JPH10251851A

JPH10251851A - 成膜方法及び成膜装置

Info

Publication number: JPH10251851A
Application number: JP6070797A
Authority: JP
Inventors: Takahiro Kawana; 隆宏川名; Ryoichi Hiratsuka; 亮一平塚; Seiichi Onodera; 誠一小野寺; Atsumichi Kawashima; 敦道川島
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1997-03-14
Filing date: 1997-03-14
Publication date: 1998-09-22

Abstract

(57)【要約】【課題】薄膜（例えばカーボン膜）の成膜速度を大き
く向上させることができる成膜方法、及びその実施に使
用できる成膜装置を提供すること。【解決手段】反応室４内で成膜物質１１を分解して、
この反応室４に対向して配置された基体５上に薄膜を形
成するに際し、基体５に関して反応室４内の成膜物質分
解領域２３とは反対側に第１の磁石１を配し、成膜物質
分解領域２３に関して基体５とは反対側に第２の磁石２
を配して、これらの磁石の作用下で基体５上に薄膜を形
成する成膜方法。反応室４内で成膜物質１１を分解し、
この反応室４に対向して配置された基体５上に薄膜を形
成するに際し、反応室４内に磁束密度２５０〜１０００
ガウスの静磁場を基体５の厚み方向に沿って発生させな
がら、基体５上に薄膜を形成する成膜方法。及びこれら
の成膜方法を再現性良く実施できる成膜装置。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜の成膜方法及
びその実施の際に使用できる成膜装置、例えば、ＣＶＤ
法（化学的気相成長法）による炭素保護膜の成膜方法及
びそのＣＶＤ装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】磁気テープ、磁気ディスク等の磁気記録
媒体は、例えばオ−ディオ機器、ビデオ機器、コンピュ
−タ等に用いられ、その需要は著しく伸びてきている。

【０００３】従来より、磁気記録媒体としては、非磁性
支持体上に酸化物磁性粉末又は合金磁性粉末等の粉末磁
性材料を、塩化ビニル−酢酸ビニル系共重合体、ポリエ
ステル樹脂、ウレタン樹脂、ポリウレタン樹脂等の有機
バインダー中に分散せしめた磁性塗料を塗布、乾燥する
ことにより作成された、いわゆる塗布型の磁気記録媒体
が広く使用されている。

【０００４】これに対して、高密度磁気記録への要求の
高まりと共に、Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｃｏ−Ｃｒ合金、Ｃｏ
−Ｏ等の金属磁性材料を、メッキや真空薄膜形成手段
〔（真空蒸着法やスパッタリング法、イオンプレーティ
ング法等のいわゆるＰＶＤ技術（物理的蒸着法：Physic
al Vapor Deposition ）〕によってポリエステルフィル
ムやポリアミド、ポリイミドフィルム等の非磁性支持体
上に直接被着した、いわゆる金属磁性薄膜型の磁気記録
媒体が提案され、注目を集めている。

【０００５】この金属磁性薄膜型の磁気記録媒体は、保
磁力や角型比に優れ、磁性層の厚みを極めて薄くできる
ため、記録減磁や再生時の厚み損失が著しく小さく、ま
た、短波長での電磁変換特性に優れるばかりでなく、磁
性層中に非磁性材料であるバインダーを混入する必要が
ないために磁性材料の充填密度を高めることができるな
ど、数々の利点を有している。

【０００６】即ち、金属磁性薄膜型の磁気記録媒体は、
電磁変換特性及び磁気特性的な優位性のゆえに、高密度
磁気記録の主流になると考えられている。

【０００７】さらに、この種の磁気記録媒体の電磁変換
特性を向上させ、より大きな出力を得ることができるよ
うにするために、磁気記録媒体の磁性層を形成するに際
し、磁性層を斜めに蒸着する、いわゆる斜方蒸着が提案
され、実用化されている。

【０００８】ところで、この種の磁気記録媒体では、一
層の高密度記録化を目的として、スペーシング損失を少
なくするために媒体が平滑化される傾向にある。しか
し、磁性層表面が平滑であると、磁気ヘッドやガイドロ
ーラー等の摺動部材に対する実質的な接触面積が大きく
なり、従って、例えば媒体と磁気ヘッドとの間の摩擦力
が大きくなって、凝着現象（いわゆる張り付き）が起き
易く、走行性や耐久性に欠けるなど、媒体に生ずる剪断
応力は大きくなり、問題点が多い。

【０００９】例えば、８ミリビデオデッキに挿入された
８ミリテープは、１０個以上のガイドピンを通って、ド
ラムに巻き付けられる。その際、ピンチローラーとキャ
プスタンによってテープテンションとテープ走行速度は
一定に保たれていて、テンションは約２０ｇ、走行速度
は約０．５cm/sである。

【００１０】この走行系において、テープの磁性層はス
テンレス製の固定されたガイドピンと接触する構造にな
っている。そのために、テープ表面の摩擦が大きくなる
と、テープがスティックスリップを起こして、いわゆる
テープ鳴きという現象が起き、再生画面のひきつれを起
こす。

【００１１】また、テープとヘッドとの相対速度は非常
に大きく、特にポーズ状態では同じ場所での高速接触と
なるので、磁性層の摩耗の問題が生じ、再生出力の低下
につながっている。特に、磁性層を蒸着で形成した蒸着
テープの場合、この磁性層は非常に薄いので、この問題
は更に助長される。

【００１２】また、ハードディスク装置は、ＣＳＳ（コ
ンタクト・スタート・ストップ）といって、回転前には
磁気ヘッドは磁気ディスクに接触しており、ディスクが
高速で回転を始めると、発生する空気流によって浮上す
るタイプの装置である。従って、起動停止又は起動時に
は媒体が擦って走行するので、そのときの摩擦の増加が
大きな問題となっている。

【００１３】商品レベルの信頼性を保つには、ＣＳＳ操
作を２万回行った後の摩擦係数が特に０．５以下である
ことが望まれる。また、高速で回転しているので、ヘッ
ドと媒体によるヘッドクラッシュ等の発生も課題の一つ
である。

【００１４】このように、摺動耐久性が厳しくなる状況
の中で、特に、耐久性を向上させる目的で、磁性層の表
面に保護膜を形成する技術の検討がなされてきた。

【００１５】このような保護膜としては、カーボン膜
（炭素膜：以下、同様）、石英（ＳｉＯ₂）膜、ジルコ
ニア（ＺｒＯ₂）膜等が検討され、ハードディスクにお
いては実用化されているものもある。

【００１６】特に、最近は、カーボン膜よりも硬度が大
きいダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ：ダイヤモン
ド構造を主とするカーボン）膜等の膜形成の検討も行わ
れており、このＤＬＣ膜は今後主流になるものと思われ
る保護膜である。

【００１７】現在、このような保護膜の形成手段とし
て、スパッタリング法、ＣＶＤ法等が用いられている。

【００１８】スパッタリング法とは、電場や磁場を利用
してアルゴンガス等の不活性ガスの電離（プラズマ化）
を行い、更に、電離したイオンを加速することにより得
られる運動エネルギーによって、ターゲットの原子を叩
き出す。そして、その叩き出された原子が対向する基板
上に堆積し、目的とする膜を形成する物理的プロセスで
ある。

【００１９】一方、ＣＶＤ法（化学的気相成長法：Chem
ical Vapor Deposition ）とは、気相の成長を利用した
薄膜形成技術の一つであり、成膜物質を含有するガスの
高温空間等における化学反応を利用して、原料ガスを分
解し、成膜物質を生成させ、この成膜物質を基体上に堆
積させる方法である。ＣＶＤ法を用いた装置の代表的な
ものとして、プラズマＣＶＤ装置が挙げられる。

【００２０】プラズマＣＶＤ装置を用いたプラズマＣＶ
Ｄ法は、電場や磁場を用いて発生させたプラズマのエネ
ルギーを利用して、原料となる気体の分解、合成等の化
学反応を起こさせて、薄膜を形成する化学的プロセスで
あり、このプラズマＣＶＤ法による成膜は、上記のスパ
ッタリング法に比べて膜の形成速度が大きく、また、様
々な原料ガスを選択することができるなど、今後、保護
膜（特にＤＬＣ膜）の形成に期待されているものであ
る。

【００２１】また、例えば、磁気記録媒体の表面保護膜
の形成には、原料となる気体を分解して磁気記録媒体上
に誘導する反応管を使用して、キャンロール上で案内さ
れながら連続走行する長尺状の磁気記録媒体原反（実際
には上記の金属磁性薄膜付きのもの）上に連続的に成膜
する方法が提案されている。

【００２２】このような反応管を用いると、原料となる
物質（例えば、エチレン等の炭化水素系のガス）を十分
に分解し、媒体上に効率よく誘導することができる。

【００２３】ここで、従来より使用されているプラズマ
ＣＶＤ装置の一例を、図５を参照しながら説明する。こ
の装置は金属磁性薄膜からなる磁性層を有する磁気記録
媒体の前記磁性層上に表面保護膜としてカーボン膜を成
膜する装置である。

【００２４】この装置内では、磁気記録媒体（原反）５
は巻き出しロール１２から、回転支持体（ガイドローラ
ー）１４、反応管４に対向配置される対向電極（キャン
ロール）３、回転支持体（ガイドローラー）１４、巻き
取りロール１３の順に搬送される。

【００２５】反応管４の内部にはメッシュ電極８が組み
込まれており、この電極８には直流電源９により＋５０
０〜２０００Ｖ程度の電圧が加えられる。また、炭化水
素を主成分とするガス（例えばエチレンガス）１１は、
ガス導入口１０から導入される。また、ここでは反応管
４に対向して円筒状の回転可能な対向電極（キャンロー
ル）３が微小な隙間（例えば１ｍｍ程度）を置いて設置
されている。また、この装置の内部は、真空排気系１６
により真空状態になされている。

【００２６】この装置においては、ガス導入口１０から
導入される炭化水素を主成分とするガス（エチレンガス
等の成膜物質）１１が、反応管４内の成膜物質分解領域
２３に生じる直流電界によって分解（励起、プラズマ
化）され、キャンロール３で順次搬送される磁気記録媒
体５上に堆積してカーボン膜を形成する。

【００２７】このような方法及び装置によって作製され
たカーボン膜によって、磁気記録媒体の耐久性は著しく
向上する。

【００２８】しかしながら、この成膜装置では、成膜物
質分解領域２３における成膜物質１１の分解は電極８に
よる直流電界によってのみ行われており、分解された成
膜物質１１のプラズマ密度が小さい上に、発生したプラ
ズマの閉じ込めが十分でないことなどから成膜速度が遅
く、また、この成膜速度の向上には限界があった。特に
原料ガスの圧力が低い状態のときに十分な成膜速度が取
れないなどの欠点があった。

【００２９】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述した従
来の実情に鑑みてなされたものであり、その目的は、主
として薄膜（例えばカーボン膜）の成膜速度を向上させ
ることができる成膜方法、及びその実施に使用できる成
膜装置を提供することにある。

【００３０】

【課題を解決するための手段】即ち、本発明は、反応室
内で成膜物質を分解して、この反応室に対向して配置さ
れた基体上に薄膜を形成するに際し、前記基体に関して
前記反応室内の成膜物質分解領域とは反対側に第１の磁
石を配し、前記成膜物質分解領域に関して前記基体とは
反対側に第２の磁石を配して、これらの磁石の作用下で
前記基体上に薄膜を形成する成膜方法（以下、本発明の
第１の成膜方法と称する。）に係るものである。

【００３１】本発明の第１の成膜方法によれば、反応室
内で成膜物質（例えばエチレンガス）を分解（励起、プ
ラズマ化など）して、この反応室に対向して配置された
基体（例えば磁気記録媒体）上に薄膜（例えばカーボン
膜）を形成するに際し、前記基体に関して前記反応室内
の成膜物質分解領域（実質的に成膜物質の分解を行う領
域）とは反対側に第１の磁石（特に永久磁石）を配し、
前記成膜物質分解領域に関して前記基体とは反対側に第
２の磁石（特に永久磁石）を配して、これらの磁石の作
用下で前記基体上に薄膜を形成するので、前記薄膜の成
膜速度を大きく向上させることができる。

【００３２】また、特に、磁気記録媒体の磁性層上に表
面保護膜（カーボン膜）を形成する場合、前記カーボン
膜の成膜速度を著しく向上させることができる上に、そ
の耐久性や電磁変換特性などの特性を劣化させることな
く成膜することができる。

【００３３】ここで、本発明の第１の成膜方法におい
て、上記成膜速度が向上する理由としては、成膜物質分
解領域に生じる磁場によって、分解された成膜物質の密
度（特にプラズマ密度）が大きくなると共に、この成膜
物質を十分に成膜領域に閉じ込める（特にプラズマを閉
じ込める又は収束させる）ことができるので、前記薄膜
の成膜速度が大きく向上するものと考えられる。

【００３４】また、本発明は、反応室内で成膜物質を分
解し、この反応室に対向して配置された基体上に薄膜を
形成するに際し、前記反応室内に磁束密度２５０〜１０
００ガウスの静磁場を前記基体の厚み方向に沿って発生
させながら、前記基体上に薄膜を形成する成膜方法（以
下、本発明の第２の成膜方法と称する。）に係るもので
ある。

【００３５】本発明の第２の成膜方法によれば、反応室
内で成膜物質（例えばエチレンガス）を分解（励起、プ
ラズマ化など）して、この反応室に対向して配置された
基体（例えば磁気記録媒体）上に薄膜（例えばカーボン
膜）を形成するに際し、前記反応室内に磁束密度２５０
〜１０００ガウスの静磁場（永久磁石や電磁石などの静
止した磁石や、定常電流によって作られる時間的に不変
な磁場）を前記基体の厚み方向に沿って（即ち、基体の
成膜面に対して垂直若しくはほぼ垂直方向に）発生させ
ながら、前記基体上に薄膜を形成するので、前記薄膜の
成膜速度を大きく向上させることができる。

【００３６】特に、本発明の第２の成膜方法において
は、前記基体の厚み方向に沿って磁束密度２５０〜１０
００ガウスの静磁場を発生させながら、前記成膜物質を
分解し、前記基体上に導くので、分解された成膜物質の
密度（特にプラズマ密度）を大きくすると共に、この成
膜物質を十分に成膜領域に閉じ込める（特にプラズマを
閉じ込める又は収束させる）ことができ、これによって
前記薄膜の成膜速度が大きく向上するものと考えられ
る。

【００３７】また、例えば、磁気記録媒体の磁性層上に
表面保護膜（カーボン膜）を形成する場合、前記カーボ
ン膜の成膜速度を大きく向上させることができると共
に、耐久性や電磁変換特性などの特性を劣化させること
なく成膜することができる。

【００３８】また、本発明は、本発明の第１の成膜方法
を再現性良く実施できる装置として、成膜物質を分解す
る反応室と、この反応室に対向して配置される基体の支
持部材と、前記基体に関して前記反応室内の成膜物質分
解領域とは反対側に配される第１の磁石と、前記成膜物
質分解領域に関して前記基体とは反対側に配される第２
の磁石とを有する成膜装置（以下、本発明の第１の成膜
装置と称する。）も提供するものである。

【００３９】更に、本発明は、本発明の第２の成膜方法
を再現性良く実施できる装置として、成膜物質を分解す
る反応室と、この反応室に対向して配置される基体の支
持部材と、前記反応室内に磁束密度２５０〜１０００ガ
ウスの静磁場を前記基体の厚み方向に沿って発生させる
ように構成された成膜装置（以下、本発明の第２の成膜
装置と称する。）も提供するものである。

【００４０】

【発明の実施の形態】本発明の第１の成膜方法及び第１
の成膜装置においては、前記第１の磁石と第２の磁石と
によって前記基体の厚み方向に沿う磁束を発生させ、こ
の磁束密度が２５０〜１０００ガウスとすることが望ま
しい。

【００４１】特に、これらの磁石によって、静磁場（永
久磁石や電磁石などの静止した磁石や、定常電流によっ
て作られる時間的に不変な磁場）を発生させることが好
ましい。

【００４２】詳しくは後述するが、磁束密度２５０〜１
０００ガウスの磁場（特に静磁場）を前記基体の厚み方
向、即ち、前記基体の成膜面に対して垂直方向若しくは
ほぼ垂直方向に発生させると、この磁場を全く作用させ
ない場合に比べて前記基体への成膜速度が大きく向上す
ることが分かった。この磁束密度が２５０ガウス未満で
あると、磁場による成膜物質の分解やその閉じ込めが不
十分であり、成膜速度を大きく向上させることが困難な
場合がある。また、磁束密度が１０００ガウスを超える
と、成膜物質の分解やその閉じ込めに効果が大きくなり
すぎて、成膜物質分解領域内での分解状態が変化するこ
とがある。

【００４３】また、本発明の第１の成膜方法及び第１の
成膜装置においては、前記磁石が永久磁石であることが
好ましい。勿論、電磁石を使用することも十分に可能で
あるが、装置構成の簡便さの点から永久磁石を使用する
ことが好ましい。

【００４４】次に、本発明の第１の成膜方法及び第１の
成膜装置に基づいて磁気記録媒体上に表面保護膜を形成
することができる成膜装置について説明する。

【００４５】図１は、本発明の第１の成膜方法を実施す
るに際し使用可能なプラズマＣＶＤ連続膜形成装置の要
部構成図である。

【００４６】この装置は、非磁性支持体（例えばポリエ
チレンテレフタレート）上にコバルト−ニッケル合金等
からなる金属磁性薄膜が設けられた磁気記録媒体（原
反）の前記金属磁性薄膜上にカーボン膜を形成すること
ができる装置である。

【００４７】この装置１５内で、磁気記録媒体（原反）
５は巻き出しロール１２から、回転支持体（ガイドロー
ラー）１４、前記反応室としての反応管４に対向配置さ
れる対向電極（キャンロール）３、回転支持体１４、巻
き取りロール１３の順に搬送される。

【００４８】反応管４の内部にはメッシュ電極８が組み
込まれており、この電極８には直流電源９により＋５０
０〜２０００Ｖの電圧が加えられる。また、例えばエチ
レン等の炭化水素を主成分とする成膜物質（原料ガス）
１１はガス導入口１０から導入される。更に、この反応
管４に対向して、円筒状の回転可能な対向電極（キャン
ロール）３が微小な間隔（例えば１ｍｍ程度）を置いて
設置されている。

【００４９】上記磁気記録媒体５はキャン３の表面に巻
き付けられて搬送されており、反応管４の成膜物質分解
領域２３にて分解（励起、プラズマ化）したガスを反応
管４の開口部２８方向に引き寄せ、その表面に、所定の
膜厚で表面保護膜としてのカーボン膜を形成する。但
し、この装置１５の内部は、真空排気系１６により真空
状態になされている。

【００５０】また、本装置において、キャンロール３は
円筒状の永久磁石１として形成した構造となっている。
また、成膜物質分解領域２３に関して磁気記録媒体５及
び磁石１とは反対側に第２の磁石としての永久磁石２が
配されており、これらの磁石（即ち磁場）の作用下で磁
気記録媒体上に表面保護膜（例えばＤＬＣ膜）を形成す
るように構成されている。

【００５１】この装置では、成膜物質分解領域２３内
で、成膜物質の分解によって生じるプラズマに対して、
媒体原反５のほぼ厚み方向に沿って磁石１−２間で磁束
を発生させて、成膜物質のプラズマ密度を大きすると共
に、この成膜物質（分解されたプラズマ状態の成膜物
質）を十分に成膜領域に閉じ込める（又は収束させる）
ことができ、更に媒体原反５が配される開口部２８方向
に効率よく前記成膜物質を導くことができるので、表面
保護膜（例えばカーボン膜）の成膜速度を大きく向上す
ることができると考えられる。上記磁束は実際には、キ
ャンロール３の成膜領域に面する領域において生じる
が、上記厚み方向にほぼ沿う状態となる。

【００５２】また、キャンロール３を形成する磁石１
と、この磁石１に対向して配される磁石２とは永久磁石
であり、装置１５の構成は比較的簡便である。即ち、電
磁石に必要な電源などの設備が必要なく、また、成膜物
質分解領域２３においてプラズマ発生密度を高めるため
に設けられることのある高周波放電部用のコイルや高周
波電源を設けるといったことも必要ない。特に、装置１
５のように、真空若しくはほぼ真空状態のなされた空間
内に高周波放電用のコイルを設けて高周波放電を行うた
めには、このコイルによる熱放射を防ぐための冷却設備
が必要となり、装置構成が非常に複雑になる。

【００５３】このように、図１の装置１５では、反応管
（反応室）４の成膜物質分解領域２３に磁場を発生させ
るための磁場発生体として永久磁石を用いており、更
に、図１に示すように、その所定位置にそれぞれ永久磁
石を配しているので、複雑化しがちな成膜装置におい
て、装置内の様々な設備の配置構成の自由度を大きくす
ることが十分に可能である。

【００５４】ここで、本発明の第１の成膜方法及び第１
の成膜装置に基づいて発生する磁場を構成する磁気ベク
トルについて図３を参照しながら説明する。

【００５５】本発明によれば、図１に示したように、磁
場発生源としての磁石を前記基体（媒体原反）に関して
成膜物質分解領域２３とは反対側に第１の磁石（特に永
久磁石）を配し、成膜物質分解領域２３に関して前記基
体とは反対側に第２の磁石（特に永久磁石）を配してい
るので、図３（Ａ）に示すように、反応室（反応管）４
ａの成膜物質分解領域２３において、磁気ベクトル２０
は開口部１８（即ち基体の成膜面）に対して垂直方向に
発生する（或いは、図中一点鎖線２０’で示すように開
口部１８に向かって収束するように発生する）。

【００５６】これに対して、図３（Ｂ）に示すように、
従来より、成膜物質の分解を促進させるための手段とし
て、反応管４ｂの外周に高周波放電用のコイル３０を巻
回し、高周波電源３１から高周波電力を供給して成膜物
質分解領域２３に高周波放電による電磁誘導を生じさせ
る方法が知られている。この方法では、プラズマの密度
を高めることができるが、その誘導磁場による磁気ベク
トル２１が開口部２８方向に対して収束せず、いわゆる
漏洩磁界が生じるためにプラズマの閉じ込め効率がよく
ない場合が多い。また、この方法ではプラズマの発生密
度が高くなりすぎて、反応管内で異常放電を生じること
があり、このよう放電を発生させないような条件（反応
管内の圧力や供給電力など）を設定することが難しい。

【００５７】従って、本発明によれば、本発明の第１の
成膜方法及び第１の成膜装置に基づいて発生する方向性
の優れた磁場によって、分解された成膜物質を十分に成
膜領域に閉じ込め（特にプラズマを閉じ込める又は収束
させ）、前記基体の成膜領域に対して十分かつ均一に前
記成膜物質を導くことできる。また、本発明において
は、磁気ベクトルの発生方向は図３に示した方向に限定
されず、その逆方向でも上記と同様の効果を得ることが
できる。

【００５８】次に、本発明の第１の成膜方法及び第１の
成膜装置に基づいた本発明の変形例を説明する。

【００５９】図１に示した成膜装置１５では、そのキャ
ンロール３は円筒状の磁石１として形成された構造にな
っている。

【００６０】これに対して、例えば図１の装置１５にお
いて、キャン３としては円筒状の支持部材（本体）の内
周面又は外周面に永久磁石が配された構造としてよい。
このような磁石は例えばフレキシブルな磁石とすれば、
キャンロールへの取付けが容易となる。また、内周面に
設けるときはキャンロール本体は良透磁率を有すること
が望ましい（外周面に設けるときはその限りではな
い）。また、複数の磁石（特に永久磁石）をキャンロー
ル本体の内周面又は外周面上に並列に配置してもよい。

【００６１】また、本発明の第１の成膜方法及び第１の
成膜装置において、図１に示したようにキャンロール自
体又はその内周部（或いは外周部）が磁石であると、特
に、前記基体が磁気記録媒体（特に磁性層として金属磁
性薄膜を有する磁気記録媒体）のような磁性体である場
合、媒体原反の搬送性がよくなり、特に高速の成膜が可
能となるといった効果も得られる。

【００６２】これは、前記媒体の磁性層が磁性体である
ので、キャンロールに設けられた磁場発生体（即ち第１
の磁石）により磁力が作用して、媒体原反がキャンロー
ルに密着して搬送されることになり、結果として媒体表
面のしわが少なくなるなど、媒体の表面性の向上させる
ことになる。

【００６３】また、図４（Ｂ）のように、前記第２の磁
石を反応室（反応管）４ｄの内側に配置してもよい。

【００６４】この場合、ガス導入口１０から導入される
成膜物質（原料ガス）１１は、成膜物質分解領域２３に
て、直流電源９によって印加される電極８での直流放電
によって分解（励起、プラズマ化）されると共に、反応
管４ｄの内部に設けられた磁石２ｂによって、分解され
た成膜物質の密度（特にプラズマ密度）を大きくすると
共に、この成膜物質を十分に成膜領域に閉じ込める（特
にプラズマを閉じ込める又は収束させる）ことができ
る。ここで、反応管４ｄの内部に設けられた磁石２ｂを
絶縁材料によって絶縁被覆（図中、一点鎖線２７）する
こともできる。

【００６５】また、図１に示した装置１５において、第
１の磁石及び第２の磁石の向きを変えることもできる。
即ち、反応管内の成膜物質分解領域に作用する磁気ベク
トルの向きを逆にしてもよい。

【００６６】また、上記反応管の原料ガス導入口を、図
１に示すように、前記基体に対して前記成膜物質（原料
ガス）が正面方向から導入できるように設けてもよい
し、また、図示しないが、前記反応管の側面から前記成
膜物質が導入できるように設けてもよい。即ち、本発明
においては、特に前述の所定位置に磁石を配することか
ら、前記反応管の側面から前記成膜物質を導入できるよ
うに前記ガス導入口を設けてもよい。

【００６７】また、本発明の第２の成膜方法及び第２の
成膜装置においては、前記基体に関して前記反応室内の
成膜物質分解領域とは反対側に第１の磁石を配し、前記
成膜物質分解領域に関して前記基体とは反対側に第２の
磁石を配して、これらの磁石の作用下で前記静磁場を発
生させることが好ましい。

【００６８】ここで、前記第１の磁石及び前記第２の磁
石は、永久磁石又は電磁石とすることができる。第１の
磁石と第２の磁石との両方の磁石を永久磁石又は電磁石
とすることができるが、どちらか一方を永久磁石とし、
他方を電磁石とすることも可能である。

【００６９】また、本発明の第２の成膜方法及び第２の
成膜装置においては、前記反応室の外部に巻回したコイ
ルに定常電流を印加することによって前記静磁場を発生
させることができる。この場合の反応室の一構成例を図
４（Ａ）に示す。

【００７０】図４（Ａ）においては、反応管４ｃの内部
には、ガス導入口１０から導入される原料ガス１１を分
解して図示しない基体が配されている方向に誘導する電
極８が配設されており、更に、反応管４ｃの外周には、
直流電源２６に接続されているコイル２５が巻回されて
おり、成膜物質分解領域２３内に直流電界による静磁場
を発生することができるように構成されている。

【００７１】また、本発明の第２の成膜装置において
は、その装置構成例として、本発明の第１の成膜装置と
して、図１に示した成膜装置１５、図４（Ｂ）に示した
反応管４ｄを有する成膜装置などを使用することができ
る。即ち、これらの装置において、反応室（反応管）内
に磁束密度２５０〜１０００ガウスの静磁場を前記基体
（特に磁気記録媒体）の厚み方向に沿って発生させなが
ら、前記基体上に薄膜を形成することができ、その成膜
時には上述した効果を十分に得ることができる。また、
前記磁束密度については、後述の実施例で図２に基づい
て説明する。

【００７２】また、本発明の第１の成膜方法（及び成膜
装置）及び第２の成膜方法（及び成膜装置）において
は、例えば、図１の成膜装置１５の反応管４の代わり
に、図４の反応管４ｃを使用するように、その構成を組
み合わせることができる。このように、図１の成膜装置
１５の反応管４の代わりに、図４の反応管４ｃを使用す
るときは、成膜物質分解領域２３内での磁場の発生源と
して、図１の第１の磁石１及び第２の磁石２と、図４の
静磁場発生用のコイル２５が存在することになる。前記
薄膜の成膜時には、これらの磁場の発生源の両方を動作
させることもできるし、一方のみを動作させることもで
きる。また、一方の磁場発生源と他方の磁場発生源とを
交互に動作させてもよい。

【００７３】また、本発明においては、反応室（反応
管）内の圧力（反応圧力）が比較的低い場合（通常の３
０〜４０Ｐａに対して例えば２０Ｐａ、更には２０Ｐａ
未満）でも有効であり、特にこの圧力が低い場合に十分
にその効果を発揮することができる。勿論、反応管のサ
イズ、原料ガスの種類などによってその反応圧力は種々
異なるが、反応室（反応管）内の圧力は２０〜５０Ｐａ
が好ましい。

【００７４】また、本発明の第１の成膜方法（及び成膜
装置）、及び本発明の第２の成膜方法（及び成膜装置）
においては、前記反応室をプラズマＣＶＤ装置の反応管
として構成し、この反応管内で炭化水素系のガスを分解
し、前記基体上に炭素を主体とする薄膜を形成すること
が十分に可能である。

【００７５】上記プラズマＣＶＤ装置としては、公知の
プラズマ発生方法が適用可能である。例えば、熱陰極か
ら放出された電子が陽極に流入するまでに気体分子と衝
突し、これをイオン化或いは励起してプラズマを作る熱
電子放電形、冷陰極にイオンが流入する時に引きだれた
電子が、陽極に向かって直進して流入するまでに気体分
子と衝突してプラズマを作る２極放電形、マグネトロン
放電形に代表されるような磁場収束形、高周波コイルを
設けることで高周波電磁誘導によりプラズマを作る無電
極形、マイクロ波を利用するＥＣＲ形（Electron Cyclo
tron Resonance）などが挙げられる。

【００７６】また、上記炭化水素系のガスには、例え
ば、メタン、エタン、エチレン、アセチレン、トルエン
などを使用することができ、これらの原料を用いると、
カーボン膜（アモルファス構造を主とするカーボン
膜）、ＤＬＣ膜（ダイヤモンド構造を主とするカーボン
膜）、ダイヤモンド膜などの炭素を主体とする薄膜を得
ることが十分に可能である。

【００７７】また、本発明の第１の成膜方法（及び成膜
装置）、及び本発明の第２の成膜方法（及び成膜装置）
においては、長尺状の前記基体を支持部材上で導いて搬
送しながら、前記基体上に連続的に前記薄膜を形成する
ことができ、更に、このような前記基体として、非磁性
支持体上に磁性層（特に金属磁性薄膜からなる磁性層）
を有する磁気記録媒体とし、この磁気記録媒体上に炭素
保護膜を形成することができる。

【００７８】特に、この保護膜はＤＬＣ膜であることが
好ましく、ＣＶＤ法等でカーボン膜を形成したのち、高
エネルギーのイオン（例えば窒素イオン）を前記カーボ
ン膜に照射することにより、ＤＬＣ（ダイヤモンドライ
クカーボン：ダイヤモンド構造を有するカーボン）化を
促進させることが可能である。

【００７９】また、前記保護膜としては、カーボン膜以
外にも、一般に使用されている他の原料を使用して保護
膜を形成することも十分に可能である。例示すれば、Ｃ
ｒＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、ＢＮ、Ｃｏ酸化物、ＭｇＯ、Ｓｉ
Ｏ₂、Ｓｉ₃Ｏ₄、ＳｉＮ_X、ＳｉＣ、ＳｉＮ_X−Ｓｉ
Ｏ₂、ＺｒＯ₂、ＴｉＯ₂、ＴｉＣ等が挙げられる。こ
れらは単層膜であってもよいし、多層膜又は複合膜であ
ってもよい。

【００８０】また、本発明の第１の成膜方法（及び成膜
装置）、及び本発明の第２の成膜方法（及び成膜装置）
においては、上述したように、前記支持部材を請求項１
に記載した前記第１の磁石とすることもできる。ここ
で、上述の「請求項１に記載した前記第１の磁石」と
は、前記基体（ここでは、磁気記録媒体）に関して前記
反応室（反応管）内の成膜物質分解領域とは反対側に配
した第１の磁石（永久磁石又は電磁石）である。

【００８１】また、上記磁気記録媒体としては、非磁性
支持体上に磁性層が設けられている磁気記録媒体（磁気
テープ、磁気ディスク等）の全てが対象となるが、特
に、ケースに内蔵されている媒体に比べて、外部に露出
する機会の多いテープ媒体等は、耐環境特性が厳しく要
求されるので、前記表面保護膜による効果が大きい。

【００８２】また、特に、非磁性支持体の表面上に蒸着
等の手法により磁性膜が磁性層として形成され、更にそ
の磁性層の上にカーボン膜を形成した、いわゆる金属薄
膜型の磁気記録媒体に前記表面保護膜を設けることが好
ましい。また、この金属薄膜型の磁気記録媒体において
は、非磁性支持体と磁性層との間に下地層を設けた構成
とすることもできる。

【００８３】上記非磁性支持体上には、強磁性金属材料
を直接被着することにより、金属磁性薄膜が磁性層とし
て形成されているが、この金属磁性材料としては、通常
の蒸着テープ等に使用されるものであれば如何なるもの
であってもよい。

【００８４】例示すれば、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ等の強磁性
金属やＦｅ−Ｃｏ、Ｃｏ−Ｎｉ、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ、Ｆ
ｅ−Ｃｕ、Ｃｏ−Ｃｕ、Ｃｏ−Ａｕ、Ｃｏ−Ｐｔ、Ｍｎ
−Ｂｉ、Ｍｎ−Ａｌ、Ｆｅ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｃｒ、Ｎｉ−
Ｃｒ、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ、Ｆｅ−Ｃ
ｏ−Ｎｉ−Ｃｒ、等の強磁性合金が例示される。これら
は、単層膜であっても、多層膜であってもよい。

【００８５】さらには、非磁性支持体と金属磁性薄膜
間、あるいは多層膜の場合には、各層間の付着力向上及
び保磁力の制御のため、下地層又は中間層を設けてもよ
い。

【００８６】金属磁性薄膜の形成手段としては、真空下
で強磁性材料を加熱蒸発させ、非磁性支持体上に沈着さ
せる真空蒸着法や、強磁性材料の蒸発を放電中で行うイ
オンプレーティング法、アルゴンを主成分とする雰囲気
中でグロー放電を起こし、生じたアルゴンイオンでター
ゲット表面の原子を叩き出すスパッタリング法等、いわ
ゆるＰＶＤ（Physical Vapor Deposition ）技術を使用
してよい。

【００８７】また、非磁性支持体としても公知の材料を
使用できる。例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポ
リエチレン−２，６−ナフタレート等のポリエステル類
の他、ポリオレフィン類、セルロース誘導体、ポリ塩化
ビニル等のビニル系樹脂等が挙げられる。その形態も何
ら限定されるものではなく、テープ状、シート状、ドラ
ム状等いかなる形態であってもよい。

【００８８】また、上述の金属磁性薄膜型の磁気記録媒
体において、バックコート層等が必要に応じて形成され
ていてもよい。即ち、公知の方法と同様に、カーボン等
の非磁性顔料を塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体等の結
合剤及び有機溶剤と共に混練することによってバックコ
ート層用塗料を調製し、これを非磁性支持体の磁性層と
は反対側の面に塗布することによって形成されるが、こ
のとき使用される結合剤や有機溶剤はいずれも、従来公
知のものが使用可能であり、何ら限定されるものではな
い。

【００８９】また、本発明は上記した金属薄膜型の磁気
記録媒体だけでなく、非常に微細な磁性粒子と樹脂結合
剤とを含む磁性塗料を非磁性支持体上に塗布し、これを
磁性層とした、いわゆる塗布型の磁気記録媒体に適用し
てもよい。

【００９０】なお、本発明は、磁気記録媒体以外に、光
学的装置及び素子、半導体装置等に薄膜、例えば表面保
護膜を成膜する場合にも十分に適用可能である。

【００９１】

【実施例】以下、本発明を具体的な実施例について説明
するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではな
い。

【００９２】まず、比較例１として、従来の成膜装置
（図５参照）を用いて、非磁性支持体上に金属磁性薄膜
が設けられている磁気記録媒体原反上にＤＬＣ膜を形成
した。この成膜条件は下記の通りである。原料ガス：エチレンガス反応圧力（反応管内）：２０Ｐａ導入電力：ＤＣ１．０ｋＶ成膜速度：１００ｎｍ／ｍｉｎＤＬＣ膜厚：１０ｎｍ媒体原反の搬送速度：約１ｍ／ｍｉｎギャップ間隔：１ｍｍ

【００９３】次に、実施例として、図１に示した装置を
用いて上記比較例１の成膜条件と同様の条件で、非磁性
支持体上に金属磁性薄膜が設けられている磁気記録媒体
原反上に、ＤＬＣ膜を形成した。なお、本実施例では、
図１に示すようにマグネットを配することによって成膜
速度が変化するため、前記ＤＬＣ膜の膜圧が一定（１０
ｎｍ）となるように媒体原反の搬送速度を調整した。

【００９４】なお、比較例及び実施例に用いた磁気記録
媒体（蒸着テープ）は以下に示す構成のものである。ベースフィルム：１０μｍＰＥＴ磁性層：厚さ２００ｎｍ、組成Ｃｏ80−Ｎｉ20の単層入射角：４５〜９０° 導入ガス：酸素ガス蒸着時真空度：２×１０^-2Ｐａ

【００９５】また、これら実施例及び比較例の媒体原反
（非磁性支持体上に金属磁性薄膜が形成された磁気記録
媒体原反）を作製した後、さらにトップコート層として
含フッ素カルボン酸のアミン塩（Ｃ₅Ｆ₁₁（ＣＨ₂）₁₀
ＣＯＯＨ：Ｎ（Ｃ₈Ｈ₁₇）₃）からなる潤滑剤を、湿式
塗布法によって３ｎｍ程度の厚さに形成した。次いで、
８ｍｍ幅にスリットして８ｍｍＶＴＲ用の金属磁性薄膜
型蒸着テープを作成した。

【００９６】そして、実施例の各蒸着テープについて、
図１に示した磁石１及び磁石２を適宜変更することによ
って、磁束密度（ガウス：gauss ）が種々異なる環境下
で成膜速度（ｎｍ／ｍｉｎ）を測定した。これらの測定
結果を下記の表１及び図２に示す。

【００９７】表１ ────────────────────────────── 比較例実施例実施例実施例実施例１１２３４ ────────────────────────────── 磁束密度 0 250 500 750 1000 (gauss) ────────────────────────────── 成膜速度 100 150 250 400 500 （nm/min) ──────────────────────────────

【００９８】次に、上述した媒体原反上に、ＤＬＣ膜の
形成時の反応管内の圧力を種々変更させて成膜速度の変
化を調べた。この時の成膜条件は、反応圧力（反応室
内）以外は上記した条件と同様である。下記の表２にこ
の結果を示す。

【００９９】表２ ──────────────────────── 実施例実施例実施例５６７ ──────────────────────── 反応圧力（Ｐａ） 40 50 60 （反応管内） ────────────────────── 成膜速度 400 500〜600 600以上（nm/min) ────────────────────── 磁束密度 750 750 750 (gauss) ────────────────────────

【０１００】次に、実施例及び比較例の各蒸着テープに
ついて、耐久性、電磁変換特性の評価を行った。この結
果を下記の表３に示す。

【０１０１】但し、各評価は、次の要領で行った。

【０１０２】スティルライフ：改造したソニー社製の８
ｍｍＶＴＲ（ビデオテープレコーダ）を用い、温度３０
℃、湿度１０％の環境下にてスティルライフ（スティル
寿命）の測定を行った。測定時間は、再生出力が３ｄＢ
落ちるまでの時間とし、３時間（１８０分）で打切りと
した。

【０１０３】レベルダウン：改造したソニー社製の８ｍ
ｍＶＴＲを用い、温度３０℃、湿度１０％の環境下に
て、６０分長の各蒸着テープに映像信号を記録し、再生
を１００回繰り返した。再生１回目の出力を基準とし
（０ｄＢ）、１００回目の再生出力値（ｄＢ）を示し
た。

【０１０４】摩擦係数：直径３ｍｍ、表面粗さ０．２Ｓ
（最大粗さ）のステンレス（ＳＵＳ４２０Ｊ製）円柱に
各蒸着テープの磁性面が９０度接触するようにして３０
ｇの重りを用い、テープ走行速度０．５ｍｍ／ｓｅｃ、
温度３０℃、湿度８０％の環境下に設定して、次式より
摩擦係数μｋを求めた。 μｋ＝（２／π）・Ｉｎ（ｘ／３０）（但し、ｘは摩擦力である。）

【０１０５】表３ ──────────────────────────────────── （ＤＬＣ膜厚）スティルライフ（分）レベルダウン(dB) 摩擦係数 ──────────────────────────────────── 比較例１（10nm）＞１８０ −０．５０．２３実施例２（10nm）＞１８０ −０．５０．２３ ────────────────────────────────────

【０１０６】次に、比較例２として、図５に示した成膜
装置において、反応管４の成膜物質分解領域２３の外周
部にコイルを巻回し、このコイルに高周波電源から高周
波電力を供給して、成膜物質分解領域２３内で高周波に
よる電磁誘導を生じさせて、成膜物質（エチレンガス）
の分解（励起、プラズマ化）を行いながら、上記媒体原
反上にＤＬＣ膜の成膜を行った。この時の成膜条件を以
下に示す。原料ガス：エチレンガス反応圧力（反応管内）：２０Ｐａ導入電力：ＤＣ１．０ｋＶ及びＲＦ１００Ｗ成膜速度：２００ｎｍ／ｍｉｎＤＬＣ膜厚：１０ｎｍ媒体原反の搬送速度：１ｍ／ｍｉｎギャップ間隔：１ｍｍ

【０１０７】得られた媒体原反（ＤＬＣ成膜済み）に、
更に上記と同様の成分、膜厚のトップコート層を形成し
た。次いで、８ｍｍ幅にスリットして８ｍｍＶＴＲ用の
金属磁性薄膜型蒸着テープ（比較例２）を作成した。

【０１０８】この比較例２の蒸着テープについて、その
成膜速度、スティルライフ、レベルダウン、摩擦係数を
測定した。但し、成膜速度、スティルライフ、レベルダ
ウン及び摩擦係数は上記と同様の基準で測定した。ま
た、テープの相対速度は１０ｍ／ｍｉｎである。

【０１０９】以下の表４にこれらの測定結果を示す。な
お、実施例２の測定結果も併せて示す。

【０１１０】表４ ────────────────────────────── 比較例２実施例２ ────────────────────────────── 成膜速度（nm/min）２００２５０ ───────────────────────────── スティルライフ（分）＞１８０＞１８０ ───────────────────────────── レベルダウン（ｄＢ） −０．５ −０．５ ───────────────────────────── 摩擦係数０．２５０．２３ ──────────────────────────────

【０１１１】以下、本実施例の評価を行う。まず、表１
及び図２から、本実施例（実施例１〜４）の蒸着テープ
は成膜速度が大幅に向上していることがわかった。特
に、磁束密度が２５０〜１０００ガウスのとき成膜速度
が大幅に向上している。

【０１１２】また、実施例１〜４のＤＬＣ膜の成膜時の
反応圧力（２０Ｐａ）は比較的低い反応圧力であり、こ
のような比較的低い圧力下でも十分な成膜速度を取るこ
とができる。

【０１１３】また、表２から、反応圧力（反応管内）が
高い場合でも、本実施例（実施例５〜７）によれば、一
層成膜速度を大きくすることができることがわかる。

【０１１４】次に、表３から、本実施例の蒸着テープ
は、従来と同等の耐久性及び電磁変換特性が得られた。
即ち、図１に示したように配置した磁石による各特性の
劣化は見られなかった。

【０１１５】更に、表４から、高周波による電磁誘導を
生じさせて、成膜物質（エチレンガス）の分解（励起、
プラズマ化）を行いながら、上記媒体原反上にＤＬＣ膜
の成膜を行った比較例２の蒸着テープにおいて、そのス
ティルライフ、レベルダウン、摩擦係数は本実施例の蒸
着テープ（実施例２）とほぼ同様の特性が得られたが、
この方法での成膜速度は２００ｎｍ／ｍｉｎがほぼ上限
であった。また、そのドロップアウト（Ｄ．Ｏ．）が本
実施例の蒸着テープよりもかなり多く発生していること
が確認されている。

【０１１６】

【発明の作用効果】本発明の第１の成膜方法及び第１の
成膜装置によれば、反応室内で成膜物質を分解して、こ
の反応室に対向して配置された基体上に薄膜を形成する
に際し、前記基体に関して前記反応室内の成膜物質分解
領域（実質的に成膜物質の分解を行う領域）とは反対側
に第１の磁石を配し、前記成膜物質分解領域に関して前
記基体とは反対側に第２の磁石を配して、これらの磁石
の作用下で前記基体上に薄膜を形成するので、前記薄膜
の成膜速度を大きく向上させることができる。

【０１１７】また、本発明の第２の成膜方法及び第２の
成膜装置によれば、反応室内で成膜物質を分解して、こ
の反応室に対向して配置された基体上に薄膜を形成する
に際し、前記反応室内に磁束密度２５０〜１０００ガウ
スの静磁場（永久磁石や電磁石などの静止した磁石や、
定常電流によって作られる時間的に不変な磁場）を前記
基体の厚み方向に沿って（即ち、基体の成膜面に対して
垂直若しくはほぼ垂直方向に）発生させながら、前記基
体上に薄膜を形成するので、前記薄膜の成膜速度を大き
く向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の成膜方法及び第２の成膜方法に
使用できるプラズマＣＶＤ連続膜形成装置の要部概略図
である。

【図２】同、成膜方法における磁束密度による成膜速度
の変化を示すグラフである。

【図３】同、成膜方法に基づいて発生する磁場（ベクト
ル）のモデル図（Ａ）、従来の成膜方法により発生する
磁場（ベクトル）のモデル図（Ｂ）である。

【図４】同、成膜方法に使用できる反応室（反応管）の
要部概略図（Ａ）及び（Ｂ）である。

【図５】従来のプラズマＣＶＤ連続膜形成装置の要部概
略図である。

【符号の説明】

１…第１の磁石、２、２ｂ…第２の磁石、３…キャンロ
ール、４、４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄ…反応室（反応
管）、５…磁気記録媒体、８…電極、９，２６…直流電
源、１０…ガス導入口、１１…成膜物質（原料ガス）、
１２…巻き出しロール、１３…巻き取りロール、１４…
回転支持体、１５…薄膜形成装置、１６…真空排気系、
２０、２０’、２１…磁気ベクトル、２３…成膜物質分
解領域，２６、３０…コイル、２７…絶縁体、２８…開
口部、３１…高周波電源

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者川島敦道東京都品川区北品川６丁目７番35号ソニー株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】反応室内で成膜物質を分解して、この反
応室に対向して配置された基体上に薄膜を形成するに際
し、前記基体に関して前記反応室内の成膜物質分解領域
とは反対側に第１の磁石を配し、前記成膜物質分解領域
に関して前記基体とは反対側に第２の磁石を配して、こ
れらの磁石の作用下で前記基体上に薄膜を形成する成膜
方法。
【請求項２】前記第１の磁石と第２の磁石とによって
前記基体の厚み方向に沿う磁束を発生させ、この磁束密
度が２５０〜１０００ガウスとする、請求項１に記載し
た成膜方法。
【請求項３】前記磁石が永久磁石である、請求項１に
記載した成膜方法。
【請求項４】前記反応室をプラズマＣＶＤ装置の反応
管として構成し、この反応管内で炭化水素系のガスを分
解し、前記基体上に炭素を主体とする薄膜を形成する、
請求項１に記載した成膜方法。
【請求項５】長尺状の前記基体を支持部材上で導いて
搬送しながら、前記基体上に連続的に前記薄膜を形成す
る、請求項４に記載した成膜方法。
【請求項６】前記支持部材を請求項１に記載した前記
第１の磁石とする、請求項５に記載した成膜方法。
【請求項７】前記基体が磁気記録媒体であって、この
磁気記録媒体上に炭素保護膜を形成する、請求項４に記
載した成膜方法。
【請求項８】反応室内で成膜物質を分解し、この反応
室に対向して配置された基体上に薄膜を形成するに際
し、前記反応室内に磁束密度２５０〜１０００ガウスの
静磁場を前記基体の厚み方向に沿って発生させながら、
前記基体上に薄膜を形成する成膜方法。
【請求項９】前記基体に関して前記反応室内の成膜物
質分解領域とは反対側に第１の磁石を配し、前記成膜物
質分解領域に関して前記基体とは反対側に第２の磁石を
配して、これらの磁石の作用下で前記静磁場を発生させ
る、請求項８に記載した成膜方法。
【請求項１０】前記磁石が永久磁石又は電磁石であ
る、請求項９に記載した成膜方法。
【請求項１１】前記反応室の外部に巻回したコイルに
定常電流を印加することによって前記静磁場を発生させ
る、請求項８に記載した成膜方法。
【請求項１２】前記反応室をプラズマＣＶＤ装置の反
応管として構成し、この反応管内で炭化水素系のガスを
分解し、前記基体上に炭素を主体とする薄膜を形成す
る、請求項８に記載した成膜方法。
【請求項１３】長尺状の前記基体を支持部材上で導い
て搬送しながら、前記基体上に連続的に前記薄膜を形成
する、請求項１２に記載した成膜方法。
【請求項１４】前記支持部材を請求項９に記載した前
記第１の磁石とする、請求項１３に記載した成膜方法。
【請求項１５】前記基体が磁気記録媒体であって、こ
の磁気記録媒体上に炭素保護膜を形成する、請求項１２
に記載した成膜方法。
【請求項１６】成膜物質を分解する反応室と、この反
応室に対向して配置される基体の支持部材と、前記基体
に関して前記反応室内の成膜物質分解領域とは反対側に
配される第１の磁石と、前記成膜物質分解領域に関して
前記基体とは反対側に配される第２の磁石とを有する成
膜装置。
【請求項１７】前記第１の磁石と第２の磁石とによっ
て前記基体の厚み方向に沿う磁束を発生させ、この磁束
密度が２５０〜１０００ガウスとするように構成され
た、請求項１６に記載した成膜装置。
【請求項１８】前記磁石が永久磁石である、請求項１
６に記載した成膜装置。
【請求項１９】前記反応室がプラズマＣＶＤ装置の反
応管として構成され、この反応管内で炭化水素系のガス
を分解し、前記基体上に炭素を主体とする薄膜を形成す
る、請求項１６に記載した成膜装置。
【請求項２０】長尺状の前記基体を支持部材上で導い
て搬送しながら、前記基体上に連続的に前記薄膜を形成
する、請求項１９に記載した成膜装置。
【請求項２１】前記支持部材が請求項１６に記載した
前記第１の磁石である、請求項２０に記載した成膜装
置。
【請求項２２】前記基体が磁気記録媒体であって、こ
の磁気記録媒体上に炭素保護膜が形成される、請求項１
９に記載した成膜装置。
【請求項２３】成膜物質を分解する反応室と、この反
応室に対向して配置される基体の支持部材と、前記反応
室内に磁束密度２５０〜１０００ガウスの静磁場を前記
基体の厚み方向に沿って発生させるように構成された成
膜装置。
【請求項２４】前記基体に関して前記反応室内の成膜
物質分解領域とは反対側に第１の磁石を配し、前記成膜
物質分解領域に関して前記基体とは反対側に第２の磁石
を配して、これらの磁石の作用下で前記静磁場が発生す
るように構成された、請求項２３に記載した成膜装置。
【請求項２５】前記磁石が永久磁石又は電磁石であ
る、請求項２４に記載した成膜装置。
【請求項２６】前記反応室の外部に巻回したコイルに
定常電流を印加することによって前記静磁場が発生する
ように構成された、請求項２３に記載した成膜装置。
【請求項２７】前記反応室がプラズマＣＶＤ装置の反
応管として構成され、この反応管内で炭化水素系のガス
を分解し、前記基体上に炭素を主体とする薄膜が形成さ
れる、請求項２３に記載した成膜装置。
【請求項２８】長尺状の前記基体を支持部材上で導い
て搬送しながら、前記基体上に連続的に前記薄膜が形成
される、請求項２７に記載した成膜装置。
【請求項２９】前記支持部材が請求項２４に記載した
前記第１の磁石である、請求項２８に記載した成膜装
置。
【請求項３０】前記基体が磁気記録媒体であって、こ
の磁気記録媒体上に炭素保護膜が形成される、請求項２
７に記載した成膜装置。