JPH11120535A - 磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 高い出力が得られる磁気記録媒体を提供する
ことである。 【解決手段】 支持体上に設けられた金属薄膜型の磁性
膜を具備する磁気記録媒体において、前記磁性膜が設け
られた側の表面のプロフィールが下記の式〔Ｉ〕及び
〔ＩＩ〕を満たす磁気記録媒体。 式〔Ｉ〕 −１．０＜Ｒｓｋの平均値＜０ 式〔ＩＩ〕 ＋２．０＜Ｒｋｕの平均値＜＋３．０ Ｒｓｋは歪値 Ｒｋｕはとがり値

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は磁気記録媒体に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】磁気記録・再生システムにおいて、再生
出力を考慮した場合、磁気記録媒体と磁気ヘッドとの間
隔が小さい、すなわちスペーシングロスは小さい方が有
利である。言い換えると、磁気記録媒体表面は平滑であ
ることが望ましい。この観点から、磁気記録媒体の表面
の粗さの指標として各種のパラメータが用いられ、その
パラメータを特定の値にすることが提案されている。

【０００３】例えば、特開平６−４８５１号公報では、
パラメータとして中心線平均粗さＲａが用いられ、これ
を３ｎｍ以下にすることが提案されている。又、特開平
８−２３５５６９号公報では、パラメータとして中心線
平均粗さＲａ、十点平均粗さＲｚ、及び最大高さＲｍａ
ｘが用いられ、Ｒａを１０ｎｍ以下、Ｒｚを８０ｎｍ以
下、Ｒｍａｘを１５０ｎｍ以下にすることが提案されて
いる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかし、磁性膜表面の
粗さ（表面プロフィール）を前記のようなパラメータで
表される特定のものとしても、期待するような特性、特
に高出力な磁気記録媒体が得られていない。従って、本
発明が解決しようとする課題は、高い出力が得られる磁
気記録媒体を提供することである。

【０００５】特に、最短記録波長が０．４μｍ以下のも
のであって、高い出力が得られる磁気記録媒体を提供す
ることである。

【０００６】

【課題を解決するための手段】表面プロフィールを決定
するパラメータとして、Ｒａ（中心線平均粗さ），Ｒｐ
（ピーク高さの平均値），Ｒｖ（谷の深さの平均値），
Ｒｚ（十点平均粗さ），Ｒｍａｘ（最大高さ），Ｒｔｍ
（最大高さの平均値），Ｒｓｋ（歪値），Ｒｋｕ（とが
り値），その他３０余りのパラメータが知られている。

【０００７】そこで、本願発明者は、磁気記録媒体の表
面プロフィールが如何なる場合、すなわち表面プロフィ
ールを表すパラメータが如何なる値の時、高出力なもの
であるかの検討を加えた。その結果、Ｒａ，Ｒｐ，Ｒ
ｚ，Ｒｓｋ，Ｒｋｕ，……で表されるパラメータのう
ち、特定のパラメータが特定の値の場合、出力が高いこ
とを見出すに至った。

【０００８】この知見に基づいて本発明が達成されたも
のであり、前記の課題は、支持体上に設けられた金属薄
膜型の磁性膜を具備する磁気記録媒体において、前記磁
性膜が設けられた側の表面のプロフィールが下記の式
〔Ｉ〕及び〔ＩＩ〕を満たすものであることを特徴とす
る磁気記録媒体磁気記録媒体によって解決される。

【０００９】又、支持体上に設けられた金属薄膜型の磁
性膜と、この金属薄膜型の磁性膜の上に設けられた保護
膜とを具備する磁気記録媒体において、前記保護膜が設
けられた側の表面のプロフィールが下記の式〔Ｉ〕及び
〔ＩＩ〕を満たすものであることを特徴とする磁気記録
媒体によって解決される。又、上記磁気記録媒体におい
て、支持体と金属薄膜型の磁性膜との間に下地膜が設け
られてなる磁気記録媒体によって解決される。

【００１０】 式〔Ｉ〕 −１．０＜Ｒｓｋの平均値＜０ 式〔ＩＩ〕 ＋２．０＜Ｒｋｕの平均値＜＋３．０ 但し、Ｒｓｋは下記の式〔ＩＩＩ〕及び〔ＩＶ〕で表さ
れる歪値 Ｒｋｕは下記の式〔Ｖ〕及び〔ＩＶ〕で表されるとがり
値 式〔ＩＩＩ〕

【００１１】

【数４】

【００１２】式〔ＩＶ〕

【００１３】

【数５】

【００１４】式〔Ｖ〕

【００１５】

【数６】

【００１６】すなわち、−１．０＜Ｒｓｋの平均値（特
に、５ポイント以上の平均値）＜０、及び＋２．０＜Ｒ
ｋｕの平均値（特に、５ポイント以上の平均値）＜＋
３．０を満たす磁気記録媒体は、−１．０＜Ｒｓｋの平
均値＜０の条件が満たされていても、＋２．０＜Ｒｋｕ
の平均値＜＋３．０の条件が満たされていない磁気記録
媒体、＋２．０＜Ｒｋｕの平均値＜＋３．０の条件が満
たされていても、−１．０＜Ｒｓｋの平均値＜０の条件
が満たされていない磁気記録媒体、又、−１．０＜Ｒｓ
ｋの平均値＜０、及び＋２．０＜Ｒｋｕの平均値＜＋
３．０の条件が満たされていない磁気記録媒体に比べ
て、出力が高いものであった。

【００１７】再生出力の大きさは、Ｒｓｋの平均値、及
びＲｋｕの平均値の値によって大きく影響を受けるもの
であった。すなわち、Ｒｓｋの平均値が−１．０〜０、
Ｒｋｕの平均値が＋２．０〜＋３．０の範囲内のもので
あれば、出力は高かった。又、上記式〔Ｉ〕及び式〔Ｉ
Ｉ〕を満たすものについて、Ｒａを検討していると、Ｒ
ａが１〜３ｎｍであるものの場合、一層高い出力を示し
ていることが見出された。

【００１８】従って、ＲｓｋやＲｋｕが上記条件を満た
すだけでなく、Ｒａも上記条件を満たすものが一層好ま
しかったのである。又、上記式〔Ｉ〕及び式〔ＩＩ〕を
満たすものについて、Ｒｚを検討していると、Ｒｚが５
〜１５ｎｍであるものの場合、一層高い出力を示してい
ることが見出された。

【００１９】従って、ＲｓｋやＲｋｕ、更にはＲａが上
記条件を満たすだけでなく、Ｒｚも上記条件を満たすも
のが一層好ましかったのである。

【００２０】

【発明の実施の形態】本発明になる磁気記録媒体は、支
持体上に設けられた金属薄膜型の磁性膜を具備する磁気
記録媒体において、前記磁性膜が設けられた側の表面の
プロフィールが上記の式〔Ｉ〕及び〔ＩＩ〕を満たすも
のである。又、支持体上に設けられた金属薄膜型の磁性
膜と、この金属薄膜型の磁性膜の上に設けられた保護膜
とを具備する磁気記録媒体において、前記保護膜が設け
られた側の表面のプロフィールが上記の式〔Ｉ〕及び
〔ＩＩ〕を満たすものである。又、上記磁気記録媒体に
おいて、支持体と金属薄膜型の磁性膜との間に下地膜が
設けられている。Ｒａは１〜３ｎｍである。Ｒｚは５〜
１５ｎｍである。

【００２１】以下、更に詳しく説明する。 〔支持体〕磁性膜、特に金属薄膜型の磁性膜が設けられ
る支持体としては、当該技術分野における公知の支持体
を特に制限なく用いることが出来る。具体的には、ポリ
エチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフ
タレート（ＰＥＮ）、ポリフェニレンサルファイド、ポ
リカーボネート、ポリアミド、ポリイミド、ポリアミド
イミド、ポリスルフォン、芳香族ポリアミド等の公知の
樹脂、アルミニウムや銅等の金属、紙、セラミックス等
を使用することが出来る。形態は、フィルム、テープ、
シート、ディスク、ドラム等のいずれでも良い。支持体
の厚さは、好ましくは２〜８μｍである。

【００２２】〔磁性膜、特に金属薄膜型の磁性膜〕磁性
膜を成膜する前にボンバード処理を行う。このボンバー
ド処理の条件が表面性に大きな影響を与える一つの要因
である。ボンバードは、ガスを供給したボンバード室内
に設置した二本の電極間に電圧を印加し、放電させるこ
とにより行う。この放電雰囲気中に支持体を走行させる
が、この条件を変えることによりフィルム表面に凹をつ
ける事も目的としている。又、成膜条件においても、エ
ネルギーの高い粒子を支持体上に堆積させることにより
平滑な膜を得る事を目的としている。

【００２３】実際には、以下に示すようなボンバード処
理条件及び磁性膜の成膜条件によりＲｓｋ，Ｒｋｕをコ
ントロールする。上記支持体には、磁性膜を設ける前
に、大気中及び／又は真空中においてその表面に予めボ
ンバード処理を行う。本実施形態にあっては、電圧８０
０〜９００ｖ、電流０．７〜０．９Ａ、ガス流量が３０
〜１００ｓｃｃｍの条件でＡｒ，Ｎ ₂ ，Ｏ₂ 等のガスを
用いてイオンボンバード処理を行った。

【００２４】磁性膜の形成には、公知の金属薄膜形成手
段を利用できる。例えば、図１に示す斜め蒸着装置が用
いられる。図１中、１は支持体、２は冷却キャンロー
ル、３ａは支持体１の供給側ロール、３ｂは支持体１の
巻取側ロール、４はルツボ、５はルツボ４内に充填され
た強磁性金属、６は電子銃、７は遮蔽板、８は酸素ガス
供給ノズルである。尚、これらは真空槽内に配置されて
いる。

【００２５】上記真空斜め蒸着装置を用いて支持体１上
に磁性膜を形成する為、先ず、真空槽内を１．０×１０
^-4〜１．０×１０^-6Ｔｏｒｒに真空排気する。そして、
支持体１を供給側ロール３ａから冷却キャンロール２に
沿って走行させ、巻取側ロール３ｂに巻き取って行く。
この時、支持体１の走行速度は５〜２００ｍ／ｍｉｎ、
特に３０〜１００ｍ／ｍｉｎに制御されている。

【００２６】又、電子銃６より電子ビームをルツボ４内
に充填された強磁性金属５に対して照射し、強磁性金属
を蒸発させ、蒸発した強磁性金属粒子を冷却キャンロー
ル２に沿って走行する支持体１上に蒸着させる。この
時、電子銃６よりの電子ビームの電流密度が１〜８Ａ／
ｃｍ² 、特に１．５〜６．０Ａ／ｃｍ² であるように制
御する。

【００２７】ここで、電子ビームの電流密度は、次のよ
うに定義されたものである。電流とは、電子銃のエミッ
ション電流のことである。このエミッション電流と電子
銃の出力と加速電圧との間には、電子銃の出力（ｗ）＝
加速電圧（ｖ）×エミッション電流（Ａ）の関係があ
り、電子銃の出力および加速電圧の設定値からエミッシ
ョン電流の値が求められる。このエミッション電流の値
を面積値で割った値が、本願発明で言う電子ビームの電
流密度である。尚、面積値とは、電子銃６本体から出た
直後の電子ビームの大きさ（電子ビームの照射方向に直
交する方向での断面における面積）である。

【００２８】又、ルツボ４や遮蔽板７の位置を調整し、
蒸発した強磁性金属粒子が冷却キャンロール２に沿って
走行する支持体１上に蒸着する時の入射角、すなわち最
大入射角が８０°〜９０°、最小入射角が５０°〜６５
°になるよう設定する。又、酸素ガス供給ノズル８から
の酸素ガス供給量を２００〜３０００ｓｃｃｍとする。
これにより、中心部が強磁性金属で、周りが強磁性金属
の酸化物であるカラムの構造を有し、前記カラムの傾斜
角が４０°〜５５°の磁性膜（蒸着磁性膜）が形成され
る。

【００２９】磁性膜を形成する強磁性金属としては、例
えば、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ等の金属の他に、Ｃｏ−Ｎｉ系
合金、Ｃｏ−Ｐｔ系合金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐｔ系合金、Ｆ
ｅ−Ｃｏ系合金、Ｆｅ−Ｎｉ系合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ
系合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ系合金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ−Ｂ
系合金、Ｃｏ−Ｃｒ系合金、或いはこれらにＡｌ等の金
属を含有させたもの等が用いられる。又、これらの酸化
物、窒化物、炭化物なども用いられる。

【００３０】磁性膜は、一層の金属薄膜から構成されて
いても、二層以上の金属薄膜が積層されたものでも良
い。磁性膜が二層以上の金属薄膜から構成される場合、
各金属薄膜の材質は同一でも、異なっていても良い。本
発明において得られる磁性膜は、その全体の厚さが０．
１２〜０．２０μｍである。

【００３１】磁性膜表面のプロフィールは、上記の式
〔Ｉ〕及び〔ＩＩ〕を満たすものである。又、Ｒａは１
〜３ｎｍである。Ｒｚは５〜２５ｎｍである。磁性膜表
面のプロフィールを規定するパラメータＲｓｋ，Ｒｋ
ｕ，Ｒａ，Ｒｚの求め方は、次の通りである。測定装置
として、レーザー干渉測定用顕微鏡（Ｚｙｇｏ社製のＺ
ｙｇｏ Ｍａｘｉｍ ３Ｄ５７００）を用いた。尚、測
定に際しては、マイクロフィゾーｔｙｐｅの４０倍の対
物レンズを装備し、又、サンプルホルダーとしてニコン
社製の平面度が０．１μｍのオプチカルフラットを用い
た。Ｚｙｇｏ Ｍａｘｉｍ ３Ｄ５７００を用いた場
合、式〔ＩＩＩ〕、式〔ＩＶ〕、式〔Ｖ〕で表されるＲ
ｓｋ，Ｒｋｕ、及びＲａ，Ｒｚの値が直ちに得られる。

【００３２】測定は、先ず、測定しようとするサンプル
を１０ｍｍ×５０ｍｍ程度の大きさに切断し、これを皺
が発生しないようにサンプルホルダー上に置き、測定条
件をフィルター；オフにセットすることによって行われ
る。これにより、Ｒｓｋ，Ｒｋｕ，Ｒａ，Ｒｚの値が得
られる。そして、測定ポイントを変更し、無作為に選ん
だ幾つかのポイント（本明細書では計５ポイント以上、
例えば５ポイント或いは１０ポイント）でＲｓｋ，Ｒｋ
ｕ，Ｒａ，Ｒｚの値を得た。そして、全ポイントでの平
均値をとることによって、Ｒｓｋの平均値、Ｒｋｕの平
均値、並びにＲａ，Ｒｚを得た。

【００３３】〔保護膜〕上記のようにして形成された図
２に示す磁性膜、特に蒸着磁性膜１１上には保護膜１２
が設けられる。保護膜は、例えば炭素、炭化ホウ素、炭
化ケイ素、窒化ホウ素、窒化ケイ素、酸化ケイ素、酸化
クロム、酸化アルミニウム等がある。中でも、ダイヤモ
ンド結合及びグラファイト結合を有する炭素膜が好まし
い。特に、ダイヤモンド結合及びグラファイト結合を有
するダイヤモンドライクカーボン膜が好ましい。保護膜
は、厚さが３〜１５ｎｍである。特に、厚さが５〜１０
ｎｍである。

【００３４】ダイヤモンドライクカーボン膜は、例えば
図３に示すＥＣＲ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｃｙｃｌｏｔｒ
ｏｎ Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）プラズマＣＶＤ（Ｃｈｅｍ
ｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）装置を
用いて形成できる。尚、図３中、２１は磁性膜１１が設
けられた支持体、２２は冷却キャンロール、２３ａは支
持体２１の供給側ロール、２３ｂは支持体２１の巻取側
ロール、２４は真空槽、２５はプラズマ反応管、２６は
マグネット、２７は原料供給ノズル、２８はマイクロ波
の導波管である。ダイヤモンドライクカーボン膜膜を形
成する条件は、例えば支持体２１の走行速度が２０〜１
００ｍ／ｍｉｎ、冷却キャンロール２２の温度が２０〜
６０℃、マイクロ波の出力が３００〜１０００ｗ、そし
て５×１０^-6〜５×１０^-7Ｔｏｒｒの真空度の真空槽に
配置されたプラズマ反応管２５内にノズル２７から供給
する原料の割合を１．２×１０^-2〜１．２×１０^-5Ｔｏ
ｒｒの真空度となるよう制御する。原料は、メタン、エ
チレン、アセチレン、ベンゼン等の炭化水素系のガス、
特に、エチレンやアセチレン等の二重結合や三重結合を
持つ鎖状の不飽和炭化水素、ベンゼン、トルエン、安息
香酸、ベンズアルデヒド等の環式の不飽和炭化水素（芳
香族系炭化水素）、その他ナフタレンやアントラセン等
をベンゼンやトルエンに希釈したもの等のように不飽和
結合を有する炭化水素系の化合物の群の中から選ばれ
る。又、これらの原料の他に、水素、アルゴン等の希ガ
ス、二酸化炭素、窒素などを用いることが好ましい。

【００３５】上記磁性膜の上に保護膜が設けられた場
合、保護膜表面のプロフィールは、磁性膜表面のプロフ
ィールで決まり、上記の式〔Ｉ〕及び〔ＩＩ〕を満たす
ものである。又、Ｒａは１〜３ｎｍである。Ｒｚは５〜
２５ｎｍである。 〔バック膜〕支持体の面における磁性膜が形成される面
とは反対側の面に、磁気記録媒体の走行性や耐久性等を
向上せしめる為、所謂、バック膜１３が設けられる。バ
ック膜としては、塗布型あるいは金属薄膜型の何れでも
良い。金属薄膜型のバック膜は、一般に、Ａｌ，Ｃｕ，
Ｓｉ，Ｆｅ，Ｍｏ，Ｍｎ，Ｚｎ等の非磁性の金属、又は
これらの合金若しくは酸化物、窒化物、炭化物などを蒸
着などのＰＶＤ手段で成膜することにより形成される。
バック膜の厚さは、０．１５〜０．６μｍである。

【００３６】〔潤滑剤〕バック膜や保護膜が形成された
後、潤滑剤、特にフッ素系潤滑剤の膜が浸漬あるいは超
音波噴霧などの手段により２〜１０ｎｍ程度の厚さ設け
られる。フッ素系潤滑剤としては、例えばHOOC-CF₂(O-C
₂F₄)_p (OCF₂) _q -OCF₂-COOH ，F-(CF₂CF ₂CF₂O)_n -CF₂CF
₂COOH と言ったカルボキシル基変性パーフルオロポリエ
ーテル、HOCH₂-CF₂(O-C₂F₄) _p (OCF₂) _q -OCF₂-CH₂OHと
言ったアルコール変性パーフルオロポリエーテル、又、
分子の一方に、又は、一部にアルキル基などの飽和炭化
水素基、あるいは不飽和炭化水素基、若しくは芳香族炭
化水素基、その他の官能基が付いたもの等が挙げられ
る。具体的には、モンテカチーニ社の商品名ＦＯＭＢＬ
ＩＮ Ｚ ＤＩＡＣやＦＯＭＢＬＩＮ Ｚ ＤＯＬ、ダ
イキン工業社の商品名デムナムＳＡ等がある。

【００３７】尚、本発明が規定する特徴の表面プロフィ
ールを有する磁気記録媒体の製造方法は、一義的には、
決め難い。そこで、例えば支持体に対してイオンボンバ
ード等による表面処理を行い、この後、磁性膜や保護膜
を形成し、そして表面のＲｓｋ，Ｒｋｕ，Ｒａ，Ｒｚを
求め、これらの値が本発明の要件を満たしているか否か
を調べる。本発明の要件から外れていた場合、幾つかの
処理条件を変更し、そしてＲｓｋ，Ｒｋｕ，Ｒａ，Ｒｚ
を求め、これらの値が本発明の要件を満たしているか否
かを調べる。そして、本発明の要件を満たすまで、繰り
返すことによって、本発明が規定する特徴の表面プロフ
ィールを有する磁気記録媒体は得られる。

【００３８】以下、具体的実施例を挙げて本発明を説明
する。

【００３９】

【実施例１】図１に示した真空斜め蒸着装置により、厚
さ６μｍのＰＥＴフィルム１上に、磁性膜１１を形成し
た。尚、磁性膜１１を形成する前に、イオンボンバード
処理を行った。イオンボンバード処理の条件は下記の通
りである。

【００４０】ガス種 ；Ａｒ ガス量 ；４０ｓｃｃｍ 電圧 ；８００ｖ 電流 ；０．７Ａ 磁性膜の形成条件は下記の通りである。

【００４１】 ＰＥＴフィルム１の走行速度 ；３０ｍ／ｍｉｎ 強磁性金属 ；Ｃｏ 真空槽の真空度 ；１．０×１０^-6Ｔｏｒｒ 電子銃６の出力 ；６０ｋｗ 電子銃６よりの電子ビームの電流密度；２．２Ａ／ｃｍ² エミッション電流 ；２．５Ａ 電子ビームの大きさ ；１．１３ｃｍ² 支持体の幅方向における電子ビームのスキャン幅；０．６ｍ 支持体の走行方向における電子ビームのスキャン幅；０．２ｍ 強磁性金属粒子の最大入射角 ；９０° 強磁性金属粒子の最小入射角 ；６０° ノズル８からの酸素ガス供給量 ；４３０ｓｃｃｍ 上記条件で形成された磁性膜１１の厚さは０．１８μｍ
であり、その保磁力Ｈｃは１５１０Ｏｅ、飽和磁束密度
Ｂｓは６１２０Ｇ、角型比Ｓｑは０．８９であった。

【００４２】次に、この磁性膜１１が形成されたＰＥＴ
フィルム１を図３に示したＥＣＲプラズマＣＶＤ装置に
装填し、磁性膜１１上にダイヤモンド結合及びグラファ
イト結合を有するダイヤモンドライクカーボン膜１２を
形成した。又、磁性膜１１と反対側の面に、カーボンブ
ラックを含有するバインダ樹脂からなる厚さ０．５μｍ
のバック膜１３を形成した。

【００４３】そして、潤滑剤（モンテカチーニ社の商品
名ＦＯＭＢＬＩＮ Ｚ ＤＩＡＣ）を厚さが２ｎｍとな
るように塗布し、潤滑剤の層１４を形成した。尚、この
磁気テープの磁性膜側をＺｙｇｏ Ｍａｘｉｍ ３Ｄ５
７００により測定した処、Ｒｓｋ（５ポイントの平均
値）は−０．０１８、Ｒｋｕ（５ポイントの平均値）は
２．７６、Ｒａ（５ポイントの平均値）は２．４ｎｍ、
Ｒｚ（５ポイントの平均値）は１１ｎｍであった。

【００４４】上記のようにして得た磁気記録媒体の原反
を所定幅に裁断し、図２に示す磁気テープを得た。

【００４５】

【実施例２】実施例１において、イオンボンバード処理
のガスをＮ₂ 、磁性膜形成条件のノズル８からの酸素ガ
ス供給量を４２０ｓｃｃｍとした以外は実施例１の方法
に準じて、磁気テープを得た。

【００４６】

【実施例３】実施例１において、イオンボンバード処理
のガスをＯ₂ 、磁性膜形成条件のノズル８からの酸素ガ
ス供給量を４４０ｓｃｃｍとした以外は実施例１の方法
に準じて、磁気テープを得た。

【００４７】

【実施例４】実施例１において、イオンボンバード処理
のガス量を５０ｓｃｃｍ、電流を０．７Ａとし、磁性膜
形成条件のＰＥＴフィルム１の走行速度を５０ｍ／ｍｉ
ｎ、電子銃６の出力を９０ｋｗ、電子銃６よりの電子ビ
ームの電流密度を２．７Ａ／ｃｍ² 、エミッション電流
を３Ａ、ノズル８からの酸素ガス供給量を６９０ｓｃｃ
ｍとした以外は実施例１の方法に準じて、磁気テープを
得た。

【００４８】

【実施例５】実施例１において、イオンボンバード処理
のガスをＯ₂ 、ガス量を５０ｓｃｃｍとし、磁性膜形成
条件のノズル８からの酸素ガス供給量を６７０ｓｃｃｍ
とした以外は実施例１の方法に準じて、磁気テープを得
た。

【００４９】

【実施例６】実施例１において、イオンボンバード処理
のガスをＮ₂ 、ガス量を５０ｓｃｃｍとし、磁性膜形成
条件のノズル８からの酸素ガス供給量を６６０ｓｃｃｍ
とした以外は実施例１の方法に準じて、磁気テープを得
た。

【００５０】

【実施例７】実施例１において、イオンボンバード処理
のガス量を６０ｓｃｃｍ、電圧を９００ｖ、電流を０．
９Ａとし、磁性膜形成条件のＰＥＴフィルム１の走行速
度を７０ｍ／ｍｉｎ、電子銃６の出力を１３０ｋｗ、電
子銃６よりの電子ビームの電流密度を５．５Ａ／ｃ
ｍ² 、エミッション電流を６．２Ａ、支持体の走行方向
における電子ビームのスキャン幅を０．３ｍ、強磁性金
属粒子の最大入射角を８５°、ノズル８からの酸素ガス
供給量を９３０ｓｃｃｍとした以外は実施例１の方法に
準じて、磁気テープを得た。

【００５１】

【実施例８】実施例１において、イオンボンバード処理
のガスをＯ₂ 、ガス量を１００ｓｃｃｍとし、磁性膜形
成条件のノズル８からの酸素ガス供給量を９５０ｓｃｃ
ｍとした以外は実施例１の方法に準じて、磁気テープを
得た。

【００５２】

【実施例９】実施例１において、イオンボンバード処理
のガス量を８０ｓｃｃｍとし、磁性膜形成条件のノズル
８からの酸素ガス供給量を９５０ｓｃｃｍとした以外は
実施例１の方法に準じて、磁気テープを得た。

【００５３】

【実施例１０】実施例１において、イオンボンバード処
理のガスをＮ₂ 、ガス量を７０ｓｃｃｍとし、磁性膜形
成条件のノズル８からの酸素ガス供給量を９５０ｓｃｃ
ｍとした以外は実施例１の方法に準じて、磁気テープを
得た。

【００５４】

【比較例１】実施例１において、イオンボンバード処理
のガスをＮ₂ 、ガス量を３０ｓｃｃｍ、電流を０．２Ａ
とし、磁性膜形成条件のノズル８からの酸素ガス供給量
を４１０ｓｃｃｍとした以外は実施例１の方法に準じ
て、磁気テープを得た。

【００５５】

【比較例２】実施例１において、イオンボンバード処理
のガスをＮ₂ 、ガス量を３０ｓｃｃｍ、電流を０．３Ａ
とした以外は実施例１の方法に準じて、磁気テープを得
た。

【００５６】

【比較例３】実施例１において、イオンボンバード処理
のガス量を３０ｓｃｃｍ、電流を０．２Ａとし、磁性膜
形成条件のＰＥＴフィルム１の走行速度を７０ｍ／ｍｉ
ｎ、電子銃６の出力を１３０ｋｗ、電子銃６よりの電子
ビームの電流密度を５．５Ａ／ｃｍ² 、エミッション電
流を６．２Ａ、ノズル８からの酸素ガス供給量を９５０
ｓｃｃｍとした以外は実施例１の方法に準じて、磁気テ
ープを得た。

【００５７】

【比較例４】実施例１において、イオンボンバード処理
のガス量を５０ｓｃｃｍ、電流を０．３Ａとし、磁性膜
形成条件のＰＥＴフィルム１の走行速度を１５ｍ／ｍｉ
ｎ、電子銃６の出力を２０ｋｗ、電子銃６よりの電子ビ
ームの電流密度を０．６Ａ／ｃｍ² 、エミッション電流
を０．６８Ａ、ノズル８からの酸素ガス供給量を９６０
ｓｃｃｍとした以外は実施例１の方法に準じて、磁気テ
ープを得た。

【００５８】

【比較例５】実施例１において、イオンボンバード処理
のガスをＯ₂ 、ガス量を３０ｓｃｃｍ、電流を０．３Ａ
とし、磁性膜形成条件のＰＥＴフィルム１の走行速度を
７０ｍ／ｍｉｎ、電子銃６の出力を１３０ｋｗ、電子銃
６よりの電子ビームの電流密度を５．５Ａ／ｃｍ² 、エ
ミッション電流を６．２Ａ、ノズル８からの酸素ガス供
給量を９４０ｓｃｃｍとした以外は実施例１の方法に準
じて、磁気テープを得た。

【００５９】

【特性】上記各例で得た磁気テープについて、磁性膜１
１の厚さ、保磁力Ｈｃ、飽和磁束密度Ｂｓ、角型比Ｓｑ
を調べると共に、磁性膜側表面のＲｓｋ、Ｒｋｕ、Ｒ
ａ、Ｒｚを調べたので、その結果を表−１に示す。 表−１ 磁性膜 磁性膜側表面 厚さ Ｈｃ Ｂｓ Ｓｑ Ｒｓｋ Ｒｋｕ Ｒａ Ｒｚ (μm) (Oe) (gauss) (nm) (nm) 実施例1 0.18 1510 6120 0.89 -0.018 2.76 2.4 11 実施例2 0.18 1500 6040 0.89 -0.024 2.71 1.9 21 実施例3 0.18 1530 6210 0.88 -0.024 2.71 2.1 22 実施例4 0.18 1500 6210 0.88 -0.228 2.91 2.1 18 実施例5 0.18 1480 5980 0.89 -0.116 2.56 1.9 17 実施例6 0.18 1460 5920 0.89 -0.081 2.81 2.0 12 実施例7 0.18 1480 6060 0.87 -0.161 2.77 2.3 18 実施例8 0.18 1520 6130 0.87 -0.029 2.84 1.9 16 実施例9 0.18 1530 6020 0.88 -0.341 2.68 2.1 16 実施例100.18 1520 6230 0.87 -0.006 2.79 2.2 19 比較例1 0.18 1470 5900 0.89 +0.014 3.16 2.3 18 比較例2 0.18 1510 6170 0.88 +0.079 3.07 1.9 21 比較例3 0.18 1520 6200 0.89 +0.173 3.81 2.2 16 比較例4 0.18 1540 5990 0.88 +0.183 3.91 2.3 13 比較例5 0.18 1510 6130 0.88 +0.112 3.66 1.8 17 ＊実施例１，２及び比較例２のＲｓｋ，Ｒｋｕ，Ｒａ，Ｒｚは５ポイントでの 平均値であり、それ以外は１０ポイントでの平均値。 又、上記各例で得た磁気テープについて、記録波長が１
０μｍ，２μｍ，１μｍ，０．５μｍ，０．３μｍの情
報を記録再生した時の出力を調べたので、その結果を表
−２に示す。尚、再生出力はヘッドテスター法により求
めた。

【００６０】 表−２ 再生出力（ｄＢ） １０μｍ ２μｍ １μｍ ０．５μｍ ０．３μｍ 実施例１ ０．２ ０．８ １．３ １．６ ２．５ 実施例２ １．３ １．６ １．９ ２．２ ２．７ 実施例３ １．２ １．８ ２．０ ２．４ ２．８ 実施例４ ０．７ １．８ ２．９ ３．２ ４．６ 実施例５ １．６ １．９ ２．１ ２．８ ３．４ 実施例６ ０．６ １．２ １．８ ２．４ ２．９ 実施例７ １．７ ２．３ ２．６ ３．１ ３．５ 実施例８ ０．３ ０．５ １．１ １．７ ２．３ 実施例９ １．９ ２．２ ２．４ ３．６ ４．７ 実施例10 ０．１ ０．６ １．２ １．５ ２．２ 比較例１ ０ ０ ０ ０ ０ 比較例２ −１．５ −０．６ −０．８ −１．１ −１．７ 比較例３ −０．９ −１．０ −１．２ −１．７ −２．１ 比較例４ −０．７ −１．２ −１．５ −１．９ −２．４ 比較例５ −０．３ −０．８ −１．１ −１．７ −１．９ この表−１から、本発明になるものは出力特性に優れて
いることが判る。特に、最短記録波長が０．４μｍ以下
と言った短波長記録の場合には再生出力が極めて高い。

【００６１】

【発明の効果】支持体上に設けられた金属薄膜型の磁性
膜を設ける支持体を、−１．０＜Ｒｓｋの平均値＜０，
＋２．０＜Ｒｋｕの平均値＜＋３．０を共に満たすもの
としたから、高い再生出力、特に高記録密度で重要とな
る短波長領域では高い再生出力を奏する磁気記録媒体が
得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】真空斜め蒸着装置の概略図

【図２】磁気記録媒体の概略断面図

【図３】ＥＣＲプラズマＣＶＤ装置の概略図

【符号の説明】

１ 支持体 １１ Ｃｏ金属蒸着磁性膜 １２ 保護膜

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 遠藤 克巳 栃木県芳賀郡市貝町大字赤羽2606 花王株 式会社研究所内

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 支持体上に設けられた金属薄膜型の磁性
   膜を具備する磁気記録媒体において、 前記磁性膜が設けられた側の表面のプロフィールが下記
   の式〔Ｉ〕及び〔ＩＩ〕を満たすものであることを特徴
   とする磁気記録媒体。 式〔Ｉ〕 −１．０＜Ｒｓｋの平均値＜０ 式〔ＩＩ〕 ＋２．０＜Ｒｋｕの平均値＜＋３．０ 但し、Ｒｓｋは下記の式〔ＩＩＩ〕及び〔ＩＶ〕で表さ
   れる歪値 Ｒｋｕは下記の式〔Ｖ〕及び〔ＩＶ〕で表されるとがり
   値 式〔ＩＩＩ〕 【数１】 式〔ＩＶ〕 【数２】 式〔Ｖ〕 【数３】
2. 【請求項２】 表面の中心線平均粗さ（Ｒａ）が１〜３
   ｎｍであることを特徴とする請求項１の磁気記録媒体。
3. 【請求項３】 表面の十点平均粗さ（Ｒｚ）が５〜１５
   ｎｍであることを特徴とする請求項１又は請求項２の磁
   気記録媒体。
4. 【請求項４】 磁性膜の上に保護膜が設けられてなるこ
   とを特徴とする請求項１〜請求項３いずれかの磁気記録
   媒体。
5. 【請求項５】 支持体と磁性膜との間に下地膜が設けら
   れていることを特徴とする請求項１〜請求項４いずれか
   の磁気記録媒体。