JP6636796B2 - スパッタリング装置及びスパッタリング方法 - Google Patents
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Description
Claims (6)
- 処理対象物が配置される真空チャンバと、真空チャンバ内にバッキングプレートを介して配置されるターゲットとを備えるスパッタリング装置であって、
ターゲットの中央部分がエロージョン領域となり、バッキングプレートがその内部に冷媒通路を有して、冷媒通路を流れる冷媒との熱交換でターゲットを冷却可能としたものにおいて、
冷媒通路は、ターゲットの外周側でこのターゲットの輪郭に対応させて区画された外側通路部と、ターゲットの内周側でこのターゲットの輪郭に対応させて区画された内側通路部とを備え、
外側通路部が連通する冷媒供給口と、内側通路部が連通する冷媒排出口とをバッキングプレートの外表面に設けると共に外側通路部と内側通路部とが互いに接続され、冷媒供給口から外側通路部と内側通路部とを経て冷媒排出口から排出されるように冷媒を循環させる冷媒循環手段を設け、ターゲットの外周側よりも内周側の温度が高い温度勾配が生じるように構成したことを特徴とするスパッタリング装置。 - 処理対象物が配置される真空チャンバと、真空チャンバ内にバッキングプレートを介して配置されるターゲットとを備えるスパッタリング装置であって、
ターゲットの中央部分がエロージョン領域となり、バッキングプレートがその内部に冷媒通路を有して、冷媒通路を流れる冷媒との熱交換でターゲットを冷却可能としたものにおいて、
冷媒通路は、ターゲットの外周側でこのターゲットの輪郭に対応させて区画された外側通路部と、ターゲットの内周側でこのターゲットの輪郭に対応させて区画された内側通路部とを備え、
外側通路部に冷媒を循環させる第1の冷媒循環部と、内側通路部に、バッキングプレートの外表面に設けられる外側通路部の冷媒供給口に冷媒を供給するときの冷媒温度より高くして冷媒を循環させる第2の冷媒循環部とを有する冷媒循環手段を更に備え、ターゲットの外周側よりも内周側の温度が高い温度勾配が生じるように構成したことを特徴とするスパッタリング装置。 - 請求項1または請求項2記載のスパッタリング装置であって、前記ターゲットを絶縁物製とし、前記ターゲットに高周波電力を投入する高周波電源を備えることを特徴とするスパッタリング装置。
- 処理対象物が配置される真空チャンバ内に、内部に冷媒通路を有するバッキングプレートを介してターゲットを配置し、前記ターゲットに高周波電力を投入してターゲットをスパッタリングするスパッタリング方法であって、ターゲットの中央部分がエロージョン領域となるものにおいて、
前記冷媒通路は、ターゲットの外周側でこのターゲットの輪郭に対応させて区画された外側通路部と、ターゲットの内周側でこのターゲットの輪郭に対応させて区画された内側通路部とを備え、
前記内側通路部に前記外側通路部よりも高い温度の冷媒を循環させ、ターゲットの外周側よりも内周側の温度が高い温度勾配を生じさせることを特徴とするスパッタリング方法。 - 前記外側通路部が連通する冷媒供給口と、内側通路部が連通する冷媒排出口とをバッキングプレートの外表面に設けると共に外側通路部と内側通路部とが互いに接続され、冷媒供給口から外側通路部と内側通路部とを経て冷媒排出口から排出されるように冷媒を循環させることを特徴とする請求項4記載のスパッタリング方法。
- 前記外側通路部と前記内側通路部に独立して冷媒を循環させるようにし、前記内側通路部に供給する冷媒の温度を、前記外側通路部に供給する冷媒の温度より高くすることを特徴とする請求項4記載のスパッタリング方法。
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