JPH08193270A - ダイヤモンド状カーボン膜の形成方法及びその装置 - Google Patents
ダイヤモンド状カーボン膜の形成方法及びその装置Info
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- JPH08193270A JPH08193270A JP497495A JP497495A JPH08193270A JP H08193270 A JPH08193270 A JP H08193270A JP 497495 A JP497495 A JP 497495A JP 497495 A JP497495 A JP 497495A JP H08193270 A JPH08193270 A JP H08193270A
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- carbon film
- carbon
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ダイヤモンド構造に富むダイヤモンド状カー
ボン膜を得ることが出来る技術を提供することである。 【構成】 支持体上にＤＣマグネトロンスパッタ法によ
りカーボンを付けた後、その上にＥＣＲマイクロ波プラ
ズマＣＶＤ法によりカーボン膜を形成するダイヤモンド
状カーボン膜の形成方法。
ボン膜を得ることが出来る技術を提供することである。 【構成】 支持体上にＤＣマグネトロンスパッタ法によ
りカーボンを付けた後、その上にＥＣＲマイクロ波プラ
ズマＣＶＤ法によりカーボン膜を形成するダイヤモンド
状カーボン膜の形成方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ダイヤモンド状カーボ
ン膜を形成する為の技術に関する。
ン膜を形成する為の技術に関する。
【０００２】
【発明の背景】磁気テープ等の磁気記録媒体において
は、高密度記録化の要請から、支持体上に設けられる磁
性層として、バインダ樹脂を用いた塗布型のものではな
く、バインダ樹脂を用いない金属薄膜型のものが提案さ
れている。すなわち、無電解メッキ等の湿式メッキ手
段、真空蒸着、スパッタリングあるいはイオンプレーテ
ィング等の乾式メッキ手段により磁性層を形成した磁気
記録媒体が提案されている。そして、この種の磁気記録
媒体は磁性体の充填密度が高く、高密度記録に適したも
のである。
は、高密度記録化の要請から、支持体上に設けられる磁
性層として、バインダ樹脂を用いた塗布型のものではな
く、バインダ樹脂を用いない金属薄膜型のものが提案さ
れている。すなわち、無電解メッキ等の湿式メッキ手
段、真空蒸着、スパッタリングあるいはイオンプレーテ
ィング等の乾式メッキ手段により磁性層を形成した磁気
記録媒体が提案されている。そして、この種の磁気記録
媒体は磁性体の充填密度が高く、高密度記録に適したも
のである。
【０００３】この種の磁気記録媒体における金属磁性膜
を保護する為に、各種の保護膜を表面に設けることが提
案されている。例えば、ダイヤモンド状カーボン膜もこ
れらの提案の一つである。このダイヤモンド状カーボン
膜を表面に設ける手段としては各種のものが有る。例え
ば、熱フィラメントＣＶＤ装置、光ＣＶＤ装置、ＲＦプ
ラズマＣＶＤ装置、マイクロ波プラズマＣＶＤ装置、Ｅ
ＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ装置などのＣＶＤ（ケミ
カルベーパーデポジション）装置が有る。
を保護する為に、各種の保護膜を表面に設けることが提
案されている。例えば、ダイヤモンド状カーボン膜もこ
れらの提案の一つである。このダイヤモンド状カーボン
膜を表面に設ける手段としては各種のものが有る。例え
ば、熱フィラメントＣＶＤ装置、光ＣＶＤ装置、ＲＦプ
ラズマＣＶＤ装置、マイクロ波プラズマＣＶＤ装置、Ｅ
ＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ装置などのＣＶＤ（ケミ
カルベーパーデポジション）装置が有る。
【０００４】これらの装置により形成されるダイヤモン
ド状カーボン膜は、ダイヤモンド構造を有しているもの
の、完全なダイヤモンド構造のものではなく、グラファ
イト構造も有している。すなわち、ダイヤモンド及びグ
ラフィトのＥＥＬＳ（Electron Energy Loss Spectrosc
opy ）を図３に、そしてＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶ
Ｄ装置を用いて形成されるダイヤモンド状カーボン膜の
ＥＥＬＳを図４に示すが、グラファイト結合がある程度
存在することが認められる。
ド状カーボン膜は、ダイヤモンド構造を有しているもの
の、完全なダイヤモンド構造のものではなく、グラファ
イト構造も有している。すなわち、ダイヤモンド及びグ
ラフィトのＥＥＬＳ（Electron Energy Loss Spectrosc
opy ）を図３に、そしてＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶ
Ｄ装置を用いて形成されるダイヤモンド状カーボン膜の
ＥＥＬＳを図４に示すが、グラファイト結合がある程度
存在することが認められる。
【０００５】このグラファイト結合を有した膜は、軟ら
かいことから、金属薄膜型の磁気記録媒体の保護膜とし
ては充分なものでない。つまり、ダイヤモンド構造に富
むダイヤモンド状カーボン膜が求められている。
かいことから、金属薄膜型の磁気記録媒体の保護膜とし
ては充分なものでない。つまり、ダイヤモンド構造に富
むダイヤモンド状カーボン膜が求められている。
【０００６】
【発明の開示】本発明の目的は、ダイヤモンド構造に富
むダイヤモンド状カーボン膜を得ることが出来る技術を
提供することである。この本発明の目的は、支持体上に
ＤＣマグネトロンスパッタ法によりカーボンを付けた
後、その上にＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ法により
カーボン膜を形成することを特徴とするダイヤモンド状
カーボン膜の形成方法によって達成される。
むダイヤモンド状カーボン膜を得ることが出来る技術を
提供することである。この本発明の目的は、支持体上に
ＤＣマグネトロンスパッタ法によりカーボンを付けた
後、その上にＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ法により
カーボン膜を形成することを特徴とするダイヤモンド状
カーボン膜の形成方法によって達成される。
【０００７】又、ダイヤモンド状カーボン膜を形成する
装置であって、支持体の供給手段と、支持体の巻取手段
と、第１の真空槽と、この第１の真空槽内に設けられた
第１の冷却キャンロールと、前記第１の真空槽に設けら
れたＤＣマグネトロンスパッタ装置と、第２の真空槽
と、この第２の真空槽内に設けられた第２の冷却キャン
ロールと、前記第２の真空槽に設けられたＥＣＲマイク
ロ波プラズマＣＶＤ装置とを具備してなり、前記支持体
の供給手段から供給された第１の冷却キャンロールに沿
って走行する支持体上にＤＣマグネトロンスパッタ法に
よりカーボンを付けた後、第２の冷却キャンロールに沿
って走行する支持体上のカーボンの上にＥＣＲマイクロ
波プラズマＣＶＤ法によりカーボン膜を形成するよう構
成したことを特徴とするダイヤモンド状カーボン膜の形
成装置によって達成される。
装置であって、支持体の供給手段と、支持体の巻取手段
と、第１の真空槽と、この第１の真空槽内に設けられた
第１の冷却キャンロールと、前記第１の真空槽に設けら
れたＤＣマグネトロンスパッタ装置と、第２の真空槽
と、この第２の真空槽内に設けられた第２の冷却キャン
ロールと、前記第２の真空槽に設けられたＥＣＲマイク
ロ波プラズマＣＶＤ装置とを具備してなり、前記支持体
の供給手段から供給された第１の冷却キャンロールに沿
って走行する支持体上にＤＣマグネトロンスパッタ法に
よりカーボンを付けた後、第２の冷却キャンロールに沿
って走行する支持体上のカーボンの上にＥＣＲマイクロ
波プラズマＣＶＤ法によりカーボン膜を形成するよう構
成したことを特徴とするダイヤモンド状カーボン膜の形
成装置によって達成される。
【０００８】ＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ法は、成
膜面積が広く、他のＣＶＤ法に比べて高いプラズマ密度
を持ち、成膜速度が速い特長を有しているものの、前述
した通り、ダイヤモンド構造に富むものが得られ難い。
そこで、予め、ダイヤモンド構造に富むものを付けた
後、その上にＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ法でカー
ボン膜を成膜させれば、この膜は下地のダイヤモンド構
造の影響によってダイヤモンド構造に富むものになると
考えた。そして、ＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ工程
の前にＤＣマグネトロンスパッタ工程を設けておけば、
ＤＣマグネトロンスパッタ工程によって得られる膜（膜
になってなく、斑点状であっても良い）はダイヤモンド
構造に富むから、この上に形成されるＥＣＲマイクロ波
プラズマＣＶＤ膜がダイヤモンド構造に富むものになる
と考えた。つまり、ＤＣマグネトロンスパッタ膜は成膜
速度が遅いものの、これによって膜全ての厚さを形成す
るものではなく、下地膜を形成する程度に過ぎないか
ら、成膜速度が遅いと言う欠点は問題にならない。そし
て、得られる膜は質が高いダイヤモンド構造を有する。
この高品質なダイヤモンド構造を有するＤＣマグネトロ
ンスパッタ膜の上に、成膜速度が速いＥＣＲマイクロ波
プラズマＣＶＤ法を用いて成膜すれば、結果的に、高品
質なダイヤモンド構造を有するカーボン膜を生産性良く
製造できる。
膜面積が広く、他のＣＶＤ法に比べて高いプラズマ密度
を持ち、成膜速度が速い特長を有しているものの、前述
した通り、ダイヤモンド構造に富むものが得られ難い。
そこで、予め、ダイヤモンド構造に富むものを付けた
後、その上にＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ法でカー
ボン膜を成膜させれば、この膜は下地のダイヤモンド構
造の影響によってダイヤモンド構造に富むものになると
考えた。そして、ＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ工程
の前にＤＣマグネトロンスパッタ工程を設けておけば、
ＤＣマグネトロンスパッタ工程によって得られる膜（膜
になってなく、斑点状であっても良い）はダイヤモンド
構造に富むから、この上に形成されるＥＣＲマイクロ波
プラズマＣＶＤ膜がダイヤモンド構造に富むものになる
と考えた。つまり、ＤＣマグネトロンスパッタ膜は成膜
速度が遅いものの、これによって膜全ての厚さを形成す
るものではなく、下地膜を形成する程度に過ぎないか
ら、成膜速度が遅いと言う欠点は問題にならない。そし
て、得られる膜は質が高いダイヤモンド構造を有する。
この高品質なダイヤモンド構造を有するＤＣマグネトロ
ンスパッタ膜の上に、成膜速度が速いＥＣＲマイクロ波
プラズマＣＶＤ法を用いて成膜すれば、結果的に、高品
質なダイヤモンド構造を有するカーボン膜を生産性良く
製造できる。
【０００９】ＤＣマグネトロンスパッタ工程において用
いられるターゲットは、例えばグラファイトが用いられ
る。ＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ工程でダイヤモン
ド状カーボン膜を成膜する為に用いられる反応ガスとし
ては、例えばメタン等の鎖状炭化水素、ベンゼンやシク
ロヘキサン等の環状炭化水素、あるいはこれらの炭化水
素と窒素やアンモニア等の窒素化合物との混合物、又は
ピラジン、ピラゾリジン、ピラゾリン、ピラゾール、ピ
リジン、ピリダジン、ピリミジン、ピペリジン、ピペラ
ジン、イミダゾール、ピロール、あるいはこれらの同族
体や誘導体のような窒素含有環状炭化水素などの炭化水
素系のものが挙げられる。
いられるターゲットは、例えばグラファイトが用いられ
る。ＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ工程でダイヤモン
ド状カーボン膜を成膜する為に用いられる反応ガスとし
ては、例えばメタン等の鎖状炭化水素、ベンゼンやシク
ロヘキサン等の環状炭化水素、あるいはこれらの炭化水
素と窒素やアンモニア等の窒素化合物との混合物、又は
ピラジン、ピラゾリジン、ピラゾリン、ピラゾール、ピ
リジン、ピリダジン、ピリミジン、ピペリジン、ピペラ
ジン、イミダゾール、ピロール、あるいはこれらの同族
体や誘導体のような窒素含有環状炭化水素などの炭化水
素系のものが挙げられる。
【００１０】本発明は、例えば金属薄膜型の磁性膜の上
にダイヤモンド状カーボン膜を形成する為に用いられ
る。磁気記録媒体における支持体は、磁性を有するもの
でも、非磁性のものでも良い。一般的には非磁性のもの
である。例えば、ＰＥＴ等のポリエステル、ポリアミ
ド、ポリイミド、ポリスルフォン、ポリカーボネート、
ポリプロピレン等のオレフィン系の樹脂、セルロース系
の樹脂、塩化ビニル系の樹脂といった高分子材料、ガラ
スやセラミック等の無機系材料などが用いられる。この
支持体上に、蒸着やスパッタ等の乾式メッキ手段によっ
て金属薄膜型の磁性膜が設けられる。金属薄膜型の磁性
膜を形成する磁性粒子の材料としては、例えばＦｅ，Ｃ
ｏ，Ｎｉ等の金属の他に、Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｃｏ−Ｐｔ
合金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐｔ合金、Ｆｅ−Ｃｏ合金、Ｆｅ−
Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ合
金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ−Ｂ合金、Ｃｏ−Ｃｒ合金、ある
いはこれらにＡｌ等の金属を含有させたもの等が用いら
れる。
にダイヤモンド状カーボン膜を形成する為に用いられ
る。磁気記録媒体における支持体は、磁性を有するもの
でも、非磁性のものでも良い。一般的には非磁性のもの
である。例えば、ＰＥＴ等のポリエステル、ポリアミ
ド、ポリイミド、ポリスルフォン、ポリカーボネート、
ポリプロピレン等のオレフィン系の樹脂、セルロース系
の樹脂、塩化ビニル系の樹脂といった高分子材料、ガラ
スやセラミック等の無機系材料などが用いられる。この
支持体上に、蒸着やスパッタ等の乾式メッキ手段によっ
て金属薄膜型の磁性膜が設けられる。金属薄膜型の磁性
膜を形成する磁性粒子の材料としては、例えばＦｅ，Ｃ
ｏ，Ｎｉ等の金属の他に、Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｃｏ−Ｐｔ
合金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐｔ合金、Ｆｅ−Ｃｏ合金、Ｆｅ−
Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ合
金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ−Ｂ合金、Ｃｏ−Ｃｒ合金、ある
いはこれらにＡｌ等の金属を含有させたもの等が用いら
れる。
【００１１】尚、本発明は、磁気記録媒体の保護膜の形
成にのみ適用されるものではない。その代表的な一例を
挙げただけである。
成にのみ適用されるものではない。その代表的な一例を
挙げただけである。
【００１２】
【実施例】図１は本発明になる薄膜形成装置（ＤＣマグ
ネトロンスパッタ装置＋ＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶ
Ｄ装置）全体の概略図、図２はこの装置により成膜され
たダイヤモンド状カーボン膜のＥＥＬＳである。図１
中、１は１６００Å厚さのＣｏ金属磁性膜が支持体表面
に設けられた磁気記録媒体の原反、２ａ，２ｂは真空
槽、３ａは原反１の供給側ロール、３ｂは原反１の巻取
側ロール、４ａ，４ｂは冷却キャンロールである。原反
１は、真空槽２ａ内の供給側ロール３ａから冷却キャン
ロール４ａを経、そして真空槽２ｂ内の冷却キャンロー
ル４ｂを経て巻取側ロール３ｂに走行し、巻き取られて
行くように構成されている。
ネトロンスパッタ装置＋ＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶ
Ｄ装置）全体の概略図、図２はこの装置により成膜され
たダイヤモンド状カーボン膜のＥＥＬＳである。図１
中、１は１６００Å厚さのＣｏ金属磁性膜が支持体表面
に設けられた磁気記録媒体の原反、２ａ，２ｂは真空
槽、３ａは原反１の供給側ロール、３ｂは原反１の巻取
側ロール、４ａ，４ｂは冷却キャンロールである。原反
１は、真空槽２ａ内の供給側ロール３ａから冷却キャン
ロール４ａを経、そして真空槽２ｂ内の冷却キャンロー
ル４ｂを経て巻取側ロール３ｂに走行し、巻き取られて
行くように構成されている。
【００１３】Ａは、ＤＣマグネトロンスパッタ装置であ
る。尚、５はグラファイト製ターゲット（カソード）、
６はＤＣ電源、７はグラウンドケーブルである。Ｂは、
ＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ装置である。尚、８は
冷却キャンロール４ｂに対向して設けられたプラズマ反
応管、９は反応ガス（メタン（供給量７５ｓｃｃｍ）と
水素（供給量１５０ｓｃｃｍ）との混合ガス）供給用の
パイプ、１０はマイクロ波の導波管、１１は出力が０．
８ｋＷのマイクロ波（２．４５ＧＨｚ）発信器、１２は
ＥＣＲ磁場が８７５ＧのＥＣＲ用コイルである。
る。尚、５はグラファイト製ターゲット（カソード）、
６はＤＣ電源、７はグラウンドケーブルである。Ｂは、
ＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ装置である。尚、８は
冷却キャンロール４ｂに対向して設けられたプラズマ反
応管、９は反応ガス（メタン（供給量７５ｓｃｃｍ）と
水素（供給量１５０ｓｃｃｍ）との混合ガス）供給用の
パイプ、１０はマイクロ波の導波管、１１は出力が０．
８ｋＷのマイクロ波（２．４５ＧＨｚ）発信器、１２は
ＥＣＲ磁場が８７５ＧのＥＣＲ用コイルである。
【００１４】この装置において、先ず、ＤＣマグネトロ
ンスパッタ装置Ａによりアルゴンガス雰囲気下で原反１
上にカーボン膜を薄く成膜する。このＤＣマグネトロン
スパッタ工程で全てのカーボン膜を形成するものではな
く、下地膜とするのみであるから、１０〜２０Å程度の
厚さで充分である。そして、１０Å程度の厚さであれ
ば、これに要する時間も長くはかからない。すなわち、
原反１の走行速度を速くできる。
ンスパッタ装置Ａによりアルゴンガス雰囲気下で原反１
上にカーボン膜を薄く成膜する。このＤＣマグネトロン
スパッタ工程で全てのカーボン膜を形成するものではな
く、下地膜とするのみであるから、１０〜２０Å程度の
厚さで充分である。そして、１０Å程度の厚さであれ
ば、これに要する時間も長くはかからない。すなわち、
原反１の走行速度を速くできる。
【００１５】ＤＣマグネトロンスパッタ工程の後、ＥＣ
Ｒマイクロ波プラズマＣＶＤ装置Ｂによる工程が行われ
る。すなわち、反応ガスがパイプ９からプラズマ反応管
８内に供給され、かつ、波長λのマイクロ波が導入さ
れ、プラズマを励起し、マイクロ波の進行方向と同方向
にＥＣＲ用コイル１２で磁場を掛け、サイクロトロン共
鳴を起こさせ、ＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤを行わ
せる。このＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ工程で形成
される膜は高品質なダイヤモンド構造を有するＤＣマグ
ネトロンスパッタカーボン膜上に堆積するから、ＤＣマ
グネトロンスパッタカーボン膜の影響を受けてダイヤモ
ンド構造に富むものとなる。
Ｒマイクロ波プラズマＣＶＤ装置Ｂによる工程が行われ
る。すなわち、反応ガスがパイプ９からプラズマ反応管
８内に供給され、かつ、波長λのマイクロ波が導入さ
れ、プラズマを励起し、マイクロ波の進行方向と同方向
にＥＣＲ用コイル１２で磁場を掛け、サイクロトロン共
鳴を起こさせ、ＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤを行わ
せる。このＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ工程で形成
される膜は高品質なダイヤモンド構造を有するＤＣマグ
ネトロンスパッタカーボン膜上に堆積するから、ＤＣマ
グネトロンスパッタカーボン膜の影響を受けてダイヤモ
ンド構造に富むものとなる。
【００１６】因みに、４ｍ／ｍｉｎの速度で走行する原
反１表面の金属磁性膜上にＤＣマグネトロンスパッタ工
程で１０Åのカーボン膜を、次いでＥＣＲマイクロ波プ
ラズマＣＶＤ工程で９０Å厚さのカーボン膜を形成し
た。得られたカーボン膜のＥＥＬＳを図２に示す。これ
によれば、図４の場合に比べて、明らかにグラファイト
構造の強度が低下しており、ダイヤモンド構造に富むも
のであることが判る。すなわち、カーボン膜は、ダイヤ
モンド構造を有するＤＣマグネトロンスパッタカーボン
膜の上にＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤカーボン膜が
形成されたものであるから、ダイヤモンド構造に富むも
のであった。
反１表面の金属磁性膜上にＤＣマグネトロンスパッタ工
程で１０Åのカーボン膜を、次いでＥＣＲマイクロ波プ
ラズマＣＶＤ工程で９０Å厚さのカーボン膜を形成し
た。得られたカーボン膜のＥＥＬＳを図２に示す。これ
によれば、図４の場合に比べて、明らかにグラファイト
構造の強度が低下しており、ダイヤモンド構造に富むも
のであることが判る。すなわち、カーボン膜は、ダイヤ
モンド構造を有するＤＣマグネトロンスパッタカーボン
膜の上にＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤカーボン膜が
形成されたものであるから、ダイヤモンド構造に富むも
のであった。
【００１７】又、このようにして得られた磁気記録媒体
の耐久性を調べる為にスチル耐久性試験を行った。比較
の為、ＤＣマグネトロンスパッタ装置Ａを作動させず、
ＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ装置Ｂのみで１００Å
厚さのダイヤモンド状カーボン膜を金属磁性膜上に形成
した。この比較用の磁気記録媒体にあっては、スチル時
間が３分間経過後で８．５ｄＢの出力低下が認められた
のに対し、本実施例のものではスチル時間が６０分間経
過後にあっても出力低下が認められなかった。これより
しても、本実施例のダイヤモンド状カーボン膜は保護膜
として優れた機能を有していることが判る。
の耐久性を調べる為にスチル耐久性試験を行った。比較
の為、ＤＣマグネトロンスパッタ装置Ａを作動させず、
ＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ装置Ｂのみで１００Å
厚さのダイヤモンド状カーボン膜を金属磁性膜上に形成
した。この比較用の磁気記録媒体にあっては、スチル時
間が３分間経過後で８．５ｄＢの出力低下が認められた
のに対し、本実施例のものではスチル時間が６０分間経
過後にあっても出力低下が認められなかった。これより
しても、本実施例のダイヤモンド状カーボン膜は保護膜
として優れた機能を有していることが判る。
【００１８】
【効果】本発明によれば、ダイヤモンド構造に富むダイ
ヤモンド状カーボン薄膜が生産性高く形成される。
ヤモンド状カーボン薄膜が生産性高く形成される。
【図１】薄膜形成装置（ＤＣマグネトロンスパッタ装置
＋ＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ装置）全体の概略図
＋ＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ装置）全体の概略図
【図２】本発明で得られたダイヤモンド状カーボン膜の
ＥＥＬＳ
ＥＥＬＳ
【図３】ダイヤモンド膜及びグラファイト膜のＥＥＬＳ
【図４】従来のＥＣＲプラズマＣＶＤで得たダイヤモン
ド状カーボン膜のＥＥＬＳ
ド状カーボン膜のＥＥＬＳ
Ａ ＤＣマグネトロンスパッタ装置 Ｂ ＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ装置 １ 磁気記録媒体の原反
フロントページの続き (72)発明者 志賀 章 栃木県芳賀郡市貝町大字赤羽2606 花王株 式会社情報科学研究所内
Claims (2)
- 【請求項１】 支持体上にＤＣマグネトロンスパッタ法
によりカーボンを付けた後、その上にＥＣＲマイクロ波
プラズマＣＶＤ法によりカーボン膜を形成することを特
徴とするダイヤモンド状カーボン膜の形成方法。 - 【請求項２】 ダイヤモンド状カーボン膜を形成する装
置であって、支持体の供給手段と、支持体の巻取手段
と、第１の真空槽と、この第１の真空槽内に設けられた
第１の冷却キャンロールと、前記第１の真空槽に設けら
れたＤＣマグネトロンスパッタ装置と、第２の真空槽
と、この第２の真空槽内に設けられた第２の冷却キャン
ロールと、前記第２の真空槽に設けられたＥＣＲマイク
ロ波プラズマＣＶＤ装置とを具備してなり、前記支持体
の供給手段から供給された第１の冷却キャンロールに沿
って走行する支持体上にＤＣマグネトロンスパッタ法に
よりカーボンを付けた後、第２の冷却キャンロールに沿
って走行する支持体上のカーボンの上にＥＣＲマイクロ
波プラズマＣＶＤ法によりカーボン膜を形成するよう構
成したことを特徴とするダイヤモンド状カーボン膜の形
成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP497495A JPH08193270A (ja) | 1995-01-17 | 1995-01-17 | ダイヤモンド状カーボン膜の形成方法及びその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP497495A JPH08193270A (ja) | 1995-01-17 | 1995-01-17 | ダイヤモンド状カーボン膜の形成方法及びその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08193270A true JPH08193270A (ja) | 1996-07-30 |
Family
ID=11598578
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP497495A Pending JPH08193270A (ja) | 1995-01-17 | 1995-01-17 | ダイヤモンド状カーボン膜の形成方法及びその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08193270A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002146533A (ja) * | 2000-11-06 | 2002-05-22 | Mitsubishi Electric Corp | 炭素薄体、炭素薄体形成方法および電界放出型電子源 |
| EP2083095A3 (en) * | 2008-01-21 | 2010-12-15 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho (Kobe Steel, Ltd.) | Diamond-like carbon film for sliding parts and method for production thereof |
-
1995
- 1995-01-17 JP JP497495A patent/JPH08193270A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002146533A (ja) * | 2000-11-06 | 2002-05-22 | Mitsubishi Electric Corp | 炭素薄体、炭素薄体形成方法および電界放出型電子源 |
| EP2083095A3 (en) * | 2008-01-21 | 2010-12-15 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho (Kobe Steel, Ltd.) | Diamond-like carbon film for sliding parts and method for production thereof |
| US8304063B2 (en) | 2008-01-21 | 2012-11-06 | Kobe Steel, Ltd. | Diamond-like carbon film for sliding parts and method for production thereof |
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