JPH10152778A - 保護膜の形成方法 - Google Patents
保護膜の形成方法Info
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- JPH10152778A JPH10152778A JP31434196A JP31434196A JPH10152778A JP H10152778 A JPH10152778 A JP H10152778A JP 31434196 A JP31434196 A JP 31434196A JP 31434196 A JP31434196 A JP 31434196A JP H10152778 A JPH10152778 A JP H10152778A
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- film
- protective film
- carbon
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 耐久性に優れ、かつ、潤滑機能にも優れた保
護膜を提供することである。 【解決手段】 CVDにより炭素系の保護膜を形成する
第1工程と、前記第1工程により形成された保護膜を希
ガスのプラズマ雰囲気に曝す第2工程とを具備する保護
膜の形成方法。
護膜を提供することである。 【解決手段】 CVDにより炭素系の保護膜を形成する
第1工程と、前記第1工程により形成された保護膜を希
ガスのプラズマ雰囲気に曝す第2工程とを具備する保護
膜の形成方法。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は保護膜の形成方法、
特に磁気記録媒体などの記録媒体表面に形成される保護
膜の形成方法に関する。
特に磁気記録媒体などの記録媒体表面に形成される保護
膜の形成方法に関する。
【0002】
【発明が解決しようとする課題】磁気テープや磁気ディ
スク等の磁気記録媒体においては、高密度記録化の要請
から、非磁性支持体上に設けられる磁性膜として、バイ
ンダ樹脂を用いた塗布型のものではなく、バインダ樹脂
を用いない金属薄膜型のものが提案されている。すなわ
ち、無電解メッキといった湿式メッキ手段、真空蒸着、
スパッタリングあるいはイオンプレーティングといった
乾式メッキ手段により磁性膜を形成した磁気記録媒体が
提案されている。そして、この種の磁気記録媒体は磁性
体の充填密度が高いことから、高密度記録に適したもの
である。
スク等の磁気記録媒体においては、高密度記録化の要請
から、非磁性支持体上に設けられる磁性膜として、バイ
ンダ樹脂を用いた塗布型のものではなく、バインダ樹脂
を用いない金属薄膜型のものが提案されている。すなわ
ち、無電解メッキといった湿式メッキ手段、真空蒸着、
スパッタリングあるいはイオンプレーティングといった
乾式メッキ手段により磁性膜を形成した磁気記録媒体が
提案されている。そして、この種の磁気記録媒体は磁性
体の充填密度が高いことから、高密度記録に適したもの
である。
【0003】ところで、この種の金属薄膜型磁気記録媒
体における金属磁性膜を保護する為に、従来より各種の
保護膜を表面に設けることが提案されている。例えば、
ダイヤモンドライクカーボン膜もこれらの提案の一つで
ある。このダイヤモンドライクカーボン膜を表面に設け
る手段としては各種のものが有る。例えば、マイクロ波
プラズマCVDやECRマイクロ波プラズマCVD等の
CVD(ケミカルベーパーデポジション)手段が有る。
体における金属磁性膜を保護する為に、従来より各種の
保護膜を表面に設けることが提案されている。例えば、
ダイヤモンドライクカーボン膜もこれらの提案の一つで
ある。このダイヤモンドライクカーボン膜を表面に設け
る手段としては各種のものが有る。例えば、マイクロ波
プラズマCVDやECRマイクロ波プラズマCVD等の
CVD(ケミカルベーパーデポジション)手段が有る。
【0004】ところで、CVD手段を用いて形成されて
なるダイヤモンドライクカーボン膜は、硬質なものであ
ることから、優れた保護機能を奏するものの、潤滑機能
は劣る。従って、本発明が解決しようとする課題は、耐
久性に優れ、かつ、潤滑機能にも優れた保護膜を提供す
ることである。
なるダイヤモンドライクカーボン膜は、硬質なものであ
ることから、優れた保護機能を奏するものの、潤滑機能
は劣る。従って、本発明が解決しようとする課題は、耐
久性に優れ、かつ、潤滑機能にも優れた保護膜を提供す
ることである。
【0005】
【課題を解決するための手段】前記の課題は、CVDに
より炭素系の保護膜を形成する第1工程と、前記第1工
程により形成された保護膜を希ガスのプラズマ雰囲気に
曝す第2工程とを具備することを特徴とする保護膜の形
成方法によって解決される。
より炭素系の保護膜を形成する第1工程と、前記第1工
程により形成された保護膜を希ガスのプラズマ雰囲気に
曝す第2工程とを具備することを特徴とする保護膜の形
成方法によって解決される。
【0006】特に、支持体上に記録膜を形成する記録膜
形成工程と、前記記録膜形成工程の後、記録膜の上にC
VDにより炭素系の保護膜を形成する第1工程と、前記
第1工程により形成された保護膜を希ガスのプラズマ雰
囲気に曝す第2工程とを具備することを特徴とする保護
膜の形成方法によって解決される。
形成工程と、前記記録膜形成工程の後、記録膜の上にC
VDにより炭素系の保護膜を形成する第1工程と、前記
第1工程により形成された保護膜を希ガスのプラズマ雰
囲気に曝す第2工程とを具備することを特徴とする保護
膜の形成方法によって解決される。
【0007】そして、上記第1工程により形成される炭
素系の保護膜はダイヤモンドライクカーボン膜であり、
第2工程によって前記ダイヤモンドライクカーボン膜の
ダイヤモンド構造の一部がグラファイト構造に変性され
るのが特に好ましい。すなわち、グラファイト膜は潤滑
機能に優れており、ダイヤモンドライクカーボン膜にグ
ラファイト構造を持たせておくことによって、耐久性お
よび潤滑性共に優れたものになる。
素系の保護膜はダイヤモンドライクカーボン膜であり、
第2工程によって前記ダイヤモンドライクカーボン膜の
ダイヤモンド構造の一部がグラファイト構造に変性され
るのが特に好ましい。すなわち、グラファイト膜は潤滑
機能に優れており、ダイヤモンドライクカーボン膜にグ
ラファイト構造を持たせておくことによって、耐久性お
よび潤滑性共に優れたものになる。
【0008】又、上記第1工程により形成される炭素系
の保護膜の厚さは10〜500Å、特に10〜200Å
であるのが好ましい。これは、薄すぎた場合には保護膜
としての機能が乏しく、逆に、厚すぎた場合には下側に
ある本来の膜の機能を充分に発揮させることが出来難い
からである。又、上記第2工程において、電圧が印加さ
れてなり、印加電圧により加速されたプラズマが第1工
程により形成された保護膜表面に照射されるようにする
のが好ましい。これによって、保護膜の表面層を効率よ
く変性でき、耐久性および潤滑性が一層優れたものにな
る。
の保護膜の厚さは10〜500Å、特に10〜200Å
であるのが好ましい。これは、薄すぎた場合には保護膜
としての機能が乏しく、逆に、厚すぎた場合には下側に
ある本来の膜の機能を充分に発揮させることが出来難い
からである。又、上記第2工程において、電圧が印加さ
れてなり、印加電圧により加速されたプラズマが第1工
程により形成された保護膜表面に照射されるようにする
のが好ましい。これによって、保護膜の表面層を効率よ
く変性でき、耐久性および潤滑性が一層優れたものにな
る。
【0009】
【発明の実施の形態】本発明の保護膜の形成方法は、C
VDにより炭素系の保護膜を形成する第1工程と、前記
第1工程により形成された保護膜を希ガスのプラズマ雰
囲気に曝す第2工程とを具備する。特に、支持体上に記
録膜を形成する記録膜形成工程と、前記記録膜形成工程
の後、記録膜の上にCVDにより炭素系の保護膜を形成
する第1工程と、前記第1工程により形成された保護膜
を希ガスのプラズマ雰囲気に曝す第2工程とを具備す
る。上記第1工程により形成される炭素系の保護膜はダ
イヤモンドライクカーボン膜であり、第2工程によって
前記ダイヤモンドライクカーボン膜のダイヤモンド構造
の一部がグラファイト構造に変性される。上記第1工程
により形成される炭素系の保護膜の厚さは10〜500
Å、特に10〜200Åである。又、上記第2工程にお
いては、電圧が印加されてなり、印加電圧により加速さ
れたプラズマが第1工程により形成された保護膜表面に
照射される。
VDにより炭素系の保護膜を形成する第1工程と、前記
第1工程により形成された保護膜を希ガスのプラズマ雰
囲気に曝す第2工程とを具備する。特に、支持体上に記
録膜を形成する記録膜形成工程と、前記記録膜形成工程
の後、記録膜の上にCVDにより炭素系の保護膜を形成
する第1工程と、前記第1工程により形成された保護膜
を希ガスのプラズマ雰囲気に曝す第2工程とを具備す
る。上記第1工程により形成される炭素系の保護膜はダ
イヤモンドライクカーボン膜であり、第2工程によって
前記ダイヤモンドライクカーボン膜のダイヤモンド構造
の一部がグラファイト構造に変性される。上記第1工程
により形成される炭素系の保護膜の厚さは10〜500
Å、特に10〜200Åである。又、上記第2工程にお
いては、電圧が印加されてなり、印加電圧により加速さ
れたプラズマが第1工程により形成された保護膜表面に
照射される。
【0010】以下、更に詳しく説明する。図1は、本発
明の実施により得た記録媒体(磁気記録媒体)の概略断
面図である。図1中、1は、例えばポリエチレンテレフ
タレート等のポリエステル、ポリアミド、ポリイミド、
ポリスルフォン、ポリカーボネート、ポリプロピレン等
のオレフィン系の樹脂、セルロース系の樹脂、塩化ビニ
ル系の樹脂といった高分子材料、ガラスやセラミック等
の無機系材料、あるいはアルミニウム合金などの金属材
料と言った支持体である。
明の実施により得た記録媒体(磁気記録媒体)の概略断
面図である。図1中、1は、例えばポリエチレンテレフ
タレート等のポリエステル、ポリアミド、ポリイミド、
ポリスルフォン、ポリカーボネート、ポリプロピレン等
のオレフィン系の樹脂、セルロース系の樹脂、塩化ビニ
ル系の樹脂といった高分子材料、ガラスやセラミック等
の無機系材料、あるいはアルミニウム合金などの金属材
料と言った支持体である。
【0011】この支持体1上に、記録膜(金属磁性膜)
2が設けられる。例えば、10-4〜10-6Torr程度
の真空雰囲気下において磁性金属を抵抗加熱、高周波加
熱、電子ビーム加熱などにより蒸発させ、金属磁性粒子
を支持体面上に堆積(斜め蒸着)させることにより、5
00〜5000Å厚さの金属磁性膜2が形成される。金
属磁性膜の材料として、例えばFe,Co,Ni等の金
属の他に、Co−Ni合金、Co−Pt合金、Co−N
i−Pt合金、Fe−Co合金、Fe−Ni合金、Fe
−Co−Ni合金、Fe−Co−B合金、Co−Ni−
Fe−B合金、Co−Cr合金、あるいはこれらにAl
等の金属を含有させたもの等が用いられる。尚、金属磁
性膜の形成は、上記した蒸着法による他、直流スパッタ
法、交流スパッタ法、高周波スパッタ法、直流マグネト
ロンスパッタ法、高周波マグネトロンスパッタ法、イオ
ンビームスパッタ法などの各種の手段を採用できる。
2が設けられる。例えば、10-4〜10-6Torr程度
の真空雰囲気下において磁性金属を抵抗加熱、高周波加
熱、電子ビーム加熱などにより蒸発させ、金属磁性粒子
を支持体面上に堆積(斜め蒸着)させることにより、5
00〜5000Å厚さの金属磁性膜2が形成される。金
属磁性膜の材料として、例えばFe,Co,Ni等の金
属の他に、Co−Ni合金、Co−Pt合金、Co−N
i−Pt合金、Fe−Co合金、Fe−Ni合金、Fe
−Co−Ni合金、Fe−Co−B合金、Co−Ni−
Fe−B合金、Co−Cr合金、あるいはこれらにAl
等の金属を含有させたもの等が用いられる。尚、金属磁
性膜の形成は、上記した蒸着法による他、直流スパッタ
法、交流スパッタ法、高周波スパッタ法、直流マグネト
ロンスパッタ法、高周波マグネトロンスパッタ法、イオ
ンビームスパッタ法などの各種の手段を採用できる。
【0012】記録膜2上には保護膜3が設けられる。特
に、ECRマイクロ波プラズマCVD等のCVDにより
炭素系の保護膜、特にダイヤモンドライクカーボン膜が
設けられる。例えば、図2に示すECRマイクロ波プラ
ズマCVD装置を用い、記録膜2上に保護膜3が10〜
500Å厚さ形成される。図2中、1は金属磁性膜が設
けられた支持体、4aは支持体1が巻かれている供給側
ロール、4bは金属磁性膜上に保護膜3が設けられた支
持体1が巻かれて行く巻取側ロールである。5は冷却キ
ャンロールである。そして、供給側ロール4aから走行
して来た支持体1は冷却キャンロール5に添接され、こ
の後巻取側ロール4bに巻き取られて行く。尚、金属磁
性膜が設けられていない側が冷却キャンロール5に接し
ている。6はECRマイクロ波プラズマCVD装置であ
り、7はプラズマ反応管、8はECR用コイル、9は真
空導波管、10は炭化水素系の化合物(メタン、エチレ
ン、アセチレン、ベンゼン等の炭化水素系のガス、特
に、エチレンやアセチレン等の二重結合あるいは三重結
合を持つ鎖状の不飽和炭化水素、ベンゼン、トルエン、
安息香酸、ベンズアルデヒド等の環式の不飽和炭化水素
(芳香族炭化水素)、又はナフタレンやアントラセン等
をベンゼンやトルエンに希釈したもの等のように不飽和
結合を有する炭化水素系の化合物。常温常圧で気体また
は液体)をプラズマ反応管7内に供給するノズル、11
は真空槽である。
に、ECRマイクロ波プラズマCVD等のCVDにより
炭素系の保護膜、特にダイヤモンドライクカーボン膜が
設けられる。例えば、図2に示すECRマイクロ波プラ
ズマCVD装置を用い、記録膜2上に保護膜3が10〜
500Å厚さ形成される。図2中、1は金属磁性膜が設
けられた支持体、4aは支持体1が巻かれている供給側
ロール、4bは金属磁性膜上に保護膜3が設けられた支
持体1が巻かれて行く巻取側ロールである。5は冷却キ
ャンロールである。そして、供給側ロール4aから走行
して来た支持体1は冷却キャンロール5に添接され、こ
の後巻取側ロール4bに巻き取られて行く。尚、金属磁
性膜が設けられていない側が冷却キャンロール5に接し
ている。6はECRマイクロ波プラズマCVD装置であ
り、7はプラズマ反応管、8はECR用コイル、9は真
空導波管、10は炭化水素系の化合物(メタン、エチレ
ン、アセチレン、ベンゼン等の炭化水素系のガス、特
に、エチレンやアセチレン等の二重結合あるいは三重結
合を持つ鎖状の不飽和炭化水素、ベンゼン、トルエン、
安息香酸、ベンズアルデヒド等の環式の不飽和炭化水素
(芳香族炭化水素)、又はナフタレンやアントラセン等
をベンゼンやトルエンに希釈したもの等のように不飽和
結合を有する炭化水素系の化合物。常温常圧で気体また
は液体)をプラズマ反応管7内に供給するノズル、11
は真空槽である。
【0013】上記装置を用いての成膜は次のようにして
行われる。先ず、真空槽11内を真空排気し、支持体1
を走行させると共に、ECRマイクロ波プラズマCVD
装置6を動作させる。ノズル10からプラズマ反応管7
内に炭化水素系のガスを供給し、これにマイクロ波を照
射する。これにより、プラズマ状態のものとなり、供給
側ロール4aから巻取側ロール4bに走行する支持体1
上の金属磁性膜の上にダイヤモンドライクカーボン膜
(保護膜)3が形成される。
行われる。先ず、真空槽11内を真空排気し、支持体1
を走行させると共に、ECRマイクロ波プラズマCVD
装置6を動作させる。ノズル10からプラズマ反応管7
内に炭化水素系のガスを供給し、これにマイクロ波を照
射する。これにより、プラズマ状態のものとなり、供給
側ロール4aから巻取側ロール4bに走行する支持体1
上の金属磁性膜の上にダイヤモンドライクカーボン膜
(保護膜)3が形成される。
【0014】尚、ECRマイクロ波プラズマCVDを行
う条件は、次の通りである。 真空排気度;1.0×10-6〜1.0×10-4Torr 原料(炭化水素)供給量;真空度により規定 1.2×10-1〜1.2×10-5Torr キャンロール温度;−20℃〜40℃ μ波振動周波数;2.45GHz μ波出力;50〜1000W 共鳴点磁場;875Gauss 次に、図2と同様なECRマイクロ波プラズマCVD装
置を用い、保護膜3を希ガスのプラズマ雰囲気に曝す。
う条件は、次の通りである。 真空排気度;1.0×10-6〜1.0×10-4Torr 原料(炭化水素)供給量;真空度により規定 1.2×10-1〜1.2×10-5Torr キャンロール温度;−20℃〜40℃ μ波振動周波数;2.45GHz μ波出力;50〜1000W 共鳴点磁場;875Gauss 次に、図2と同様なECRマイクロ波プラズマCVD装
置を用い、保護膜3を希ガスのプラズマ雰囲気に曝す。
【0015】すなわち、保護膜3の形成に際しては、ノ
ズル10からプラズマ反応管7内に炭化水素系のガスを
供給したのであるが、炭化水素系のガスの代わりにH
e,Ne,Ar,Kr等の希ガスを供給し、この希ガス
にマイクロ波を照射する。これにより、プラズマ状態の
ものとなり、供給側ロール4aから巻取側ロール4bに
走行する支持体1上のダイヤモンドライクカーボン膜
(保護膜)3が希ガスのプラズマ雰囲気に曝される。
ズル10からプラズマ反応管7内に炭化水素系のガスを
供給したのであるが、炭化水素系のガスの代わりにH
e,Ne,Ar,Kr等の希ガスを供給し、この希ガス
にマイクロ波を照射する。これにより、プラズマ状態の
ものとなり、供給側ロール4aから巻取側ロール4bに
走行する支持体1上のダイヤモンドライクカーボン膜
(保護膜)3が希ガスのプラズマ雰囲気に曝される。
【0016】尚、ECRマイクロ波プラズマCVDを行
う条件は、次の通りである。 真空排気度;1.0×10-6〜1.0×10-4Torr 原料(希ガス)供給量;真空度により規定 1.2×10-1〜1.2×10-5Torr キャンロール温度;−20℃〜40℃ μ波振動周波数;2.45GHz μ波出力;50〜1000W 共鳴点磁場;875Gauss 支持体走行速度;0.01〜60m/min 特に、0.01〜10m/min これにより、ダイヤモンドライクカーボン膜の表面層の
ダイヤモンド構造の一部がグラファイト構造に変性され
る。
う条件は、次の通りである。 真空排気度;1.0×10-6〜1.0×10-4Torr 原料(希ガス)供給量;真空度により規定 1.2×10-1〜1.2×10-5Torr キャンロール温度;−20℃〜40℃ μ波振動周波数;2.45GHz μ波出力;50〜1000W 共鳴点磁場;875Gauss 支持体走行速度;0.01〜60m/min 特に、0.01〜10m/min これにより、ダイヤモンドライクカーボン膜の表面層の
ダイヤモンド構造の一部がグラファイト構造に変性され
る。
【0017】以下、具体的な実施例を挙げて本発明を説
明する。
明する。
【0018】
【実施例1】先ず、通常の斜め蒸着装置を用いて10μ
m厚のPETフィルム1にCo粒子を堆積させ、200
0Å厚さのCo磁性膜2を設けた。この後、これを図2
に示すCVD装置に装填し、Co磁性膜2面上に厚さ1
20Åのダイヤモンドライクカーボン膜3を設けた。
m厚のPETフィルム1にCo粒子を堆積させ、200
0Å厚さのCo磁性膜2を設けた。この後、これを図2
に示すCVD装置に装填し、Co磁性膜2面上に厚さ1
20Åのダイヤモンドライクカーボン膜3を設けた。
【0019】尚、このダイヤモンドライクカーボン膜3
の形成時の条件は次の通りである。マイクロ波出力は5
00W、マイクロ波周波数は2.45GHz、ECR磁
場は875G、反応ガスはベンゼン(ベンゼン供給量は
真空度で規定;3.0×10 -6Torrのところにベン
ゼンを供給した時の真空度が4.0×10-4Tor
r)、キャンロール温度が5℃、支持体走行速度は10
m/minである。
の形成時の条件は次の通りである。マイクロ波出力は5
00W、マイクロ波周波数は2.45GHz、ECR磁
場は875G、反応ガスはベンゼン(ベンゼン供給量は
真空度で規定;3.0×10 -6Torrのところにベン
ゼンを供給した時の真空度が4.0×10-4Tor
r)、キャンロール温度が5℃、支持体走行速度は10
m/minである。
【0020】この後、図2に示すCVD装置を用い、ベ
ンゼンの代わりにArを供給して、ダイヤモンドライク
カーボン膜3をArのプラズマ雰囲気に曝した。尚、こ
のArプラズマ処理時の条件は次の通りである。マイク
ロ波出力は500W、マイクロ波周波数は2.45GH
z、ECR磁場は875G、Ar供給量(真空度で規
定;3.0×10-6TorrのところにArを供給した
時の真空度)は4.0×10-4Torr、キャンロール
温度が5℃、支持体走行速度は6m/minである。
ンゼンの代わりにArを供給して、ダイヤモンドライク
カーボン膜3をArのプラズマ雰囲気に曝した。尚、こ
のArプラズマ処理時の条件は次の通りである。マイク
ロ波出力は500W、マイクロ波周波数は2.45GH
z、ECR磁場は875G、Ar供給量(真空度で規
定;3.0×10-6TorrのところにArを供給した
時の真空度)は4.0×10-4Torr、キャンロール
温度が5℃、支持体走行速度は6m/minである。
【0021】
【実施例2】実施例1において、Arプラズマ処理時に
おける条件を下記のようにした以外は実施例1に準じて
行った。 マイクロ波出力;500W マイクロ波周波数;2.45GHz ECR磁場;875G Ar供給量(真空度で規定;3.0×10-6Torrの
ところにArを供給した時の真空度);4.0×10-3
Torr キャンロール温度;5℃ 支持体走行速度;3m/min
おける条件を下記のようにした以外は実施例1に準じて
行った。 マイクロ波出力;500W マイクロ波周波数;2.45GHz ECR磁場;875G Ar供給量(真空度で規定;3.0×10-6Torrの
ところにArを供給した時の真空度);4.0×10-3
Torr キャンロール温度;5℃ 支持体走行速度;3m/min
【0022】
【実施例3】実施例1において、Arプラズマ処理時に
おける条件を下記のようにした以外は実施例1に準じて
行った。 マイクロ波出力;500W マイクロ波周波数;2.45GHz ECR磁場;875G Ar供給量(真空度で規定;3.0×10-6Torrの
ところにArを供給した時の真空度);4.0×10-3
Torr キャンロール温度;5℃ 支持体走行速度;3m/min 印加電圧(キャンロールに負のバイアス電位を印加);
100v
おける条件を下記のようにした以外は実施例1に準じて
行った。 マイクロ波出力;500W マイクロ波周波数;2.45GHz ECR磁場;875G Ar供給量(真空度で規定;3.0×10-6Torrの
ところにArを供給した時の真空度);4.0×10-3
Torr キャンロール温度;5℃ 支持体走行速度;3m/min 印加電圧(キャンロールに負のバイアス電位を印加);
100v
【0023】
【比較例1】実施例1において、Arプラズマ処理を行
わなかった以外は実施例1に準じて行った。
わなかった以外は実施例1に準じて行った。
【0024】
【特性】上記各例で得た保護膜のラマンスペクトルをス
ペックス社のトリプルスペクトロメータを用いて調べた
ので、その結果を図3(実施例1)、図4(実施例
2)、図5(実施例3)、及び図6(比較例1)に示
す。これによれば、図3〜図5と図6とは、1350c
m-1付近におけるピークの有無に大きな相違が認められ
る。尚、1350cm-1付近におけるピークはダイヤモ
ンドライクカーボン膜3のグラファイト構造によるもの
である。
ペックス社のトリプルスペクトロメータを用いて調べた
ので、その結果を図3(実施例1)、図4(実施例
2)、図5(実施例3)、及び図6(比較例1)に示
す。これによれば、図3〜図5と図6とは、1350c
m-1付近におけるピークの有無に大きな相違が認められ
る。尚、1350cm-1付近におけるピークはダイヤモ
ンドライクカーボン膜3のグラファイト構造によるもの
である。
【0025】次に、上記各例の磁気テープの表面の摩擦
係数を調べると共に、ジッター並びにスチル耐久性を調
べたので、その結果を表−1に示す。 表−1 摩擦係数 ジッター スチル耐久性 実施例1 0.20 50nm 3.3時間 実施例2 0.18 45nm 3.5時間 実施例3 0.16 43nm 3.6時間 比較例1 0.25 62nm 3.2時間 これによれば、本実施例になる保護膜は摩擦係数が小さ
く、走行性に優れたものとなり、記録・再生特性に優れ
ていることが判る。更には、耐久性にも優れたものであ
る。
係数を調べると共に、ジッター並びにスチル耐久性を調
べたので、その結果を表−1に示す。 表−1 摩擦係数 ジッター スチル耐久性 実施例1 0.20 50nm 3.3時間 実施例2 0.18 45nm 3.5時間 実施例3 0.16 43nm 3.6時間 比較例1 0.25 62nm 3.2時間 これによれば、本実施例になる保護膜は摩擦係数が小さ
く、走行性に優れたものとなり、記録・再生特性に優れ
ていることが判る。更には、耐久性にも優れたものであ
る。
【0026】
【効果】本発明によれば、潤滑機能に富み、走行特性が
優れ、かつ、耐久性に富む保護膜が得られる。
優れ、かつ、耐久性に富む保護膜が得られる。
【図1】記録媒体の概略図
【図2】ECRマイクロ波プラズマCVDの概略図
【図3】実施例1の保護膜のラマンスペクトル
【図4】実施例2の保護膜のラマンスペクトル
【図5】実施例3の保護膜のラマンスペクトル
【図6】比較例1の保護膜のラマンスペクトル
1 支持体 2 磁性膜 3 保護膜
Claims (5)
- 【請求項1】 CVDにより炭素系の保護膜を形成する
第1工程と、 前記第1工程により形成された保護膜を希ガスのプラズ
マ雰囲気に曝す第2工程とを具備することを特徴とする
保護膜の形成方法。 - 【請求項2】 支持体上に記録膜を形成する記録膜形成
工程と、 前記記録膜形成工程の後、記録膜の上にCVDにより炭
素系の保護膜を形成する第1工程と、 前記第1工程により形成された保護膜を希ガスのプラズ
マ雰囲気に曝す第2工程とを具備することを特徴とする
保護膜の形成方法。 - 【請求項3】 第1工程により形成される炭素系の保護
膜がダイヤモンドライクカーボン膜であり、第2工程に
よって前記ダイヤモンドライクカーボン膜のダイヤモン
ド構造の一部がグラファイト構造に変性されることを特
徴とする請求項1又は請求項2の保護膜の形成方法。 - 【請求項4】 第1工程により形成される炭素系の保護
膜の厚さが10〜500Åであることを特徴とする請求
項1〜請求項3いずれかの保護膜の形成方法。 - 【請求項5】 第2工程において、電圧が印加されてな
り、印加電圧により加速されたプラズマが第1工程によ
り形成された保護膜表面に照射されるようにすることを
特徴とする請求項1〜請求項3いずれかの保護膜の形成
方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31434196A JPH10152778A (ja) | 1996-11-26 | 1996-11-26 | 保護膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31434196A JPH10152778A (ja) | 1996-11-26 | 1996-11-26 | 保護膜の形成方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10152778A true JPH10152778A (ja) | 1998-06-09 |
Family
ID=18052169
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP31434196A Pending JPH10152778A (ja) | 1996-11-26 | 1996-11-26 | 保護膜の形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH10152778A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1114855A1 (en) * | 1998-08-28 | 2001-07-11 | Hiroshi Ishizuka | Diamond abrasive particles and method for preparing the same |
US6534131B1 (en) * | 1999-06-18 | 2003-03-18 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Method for treating carbon film, carbon film and component with carbon film |
-
1996
- 1996-11-26 JP JP31434196A patent/JPH10152778A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1114855A1 (en) * | 1998-08-28 | 2001-07-11 | Hiroshi Ishizuka | Diamond abrasive particles and method for preparing the same |
EP1114855A4 (en) * | 1998-08-28 | 2004-10-13 | Hiroshi Ishizuka | DIAMOND ABRASIVE PARTICLES AND THEIR PREPARATION PROCESS |
US6534131B1 (en) * | 1999-06-18 | 2003-03-18 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Method for treating carbon film, carbon film and component with carbon film |
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