1に記載の磁気記録媒体。
- 前記脂肪酸が下記一般式(1)又は(2)で示される化合物を含み、且つ、前記脂肪酸エステルが下記一般式(3)又は(4)で示される化合物を含む、請求項1に記載の磁気記録媒体。
CH3(CH2)kCOOH ・・・(1)
(但し、前記一般式(1)において、kは14以上22以下の範囲から選ばれる整数である。)
CH3(CH2)nCH=CH(CH2)mCOOH ・・・(2)
(但し、前記一般式(2)において、nとmとの和は12以上20以下の範囲から選ばれる整数である。)
CH3(CH2)pCOO(CH2)qCH3 ・・・(3)
(但し、前記一般式(3)において、pは14以上22以下の範囲から選ばれる整数であり、qは2以上5以下の範囲から選ばれる整数である。)
CH3(CH2)rCOO-(CH2)sCH(CH3)2・・・(4)
(但し、前記一般式(4)において、rは14以上22以下の範囲から選ばれる整数であり、sは1以上3以下の範囲から選ばれる整数である。) - 前記磁気記録媒体の長手方向における保磁力Hcが2000Oe以下である、請求項1に記載の磁気記録媒体。
- 前記磁性層が5以上のサーボバンドを有する、請求項1に記載の磁気記録媒体。
- 前記磁気記録媒体の磁性層側表面の面積に対する前記サーボバンドの総面積の割合が4.0%以下である、請求項9に記載の磁気記録媒体。
- 前記サーボバンドの幅が95μm以下である、請求項9に記載の磁気記録媒体。
- 前記磁性層は複数のデータトラックを形成可能に構成されており、前記データトラックの幅が2.0μm以下である、請求項1に記載の磁気記録媒体。
- 前記磁性層は、磁化反転間距離Lの最小値が48nm以下となるようにデータを記録可能に構成されている、請求項1に記載の磁気記録媒体。
- 前記ベース層の平均厚みが4.2μm以下である、請求項1に記載の磁気記録媒体。
- 前記磁性層が磁性粉を含み、当該磁性粉の平均アスペクト比が1.0以上3.5以下である、請求項1に記載の磁気記録媒体。
- 前記磁性層が磁性粉を含み、当該磁性粉の平均粒子サイズが50nm以下である、請求項1に記載の磁気記録媒体。
- 前記細孔の平均直径が6nm以上10nm以下である、請求項1に記載の磁気記録媒体。
- 前記細孔の平均直径が7nm以上9nm以下である、請求項1に記載の磁気記録媒体。
- 前記磁性層側の表面のクルトーシスが3.5以上である、請求項1に記載の磁気記録媒体。
- 前記バック層側の表面のクルトーシスが2.3以上である、請求項1に記載の磁気記録媒体。
- 請求項1に記載のテープ状の磁気記録媒体と、
記録再生装置と通信を行う通信部と、
記憶部と、
通信部を介して記録再生装置から受信した情報を記憶部に記憶し、かつ、記録再生装置の要求に応じて、記憶部から情報を読み出し、通信部を介して記録再生装置に送信する制御部と、を備え、
前記情報は、磁気記録媒体の長手方向にかかるテンションを調整するための調整情報を含む
テープカートリッジ。
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Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000215433A (ja) | 1999-01-19 | 2000-08-04 | Sony Corp | 磁気記録媒体 |
JP2004005891A (ja) | 2002-03-20 | 2004-01-08 | Hitachi Maxell Ltd | 磁気テープおよび磁気テープカートリッジ |
JP2004273070A (ja) | 2003-03-11 | 2004-09-30 | Fuji Photo Film Co Ltd | 磁気記録媒体 |
JP2006065953A (ja) | 2004-08-26 | 2006-03-09 | Sony Corp | 磁気記録媒体 |
JP2006099919A (ja) | 2004-09-30 | 2006-04-13 | Hitachi Maxell Ltd | 磁気テープの記録再生方法および記録再生装置 |
JP2007273036A (ja) | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Fujifilm Corp | 磁気記録媒体 |
JP2007299513A (ja) | 2006-04-28 | 2007-11-15 | Imation Corp | 高密度用途用に耐久性の改善した磁気記録媒体 |
JP2009087468A (ja) | 2007-09-28 | 2009-04-23 | Fujifilm Corp | 磁気記録媒体、磁気信号再生方法および磁気信号再生システム |
JP2016139451A (ja) | 2015-01-22 | 2016-08-04 | Dowaエレクトロニクス株式会社 | 磁気記録媒体用磁性粉 |
JP2019003712A (ja) | 2017-06-09 | 2019-01-10 | 富士フイルム株式会社 | 磁気記録媒体 |
WO2019159466A1 (ja) | 2018-02-16 | 2019-08-22 | ソニー株式会社 | 磁気記録媒体 |
-
2019
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Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000215433A (ja) | 1999-01-19 | 2000-08-04 | Sony Corp | 磁気記録媒体 |
JP2004005891A (ja) | 2002-03-20 | 2004-01-08 | Hitachi Maxell Ltd | 磁気テープおよび磁気テープカートリッジ |
JP2004273070A (ja) | 2003-03-11 | 2004-09-30 | Fuji Photo Film Co Ltd | 磁気記録媒体 |
JP2006065953A (ja) | 2004-08-26 | 2006-03-09 | Sony Corp | 磁気記録媒体 |
JP2006099919A (ja) | 2004-09-30 | 2006-04-13 | Hitachi Maxell Ltd | 磁気テープの記録再生方法および記録再生装置 |
JP2007273036A (ja) | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Fujifilm Corp | 磁気記録媒体 |
JP2007299513A (ja) | 2006-04-28 | 2007-11-15 | Imation Corp | 高密度用途用に耐久性の改善した磁気記録媒体 |
JP2009087468A (ja) | 2007-09-28 | 2009-04-23 | Fujifilm Corp | 磁気記録媒体、磁気信号再生方法および磁気信号再生システム |
JP2016139451A (ja) | 2015-01-22 | 2016-08-04 | Dowaエレクトロニクス株式会社 | 磁気記録媒体用磁性粉 |
JP2019003712A (ja) | 2017-06-09 | 2019-01-10 | 富士フイルム株式会社 | 磁気記録媒体 |
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