JPH10152778A - 保護膜の形成方法 - Google Patents
保護膜の形成方法Info
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- JPH10152778A JPH10152778A JP31434196A JP31434196A JPH10152778A JP H10152778 A JPH10152778 A JP H10152778A JP 31434196 A JP31434196 A JP 31434196A JP 31434196 A JP31434196 A JP 31434196A JP H10152778 A JPH10152778 A JP H10152778A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 耐久性に優れ、かつ、潤滑機能にも優れた保
護膜を提供することである。 【解決手段】 ＣＶＤにより炭素系の保護膜を形成する
第１工程と、前記第１工程により形成された保護膜を希
ガスのプラズマ雰囲気に曝す第２工程とを具備する保護
膜の形成方法。
護膜を提供することである。 【解決手段】 ＣＶＤにより炭素系の保護膜を形成する
第１工程と、前記第１工程により形成された保護膜を希
ガスのプラズマ雰囲気に曝す第２工程とを具備する保護
膜の形成方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は保護膜の形成方法、
特に磁気記録媒体などの記録媒体表面に形成される保護
膜の形成方法に関する。
特に磁気記録媒体などの記録媒体表面に形成される保護
膜の形成方法に関する。
【０００２】
【発明が解決しようとする課題】磁気テープや磁気ディ
スク等の磁気記録媒体においては、高密度記録化の要請
から、非磁性支持体上に設けられる磁性膜として、バイ
ンダ樹脂を用いた塗布型のものではなく、バインダ樹脂
を用いない金属薄膜型のものが提案されている。すなわ
ち、無電解メッキといった湿式メッキ手段、真空蒸着、
スパッタリングあるいはイオンプレーティングといった
乾式メッキ手段により磁性膜を形成した磁気記録媒体が
提案されている。そして、この種の磁気記録媒体は磁性
体の充填密度が高いことから、高密度記録に適したもの
である。
スク等の磁気記録媒体においては、高密度記録化の要請
から、非磁性支持体上に設けられる磁性膜として、バイ
ンダ樹脂を用いた塗布型のものではなく、バインダ樹脂
を用いない金属薄膜型のものが提案されている。すなわ
ち、無電解メッキといった湿式メッキ手段、真空蒸着、
スパッタリングあるいはイオンプレーティングといった
乾式メッキ手段により磁性膜を形成した磁気記録媒体が
提案されている。そして、この種の磁気記録媒体は磁性
体の充填密度が高いことから、高密度記録に適したもの
である。
【０００３】ところで、この種の金属薄膜型磁気記録媒
体における金属磁性膜を保護する為に、従来より各種の
保護膜を表面に設けることが提案されている。例えば、
ダイヤモンドライクカーボン膜もこれらの提案の一つで
ある。このダイヤモンドライクカーボン膜を表面に設け
る手段としては各種のものが有る。例えば、マイクロ波
プラズマＣＶＤやＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ等の
ＣＶＤ（ケミカルベーパーデポジション）手段が有る。
体における金属磁性膜を保護する為に、従来より各種の
保護膜を表面に設けることが提案されている。例えば、
ダイヤモンドライクカーボン膜もこれらの提案の一つで
ある。このダイヤモンドライクカーボン膜を表面に設け
る手段としては各種のものが有る。例えば、マイクロ波
プラズマＣＶＤやＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ等の
ＣＶＤ（ケミカルベーパーデポジション）手段が有る。
【０００４】ところで、ＣＶＤ手段を用いて形成されて
なるダイヤモンドライクカーボン膜は、硬質なものであ
ることから、優れた保護機能を奏するものの、潤滑機能
は劣る。従って、本発明が解決しようとする課題は、耐
久性に優れ、かつ、潤滑機能にも優れた保護膜を提供す
ることである。
なるダイヤモンドライクカーボン膜は、硬質なものであ
ることから、優れた保護機能を奏するものの、潤滑機能
は劣る。従って、本発明が解決しようとする課題は、耐
久性に優れ、かつ、潤滑機能にも優れた保護膜を提供す
ることである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】前記の課題は、ＣＶＤに
より炭素系の保護膜を形成する第１工程と、前記第１工
程により形成された保護膜を希ガスのプラズマ雰囲気に
曝す第２工程とを具備することを特徴とする保護膜の形
成方法によって解決される。
より炭素系の保護膜を形成する第１工程と、前記第１工
程により形成された保護膜を希ガスのプラズマ雰囲気に
曝す第２工程とを具備することを特徴とする保護膜の形
成方法によって解決される。
【０００６】特に、支持体上に記録膜を形成する記録膜
形成工程と、前記記録膜形成工程の後、記録膜の上にＣ
ＶＤにより炭素系の保護膜を形成する第１工程と、前記
第１工程により形成された保護膜を希ガスのプラズマ雰
囲気に曝す第２工程とを具備することを特徴とする保護
膜の形成方法によって解決される。
形成工程と、前記記録膜形成工程の後、記録膜の上にＣ
ＶＤにより炭素系の保護膜を形成する第１工程と、前記
第１工程により形成された保護膜を希ガスのプラズマ雰
囲気に曝す第２工程とを具備することを特徴とする保護
膜の形成方法によって解決される。
【０００７】そして、上記第１工程により形成される炭
素系の保護膜はダイヤモンドライクカーボン膜であり、
第２工程によって前記ダイヤモンドライクカーボン膜の
ダイヤモンド構造の一部がグラファイト構造に変性され
るのが特に好ましい。すなわち、グラファイト膜は潤滑
機能に優れており、ダイヤモンドライクカーボン膜にグ
ラファイト構造を持たせておくことによって、耐久性お
よび潤滑性共に優れたものになる。
素系の保護膜はダイヤモンドライクカーボン膜であり、
第２工程によって前記ダイヤモンドライクカーボン膜の
ダイヤモンド構造の一部がグラファイト構造に変性され
るのが特に好ましい。すなわち、グラファイト膜は潤滑
機能に優れており、ダイヤモンドライクカーボン膜にグ
ラファイト構造を持たせておくことによって、耐久性お
よび潤滑性共に優れたものになる。
【０００８】又、上記第１工程により形成される炭素系
の保護膜の厚さは１０〜５００Å、特に１０〜２００Å
であるのが好ましい。これは、薄すぎた場合には保護膜
としての機能が乏しく、逆に、厚すぎた場合には下側に
ある本来の膜の機能を充分に発揮させることが出来難い
からである。又、上記第２工程において、電圧が印加さ
れてなり、印加電圧により加速されたプラズマが第１工
程により形成された保護膜表面に照射されるようにする
のが好ましい。これによって、保護膜の表面層を効率よ
く変性でき、耐久性および潤滑性が一層優れたものにな
る。
の保護膜の厚さは１０〜５００Å、特に１０〜２００Å
であるのが好ましい。これは、薄すぎた場合には保護膜
としての機能が乏しく、逆に、厚すぎた場合には下側に
ある本来の膜の機能を充分に発揮させることが出来難い
からである。又、上記第２工程において、電圧が印加さ
れてなり、印加電圧により加速されたプラズマが第１工
程により形成された保護膜表面に照射されるようにする
のが好ましい。これによって、保護膜の表面層を効率よ
く変性でき、耐久性および潤滑性が一層優れたものにな
る。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明の保護膜の形成方法は、Ｃ
ＶＤにより炭素系の保護膜を形成する第１工程と、前記
第１工程により形成された保護膜を希ガスのプラズマ雰
囲気に曝す第２工程とを具備する。特に、支持体上に記
録膜を形成する記録膜形成工程と、前記記録膜形成工程
の後、記録膜の上にＣＶＤにより炭素系の保護膜を形成
する第１工程と、前記第１工程により形成された保護膜
を希ガスのプラズマ雰囲気に曝す第２工程とを具備す
る。上記第１工程により形成される炭素系の保護膜はダ
イヤモンドライクカーボン膜であり、第２工程によって
前記ダイヤモンドライクカーボン膜のダイヤモンド構造
の一部がグラファイト構造に変性される。上記第１工程
により形成される炭素系の保護膜の厚さは１０〜５００
Å、特に１０〜２００Åである。又、上記第２工程にお
いては、電圧が印加されてなり、印加電圧により加速さ
れたプラズマが第１工程により形成された保護膜表面に
照射される。
ＶＤにより炭素系の保護膜を形成する第１工程と、前記
第１工程により形成された保護膜を希ガスのプラズマ雰
囲気に曝す第２工程とを具備する。特に、支持体上に記
録膜を形成する記録膜形成工程と、前記記録膜形成工程
の後、記録膜の上にＣＶＤにより炭素系の保護膜を形成
する第１工程と、前記第１工程により形成された保護膜
を希ガスのプラズマ雰囲気に曝す第２工程とを具備す
る。上記第１工程により形成される炭素系の保護膜はダ
イヤモンドライクカーボン膜であり、第２工程によって
前記ダイヤモンドライクカーボン膜のダイヤモンド構造
の一部がグラファイト構造に変性される。上記第１工程
により形成される炭素系の保護膜の厚さは１０〜５００
Å、特に１０〜２００Åである。又、上記第２工程にお
いては、電圧が印加されてなり、印加電圧により加速さ
れたプラズマが第１工程により形成された保護膜表面に
照射される。
【００１０】以下、更に詳しく説明する。図１は、本発
明の実施により得た記録媒体（磁気記録媒体）の概略断
面図である。図１中、１は、例えばポリエチレンテレフ
タレート等のポリエステル、ポリアミド、ポリイミド、
ポリスルフォン、ポリカーボネート、ポリプロピレン等
のオレフィン系の樹脂、セルロース系の樹脂、塩化ビニ
ル系の樹脂といった高分子材料、ガラスやセラミック等
の無機系材料、あるいはアルミニウム合金などの金属材
料と言った支持体である。
明の実施により得た記録媒体（磁気記録媒体）の概略断
面図である。図１中、１は、例えばポリエチレンテレフ
タレート等のポリエステル、ポリアミド、ポリイミド、
ポリスルフォン、ポリカーボネート、ポリプロピレン等
のオレフィン系の樹脂、セルロース系の樹脂、塩化ビニ
ル系の樹脂といった高分子材料、ガラスやセラミック等
の無機系材料、あるいはアルミニウム合金などの金属材
料と言った支持体である。
【００１１】この支持体１上に、記録膜（金属磁性膜）
２が設けられる。例えば、１０-4〜１０-6Ｔｏｒｒ程度
の真空雰囲気下において磁性金属を抵抗加熱、高周波加
熱、電子ビーム加熱などにより蒸発させ、金属磁性粒子
を支持体面上に堆積（斜め蒸着）させることにより、５
００〜５０００Å厚さの金属磁性膜２が形成される。金
属磁性膜の材料として、例えばＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉ等の金
属の他に、Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｃｏ−Ｐｔ合金、Ｃｏ−Ｎ
ｉ−Ｐｔ合金、Ｆｅ−Ｃｏ合金、Ｆｅ−Ｎｉ合金、Ｆｅ
−Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ合金、Ｃｏ−Ｎｉ−
Ｆｅ−Ｂ合金、Ｃｏ−Ｃｒ合金、あるいはこれらにＡｌ
等の金属を含有させたもの等が用いられる。尚、金属磁
性膜の形成は、上記した蒸着法による他、直流スパッタ
法、交流スパッタ法、高周波スパッタ法、直流マグネト
ロンスパッタ法、高周波マグネトロンスパッタ法、イオ
ンビームスパッタ法などの各種の手段を採用できる。
２が設けられる。例えば、１０-4〜１０-6Ｔｏｒｒ程度
の真空雰囲気下において磁性金属を抵抗加熱、高周波加
熱、電子ビーム加熱などにより蒸発させ、金属磁性粒子
を支持体面上に堆積（斜め蒸着）させることにより、５
００〜５０００Å厚さの金属磁性膜２が形成される。金
属磁性膜の材料として、例えばＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉ等の金
属の他に、Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｃｏ−Ｐｔ合金、Ｃｏ−Ｎ
ｉ−Ｐｔ合金、Ｆｅ−Ｃｏ合金、Ｆｅ−Ｎｉ合金、Ｆｅ
−Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ合金、Ｃｏ−Ｎｉ−
Ｆｅ−Ｂ合金、Ｃｏ−Ｃｒ合金、あるいはこれらにＡｌ
等の金属を含有させたもの等が用いられる。尚、金属磁
性膜の形成は、上記した蒸着法による他、直流スパッタ
法、交流スパッタ法、高周波スパッタ法、直流マグネト
ロンスパッタ法、高周波マグネトロンスパッタ法、イオ
ンビームスパッタ法などの各種の手段を採用できる。
【００１２】記録膜２上には保護膜３が設けられる。特
に、ＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ等のＣＶＤにより
炭素系の保護膜、特にダイヤモンドライクカーボン膜が
設けられる。例えば、図２に示すＥＣＲマイクロ波プラ
ズマＣＶＤ装置を用い、記録膜２上に保護膜３が１０〜
５００Å厚さ形成される。図２中、１は金属磁性膜が設
けられた支持体、４ａは支持体１が巻かれている供給側
ロール、４ｂは金属磁性膜上に保護膜３が設けられた支
持体１が巻かれて行く巻取側ロールである。５は冷却キ
ャンロールである。そして、供給側ロール４ａから走行
して来た支持体１は冷却キャンロール５に添接され、こ
の後巻取側ロール４ｂに巻き取られて行く。尚、金属磁
性膜が設けられていない側が冷却キャンロール５に接し
ている。６はＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ装置であ
り、７はプラズマ反応管、８はＥＣＲ用コイル、９は真
空導波管、１０は炭化水素系の化合物（メタン、エチレ
ン、アセチレン、ベンゼン等の炭化水素系のガス、特
に、エチレンやアセチレン等の二重結合あるいは三重結
合を持つ鎖状の不飽和炭化水素、ベンゼン、トルエン、
安息香酸、ベンズアルデヒド等の環式の不飽和炭化水素
（芳香族炭化水素）、又はナフタレンやアントラセン等
をベンゼンやトルエンに希釈したもの等のように不飽和
結合を有する炭化水素系の化合物。常温常圧で気体また
は液体）をプラズマ反応管７内に供給するノズル、１１
は真空槽である。
に、ＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ等のＣＶＤにより
炭素系の保護膜、特にダイヤモンドライクカーボン膜が
設けられる。例えば、図２に示すＥＣＲマイクロ波プラ
ズマＣＶＤ装置を用い、記録膜２上に保護膜３が１０〜
５００Å厚さ形成される。図２中、１は金属磁性膜が設
けられた支持体、４ａは支持体１が巻かれている供給側
ロール、４ｂは金属磁性膜上に保護膜３が設けられた支
持体１が巻かれて行く巻取側ロールである。５は冷却キ
ャンロールである。そして、供給側ロール４ａから走行
して来た支持体１は冷却キャンロール５に添接され、こ
の後巻取側ロール４ｂに巻き取られて行く。尚、金属磁
性膜が設けられていない側が冷却キャンロール５に接し
ている。６はＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ装置であ
り、７はプラズマ反応管、８はＥＣＲ用コイル、９は真
空導波管、１０は炭化水素系の化合物（メタン、エチレ
ン、アセチレン、ベンゼン等の炭化水素系のガス、特
に、エチレンやアセチレン等の二重結合あるいは三重結
合を持つ鎖状の不飽和炭化水素、ベンゼン、トルエン、
安息香酸、ベンズアルデヒド等の環式の不飽和炭化水素
（芳香族炭化水素）、又はナフタレンやアントラセン等
をベンゼンやトルエンに希釈したもの等のように不飽和
結合を有する炭化水素系の化合物。常温常圧で気体また
は液体）をプラズマ反応管７内に供給するノズル、１１
は真空槽である。
【００１３】上記装置を用いての成膜は次のようにして
行われる。先ず、真空槽１１内を真空排気し、支持体１
を走行させると共に、ＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ
装置６を動作させる。ノズル１０からプラズマ反応管７
内に炭化水素系のガスを供給し、これにマイクロ波を照
射する。これにより、プラズマ状態のものとなり、供給
側ロール４ａから巻取側ロール４ｂに走行する支持体１
上の金属磁性膜の上にダイヤモンドライクカーボン膜
（保護膜）３が形成される。
行われる。先ず、真空槽１１内を真空排気し、支持体１
を走行させると共に、ＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ
装置６を動作させる。ノズル１０からプラズマ反応管７
内に炭化水素系のガスを供給し、これにマイクロ波を照
射する。これにより、プラズマ状態のものとなり、供給
側ロール４ａから巻取側ロール４ｂに走行する支持体１
上の金属磁性膜の上にダイヤモンドライクカーボン膜
（保護膜）３が形成される。
【００１４】尚、ＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤを行
う条件は、次の通りである。 真空排気度；１．０×１０-6〜１．０×１０-4Ｔｏｒｒ 原料（炭化水素）供給量；真空度により規定 １．２×１０-1〜１．２×１０-5Ｔｏｒｒ キャンロール温度；−２０℃〜４０℃ μ波振動周波数；２．４５ＧＨｚ μ波出力；５０〜１０００Ｗ 共鳴点磁場；８７５Ｇａｕｓｓ 次に、図２と同様なＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ装
置を用い、保護膜３を希ガスのプラズマ雰囲気に曝す。
う条件は、次の通りである。 真空排気度；１．０×１０-6〜１．０×１０-4Ｔｏｒｒ 原料（炭化水素）供給量；真空度により規定 １．２×１０-1〜１．２×１０-5Ｔｏｒｒ キャンロール温度；−２０℃〜４０℃ μ波振動周波数；２．４５ＧＨｚ μ波出力；５０〜１０００Ｗ 共鳴点磁場；８７５Ｇａｕｓｓ 次に、図２と同様なＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ装
置を用い、保護膜３を希ガスのプラズマ雰囲気に曝す。
【００１５】すなわち、保護膜３の形成に際しては、ノ
ズル１０からプラズマ反応管７内に炭化水素系のガスを
供給したのであるが、炭化水素系のガスの代わりにＨ
ｅ，Ｎｅ，Ａｒ，Ｋｒ等の希ガスを供給し、この希ガス
にマイクロ波を照射する。これにより、プラズマ状態の
ものとなり、供給側ロール４ａから巻取側ロール４ｂに
走行する支持体１上のダイヤモンドライクカーボン膜
（保護膜）３が希ガスのプラズマ雰囲気に曝される。
ズル１０からプラズマ反応管７内に炭化水素系のガスを
供給したのであるが、炭化水素系のガスの代わりにＨ
ｅ，Ｎｅ，Ａｒ，Ｋｒ等の希ガスを供給し、この希ガス
にマイクロ波を照射する。これにより、プラズマ状態の
ものとなり、供給側ロール４ａから巻取側ロール４ｂに
走行する支持体１上のダイヤモンドライクカーボン膜
（保護膜）３が希ガスのプラズマ雰囲気に曝される。
【００１６】尚、ＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤを行
う条件は、次の通りである。 真空排気度；１．０×１０-6〜１．０×１０-4Ｔｏｒｒ 原料（希ガス）供給量；真空度により規定 １．２×１０-1〜１．２×１０-5Ｔｏｒｒ キャンロール温度；−２０℃〜４０℃ μ波振動周波数；２．４５ＧＨｚ μ波出力；５０〜１０００Ｗ 共鳴点磁場；８７５Ｇａｕｓｓ 支持体走行速度；０．０１〜６０ｍ／ｍｉｎ 特に、０．０１〜１０ｍ／ｍｉｎ これにより、ダイヤモンドライクカーボン膜の表面層の
ダイヤモンド構造の一部がグラファイト構造に変性され
る。
う条件は、次の通りである。 真空排気度；１．０×１０-6〜１．０×１０-4Ｔｏｒｒ 原料（希ガス）供給量；真空度により規定 １．２×１０-1〜１．２×１０-5Ｔｏｒｒ キャンロール温度；−２０℃〜４０℃ μ波振動周波数；２．４５ＧＨｚ μ波出力；５０〜１０００Ｗ 共鳴点磁場；８７５Ｇａｕｓｓ 支持体走行速度；０．０１〜６０ｍ／ｍｉｎ 特に、０．０１〜１０ｍ／ｍｉｎ これにより、ダイヤモンドライクカーボン膜の表面層の
ダイヤモンド構造の一部がグラファイト構造に変性され
る。
【００１７】以下、具体的な実施例を挙げて本発明を説
明する。
明する。
【００１８】
【実施例１】先ず、通常の斜め蒸着装置を用いて１０μ
ｍ厚のＰＥＴフィルム１にＣｏ粒子を堆積させ、２００
０Å厚さのＣｏ磁性膜２を設けた。この後、これを図２
に示すＣＶＤ装置に装填し、Ｃｏ磁性膜２面上に厚さ１
２０Åのダイヤモンドライクカーボン膜３を設けた。
ｍ厚のＰＥＴフィルム１にＣｏ粒子を堆積させ、２００
０Å厚さのＣｏ磁性膜２を設けた。この後、これを図２
に示すＣＶＤ装置に装填し、Ｃｏ磁性膜２面上に厚さ１
２０Åのダイヤモンドライクカーボン膜３を設けた。
【００１９】尚、このダイヤモンドライクカーボン膜３
の形成時の条件は次の通りである。マイクロ波出力は５
００Ｗ、マイクロ波周波数は２．４５ＧＨｚ、ＥＣＲ磁
場は８７５Ｇ、反応ガスはベンゼン（ベンゼン供給量は
真空度で規定；３．０×１０ -6Ｔｏｒｒのところにベン
ゼンを供給した時の真空度が４．０×１０-4Ｔｏｒ
ｒ）、キャンロール温度が５℃、支持体走行速度は１０
ｍ／ｍｉｎである。
の形成時の条件は次の通りである。マイクロ波出力は５
００Ｗ、マイクロ波周波数は２．４５ＧＨｚ、ＥＣＲ磁
場は８７５Ｇ、反応ガスはベンゼン（ベンゼン供給量は
真空度で規定；３．０×１０ -6Ｔｏｒｒのところにベン
ゼンを供給した時の真空度が４．０×１０-4Ｔｏｒ
ｒ）、キャンロール温度が５℃、支持体走行速度は１０
ｍ／ｍｉｎである。
【００２０】この後、図２に示すＣＶＤ装置を用い、ベ
ンゼンの代わりにＡｒを供給して、ダイヤモンドライク
カーボン膜３をＡｒのプラズマ雰囲気に曝した。尚、こ
のＡｒプラズマ処理時の条件は次の通りである。マイク
ロ波出力は５００Ｗ、マイクロ波周波数は２．４５ＧＨ
ｚ、ＥＣＲ磁場は８７５Ｇ、Ａｒ供給量（真空度で規
定；３．０×１０-6ＴｏｒｒのところにＡｒを供給した
時の真空度）は４．０×１０-4Ｔｏｒｒ、キャンロール
温度が５℃、支持体走行速度は６ｍ／ｍｉｎである。
ンゼンの代わりにＡｒを供給して、ダイヤモンドライク
カーボン膜３をＡｒのプラズマ雰囲気に曝した。尚、こ
のＡｒプラズマ処理時の条件は次の通りである。マイク
ロ波出力は５００Ｗ、マイクロ波周波数は２．４５ＧＨ
ｚ、ＥＣＲ磁場は８７５Ｇ、Ａｒ供給量（真空度で規
定；３．０×１０-6ＴｏｒｒのところにＡｒを供給した
時の真空度）は４．０×１０-4Ｔｏｒｒ、キャンロール
温度が５℃、支持体走行速度は６ｍ／ｍｉｎである。
【００２１】
【実施例２】実施例１において、Ａｒプラズマ処理時に
おける条件を下記のようにした以外は実施例１に準じて
行った。 マイクロ波出力；５００Ｗ マイクロ波周波数；２．４５ＧＨｚ ＥＣＲ磁場；８７５Ｇ Ａｒ供給量（真空度で規定；３．０×１０-6Ｔｏｒｒの
ところにＡｒを供給した時の真空度）；４．０×１０-3
Ｔｏｒｒ キャンロール温度；５℃ 支持体走行速度；３ｍ／ｍｉｎ
おける条件を下記のようにした以外は実施例１に準じて
行った。 マイクロ波出力；５００Ｗ マイクロ波周波数；２．４５ＧＨｚ ＥＣＲ磁場；８７５Ｇ Ａｒ供給量（真空度で規定；３．０×１０-6Ｔｏｒｒの
ところにＡｒを供給した時の真空度）；４．０×１０-3
Ｔｏｒｒ キャンロール温度；５℃ 支持体走行速度；３ｍ／ｍｉｎ
【００２２】
【実施例３】実施例１において、Ａｒプラズマ処理時に
おける条件を下記のようにした以外は実施例１に準じて
行った。 マイクロ波出力；５００Ｗ マイクロ波周波数；２．４５ＧＨｚ ＥＣＲ磁場；８７５Ｇ Ａｒ供給量（真空度で規定；３．０×１０-6Ｔｏｒｒの
ところにＡｒを供給した時の真空度）；４．０×１０-3
Ｔｏｒｒ キャンロール温度；５℃ 支持体走行速度；３ｍ／ｍｉｎ 印加電圧（キャンロールに負のバイアス電位を印加）；
１００ｖ
おける条件を下記のようにした以外は実施例１に準じて
行った。 マイクロ波出力；５００Ｗ マイクロ波周波数；２．４５ＧＨｚ ＥＣＲ磁場；８７５Ｇ Ａｒ供給量（真空度で規定；３．０×１０-6Ｔｏｒｒの
ところにＡｒを供給した時の真空度）；４．０×１０-3
Ｔｏｒｒ キャンロール温度；５℃ 支持体走行速度；３ｍ／ｍｉｎ 印加電圧（キャンロールに負のバイアス電位を印加）；
１００ｖ
【００２３】
【比較例１】実施例１において、Ａｒプラズマ処理を行
わなかった以外は実施例１に準じて行った。
わなかった以外は実施例１に準じて行った。
【００２４】
【特性】上記各例で得た保護膜のラマンスペクトルをス
ペックス社のトリプルスペクトロメータを用いて調べた
ので、その結果を図３（実施例１）、図４（実施例
２）、図５（実施例３）、及び図６（比較例１）に示
す。これによれば、図３〜図５と図６とは、１３５０ｃ
ｍ-1付近におけるピークの有無に大きな相違が認められ
る。尚、１３５０ｃｍ-1付近におけるピークはダイヤモ
ンドライクカーボン膜３のグラファイト構造によるもの
である。
ペックス社のトリプルスペクトロメータを用いて調べた
ので、その結果を図３（実施例１）、図４（実施例
２）、図５（実施例３）、及び図６（比較例１）に示
す。これによれば、図３〜図５と図６とは、１３５０ｃ
ｍ-1付近におけるピークの有無に大きな相違が認められ
る。尚、１３５０ｃｍ-1付近におけるピークはダイヤモ
ンドライクカーボン膜３のグラファイト構造によるもの
である。
【００２５】次に、上記各例の磁気テープの表面の摩擦
係数を調べると共に、ジッター並びにスチル耐久性を調
べたので、その結果を表−１に示す。 表−１ 摩擦係数 ジッター スチル耐久性 実施例１ ０．２０ ５０ｎｍ ３．３時間 実施例２ ０．１８ ４５ｎｍ ３．５時間 実施例３ ０．１６ ４３ｎｍ ３．６時間 比較例１ ０．２５ ６２ｎｍ ３．２時間 これによれば、本実施例になる保護膜は摩擦係数が小さ
く、走行性に優れたものとなり、記録・再生特性に優れ
ていることが判る。更には、耐久性にも優れたものであ
る。
係数を調べると共に、ジッター並びにスチル耐久性を調
べたので、その結果を表−１に示す。 表−１ 摩擦係数 ジッター スチル耐久性 実施例１ ０．２０ ５０ｎｍ ３．３時間 実施例２ ０．１８ ４５ｎｍ ３．５時間 実施例３ ０．１６ ４３ｎｍ ３．６時間 比較例１ ０．２５ ６２ｎｍ ３．２時間 これによれば、本実施例になる保護膜は摩擦係数が小さ
く、走行性に優れたものとなり、記録・再生特性に優れ
ていることが判る。更には、耐久性にも優れたものであ
る。
【００２６】
【効果】本発明によれば、潤滑機能に富み、走行特性が
優れ、かつ、耐久性に富む保護膜が得られる。
優れ、かつ、耐久性に富む保護膜が得られる。
【図１】記録媒体の概略図
【図２】ＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤの概略図
【図３】実施例１の保護膜のラマンスペクトル
【図４】実施例２の保護膜のラマンスペクトル
【図５】実施例３の保護膜のラマンスペクトル
【図６】比較例１の保護膜のラマンスペクトル
１ 支持体 ２ 磁性膜 ３ 保護膜
Claims (5)
- 【請求項１】 ＣＶＤにより炭素系の保護膜を形成する
第１工程と、 前記第１工程により形成された保護膜を希ガスのプラズ
マ雰囲気に曝す第２工程とを具備することを特徴とする
保護膜の形成方法。 - 【請求項２】 支持体上に記録膜を形成する記録膜形成
工程と、 前記記録膜形成工程の後、記録膜の上にＣＶＤにより炭
素系の保護膜を形成する第１工程と、 前記第１工程により形成された保護膜を希ガスのプラズ
マ雰囲気に曝す第２工程とを具備することを特徴とする
保護膜の形成方法。 - 【請求項３】 第１工程により形成される炭素系の保護
膜がダイヤモンドライクカーボン膜であり、第２工程に
よって前記ダイヤモンドライクカーボン膜のダイヤモン
ド構造の一部がグラファイト構造に変性されることを特
徴とする請求項１又は請求項２の保護膜の形成方法。 - 【請求項４】 第１工程により形成される炭素系の保護
膜の厚さが１０〜５００Åであることを特徴とする請求
項１〜請求項３いずれかの保護膜の形成方法。 - 【請求項５】 第２工程において、電圧が印加されてな
り、印加電圧により加速されたプラズマが第１工程によ
り形成された保護膜表面に照射されるようにすることを
特徴とする請求項１〜請求項３いずれかの保護膜の形成
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31434196A JPH10152778A (ja) | 1996-11-26 | 1996-11-26 | 保護膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31434196A JPH10152778A (ja) | 1996-11-26 | 1996-11-26 | 保護膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10152778A true JPH10152778A (ja) | 1998-06-09 |
Family
ID=18052169
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31434196A Pending JPH10152778A (ja) | 1996-11-26 | 1996-11-26 | 保護膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10152778A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1114855A1 (en) * | 1998-08-28 | 2001-07-11 | Hiroshi Ishizuka | Diamond abrasive particles and method for preparing the same |
| US6534131B1 (en) * | 1999-06-18 | 2003-03-18 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Method for treating carbon film, carbon film and component with carbon film |
-
1996
- 1996-11-26 JP JP31434196A patent/JPH10152778A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1114855A1 (en) * | 1998-08-28 | 2001-07-11 | Hiroshi Ishizuka | Diamond abrasive particles and method for preparing the same |
| EP1114855A4 (en) * | 1998-08-28 | 2004-10-13 | Hiroshi Ishizuka | DIAMOND ABRASIVE PARTICLES AND THEIR PREPARATION PROCESS |
| US6534131B1 (en) * | 1999-06-18 | 2003-03-18 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Method for treating carbon film, carbon film and component with carbon film |
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