JP2000109974A - 光情報記録媒体のスパッタ成膜方法及びスパッタ成膜装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 スパッタ成膜によってディスク基板に加わる
変形をなくし、光情報記録媒体の生産、特に高速成膜、
厚肉成膜、薄肉ディスク基板への成膜、同一基板への２
層以上の繰り返し成膜等に係る光情報記録媒体の生産を
可能とする。 【解決手段】 非成膜時にターゲット（１６）の表面に
対向する位置に配置されると共にターゲット（１６）の
表面を冷却する冷却用構造体（２２）を具備する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光情報記録媒体の
スパッタ成膜方法及びスパッタ成膜装置に関し、特に透
明基板上に反射層や記録層を形成するスパッタ成膜装置
の成膜室内に設けられたターゲットの冷却方法に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】各種光ディスクメディアにおいては、反
射層、記録層、誘電体層、あるいは保護層をスパッタ成
膜装置により成膜する工程が不可欠となっている。この
スパッタ成膜装置は、真空中でＡｒプラズマ等を発生さ
せ、このプラズマ中のイオンによってターゲット表面を
たたき、対向する基板に膜を堆積させる方法であるた
め、スパッタ成膜時の熱の発生は避けることができな
い。

【０００３】一般的に光情報記録媒体においては、基板
にポリカーボネイト等の高分子材料が用いられているた
め、成膜室内の温度上昇は当該ディスク基板の変形を引
き起こす要因となる。特に、連続高速成膜を行う場合、
厚肉成膜を行う場合、あるいは同一基板に２層以上の成
膜を繰り返し行う場合等において顕著な問題となり、ま
たＤＶＤメディアに用いられる０．６ｍｍの薄肉基板を
用いる場合には、更に重大な問題となる。

【０００４】この問題を解決するために、一般にはター
ゲット裏面に冷媒を流してターゲットの温度上昇を抑え
る方法が取られるが、この方法ではターゲットの加熱面
と冷媒との間には少なくともターゲット厚分の距離が離
れており、かつ通常ターゲット裏面にバッキングプレー
トを配置してその裏面から冷却する構造となっているた
め、熱源となるターゲット表面を効率的に冷却するには
至っていない。

【０００５】また、従来例として、例えば特開平１０−
１０６０５１号公報に示されているように、真空中にデ
ィスク基板に対する内外周マスクの脱着を行い、そのマ
スクを繰り返し使用してディスク基板の一部をマスキン
グし、非マスキング部をスパッタ成膜する光ディスクの
製造方法であって、スパッタ成膜によって蓄熱されたマ
スクの熱を当該マスクの表面に弾性ゴムシート付き金属
製クーラー冷却面を押圧し弾性ゴムシートを介して冷却
する方法が提案されている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この従
来の方法では、スパッタ成膜によって蓄熱した部材を冷
却するに過ぎず、根本的に熱発生源の冷却を行うもので
ない。また、この従来の方法によってマスクの蓄熱を抑
えることができたとしても、一次的な熱発生源であるス
パッタターゲットの蓄熱を防ぐことができず、熱による
基板変形は避けられない。

【０００７】また、この基板変形は、その条件及び成膜
する層構成等によって、可逆性の変化に落ち着く場合
と、非可逆性の変化となって成膜後に基板変形が残留す
る場合とがある。非可逆性の変形が生じた場合は、メデ
ィアとしての仕様を満足できず生産が行えなくなるのは
言うまでもないが、可逆性の変形が生じた場合において
も、スパッタ成膜後の搬送における搬送トラブル等の原
因となり、また可逆性の変形とはいえ、変形の緩和過程
において外力が加わると永久変形に繋がり、メディアと
しての仕様を満足できなくなる。

【０００８】本発明はこれらの問題点を解決するための
ものであり、スパッタ成膜によってディスク基板に加わ
る変形をなくし、光情報記録媒体の生産、特に高速成
膜、厚肉成膜、薄肉ディスク基板への成膜、同一基板へ
の２層以上の繰り返し成膜等に係る光情報記録媒体の生
産を可能とするスパッタ成膜方法及びその装置を提供す
ることを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明は前記問題点を解
決するために、真空の成膜室内で、光情報記録媒体の内
周及び外周をマスキングする内外周マスクと、該内外周
マスクを保持して光情報記録媒体を保持するホルダとを
含むホルダユニットをターゲットに対向させ、成膜室内
にスパッタガス導入系よりスパッタガスを導入した後該
ターゲットにスパッタ電位を印加し、光情報記録媒体上
に反射層、記録層、保護層、又は誘電体層等のいずれか
１層あるいは２層以上の層構成を組み合わせてスパッタ
積層成膜を施す光情報記録媒体のスパッタ成膜方法にお
いて、非成膜時にターゲットの表面に対向する位置に冷
却された冷却用構造体を配置してターゲットを冷却する
ことに特徴がある。このように、冷却用構造体をターゲ
ットの表面に対向させて、そして近接させ、あるいは接
触させることによって、スパッタ成膜によって発熱した
ターゲットの熱を効率よく冷却でき、スパッタ成膜によ
って記録媒体の変形をもなくすことができる。また、非
成膜時スパッタガスを流すことにより、ターゲットから
の冷却用構造体への熱の授受を促進させ、かつスパッタ
ガスによる級熱効果も加わって、ターゲットの表面の冷
却をより効果的に行うことができる。非成膜時冷媒ガス
を流すことにより、スパッタガス以外のガス種を冷媒ガ
スとして用いることができ、また冷媒ガスを予め冷却し
ておくことも可能となり、より一層効果的にターゲット
の冷却を行うことができる。なお、冷媒ガスに、Ｈｅ，
Ａｒ，Ｎｅ，Ｘｅなどの不活性ガスを用いることによ
り、冷媒ガスが成膜時まで残留した場合残留ガスによる
成膜への影響をなくすことができる。更に、非成膜時の
スパッタ室内圧力が１Ｐａ以上となるようにスパッタガ
ス又は冷媒ガスの流量を制御すること、またスパッタガ
ス又は冷媒ガスがターゲット面と冷却用構造体の間に集
中して流れるようにスパッタガス又は冷媒ガスの導入口
を配置することにより、より効果的にターゲットの冷却
を促進できる。

【００１０】また、別の発明として、光情報記録媒体の
内周及び外周をマスキングする内外周マスクと、該内外
周マスクを保持して光情報記録媒体を保持するホルダと
を含むホルダユニットと、スパッタガス導入系よりスパ
ッタガスを導入する導入口、ターゲット及び該ターゲッ
トにスパッタ電位を印加する印加手段を少なくとも有す
る真空の成膜室とを含むスパッタ成膜装置であって、ホ
ルダユニットをターゲットに対向させ、成膜室内に導入
口からスパッタガスを導入した後ターゲットに印加手段
によりスパッタ電位を印加し、光情報記録媒体上に反射
層、記録層、保護層、又は誘電体層等のいずれか１層あ
るいは２層以上の層構成を組み合わせてスパッタ積層成
膜を施す光情報記録媒体のスパッタ成膜装置において、
非成膜時にターゲットの表面に対向する位置に配置され
ると共にターゲットの表面を冷却する冷却用構造体を具
備することに特徴がある。また、冷却用構造体をターゲ
ットの表面に対する位置に搬送する搬送手段を設けた。
更に、搬送手段は、ターゲットの表面に対して垂直な方
向又は平行な方向に冷却用構造体を搬送する。そして、
冷却用構造体とターゲット表面間の最近接距離を１０ｍ
ｍ以下となる位置に搬送手段により冷却用構造体を配置
すると共に、冷却用構造体とターゲット表面間の距離
を、ターゲットの消費量に応じて調整するように搬送手
段の移動量を制御する。よって、生産を経るに従って、
ターゲットは消費されてターゲットと冷却用構造体の距
離は長くなり、冷却効率が落ちてしまうが搬送手段の移
動を調整できるので冷却効率を維持できる。

【００１１】また、少なくとも１つの冷媒ガスの導入口
を冷却用構造体のターゲットと対向する面に設け、冷媒
ガスの導入口を少なくとも冷却用構造体の前記ターゲッ
トと対向する面の中央部に配置した場合、導入口を囲む
ように、冷却用構造体のターゲットとの対向面の外周、
あるいは対向面を構成する側面のターゲット側近傍に排
気口を設けたことにより、また少なくとも１つの排気口
を冷却用構造体のターゲットと対向する面の中央部に配
置し、排気口を囲むように、冷却用構造体のターゲット
との対向面の外周、あるいは当該対向面を構成する側面
のターゲット側近傍に、冷媒ガスの導入口を配置したこ
とにより、冷却用構造体とターゲットの間の多量の冷媒
ガスを流すことができる。

【００１２】更に、冷却用構造体の材料にターゲットと
同じ材料を用いることにより、冷却用構造体とターゲッ
トを接触させて冷却を行う場合、ターゲットの表面への
不純物の付着を防ぐことができる。なお、冷却用構造体
の材料に、銅、ベリリウムなどの熱伝導率の大きい材料
を用いることが有効である。

【００１３】また、冷却用構造体の内部の少なくともタ
ーゲットの表面に対向する面の近傍に、冷媒を流す流路
を設けたことにより、ターゲットとの対向面を低温にす
ることができる。なお、流路を冷却用構造体のターゲッ
ト表面との対向面から２ｍｍ以下とする位置に設けるの
が有効である。

【００１４】

【発明の実施の形態】光情報記録媒体の内周及び外周を
マスキングする内外周マスクと、該内外周マスクを保持
して光情報記録媒体を保持するホルダとを含むホルダユ
ニットと、スパッタガス導入系よりスパッタガスを導入
する導入口、ターゲット及び該ターゲットにスパッタ電
位を印加する印加手段を少なくとも有する真空の成膜室
とを含むスパッタ成膜装置であって、ホルダユニットを
ターゲットに対向させ、成膜室内に導入口からスパッタ
ガスを導入した後ターゲットに印加手段によりスパッタ
電位を印加し、光情報記録媒体上に反射層、記録層、保
護層、又は誘電体層等のいずれか１層あるいは２層以上
の層構成を組み合わせてスパッタ積層成膜を施す光情報
記録媒体のスパッタ成膜装置において、非成膜時にター
ゲットの表面に対向する位置に配置されると共にターゲ
ットの表面を冷却する冷却用構造体を具備する。

【００１５】

【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。図１は本発明の第１の実施例に係るスパッタ成膜
装置のスパッタ成膜室を示す部分断面図である。なお、
同図における本実施例のスパッタ成膜装置は一般的な枚
葉式のスパッタ成膜装置であって、基板ホルダに基板と
マスクをセットしたユニット（以下、基板ホルダユニッ
トと称す）をターゲットの対向面まで搬送して成膜を行
う方法が一般的である。この方法の他に、内外マスクが
予めカソード側に配置され、基板のみを搬送する方もあ
るが、本実施例では前者の方法を例として説明する。但
し、これに限定するものではないことは言うまでもな
い。

【００１６】図１において、本実施例のスパッタ成膜装
置のスパッタ成膜室は、ディスク基板１１を保持する基
板ホルダ１２、ディスク基板１１の内周を保持する内周
マスク１３、ディスク基板１１の外周を保持する外周マ
スク１４、シールド板１５、ターゲット１６、絶縁体１
７、ターゲット冷却水１８、マグネット１９及びスパッ
タガス２１を導入するスパッタガス導入口２０を含んで
構成している。このような構成を有するスパッタ成膜装
置によれば、ディスク基板１１を保持した基板ホルダユ
ニットがターゲット１６の対向面となる位置まで搬送さ
れてスパッタガス導入口２０からスパッタガス２１が導
入されてターゲット１６に図示していない印加手段によ
りスパッタ電位を印加することにより所望の膜の成膜を
行った後に、上述のように基板ホルダ１２、内周マスク
１３、外周マスク１４、そしてディスク基板１１を含む
基板ホルダユニットは成膜室を離れ、搬出、あるいは次
の成膜室へ搬出される。そして、成膜後の基板ホルダユ
ニットが搬送された後に、図２に示すように冷却した構
造体２２をターゲット１６と対向して３ｍｍの間隙をお
いて配置し、当該構造体２２をターゲット１６の表面に
対して垂直方向から近接させる。よって、スパッタ成膜
時に発熱したターゲット１６の表面側の熱を構造体２２
によって冷却することができる。

【００１７】また、上述同様に、成膜後の基板ホルダユ
ニットが搬送された後に、つまり非成膜時に、構造体２
２をターゲット１６の表面に近接させた上で、ターゲッ
ト１６と構造体２２の間にスパッタガス導入口２０から
スパッタガス２１を導入される。この際、スパッタ成膜
室内の圧力が１０Ｐａ以上になるようにスパッタ成膜時
とは別にスパッタガス流量を調整する。また、スパッタ
ガス２１にはＡｒを用い、そのスパッタ成膜室への導入
はターゲット円周を４分割した９０度おきの４方向から
行った。更に、構造体内部には、約１０度に冷却した水
を冷媒として流した。よって、スパッタ成膜時に発熱し
たターゲット１６の表面側の熱を構造体２２及びスパッ
タガス２１によって冷却することができる。なお、スパ
ッタタクトは１０秒で、上記操作は成膜後の基板ホルダ
ユニット搬送時の２．５秒の間に行った。また、成膜基
板には直径１２０ｍｍ、厚み０．６ｍｍのポリカーボネ
イト基板を用いた。更に、スパッタ室内の圧力としては
１Ｐａ以上にしておくことがよく、より高い圧力とする
ことにより、より効果的にターゲット冷却を促進するこ
とができる。設定できる圧力の上限はスパッタ成膜装置
の排気系に依存し、特に定めるものではないが、真空ポ
ンプの排気機能に影響を与えない範囲の圧力内で、でき
うる限り高い圧力が望ましい。

【００１８】上記第１の実施例を適用して６チェンバー
を有するスパッタ成膜装置において、誘電体層、記録
層、誘電体層及び反射層の４層構成の成膜を連続操作で
行ったところ、ターゲットへの蓄熱はディスク基板に影
響を与えないレベルの低温に留まり、これまでに発生し
た基板変形を回避することができる。なお、各誘電体層
の成膜は２チェンバーにて分割して行った。第１の実施
例における上記操作は、スパッタ成膜装置が前工程から
の基板待ちの間等にも実施可能である。また、これに限
らず、生産タクトに影響を与えない範囲で、本発明にお
ける上記操作の時間を十分に長くとることにより、ター
ゲットの蓄熱をより低減できることは言うまでもない。
また、Ａｒガスの導入系についてはこれに限るものでは
なく、ターゲット表面にＡｒガスが流れる構造になって
いればよい。また、冷却した構造体のターゲット対向面
への配置方法としては、図２に示す基板ホルダユニット
と同様の搬送経路から導入する方法の他に、例えば本発
明の第２の実施例を示す図３からわかるように、基板ホ
ルダユニット搬送経路とは別に、例えばシールド板１５
の一部に貫通穴３１を設けるなどして導入する方法もあ
る。つまり、図３の第２の実施例のようにターゲット表
面に平行な方向からの別の搬送経路を設ける構造とすれ
ば、冷却した構造体と基板ホルダユニットの動線が干渉
しない構造とすることができるため、構造体による冷却
時間をより長くとることができるようになり、ターゲッ
トの冷却効率を飛躍的に向上させることが可能となる。

【００１９】また、スパッタ成膜装置のチェンバー数、
成膜の層構成についてもこれに限るものではないことは
言うまでもない。更に、各実施例では、非成膜時の構造
体とターゲットとの距離を３ｍｍとしたが、構造体をタ
ーゲット表面に接触させて良い場合、例えば構造体材料
をターゲット材料と同様な材料とした場合、あるいは構
造体をターゲットに接触させることによるターゲットへ
の不純物混入が問題にならない場合には、構造体をター
ゲットに接触させることも可能である。特に、スパッタ
タクトが早い場合等には、短時間でターゲットの冷却効
果を得ることが必要であり、この方法が有効となる。ま
た、各実施例で規定した構造体とターゲットの距離は、
生産を経ると、ターゲットの消費に伴い徐々に離れてい
き、冷却効率が落ちてくる。そこで、構造体をターゲッ
ト表面に対して垂直方向に移動可能な構造とした上で、
光センサにより構造体とターゲットの間の距離を検出
し、この距離が一定になるように逐次調整する機構を取
り入れ、これによりターゲットライフ全域において、本
発明によるターゲットの冷却効果を奏し得ることができ
る。

【００２０】次に、図４は本発明の第３の実施例に係る
スパッタ成膜装置の構造体を示し、図４の（ａ）は部分
断面図、図４の（ｂ）は図４の（ａ）のＡ−Ａ’線断面
図である。図４において、本発明の第３の実施例に係る
スパッタ成膜装置の構造体２２は、ターゲット冷却用冷
媒ガス４２が導入されるターゲット冷却用冷媒ガス導入
口４１、被排気ガス４４が排気される排気口４３、構造
体冷却用冷媒４６が流れる構造体冷却用冷媒流路４５を
含んで構成されている。本実施例における構造体２２
は、構造体２２を冷却する冷媒が流れる構造体冷却用冷
媒流路４５に加え、ターゲット冷却用の冷媒ガスを導入
するターゲット冷却用冷媒ガス導入口４１とスパッタ成
膜装置の排気系と別の排気口４３を具備していることに
特徴がある。なお、排気口４３は、構造体のターゲット
と対向する面を構成する側面のターゲット側近傍の構造
体の円周を６分割して６０度おきに冷媒ガスの導入口４
１を囲むように配置されている。

【００２１】本実施例の構造体を用いた操作を説明する
と、第１及び第２の実施例と同様のタイミングでスパッ
タ室内へ搬送して、ターゲットと３ｍｍの間隙をおいて
対向させ、スパッタガスと別に構造体に設けたターゲッ
ト冷却用冷媒ガス導入口４１からターゲット冷却用冷媒
ガス４２を導入する。この際、スパッタ室内の圧力は１
０Ｐａになるようにターゲット冷却用冷媒ガス４２の流
量を調整する。また、ターゲット冷却用冷媒ガス４２に
はＡｒを用いた。更に、スパッタタクト、成膜基板、層
構成等については、第１及び第２の実施例と同様にし
た。

【００２２】構造体冷却用冷媒は、図４の（ｂ）のＡ−
Ａ’線断面に示すように、ターゲットに対向する側のド
ーナツ状の面に流れるようにし、構造体のターゲット対
向側の面から流路までの距離は２ｍｍとする。構造体材
料としては、熱伝導の面を考慮してＣｕを用いている。
また、構造体冷却用冷媒４６には水を用い、約１０度に
保たれるように温度制御する。更に、ターゲット冷却用
冷媒ガス４２は、図４に示すように、構造体の中央部か
ら導入され、構造体と体ーゲットの間の熱伝導媒体とし
て機能した後、構造体に設けた排気口４３から主に排気
される構造としている。なお、構造体の排気口とそれに
接続した真空ポンプの間には、真空ポンプで排気する方
向にのみ動作する逆止弁（図示せず）を設置している。

【００２３】本実施例の構造により、ターゲットに対向
させて配置する構造体を低温に保つことができ、構造体
とターゲット表面に流す冷媒ガスを介した熱伝導によ
り、ターゲット表面を効率的に冷却することができる。
よって、スパッタ成膜工程を経ることによる成膜基板の
温度上昇をなくすことができ、これまでに発生していた
スパッタ成膜における基板変形を回避することができ
る。

【００２４】なお、本実施例に示した構造体の冷却方法
は、一例にすぎず、これに限るものではなく、ターゲッ
トと対向して配置する構造体のターゲット側の面を効率
的に冷却できるものであれば何ら問題はない。また、構
造体冷却用冷媒の媒質及び制御温度も本実施例に限るも
のではなく、例えば０度以下の低温でも流動性を持つエ
チルアルコール等のような媒質を用いてもよく、構造体
をより低温とすることも可能であり、ターゲットをより
短時間に冷却する上では有効である。

【００２５】また、本発明は上記各実施例に限定される
ものでなく、特許請求の範囲に記載の範囲内であれば多
種の変形や置換可能であることは言うまでもない。

【００２６】

【発明の効果】以上説明したように、本発明よれば、真
空の成膜室内で、光情報記録媒体の内周及び外周をマス
キングする内外周マスクと、該内外周マスクを保持して
光情報記録媒体を保持するホルダとを含むホルダユニッ
トをターゲットに対向させ、成膜室内にスパッタガス導
入系よりスパッタガスを導入した後該ターゲットにスパ
ッタ電位を印加し、光情報記録媒体上に反射層、記録
層、保護層、又は誘電体層等のいずれか１層あるいは２
層以上の層構成を組み合わせてスパッタ積層成膜を施す
光情報記録媒体のスパッタ成膜方法において、非成膜時
にターゲットの表面に対向する位置に冷却された冷却用
構造体を配置してターゲットを冷却することに特徴があ
る。このように、冷却用構造体をターゲットの表面に対
向させて、そして近接させ、あるいは接触させることに
よって、スパッタ成膜によって発熱したターゲットの熱
を効率よく冷却でき、スパッタ成膜によって記録媒体の
変形をもなくすことができる。また、非成膜時スパッタ
ガスを流すことにより、ターゲットからの冷却用構造体
への熱の授受を促進させ、かつスパッタガスによる級熱
効果も加わって、ターゲットの表面の冷却をより効果的
に行うことができる。非成膜時冷媒ガスを流すことによ
り、スパッタガス以外のガス種を冷媒ガスとして用いる
ことができ、また冷媒ガスを予め冷却しておくことも可
能となり、より一層効果的にターゲットの冷却を行うこ
とができる。なお、冷媒ガスに、Ｈｅ，Ａｒ，Ｎｅ，Ｘ
ｅなどの不活性ガスを用いることにより、冷媒ガスが成
膜時まで残留した場合残留ガスによる成膜への影響をな
くすことができる。更に、非成膜時のスパッタ室内圧力
が１Ｐａ以上となるようにスパッタガス又は冷媒ガスの
流量を制御すること、またスパッタガス又は冷媒ガスが
ターゲット面と冷却用構造体の間に集中して流れるよう
にスパッタガス又は冷媒ガスの導入口を配置することに
より、より効果的にターゲットの冷却を促進できる。

【００２７】また、別の発明として、光情報記録媒体の
内周及び外周をマスキングする内外周マスクと、該内外
周マスクを保持して光情報記録媒体を保持するホルダと
を含むホルダユニットと、スパッタガス導入系よりスパ
ッタガスを導入する導入口、ターゲット及び該ターゲッ
トにスパッタ電位を印加する印加手段を少なくとも有す
る真空の成膜室とを含むスパッタ成膜装置であって、ホ
ルダユニットをターゲットに対向させ、成膜室内に導入
口からスパッタガスを導入した後ターゲットに印加手段
によりスパッタ電位を印加し、光情報記録媒体上に反射
層、記録層、保護層、又は誘電体層等のいずれか１層あ
るいは２層以上の層構成を組み合わせてスパッタ積層成
膜を施す光情報記録媒体のスパッタ成膜装置において、
非成膜時にターゲットの表面に対向する位置に配置され
ると共にターゲットの表面を冷却する冷却用構造体を具
備することに特徴がある。また、冷却用構造体をターゲ
ットの表面に対する位置に搬送する搬送手段を設けた。
更に、搬送手段は、ターゲットの表面に対して垂直な方
向又は平行な方向に冷却用構造体を搬送する。そして、
冷却用構造体とターゲット表面間の最近接距離を１０ｍ
ｍ以下となる位置に搬送手段により冷却用構造体を配置
すると共に、冷却用構造体とターゲット表面間の距離
を、ターゲットの消費量に応じて調整するように搬送手
段の移動量を制御する。よって、生産を経るに従って、
ターゲットは消費されてターゲットと冷却用構造体の距
離は長くなり、冷却効率が落ちてしまうが搬送手段の移
動を調整できるので冷却効率を維持できる。

【００２８】また、少なくとも１つの冷媒ガスの導入口
を冷却用構造体のターゲットと対向する面に設け、冷媒
ガスの導入口を少なくとも冷却用構造体の前記ターゲッ
トと対向する面の中央部に配置した場合、導入口を囲む
ように、冷却用構造体のターゲットとの対向面の外周、
あるいは対向面を構成する側面のターゲット側近傍に排
気口を設けたことにより、また少なくとも１つの排気口
を冷却用構造体のターゲットと対向する面の中央部に配
置し、排気口を囲むように、冷却用構造体のターゲット
との対向面の外周、あるいは当該対向面を構成する側面
のターゲット側近傍に、冷媒ガスの導入口を配置したこ
とにより、冷却用構造体とターゲットの間の多量の冷媒
ガスを流すことができる。

【００２９】更に、冷却用構造体の材料にターゲットと
同じ材料を用いることにより、冷却用構造体とターゲッ
トを接触させて冷却を行う場合、ターゲットの表面への
不純物の付着を防ぐことができる。なお、冷却用構造体
の材料に、銅、ベリリウムなどの熱伝導率の大きい材料
を用いることが有効である。

【００３０】また、冷却用構造体の内部の少なくともタ
ーゲットの表面に対向する面の近傍に、冷媒を流す流路
を設けたことにより、ターゲットとの対向面を低温にす
ることができる。なお、流路を冷却用構造体のターゲッ
ト表面との対向面から２ｍｍ以下とする位置に設けるの
が有効である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例に係るスパッタ成膜装置
のスパッタ成膜室を示す部分断面図である。

【図２】非成膜時の第１の実施例におけるスパッタ成膜
装置のスパッタ成膜室を示す部分断面図である。

【図３】非成膜時の本発明に係る第２の実施例における
スパッタ成膜装置のスパッタ成膜室を示す部分断面図で
ある。

【図４】本発明の第３の実施例に係るスパッタ成膜装置
の構造体を示す部分断面図である。

【符号の説明】

１１ ディスク基板 １２ 基板ホルダ １３ 内周マスク １４ 外周マスク １５ シールド板 １６ ターゲット １７ 絶縁体 １８ ターゲット冷却水 １９ マグネット ２０ スパッタガス導入口 ２１ スパッタガス ２２ 構造体 ３１ 貫通穴

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 三浦 裕司 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 大谷 渉 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 伊藤 和典 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 出口 浩司 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 小名木 伸晃 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 花岡 克成 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 田代 浩子 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 Ｆターム(参考） 4K029 BB02 BC07 BD00 CA05 DA02 DA06 DC25 EA03 KA01 5D121 AA01 AA03 AA04 AA05 EE03 EE16 EE17 EE19 EE28 GG30

Claims (23)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 真空の成膜室内で、光情報記録媒体の内
   周及び外周をマスキングする内外周マスクと、該内外周
   マスクを保持して前記光情報記録媒体を保持するホルダ
   とを含むホルダユニットをターゲットに対向させ、成膜
   室内にスパッタガス導入系よりスパッタガスを導入した
   後該ターゲットにスパッタ電位を印加し、前記光情報記
   録媒体上に反射層、記録層、保護層、又は誘電体層等の
   いずれか１層あるいは２層以上の層構成を組み合わせて
   スパッタ積層成膜を施す光情報記録媒体のスパッタ成膜
   方法において、 非成膜時に前記ターゲットの表面に対向する位置に冷却
   された冷却用構造体を配置して前記ターゲットを冷却す
   ることを特徴とする光情報記録媒体のスパッタ成膜方
   法。
2. 【請求項２】 非成膜時前記スパッタガスを流す請求項
   １記載の光情報記録媒体のスパッタ成膜方法。
3. 【請求項３】 非成膜時のスパッタ室内圧力が１Ｐａ以
   上となるように前記スパッタガスの流量を制御する請求
   項２記載の光情報記録媒体のスパッタ成膜方法。
4. 【請求項４】 前記スパッタガスが前記ターゲット面と
   前記冷却用構造体の間に集中して流れるように前記スパ
   ッタガスの導入口を配置する請求項２又は３記載の光情
   報記録媒体のスパッタ成膜方法。
5. 【請求項５】 非成膜時冷媒ガスを流す請求項１記載の
   光情報記録媒体のスパッタ成膜方法。
6. 【請求項６】 非成膜時のスパッタ室内圧力が１Ｐａ以
   上となるように前記冷媒ガスの流量を制御する請求項５
   記載の光情報記録媒体のスパッタ成膜方法。
7. 【請求項７】 前記冷媒ガスが前記ターゲット面と前記
   冷却用構造体の間に集中して流れるように前記冷媒ガス
   の導入口を配置する請求項５又は６記載の光情報記録媒
   体のスパッタ成膜方法。
8. 【請求項８】 前記冷媒ガスに、Ｈｅ，Ａｒ，Ｎｅ，Ｘ
   ｅなどの不活性ガスを用いる請求項５〜７のいずれか１
   項に記載の光情報記録媒体のスパッタ成膜方法。
9. 【請求項９】 非成膜時に配置する前記構造体と前記タ
   ーゲット表面間の最近接距離を１０ｍｍ以下とする請求
   項１記載の光情報記録媒体のスパッタ成膜方法。
10. 【請求項１０】 光情報記録媒体の内周及び外周をマス
    キングする内外周マスクと、該内外周マスクを保持して
    前記光情報記録媒体を保持するホルダとを含むホルダユ
    ニットと、スパッタガス導入系よりスパッタガスを導入
    する導入口、ターゲット及び該ターゲットにスパッタ電
    位を印加する印加手段を少なくとも有する真空の成膜室
    とを含むスパッタ成膜装置であって、前記ホルダユニッ
    トを前記ターゲットに対向させ、成膜室内に導入口から
    スパッタガスを導入した後前記ターゲットに印加手段に
    よりスパッタ電位を印加し、前記光情報記録媒体上に反
    射層、記録層、保護層、又は誘電体層等のいずれか１層
    あるいは２層以上の層構成を組み合わせてスパッタ積層
    成膜を施す光情報記録媒体のスパッタ成膜装置におい
    て、 非成膜時に前記ターゲットの表面に対向する位置に配置
    されると共に前記ターゲットの表面を冷却する冷却用構
    造体を具備することを特徴とする光情報記録媒体のスパ
    ッタ成膜装置。
11. 【請求項１１】 前記冷却用構造体を前記ターゲットの
    表面に対する位置に搬送する搬送手段を設けた請求項１
    ０記載の光情報記録媒体のスパッタ成膜装置。
12. 【請求項１２】 前記搬送手段は、前記ターゲットの表
    面に対して垂直な方向に前記冷却用構造体を搬送する請
    求項１１記載の光情報記録媒体のスパッタ成膜装置。
13. 【請求項１３】 前記搬送手段は、前記ターゲットの表
    面に対して平行な方向に前記冷却用構造体を搬送する請
    求項１１記載の光情報記録媒体のスパッタ成膜装置。
14. 【請求項１４】 前記冷却用構造体と前記ターゲット表
    面間の最近接距離を１０ｍｍ以下となる位置に前記搬送
    手段により前記冷却用構造体を配置する請求項１０〜１
    ３のいずれか１項に記載の光情報記録媒体のスパッタ成
    膜装置。
15. 【請求項１５】 前記冷却用構造体と前記ターゲット表
    面間の距離を、前記ターゲットの消費量に応じて調整す
    るように前記搬送手段の移動量を制御する請求項１０〜
    １４のいずれか１項に記載の光情報記録媒体のスパッタ
    成膜装置。
16. 【請求項１６】 前記スパッタガス導入系と別に冷媒ガ
    スを導入する冷媒ガス導入系を設ける請求項１０記載の
    光情報記録媒体のスパッタ成膜装置。
17. 【請求項１７】 少なくとも１つの前記冷媒ガスの導入
    口を前記冷却用構造体の前記ターゲットと対向する面に
    設けた請求項１６記載の光情報記録媒体のスパッタ成膜
    装置。
18. 【請求項１８】 前記冷媒ガスの前記導入口を少なくと
    も前記冷却用構造体の前記ターゲットと対向する面の中
    央部に配置した場合、前記導入口を囲むように、前記冷
    却用構造体の前記ターゲットとの対向面の外周、あるい
    は対向面を構成する側面の前記ターゲット側近傍に排気
    口を設けた請求項１６又は１７記載の光情報記録媒体の
    スパッタ成膜装置。
19. 【請求項１９】 前記冷却用構造体の材料に前記ターゲ
    ットと同じ材料を用いる請求項１０記載の光情報記録媒
    体のスパッタ成膜装置。
20. 【請求項２０】 前記冷却用構造体の材料に、銅、ベリ
    リウムなどの熱伝導率の大きい材料を用いる請求項１０
    又は１９記載の光情報記録媒体のスパッタ成膜装置。
21. 【請求項２１】 前記冷却用構造体の内部の少なくとも
    前記ターゲットの表面に対向する面の近傍に、冷媒を流
    す流路を設けた請求項１０記載の光情報記録媒体のスパ
    ッタ成膜装置。
22. 【請求項２２】 前記流路を前記冷却用構造体の前記タ
    ーゲット表面との対向面から２ｍｍ以下とする位置に設
    ける請求項２１記載の光情報記録媒体のスパッタ成膜装
    置。
23. 【請求項２３】 少なくとも１つの排気口を前記冷却用
    構造体の前記ターゲットと対向する面の中央部に配置
    し、前記排気口を囲むように、前記冷却用構造体の前記
    ターゲットとの対向面の外周、あるいは当該対向面を構
    成する側面の前記ターゲット側近傍に、前記冷媒ガスの
    前記導入口を配置した請求項１０記載のの光情報記録媒
    体のスパッタ成膜装置。