JP3076543B2

JP3076543B2 - 磁気記録媒体

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Publication number: JP3076543B2
Application number: JP09321449A
Authority: JP
Inventors: 智永井; 典之北折; 修吉田; 克巳遠藤; 登志夫山崎; 猛史宮村
Original assignee: Kao Corp
Current assignee: Kao Corp
Priority date: 1997-11-21
Filing date: 1997-11-21
Publication date: 2000-08-14
Anticipated expiration: 2017-11-21
Also published as: JPH11154318A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、金属元素の蒸着膜
を磁性層としてなる磁気記録媒体に関し、更に詳しく
は、高域において良好な電磁変換特性を有する磁気記録
媒体に関する。

【０００２】

【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】従来よ
り、支持体と、該支持体の表面側に一種以上の金属元素
を蒸着させて設けられた磁性層とを具備する磁気記録媒
体、即ち蒸着型の磁気記録媒体は、種々提案されてい
る。このような蒸着型の磁気記録媒体は、磁性塗料を塗
布して形成される塗布型の磁気記録媒体に比して、高記
録密度化が可能であるため、特に高記録密度が要求され
る分野において有用である。しかし、最近では、更に高
記録密度化の要請が高くなっており、より、高記録密度
化が可能で、特に２０ＭＨｚ以上の高域において電磁変
換特性に優れた磁気記録媒体の開発が要望されているの
が現状である。

【０００３】従って、本発明の目的は、従来の蒸着型の
磁気記録媒体に比してより高記録密度化が可能であり、
更には高域における電磁変換特性に優れた磁気記録媒体
を提供することにある。

【０００４】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の課
題を解決すべく鋭意検討した結果、磁気記録媒体の磁性
層をその反射率が特定の値となるように形成することに
より、上記目的を達成しうることを知見した。

【０００５】本発明は、上記知見に基づいてなされたも
ので、支持体と、該支持体の表面側に一種以上の金属元
素を蒸着させて設けられた磁性層とを具備する磁気記録
媒体において、上記磁性層は、その表面における波長８
００ｎｍ〜６００ｎｍの反射率の最低値が４０〜７０％
である磁気記録媒体を提供するものである。

【０００６】また、本発明は、上記磁性層は、その表面
の波長６００ｎｍ〜２００ｎｍの反射率の最低値が１０
〜３０％である上記磁気記録媒体を提供するものであ
る。また、本発明は、上記反射率が最低値をとる時の波
長が２５０〜２７０ｎｍである上記磁気記録媒体、並び
に該磁性層のＨｃの最大値が２６００Ｏｅ以上である上
記磁気記録媒体及び該磁性層のＣｏ含有量が８０ｗｔ％
以上である上記磁気記録媒体を提供するものである。

【０００７】

【発明の実施の形態】以下、本発明の磁気記録媒体につ
いて更に詳細に説明する。本発明の磁気記録媒体は、支
持体と、該支持体の表面側に一種以上の金属元素を蒸着
させて設けられた磁性層とを具備する。そして、上記磁
性層が、特定の反射率を有する。

【０００８】また、本発明の磁気記録媒体は、テープ、
ディスク、ドラム、シート及びその他の形態で使用され
るが、特に磁気テープの形態で使用される。

【０００９】本発明の磁気記録媒体に用いられる上記支
持体としては、公知の磁性又は非磁性の支持体を特に制
限なく用いることができる。上記支持体の形成材料とし
ては、具体的には、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥ
Ｔ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリフェ
ニレンサルファイド、ポリカーボネート、ポリアミド、
ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリスルフォン、芳香
族ポリアミド等の公知の樹脂；アルミニウムや銅等の金
属；セラミックス；紙等を使用することができる。ま
た、上記支持体の形態は、磁気記録媒体の形態に応じて
任意であるが、フィルム、テープ、シート、ディスク、
ドラム等の何れでもよい。また、上記支持体には、磁性
層を設ける前に、大気中及び／又は真空中においてその
表面に予めコロナ放電処理、プラズマ処理、易接着処
理、熱処理、除塵処理、ボンバード処理などを行うこと
もできる。上記支持体の好ましい厚さは、１〜３００μ
ｍである。

【００１０】上記磁性層は、上記支持体の表面側に一種
以上の金属元素を蒸着させて設けられた層であり、特定
の反射率を有する。上記磁性層の有する上記の特定の反
射率は、上記磁性層は、その表面における波長８００ｎ
ｍ〜６００ｎｍの反射率の最低値が４０〜７０％であ
り、好ましくは５０〜６０％である。上記最低値が、４
０％未満であると、特に高周波数帯域における電磁変換
特性に悪影響が見られ、７０％を超えると、広い周波数
帯域において電磁変換特性の悪化が見られる。尚、８０
０〜６００ｎｍにおいて最低値をとる波長は６００〜６
５０ｎｍであるのが好ましい。

【００１１】上記反射率は、下記の如くして測定される
ものである。即ち、磁性層の反射率は、日立製作所製
「Ｕ−３２１０磁気記録分光光度計」等の分光光度計を
用いて、該分光光度計に反射アタッチメントを装着して
測定することができる。尚、本発明においては、上記装
置で測定を行い、リファレンスには通常用いられる蒸着
ミラー（日立計測機器サービス（株）製、Ｐａｒｔｓ
No. 「２１０−３５１７」）を用いた。

【００１２】また、上記磁性層は、その表面における波
長６００ｎｍ〜２００ｎｍの反射率の最低値が１０〜３
０％であるのが好ましく、２０〜２５％であるのが更に
好ましい。このように６００ｎｍを境としているのは、
本発明者らが鋭意検討した結果、８００〜６００ｎｍで
上記の範囲の反射率を有する磁性層を有する磁気記録媒
体が優れた特性を有し、更に６００〜２００ｎｍで上記
の範囲の反射率を有する磁性層を有する磁気記録媒体に
おいては特に優れた特性を有することを見出したことに
よる。

【００１３】また、この際の上記反射率が最低値をとる
ときの波長が２５０〜２７０ｎｍであるのが好ましい。

【００１４】また、上記反射率の最高値は、２００〜８
００ｎｍの範囲内での最高値が、７５０〜８００ｎｍに
おいて５０〜８０％となるのが好ましい。

【００１５】上記反射率を上述の範囲とすることによ
り、電磁変換特性が向上する理由については定かではな
いが、おおよそ以下の様に推測される。一般に物質の反
射率は表面の自由電子密度に依存する。磁性層にあって
は例えば厚い表面酸化層を有していれば表面の自由電子
密度が低下することが予想され、結果として反射率が低
くなり、同時に電磁変換特性が悪化すると考えられる。
しかし、例えばＣｏ−Ｏ系磁性層ではコラム形成のため
に最低限の酸化はむしろ必要な条件であり、むやみに高
い反射率を有すると却って電磁変換特性が悪化する。理
想的な磁性層とは、最低限に薄い表面酸化層と十分な自
由電子密度とを持つ内部構造を有するものであると考え
られる。そして、このような内部構造は、反射率の波長
依存性により理想的な状態であるか否かが判別でき、ま
た、この他にも、例えば、表面近傍の組織学的特徴、例
えばコラムの湾曲率やそのサイズといった物性が反射率
に影響を与えていることが予想される。従って、上述の
範囲の反射率を有する磁性層は、特に理想的な内部構造
を有し、優れた電磁変換特性を有するものと考えられ
る。

【００１６】上記金属元素としては、例えばＦｅ、Ｃ
ｏ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｃｒ、等を挙げることができ、使用に
際しては単独で又は２種以上併用することができる。ま
た、蒸着させる際に用いる材料としては、例えばＦｅ、
Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｒ等の金属の他に、Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｃ
ｏ−Ｐｔ合金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐｔ合金、Ｆｅ−Ｃｏ合
金、Ｆｅ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｃ
ｏ−Ｂ合金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ−Ｂ合金、Ｃｏ−Ｃｒ合
金等が用いられる。また、上記金属元素は、Ｃｏ及びＣ
ｒであるか、Ｃｏであるのが好ましい。即ち、上記磁性
層は、金属元素として、Ｃｏ及びＣｒを併用して用いる
か、Ｃｏのみを用いて、形成されていることが好まし
く、Ｃｏ及びＣｒを併用して用いた場合には、Ｃｏ−Ｃ
ｒ合金を用いる。また、上記金属元素として、Ｃｏと他
の金属元素をとを併用した場合、該Ｃｏは、磁性層全体
の重量１００重量部中８０重量部以上とするのが好まし
い。

【００１７】また、上記金属元素は、斜め蒸着されてい
るのが好ましい。上記斜め蒸着とは、支持体の厚み方向
に対して所定の角度をもって金属元素を蒸着することを
意する。斜め蒸着されていることにより、それぞれ支持
体の厚み方向に対して所定の角度をもって斜め方向に成
長された複数のコラムが形成されるので、上記磁性層
は、斜め蒸着膜となる。

【００１８】なお、上記金属蒸着膜の形成時に酸化性ガ
スを供給して、上記金属コラムの表面に、酸化膜を形成
することが好ましい。尚、酸化性ガスとしては例えば、
酸素、空気などが用いられるが酸素が好ましい。

【００１９】また、上記磁性層全体の厚さは、３０〜３
００ｎｍであることが好ましく、５０〜２００ｎｍであ
ることが更に好ましい。該厚さが３０ｎｍに満たないと
磁性層の耐久性が十分でない場合があり、３００ｎｍを
越えると自己減磁が増加する場合があるので、上記範囲
内とすることが好ましい。

【００２０】上記磁性層は、その保磁力Ｈｃの最大値
が、２０００Ｏｅ以上であるのが好ましく、更に好まし
くは２６００Ｏｅ以上、最も好ましくは２６００〜３０
００Ｏｅである。ここで、保磁力の最大値とは、磁性層
平行方向から垂直方向の保磁力のうちで最大の保磁力の
値を言う。また、長手方向の保磁力は、１０００〜２５
００Ｏｅであり且つ垂直方向の保磁力が１５００〜３０
００Ｏｅであることが好ましい。なお、本明細書におい
て、「長手方向」とは、主として磁気ヘッドの進行方向
を意味し、磁気テープの場合にはテープの長手方向を含
む方向をいい、「垂直方向」とは、磁性層面に対して法
線方向を意味する。

【００２１】次いで、本発明の磁気記録媒体について、
その１形態を図１を参照しつつ説明する。ここで、図１
は、本発明の磁気記録媒体の１形態を示す拡大断面図で
ある。

【００２２】図１に示す磁気記録媒体としての磁気テー
プ１は、支持体２と、該支持体２上に設けられた磁性層
３とを具備してなり、該磁性層３上には、保護層４と潤
滑層５とが設けられており、該支持体２の裏面側にはバ
ックコート層６が設けられている。

【００２３】上記支持体及び上記磁性層については上述
したので、以下、保護層４、潤滑層５及びバックコート
層６について説明する。

【００２４】上記保護層４は上記磁性層３上に、一般に
真空中で、炭素或いは炭化物、窒化物、特にダイヤモン
ドライクカーボン、ダイヤモンド、炭化ホウ素、炭化ケ
イ素、窒化ホウ素、窒化ケイ素、酸化ケイ素、酸化アル
ミニウム等を成膜することにより形成される。上記保護
層の形成法としては、化学的気相成長法（ＣＶＤ法）及
びＰＶＤ法の何れでもよい。ＣＶＤ法では特にマイクロ
波を用いたＥＣＲ（Electron Cyclotron Resonance) 法
や、高周波（ＲＦ）を用いた方法が有効である。ＣＶＤ
法により上記保護層を形成する場合、原料はガス状、液
状及び固体状の何れのものを用いてもよい。

【００２５】上記保護層４は、特にダイヤモンドライク
カーボンからなることが好ましい。この場合、該保護層
４は、ガス状の原料、液状の原料又は固体状の原料を用
いて形成することができる。ガス状の原料を用いる場合
は、上記ガス状の原料としてメタンとアルゴンとの混合
ガス、エタンと水素との混合ガス、又はメタンと水素と
の混合ガスを用いるのが好ましい。また、液状の原料を
用いる場合は、上記液状の原料としてアルコールや不飽
和炭化水素を用いるのが好ましい。更に、固体状の原料
を用いる場合は、上記固体状の原料としてナフタリンや
高級パラフィンを用いるのが好ましく、この場合、固体
を加熱したり超音波をかけてもよい。

【００２６】また、ＰＶＤ法としては、熱蒸発法、スパ
ッタ法、イオンプレーティング法等が挙げられ、何れを
用いることもできるが、中でも特にスパッタ法が有効で
ある。例えば、ダイヤモンドライクカーボンからなる保
護層は、グラファイトのターゲットを用いてメタンとア
ルゴンとの混合ガス又はメタンと水素との混合ガス中で
スパッタして形成するのが、窒化ケイ素からなる保護層
は、ケイ素のターゲットを用いてアルゴンと窒素との混
合ガス、アルゴンとアンモニアとの混合ガス、窒素ガ
ス、アンモニアガス、又はアンモニアとモノシラン（Ｓ
ｉＨ₄）との混合ガス中でスパッタして形成するのが、
酸化アルミニウムからなる保護層は、アルミニウムのタ
ーゲットを用いてアルゴンと酸素との混合ガス中でスパ
ッタして形成するのが好ましい。

【００２７】上記保護層形成の際の真空度は、ＣＶＤ法
の場合、１０^-1〜１０^-5Ｔｏｒｒ程度であることが好ま
しく、ＰＶＤ法の場合、１０^-4〜１０^-7Ｔｏｒｒ程度が
好ましい。また、上記保護層の厚さは特に限定しない
が、１〜３０ｎｍであることが好ましく、更に好ましく
は３〜１５ｎｍである。

【００２８】次に、上記潤滑層５について説明する。上
記潤滑層５は、超音波発振器を備えた噴霧器（以下、
「超音波噴霧器」という）を用い、潤滑剤を上記磁性層
上（上記磁性層上に上記保護層が形成されている場合に
は、上記保護層上）に噴霧して形成することが好まし
い。より詳細には、上記超音波噴霧器は、上記潤滑剤の
供給手段と、該供給手段から供給された上記潤滑剤に超
音波を印加して霧化する手段（超音波発振器）と、霧化
された上記潤滑剤を噴霧するノズルとからなる。また、
ノズルタイプの噴霧装置を用いてもよい。ノズルタイプ
の噴霧装置は、一般に一流体ノズルと呼ばれる装置が使
用できる。

【００２９】超音波噴霧器を使用して潤滑剤を微細な粒
子として噴霧することができるので、高温（２００℃以
上）に弱く蒸気圧が低いため、従来空気中での塗布によ
ってのみ潤滑剤層を形成することができたパーフルオロ
ポリエーテル等のフッ素系潤滑剤の真空中での噴霧が可
能となる。なお、従来方法のように、大気中において、
グラビア方式、リバース方式又はダイ塗工方式を用いて
上記潤滑剤を塗布しても良い。

【００３０】上記パーフルオロポリエーテルとしては、
分子量２０００〜５０００のものが好適であり、例えば
「FOMBLIN Z DIAC」〔カルボキシル基変性、アオジモン
ト（株）製〕、「FOMBLIN Z DOL 」〔アルコール変性、
アオジモント（株）製〕の商品名で市販されているもの
が使用できる。これらは末端に水酸基又はカルボキシル
基を有するため、潤滑剤と磁性層との結着を高め得るの
で、好適に用いられる。

【００３１】なお、上記潤滑剤以外にも、ベンゼン環、
二重結合、分岐鎖等を含むフッ素系の潤滑剤、脂肪酸系
の潤滑剤、その他の潤滑剤を使用することもできる。こ
れらのうち、上記フッ素系潤滑剤は、脂肪酸系潤滑剤と
比べ耐久性だけでなく耐蝕性も向上させるため、好適に
用いられる。

【００３２】また、上記潤滑剤の噴霧にあたっては、上
記潤滑剤をフッ素系不活性溶媒（例えば住友スリーエム
（株）製「フロリナート」等のパーフルオロカーボン、
アオジモント（株）製「ガルデン」等のパーフルオロポ
リエーテル）、トルエン等の芳香族炭化水素系溶媒、ア
ルコール系溶媒、ケトン系溶媒等の適当な溶媒に溶解さ
せた０．００１〜１０重量％程度、特に０．０２〜２．
０重量％の溶液として用いることが好ましい。上記潤滑
剤としてパーフルオロポリエーテルを用いる場合、溶媒
としてはパーフルオロカーボンが使用でき、その場合の
濃度は０．００１〜１．０重量％程度、特に０．０５〜
０．２重量％が好ましい。また、上記潤滑剤の噴霧量
は、磁気記録媒体の用途や潤滑剤の種類等を考慮して適
宜決定すればよいが、形成された潤滑剤層の厚さは０．
５〜２０ｎｍ程度となるように調節するのが好ましい。

【００３３】上記バックコート層６は、カーボンブラッ
ク等を適当な溶剤に分散させた液を塗布して形成しても
よいし、金属又は半金属を物理的蒸着法（ＰＶＤ）、特
に熱蒸発法、スパッタリング法により蒸着させて形成さ
せてもよい。

【００３４】上記バックコート層６を塗布により形成す
る場合は、粒径１０〜１００ｎｍのカーボンブラック
を、塩ビ系、ウレタン系又は硝化綿系等のバインダー中
に分散させ、グラビア方式、リバース方式又はダイ塗工
方式等で、乾燥後の厚さが好ましくは０．４〜１．０μ
ｍになるように塗布する。

【００３５】上記バックコート層６を蒸着により形成す
る場合は、上記金属又は半金属材料としてアルミニウム
やシリコンを用いることが好ましい。また、この場合の
上記バックコート層の厚さは好ましくは０．０５〜１．
０μｍである。

【００３６】なお、上記磁性層３の形成に先立ち、上記
支持体２の表面に上記磁性層３の密着性を向上させる為
のアンダーコート層を設けてもよい。かかるアンダーコ
ート層は、例えばＳｉＯ₂等の粒子を含有させた厚さが
０．０５〜０．５μｍの塗膜からなる。あるいは、厚さ
が５〜５０ｎｍの金属又は金属酸化物、窒化物等のセラ
ミックス膜をアンダーコート層としても良い。かかるア
ンダーコート層を用いることにより、例えば斜め蒸着法
により形成される磁性層の密着性を向上させると共に、
上記磁性層の表面粗さを適度なものとして走行性を改善
することができる。

【００３７】なお、上記バックコート層６の上には、走
行性や耐久性等を一層向上せしめることを目的として、
トップコート層を設けてもよい。

【００３８】次に、本発明の磁気記録媒体の製造方法に
ついて詳述する。本発明の磁気記録媒体は、通常の斜め
蒸着法により、支持体上に磁性層を形成し、更に上述し
た手法をそれぞれ用いて、保護層、潤滑層及びバックコ
ート層並びにアンダーコート層などを必要に応じて設け
るなどして製造することができる。斜め蒸着法等の上記
の各方法としては、従来公知の方法を特に制限なく用い
て行うことができるが、特に本発明においては、上記磁
性層は下記の如き連続斜め蒸着法により形成するのが好
ましい。

【００３９】以下、本発明において好適に用いられる連
続斜め蒸着法について詳述する。上記連続斜め蒸着法
は、図２に示す如き通常の斜め蒸着法を行うための蒸着
装置を用いて行うことができる。ここで、図２は、本発
明の磁気記録媒体の製造に際して好ましく用いられる蒸
着装置を示す概略図である。

【００４０】図２に示す蒸着装置１００は、脱気ポンプ
（図示せず）に連結された排気口１１を備えた真空チャ
ンバー１０と、該真空チャンバー１０の内部に設置され
たテープ状の支持体原反２を巻き出す巻き出しロール２
０と、巻き出された支持体原反２を連続的に蒸着させる
金属の入射角を変化させながら蒸着に供するキャンロー
ル４０と、金属元素が蒸着されて磁性層が形成された支
持体原反（磁気テープ原反）２’を巻き取る巻き取りロ
ール３０と、金属元素の蒸気のうち入射角の小さな金属
元素をカットするマスク５０と、支持体原反の表面に酸
化性ガスを導入する導入管６０ａ，６０ｂと、蒸着させ
る金属元素の材料金属７１が投入された坩堝７０とから
なる。また、坩堝７０の上方には、蒸気流励起させるた
めのＲＦ放電装置８０が設けられている。そして、上記
導入管６０ａは、上記キャンロール４０の最小入射角近
傍に向けて酸化性ガスを導入できるように設けられてお
り、上記導入管６０ｂは、支持体がキャンロールと接す
る部位のうち最も上方に位置する最上部から下方に向け
て酸化性ガスを導入できるように、該最上部に設けられ
ている。また、上記導入管６０ａ，６０ｂにおけるガス
放出口６１ａ，６１ｂは、それぞれ、同じ形状である。
具体的には、図３に示すように、該放出口６１ａ（６１
ｂ）は、支持体原反表面に平行且つ長手方向に直角に配
置された金属製円筒管１６１に小径の孔２６１が一列に
多数に設けられた構造を有し、該孔２６１からガスがキ
ャンロール表面の成膜部に向けて吹き出すようになされ
ている。

【００４１】上記蒸着装置１００を用いて蒸着を行うに
は、まず、真空チャンバーの内部を１×１０^-5〜１×１
０^-6Ｔｏｒｒ程度に脱気した後、坩堝７０を電子銃（図
示せず）を用いて電子ビームなどにより加熱して金属元
素の蒸気を発生させ、必要に応じてＲＦ放電を行って、
蒸気流を励起させる。この際、支持体原反２を巻き出し
ロ−ル２０から矢印方向に巻き出してキャンロール上を
移送させ、且つマスク５０で金属元素の入射角を調節し
つつ、蒸着を行った後、巻き取りロール３０により巻き
取る。また、蒸着に際しては、上記導入管６０ａ，６０
ｂより、上記酸化性ガスを蒸着面に導入して、各コラム
に酸化物の皮膜を形成する。

【００４２】そして、上記反射率は、既に述べたとう
り、例えば表面酸化層厚み、酸化の程度といった磁性層
表面の状態に強い影響を受ける。そして、酸化層の厚み
やその酸化の程度は、酸化性ガスの供給量、電子銃の電
力、成膜速度、キャンロール径、酸化性ガス放出ノズル
孔とキャンロール表面との距離といった様々なパラメー
タの影響を受ける。言い換えればこれらのパラメータを
制御することにより酸化層の厚みや酸化の程度を好まし
いものとし、結果として上述の範囲の反射率を有する磁
性層を得ることができる。酸化性ガスの供給量は、酸化
の程度や厚みに対して直接影響を与えるパラメータであ
る。後述する実施例の条件下であれば３０〜６０ＳＣＣ
Ｍとするのが好ましいが、他の様々な条件によって好ま
しい値が大きく変化する。現実には例えば、実施例のよ
うに電子銃電力が低いときにはこの範囲内で比較的少な
い流量（３０〜４０ＳＣＣＭ）とするのが好ましく、電
子銃電力が高い場合にはこの範囲内で比較的多い流量
（５０〜６０ＳＣＣＭ）とするのが好ましい。電子銃電
力は成膜速度や金属蒸気流温度やベースフィルムに与え
る熱輻射の影響により表面の酸化に影響を与える。実施
例の条件下であれば１０〜３０ＫＷとするのが好ましい
が、これも他の様々な条件によって好ましい値は大きく
変化するので、例えば、供給する酸素流量に応じて適宜
調節するのが好ましい。成膜速度は、蒸気流中への酸素
の拡散の程度を左右することにより表面の酸化に影響を
与える。好ましい成膜速度はキャンロール径に応じて変
化するが、６００ｍｍ径のキャンロールの場合では２０
０〜８００ｎｍ／ｓｅｃとするのが好ましい。また、酸
素ガスの供給量に応じて適宜この範囲内で調節するのが
好ましい。ガス放出口の孔とキャンロール表面との距離
は、放出されたガスが反応で消費されるまで通るパスに
影響を与え、このパスとキャンロール表面との距離に応
じて酸化の程度が変化する。実施例の条件では１０〜１
００ｍｍとするのが好ましいが、更に、キャンロール径
に応じてこの範囲内で適宜調節するのが好ましい。キャ
ンロール径は、この大小に応じて蒸気流中を拡散する酸
素の拡散距離と磁性層中の酸素の分布との関係が決定さ
れ、結果的に表面酸化にも強い影響を与える。６００〜
１５００ｍｍ径とするのが好ましい。尚、上述の各条件
は、それぞれ上述の反射率の範囲を満足するのであれば
上述の範囲内には特に制限されない。

【００４３】

【実施例】以下、本発明を実施例及び比較例により更に
詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるもので
はない。

【００４４】〔実施例１〕図２に示す蒸着装置を用い、
下記の製膜条件で、支持体上に金属元素を蒸着させて磁
性層を形成した。次いで、バックコート層、保護層及び
潤滑層を、それぞれ、下記の製造法に記載のようにして
形成した後、６ｍｍ幅（ＤＶＣ幅）にスリットして、磁
気記録媒体としてのＤＶＣ用の磁気テープを得た。

【００４５】〔成膜条件〕・蒸発源材料：Ｃｏ７５重量％とＮｉ２５重量％との合
金・支持体：６．２μｍＰＥＴフィルム・支持体テンション：１．５ｋｇ／１５５ｍｍ・支持体幅：１５５ｍｍ・最大入射角度：９０° ・最小入射角度：５０° ・ボンバードガス：酸素ガス・ボンバード条件：ガス流量４０ＳＣＣＭ、ボンバード
電圧／電流４００Ｖ／０．４Ａ・キャンロール径：６００ｍｍ・キャンロール温度：−３０℃ ・キャンロール表面粗さ：０．１ｓ・キャンロールと導入管６０ａのガス放出口６１ａとの
間の距離：２０ｍｍ・キャンロールと導入管６０ｂのガス放出口６１ｂとの
間の距離：４０ｍｍ（導入管６０ａ、６０ｂのガス放出口６１ａ，６１ｂか
らキャンロール４０表面までの数学的な距離であり、ガ
ス放出口６１ａ，６１ｂからキャンロール４０の表面に
降ろした垂線で測定される距離である。）・キャンロールのベースフィルム抱き角：２８０° ・成膜開始前真空度；５．０×１０^-6 ・導入酸素ガス温度：２４℃ ・導入管のガス放出孔径（導入管６０ａ）：０．５ｍｍ・導入管のガス放出孔径（導入管６０ｂ）：０．８ｍｍ・導入管のガス放出孔間隔（導入管６０ａ，６０ｂ
共）：１２ｍｍ・導入管の排気口幅（導入管６０ａ）：１８０ｍｍ・導入管の排気口幅（導入管６０ｂ）：１００ｍｍ・導入管６０ａの酸素ガス流量：５０ＳＣＣＭ・導入管６０ｂの酸素ガス流量：１０ＳＣＣＭ・電子銃出力：３０ｋＷ・蒸気流励起ＲＦ放電条件：１３．５６ＭＨｚ１２０
Ｗ・成膜速度：８００ｎｍ／ｓｅｃまた、ライン速度（支持体の速度）は、磁性層の膜厚が
１６０ｎｍとなるように制御して成膜を行った。

【００４６】（バックコート層、保護層及び潤滑層の製
造法）バックコート層は、下記の点を除いて磁性層と同
じ条件下で成膜した。・ボンバードは実施せず、蒸気流励起ＲＦ放電も実施し
ない。・酸素流量は６０ａから１００SCCM、６０ｂノズルから
１０SCCMとした。保護層は、ＥＣＲプラズマＣＶＤ装置を用いて、常法に
準じて１０ｎｍ厚のダイヤモンドライクカーボンからな
る保護層を磁性層上に設けることにより製造した。ま
た、潤滑層は、該保護層の表面にパーフルオロポリエー
テル〔アオジモント（株）製商品名「ＦＯＭＢＬＩＮ
ＺＤＩＡＣ」〕を厚さ１．２ｎｍでコーティングする
ことにより製造した。

【００４７】得られた磁気テープについて、長手方向の
保磁力の値を測定すると共に電磁変換特性を、下記の如
くして測定した。その結果を〔表２〕に示す。（電磁変換特性）電磁変換特性は、常法に従い、ドラムテスターを用いて
測定した。この際、磁気ヘッドには市販のＤＶＣデッキ
用のヘッド（アルプス電気製、商品名「ＨＷＨＡＣ２０
７４４」）を用いた。入力信号は記録電流が最適化され
た矩形波５ＭＨｚ、１０ＭＨｚ、２０ＭＨｚとした。

【００４８】〔実施例２〜５及び比較例１〜４〕蒸発原材料及び導入管６０ａにおける酸素ガス流量及び
電子銃電力を、それぞれ〔表１〕に示す値とした以外
は、実施例１と同様にして磁気テープを製造した。ま
た、得られた磁気テープについて、それぞれ、実施例１
と同様にして反射率、保磁力、電磁変換特性を測定し
た。その結果を〔表２〕に示す。尚、実施例５で得られ
た磁気テープについて、測定した反射率を示すチャート
を図４に示す。

【００４９】

【表１】

【００５０】

【表２】

【００５１】

【発明の効果】本発明の磁気記録媒体は、従来の蒸着型
の磁気記録媒体に比してより高記録密度化が可能であ
り、更に電磁変換特性に優れたものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は、本発明の磁気記録媒体の１形態を示す
拡大断面図である。

【図２】図２は、本発明の磁気記録媒体の製造に際して
好ましく用いられる蒸着装置を示す概略図である。

【図３】図３は、図２に示す導入管の拡大斜視図であ
る。

【図４】図４は、実施例５で得られた磁気テープの透過
率を示すチャートである。

【符号の説明】

１磁気記録媒体２支持体３磁性層４保護層５潤滑層６バックコート層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者遠藤克巳栃木県芳賀郡市貝町赤羽2606 花王株式会社研究所内 (72)発明者山崎登志夫栃木県芳賀郡市貝町赤羽2606 花王株式会社研究所内 (72)発明者宮村猛史栃木県芳賀郡市貝町赤羽2606 花王株式会社研究所内 (56)参考文献特開平５−166165（ＪＰ，Ａ) 特開平10−106834（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G11B 5/64 G11B 5/85

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】支持体と、該支持体の表面側に一種以上
の金属元素を蒸着させて設けられた磁性層とを具備する
磁気記録媒体において、上記磁性層は、その表面における波長８００ｎｍ〜６０
０ｎｍの反射率の最低値が４０〜７０％であることを特
徴とする磁気記録媒体。
【請求項２】上記磁性層は、その表面の波長６００ｎ
ｍ〜２００ｎｍの反射率の最低値が１０〜３０％である
ことを特徴とする請求項１記載の磁気記録媒体。
【請求項３】上記反射率が最低値をとる時の波長が２
５０〜２７０ｎｍであることを特徴とする請求項２記載
の磁気記録媒体。
【請求項４】上記磁性層のＣｏ含有量が８０ｗｔ％以
上であることを特徴とする請求項３記載の磁気記録媒
体。