JP5299049B2 - スパッタリング装置およびスパッタリング方法 - Google Patents
スパッタリング装置およびスパッタリング方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5299049B2 JP5299049B2 JP2009100858A JP2009100858A JP5299049B2 JP 5299049 B2 JP5299049 B2 JP 5299049B2 JP 2009100858 A JP2009100858 A JP 2009100858A JP 2009100858 A JP2009100858 A JP 2009100858A JP 5299049 B2 JP5299049 B2 JP 5299049B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sputtering
- substrate
- target
- cathode
- cathodes
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
図1は本発明の実施の形態1におけるスパッタリング装置のターゲットと基板との位置関係の概略を示す平面図、図2は図1におけるA−O−B−C−D断面図である。
これは、S2がπL1 2よりも小さくなると、ターゲット201a,201b間での膜厚補正が不充分となり、基板8の面内において局所的に膜厚の薄い部分が生じ、逆に、π(L2−L1)2よりも大きくなるとターゲット201a,201b間での補正効果が過剰となり、膜厚の厚い部分が生じるためである。また、S2/S1比が2未満であると、基板8の面内の内周における膜厚が厚くなり、逆にS2/S1比が6超では外周での膜厚が厚くなるためである。
図3は本発明の実施の形態2におけるスパッタリング装置のターゲットと基板との位置関係の概略を示す平面図である。
図4は本発明の実施の形態3におけるスパッタリング装置のターゲットと基板との位置関係の概略を示す平面図、図5は図4におけるA−B−C−D−E−F断面図である。
πL1 2≦S≦π(L2−L1)2,2≦2S/S≦6 ・・・(式3)
これは、SがπL2 2あるいはπL1 2よりも小さくなると、ターゲット301a,301b,301c間での膜厚補正が不充分となり、基板8の面内において局所的に膜厚の薄い部分が生じ、逆に、π(L3−L2)2あるいは(L2−L1)2よりも大きくなると、ターゲット301a,301b,301c間での補正効果が過剰となり、膜厚の厚い部分が生じるためである。また、ターゲット面積比(ここでは、5S/2S=2.5、あるいは2S/S=2)が2未満では、基板8面内おいて内周で膜厚が厚くなり、逆にターゲット面積比が6超では外周での膜厚が厚くなるためである。
図6は本発明の実施の形態4におけるスパッタリング装置のターゲットと基板との位置関係の概略を示す平面図である。
3 カソード本体
4 磁気回路
7 基板ホルダ
8 基板
9 基板ホルダの中心軸
12 スパッタ粒子
103 スパッタリングカソード
107 真空チャンバ
109 真空ポンプ
110 ガス流量調整器
112 スパッタリング電源
201a,201b,201c ターゲット
201a’,201b’,201c’ ターゲット
203a,203b,203c スパッタリングカソード
203a’,203b’,203c’ スパッタリングカソード
301a,301b,301c ターゲット
301a’,301b’,301c’ ターゲット
303a,303b,303c スパッタリングカソード
303a’,303b’,303c’ スパッタリングカソード
Claims (3)
- 排気系とガス導入系を有する真空チャンバと、前記真空チャンバ内でターゲットが設置される複数のスパッタリングカソードと、処理対象の基板が載置されると共に中心軸を中心として回転可能な基板ホルダと、前記スパッタリングカソードに接続されるスパッタリング用電源とを備えたスパッタリング装置において、
複数の前記スパッタリングカソードにそれぞれ設置される各ターゲットの面積を前記基板ホルダの面積よりも小さく設定し、同種の成膜材料からなるターゲットが設置される前記スパッタリングカソードを複数基搭載し、
同種の成膜材料でかつ異なる面積のターゲットを有する前記スパッタリングカソードを少なくとも2基以上搭載し、
前記基板ホルダの中心軸上から外周方向に向けて複数設置される複数の前記スパッタリングカソードにおいて、より外周側に設置されるスパッタリングカソードのターゲット面積を、内周側に設置されるスパッタリングカソードのターゲット面積よりも大きく設定し、
面積S n およびS n+1 のターゲットを設置した複数の前記スパッタリングカソードの中心軸線と、前記基板ホルダの中心軸線との距離を、それぞれL n 、L n+1 (ただし、L n <L n+1 )としたとき、下記の条件を満たすこと
を特徴とするスパッタリング装置。
πL n 2 ≦S n+1 ≦π(L n+1 −L n ) 2 、2≦S n+1 /S n ≦6 - 複数の前記スパッタリングカソードのターゲット材料とは異なる成膜材料のターゲットを設置した複数のスパッタリングカソードを搭載したこと
を特徴とする請求項1に記載のスパッタリング装置。 - 請求項1又は2に記載のスパッタリング装置を用い、ターゲットが設置される複数のスパッタリングカソードにてマグネトロン放電させ、かつ処理対象の基板が載置されると共に中心軸を中心として回転可能な基板ホルダを、回転させながら前記基板に薄膜を形成すること
を特徴とするスパッタリング方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009100858A JP5299049B2 (ja) | 2009-04-17 | 2009-04-17 | スパッタリング装置およびスパッタリング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009100858A JP5299049B2 (ja) | 2009-04-17 | 2009-04-17 | スパッタリング装置およびスパッタリング方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010248587A JP2010248587A (ja) | 2010-11-04 |
JP5299049B2 true JP5299049B2 (ja) | 2013-09-25 |
Family
ID=43311237
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009100858A Expired - Fee Related JP5299049B2 (ja) | 2009-04-17 | 2009-04-17 | スパッタリング装置およびスパッタリング方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5299049B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6832130B2 (ja) * | 2016-11-04 | 2021-02-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置 |
JP7134802B2 (ja) * | 2018-09-14 | 2022-09-12 | 株式会社アルバック | 真空処理装置 |
JP7384735B2 (ja) * | 2020-04-07 | 2023-11-21 | 株式会社アルバック | スパッタリング装置 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01212756A (ja) * | 1988-02-17 | 1989-08-25 | Shimadzu Corp | スパッタリング装置 |
JPH0589448U (ja) * | 1992-04-28 | 1993-12-07 | 株式会社島津製作所 | スパッタリング装置 |
JP2000219964A (ja) * | 1999-01-28 | 2000-08-08 | Mitsubishi Chemicals Corp | 成膜方法及び成膜装置 |
JP4974582B2 (ja) * | 2006-05-08 | 2012-07-11 | 株式会社アルバック | 成膜装置 |
-
2009
- 2009-04-17 JP JP2009100858A patent/JP5299049B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2010248587A (ja) | 2010-11-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6506290B1 (en) | Sputtering apparatus with magnetron device | |
KR100212087B1 (ko) | 스퍼터링 장치 | |
JPH06504092A (ja) | 一つのターゲットより多重リングスパッタするための装置及び方法 | |
TW202018113A (zh) | Pvd濺射沉積腔室中的傾斜磁控管 | |
JP2015530484A (ja) | 粒子フリーの回転ターゲット及びそれを製造する方法 | |
US20140346037A1 (en) | Sputter device | |
JP5299049B2 (ja) | スパッタリング装置およびスパッタリング方法 | |
JP2007284794A (ja) | 膜の堆積/エッチング特性を変えるための磁気フィルタ装置を備えたプラズマ・システム | |
TW201321539A (zh) | 圓柱磁控濺射陰極 | |
JP6588351B2 (ja) | 成膜方法 | |
JP2912864B2 (ja) | スパッタリング装置のマグネトロンユニット | |
JP2008214709A (ja) | マグネトロンスパッタ装置 | |
JP2012201971A (ja) | 成膜装置 | |
JP2023081897A (ja) | マルチカソードを用いた堆積システム | |
JP2011089146A (ja) | スパッタリング装置およびスパッタリング方法 | |
TW202321484A (zh) | 具有旋轉底座的傾斜pvd源 | |
JPH04371575A (ja) | スパッタ装置 | |
KR20010052285A (ko) | 스퍼터링 장치 및 마그네트론 유닛 | |
JP2000319780A (ja) | スパッタリングカソード及びこれを備えたマグネトロン型スパッタリング装置 | |
JP2002294446A (ja) | スパッタ源及び成膜装置 | |
JPH05287519A (ja) | スパッタ装置 | |
JP2006037127A (ja) | スパッタ電極構造 | |
TW202202645A (zh) | 用於物理氣相沉積(pvd)的多半徑磁控管及其使用方法 | |
JP4877058B2 (ja) | 対向ターゲットスパッタ装置及び方法 | |
CN112154227A (zh) | 溅射装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20100910 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20100915 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120118 |
|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20121214 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130321 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130326 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130423 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130521 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130603 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |