JP2005307351A - スパッタ・ターゲット、スパッタ・ターゲット・アセンブリ及びそれらの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】スパッタリング中にスパッタ・ターゲットに熱が蓄積することを防止する。
【解決手段】スパッタ面を作製し、このスパッタ面の裏側に（表裏で対応するように）ターゲット裏面を作製することによって、冷却速度を選択的に制御するようにしたスパッタ・ターゲットを製造する。前記ターゲット裏面は、表面に凹凸素地を施すテクスチャード加工がなされた少なくとも第１のテクチャード領域含んで構成される。この第１のテクスチャード領域は、熱を放散させることによって、該第１のテクスチャード領域に隣接するスパッタ・ターゲットの領域の冷却を助長する。
【選択図】 図２

Description

この発明は、広くスパッタ・ターゲットの分野に関し、より詳細には、表面積の変化を介したスパッタ・ターゲットの冷却制御に関する。

スパッタリング処理は、様々な分野において広く利用されており、原子的に滑らかな面を有し、正確な厚みに制御された薄膜材料の堆積（成膜）を提供して、例えば、半導体をコーティングしたり、磁気記録媒体の表面に膜を形成したりする。
スパッタリング処理においては、スパッタ・ターゲットが、不活性ガスの充填されたチャンバー内に配置され、電場内に置かれることでプラズマを発生させる。このプラズマ内のイオンがスパッタ・ターゲットの表面に衝突することで、スパッタ・ターゲットから原子が放出する。スパッタ・ターゲットとコーティングされる基板との間の電圧差によって、放出した原子は基板の表面に所望の薄膜を形成する。

スパッタリングの間、スパッタ・ターゲットには熱が蓄積することが多く、スパッタリング処理の制御に悪影響を与えたり、スパッタ・ターゲットの寿命を短くしたりする。
図１は、そのような従来のスパッタ・ターゲットの一例を示している。
具体的には、従来のスパッタ・ターゲット１０１は、スパッタ面１０２を含んで構成されており、このスパッタ面１０２は、さらに、スパッタリング用のスパッタ領域１０４と、非スパッタ領域１０５とを含んでいる。
従来のスパッタ・ターゲット１０１はまた、ターゲット裏面１０６と、スパッタ・ターゲット１０１に貫通形成された穴部１０７とを含んでおり、この穴部１０７は、スパッタリングの間、スパッタ・ターゲット１０１を所定の位置に保持するために用いられる。

従来のスパッタ・ターゲット１０１は、バキューム・チャンバー（真空チャンバー）内に配置され、リング状の支持体１１０に固定（クランプ係止）される。
ガスケット１１１とスパッタ・ターゲットのターゲット裏面１０６との間は、気密及び液密にシールされる。
水等の冷却流体は、リング状の支持体１１０によって形成される空間（キャビティ）内にポンプで送り込まれ、スパッタ面１０２に発生する熱を放散させる。
長時間にわたるスパッタリングの後では、スパッタ・ターゲット１０１の原子がスパッタ面１０２から放出されるので、スパッタ領域１０４は侵食され、損耗する。そして、この侵食（損耗）によって、図中破線で示すように、スパッタ面１０２には溝（凹部）１０８が形成されることになる。

薄膜材料を上手くスパッタ・コーティングできるか否か、特に、磁気データ記録産業分野における薄膜を上手くスパッタ・コーティングできるか否かは、効果的に熱を放散させることができるか否かに大きく依存している。
具体的には、スパッタ・ターゲット上の温度が高温となると、スパッタリングを惹起させる速度（スパッタリング速度）を増加させ、堆積する（成膜される）薄膜の均一性に影響を及ぼす。
スパッタリング速度が速すぎると、特定のスパッタ・ターゲットの実用寿命は短縮してしまい、その結果、高い交換コストが高くなり、頻繁にシステムのダウン時間が生じることになる。
さらに、スパッタ・ターゲットが熱くなりすぎると、スパッタ・ターゲットを構成する異種材料間の接合（結合）が溶けてしまう場合があり、スパッタリング処理における効率を低下させたり、スパッタリング処理に不必要な中断を引き起こしたりすることになる。

従来のスパッタ・ターゲットでは、スパッタリング装置を改良することや望ましい保温特性を有する裏当て材料を選択すること以外に、スパッタ・ターゲットの冷却に関するより改善された又は選択的な制御を行うことができなかった。
従って、スパッタリングの間、スパッタ・ターゲットの冷却制御方法を提供することは望ましいことである。
特に、スパッタリングの安全性と効率とを向上させるために、ターゲット裏面の表面積を変化させることによって、スパッタ・ターゲットの主面の特定の位置における冷却を選択的に制御する方法を提供することは望ましい。

熱が蓄積されてしまうことは、スパッタリング処理に内在する副作用である。
あまりに多くの熱が蓄積されると、スパッタ・ターゲットの寿命に悪影響を与え、堆積する（成膜される）薄膜の均一性を低下させるおそれがある。
本発明は、このような問題に着目してなされたものであり、従来のスパッタ・ターゲットに見られる不利益、特に、スパッタリング中にスパッタ・ターゲットに熱が蓄積してしまうことに関する不利益を解消することを目的とする。

本発明の第１の態様においては、表面積の変化を介して（表面積を変化させることで）冷却速度を選択的に制御するようにしたスパッタ・ターゲットが、スパッタ面と、このスパッタ面の裏側のターゲット裏面とを生成（作製）することによって製造される。
ターゲット裏面は、少なくとも第１の（１つの）テクスチャード領域（表面に凹凸素地を施すテクスチャード加工がなされた領域）を含んでおり、この第１のテクスチャード領域は、熱を放散させることによって、該第１のテクスチャード領域に隣接するスパッタ・ターゲットの領域の冷却を助長する。

テクスチャード領域の表面積を操作することによって、スパッタ・ターゲットの特定の領域の冷却速度を制御することができ、スパッタ領域における侵食（損耗）パターンを制御することができる。
例えば、スパッタ・ターゲットの特定の領域における冷却速度を増加させることによって、スパッタリング処理をゆっくり行うようにすることができ、その結果、特定のスパッタ・ターゲットの耐用年数を延長することができ、運転コストも減少する。
また、複数のテクスチャード領域を含むようにすることによって、スパッタリング（処理）速度は、スパッタ・ターゲット表面の選択された位置において、異なる速度に調節し又は調整することが可能となり、さらには、スパッタリング処理における制御（性）が改善される。

ターゲット裏面はまた、少なくとも第１の（１つの）非テクスチャード領域（前記テクスチャード加工が施されていない領域）を含んでいる。
スパッタ・ターゲットのターゲット裏面に非テクスチャード領域を設けることにより、冷却速度を減少させるか、あるいは、他の場所から冷却速度を孤立化させることが可能となる。
非テクスチャード領域は、スパッタ面の非スパッタ領域の裏側の面に配置してもよい。ここで、上記非スパッタ領域は、スパッタ領域よりも低温であることが多く、侵食（損耗）もゆっくりとなされる。
さらに、非テクスチャード領域は、真空シール（バキューム・シール）用ガスケットに隣接して配置して、真空シール（バキューム・シール）を達成し、かつ冷却流体と真空チャンバー（バキューム・チャンバー）との間で気液交換が発生するのを防止するようにしてもよい。

前記第１のテクスチャード領域は、例えば、グリット・ブラスト処理、ランダム機械加工、レーザー加工、又は、旋盤加工等によって作製される。
これらのテクスチャード加工方法はそれぞれ、研磨された裏面領域に表面積を増加させたテクスチャード裏面領域を提供する。
表面積の増加は、前記第１のテクスチャード領域に供される冷却流体との接触がより多くなるようにすることができ、故に、この第１のテクスチャード領域に表裏で対応する（表側の）位置におけるスパッタ・ターゲットの冷却速度を増加させる。

第２の態様においては、本発明は、冷却速度を選択的に制御するようにしたスパッタ・ターゲットを提供する。
このスパッタ・ターゲットは、スパッタ面と、このスパッタ面の裏側のターゲット裏面とを含んで構成され、そのターゲット裏面は、さらに、少なくとも第１の（１つの）テクスチャード領域を含んでいる。
上記ターゲット裏面はまた、少なくとも第１の（１つの）非テクスチャード領域を含んでいる。

上記テクスチャード領域は、熱を放散させることによって、該テクスチャード領域に隣接するスパッタ・ターゲットの領域の冷却を助長する。
スパッタ・ターゲットのターゲット裏面をテクスチャード加工することによって、冷却流体との接触を増進させることが可能となり、熱発散をより増加させることになる。この場合において、スパッタ・ターゲットは、円形型、矩形型あるいは六角形型のいずれの形状であってもよい。

スパッタリングの間、スパッタ領域におけるイオンとターゲット材料からの原子との衝突によって、スパッタ・ターゲットには激しい熱が発生する。
温度上昇の結果として、スパッタリング（処理）速度は増加し、さらには、スパッタ領域から放出されるターゲット材料の量も増加する。
これにより、スパッタ領域の侵食（損耗）が増加し、スパッタ・ターゲットの耐用時間を短縮する。

スパッタ領域の裏側にテクスチャード領域を設置することによって、このテクスチャード領域からより多くの熱が放散されることとなり、スパッタ領域を選択的に冷却する。
ターゲット裏面の表面積を変化させることを介してスパッタ領域の冷却速度を制御すると、スパッタ領域をより速く、或いはよりゆっくりと、又は、スパッタ・ターゲットの非スパッタ領域と同速度で冷却させることが可能となる。

別の構成においては、スパッタ面は、スパッタリング用のスパッタ領域と、少なくとも第１の非スパッタ領域と、を含んで構成され、上記テクスチャード領域は、非スパッタ領域の裏側に位置する。
スパッタリング（処理）速度は、スパッタ領域においてだけではなく、スパッタ面全体から選択したいずれの領域でも制御することが可能である。

スパッタ・ターゲットは、金属合金又はセラミック材料のいずれかで構成されるが、本発明は、例えばセラミックのような低い熱伝導率を有する材料よりも、例えば金属のような高い熱伝導率を有する材料に対して効果的である。

上記テクスチャード領域は、ターゲット裏面から突出させたり、あるいは、ターゲット裏面を切り込んだりすることで形成される。
さらに、上記テクスチャード領域は、例えばグリット・ブラスト処理やランダム機械加工のようなランダムな凹凸素地を施す処理でテクスチャード加工される。

スパッタ・ターゲットが、ターゲット裏面において冷却流体と接触することで直接的に冷却される場合においては、スパッタ・ターゲットの冷却速度は、スパッタ・ターゲットの熱伝導率に依存する。
冷却流体は、ターゲット裏面を素早く通過するので、冷却流体自身が著しく加熱されてしまうようなことはない。
このように、ターゲット裏面の表面積を増加させることによって、冷却流体がより多くスパッタ・ターゲットと接触することとなり、所定期間に冷却流体に放散される熱量も増加する。

上記テクスチャード領域は、複数の斜交平行線（クロス・ハッチ）、複数の同心円、複数の矩形形状、複数の平行線又は複数の曲線のうちのいずれかの素地を施すようにテクスチャード加工されてもよい。ここで、（複数の）曲線は、ターゲット裏面の接触する冷却流体の流れを速め、あるいは、その乱流化を促進する。
（複数の）曲線は、流路を形成して流体流入口から流体流出口までの冷却流体の流れを速めることができ、あるいは、（複数の）曲線は、冷却流体の流れ方向に略直交する粗部（起伏：rough spots）を形成して冷却流体の乱流化を促進することができる。

第３の態様においては、本発明は、表面積の変化を介して冷却速度を選択的に制御するようにしたスパッタ・ターゲット・アセンブリ（組立体）を提供する
このスパッタ・ターゲット・アセンブリは、スパッタ・ターゲットと、バック・プレート（裏板）とを含んで構成される。前者のスパッタ・ターゲットは、さらにスパッタ面を含んでおり、後者のバック・プレートは、さらにターゲット裏面を含んでいる。
また、上記ターゲット裏面は、さらに少なくとも第１の（１つの）テクスチャード領域を含んでいる。
上記のスパッタ・ターゲットと上記バック・プレートとは、スパッタ面がターゲット裏面の表側となるように（すなわち、表裏で対応するように）、一体的に接合される。
テクスチャード領域は、熱を放散させることによって、該テクスチャード領域に隣接するスパッタ・ターゲット・アセンブリの領域の冷却を助長する。

通常、スパッタ・ターゲットは、冷却流体による（冷却）効果を向上させるためにバック・プレートに接合される。
上記スパッタ面は、スパッタ・ターゲットに作製され、上記ターゲット裏面は、バック・プレートの表面積、ひいては、スパッタ・ターゲット・アセンブリ全体の表面積を増加させるように、バック・プレートに作製することができる。
上記スパッタ・ターゲット及び上記バック・プレートは、スパッタ面又はターゲット裏面の作製前又は作成後に一体的に接合される。

第４の態様においては、本発明は、表面積の変化を介して冷却速度を選択的に制御するようにしたスパッタ・ターゲット・アセンブリの製造方法を提供する。
かかる製造方法は、スパッタ・ターゲットにスパッタ面を作製するステップと、バック・プレートにターゲット裏面を作製するステップとを含み、このターゲット裏面は、少なくとも第１の（１つの）テクスチャード領域を含んでいる。
上記製造方法はまた、スパッタ面がターゲット裏面の表側となるように、スパッタ・ターゲットとバック・プレートとを一体的に接合するステップを含んでいる。
上記第１のテクスチャード領域は、熱を放散させることによって、該第１のテクスチャード領域に隣接するスパッタ・ターゲット・アセンブリの領域の冷却を助長する。

以下の好ましい実施形態の説明においては、同記載の一部を構成し、本発明が実施され得る特定の実施形態を例示する添付図面が参照される。なお、他の実施形態が利用できることや本発明の範囲を逸脱することのない変更が可能であることを理解すべきである。

以下、図面を参照しつつ好ましい実施形態について記載するが、図面全体を通じて同じ参照番号は対応する部分を示している。
本発明は、表面積を変化させて選択された領域におけるスパッタ・ターゲットの冷却を制御することによって、スパッタ・ターゲットの冷却制御を改善すること及びスパッタ・ターゲットの実用（耐用）寿命を延長することを可能とする。

図２は、本発明に係るスパッタ・ターゲットの外観を示している。
簡単に説明すると、本発明は、表面積の変化を介して冷却速度を選択的に制御するようにしたスパッタ・ターゲットに関する。
スパッタ・ターゲットは、スパッタ面と、このスパッタ面の裏側に位置する（表裏で対応する）ターゲット裏面とを含んで構成されており、そのターゲット裏面は、さらに少なくとも１つのテクスチャード領域（第１のテクスチャード領域）を含んでいる。このテクスチャード領域は、熱を放散させることによって、該テクスチャード領域に隣接するスパッタ・ターゲットの領域の冷却を助長する。

詳述すると、スパッタ・ターゲット２０１は、スパッタ面２０２を含んで構成される。このスパッタ面２０２は、さらに、スパッタリング用のスパッタ領域２０４と、非スパッタ領域２０５とを含んでいる。
スパッタ・ターゲット２０１はまた、スパッタ面２０２の裏側に位置するターゲット裏面２０６を含んで構成される。

ターゲット裏面２０６は、テクスチャード領域２１０を含んでいる。このテクスチャード領域２１０は、熱を放散させることによって、該テクスチャード領域に隣接するスパッタ・ターゲット２０１の領域の冷却を助長する。
ターゲット裏面２０６はまた、少なくとも非テクスチャード領域２１２を含んでいる。
別の構成においては、非テクスチャード領域２１２がなく、テクスチャード領域２１０がターゲット裏面２０６の全体を占めている。

スパッタ・ターゲット２０１は、金属合金、及び／又は、セラミック材料からなり、また、いかなる形状のものであってもよい。そのような形状には、例えば、円形型、矩形型又は六角形型が含まれるが、これに限られるものではない。
本発明は、例えばセラミックのような熱伝導率が低い材料よりもむしろ、例えば金属のような熱伝導率が高い材料に影響を及ぼし、効果的である。

スパッタリング処理前に、スパッタ・ターゲット２０１は、バキューム・チャンバー内に配置されて、リング状等の支持体（図示省略）に固定（クランプ係止）される。
リング状又は矩形状の支持体の上に設けられるガスケット（図示省略）とターゲット裏面２０６との間は、気密及び液密にシールされる。
水等の冷却流体は、上記支持体によって形成される空間（キャビティ）内にポンプで送り込まれ、スパッタ面２０２に発生し放散された熱を吸収する。

テクスチャード領域２１０は、様々な形態でのテクスチャード加工が可能である。そのような形態には、複数の同心円、複数の交差斜線（クロス・ハッチ）、複数の矩形形状、複数の平行線、複数の曲線、及び／又は、グリット・ブラスト処理やランダム機械加工処理によるランダムな凹凸素地面などが含まれるが、これらに限定されるものではない。
テクスチャード領域２１０の（複数の）曲線は、ターゲット裏面と接触する冷却流体の流れを高速化し、あるいは乱流化を促進する。
テクスチャード領域２１０は、ターゲット裏面から突出して形成されるもの、ターゲット裏面に切り込み形成されるもの、あるいは、これらが混在するもののいずれであってもよい。

これらのテクスチャード加工方法はそれぞれ、研磨された裏面領域に、表面積を増加させたテクスチャード裏面領域を提供する。
表面積を増加させることにより、冷却流体がより多くテクスチャード領域２１０に接触することとなり、該テクスチャード領域の表側の場所におけるスパッタ・ターゲットの冷却速度を増加させることができる。

スパッタ・ターゲットのターゲット裏面に非テクスチャード領域を設けることによって、選択した場所における冷却速度を低下させたり、冷却速度を孤立化させたりすることが可能となる。
非テクスチャード領域は、スパッタ面の非スパッタ領域の裏側に配置するようにしてもよい。この非スパッタ領域は、スパッタ領域より低温であることが多く、そのため、浸食（損耗）もゆっくりと生じる。
さらに、非テクスチャード領域は、バキュームシール用ガスケットに隣接して配置して、バキュームシールを達成し、かつ冷却流体とバキューム・チャンバーとの間で気液交換が発生するのを防止するようにしてもよい。

テクスチャード領域の表面積を操作することによって、スパッタ・ターゲットの特定の領域における冷却速度を選択的に制御することが可能となる。
スパッタ・ターゲットの選択した場所における冷却速度を増加させることによって、熱はより速く放散され、スパッタリング処理はゆっくりと行われる。その結果、特定のスパッタ・ターゲットの実用（耐用）寿命を延長し、運転コストも減少する。

テクスチャード領域２１０は、スパッタ領域２０４の裏側に位置している。
別の構成においては、テクスチャード領域２１０は、非スパッタ領域２０５の裏側に位置している。
非テクスチャード領域は、スパッタ面の非スパッタ領域の裏側に配置させる方が有利である。それは、非スパッタ領域は、スパッタ領域よりも低温であることが多く、一般に浸食（損耗）もゆっくりと行われるからである。

スパッタ領域は、プラズマ中のイオンとスパッタ・ターゲット上の原子とが衝突するため、スパッタ面２０２で最も熱くなる部分である。
スパッタリング速度は、温度が高くなるほど高くなり、スパッタ領域の浸食（損耗）を増加させる。
テクスチャード領域をスパッタ領域の裏側に配置することによって、該テクスチャード領域から速やかに熱を放散し、スパッタ領域を選択的に冷却し、浸食（損耗）を減少させることができる。
テクスチャード領域をスパッタ領域に裏側に配置することによって、スパッタ領域の冷却速度を微調整することができ、スパッタ領域をより速く冷却したり、よりゆっくりと冷却したり、あるいは、スパッタ・ターゲットの非スパッタ領域と同程度の速度で冷却したりすることも可能となる。

冷却（された）流体がターゲット裏面に接触することによって、スパッタ・ターゲットが直接的に冷却される場合においては、スパッタ・ターゲットの冷却速度は、スパッタ・ターゲットの熱伝導率に依存する。
冷却流体は、ターゲット裏面を速やかに通過するので、冷却流体自身が著しく加熱されてしまうようなことはない。
このため、ターゲット裏面の表面積を増加させることによって、冷却流体とスパッタ・ターゲットとの接触も増加し、これにより、単位時間当たりに冷却流体に放散される熱量も増加することになる。

図３は、円形型のスパッタ・ターゲットに形成されたテクスチャード領域を例示したものである。
具体的には、図３は、複数の平行線の素地を施すように処理（加工）されたテクスチャード領域を有するターゲット裏面２０６（図３（ｂ）参照）、あるいは、複数の同心楕円（長円）の素地を施すように処理（加工）されたテクスチャード領域を有するターゲット裏面２０６（図３（ｃ）参照）を備えた円形型のスパッタ・ターゲット２０１を示している。なお、例示したものは、いずれもターゲット裏面２０６全体がテクスチャード領域２１０となっている。

図４は、矩形型のスパッタ・ターゲットに作製されたテクスチャード領域の例を示している。
具体的には、図４は、ターゲット裏面２０６を備えた矩形型のスパッタ・ターゲット２０１を示しており、テクスチャード領域２１０は、複数の並列的な曲線からなる素地を有している。こちらも、ターゲット裏面２０６全体がテクスチャード領域２１０となっている。

図５は、テクスチャード領域の拡大図であり、ここでは、取り得る３つのテクスチャード・パターンが用いられている。
具体的には、図５は、ターゲット裏面２０６の側面（断面形状）を示している。これは、ターゲット裏面２０６において、非テクスチャード領域に対するテクスチャード加工の高さ又は深さを示すためである。
テクスチャード領域２１０が、例えば旋盤やレーザー切削工具のような切削装置を用いて加工されるような場合には、切削断面は、三角形状（図５（ｂ）参照）、矩形形状（図５（ｃ），（ｄ）参照）あるいは円弧状（図示省略）等になり得る。
さらに、テクスチャード領域２０１は、ターゲット裏面２０６から突出させて形成されるもの、ターゲット裏面に切り込み形成されるもの、これらが混在するもののいずれであってもよい。

図６は、スパッタ・ターゲットに曲線でテクスチャード加工されたテクスチャード領域と冷却流体の流れとの関係を空間的に示している。さらに具体的には、図６（ａ）において、丸いスパッタ・ターゲット２０１は、上記に詳述したように、バキューム・チャンバー内に取り付けられている。
ターゲット裏面２０６へと流れる冷却流体は、流入口６０１を経てスパッタ・ターゲット２０１の下方のチャンバー内に流入し、流出口６０２を経てスパッタ・ターゲット２０１の下方のチャンバーから流出する。
図６（ａ）及び図６（ｂ）に示すように、冷却流体は、通常、スパッタ・ターゲット２０１の直下を図の左右方向に流入口６０１から流出口６０２へと流れる。

テクスチャード領域２１０は、冷却流体の流れの高速化、あるいは乱流化を促進するために用いることができる。
図６（ａ）において、テクスチャード領域２１０は、複数の曲線でテクスチャード加工されている。これらの曲線は、通常、冷却流体の流れと平行するように設けられており、また、これらの曲線は、流入口６０１及び流出口６０２の上方の領域から発して、流入口６０１及び流出口６０２の上方の領域で終端している。
このため、テクスチャード領域２１０は、冷却流体が流れることが可能な流路を形成することとなり、流入口６０１から流出口６０２に至る冷却流体の流れを滑らかにし、流れを速める（流れを高速化する）。

図６（ｂ）においては、テクスチャード領域２１０は、複数の曲線の素地を施すようにテクスチャード加工されている。これらの曲線は、冷却流体の流れに略直交するように設けられている。
このため、ターゲット裏面２０６には、テクスチャード領域２１０は、ターゲット裏面２０６に粗部（rough spots）を形成することとなり、冷却流体の流路を形成しないから、ターゲット裏面２０６と接触する冷却流体の乱流化を促進する。

図７は、スパッタ面及びターゲット裏面の一例を示しており、図２に示した実施形態によるものである。
図７は、スパッタ・ターゲット２０１の上面図（ａ）及び底面図（ｂ）であり、スパッタ面２０２を示している。このスパッタ面２０２は、さらにスパッタリング用のスパッタ領域２０４と、非スパッタ領域２０５とを含んでいる。
スパッタ・ターゲット２０１はまた、スパッタ面２０２の裏側に位置するターゲット裏面２０６を含んでおり、このターゲット裏面２０６は、テクスチャード領域２１０と、非テクスチャード領域２１２と、２番目の（第２の）非テクスチャード領域７０１とを含んでいる。

テクスチャード領域２１０は、スパッタ領域２０４の裏側に位置する。これにより、テクスチャード領域２１０は、熱を放散させることによって、該テクスチャード領域２１０に隣接するスパッタ・ターゲット２０１の領域の冷却を助長する。
テクスチャード領域２１０をスパッタ領域２０４の裏側に設置することによって、スパッタ領域２０４に発生した熱を速やかに放散させ、スパッタ領域２０４を選択的に冷却して、スパッタ・ターゲット２０１の全体的な浸食（損耗）を減少させることができる。
テクスチャード領域２１０をスパッタ領域２０４の裏側に設置することによって、スパッタ領域２０４の冷却速度を微調整することができ、スパッタ領域２０４をより速く冷却したり、よりゆっくりと冷却したり、あるいは、スパッタ・ターゲット２０１の非スパッタ領域と同速度で冷却すること等が可能となる。

図８は、本発明の好ましい実施形態によるものであり、スパッタ面及びターゲット裏面の他の実施形態を示している。
さらに具体的には、図８は、スパッタ・ターゲット２０１のさらなる（別の）上面図（ａ）と底面図（ｂ）であり、スパッタ面２０２が示されている。このスパッタ面２０２は、さらにスパッタリング用のスパッタ領域２０４と、非スパッタ領域２０５とを含んでいる。
スパッタ・ターゲット２０１はまた、スパッタ面２０２の裏側にターゲット裏面２０６を含んで構成され、このターゲット裏面２０６は、第１のテクスチャード領域２１０と、第２のテクスチャード領域８０１と、第３のテクスチャード領域８０２と、非テクスチャード領域２１２と、第２の非テクスチャード領域８０３とを含んでいる。

第１のテクスチャード領域２１０、第２のテクスチャード領域８０１及び第３のテクスチャード領域８０２を組み合わせた領域は、スパッタ領域２０４の裏側に位置する。
図７の構成の場合と同様に、スパッタ領域２０４の裏側の領域をテクスチャード加工することによって、スパッタ領域２０４に発生した熱を速やかに放散させることができ、スパッタ・ターゲット２０１の実用（耐用）寿命を延長する。
しかしながら、図８では、複数の異なるテクスチャード領域がターゲット裏面２０６に設けられている（ｂ）。ここで、それぞれのテクスチャード領域は、個別の既知の冷却速度を有しているものである。このため、第１テクスチャード領域２１０、第２のテクスチャード領域８０１及び第３のテクスチャード領域８０２にそれぞれ隣接する領域は、異なる速度で冷却されることとなり、スパッタ領域内において異なる速度でスパッタリングが発生することとなる（スパッタリング（処理）速度が異なることとなる）。
これにより、スパッタ領域２０４における冷却速度が微調整され、スパッタ領域２０４の選択された部分がより速やかに冷却されたり、よりゆっくりと冷却されたり、又は、スパッタ・ターゲット２０１の非スパッタ領域と同速度、若しくはスパッタ領域２０４内のそれぞれ異なる部分と同速度で冷却すること等が可能となる。

図９は、本発明の別の態様によるものであり、表面積の変化を介して冷却速度を選択的に制御するようにしたスパッタ・ターゲットの製造プロセスのフローチャートである。
簡単に説明すると、スパッタ面が作製され、ターゲット裏面がそのスパッタ面の裏側に作製される。このターゲット裏面は、少なくとも１つのテクスチャード領域（第１のテクスチャード領域）を含んでいる。
上記第１のテクスチャード領域は、熱を放散させることによって、該第１のテクスチャーと領域に隣接するスパッタ・ターゲットの領域の冷却を助長する。

より詳細に説明すると、（スパッタ・ターゲットの製造）プロセスが開始すると（ステップＳ９０１）、スパッタ面が作製される（ステップＳ９０２）。
スパッタ・ターゲット（・アセンブリ）は、２つの異なるターゲット材料で作製されており、スパッタ・ターゲットは、冷却流体の効果を増大させるため、バック・プレートに取り付けられ又は接合される。
ここにおいて、スパッタ面は、第１の材料（スパッタ・ターゲット）に作製され、このスパッタ面は、スパッタリング用のスパッタ領域と、少なくとも１つの非スパッタ領域（第１の非スパッタ領域）とを含んでいる。
なお、スパッタ・ターゲットにスパッタ面を作製するプロセスは、材料科学技術の分野において周知である。

次に、ターゲット裏面が作製されて（ステップＳ９０４）、その後プロセスは終了する（ステップＳ９０６）。
ターゲット裏面は、バック・プレート及びターゲット・アセンブリ全体としての表面積を増加させるため、例えばバック・プレートのような第２の材料に作製される。
ターゲット裏面は、少なくとも１つのテクスチャード領域（第１のテクスチャード領域）を含んでおり、第１のテクスチャード領域は、熱を放散させることによって、該第１のテクスチャード領域に隣接するスパッタ・ターゲットの領域の冷却を助長する。
ターゲット裏面はまた、少なくとも１つの非テクスチャード領域（第１の非テクスチャード領域）を含んでいる。

テクスチャード領域の表面積を操作することによって、スパッタ・ターゲットの特定の領域における冷却速度を制御でき、スパッタ領域の損耗パターンを制御できる。
スパッタ・ターゲットの選択した位置での冷却速度を増加させることによって、スパッタリング処理を減速させることができ、その結果、特定のスパッタ・ターゲットの実用（耐用）年数が延長され、運転コストも減少することになる。
複数のテクスチャード領域を含むようにすることで、スパッタ・ターゲット表面の選択した位置で異なる（冷却）速度に調節又は調整することができ、さらには、スパッタリング処理全般にわたる制御性が向上される。

第１のテクスチャード領域は、例えば、グリット・ブラスト処理、ランダム機械加工、レーザー加工又は旋盤加工等を用いて作製される。
第１のテクスチャード領域は、様々な形態（模様）でテクスチャード加工することが可能である。それらには、複数の同心円又は同心の長円、クロス・ハッチ、複数の矩形形状、複数の平行線、複数の曲線、及び／又はランダムな凹凸素地等があるが、これらに限るものではない。
第１のテクスチャード領域における複数の曲線は、ターゲット裏面と接触する冷却流体の流れを速め（高速化し）、あるいは、その乱流化を促進することができる。
第１のテクスチャード領域は、ターゲット裏面から突出して形成されるもの、ターゲット裏面に切り込み形成されるもの、あるいは、これらが混在するもののいずれであってもよい。

これらのテクスチャード加工方法は、いずれも研磨されたターゲット裏面に、表面積が増加されたテクスチャード裏面領域を提供する。
表面積が増加することで、第１のテクスチャード領域へと流れる冷却流体とより多く接触させることができ、この第１のテクスチャード領域の反対側の位置におけるスパッタ・ターゲットの冷却速度を増加させる。

図１０は、本発明の第３実施形態の外観を示している。
簡単に説明すると、本発明は、表面積を変化させることによって冷却速度が選択的に制御されるスパッタ・ターゲット・アセンブリに関する。
スパッタ・ターゲット・アセンブリは、スパッタ・ターゲットとバック・プレートとを含んで構成される。スパッタ・ターゲットは、さらにスパッタ面を含んでおり、バック・プレートは、さらにターゲット裏面を含んでいる。
ターゲット裏面は、さらに少なくとも第１のテクスチャード領域を含んでいる。
スパッタ・ターゲットとバック・プレートとは、スパッタ面がターゲット裏面の表側となるように（表裏で対応するように）、一体的に接合される。
第１のテクスチャード領域は、熱を放散することによって、該第１のテクスチャード領域に隣接するスパッタ・ターゲット・アセンブリの領域の冷却を助長する。

通常、スパッタ・ターゲットは、冷却流体の効果を増加させるために、バック・プレートに接合される。
スパッタ面は、スパッタ・ターゲットに作製され、ターゲット裏面は、バック・プレートの表面積、ひいては、スパッタ・ターゲット・アセンブリ全体としての表面積を増加させるために、バック・プレートに作製されてもよい。
スパッタ・ターゲットとバック・プレートとは一体的に接合されるが、それは、スパッタ面又はターゲット裏面を作製する前後のいずれであってもよい。

より詳細には、スパッタ・ターゲット・アセンブリ１００１は、スパッタ・ターゲット１０１４を含んで構成される。このスパッタ・ターゲット１０１４は、スパッタ面１００２を含んでいる。
スパッタ面１００２は、さらに、スパッタリング用のスパッタ領域１００４と、非スパッタ領域１００５とを含んでいる。
スパッタ・ターゲット・アセンブリ１００１はまた、バック・プレート１０１５を含んで構成される。ここで、バック・プレート１０１５は、さらにターゲット裏面１００６を含んでいる。
スパッタ・ターゲット１０１４とバック・プレート１０１５とは、スパッタ面１００２がターゲット裏面１００６の表側となるように（表裏で対応するように）、一体的に接合される。

ターゲット裏面１００６は、テクスチャード領域１０１０を含んでいる。
テクスチャード領域１０１０は、熱を放散することによって、該テクスチャード領域１０１０に隣接するスパッタ・ターゲット・アセンブリ１００１の領域の冷却を助長する。
ターゲット裏面１００６はまた、少なくとも第１の非テクスチャード領域１０１２を含んでいる。
別の構成においては、第１の非テクスチャード領域１０１２がなく、テクスチャード領域１０１０がターゲット裏面１００６全体を占めている。

スパッタ・ターゲット１０１４は、金属合金、及び／又は、セラミック材料からなり、様々な形状とすることが可能である。このような形状には、円形型、矩形型、あるいは六角形型等が含まれるが、これらに限るものではない。
本発明は、セラミックのような熱伝導率が低い材料よりはむしろ、金属のような熱伝導率の高い材料に効果的である。

スパッタリング処理前に、スパッタ・ターゲット・アセンブリ１００１はバキューム・チャンバー内に配置され、リング状等の支持体（図示省略）に固定（クランプ係止）される。
リング状又は矩形状の支持体上に設けられたガスケット（図示省略）とターゲット裏面１００６との間は、気密及び液密にシールされる。
水等の冷却流体は、支持体によって形成される空間部内にポンプによって送り込まれ、冷却流体は、スパッタ面１００２に発生して放散された熱を吸収する。

テクスチャード領域１０１０は、様々な形態の素地模様形状にテクスチャード加工が可能であり、それには、複数の同心円、クロス・ハッチ、複数の矩形形状、複数の平行線、複数の曲線、及び／又は、グリット・ブラスト加工やランダム機械加工等が施されたランダム凹凸素地などが含まれるが、これらに限るものではない。
テクスチャード領域１０１０の複数の曲線は、ターゲット裏面と接触する冷却流体の流れの高速化、あるいは、乱流化を促進する。テクスチャード領域１０１０は、ターゲット裏面から突出して形成されてもよいし、及び／又は、ターゲット裏面に切り込み形成されてもよい。

テクスチャード領域１０１０は、スパッタ領域１００４の（表裏で対応する）裏側に位置する。他の構成においては、テクスチャード領域１０１０は、非スパッタ領域１００５の裏側に位置する。スパッタ面の非スパッタ領域は、スパッタ領域よりも低温であることが多く、通常は、ゆっくりと浸食され（損耗する）ので、この非スパッタ領域の裏側に非テクスチャード領域を位置させることは有利である。

図１１は、表面積を変化させることによって、冷却速度を選択的に制御するようにしたスパッタ・ターゲット・アセンブリの製造プロセスを示すフローチャートであり、本発明の更なる態様によるものである。
簡単に説明すると、スパッタ面は、スパッタ・ターゲットに作製され、ターゲット裏面は、バック・プレートに作製される。前記ターゲット裏面は、少なくとも第１のテクスチャード領域を含んでいる。
スパッタ・ターゲットとバック・プレートとは、スパッタ面がターゲット裏面の表側となるように（表裏で対応するように）、一体的に接合される。
第１のテクスチャード領域は、熱を放散することによって、該第１のテクスチャード領域に隣接するスパッタ・ターゲット・アセンブリの領域の冷却を助長する。

より詳細には、処理が開始すると（ステップＳ１１０１）、スパッタ面がスパッタ・ターゲットに作製される（ステップＳ１１０２）。
上記スパッタ面は、スパッタ・ターゲットに作製され、このスパッタ面は、スパッタリング用のスパッタ領域と、少なくとも１つの（第１の）非スパッタ領域とを含んでいる。
なお、スパッタ・ターゲットにスパッタ面を作製するプロセスは、材料科学技術の分野において周知である。

ターゲット裏面は、バック・プレートに作製される（ステップＳ１１０４）。
このターゲット裏面は、バック・プレート及びターゲット・アセンブリ全体としての表面積を増加させるために、バック・プレートに作製される。
上記ターゲット裏面は、少なくとも１つのテクスチャード領域（第１のテクスチャード領域）を含んでおり、この第１のテクスチャード領域は、熱を放散させることによって、該第１のテクスチャード領域に隣接するスパッタ・ターゲットの領域の冷却を助長する。
上記ターゲット裏面はまた、少なくとも１つの非テクスチャード領域（第１の非テクスチャード領域）を含んでいる。

第１の材料（スパッタ・ターゲット）と第２の材料（バック・プレート）とが接合されて（ステップＳ１１０５）、プロセスは終了する（ステップＳ１１０６）。
第１の材料及び第２の材料は、２つの材料を物理的に結合させることによって、又は、締結（クランプ）することによって、接合することができる。
他の構成においては、第１の材料及び第２の材料は、スパッタ面又はターゲット裏面の作製前又は作成後に接合されるようになっている。

スパッタ・ターゲット・アセンブリ１００１は、スパッタ・ターゲットとバック・プレートとを含んで構成され、これらは、その接触面に沿って一体的に接合されている。
例えば金属合金のような材料を接合させる技術は、冶金技術分野において周知である。
スパッタ・ターゲットは、ターゲット裏面に流れる冷却流体の冷却効果を向上させるために、通常、接合又は締結された２つ以上の材料から形成されている。

以上では、特定の実施形態により本発明を記述してきたが、本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の精神及び範囲を逸脱することなく、当業者によって様々な改良や変更がなされ得ることを理解すべきである。

従来のスパッタ・ターゲットの一例を示す図である。 本発明に一実施形態の外観を示す図である。 円形型のスパッタ・ターゲットのテクスチャード領域の例を示す図である。 矩形型のスパッタ・ターゲットのテクスチャード領域の例を示す図である。 テクスチャード加工が施された３種類のテクスチャード領域を拡大した図である。 曲線の素地を施すようにテクスチャード加工されたテクスチャード領域を有するスパッタ・ターゲットと、冷却流体の流れとの空間的関係を示す図である。 図２に示す実施形態におけるスパッタ面及びターゲット裏面の一例を示す図である。 本発明の好ましい実施形態におけるスパッタ面及びターゲット裏面の別の例を示す図である。 表面積の変化を介して冷却速度を選択的に制御するようにしたスパッタ・ターゲットの製造プロセスを示すフローチャートである。 本発明の第２実施形態の外観の一例を示す図である。 表面積の変化を介して冷却速度を選択的に制御するようにしたスパッタ・ターゲット・アセンブリの製造プロセスを示すフローチャートである。

符号の説明

１０１，２０１，１０１４…スパッタ・ターゲット、
１０２，２０２，１００２…スパッタ面、
１０４，２０４，１００４…スパッタ領域、
１０５，２０５，１００５…非スパッタ領域、
１０６，２０６，１００６…ターゲット裏面、
２１０，８０１，８０２，１０１０…テクスチャード領域、
２１２，１０１２…非テクスチャード領域
６０１…冷却流体流入口、
６０２…冷却流体流出口
１００１…スパッタ・ターゲット・アセンブリ
１０１５…バック・プレート

Claims (54)

1. 表面積の変化を介して冷却速度を選択的に制御するようにしたスパッタ・ターゲットであって、
   スパッタ面と、
   前記スパッタ面の裏側に位置するように設けられ、その表面にテクスチャード加工が施された少なくとも第１のテクスチャード領域を有するターゲット裏面と、
   を含んで構成され、
   前記第１のテクスチャード領域は、熱を放散させることによって、該第１のテクスチャード領域に隣接するスパッタ・ターゲットの領域の冷却を助長することを特徴とするスパッタ・ターゲット。
2. 前記ターゲット裏面は、前記テクスチャード加工が施されていない少なくとも第１の非テクスチャード領域をさらに有することを特徴とするスパッタ・ターゲット。
3. 前記スパッタ面は、
   スパッタリング用のスパッタ領域と、
   少なくとも第１の非スパッタ領域と、を有し、
   前記第１のテクスチャード領域は、前記スパッタ領域の裏側に位置するように設けられることを特徴とする請求項１又は請求項２記載のスパッタ・ターゲット。
4. 前記スパッタ面は、
   スパッタリング用のスパッタ領域と、
   少なくとも第１の非スパッタ領域と、を有し、
   前記第１のテクスチャード領域は、前記第１の非スパッタ領域の裏側に位置するように設けられることを特徴とする請求項１又は請求項２記載のスパッタ・ターゲット。
5. 前記スパッタ・ターゲットは、金属合金からなることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載のスパッタ・ターゲット。
6. 前記スパッタ・ターゲットは、セラミック材料からなることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載のスパッタ・ターゲット。
7. 前記第１のテクスチャード領域は、前記ターゲット裏面から突出して形成されることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１つに記載のスパッタ・ターゲット。
8. 前記第１のテクスチャード領域は、前記ターゲット裏面を切り込み形成されることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１つに記載のスパッタ・ターゲット。
9. 前記第１のテクスチャード領域は、ランダムな凹凸素地を施す処理でテクスチャード加工されることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１つに記載のスパッタ・ターゲット。
10. 前記ランダムな凹凸素地を施す処理は、グリット・ブラスト加工であることを特徴とする請求項９記載のスパッタ・ターゲット。
11. 前記ランダムな凹凸素地を施す処理は、ランダム機械加工であることを特徴とする請求項９記載のスパッタ・ターゲット。
12. 前記第１のテクスチャード領域は、クロス・ハッチ（斜交平行線）素地を施すようにテクスチャード加工されていることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１つに記載のスパッタ・ターゲット。
13. 前記第１のテクスチャード領域は、複数の同心円の素地を施すようにテクスチャード加工されていることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１つに記載のスパッタ・ターゲット。
14. 前記第１のテクスチャード領域は、複数の矩形形状の素地を施すようにテクスチャード加工されていることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１つに記載のスパッタ・ターゲット。
15. 前記第１のテクスチャード領域は、複数の平行線の素地を施すようにテクスチャード加工されていることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１つに記載のスパッタ・ターゲット。
16. 前記第１のテクスチャード領域は、複数の曲線の素地を施すようにテクスチャード加工されていることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１つに記載のスパッタ・ターゲット。
17. 前記複数の曲線は、前記ターゲット裏面に接触する冷却流体の流れを速めることを特徴とする請求項１６記載のスパッタ・ターゲット。
18. 前記複数の曲線は、前記ターゲット裏面に接触する冷却流体の流れの乱流化を促進することを特徴とする請求項１６記載のスパッタ・ターゲット。
19. 前記スパッタ・ターゲットは、円形型であることを特徴とする請求項１〜１８のいずれか１つに記載のスパッタ・ターゲット。
20. 前記スパッタ・ターゲットは、矩形型であることを特徴とする請求項１〜１８のいずれか１つに記載のスパッタ・ターゲット。
21. 前記スパッタ・ターゲットは、六角形型であることを特徴とする請求項１〜１８のいずれか１つに記載のスパッタ・ターゲット。
22. 表面積の変化を介して冷却速度を選択的に制御するようにしたスパッタ・ターゲットの製造方法であって、
    スパッタ面を作製するステップと、
    前記スパッタ面の裏側に位置するように設けられ、その表面にテクスチャード加工が施された少なくとも第１のテクスチャード領域を有するターゲット裏面を作製するステップと、
    を含んで構成され、
    前記第１のテクスチャード領域は、熱を放散させることによって、該第１のテクスチャード領域に隣接するスパッタ・ターゲットの領域の冷却を助長することを特徴とするスパッタ・ターゲットの製造方法。
23. 前記ターゲット裏面は、テクスチャード加工が施されていない少なくとも第１の非テクスチャード領域をさらに有することを特徴とする請求項２２記載のスパッタ・ターゲットの製造方法。
24. 前記第１のテクスチャード領域は、グリット・ブラスト加工によって作製されることを特徴とする請求項２２又は請求項２３記載のスパッタ・ターゲットの製造方法。
25. 前記第１のテクスチャード領域は、ランダム機械加工によって作製されることを特徴とする請求項２２〜２４のいずれか１つの記載のスパッタ・ターゲットの製造方法。
26. 前記第１のテクスチャード領域は、旋盤加工によって作製されることを特徴とする請求項２２〜２５のいずれか１つに記載のスパッタ・ターゲットの製造方法。
27. 前記第１のテクスチャード領域は、レーザー加工によって作製されることを特徴とする請求項２２〜２６のいずれか１つに記載のスパッタ・ターゲットの製造方法。
28. 表面積の変化を介して冷却速度を選択的に制御するようにしたスパッタ・ターゲット・アセンブリであって、
    スパッタ面を含んで構成されるスパッタ・ターゲットと、
    テクスチャード加工が施された少なくとも第１のテクスチャード領域を有するターゲット裏面を含んで構成されるバック・プレートと、
    を含んで構成され、
    前記スパッタ面が前記ターゲット裏面の表側に位置するように、前記スパッタ・ターゲットと前記バック・プレートとが一体的に接合されるとともに、
    前記第１のテクスチャード領域は、熱を放散させることによって、該第１のテクスチャード領域に隣接するスパッタ・ターゲット・アセンブリの領域の冷却を助長することを特徴とするスパッタ・ターゲット・アセンブリ。
29. 前記ターゲット裏面は、前記テクスチャード加工が施されていない少なくとも第１の非テクスチャード領域をさらに有することを特徴とする請求項２８記載のスパッタ・ターゲット・アセンブリ。
30. 前記スパッタ面は、
    スパッタリング用のスパッタ領域と、
    少なくとも第１の非スパッタ領域と、を有し、
    前記第１のテクスチャード領域は、前記スパッタ面の裏側に位置することを特徴とする請求項２８又は請求項２９記載のスパッタ・ターゲット・アセンブリ。
31. 前記スパッタ面は、
    スパッタリング用のスパッタ領域と、
    少なくとも第１の非スパッタ領域と、を有し、
    前記第１のテクスチャード領域は、前記非スパッタ面の裏側に位置することを特徴とする請求項２８又は請求項２９記載のスパッタ・ターゲット・アセンブリ。
32. 前記スパッタ・ターゲットは、金属合金からなることを特徴とする請求項２８〜３１のいずれか１つに記載のスパッタ・ターゲット・アセンブリ。
33. 前記スパッタ・ターゲットは、セラミック材料からなることを特徴とする請求項２８〜３１のいずれか１つに記載のスパッタ・ターゲット・アセンブリ。
34. 前記第１のテクスチャード領域は、前記ターゲット裏面から突出して形成されることを特徴とする請求項２８〜３３のいずれか１つに記載のスパッタ・ターゲット・アセンブリ。
35. 前記第１のテクスチャード領域は、前記ターゲット裏面に切り込み形成されることを特徴とする請求項２８〜３４のいずれか１つに記載のスパッタ・ターゲット・アセンブリ。
36. 前記第１のテクスチャード領域は、ランダムな凹凸素地を施す処理でテクスチャード加工されることを特徴とする請求項２８〜３５のいずれか１つに記載のスパッタ・ターゲット・アセンブリ。
37. 前記ランダムな凹凸素地を施す処理は、グリット・ブラスト加工であることを特徴とする請求項３６記載のスパッタ・ターゲット・アセンブリ。
38. 前記ランダムな凹凸素地を施す処理は、ランダム機械加工であることを特徴とする請求項３６記載のスパッタ・ターゲット・アセンブリ。
39. 前記第１のテクスチャード領域は、クロス・ハッチ（斜交平行線）を施す処理でテクスチャード加工されていることを特徴とする請求項２８〜３５のいずれか１つに記載のスパッタ・ターゲット・アセンブリ。
40. 前記第１のテクスチャード領域は、複数の同心円の素地を施す処理でテクスチャード加工されていることを特徴とする請求項２８〜３５のいずれか１つに記載のスパッタ・ターゲット・アセンブリ。
41. 前記第１のテクスチャード領域は、複数の矩形形状の素地を施す処理でテクスチャード加工されていることを特徴とする請求項２８〜３５のいずれか１つに記載のスパッタ・ターゲット・アセンブリ。
42. 前記第１のテクスチャード領域は、複数の平行線の素地を施す処理でテクスチャード加工されていることを特徴とする請求項２８〜３５のいずれか１つに記載のスパッタ・ターゲット・アセンブリ。
43. 前記第１のテクスチャード領域は、複数の曲線の素地を施す処理でテクスチャード加工されていることを特徴とする請求項２８〜３５のいずれか１つに記載のスパッタ・ターゲット・アセンブリ。
44. 前記複数の曲線は、前記ターゲット裏面に接触する冷却流体の流れを速めることを特徴とする請求項４３記載のスパッタ・ターゲット・アセンブリ。
45. 前記複数の曲線は、前記ターゲット裏面に接触する冷却流体の流れの乱流化を促進することを特徴とする請求項４３記載のスパッタ・ターゲット・アセンブリ。
46. 前記スパッタ・ターゲットは、円形型であることを特徴とする請求項２８〜４５のいずれか１つに記載のスパッタ・ターゲット・アセンブリ。
47. 前記スパッタ・ターゲットは、矩形型であることを特徴とする請求項２８〜４５のいずれか１つに記載のスパッタ・ターゲット・アセンブリ。
48. 前記スパッタ・ターゲットは、六角形型であることを特徴とする請求項２８〜４５のいずれか１つに記載のスパッタ・ターゲット・アセンブリ。
49. 表面積の変化を介して冷却速度を選択的に制御するようにしたスパッタ・ターゲット・アセンブリの製造方法であって、
    スパッタ面をスパッタ・ターゲットに作製するステップと、
    表面にテクスチャード加工が施された少なくとも第１のテクスチャード領域を含んだターゲット裏面をバック・プレートに作製するステップと、
    前記スパッタ面と前記ターゲット裏面とが表裏で対応するように、前記スパッタ・ターゲットと前記バック・プレートとを一体的に接合するステップと、
    を含んで構成され、
    前記第１のテクスチャード領域は、熱を放散させることによって、該第１のテクスチャード領域に隣接するスパッタ・ターゲット・アセンブリの領域の冷却を助長することを特徴とするスパッタ・ターゲット・アセンブリの製造方法。
50. 前記ターゲット裏面は、テクスチャード加工が施されていない少なくとも第１の非テクスチャード領域をさらに含むことを特徴とする請求項４９記載のスパッタ・ターゲット・アセンブリの製造方法。
51. 前記第１のテクスチャード領域は、グリット・ブラスト加工によって作製されることを特徴とする請求項４９又は請求項５０記載のスパッタ・ターゲット・アセンブリの製造方法。
52. 前記第１のテクスチャード領域は、ランダム機械加工によって作製されることを特徴とする請求項４９又は請求項５０記載のスパッタ・ターゲット・アセンブリの製造方法。
53. 前記第１のテクスチャード領域は、旋盤加工によって作製されることを特徴とする請求項４９又は請求項５０記載のスパッタ・ターゲットの製造方法。
54. 前記第１のテクスチャード領域は、レーザー加工によって作製されることを特徴とする請求項４９又は請求項５０記載のスパッタ・ターゲットの製造方法。