JP2000215433A - 磁気記録媒体 - Google Patents

磁気記録媒体

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JP2000215433A
JP2000215433A JP11010837A JP1083799A JP2000215433A JP 2000215433 A JP2000215433 A JP 2000215433A JP 11010837 A JP11010837 A JP 11010837A JP 1083799 A JP1083799 A JP 1083799A JP 2000215433 A JP2000215433 A JP 2000215433A
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諭 佐藤
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 非磁性支持体として芳香族ポリアミドフィル
ムを用いた場合であっても、良好な電磁変換特性と走行
性とを兼ね備えた磁気記録媒体を提供する。 【解決手段】 非磁性支持体上に、金属磁性薄膜からな
る磁性層が成膜されてなる磁気記録媒体において、上記
非磁性支持体は、少なくとも一方の主面に微細突起が形
成されてなり、上記非磁性支持体の微細突起が形成され
た一方の主面は、尖り度(Ku)が10.0〜50.0
であり、上記非磁性支持体の一方の主面の中心面平均粗
さRaが1.0〜5.0nmであり、上記非磁性支持体
の一方の主面の十点平均粗さRzが15〜50nmであ
ることを特徴とするものである。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、非磁性支持体上に
金属磁性薄膜が成膜されてなる磁気記録媒体に関し、特
に長時間記録用のビデオテープ、あるいは大容量のテー
プストリーマーとして用いて好適な磁気記録媒体に関す
る。
【0002】
【従来の技術】従来より、金属磁性薄膜型磁気記録媒体
用の支持体としては、その材料強度や寸法安定性等の特
性が比較的優れていること等から、ポリエチレンテレフ
タレートフィルムが主として用いられている。特にホー
ムビデオカセットテープ、例えば8ミリテープなどには
厚さ7〜10μm程度のポリエチレンテレフタレートフ
ィルムが、テープストリーマーにおいては厚さ5〜7μ
m程度のものが使用されている。
【0003】一方、近年、ビデオカセットテープの中で
も特にDVC(Digtal Video Casse
tte)テープなどでは、ビデオカセットの小型化が進
み、今後はより一層の長時間記録化が望まれる。また、
テープストリーマーの分野に於いても、例えばD8(D
ata8mm)やDDS(Digital DataS
torage)などでは更なる大容量化が望まれてい
る。
【0004】磁気記録媒体の長時間記録化や大容量化を
達成するためにはベースフィルムの薄膜化が必要となる
が、薄膜化により磁気記録媒体のスティフネス(剛性)
の低下やスキュー特性の悪化が問題となってくる。
【0005】スティフネスやスキュー特性を満足させる
ためには、ベースフィルムが高強度であり且つ低熱収で
あるというように、相反する特性を同時に満たすことが
望まれる。このため、ポリエチレンテレフタレートフィ
ルムでは、再延伸などの手法により、強度を高め、且
つ、エージング等により熱収を減らすなどの措置がとら
れてきた。
【0006】しかしながら、最近ではより一層の薄膜化
が進む中でポリエチレンテレフタレートの強度では限界
にきており、次世代の高密度磁気記録媒体用ベースフィ
ルムとして、高強度かつ熱収の少ない芳香族ポリアミド
フィルムが注目されるようになってきた。
【0007】更に、長時間記録化や大容量化が進むにつ
れて、磁気記録媒体に要求される特性も厳しくなってく
る。すなわち、磁気記録媒体としては、電磁変換特性の
更なる向上が求められ、エラーレートに対する要求もよ
り一層厳しくなってくる。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】このような観点から考
えると、ベースフィルムの表面は平滑で突起などが存在
しない鏡面であることが好ましい。しかしながら、その
ようなベースフィルム上に形成された蒸着膜は、そのま
まベースフィルムの鏡面性を保持するため、走行性が悪
く、擦り傷が発生したり、蒸着膜の粉落ちによりエラー
レートが多発するといった問題があった。
【0009】そこで、本発明は、こうした従来の実情に
鑑みてなされたものであり、非磁性支持体として芳香族
ポリアミドフィルムを用いた場合であっても、良好な電
磁変換特性と走行性とを兼ね備えた磁気記録媒体を提供
することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】上述した目的を達成した
本発明に係る磁気記録媒体は、非磁性支持体上に、金属
磁性薄膜からなる磁性層が成膜されてなる磁気記録媒体
において、上記非磁性支持体は、少なくとも一方の主面
に微細突起が形成されてなり、上記非磁性支持体の微細
突起が形成された一方の主面は、下記式(1)で示され
る尖り度(Ku)が10.0〜50.0であり、
【0011】
【数2】
【0012】上記非磁性支持体の一方の主面の中心面平
均粗さRaが1.0〜5.0nmであり、上記非磁性支
持体の一方の主面の十点平均粗さRzが15〜50nm
であることを特徴とするものである。
【0013】以上のように構成された本発明に係る磁気
記録媒体は、非磁性支持体の一主面に形成された微細突
起の尖り度(Ku)と非磁性支持体の一主面における中
心面平均粗さ及び十点平均粗さとを所定の値に規定して
おり、この非磁性支持体上に金属磁性薄膜を有してい
る。このため、この磁気記録媒体は、金属磁性薄膜の主
面が所望の平面性を有することとなる。
【0014】ここで、Ku、中心面平均粗さ及び十点平
均粗さは、いわゆる原子間力顕微鏡(AFM)を用いて
測定したものであり、具体的には、Digital I
nstruments社製の原子間力顕微鏡(AFM)
を用いて測定した値である。
【0015】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る磁気記録媒体
の好適な実施の形態について図面を参照して詳細に説明
する。
【0016】本実施の形態に示す磁気記録媒体は、図1
に示すように、ベース層1と連続被膜2とが積層されて
なる非磁性支持体3と、この非磁性支持体3の一主面3
a上に金属磁性薄膜からなる磁性層4とから構成されて
いる。
【0017】この磁気記録媒体において、非磁性支持体
3の主面に微細突起が形成されてなり、この微細突起が
形成された主面上に磁性層4が形成されることとなる。
また、この磁気記録媒体において、微細突起が形成され
た非磁性支持体3の一主面3aは、下記式(1)で示さ
れる尖り度(Ku;Kurtosis)が10.0〜5
0.0である。
【0018】
【数3】
【0019】また、この磁気記録媒体においては、下記
式(2)で示される非磁性支持体3の主面3aの中心面
平均粗さSRaが1.0〜5.0nmであり、また、下
記式(3)で示される当該主面3aの十点平均粗さSR
zが15〜50nmである。
【0020】
【数4】
【0021】ここで、尖り度(Ku)、中心面平均粗さ
(SRa)及び十点平均粗さ(SRz)は、Digit
al Instruments社製の原子間力顕微鏡
(AFM)を用いて、スキャンサイズを5μm×5μm
とし、サンプリング数を512ポイントとし、スキャン
レートを1.5Hzとした条件にて測定したものであ
る。
【0022】そして、この磁気記録媒体では、非磁性支
持体3の表面性を上述したように規定するため、非磁性
支持体3のベース層1を、例えば、芳香族ポリアミドフ
ィルムから形成し、連続被膜2中に微細粒子5を含有さ
せることにより主面に微細突起6を形成している。
【0023】このベース層1は、2.0〜5.0μm程
度の厚みとなっており、内部に不活性粒子を含有してな
る。このように、ベース層1に不活性粒子を含有するこ
とによって、非磁性支持体3の一主面3aには、所望の
粗大突起(図示せず。)が形成されることとなる。
【0024】このベース層1として使用される芳香族ポ
リアミドフィルムは、下記の一般式(I)及び/又は一
般式(II)で表される繰り返し単位を50モル%以上
含むものが好ましく、70モル%以上からなるものがよ
り好ましい。
【0025】
【化1】
【0026】ここで、X,Yは−O−,−CH2−,−
CO−,−SO2−,−S−,−C(CH32−等から
選ばれるが、これに限定されるものではない。更に、こ
れらの芳香環上の水素原子の一部が、塩素、フッ素、臭
素などのハロゲン基(特に塩素)、ニトロ基、メチル
基、エチル基、プロピル基などのアルキル基(特にメチ
ル基)、エトキシ基、メトキシ基、プロポキシ基、イソ
プロポシキ基などのアルコキシ基等で置換されているも
のもであってもよく、重合体を構成するアミド結合中の
水素が他の置換基によって置換されているものであって
もよい。
【0027】これらAr1、Ar2、Ar3として示した
化学式において、芳香環パラ位で結合されたものが、全
芳香環の50%以上、好ましくは75%以上を占めるの
が好ましい。芳香族ポリアミドフィルムとしては、この
ように規定することによって熱寸法安定性に優れ高弾性
率のフィルムとなる。また、芳香環上の水素原子の一部
がハロゲン基(特に塩素)で置換された芳香環が全体の
30%以上、好ましくは50%以上、更に好ましくは7
0%以上であると、芳香族ポリアミドフィルムの湿度膨
張係数が小さくなるため好ましい。
【0028】さらに、この芳香族ポリアミドフィルム
は、一般式(I)及び/又は一般式(II)で表される
繰り返し単位以外に、他の繰り返し単位が共重合又はブ
レンドされていても差し支えない。また、芳香族ポリア
ミドフィルムには、フィルムの物性を損なわない程度に
滑剤、酸化防止剤その他の添加剤等がブレンドされてい
てもよい。
【0029】一方、連続被膜2は、水性高分子と微細粒
子5とを主体としてなる塗料を、上述したベース層1上
に塗布することによって形成される。
【0030】この微細粒子5としては、例えば、シリ
カ、炭酸カルシウム、二酸化チタン、アルミナ、カオリ
ン、タルク、グラファイト、長石、二酸化モリブデン、
カーボンブラック、硝酸バリウム等の無機質系粒子、ポ
リスチレン、ポリメチルメタクリレート、メチルメタク
リレート共重合体、メチルメタクリレート共重合体の架
橋体、ポリテトラフルオロエチレン、ポリビニルデンフ
ルオライド、ポリアクリロニトリル、ベンゾグアナミン
樹脂などの如き有機質系粒子等が挙げられる。なかで
も、微細粒子としては、真球状粒子を得やすい、コロイ
ダルシリカ、架橋高分子による粒子を用いることが好ま
しい。
【0031】また、この水溶性高分子とは、水に溶解す
るか、または必要に応じて界面活性剤などを添加するこ
とにより懸濁液または乳化液となる高分子材料及びこの
ような高分子材料をさらに架橋することによって高分子
量化したものである。
【0032】これらの水溶性高分子としては、例えば、
澱粉、メチルセルロースやヒドロキシエチルセルロース
などのセルロース誘導体、アルギン酸、アラビアゴム、
ゼラチン、ポリアクリル酸ナトリウム、ポリアクリルア
ミド、ポリビニルアルコール、ポリエチレンオキサイ
ド、ポリビニルピロリドン、ポリ塩化ビニル、ポリスチ
レンシリコーン樹脂、ウレタン系樹脂、アクリル系樹
脂、エーテル系樹脂、エポキシ樹脂、エステル系樹脂等
が挙げられる。
【0033】シリコーン樹脂としては、シロキサンの置
換基が主としてメチル基よりなるポリオルガノシロキサ
ンを主成分とし、メチル基以外には水酸基、α−メチル
スチレン基、オキシアルキレン基、不飽和基、クロロフ
ェニル基、トリフルオロプロピル基、エポキシ基、ビニ
ル基、カルボン酸基、フェニル基、アミノ基、シアノエ
チル基、α−オレフィン基、水酸基、メルカプト基、ハ
ロゲン化アルキル基等が置換基として一部導入されたも
のを用いることもできる。これらは末端にエポキシ基、
アミノ基、水酸基その他官能性末端基を有するものが好
ましい。
【0034】上記オルガノポリシロキ酸は、水性溶媒中
に乳化もしくは水溶化させるか、シランもしくはシロキ
サンの乳化重合によって得られる水性エマルジョン等公
知の製造方法によって水性化が可能である。
【0035】また、上記ウレタン系樹脂としては、主要
な成分が、ポリイソシアネート、ポリオール、鎖長延長
剤、架橋剤などからなる水性ウレタン樹脂を使用するこ
とができる。水性化するにあたっては、ポリイソシアネ
ート、ポリオールおよび鎖長延長剤に親水性基を導入し
たものを用いるのが一般的手法である。また、ポリウレ
タンの未反応イソシアネート基と、親水性基を有する化
合物とを反応させても良い。
【0036】上記エーテル系樹脂としては、ポリエチレ
ングリコール、ポリプロピレングリコール、ポリテトラ
メチレングリコール、エチレンオキサイドとプロピレン
オキサイドとの共重合体、エチレンオキサイドとテトラ
ヒドロフランとの共重合体などをあげることができる。
【0037】エステル系樹脂としては、テレフタル酸、
イソフタル酸等の芳香族ジカルボン酸およびこれらのエ
ステル形成性誘導体やアジピン酸、アゼライン酸、セバ
シン酸などの脂肪族カルボン酸およびこれらのエステル
形成誘導体と、エチレングリコール、プロピレングリコ
ール、1,4−ブタンジオール、1,4−シクロヘキサ
ンジメタノール、ジエチレングリコール、ポリエチレン
グリコールなどのジオールとの反応物を使用できる。水
性化するにあたっては、スルホン酸基を有する化合物を
上記の成分と共に共重合するのが良く知られた方法であ
り、スルホイソフタル酸、スルホテレフタル酸、4−ス
ルホナフタレン−2,7−ジカルボン酸およびこれらの
エステル形成性誘導体などのアルカリ金属塩またはアル
カリ土類金属塩などがよく使われる。
【0038】なお、水性高分子には必要に応じて硬化剤
を加えることができる。
【0039】また、本発明において、微細突起6は、単
層の非磁性支持体3中に含有された微細粒子5やベース
層1の原料となる芳香族ポリアミド樹脂と同種のもので
あって、上述した溶液成形の際に溶媒に溶けない有機物
を添加することによって形成されていてもよい。
【0040】一方、非磁性支持体3の主面3aには、上
述した微細突起6と比較して大とされ、平均粒径が50
〜200nm程度の不活性粒子を使用することにより形
成される。この不活性粒子としては、例えば、シリカ粒
子を挙げることができる。
【0041】また、金属磁性薄膜としては、例えば、C
o、Ni、Fe等を主体とする金属磁性薄膜、またはそ
れらの合金を主体とする金属磁性薄膜を挙げることがで
きる。この金属磁性薄膜からなる磁性層4の厚みは、
0.05〜0.2μmが好ましく、0.1〜0.2μm
がより好ましい、すなわち、磁性層4の厚みを薄くする
と、自己減磁損失等を少なくするとともに、上述したよ
うに非磁性支持体3の薄さに加えて磁気記録媒体の全厚
を薄くすることができ、磁気記録媒体の全長は長くなる
ことから、長時間記録化や大容量化が達成される。
【0042】この金属磁性薄膜の形成手段としては、真
空下で強磁性金属材料を加熱蒸発させ、非磁性支持体上
に堆積させる真空蒸着法等が好ましく使用されている。
このほかにも、強磁性金属材料の蒸発を放電中で行うイ
オンプレーティング法、アルゴンを主成分とする雰囲気
でグロー放電を起こし、生じたアルゴンイオンでターゲ
ット表面の原子をたたき出すスパッタリング法等、いわ
ゆるPVD技術を使用しても良い。
【0043】さらに、この金属磁性薄膜を成膜する際に
は、非磁性支持体2との付着強度を改善するため、ある
いは金属磁性薄膜自体の耐食性、耐磨耗性等を改善する
ために、酸素ガスが支配的となる雰囲気下で行なうこと
が好ましい。
【0044】なお、図示しないが、非磁性支持体3の磁
性層4が形成される主面3aとは反対側の面には、走行
性の向上および耐久性を高める目的で、バックコート層
を設けても良い。バックコート層には、従来公知の材料
を用いることができ、例えば、カーボン、炭酸カルシウ
ムなどの非磁性顔料をポリウレタン、塩化ビニル−酢酸
ビニル共重合体等の結合剤に分散させたものを用いるこ
とができる。さらに、金属磁性薄膜からなる磁性層4の
表面には、磁気記録媒体の耐久性や耐候性を高めるため
に、硬質炭素膜を設けても良い。硬質炭素膜は、スパッ
タリング法や化学気相成長(CVD)法等により、膜厚
がスペーシングやテープ特性に影響を与えない6〜10
nm程度に形成されるのが好ましい。さらに、磁性層4
には、潤滑剤を存在せしめることにより、磁性材料の粒
子状突起の形状に基づく走行性を高めることも可能であ
る。
【0045】また、磁気記録媒体の表面、裏面、並びに
それらの近傍、或いは磁性層4内(強磁性金属薄膜内の
空隙)、非磁性支持体3と磁性層4との界面、非磁性支
持体3内等に公知の手段により防錆剤、帯電防止剤等の
各種添加剤を必要に応じて存在させてもよい。
【0046】以上のように構成された本実施の形態に示
す磁気記録媒体は、上述したように、尖り度(Ku)、
中心面平均粗さ(SRa)及び十点平均粗さ(SRz)
が規定された非磁性支持体3を用いているため、磁気ヘ
ッドと対向する面がこの非磁性支持体3の主面と略々同
等な表面性を有している。
【0047】ここで、上述した磁気記録媒体において
は、非磁性支持体の主面のKuが10.0〜50の範囲
に規定されており、20以上であれば好ましい。Kuが
10未満では、磁気ヘッドとの真実接触面積が大きすぎ
ることになり、走行耐久性が不十分である。また、尖り
度(Ku)が50より大である場合には、微細突起6が
削られやすくなってしまい、優れた走行耐久性や所定の
摩擦係数を維持することができなくなってしまう。
【0048】また、上述した磁気記録媒体では、非磁性
支持体3の主面3あの中心面平均粗さ(SRa)が1.
0〜5.0nmの範囲に規定されており、1.2〜2.
0nmの範囲であれば更に好ましい。この磁気記録媒体
において、SRaが1.0nm未満であると、表面が平
滑すぎてしまい、走行耐久性が不十分である。また、
5.0nmを超えると、表面の粗さが大きくなりすぎて
しまい、電磁変換特性の低下してしまう。
【0049】さらに、上述した磁気記録媒体では、十点
平均粗さ(SRz)が15〜50nmの範囲に規定され
ており、30〜40nmの範囲であれば更に好ましい。
この磁気記録媒体において、SRzが15nm未満であ
ると、表面が平滑すぎてしまい、走行耐久性が不十分で
ある。また、50nmを超えると、表面の粗さが大きく
なりすぎてしまい、電磁変換特性の低下してしまう。
【0050】したがって、この磁気記録媒体は、Kuが
10〜50であり、且つ、SRaが1.0〜5.0nm
であり、且つ、SRzが15〜50nmであるため、磁
気ヘッドとの接触状態を長期間に亘って優れた状態に維
持することができ、走行耐久性に優れ、更に電磁変換特
性に優れたものとなる。
【0051】さらに、この磁気記録媒体において、微細
突起6は、500万〜5000万個/mm2の密度で形
成されることが好ましく、更に、800万〜2000万
個/mm2の密度で形成されることがより好ましい。微
細突起の密度を上記範囲に規定することによって、この
磁気記録媒体は、優れた走行耐久性を示すことになる。
【0052】さらにまた、この磁気記録媒体において
は、非磁性支持体3を長手方向(MD方向)および幅方
向(TD方向)に延伸することによって、当該非磁性支
持体3の長手方向及び幅方向のヤング率を調節すること
が好ましい。具体的には、非磁性支持体3は、長手方向
のヤング率を1000kg/mm2以上、幅方向のヤン
グ率を1300kg/mm2以上となるように調節され
ることが好ましい。このように、非磁性支持体3の長手
方向のヤング率及び幅方向のヤング率を規定することに
よって、磁気記録媒体の磁気ヘッドに対する当たりを良
好にすることができる。
【0053】さらにまた、この磁気記録媒体において、
非磁性支持体3の厚みを薄くすることが好ましい。具体
的には、非磁性支持体3は、2.0〜5.0μmの厚さ
であることが好ましい。非磁性支持体3の厚みが2.0
μm未満である場合には、磁気記録媒体の剛性が不十分
となる虞がある。また、非磁性支持体3の厚みが5.0
μmを超える場合には、磁気記録媒体全体としての厚み
を薄くすることが困難となり、長時間記録化に対応でき
ない虞がある。このため、この磁気記録媒体において、
非磁性支持体3の厚みを上記の範囲内に規定した場合に
は、磁気記録媒体全体としての厚みを薄くすることが可
能となり、その結果、長時間記録化に対応させることが
できるとともに、優れた剛性を有するものとなる。
【0054】一方、本実施の形態に示した磁気記録媒体
では、連続被膜2中に微細粒子5を含有させることによ
って、上述したような微細突起6を形成していた。そし
て、この磁気記録媒体においては、微細粒子5の平均粒
径を規定することによって、微細突起6の大きさ等を制
御することができる。具体的に、微細粒子5の平均粒径
は、5〜100nmの範囲であることが好ましく、10
〜50nmの範囲であることがより好ましい。微細粒子
5の平均粒径が5nm未満である場合には、微細突起6
の大きさが不十分となり、磁気記録媒体の走行性が悪化
して擦り傷の発生や磁性層4の粉落ち等により電磁変換
特性が低下したり、エラーレートが増加する虞がある。
また、微細粒子の平均粒径が200nmを超える場合に
は、微細突起6が大きすぎてしまい、磁気ヘッドとのス
ペーシングが増加して電磁変換特性が低下する虞があ
る。このため、磁気記録媒体において、微細粒子5の平
均粒径を上記の範囲に規定した場合には、所望の微細突
起6を形成することができ、その結果、優れた走行耐久
性を有するとともに優れた電磁変換特性を示すこととな
る。
【0055】また、この磁気記録媒体において、連続被
膜2の厚さは1〜100nmの範囲であることが好まし
く、5〜20nmの範囲であることがより好ましい。連
続被膜2の厚さが1nm未満である場合には、微細粒子
が脱落してしまう虞がある。また、連続被膜2の厚さが
100nmを超えるような場合には、表面粗さが粗くな
り、ノイズの増加や電磁変換特性の低下を引き起こす虞
がある。このため、磁気記録媒体において、連続被膜2
の厚さを上記の範囲に規定した場合には、確実に微細突
起6が形成されることとなるとともに、優れた電磁変換
特性を示すことができる。
【0056】一方、この磁気記録媒体では、ベース層1
に含有される不活性粒子によって、主面に粗大突起が形
成されており、この粗大突起により磁気ヘッドに対する
クリーニング効果を発揮することができる。
【0057】この粗大突起を形成する不活性粒子の平均
粒径は、50〜200nmであることが好ましい。ま
た、この粗大突起は、1〜10万個/mm2の密度で形
成されることが好ましい。50nm未満の不活性粒子を
使用して粗大突起を形成したり、1万個/mm2未満の
密度で粗大突起を形成した場合には、磁気ヘッドのクリ
ーニング効果が十分に発揮されず、余分な堆積物等が磁
気ヘッド上に堆積してしまう虞がある。逆に、200n
mより大きな不活性粒子を使用して粗大突起を形成した
り、10万個/mm2より大きな密度で粗大突起を形成
した場合には、電磁変換特性の低下を招いてしまった
り、エラーレートを増大させてしまう虞がある。
【0058】したがって、平均粒径が50〜200nm
程度の不活性粒子を使用し、1〜10万個/mm2の密
度で粗大突起が形成されることによって、磁気ヘッドに
対する優れたクリーニング効果を発揮することができ、
走行性や耐摩耗性等を大幅に向上させ、更に、電磁変換
特性に優れたものとなる。
【0059】また、このベース層1は、単層の芳香族ポ
リアミドフィルムからなるような構成に限定されず、例
えば、複数の芳香族ポリアミドフィルムを有するような
構成であってもよい。この場合、ベース層1は、磁性層
が形成される面とは反対側の面が粗くなるように形成さ
れることが好ましい。これにより、ベース層1は、所望
の摩擦を生ずることとなり、ハンドリング特性に優れた
ものとなる。
【0060】ところで、上述した磁気記録媒体では、連
続被膜中に微細粒子を含有させることにより微細突起を
形成していた。しかしながら、本発明に係る磁気記録媒
体は、このような構成に限定されるものではなく、単層
のベース層1を有し、当該ベース層1に含有された微細
粒子5により微細突起6を形成するようなものであって
もよい。この場合、微細粒子5を含有したベース層1か
らなる非磁性支持体3は、ベース層原料中に微細粒子5
を適量添加し、これを公知の方法(例えば溶融押し出し
法等)によって作製することができる。
【0061】また、上述した磁気記録媒体では、非磁性
支持体3が単層のベース層1を有しているが、フィルム
成膜時やテープ製造工程時のハンドリングを良好にする
目的で、裏面の表面性を粗くした、2層あるいは3層構
造以上のベース層1を用いても良い。
【0062】なお、上述した微細突起6或いは粗大突起
の密度は、走査電子顕微鏡(SEM)(日本電子社製の
超高分解能コールドFE−SEM「S−900」(商品
名))を用い、加速電圧2〜20kV、倍率5千〜3万
倍の条件下で測定し、1mm2当たりの個数として換算
した。
【0063】また、連続被膜2の厚さは、微細突起6の
密度と水溶性高分子の添加量から、計算により求めた。
【0064】さらに、非磁性支持体3のヤング率は、2
5℃、55%RHの条件下で、テンシロン型の引張り試
験機を使用して測定した。
【0065】
【実施例】以下、本発明に係る磁気記録媒体を実際に作
製した実施例について説明するが、本発明は、本実施例
に限定されるものでないことは言うまでもない。
【0066】実施例1 先ず、非磁性支持体を以下のように作製した。
【0067】脱水したn−メチルピロリドンに、0.9
mol比に相当する2−クロル−p−フェニレンジアミ
ンと0.1mol比に相当する4,4’−ジアミノフェ
ニルスルホンとを攪拌溶解させて冷却し、この中へ0.
7mol比に相当するテレフタル酸クロライドを添加し
て、約2時間攪拌した。その後、十分精製した水酸化カ
ルシウムを添加、攪拌して、芳香族ポリアミド溶液を得
た。
【0068】この芳香族ポリアミド溶液に不活性粒子を
添加、分散させた後に、表面研磨した金属ドラム上へ3
0℃で均一に流延し、120℃の雰囲気で約10分間乾
燥し、芳香族ポリアミドフィルムとした。但し、ここ
で、不活性粒子としては平均粒径50〜200nmのシ
リカ等を用い、その添加量は0.005〜0.1wt%
である。
【0069】この芳香族ポリアミドフィルムを金属ドラ
ムから剥離し、30℃の水槽中に連続的に約30分間浸
漬しながら、長さ方向に1.1倍に延伸した。さらに、
この芳香族ポリアミドフィルムをテンターに導入して3
20℃で幅方向に1.3倍に延伸して、縦方向のヤング
率が1000kg/mm2、幅方向のヤング率が130
0kg/mm2とし、厚さ4μmのベース層を得た。
【0070】このベース層の表面に、微細粒子として平
均粒径が12nmのSiO2を0.005部含有する塗
液を、1m2当たり4.5g塗布して乾燥させることに
より、連続被膜を形成した。
【0071】次に、このようにして作製された非磁性支
持体に対して、図2に示すような連続巻き取り式蒸着装
置10を用いて、連続斜め蒸着法により磁性層を形成す
る。
【0072】この連続巻き取り式蒸着装置10は、内部
が10-3Pa程度の真空状態とされた真空室11内に、
冷却キャン12に対向して、金属磁性薄膜用の蒸着源
(Co)13aを収納するるつぼが13配置されてな
る。
【0073】上記冷却キャン12は、−20℃に冷却さ
れ、図中半時計回り方向に回転している。そして、非磁
性支持体14は、送り速度50m/分で供給ロール15
から繰り出され、冷却キャン12の周面に沿って移行
し、巻取りロール16に巻き取られるようになってい
る。なお、供給ロール15と冷却キャン12との間に
は、ガイドローラー17が配置され、冷却キャン12と
巻取りロール16の間には、ガイドローラー18が配置
され、非磁性支持体14が所定のテンションをもって供
給ロール15から冷却キャン12及び冷却キャン12か
ら巻取りロール16の間を円滑に走行できるようになっ
ている。
【0074】また、上記蒸着源13aに対しては、電子
ビーム発生源19から電子ビーム20が加速照射され
る。電子ビーム20が加速照射された蒸着源13aは、
加熱蒸発し、冷却キャン12の周面に沿って走行する非
磁性支持体14上に付着(蒸着)する。このとき、蒸着
源13aと冷却キャン112との間には、シャッタ21
を位置調整可能なように取り付けた防着板22が配置さ
れてなることから、非磁性支持体14には、蒸着粒子が
所定の角度で入射するようになっている。したがって、
非磁性支持体14の表面には、磁性粒子が非磁性支持体
14の表面に対して斜めに配向して磁性層が形成され
る。ここで、磁性層の膜厚は、180nmとする。
【0075】さらに、このような金属磁性薄膜の蒸着に
際しては、図示しない酸素ガス導入口から非磁性支持体
14の表面に流量2L/分で酸素ガスが供給され、金属
磁性薄膜の磁気特性、耐久性および耐候性の向上が図ら
れている。
【0076】次に、磁性層上に、スパッタ法により硬質
炭素膜を形成する。スパッタ条件は、真空度をArガス
雰囲気中0.8Paとし、テープ送り速度を5m/分、
硬質炭素膜の膜厚を5nmとした。
【0077】次に、この硬質炭素膜に対して、有機物防
錆剤0.1重量%溶液をグラビアロールを使用した塗布
機にて塗布し、100℃のドライヤーで乾燥させた。そ
の後に、潤滑剤としてパーフルオロ・ポリエーテル誘導
体よりなる有機物を主体とした0.5重量%溶液を同様
にグラビアロールにて塗布乾燥させ、これをトップコー
ト層とした。
【0078】次に、非磁性支持体の裏面に、カーボンを
主体とし、結合剤として塩化ビニル系樹脂を使用したバ
ックコート層(厚さ0.5μm)を形成した。
【0079】以上、このようにして得られた磁気記録媒
体原反を8mm幅に裁断して、サンプルテープを作製し
た。
【0080】実施例2〜5 これら実施例2〜実施例5では、連続被膜中に含有させ
るSiO2の平均粒径及び添加量を調節して、尖り度
(Ku)、中心面平均粗さ(SRa)及び十点平均粗さ
(SRz)を調節した以外は、実施例1と同様にして磁
気記録媒体を作製した。
【0081】実施例6 この実施例6では、ベース層形成時の延伸条件を変更し
て、縦方向のヤング率を1200kg/mm2、幅方向
のヤング率を1600kg/mm2となるようにした以
外は、実施例1と同様にして磁気記録媒体を作製した。
【0082】実施例7 この実施例7では、ベース層中に不活性粒子が含まれて
いないこと以外は、実施例1と同様にして磁気記録媒体
を作製した。
【0083】実施例8 この実施例8では、連続被膜を用いず、微細突起を形成
したベース層を単層で用いた以外は、実施例1と同様に
して磁気記録媒体を作製した。
【0084】実施例9 この実施例9では、ベース層形成時の延伸条件を変更し
て、縦方向のヤング率を900kg/mm2、幅方向の
ヤング率を1200kg/mm2となるようにした以外
は、実施例1と同様にして磁気記録媒体を作製した。
【0085】比較例1〜6 これら比較例1〜比較例6では、連続被膜中に含有させ
るSiO2の平均粒径及び添加量を調整して、尖り度
(Ku)、中心面平均粗さ(SRa)及び十点平均粗さ
(SRz)を調節した以外は、実施例1と同様にして磁
気記録媒体を作製した。
【0086】上述した実施例1乃至実施例9と比較例1
乃至比較例6とに関して、表面粗さのパラメータである
尖り度(Ku)、中心面平均粗さ(SRa)及び十点平
均粗さ(SRz)と、非磁性支持体の長手方向(MD)
及び幅方向(TD)のヤング率とをまとめた結果を表1
に示す。
【0087】
【表1】
【0088】特性評価試験 以上のように作製された実施例1乃至実施例9と比較例
1乃至比較例6とを用いて、以下に示すような特性を評
価した。
【0089】[テープ特性]テープ特性評価は、ソニー
株式会社製のAITドライブSDX−S300C(商品
名)を改造したものを用いて行った。記録は相対速度1
0.04m/秒、最短記録波長0.35μmで行った。
【0090】・耐久性 各サンプルテープにおいて、テープ長10cmに記録と
再生を繰り返し行い、出力が得られなくなるまでの回数
をカウントした。
【0091】・エラーレート データ用磁気テープでは、表面の削れ等による電磁変換
特性の低下等はエラーレートとして検出される。エラ−
レートとしては、各サンプルテープを170mの長さと
し、これを1000パス走行させ、1パス走行後のエラ
ーレート及び1000パス走行後のブロックエラーレー
トを測定した。なお、エラーレートが1×10-3個/m
inを超えないサンプルを許容した。
【0092】[摩擦特性]摩耗特性評価は、各サンプル
テープをガイドピン(SUS、0.2S)に対して、初
期と1000回繰り返し摺動させ、その後、各サンプル
テープの表面における摩擦係数を測定することにより行
われた。このとき、測定条件は、常温常湿(25℃、5
5%)下の環境で、荷重10g、摺動速度5mm/se
cであった。
【0093】これらの結果を表2に示す。
【0094】
【表2】
【0095】表2に示した結果から解るように、表面粗
さのパラメータである尖り度(Ku)、中心面平均粗さ
(SRa)及び十点平均粗さ(SRz)とが上記した範
囲内にある実施例1乃至実施例9のサンプルは、耐久性
に優れておりエラーレートの発生率も低い値を示し、且
つ、摩耗特性の点でも優れた結果を示した。
【0096】これに対して、比較例1乃至比較例5のサ
ンプルは、尖り度(Ku)、中心面平均粗さ(SRa)
及び十点平均粗さ(SRz)のうち何れかが上記した範
囲を逸脱しているため、耐久性及び摩擦係数等の諸特性
が悪い値となっている。
【0097】また、実施例1と実施例6と実施例9とを
比較すると、非磁性支持体の長手方向のヤング率が10
00を超え、幅方向のヤング率が1300を超えるサン
プルは、耐久性や100パス走行後の摩擦係数等が優れ
た値を示していることが判る。このことから、表面粗さ
のパラメータである尖り度(Ku)、中心面平均粗さ
(SRa)及び十点平均粗さ(SRz)とが上記した範
囲内とし、且つ、非磁性支持体の長手方向及び幅方向の
ヤング率を所定の値以上に規定することによって、電磁
変換特性に優れ且つ走行耐久性に優れた磁気記録媒体と
なることが実証された。
【0098】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
係る磁気記録媒体は、非磁性支持体が少なくとも一方の
主面の尖り度Ku(Kurtosis)、中心面平均粗
さSRa、十点平均粗さSRzを所定の範囲に規定され
ている。このため、この磁気記録媒体は、良好な電磁変
換特性と耐久性とを両立させることができ、エラーレー
トを低く抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る磁気記録媒体の一例を示す要部の
概略断面図である。
【図2】強磁性金属薄膜を形成する連続巻き取り式真空
蒸着装置の構成図である。
【符号の説明】
1 ベース層、2 連続被膜、3 非磁性支持体、4
磁性層、5 微細粒子、6 微細突起

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 非磁性支持体上に、金属磁性薄膜からな
    る磁性層が成膜されてなる磁気記録媒体において、 上記非磁性支持体は、少なくとも一方の主面に微細突起
    が形成されてなり、 上記非磁性支持体の微細突起が形成された一方の主面
    は、下記式(1)で示される尖り度(Ku)が10.0
    〜50.0であり、 【数1】 上記非磁性支持体の一方の主面の中心面平均粗さRaが
    1.0〜5.0nmであり、 上記非磁性支持体の一方の主面の十点平均粗さRzが1
    5〜50nmであることを特徴とする磁気記録媒体。
  2. 【請求項2】 上記非磁性支持体は、芳香族ポリアミド
    フィルムと、この芳香族ポリアミドフィルム上に形成さ
    れ、平均粒径が5〜100nmである微細粒子を含有す
    る連続被膜とを有することを特徴とする請求項1記載の
    磁気記録媒体。
  3. 【請求項3】 上記芳香族ポリアミドフィルムは、縦方
    向のヤング率が1000kg/mm2以上、幅方向のヤ
    ング率が1300kg/mm2以上であることを特徴と
    する請求項2記載の磁気記録媒体。
  4. 【請求項4】 上記微細突起は、500万〜5000万
    個/mm2の密度で形成されたことを特徴とする請求項1
    記載の磁気記録媒体。
  5. 【請求項5】 上記連続被膜の厚さが1〜100nmで
    あることを特徴とする請求項2記載の磁気記録媒体。
  6. 【請求項6】 上記非磁性支持体は、内部に平均粒径5
    0〜200nmの不活性粒子を含有し、その表面に上記
    微細突起よりも大きな粗大突起を有することを特徴とす
    る請求項1記載の磁気記録媒体。
  7. 【請求項7】 上記粗大突起は、1〜10万個/mm2
    密度で形成されたことを特徴とする請求項1記載の磁気
    記録媒体。
  8. 【請求項8】 上記非磁性支持体の厚みが2.0〜5.
    0μmであることを特徴とする請求項1記載の磁気記録
    媒体。
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