JP2013525601A - プラズマ化学蒸着によって真空チャンバ内で基板を被覆する装置 - Google Patents
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Abstract
Description
化学蒸着装置は極めて良く知られている。多くの実施態様において、被覆は、被覆したい基板を、高められた温度にもたらすことに基づいている。この高められた温度は、基板の表面において種々のガス状の原料の間での化学的な反応を生ぜしめる。この反応の際に生じる反応生成物は、少なくとも部分的に層として基板上に析出される。通常、このプロセスは閉鎖された容器、つまりいわゆる「排気鐘」内で行われる。
したがって、本発明の根底を成す技術的な問題は、公知先行技術からの不都合が克服されるような、PECVDプロセスを実施する装置を提供することである。特に、本発明による装置を用いて、公知先行技術に比べて高いプロセス安定性を持って、大面積の基板を被覆することができることが望まれる。すなわち、本発明による装置では、公知先行技術に比べて単位時間当たりに発生するアーク数が少なくなることが望まれる。また、被覆プロセスにおいて達成可能な析出率も高められることが望まれる。
以下に、本発明の有利な実施形態を図面につき詳しく説明する。
Claims (8)
- 真空チャンバ(1)内に少なくとも1種のガスを導入するための少なくとも1つの入口(3)と、プラズマを発生させるための、ターゲット(5;9)を備えた少なくとも1つのマグネトロン(4)とを有する、プラズマ化学蒸着によって真空チャンバ(1)内で基板(2)に層を析出させる装置であって、前記ターゲット(5;9)は層の析出の間、少なくとも1つの所定の範囲で少なくとも300℃の温度を有することを特徴とする、真空チャンバ内で基板に層を析出させる装置。
- 前記ターゲット(5;9)は層の析出の間、少なくとも1つの所定の範囲で少なくとも500℃の温度を有する、請求項1記載の装置。
- 前記ターゲット(9)は複数の部分ターゲット(10;11;12;13;14;15;16)から成っている、請求項1または2記載の装置。
- 前記部分ターゲット(10;11;12;13;14;15;16)を冷却する冷却装置(19)が設けられており、少なくとも1つの部分ターゲット(11;12;13;14;15;16)において、前記冷却装置(19)に対する熱伝達が、別の1つの部分ターゲット(10)におけるよりも悪く形成されている、請求項3記載の装置。
- 少なくとも1つの部分ターゲットは、別の1つの部分ターゲットに比べて悪い熱伝導率を有する、請求項3または4記載の装置。
- 少なくとも1つの部分ターゲットは、ターゲットベースボディ(10)として形成されており、該ターゲットベースボディ(10)のスパッタリング可能な表面に少なくとも1つの所定の範囲で別の部分ターゲット(11;12;13;14;15;16)が挿入されている、請求項3から5までのいずれか1項記載の装置。
- 前記ターゲットベースボディ(10)から前記部分ターゲット(11;12;13;14;15;16)への熱伝達が調節可能である、請求項6記載の装置。
- 前記ターゲットベースボディ(10)と前記部分ターゲット(11;12;13;14;15;16)との間に、少なくとも1つの機械的なばねエレメントが配置されている、請求項6記載の装置。
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