JP7134802B2 - 真空処理装置 - Google Patents
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- 真空チャンバと、
真空チャンバ内に設けられる、回転軸回りに回転自在に支持されて回転軸を中心とする第1仮想円周上で少なくとも1枚の矩形の被処理基板をその一方の面を開放した状態で保持する基板保持手段と、
基板保持手段が真空チャンバ内の上部空間に設けられるものとし、回転軸回りに基板保持手段を回転駆動させたときに、被処理基板に対向する真空チャンバ内下部の第1空間に設けられて、被処理基板の一方の面に対して成膜する成膜ユニットと、第1空間から周方向に離間する真空チャンバ内下部の第2空間に設けられて、被処理基板の一方の面に成膜されたものの表面改質を行う改質ユニットとを備える真空処理装置において、
成膜ユニットは、前記仮想円周の中心線に平行に且つ間隔を存して並設される、被処理基板より小さい面積の主ターゲットを夫々有する少なくとも2個の第1スパッタリングカソードと、並設される主ターゲットのうち径方向最外側に位置するものを通る第2仮想円周上でその主ターゲットから周方向に離隔配置させる補助ターゲットを備える第2スパッタリングカソードとで構成され、
前記成膜ユニットが2セット設けられ、互いに異なる主ターゲット及び補助ターゲットを備え、一方の成膜ユニットと他方の成膜ユニットとの各主ターゲットが、径方向に対して直交する方向で互いに対峙させて配置され、一方の成膜ユニットと他方の成膜ユニットとの補助ターゲットは周方向で互いに背向する方向に配置されることを特徴とする真空処理装置。 - 前記改質ユニットは、第2空間に酸素ガスを導入するガス導入手段と、この第2空間に酸素プラズマを発生させるプラズマ発生手段とで構成されることを特徴とする請求項1記載の真空処理装置。
Priority Applications (1)
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JP2018172833A JP7134802B2 (ja) | 2018-09-14 | 2018-09-14 | 真空処理装置 |
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JP2020045510A JP2020045510A (ja) | 2020-03-26 |
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Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001035846A (ja) | 1999-07-16 | 2001-02-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜形成装置および薄膜形成方法 |
JP2010248587A (ja) | 2009-04-17 | 2010-11-04 | Panasonic Corp | スパッタリング装置およびスパッタリング方法 |
JP2012219338A (ja) | 2011-04-11 | 2012-11-12 | Panasonic Corp | スパッタリング装置及びスパッタリング方法、ならびにその方法で作製された電子デバイス |
JP2014530297A (ja) | 2011-09-28 | 2014-11-17 | ライボルト オプティクス ゲゼルシャフトミット ベシュレンクテル ハフツングLeybold Optics GmbH | 基板上に反射低減層を生成するための方法および装置 |
JP2018095959A (ja) | 2016-12-13 | 2018-06-21 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 成膜装置 |
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2018
- 2018-09-14 JP JP2018172833A patent/JP7134802B2/ja active Active
Patent Citations (5)
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